JPH0685383A - 半導体レーザ素子およびその製法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製法Info
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- JPH0685383A JPH0685383A JP23169992A JP23169992A JPH0685383A JP H0685383 A JPH0685383 A JP H0685383A JP 23169992 A JP23169992 A JP 23169992A JP 23169992 A JP23169992 A JP 23169992A JP H0685383 A JPH0685383 A JP H0685383A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温熱処理を施したばあいであっても、低雑
音化に有効な自励発振が再現性良くえられる半導体レー
ザ素子を提供する。 【構成】 第１導電型の半導体基板11上に、第１導電型
の下部クラッド層12、活性層13、第２導電型の第１上部
クラッド層14、第１導電型の電流阻止層16、第２導電型
の第２上部クラッド層18および第２導電型のキャップ層
19がこの順に積層されており、かつ、前記電流阻止層中
に、共振器方向に沿ってストライプ溝21が形成されてな
る内部ストライプ型半導体レーザ素子で、前記ストライ
プ溝上の前記第２上部クラッド層および／またはキャッ
プ層の少なくとも一部分にホウ素または酸素を含有する
高抵抗領域を有している。
音化に有効な自励発振が再現性良くえられる半導体レー
ザ素子を提供する。 【構成】 第１導電型の半導体基板11上に、第１導電型
の下部クラッド層12、活性層13、第２導電型の第１上部
クラッド層14、第１導電型の電流阻止層16、第２導電型
の第２上部クラッド層18および第２導電型のキャップ層
19がこの順に積層されており、かつ、前記電流阻止層中
に、共振器方向に沿ってストライプ溝21が形成されてな
る内部ストライプ型半導体レーザ素子で、前記ストライ
プ溝上の前記第２上部クラッド層および／またはキャッ
プ層の少なくとも一部分にホウ素または酸素を含有する
高抵抗領域を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子および
その製法に関する。さらに詳しくは、光記録や光通信な
どの分野において用いられる、有効な低雑音化を図るこ
とができる自励発振型半導体レーザ素子およびその製法
に関する。
その製法に関する。さらに詳しくは、光記録や光通信な
どの分野において用いられる、有効な低雑音化を図るこ
とができる自励発振型半導体レーザ素子およびその製法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、光ディスク、光通信な
どの光源として広く利用されている。しかし、このよう
な応用においては、半導体レーザ光の有する可干渉性に
よって引き起こされる雑音がしばしば問題になってい
る。とくに、光学系からの反射光によって誘起される戻
り光雑音、または、光ファイバー内に半導体レーザ光を
伝搬させたときに生ずるモーダル雑音が問題になってい
る。
どの光源として広く利用されている。しかし、このよう
な応用においては、半導体レーザ光の有する可干渉性に
よって引き起こされる雑音がしばしば問題になってい
る。とくに、光学系からの反射光によって誘起される戻
り光雑音、または、光ファイバー内に半導体レーザ光を
伝搬させたときに生ずるモーダル雑音が問題になってい
る。
【０００３】このような雑音を低減させる手段として半
導体レーザの縦多モード化が有効であり、かかる縦多モ
ード化の１つの方法として自励発振を発生させることが
あげられる。自励発振を発生させるには、レーザチップ
内に何らかの形で可飽和吸収体を設ければよい。その１
つの方法として、プロトン注入法（特開昭61-203693号
公報）が知られている。この方法は、プロトン注入によ
り高抵抗領域を形成し、活性層の一部分に電流非注入領
域を設けることにより自励発振を生じさせている。
導体レーザの縦多モード化が有効であり、かかる縦多モ
ード化の１つの方法として自励発振を発生させることが
あげられる。自励発振を発生させるには、レーザチップ
内に何らかの形で可飽和吸収体を設ければよい。その１
つの方法として、プロトン注入法（特開昭61-203693号
公報）が知られている。この方法は、プロトン注入によ
り高抵抗領域を形成し、活性層の一部分に電流非注入領
域を設けることにより自励発振を生じさせている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】プロトン注入法は、プ
ロトン注入により生じた欠陥がＧａＡｓおよびＡｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ結晶を半絶縁性とすることを利用したもので
ある。しかし、プロトン注入による欠陥は、400 〜500
℃の熱処理で回復し、低抵抗状態に戻ってしまう。つま
り、この熱処理により可飽和吸収体が消失し、自励発振
が生じなくなってしまう。
ロトン注入により生じた欠陥がＧａＡｓおよびＡｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ結晶を半絶縁性とすることを利用したもので
ある。しかし、プロトン注入による欠陥は、400 〜500
℃の熱処理で回復し、低抵抗状態に戻ってしまう。つま
り、この熱処理により可飽和吸収体が消失し、自励発振
が生じなくなってしまう。
【０００５】このため、この方法では、プロトン注入後
は約400 ℃以上の熱処理を行うことができず、素子製作
上、著しい制約を受けるという問題がある。
は約400 ℃以上の熱処理を行うことができず、素子製作
上、著しい制約を受けるという問題がある。
【０００６】本発明は、叙上の事情に鑑み、高温熱処理
を施したばあいであっても、低雑音化に有効な自励発振
が再現性良くえられる半導体レーザ素子およびその製法
を提供することを目的とする。
を施したばあいであっても、低雑音化に有効な自励発振
が再現性良くえられる半導体レーザ素子およびその製法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の下部
クラッド層、活性層、第２導電型の第１上部クラッド
層、第１導電型の電流阻止層、第２導電型の第２上部ク
ラッド層および第２導電型のキャップ層がこの順に積層
されており、かつ、前記電流阻止層に、共振器方向に沿
ってストライプ溝が形成されてなる内部ストライプ型半
導体レーザ素子であって、前記ストライプ溝上の前記第
２上部クラッド層および／またはキャップ層の少なくと
も一部分にホウ素または酸素を含有する高抵抗領域を有
してなることを特徴としている。
子は、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の下部
クラッド層、活性層、第２導電型の第１上部クラッド
層、第１導電型の電流阻止層、第２導電型の第２上部ク
ラッド層および第２導電型のキャップ層がこの順に積層
されており、かつ、前記電流阻止層に、共振器方向に沿
ってストライプ溝が形成されてなる内部ストライプ型半
導体レーザ素子であって、前記ストライプ溝上の前記第
２上部クラッド層および／またはキャップ層の少なくと
も一部分にホウ素または酸素を含有する高抵抗領域を有
してなることを特徴としている。
【０００８】また、本発明の半導体レーザ素子の製法
は、（ａ）第１導電型の半導体基板上に少なくとも第１
導電型下部クラッド層、活性層、第２導電型の第１上部
クラッド層、第１導電型の電流阻止層を順次積層し、
（ｂ）前記電流阻止層にストライプ溝を形成し、（ｃ）
引き続き前記基板表面に第２導電型の第２上部クラッド
層、第２導電型のキャップ層を積層し、（ｄ）前記スト
ライプ溝上の少なくとも一部に前記キャップ層および／
または第２上部クラッド層の一定深さまでホウ素イオン
または酸素イオンをイオン注入して高抵抗領域を形成す
ることを特徴としている。
は、（ａ）第１導電型の半導体基板上に少なくとも第１
導電型下部クラッド層、活性層、第２導電型の第１上部
クラッド層、第１導電型の電流阻止層を順次積層し、
（ｂ）前記電流阻止層にストライプ溝を形成し、（ｃ）
引き続き前記基板表面に第２導電型の第２上部クラッド
層、第２導電型のキャップ層を積層し、（ｄ）前記スト
ライプ溝上の少なくとも一部に前記キャップ層および／
または第２上部クラッド層の一定深さまでホウ素イオン
または酸素イオンをイオン注入して高抵抗領域を形成す
ることを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明における半導体レーザは、電流注入路で
あるストライプ溝の一部分にホウ素イオンまたは酸素イ
オンを注入しており該部分が高抵抗領域となっている。
その結果、活性層に電流非注入領域が生じ、該部分に可
飽和吸収体が形成され、自励発振が起こる。
あるストライプ溝の一部分にホウ素イオンまたは酸素イ
オンを注入しており該部分が高抵抗領域となっている。
その結果、活性層に電流非注入領域が生じ、該部分に可
飽和吸収体が形成され、自励発振が起こる。
【００１０】また、ホウ素イオンまたは酸素イオンの注
入により形成した高抵抗領域は、400 〜800 ℃の熱処理
を施しても抵抗値はほとんど変化しないので、熱処理後
も自励発振が損なわれることがない。このことにより、
たとえば、イオン注入後高温処理して製造途中に結晶中
に生じる非発光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａなどの深
い準位を形成する物質、点欠陥、転位など）をゲッタリ
ングして発光効率を改善することができるなど、素子製
造プロセス上、さらには、素子応用上の制約が著しく緩
和される。
入により形成した高抵抗領域は、400 〜800 ℃の熱処理
を施しても抵抗値はほとんど変化しないので、熱処理後
も自励発振が損なわれることがない。このことにより、
たとえば、イオン注入後高温処理して製造途中に結晶中
に生じる非発光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａなどの深
い準位を形成する物質、点欠陥、転位など）をゲッタリ
ングして発光効率を改善することができるなど、素子製
造プロセス上、さらには、素子応用上の制約が著しく緩
和される。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照しつつ本発明の半導体
レーザ素子およびその製法を詳細に説明する。
レーザ素子およびその製法を詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の半導体レーザ素子の一実施
例の断面説明図、図２はホウ素イオン注入時に用いられ
るレジストのパターニングの説明図である。
例の断面説明図、図２はホウ素イオン注入時に用いられ
るレジストのパターニングの説明図である。
【００１３】図１において、11は(100) 面方位を有する
ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型の半導体基板である。
該半導体基板11上には、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）
法、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法などの方法によ
り、前記半導体基板11と同じ導電型のｎ−Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）からなる下部クラッド層12、Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.15）からなる活性層13、ｐ−Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）からなる第２導電型の第
１上部クラッド層14、ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.
15）からなる保護層15、ｎ−ＧａＡｓからなる電流阻止
層16、ｎ−ＡｌyＧａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.15）からなる蒸
発防止層17、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）から
なる第２上部クラッド層18、およびｐ+ −ＧａＡｓ層か
らなるキャップ層19が順次積層されている。ただし、電
流阻止層16、および蒸発防止層17は中央部においてスト
ライプ状に除去されており、このストライプ溝21上の前
記キャップ層および／または第２上部クラッド層の少な
くとも一部分にホウ素イオンまたは酸素イオンを注入し
た高抵抗領域22が設けられている。さらに、基板11表面
には、ｎ型電極10が、キャップ層19表面には、ｐ型電極
20がそれぞれ設けられている。なお、活性層は量子井戸
構造であっても何等差し支えない。また、前記保護層15
は第１上部クラッド層14の表面保護（パッシベーショ
ン）のため設けたもので、なくても差し支えない。さら
に蒸発防止層17はストライプ溝21を形成するのに再蒸発
法（サーマルエッチ法）を用いるため、ある深さまでエ
ッチング液で除去したのち、蒸発により完全な溝を形成
する際の電流阻止層16表面からの蒸発を防止するための
ものである。したがってエッチング液のみでストライプ
溝を形成するばあいには蒸発防止層17は不要である。
ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型の半導体基板である。
該半導体基板11上には、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）
法、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法などの方法によ
り、前記半導体基板11と同じ導電型のｎ−Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）からなる下部クラッド層12、Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.15）からなる活性層13、ｐ−Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）からなる第２導電型の第
１上部クラッド層14、ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.
15）からなる保護層15、ｎ−ＧａＡｓからなる電流阻止
層16、ｎ−ＡｌyＧａ1-y Ａｓ（ｙ＝0.15）からなる蒸
発防止層17、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝0.55）から
なる第２上部クラッド層18、およびｐ+ −ＧａＡｓ層か
らなるキャップ層19が順次積層されている。ただし、電
流阻止層16、および蒸発防止層17は中央部においてスト
ライプ状に除去されており、このストライプ溝21上の前
記キャップ層および／または第２上部クラッド層の少な
くとも一部分にホウ素イオンまたは酸素イオンを注入し
た高抵抗領域22が設けられている。さらに、基板11表面
には、ｎ型電極10が、キャップ層19表面には、ｐ型電極
20がそれぞれ設けられている。なお、活性層は量子井戸
構造であっても何等差し支えない。また、前記保護層15
は第１上部クラッド層14の表面保護（パッシベーショ
ン）のため設けたもので、なくても差し支えない。さら
に蒸発防止層17はストライプ溝21を形成するのに再蒸発
法（サーマルエッチ法）を用いるため、ある深さまでエ
ッチング液で除去したのち、蒸発により完全な溝を形成
する際の電流阻止層16表面からの蒸発を防止するための
ものである。したがってエッチング液のみでストライプ
溝を形成するばあいには蒸発防止層17は不要である。
【００１４】つぎに、この半導体レーザ素子の製法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】まず、第一回目のＭＢＥ成長により、基板
11上に下部クラッド層12から蒸発防止層17までの各層
（以下、これらの層を第１成長層と呼ぶ）を順次積層す
る。つぎにこの基板をＭＢＥ装置から取り出し、フォト
リソグラフィー技術を用いて、前記第１成長層の表面か
ら保護層15の表面が露出する深さのストライプ溝を形成
する。引き続き、ストライプ溝が形成されたこの基板を
再度、ＭＢＥ装置に入れ、基板表面にヒ素分子線を照射
しながら、基板を加熱し、フォトリソグラフィー工程で
付着した不純物を除去する。つぎに、２回目のＭＢＥ成
長によって、第２上部クラッド層18およびキャップ層19
を積層する。
11上に下部クラッド層12から蒸発防止層17までの各層
（以下、これらの層を第１成長層と呼ぶ）を順次積層す
る。つぎにこの基板をＭＢＥ装置から取り出し、フォト
リソグラフィー技術を用いて、前記第１成長層の表面か
ら保護層15の表面が露出する深さのストライプ溝を形成
する。引き続き、ストライプ溝が形成されたこの基板を
再度、ＭＢＥ装置に入れ、基板表面にヒ素分子線を照射
しながら、基板を加熱し、フォトリソグラフィー工程で
付着した不純物を除去する。つぎに、２回目のＭＢＥ成
長によって、第２上部クラッド層18およびキャップ層19
を積層する。
【００１６】つぎに、この基板のキャップ層表面19に、
図２の符号22に示されるようなパターニングを施したレ
ジストをマスクとしてホウ素イオンを注入する。こうし
てホウ素イオンが注入された領域が高抵抗領域22とな
り、その比抵抗は104 〜108 Ω・cm位の半絶縁性にな
る。本実施例では、１回のイオン注入（加速エネルギー
100 ｋｅＶ、ドーズ量 １×1014cm-2）により高抵抗領
域22を第２上部クラッド層18（約１μｍの厚さ）の途中
まで形成したが、キャップ層19（約１μｍの厚さ）の途
中まで、または活性層に達するまで形成してもよい。こ
の高抵抗領域22はたとえば、図２に示す半導体レーザの
チップが250 μｍ×250 μｍの大きさに対して10μｍ×
10μｍで形成したが、このストライプ溝方向の長さは５
〜25μｍ位に形成するのが好ましい。
図２の符号22に示されるようなパターニングを施したレ
ジストをマスクとしてホウ素イオンを注入する。こうし
てホウ素イオンが注入された領域が高抵抗領域22とな
り、その比抵抗は104 〜108 Ω・cm位の半絶縁性にな
る。本実施例では、１回のイオン注入（加速エネルギー
100 ｋｅＶ、ドーズ量 １×1014cm-2）により高抵抗領
域22を第２上部クラッド層18（約１μｍの厚さ）の途中
まで形成したが、キャップ層19（約１μｍの厚さ）の途
中まで、または活性層に達するまで形成してもよい。こ
の高抵抗領域22はたとえば、図２に示す半導体レーザの
チップが250 μｍ×250 μｍの大きさに対して10μｍ×
10μｍで形成したが、このストライプ溝方向の長さは５
〜25μｍ位に形成するのが好ましい。
【００１７】続いて、レジストを除去し、ヒ素雰囲気
中、400 〜800 ℃で約10〜30分間の熱処理（アニール）
を行う。このばあいに、キャップアニールなど他の手法
を用いてもよい。こうして、400 ℃以上の高温下で熱処
理することにより発光効率が改善される。すなわち、こ
の高温処理により、結晶成長中またはウエハプロセスの
エッチングや洗浄などの際に生ずる発光を阻止する非発
光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａなどの深い準位を形成
する物質や点欠陥、転位など）を欠陥の中にとじ込める
ゲッタリング処理がなされ、発光効率を改善する。この
加熱の温度範囲としては400 〜800 ℃が好ましく、800
℃を超えると母材である半導体結晶自体が劣化し、素子
としての機能が著しく低下することがある。
中、400 〜800 ℃で約10〜30分間の熱処理（アニール）
を行う。このばあいに、キャップアニールなど他の手法
を用いてもよい。こうして、400 ℃以上の高温下で熱処
理することにより発光効率が改善される。すなわち、こ
の高温処理により、結晶成長中またはウエハプロセスの
エッチングや洗浄などの際に生ずる発光を阻止する非発
光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａなどの深い準位を形成
する物質や点欠陥、転位など）を欠陥の中にとじ込める
ゲッタリング処理がなされ、発光効率を改善する。この
加熱の温度範囲としては400 〜800 ℃が好ましく、800
℃を超えると母材である半導体結晶自体が劣化し、素子
としての機能が著しく低下することがある。
【００１８】最後に電極10，20をそれぞれ真空蒸着法ま
たはスパッタリング法により形成する。
たはスパッタリング法により形成する。
【００１９】このようにして製作された半導体レーザの
発振スペクトルを図３に示す。図３に示されるように発
振スペクトルの線幅が広がり、隣接したモードが重なっ
ており、自励発振が起こっていることがわかる。
発振スペクトルを図３に示す。図３に示されるように発
振スペクトルの線幅が広がり、隣接したモードが重なっ
ており、自励発振が起こっていることがわかる。
【００２０】前述の実施例ではｎ型半導体基板の例で説
明したがｐ型半導体でも同様で、前述の実施例のｎ型と
ｐ型を逆にするだけで同様である。また、Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓのｘの値として0.55、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓのｙ
の値として0.15の例で説明したが、0.4 ≦ｘ≦0.7 、0.
1 ≦ｙ≦0.3 の範囲で自由に選択でき、またＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓで示した異なる層同士のｘをそれぞれ前記範囲
内で異ならせることもでき、ｙについても同様である。
明したがｐ型半導体でも同様で、前述の実施例のｎ型と
ｐ型を逆にするだけで同様である。また、Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓのｘの値として0.55、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓのｙ
の値として0.15の例で説明したが、0.4 ≦ｘ≦0.7 、0.
1 ≦ｙ≦0.3 の範囲で自由に選択でき、またＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓで示した異なる層同士のｘをそれぞれ前記範囲
内で異ならせることもでき、ｙについても同様である。
【００２１】また、前述の製法ではホウ素イオンをイオ
ン打込みする例で説明したが、酸素イオンを打ち込んで
も高温熱処理後の高抵抗を維持でき、ホウ素イオンと同
様の効果を奏する。
ン打込みする例で説明したが、酸素イオンを打ち込んで
も高温熱処理後の高抵抗を維持でき、ホウ素イオンと同
様の効果を奏する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の半導体レ
ーザ素子は、ストライプ溝の一部分にホウ素または酸素
を含有する高抵抗領域を有しているため、以下の効果を
奏する。
ーザ素子は、ストライプ溝の一部分にホウ素または酸素
を含有する高抵抗領域を有しているため、以下の効果を
奏する。
【００２３】（１）光記録や光通信分野などへの応用に
おいて、低雑音化に有効な自励発振型レーザを再現性良
くうることができる。
おいて、低雑音化に有効な自励発振型レーザを再現性良
くうることができる。
【００２４】（２）プロトン注入法のように、高温熱処
理を施すことにより自励発振が損なわれることがないの
で、高温熱処理が可能となる。その結果、たとえば、結
晶中に存在する非発光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａな
どの深い順位を形成する物質、点欠陥、転位など）のゲ
ッタリング処理を行え、発光効率の改善が可能となる。
さらには、他の素子との集積化を行うばあいにも高温処
理ができるため、素子応用上の制約が著しく緩和され、
応用範囲が広がる。
理を施すことにより自励発振が損なわれることがないの
で、高温熱処理が可能となる。その結果、たとえば、結
晶中に存在する非発光中心（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａな
どの深い順位を形成する物質、点欠陥、転位など）のゲ
ッタリング処理を行え、発光効率の改善が可能となる。
さらには、他の素子との集積化を行うばあいにも高温処
理ができるため、素子応用上の制約が著しく緩和され、
応用範囲が広がる。
【図１】本発明の半導体レーザ素子の一実施例の断面説
明図である。
明図である。
【図２】ホウ素イオン注入時に用いられるレジストのパ
ターニングの説明図である。
ターニングの説明図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の発振スペクトルを
表わす図である。
表わす図である。
11 半導体基板 12 下部クラッド層 13 活性層 14 第１上部クラッド層 15 保護層 16 電流阻止層 17 蒸発防止層 18 第２上部クラッド層 19 キャップ層 21 ストライプ溝 22 高抵抗領域
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板上に、第１導電
型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の第１上部ク
ラッド層、第１導電型の電流阻止層、第２導電型の第２
上部クラッド層および第２導電型のキャップ層がこの順
に積層されており、かつ、前記電流阻止層に、共振器方
向に沿ってストライプ溝が形成されてなる内部ストライ
プ型半導体レーザ素子であって、前記ストライプ溝上の
前記第２上部クラッド層および／またはキャップ層の少
なくとも一部分にホウ素または酸素を含有する高抵抗領
域を有してなる半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記ホウ素の含有量が１×1012〜１×10
20cm-3である請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 （ａ）第１導電型の半導体基板上に少な
くとも第１導電型下部クラッド層、活性層、第２導電型
の第１上部クラッド層、第１導電型の電流阻止層を順次
積層し、 （ｂ）前記電流阻止層にストライプ溝を形成し、 （ｃ）引き続き前記基板表面に第２導電型の第２上部ク
ラッド層、第２導電型のキャップ層を積層し、 （ｄ）前記ストライプ溝上の少なくとも一部に前記キャ
ップ層および／または第２上部クラッド層の一定深さま
でホウ素イオンまたは酸素イオンをイオン注入して高抵
抗領域を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の
製法。 - 【請求項４】 ホウ素イオン注入後、400 〜800 ℃の温
度範囲で熱処理する請求項３記載の半導体レーザ素子の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23169992A JPH0685383A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体レーザ素子およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23169992A JPH0685383A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体レーザ素子およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685383A true JPH0685383A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16927619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23169992A Pending JPH0685383A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体レーザ素子およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229210A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23169992A patent/JPH0685383A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229210A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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