JPH0687258B2 - パタン欠陥検査装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路等の製造に適用されるＸ線露
光法で使用されるＸ線マスクやその他の微細パタンのパ
タン欠陥を電子線等の走査手段を用いて高速かつ精度良
く検査する装置に関するものである。

〔従来の技術〕

集積回路パタンを被加工基板に転写する方法としてＸ線
露光法が注目されている。Ｘ線露光法では、数〜数10Å
の波長の光を用いるため、紫外線露光法に比べ回折の影
響が少なく、紫外線露光法では転写が困難な微細パタン
を転写できる利点を有している。このＸ線露光法では、
Ｘ線を吸収する吸収体パタンとそれを支持しＸ線を透過
する支持膜で基本的に構成されるＸ線マスクが用いられ
る。Ｘ線露光法では、Ｘ線マスクとパタンを転写すべき
基板を近接対向させ、吸収体パタンを同じ大きさで基板
に転写する。従つて、Ｘ線マスク上の吸収体パタンは、
縮小投影露光法で使用されるホトマスク（レチクルと云
う）上のパタンとは異なり、基板上のパタンと同じ大き
さの微細パタンである。このＸ線マスクにパタン欠陥が
あると、このパタンを元にして半導体集積回路等が製造
されるので、その製品の製造歩留りが大きく低下するこ
とになる。従つて、Ｘ線マスクのパタン欠陥を検査し除
去することは極めて重要な課題である。

従来、半導体集積回路等の製造に使われる微細パタンを
有するマスクパタンを検査する方法としては、同一マス
ク上の２チツプ間の同一か所を同時に比較する２チツプ
比較法，設計データと被検査パタンとを比較する設計デ
ータ比較法が主に用いられてきた。２チツプ比較法は、
第11図に示すように、たとえばスキヤンゼネレータ110
およびFS管111から走査ビーム112を発生するレーザビー
ムあるいはフライングスポツトスキヤナ等の走査手段の
光を２本の、たとえば対物レンズ114₁,114₂からなる顕
微鏡レンズによつて分割し、ステージ116上の試料115の
２チツプの同一か所を同時に走査し、たとえばハーフミ
ラ113₁,113₂、集光レンズ117₁,117₂、光電子増倍管11
8₁,118₂、前置増幅器119₁,119₂、欠陥検出回路120、CRT
121,122などで構成される検出装置によりその検出信号
の差分をとり、差分が大きいとき欠陥があるとする検査
方法である。この方法は、設計データや他のチツプの辞
書となるデータをあらかじめ準備する必要がないので、
データ変換やデータの記憶手段を必要としないため、比
較的安価に装置を構成できるという利点がある。また、
信号処理をハードウエアのみで行なえるので検査速度が
速い等の利点がある。

設計データ比較法は、従来、設計データと被検査パタン
を走査して得た走査データを“1"“0"の２値で表わされ
るパタンに変換してメモリに格納し、順次読み出して比
較する方法がとられていたが、パタンが微細化するにつ
れて分解能を上げるために画素の大きさを小さくするこ
とが必要になり、比較時間が画素の大きさの２乗に反比
例して増大するという欠点が生じてきた。この欠点を解
消する方法として、設計データと走査データを圧縮して
比較する方法が提案されてきた。その方法の１つとし
て、１走査線毎の各パタンエツジの走査開始点からの距
離を変数とする関数値の累計和を比較データとする検査
方向が提案されている（たとえば特許第1059276号）。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の検査方式においては、以下に述べる問題があるた
め、Ｘ線マスクパタン等の微細パタンを精度良く検査す
ることができていないのが現状である。

２チツプ比較法においては、撮像系が二つに分かれるた
め、レンズの歪や光強度の不均一性，検出器の特性の差
異などにより微小欠陥の検出分解能に限界が生ずる。ま
た、この方法では、マスクのチツプ間にもともと存在す
るチツプ位置誤差や角度誤差（マスクの各層間ではマス
クパタン描画のさいにこれらの誤差を補正してパタンを
形成することができるため、その場合製造歩留りには影
響がない）を補正して比較することができないため、こ
れらの誤差も検出分解能を落とす原因になつている。

設計データ比較法においては、上記の２チツプ比較法に
おける撮像系の不均一性に基づく検出分解能の低下は生
じないが、完全な設計データと比較するので、撮像系の
歪や倍率誤差を正確に補正する必要がある。このため、
通常、撮像系の歪や倍率誤差を精度良く、測定する測定
手段と、測定値を基にしてそれらを補正する補正手段と
を必要とする。この歪や倍率誤差の補正が精度良く行な
われないと、その分検出分解能が落ちることになる。

また、設計データ比較法においては、比較データを圧縮
すると、画素の大きさを小さくしてもデータ比較の時間
を短縮することはできるが、比較データの作製の仕方に
よつては検査性能を落とすことがある。上記の１走査線
毎の各パタンエツジの走査開始点からの距離を変数とす
る周数値の累計和を比較データとする検査方式では、被
検査基板の撮像位置誤差がパタンエツジ位置の誤差を生
ずるため、パタンの位置に対する欠陥検出性能を低下さ
せている。また、１走査線の画像情報を１個の数値とし
て比較するため、欠陥が検出されてもその走査線上のど
の位置に欠陥があるのか特定することができず、マスク
パタン修正装置に受け渡すための欠陥位置情報の精度を
悪くしている等の欠点がある。本発明は、設計データは
用いないが、比較データの作り方としては上記の方法を
基礎としており、上記の方法の欠点を解消し発展させた
ものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は従来の問題点を解決するため複数のチツプを有
する被検査基板を走査する走査部と、パタン形状に応じ
て発生した信号を検出する信号検出部と、検出された信
号を処理しパタンエツジを検出するパタンエツジ検出部
と、比較データ等のパタン情報を作成する比較データ作
成部と、作製されたパタン情報を一時記憶する記憶部
と、被検査基板を移動させ所定の位置に位置決めするＸ
−Ｙステージ等の移動部と、一時記憶する記憶部に蓄え
られた他のチツプの比較データと比較し、差異を検出す
るための比較判定部とで基本的に構成され、被検査基板
を走査部で走査し、信号検出部の出力信号からパタンエ
ツジ検出部でパタンエツジを検出し、比較データ作成部
により比較データを作成し、一時記憶部に比較データを
格納する。続いて、移動部によつて被検査パタンを移動
し、他のチツプを走査して比較データを作成し、２チツ
プ間の同一か所の比較データの差異を比較判定部で検出
する。

第１の発明は基本構成を備え、比較データ作成部のパタ
ンエツジ個数を比較データとするパタンエツジは信号の
立上り（暗→明）と立下り（明→暗）を区別して計数す
る。走査部の一走査線を細分化（以後セグメント化と云
う）して、比較データをセグメント毎に作成する。ま
た、セグメント間でのパタンの連続情報を得てパタンエ
ツジ個数を補正するためにつなぎめ処理回路を具備して
いることを特徴とする。

第２の発明は基本構成を備え、比較データ作成部は一走
査線内のパタンエツジの最初のパタンエツジからの距離
の累計和を比較データとして作成することを特徴とす
る。

第３の発明は基本構成を備え、セグメント毎のパタンエ
ツジ個数と、各パタンエツジの距離の累計和を同時に比
較データとして作成することを特徴とする。

なお、パタンエツジ個数を計数して比較データとする比
較データ作成部をセグメント毎に垂直方向に所定本数の
走査線の比較データを加算して一つの２次元領域の比較
データとして作製する構成も第１の発明の一実施態様で
ある。

〔作 用〕

本発明は、単一のビームを走査する走査部により複数の
チツプ上を走査し、同一か所の比較データを比較するよ
うにしているので、撮像系の不均一性や歪が相殺される
ため、従来の２チツプ比較法の欠点を除去することがで
き、分解能の高い検査を可能にしている。このことは、
撮像系に電子線走査系を適用したときより顕著に現れ
る。電子光学系は、一般に比較的大きな偏光歪をもつて
いるが、同一か所の走査の再現性には優れるという特性
を有しているからである。またマーク検出により、アラ
イメントを高精度に実現できるもので、たとえステージ
移動に伴い、２番目に検出するチツプが回転、平行位置
づれなどの誤差があつても容易にこれらを補正して、位
置情報を第１のチツプと同じ条件で検出できるからであ
る。また比較データのパタンエツジの個数は、パタンの
左右のエツジが別々に計数され、かつ、セグメント毎に
計数される。このとき、セグメント間でのパタンの連続
情報はつなぎめ処理回路で処理され、パタンエツジ個数
が補正されるので、セグメントの境界で発生するトラブ
ルを避けることができる。このセグメント化により、検
出した欠陥の一走査線内での位置がセグメント単位で特
定できるようになる。この比較データを用いると、２チ
ツプ間でパタンエツジ個数が相異するとき欠陥が検出さ
れる。

さらに各パタンエツジの距離の累計和を比較データとす
る手段によりパタンの位置ずれ等の欠陥の検出を可能と
し、最初のパタンエツジを検出してから距離計数を行な
うことにより撮像位置の誤差から生ずるパタン位置の欠
陥検出の分解能の低下を回避することができる。

また比較データとして以上のパタンエツジ個数とパタン
位置の累計和の２つの比較データを同時に作製するよう
にしており、これらを比較することにより、より広範囲
な種類の欠陥を検出できるようにしている。

また比較データとして各セグメントでのパタンエツジ個
数の２次元領域内での累計和を示す一つの比較データを
作成することにより、パタンデータ圧縮を更に高度化し
ている。これは、比較データの一時記憶部の容量を節減
し、かつ、比較時間を短縮するのに役立つている。

以下図面にもとづき実施例について説明する。

〔実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図であつて、
１は電子線照射器、２は二次電子および透過電子検出
器、３は被検査物、４は試料ステージ、５はエツジ信号
処理部、６は比較データ作成部、７は比較判定部、８は
比較メモリ、30は被検査物３を載置した試料ステージ４
を移動する移動部である。

上記構成において、例えば、第２図に示すマスクのA,B
チツプの検査を行なうときは、基準マーク９によりアラ
イメントを行なつた後、Ａチツプを電子線走査する。電
子線照射器１によりＡチツプを走査し、同チツプのパタ
ン部で発生した信号を検出器２で検知し、その信号をエ
ツジ信号処理部５で波形整形を行ない、“1",“0"の２
値化信号を生成する。比較データ作成部６では２値化信
号をもとに１走査線ごとにパタンエツジ個数の計数の比
較データを作成し、比較メモリ８に格納する。次に、試
料ステージ４を移動させ、Ｂチツプ用の基準マーク９′
によりアライメントをした後、電子線照射器１によりＡ
チツプと同様に走査し、比較データを検出して比較メモ
リ８に格納し、A,Bの両チツプについて各走査線ごとの
比較を比較判定部７で行ない、欠陥の有無を検出する。
なお、A,Bチツプの比較はＢチツプの全データを確保し
た後に行なう方法と、Ｂチツプの走査線ごとに比較デー
タを作成した時点に、Ｂチツプの走査線に対応するＡチ
ツプの走査線を順次、データ検出を同時に比較・検査を
行なうこともできる。

２値化データを走査線ごとに１対１で比較する方法で
は、例えば１走査領域を5mm^□とし、0.25μｍを最小単
位とすると、20000×20000のデータの格納領域が必要と
なる。よつて、いかに効率良く、比較データを作成する
かが重要となる。

第３図に２値化信号よりエツジ個数を計数して比較デー
タを作成する比較データ作成部の処理手順を示す。10は
エツジ個数UPカウンタ、11はエツジ個数DOWNカウンタで
ある。

電子線により走査開始するときに、パタンエツジ個数UP
カウンタ10,パタンエツジ個数DOWNカウンタ11を零クリ
アする。一走査線内でパタンエツジの立上りが検出され
たときパタンエツジ個数UPカウンタ10に１を加える。パ
タンエツジの立下りが検出されたときは、パタンエツジ
個数DOWNカウンタに１を加算する。このようにして、各
走査線ごとの比較データを作成する。

一走査線ごとのエツジ個数を比較データとすることによ
り、ピンホール，黒点，断線等の欠陥を判別することが
でき、かつ、欠陥の個数も判定できる。さらにデータの
圧縮率が高いため大幅なメモリ節約と処理の高速化が可
能となる。

なお、エツジ個数比較では、欠陥位置が明らかでないた
め、走査線幅が長くなると検査終了後の欠陥位置の確認
に時間を要してしまう。このため、一走査線を数十μｍ
の細分化された領域（以下、セグメントと呼ぶ）に分割
し、セグメントごとの、エツジ個数を比較することによ
り欠陥の概略位置を明示する。

第４図によりセグメントごとの比較手順を示す。

一走査線のスキヤン開始時にセグメントごとのパタンエ
ツジの個数をカウントするエツジ個数UPカウンタ10,エ
ツジ個数DOWNカウンタ11（以下UPカウンタ,DOWNカウン
タと略記する）ををセグメントごとのつなぎめ処理用フ
ラグ（以下つなぎめフラグという。）15を零クリアす
る。

一走査線において、パタンエツジの立上りが検出された
とき、UPカウンタ10に１を加え、パタンエツジの立下り
が検出されたらDOWNカウンタ11に１を加える。１セグメ
ント分の処理が終了したならば、セグメント内のエツジ
個数カウンタのUPカウンタ10,DOWNカウンタ11を、それ
ぞれラツチメモリ12,13に記録し、UPカウンタ10,DOWNカ
ウンタ11を零クリアする。

なお、つなぎめ回路14のつなぎめフラグ15はUPカウンタ
10とDOWNカウンタ11の値が異なるときに反転させる。

一走査線をセグメントごとに分割処理した場合、セグメ
ント境界にパタンがあると、そのパタンがどのセグメン
トに含まれるか判定する必要があるため、セグメント間
にまたがるパタンのつなぎめ処理を施こす。第５図によ
りつなぎめ処理手順を説明する。つなぎめ処理は１セグ
メント終了後、次のセグメントの走査を行なつている間
に実行する。ただし、最終セグメントのときは、走査線
の帰線期間中に行なう。まず、一つ前のセグメントから
のパタンのつなぎ処理が必要であるが、つなぎめフラグ
15により判定する。つなぎめフラグ15がOFF（LOWレベ
ル）ならば、つなぎめ処理を必要としないので、UPカウ
ンタラツチメモリ12の値（以下UPカウンタ値という。）
とDOWNカウンタラツチメモリ13の値（以下DOWNカウンタ
値という。）と比較する。もし、UPカウンタ値12が大き
ければ、パタンが次のセグメントにまたがつているの
で、つなぎめフラグ15をON（HIGHレベル）にし、かつ、
UPカウンタ値12から１を減ずる。すなわち、セグメント
間にまたがるパタンは次のセグメントに含まれることと
して処理する（第６図（ａ））、１つ前のセグメントか
らのつなぎめがあるとき（つなぎめフラグ15がON）は、
UPカウンタ値12を調べ、UPカウンタ値が零ならば、パタ
ンがさらに、次のセグメントにまたがつているとして次
のセグメントへつなぎめフラグ15をそのままにして受け
わたす（第６図（ｄ））。もし、UPカウンタ値12が零で
なければ、UPカウンタ値12に１を加算し、UPカウンタ値
12とDOWNカウンタ値13を比較し、等しければつなぎめフ
ラグ15をOFF（LOWレベル）にする（第６図（ｂ））等し
くなければ、次のセグメントへのつなぎめ処理が必要で
あるとして、つなぎめフラグをON（HIGHレベル）する
（第６図（ｃ））。つなぎめ処理を終了したエツジ個数
用のUPカウンタ値12を第１図における比較メモリ部７に
転送する。以上の処理により、セグメント境界に存在す
るパタンを明確に処理することができる。

第７図にA,Bチツプ間のデータ比較における走査線間
（Ｙ軸方向）の補正処理について説明する。走査線間の
位置補正はA,Bチツプで検出したエツジ個数（一走査線
内のエツジ総数和）を用いて行なう。Ａチツプの先頭走
査線からエツジ個数値を順次調べ、エツジ個数が格納さ
れている走査線Ａ（ｉ）を求める。同様にＢチツプのエ
ツジ個数が格納されている走査線Ｂ（ｊ）を求める。以
下、Ａ（ｉ）,B（ｊ）を基準に走査線間を比較する。

なお、走査線がパタンの長い水平エツジ部に当つたとき
には、２値化の量子化誤差により、パタンエツジ個数値
がばらつくので、単純に比較すると、正常なパタンであ
つても欠陥があると判定されてしまう。しかし、この誤
検出は、比較データ値の垂直方向の連続性をチエツクし
て変り目を認識し、変り目で比較データが一致せずとも
欠陥と判定しないような方法等を用いることによつて誤
検出せずに欠陥のみを検出することができる。

このように、チツプ間の検査を同一の電子線により走査
するため、電子線による偏向歪の影響を少なくすること
ができる。また、１走査線をセグメントに細分化し、セ
グメントごとにパタンエツジ個数を求めることにより欠
陥の概略位置、および、そのセグメント内での欠陥個数
を明示することができる。さらに、比較データの圧縮が
高いので、メモリの節減と処理の高速化を可能にした。

第８図a,bは比較データとして、ある基準位置から各パ
タンエツジ位置までの距離の累計和としたときの本発明
の第２の実施例である。

従来技術による走査画面の左端を基準位置としてパタン
エツジ位置の累計利を求めると、アライメント誤差や、
マークとパタン間での描画誤差があると、走査開始時ま
でに距離の累積誤差が生じる。このため、本発明では以
下の手順で比較データを作成する。

電子線により走査開始するときに、パタンエツジ位置の
累計和カウンタ19を零クリアする。一走査線内で最初の
パタンエツジの立上りが検出されたとき、パタン位置を
計数する距離計数カウンタ18をスタートさせる。なお、
17は最初のパタンエツジを検出する回路である。以下、
パタンエツジの立上り，立下りをエツジラツチ回路16で
検出し、そのときの距離計数カウンタ18の値をパタンエ
ツジ位置の累計和カウンタ19に加算する。一走査線が終
了したときに、累計和カウンタ19を第１図における比較
メモリ８へ格納する。この操作を１検査領域，全てにつ
いて行なう。なお、エツジ位置の累計和を求める方法で
は２値化時の量子化誤差等を含むため、チツプ間のデー
タを比較するときは、これらの誤差分をあらかじめ設定
した許容値と比較する。また、走査線間の補正は実施例
１と同様に、走査線間のエツジ累計和値より行なう。

このように、一走査線ごとに最初のパタンエツジ位置を
検出し、その位置を基準として、パタンエツジ位置の累
計和を求めるとともに、走査線間の位置補正を行なうこ
とにより、アライメント誤差や、アライメントマークと
パタン間での描画誤差による疑似欠陥を除去できる。チ
ツプ間の検査に同一の電子線を用いることにより偏光歪
の影響を少なくすることができることと、比較データの
圧縮によりメモリを節減でき、かつ処理を高速化できる
ことの利点は実施例１と同様である。本実施例の比較デ
ータを用いるとパタンエツジの個数と位置の欠陥を検出
することができる。

なお、本実施例の比較データによる欠陥検出能力は、実
施例１の比較データによる欠陥検出能力を包含するよう
に思われるが、エツジ個数が異なつているのにエツジ位
置の累計和が同じである場合もあり得るので完全には包
含していない。また、本実施例は、セグメント化をして
いない点が実施例１と相異する。

次に第３の実施例として、前記までの実施例で用いたエ
ツジ個数，エツジ位置の累計和の比較データを併用した
検査例を以下に示す。

第９図は２値化信号よりパタンエツジ個数，パタンエツ
ジ位置の累計和データを作成する比較データ作成部を示
す。

一走査線のスキヤン開始時にセグメントごとのパタンエ
ツジの個数をカウントするUPカウンタ10,DOWNカウンタ1
1とパタンエツジ位置の累計和カウンタ19,セグメントご
とのつなぎめ処理用のつなぎめフラグ15を零クリアす
る。一走査線の最初のセグメントにおいて、最初のパタ
ンエツジの立上りが検出されたとき、パタン位置を計数
する距離計数カウンタ18をスタートさせると同時にUPカ
ウンタ10に１を加える。以下、パタンエツジの立下りが
検出されたならばDOWNカウンタ11に１を加え、立上りエ
ツジが検出されたならばUPカウンタ10に１を加えるとと
もに、各立上り，立下りをエツジラツチ回路16で検出し
たときの距離計数カウンタ値18をエツジ位置累計和カウ
ンタ19に加算する。１セグメント分の処理が終了したな
らばセグメント用エツジ個数カウンタのUPカウンタ10,D
OWNカウンタ11をそれぞれラツチメモリ12,13に記録し、
各カウンタを零クリアする。なお、セグメントのつなぎ
め処理は実施例１と同様の処理を施こす。

各セグメントごとに求めた、UPカウンタ値と一走査線ご
とのエツジ累和値を比較データとして比較メモリに格納
する。１検査領域の全てのデータを確保した後、他チツ
プについて同様な処理を施したデータと比較，検査を行
なう。両チツプ間のデータ比較のときに、走査線間の補
正処理を行なう。補正は実施例１で示した様に両チツプ
間のエツジ個数値をもとにして行なう。

このように、走査線ごとのデータとして位置情報を含ま
ない、エツジ個数比較と最初のパタン位置を基準として
各パタン位置の距離の累計和比較を併用する方式により
基準マークの位置ずれによる誤検出を防止できる等、実
施例１および２での効果が得られる。また、併用するこ
とにより、欠陥検出の信頼性が向上する。

実施例１では一走査線を細分化してセグメントに分割
し、セグメントごとのデータを比較データとしたが、細
分化されたセグメントを複数本分加算して、２次元領域
の比較データとした検査も可能であり第１の発明の一態
様である。以下、第10図a,bを用いて具体的に説明す
る。

今、１走査線をｎセグメントに分割し、ｍ走査線分を加
算する場合、１検査領域を走査開始するときに、ｍ走査
線分を計数する走査線カウンタ20,および１走査線のセ
グメント位置を計数するセグメントカウンタ21を零クリ
アする。１走査線をスキヤンしてセグメントごとに検出
されたパタンエツジ個数を一時メモリ22に格納する。具
体的にはｉ番目のセグメントで検出されたUPカウンタ
値,DOWNカウンタ値をUP（ｉ）,DN（ｉ）としたとき、こ
れらを一時メモリMUP（ｉ）へ格納する。次の走査線を
スキヤンして、セグメントカウンタ21がｉ番目のときに
得られたUPカウンタ値,DOWNカウンタ値（UP′（ｉ）,D
N′（ｉ））を一時メモリのMUP（ｉ）,MDN（ｉ）に加え
る。以下、ｍ走査線分だけ処理することにより、２次元
領域での走査データが作成できる。また、第３の発明で
示したようにエツジ個数とエツジ位置累計和比較を併用
するときにもエツジ個数データのみ２次元領域のデータ
として比較することも可能であり、一態様である。

このように、２次元領域間での比較を行なうことによ
り、さらに、データの高圧縮が可能になる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、単一の電子線によりチツプごとに
走査・比較するため、電子線の偏向歪が除去でき、か
つ、一走査線ごとに最初のパタンエツジ位置を検出し、
その位置を基準位置として、パタンエツジ個数、パタン
エツジ位置の累積和を検出するとともに走査線間の位置
補正を行うことによりマークアライメント誤差やアライ
メントマークとパタン間での描画誤差による疑似欠陥を
除去できる。また、１走査線を細分化処理し、細分化領
域ごとにつなぎめ処理を施こすことにより、細分化領域
の境界上に存在するパタンを明確に処理できるため、欠
陥の概略位置および欠陥個数を正確に明示することがで
きる。さらに、検査データの圧縮率が高く、比較法も単
純であるため、メモリの節減と処理の高速化が図れる利
点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置構成図、 第２図はマスクのパタン配置例を示した図、 第３図は一走査ごとにエツジ個数カウントする比較デー
タ作成部の構成図、 第４図は一走査線を細分化したときの比較データ作成部
の構成図、 第５図は細分化処理したときのつなぎめ部の処理手順を
示した図、 第６図はつなぎめ処理の概略図、 第７図は走査線間のシフト補正を示した図、 第８図a,bは最初のパタンエツジを基準としてエツジ累
計和を求める比較データ作成部の構成図、 第９図はエツジ個数，エツジ累計和を併用したときの比
較データ作成部の構成図、 第10図a,bは細分化領域を２次元領域としたときの比較
データ作成部の構成と２次領域でのエツジ計数の概略を
示した図、 第11図は従来のフライングスポツトスキヤナを用いた２
チツプ比較装置である。 110……スキヤンゼネレータ 111……FS管 112……走査ビーム 113₁,113₂……ハーフミラ 114₁,114₂……対物レンズ 115……試料 116……ステージ 117₁,117₂……集光レンズ 118₁,118₂……光電子増倍管 119₁,119₂……前置増幅器 120……欠陥検出回路 121,122……CRT １……電子線照射器 ２……検出器 ３……被検査物 ４……試料ステージ ５……エツジ処理部 ６……比較データ作成部 ７……比較判定部 ８……比較メモリ 9,9′……基準マーク 10……エツジ個数UPカウンタ 11……エツジ個数DOWNカウンタ 12……UPカウンタラツチメモリ 13……DOWNカウンタラツチメモリ 14……つなぎめ回路 15……つなぎめフラグ 16……エツジラツチ回路 17……最初のパタンエツジ検出 18……距離計数カウンタ 19……累計和カウンタ 30……移動部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】微細パタンを被加工物に転写する際のパタ
   ン欠陥検査装置において、 同一パタンを有する被検査物と、 前記被検査物を走査する走査部と、 前記走査部により走査した前記被検査物の表面状態を反
   映した信号を検出する信号検出部と、 前記信号検出部により検出された信号からパタンエッジ
   を検出するパタンエッジ検出部と、 前記パタンエッジ検出部により検出されたパタンエッジ
   から前記被検査物のパタン情報を処理し、比較データを
   作製する比較データ作成部と、 前記比較データを一時記憶する記憶部と、 前記被検査物を移動する移動部と、 前記記憶部に一時記憶された二つの異なる領域の同一パ
   タンによる比較データを比較して、異なる部位を検出す
   る比較判定部とから構成され、 前記比較データ作成部は、 前記走査部のそれぞれの走査線を細分化された領域に分
   割する分割部と、 前記それぞれの細分化された領域ごとにパタンエッジ個
   数を計数する計数部と、 前記細分化された領域内でのパタンのつながり状態を判
   断し、パタンエッジ個数の計数値を補正する補正部とを
   備えてなる ことを特徴とするパタン欠陥検査装置。
2. 【請求項２】前記被検査物を走査する走査部は、電子線
   を用いた走査部からなる特許請求の範囲第１項記載のパ
   タン欠陥検査装置。
3. 【請求項３】微細パタンを被加工物に転写する際のパタ
   ン欠陥検査装置において、 同一パタンを有する被検査物と、 前記被検査物を走査する走査部と、 前記走査部により走査した前記被検査物の表面状態を反
   映した信号を検出する信号検出部と、 前記信号検出部により検出された信号からパタンエッジ
   を検出するパタンエッジ検出部と、 前記パタンエッジ検出部により検出されたパタンエッジ
   から前記被検査物のパタン情報を処理し、比較データを
   作製する比較データ作成部と、 前記比較データを一時記憶する記憶部と、 前記被検査物を移動する移動部と、 前記記憶部に一時記憶された二つの異なる領域の同一パ
   タンによる比較データを比較して、異なる部位を検出す
   る比較判定部とから構成され、 前記比較データ部は、 前記走査部のそれぞれの走査線ごとに、前記パタンエッ
   ジ検査部により検出されたパタンエッジを基準としてそ
   れぞれのパタンエッジまでの距離の累計和を計数する計
   数部からなる ことを特徴とするパタン欠陥検査装置。
4. 【請求項４】前記被検査物を走査する走査部は、電子線
   を用いた走査部からなる特許請求の範囲第３項記載のパ
   タン欠陥検査装置。
5. 【請求項５】微細パタンを被加工物に転写する際のパタ
   ン欠陥検査装置において、 同一パタンを有する被検査物と、 前記被検査物を走査する走査部と、 前記走査部により走査した前記被検査物の表面状態を反
   映した信号を検出する信号検出部と、 前記信号検出部により検出された信号からパタンエッジ
   を検出するパタンエッジ検出部と、 前記パタンエッジ検出部により検出されたパタンエッジ
   から前記被検査物のパタン情報を処理し、比較データを
   作製する比較データ作成部と、 前記比較データを一時記憶する記憶部と、 前記被検査物を移動する移動部と、 前記記憶部に一時記憶された二つの異なる領域の同一パ
   タンによる比較データを比較して、異なる部位を検出す
   る比較判定部とから構成され、 前記比較データ作成部は、 前記走査部のそれぞれの走査線を細分化された領域に分
   割する分割部と、 前記それぞれの細分化された領域ごとにパタンエッジ個
   数を計数する計数部と、 前記細分化された領域内でのパタンのつながり状態を判
   断し、パタンエッジ個数の計数値を補正する補正部とか
   らなる第１の比較データ作成部と、 前記走査部のそれぞれの走査線ごとに最初に検出された
   パタンエッジを基準としてそれぞれのパタンエッジまで
   の距離の累計和を計数する計数部からなる第２の比較デ
   ータ作成部と を併用した構成からなる ことを特徴とするパタン欠陥検査装置。
6. 【請求項６】前記被検査物を走査する走査部は、電子線
   を用いた走査部からなる特許請求の範囲第５項記載のパ
   タン欠陥検査装置。