JPH0684979A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0684979A JPH0684979A JP23373892A JP23373892A JPH0684979A JP H0684979 A JPH0684979 A JP H0684979A JP 23373892 A JP23373892 A JP 23373892A JP 23373892 A JP23373892 A JP 23373892A JP H0684979 A JPH0684979 A JP H0684979A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、半導体チップにおけるクラックの
発生を防止し、且つ厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いた
パッケ−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラック
の発生を防止する。 【構成】リ−ドフレ−ム枠11の内側にタイバ−12の一端
および図示せぬアウタ−リ−ドの一端を設け、前記タイ
バ−12の他端にアイランド13を設けている。前記アウタ
−リ−ドの他端にインナ−リ−ド14の一端を設け、この
インナ−リ−ド14の他端は前記アイランド13の側に延び
ている。このアイランド13の表面上に直径Ｒが１ｍｍの
円形からなる複数の接着部13b を設け、相互に隣り合っ
た接着部13b はそれぞれの外円周において接触してい
る。前記接着部13b 相互間の非接触部にはプレス金型に
よって打ち抜かれることにより孔13a が設けられてい
る。従って、半導体チップおよび樹脂におけるクラック
の発生を防止することができる。
発生を防止し、且つ厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いた
パッケ−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラック
の発生を防止する。 【構成】リ−ドフレ−ム枠11の内側にタイバ−12の一端
および図示せぬアウタ−リ−ドの一端を設け、前記タイ
バ−12の他端にアイランド13を設けている。前記アウタ
−リ−ドの他端にインナ−リ−ド14の一端を設け、この
インナ−リ−ド14の他端は前記アイランド13の側に延び
ている。このアイランド13の表面上に直径Ｒが１ｍｍの
円形からなる複数の接着部13b を設け、相互に隣り合っ
た接着部13b はそれぞれの外円周において接触してい
る。前記接着部13b 相互間の非接触部にはプレス金型に
よって打ち抜かれることにより孔13a が設けられてい
る。従って、半導体チップおよび樹脂におけるクラック
の発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係わり、特に樹脂におけるクラックの発生を防止し
た樹脂封止型半導体装置に関する。
置に係わり、特に樹脂におけるクラックの発生を防止し
た樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の樹脂封止型半導体装置に
おけるリ−ドフレ−ムを示す平面図である。リ−ドフレ
−ム枠１の内側にはタイバ−２の一端および図示せぬア
ウタ−リ−ドの一端が設けられており、前記タイバ−２
の他端にはアイランド３が設けられている。前記アウタ
−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド４の一端が設けられ
ており、このインナ−リ−ド４の他端は前記アイランド
３の側に延びている。このように構成されたリ−ドフレ
−ムの厚さは一定とされており、具体的には０．２５ｍ
ｍとされている。すなわち、リ−ドフレ−ムのアイラン
ド３の厚さはインナ−リ−ド４およびアウタ−リ−ドと
同じ厚さとされている。
おけるリ−ドフレ−ムを示す平面図である。リ−ドフレ
−ム枠１の内側にはタイバ−２の一端および図示せぬア
ウタ−リ−ドの一端が設けられており、前記タイバ−２
の他端にはアイランド３が設けられている。前記アウタ
−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド４の一端が設けられ
ており、このインナ−リ−ド４の他端は前記アイランド
３の側に延びている。このように構成されたリ−ドフレ
−ムの厚さは一定とされており、具体的には０．２５ｍ
ｍとされている。すなわち、リ−ドフレ−ムのアイラン
ド３の厚さはインナ−リ−ド４およびアウタ−リ−ドと
同じ厚さとされている。
【０００３】前記アイランド３の上には図示せぬ接着剤
が塗布され、この接着剤の上には図示せぬ半導体チップ
が載置される。この際、前記半導体チップがアイランド
３に押し付けられることにより前記接着剤は延ばされ、
前記半導体チップはアイランド３に接着される。次に、
前記アイランド３、タイバ−２、インナ−リ−ド４およ
び半導体チップが図示せぬ樹脂によって封止されること
により、樹脂封止型半導体装置が形成される。
が塗布され、この接着剤の上には図示せぬ半導体チップ
が載置される。この際、前記半導体チップがアイランド
３に押し付けられることにより前記接着剤は延ばされ、
前記半導体チップはアイランド３に接着される。次に、
前記アイランド３、タイバ−２、インナ−リ−ド４およ
び半導体チップが図示せぬ樹脂によって封止されること
により、樹脂封止型半導体装置が形成される。
【０００４】ところで、前記アイランド３上に塗布され
た接着剤は半導体チップがアイランド３に押し付けられ
ることにより延ばされ、この延ばされた接着剤は円形と
なる。前記アイランド３の形状は図６に示すように四角
形となっており、半導体チップの形状も四角形となって
いるから、この半導体チップとアイランド３との間には
接着剤が塗布されていない部分が生じる。したがって、
半導体チップを樹脂封止した際、この塗布されていない
部分に樹脂が入り込む。この結果、樹脂封止型半導体装
置をプリント基板上に実装する際のベ−パ−フェ−ズ、
赤外線リフロ−および半田ディップ等の工程によって熱
が加わると、前記半導体チップとアイランド３との間の
隙間に入り込んだ樹脂が膨脹する。これにより、半導体
チップにクラックが発生することがある。
た接着剤は半導体チップがアイランド３に押し付けられ
ることにより延ばされ、この延ばされた接着剤は円形と
なる。前記アイランド３の形状は図６に示すように四角
形となっており、半導体チップの形状も四角形となって
いるから、この半導体チップとアイランド３との間には
接着剤が塗布されていない部分が生じる。したがって、
半導体チップを樹脂封止した際、この塗布されていない
部分に樹脂が入り込む。この結果、樹脂封止型半導体装
置をプリント基板上に実装する際のベ−パ−フェ−ズ、
赤外線リフロ−および半田ディップ等の工程によって熱
が加わると、前記半導体チップとアイランド３との間の
隙間に入り込んだ樹脂が膨脹する。これにより、半導体
チップにクラックが発生することがある。
【０００５】また、上記の樹脂封止型半導体装置、例え
ば表面実装用パッケ−ジ（PlasticLeaded Chip Carrier
、Single Outline Package、Quad Flat Package ）は
空気中の水分を吸収することがある。すなわち、前記タ
イバ−２の一端と樹脂との間から水が侵入し、アイラン
ド３と樹脂との間に水が溜まることがある。このように
水が溜まっている樹脂封止型半導体装置をプリント基板
上に実装すると、この実装する際の工程による熱によ
り、前記アイランド３の裏面における水が急激に加熱さ
れる。これにより、アイランド３と樹脂との間において
水蒸気爆発が起こる。この結果、前記樹脂にクラックが
発生する。
ば表面実装用パッケ−ジ（PlasticLeaded Chip Carrier
、Single Outline Package、Quad Flat Package ）は
空気中の水分を吸収することがある。すなわち、前記タ
イバ−２の一端と樹脂との間から水が侵入し、アイラン
ド３と樹脂との間に水が溜まることがある。このように
水が溜まっている樹脂封止型半導体装置をプリント基板
上に実装すると、この実装する際の工程による熱によ
り、前記アイランド３の裏面における水が急激に加熱さ
れる。これにより、アイランド３と樹脂との間において
水蒸気爆発が起こる。この結果、前記樹脂にクラックが
発生する。
【０００６】図７は、上記の樹脂にクラックが発生する
問題点を解決するために考えられた他の従来の樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
り、図８は、図７に示す８−８線に沿った断面図であ
る。この他の従来の樹脂封止型半導体装置について、図
６と同一部分については同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
問題点を解決するために考えられた他の従来の樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
り、図８は、図７に示す８−８線に沿った断面図であ
る。この他の従来の樹脂封止型半導体装置について、図
６と同一部分については同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【０００７】厚さが０．２５ｍｍのリ−ドフレ−ムにお
けるアイランド３の裏面３ａ、すなわち半導体チップが
載置されない側の面にはプレス金型によりディンプル加
工が施されている。これにより、図８に示すように、前
記アイランド３の裏面３ａには凹形状３ｂが形成され
る。
けるアイランド３の裏面３ａ、すなわち半導体チップが
載置されない側の面にはプレス金型によりディンプル加
工が施されている。これにより、図８に示すように、前
記アイランド３の裏面３ａには凹形状３ｂが形成され
る。
【０００８】上記他の従来の樹脂封止型半導体装置によ
れば、アイランド３の裏面３ａに凹形状３ｂを形成する
ことにより、半導体チップを樹脂封止した際、前記凹形
状３ｂによる凹凸部に樹脂が噛み合うように形成され
る。この結果、アイランド３の裏面３ａにおける樹脂の
機械的密着強度を向上させることができる。このため、
アイランド３の裏面３ａに水が溜まっても、樹脂にクラ
ックが発生しにくくなる。
れば、アイランド３の裏面３ａに凹形状３ｂを形成する
ことにより、半導体チップを樹脂封止した際、前記凹形
状３ｂによる凹凸部に樹脂が噛み合うように形成され
る。この結果、アイランド３の裏面３ａにおける樹脂の
機械的密着強度を向上させることができる。このため、
アイランド３の裏面３ａに水が溜まっても、樹脂にクラ
ックが発生しにくくなる。
【０００９】ところで、表面実装用パッケ−ジは小型・
薄型化が要求されるようになり、これに伴いリ−ドフレ
−ムの厚さにおいても薄型化が要求されている。このた
め、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いて、そのアイラン
ドの裏面にプレス金型によるディンプル加工を行うと、
このディンプル加工の際のパンチによる凹凸がアイラン
ドの表面に生ずる。この凹凸により、アイランドの表面
上に半導体チップを載置することができなくなる。
薄型化が要求されるようになり、これに伴いリ−ドフレ
−ムの厚さにおいても薄型化が要求されている。このた
め、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いて、そのアイラン
ドの裏面にプレス金型によるディンプル加工を行うと、
このディンプル加工の際のパンチによる凹凸がアイラン
ドの表面に生ずる。この凹凸により、アイランドの表面
上に半導体チップを載置することができなくなる。
【００１０】前記凹凸がアイランドの表面に生じること
を防ぐ方法としては、エッチングによりアイランドの裏
面にディンプル加工を施すことが考えられる。この方法
によれば、アイランドの表面に凹凸を生じさせることな
くアイランドの裏面に凹形状を形成することができる。
しかし、前記エッチングによるディンプル加工の場合、
前記凹形状における凹部の深さを深くすることができ
ず、その深さは深くても０．１ｍｍ程度となる。このた
め、アイランドの裏面における樹脂の機械的密着強度を
充分に向上させることができない。したがって、樹脂に
おけるクラックの発生を防止することができない。これ
とともに、前記プレス金型によるディンプル加工は量産
に適してしるが、前記エッチングによるディンプル加工
は量産に適していない。
を防ぐ方法としては、エッチングによりアイランドの裏
面にディンプル加工を施すことが考えられる。この方法
によれば、アイランドの表面に凹凸を生じさせることな
くアイランドの裏面に凹形状を形成することができる。
しかし、前記エッチングによるディンプル加工の場合、
前記凹形状における凹部の深さを深くすることができ
ず、その深さは深くても０．１ｍｍ程度となる。このた
め、アイランドの裏面における樹脂の機械的密着強度を
充分に向上させることができない。したがって、樹脂に
おけるクラックの発生を防止することができない。これ
とともに、前記プレス金型によるディンプル加工は量産
に適してしるが、前記エッチングによるディンプル加工
は量産に適していない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記樹脂封止型半導体
装置の第１の問題点は、半導体チップとアイランド３と
の間に接着剤が塗布されていない部分が生じると、前記
半導体チップにクラックが発生することがある。第２の
問題点は、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いたパッケ−
ジにおいては、アイランドの裏面における樹脂の機械的
密着強度を充分に向上させることができないため、樹脂
におけるクラックの発生を防止することができない。
装置の第１の問題点は、半導体チップとアイランド３と
の間に接着剤が塗布されていない部分が生じると、前記
半導体チップにクラックが発生することがある。第２の
問題点は、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いたパッケ−
ジにおいては、アイランドの裏面における樹脂の機械的
密着強度を充分に向上させることができないため、樹脂
におけるクラックの発生を防止することができない。
【００１２】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、半導体チップとアイラ
ンドとの間の全面に接着剤を塗布することにより、半導
体チップにおけるクラックの発生を防止し、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止した樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
されたものであり、その目的は、半導体チップとアイラ
ンドとの間の全面に接着剤を塗布することにより、半導
体チップにおけるクラックの発生を防止し、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止した樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴としている。
解決するため、所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴としている。
【００１４】
【作用】この発明は、アイランドの表面上に複数の相互
に隣接された円形の接着部を形成し、前記アイランドに
おいて前記接着部相互間の非接触部を切除している。前
記接着部の中央部に接着剤を塗布し、この接着剤の上に
半導体チップが載置される際、前記半導体チップが前記
アイランドに押し付けられる力により前記接着剤が延ば
される。この延ばされた接着剤の形状に対応するように
前記接着部を形成している。このため、前記アイランド
の表面上に前記半導体チップを接着した際、前記半導体
チップと前記アイランドとの間の全面に接着剤を存して
いることにより、前記半導体チップと前記アイランドと
の間に隙間が生じることがない。この結果、前記半導体
チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙間に入り込むこ
とがなく、この隙間の樹脂が膨脹することにより生ずる
半導体チップにおけるクラックの発生を防止することが
できる。また、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いるため、前記半導体チップを樹脂封止した際、前記切
除された部分に樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランドと樹脂との機械的密着強度を向上
させることができる。したがって、パッケ−ジを基板に
実装する際の熱によりアイランドに溜まっている水が気
化されても、樹脂にクラックが発生することがない。
に隣接された円形の接着部を形成し、前記アイランドに
おいて前記接着部相互間の非接触部を切除している。前
記接着部の中央部に接着剤を塗布し、この接着剤の上に
半導体チップが載置される際、前記半導体チップが前記
アイランドに押し付けられる力により前記接着剤が延ば
される。この延ばされた接着剤の形状に対応するように
前記接着部を形成している。このため、前記アイランド
の表面上に前記半導体チップを接着した際、前記半導体
チップと前記アイランドとの間の全面に接着剤を存して
いることにより、前記半導体チップと前記アイランドと
の間に隙間が生じることがない。この結果、前記半導体
チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙間に入り込むこ
とがなく、この隙間の樹脂が膨脹することにより生ずる
半導体チップにおけるクラックの発生を防止することが
できる。また、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いるため、前記半導体チップを樹脂封止した際、前記切
除された部分に樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランドと樹脂との機械的密着強度を向上
させることができる。したがって、パッケ−ジを基板に
実装する際の熱によりアイランドに溜まっている水が気
化されても、樹脂にクラックが発生することがない。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１６】図１は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
る。厚さが０．１５ｍｍのリ−ドフレ−ム１０における
リ−ドフレ−ム枠１１の内側にはタイバ−１２の一端お
よび図示せぬアウタ−リ−ドの一端が設けられており、
前記タイバ−１２の他端にはアイランド１３が設けられ
ている。前記アウタ−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド
１４の一端が設けられており、このインナ−リ−ド１４
の他端は前記アイランド１３の側に延びている。前記ア
イランド１３にはメッシュ状に構成された複数の孔１３
ａが設けられており、前記孔１３ａはプレス金型によっ
て打ち抜かれたものである。
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
る。厚さが０．１５ｍｍのリ−ドフレ−ム１０における
リ−ドフレ−ム枠１１の内側にはタイバ−１２の一端お
よび図示せぬアウタ−リ−ドの一端が設けられており、
前記タイバ−１２の他端にはアイランド１３が設けられ
ている。前記アウタ−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド
１４の一端が設けられており、このインナ−リ−ド１４
の他端は前記アイランド１３の側に延びている。前記ア
イランド１３にはメッシュ状に構成された複数の孔１３
ａが設けられており、前記孔１３ａはプレス金型によっ
て打ち抜かれたものである。
【００１７】図２は、図１に示すリ−ドフレ−ムにおけ
るアイランドの要部を示す拡大平面図である。アイラン
ド１３の表面上には直径Ｒが１ｍｍの円形からなる複数
の接着部１３ｂが設けられており、相互に隣り合った接
着部１３ｂはそれぞれの外円周において接触している。
すなわち、前記接着部１３ｂは互いに隣接するように形
成されている。前記接着部１３ｂ相互間の非接触部には
プレス金型によって打ち抜かれることにより孔１３ａが
設けられている。この孔１３ａの最小の一辺の長さ１６
はリ−ドフレ−ム１０の厚さと等しい０．１５ｍｍとさ
れている。これは、プレス金型によって形成される孔の
場合、信頼性を有する孔の最小の寸法がリ−ドフレ−ム
の厚さとなるからである。前記孔１３ａの相互間の長さ
１７は０．５ｍｍとされている。
るアイランドの要部を示す拡大平面図である。アイラン
ド１３の表面上には直径Ｒが１ｍｍの円形からなる複数
の接着部１３ｂが設けられており、相互に隣り合った接
着部１３ｂはそれぞれの外円周において接触している。
すなわち、前記接着部１３ｂは互いに隣接するように形
成されている。前記接着部１３ｂ相互間の非接触部には
プレス金型によって打ち抜かれることにより孔１３ａが
設けられている。この孔１３ａの最小の一辺の長さ１６
はリ−ドフレ−ム１０の厚さと等しい０．１５ｍｍとさ
れている。これは、プレス金型によって形成される孔の
場合、信頼性を有する孔の最小の寸法がリ−ドフレ−ム
の厚さとなるからである。前記孔１３ａの相互間の長さ
１７は０．５ｍｍとされている。
【００１８】図３は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるアイランドの表面上に導電性接着
剤を塗布するためのディスペンサ−を示す断面図であ
る。ディスペンスノズル２２の下にはディスペンスニ−
ドル２３が設けられており、このディスペンスニ−ドル
２３には複数の塗布口２５が設けられている。前記ディ
スペンスノズル２２には導電性接着剤２１が入れられて
おり、この導電性接着剤２１は前記ディスペンスノズル
２２からディスペンスニ−ドル２３に送られ、塗布口２
５から塗布される。
型半導体装置におけるアイランドの表面上に導電性接着
剤を塗布するためのディスペンサ−を示す断面図であ
る。ディスペンスノズル２２の下にはディスペンスニ−
ドル２３が設けられており、このディスペンスニ−ドル
２３には複数の塗布口２５が設けられている。前記ディ
スペンスノズル２２には導電性接着剤２１が入れられて
おり、この導電性接着剤２１は前記ディスペンスノズル
２２からディスペンスニ−ドル２３に送られ、塗布口２
５から塗布される。
【００１９】図４は、図３に示すディスペンサ−を塗布
口の側から視た平面図である。ディスペンサ−における
塗布口２５は前記アイランド１３の接着部１３ｂに対応
するように形成されている。すなわち、前記塗布口２５
は接着部１３ｂ相互の中心間の距離と等しい距離の間隔
によって並んでおり、前記塗布口２５の数は前記接着部
１３ｂの数と等しく形成されている。したがって、前記
接着部１３ｂに導電性接着剤２１をディスペンサ−によ
って一度塗布することにより、アイランド１３上に設け
られた全ての接着部１３ｂそれぞれの中央部には導電性
接着剤２１が塗布される。前記塗布口２５の形状は円形
となっている。
口の側から視た平面図である。ディスペンサ−における
塗布口２５は前記アイランド１３の接着部１３ｂに対応
するように形成されている。すなわち、前記塗布口２５
は接着部１３ｂ相互の中心間の距離と等しい距離の間隔
によって並んでおり、前記塗布口２５の数は前記接着部
１３ｂの数と等しく形成されている。したがって、前記
接着部１３ｂに導電性接着剤２１をディスペンサ−によ
って一度塗布することにより、アイランド１３上に設け
られた全ての接着部１３ｂそれぞれの中央部には導電性
接着剤２１が塗布される。前記塗布口２５の形状は円形
となっている。
【００２０】図５は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムのアイランドを示
す平面図である。アイランド１３の表面上における接着
部１３ｂの中央部に図３に示すディスペンサ−により導
電性接着剤２１が塗布され、この導電性接着剤２１の塗
布形状は円形となっている。この後、前記アイランド１
３の上には図示せぬ半導体チップが載置される。この
際、この半導体チップがアイランド１３に押し付けられ
る力により前記導電性接着剤２１は円形の接着部１３ｂ
の全面に引き延ばされる。すなわち、前記接着部１３ｂ
の形状は導電性接着剤２１が引き延ばされた際の形状と
同一になるように決められている。これにより、前記半
導体チップはアイランド１３上に接着される。次に、前
記半導体チップは図示せぬボンディングワイヤにより前
記インナ−リ−ド１４と電気的に接続される。この際、
前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ側はネイ
ルヘッドボンディングにより接続され、前記ボンディン
グワイヤにおけるインナ−リ−ド１４側はウエッジボン
ディングにより接続される。この後、前記半導体チッ
プ、アイランド１３およびインナ−リ−ド１４はトラン
スファ成形法によって図示せぬモ−ルド樹脂により封止
される。
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムのアイランドを示
す平面図である。アイランド１３の表面上における接着
部１３ｂの中央部に図３に示すディスペンサ−により導
電性接着剤２１が塗布され、この導電性接着剤２１の塗
布形状は円形となっている。この後、前記アイランド１
３の上には図示せぬ半導体チップが載置される。この
際、この半導体チップがアイランド１３に押し付けられ
る力により前記導電性接着剤２１は円形の接着部１３ｂ
の全面に引き延ばされる。すなわち、前記接着部１３ｂ
の形状は導電性接着剤２１が引き延ばされた際の形状と
同一になるように決められている。これにより、前記半
導体チップはアイランド１３上に接着される。次に、前
記半導体チップは図示せぬボンディングワイヤにより前
記インナ−リ−ド１４と電気的に接続される。この際、
前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ側はネイ
ルヘッドボンディングにより接続され、前記ボンディン
グワイヤにおけるインナ−リ−ド１４側はウエッジボン
ディングにより接続される。この後、前記半導体チッ
プ、アイランド１３およびインナ−リ−ド１４はトラン
スファ成形法によって図示せぬモ−ルド樹脂により封止
される。
【００２１】上記実施例によれば、アイランド１３の表
面上に複数の相互に隣接された円形の接着部１３ｂを形
成し、前記アイランド１３において前記接着部１３ｂ相
互間の非接触部を切除している。すなわち、プレス金型
による打ち抜きにより前記非接触部に孔１３ａを設けて
いる。前記接着部１３の中央部に導電性接着剤２１を塗
布し、この導電性接着剤２１の上に半導体チップが載置
される。この際、前記半導体チップが前記アイランド１
３に押し付けられる力により前記導電性接着剤２１が引
き延ばされる。この延ばされた導電性接着剤２１の形状
に対応するように前記接着部１３を形成している。この
ため、前記アイランド１３の表面上に前記半導体チップ
を接着した際、前記半導体チップと前記アイランド１３
との間の全面に導電性接着剤２１を存している。これに
より、前記半導体チップと前記アイランド１３との間に
隙間が生じることがなく、アイランド１３と半導体チッ
プとにおける良好な接着性を得ることができる。この結
果、前記半導体チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙
間に入り込むことがない。したがって、この隙間に入り
込んだ樹脂に熱サイクルが加えられた際、前記樹脂が膨
脹することにより生ずる半導体チップにおけるクラック
の発生を防止することができ、樹脂封止型半導体装置の
信頼性を高めることができる。
面上に複数の相互に隣接された円形の接着部１３ｂを形
成し、前記アイランド１３において前記接着部１３ｂ相
互間の非接触部を切除している。すなわち、プレス金型
による打ち抜きにより前記非接触部に孔１３ａを設けて
いる。前記接着部１３の中央部に導電性接着剤２１を塗
布し、この導電性接着剤２１の上に半導体チップが載置
される。この際、前記半導体チップが前記アイランド１
３に押し付けられる力により前記導電性接着剤２１が引
き延ばされる。この延ばされた導電性接着剤２１の形状
に対応するように前記接着部１３を形成している。この
ため、前記アイランド１３の表面上に前記半導体チップ
を接着した際、前記半導体チップと前記アイランド１３
との間の全面に導電性接着剤２１を存している。これに
より、前記半導体チップと前記アイランド１３との間に
隙間が生じることがなく、アイランド１３と半導体チッ
プとにおける良好な接着性を得ることができる。この結
果、前記半導体チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙
間に入り込むことがない。したがって、この隙間に入り
込んだ樹脂に熱サイクルが加えられた際、前記樹脂が膨
脹することにより生ずる半導体チップにおけるクラック
の発生を防止することができ、樹脂封止型半導体装置の
信頼性を高めることができる。
【００２２】また、接着部１３ｂ相互間の非接触部にプ
レス金型によって打ち抜くことにより孔１３ａを設けて
いる。このため、前記半導体チップを樹脂封止した際、
前記孔１３ａに樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランド１３と樹脂との機械的密着強度を
向上させることができる。したがって、パッケ−ジを基
板に実装する際の熱によりアイランド１３に溜まってい
る水が水蒸気爆発を起こしても、樹脂にクラックが発生
することがない。この結果、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を向上させることができる。
レス金型によって打ち抜くことにより孔１３ａを設けて
いる。このため、前記半導体チップを樹脂封止した際、
前記孔１３ａに樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランド１３と樹脂との機械的密着強度を
向上させることができる。したがって、パッケ−ジを基
板に実装する際の熱によりアイランド１３に溜まってい
る水が水蒸気爆発を起こしても、樹脂にクラックが発生
することがない。この結果、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を向上させることができる。
【００２３】また、アイランド１３に孔１３ａを設ける
ことにより、前記アイランド１３の面積を小さくしてい
る。この結果、アイランド１３の裏面に溜まる水の量は
前記アイランド１３の面積に比例することから、前記ア
イランド１３に溜まる水の量を従来のそれより少なくす
ることができる。したがって、パッケ−ジを基板に実装
する際の熱による水蒸気爆発を抑えることができる。
ことにより、前記アイランド１３の面積を小さくしてい
る。この結果、アイランド１３の裏面に溜まる水の量は
前記アイランド１３の面積に比例することから、前記ア
イランド１３に溜まる水の量を従来のそれより少なくす
ることができる。したがって、パッケ−ジを基板に実装
する際の熱による水蒸気爆発を抑えることができる。
【００２４】また、プレス金型によってアイランド１３
に凹部を設けるのではなく、プレス金型によって打ち抜
くことによりアイランド１３に孔１３ａを設けている。
このため、パッケ−ジを小型・薄型化するために厚さが
薄いアイランド１３を用いても、このアイランド１３が
変形することがない。これとともに、前記孔１３ａを設
ける際、プレス金型を用いているため、前記リ−ドフレ
−ム１０を量産することができる。この結果、樹脂封止
型半導体装置のコストダウンを可能とし、市場における
競争力を高めることができる。尚、上記実施例では、リ
−ドフレ−ム１０の厚さを０．１５ｍｍとしているが、
リ−ドフレ−ム１０の厚さを０．１２５ｍｍとすること
も可能である。
に凹部を設けるのではなく、プレス金型によって打ち抜
くことによりアイランド１３に孔１３ａを設けている。
このため、パッケ−ジを小型・薄型化するために厚さが
薄いアイランド１３を用いても、このアイランド１３が
変形することがない。これとともに、前記孔１３ａを設
ける際、プレス金型を用いているため、前記リ−ドフレ
−ム１０を量産することができる。この結果、樹脂封止
型半導体装置のコストダウンを可能とし、市場における
競争力を高めることができる。尚、上記実施例では、リ
−ドフレ−ム１０の厚さを０．１５ｍｍとしているが、
リ−ドフレ−ム１０の厚さを０．１２５ｍｍとすること
も可能である。
【００２５】また、接着部１３ｂの直径を１ｍｍとして
いるが、導電性接着剤２１が半導体チップにより延ばさ
れる円形状と対応する円形状の接着部１３ｂであれば、
この接着部１３ｂの直径を他の長さとすることも可能で
ある。前記導電性接着剤１３ｂが延ばされる円形状の直
径は、導電性接着剤１３ｂの量と半導体チップをアイラ
ンド１３に押し付ける力との関係により決められる。以
下、この発明の応用例について説明する。
いるが、導電性接着剤２１が半導体チップにより延ばさ
れる円形状と対応する円形状の接着部１３ｂであれば、
この接着部１３ｂの直径を他の長さとすることも可能で
ある。前記導電性接着剤１３ｂが延ばされる円形状の直
径は、導電性接着剤１３ｂの量と半導体チップをアイラ
ンド１３に押し付ける力との関係により決められる。以
下、この発明の応用例について説明する。
【００２６】この発明をアイランド１３の上に複数の半
導体チップが載置されたマルチ・チップＩＣに適用する
ことも可能である。このマルチ・チップＩＣの場合、ア
イランドの面積が大きくなるため、アイランドをこの発
明の構造とすることにより樹脂クラックの発生を防止す
ることができる。特に、アイランドの上に絶縁回路基板
および半導体チップが接着剤により載置され、前記絶縁
回路基板と半導体チップとがボンディングワイヤにより
電気的に接続されたマルチ・チップＩＣに有効である。
導体チップが載置されたマルチ・チップＩＣに適用する
ことも可能である。このマルチ・チップＩＣの場合、ア
イランドの面積が大きくなるため、アイランドをこの発
明の構造とすることにより樹脂クラックの発生を防止す
ることができる。特に、アイランドの上に絶縁回路基板
および半導体チップが接着剤により載置され、前記絶縁
回路基板と半導体チップとがボンディングワイヤにより
電気的に接続されたマルチ・チップＩＣに有効である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
アイランドに接着剤が延ばされた面積に対応する円形の
接着部を設け、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いる。したがって、半導体チップとアイランドとの間の
全面に接着剤を塗布することにより、半導体チップにお
けるクラックの発生を防止することができ、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止することができる。
アイランドに接着剤が延ばされた面積に対応する円形の
接着部を設け、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いる。したがって、半導体チップとアイランドとの間の
全面に接着剤を塗布することにより、半導体チップにお
けるクラックの発生を防止することができ、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止することができる。
【図１】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図。
におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図。
【図２】この発明の図１に示すリ−ドフレ−ムにおける
アイランドの要部を示す拡大平面図。
アイランドの要部を示す拡大平面図。
【図３】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
におけるアイランドの表面上に導電性接着剤を塗布する
ためのディスペンサ−を示す断面図。
におけるアイランドの表面上に導電性接着剤を塗布する
ためのディスペンサ−を示す断面図。
【図４】この発明の図３に示すディスペンサ−を下から
視た平面図。
視た平面図。
【図５】この発明の図１に示すリ−ドフレ−ムにおける
導電性接着剤が塗布されたアイランドを示す平面図。
導電性接着剤が塗布されたアイランドを示す平面図。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置におけるリ−ドフ
レ−ムを示す平面図。
レ−ムを示す平面図。
【図７】他の従来の樹脂封止型半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムを示す平面図。
ドフレ−ムを示す平面図。
【図８】図７に示す８−８線に沿った断面図。
10…リ−ドフレ−ム、11…リ−ドフレ−ム枠、12…タイ
バ−、13…アイランド、13a …孔、13b …接着部、14…
インナ−リ−ド、16…孔の最小の一辺の長さ、17…孔の
相互間の長さ、21…導電性接着剤、22…ディスペンスノ
ズル、23…ディスペンスニ−ドル、24…、25…塗布口、
Ｒ…接着部の直径。
バ−、13…アイランド、13a …孔、13b …接着部、14…
インナ−リ−ド、16…孔の最小の一辺の長さ、17…孔の
相互間の長さ、21…導電性接着剤、22…ディスペンスノ
ズル、23…ディスペンスニ−ドル、24…、25…塗布口、
Ｒ…接着部の直径。
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23373892A JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23373892A JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684979A true JPH0684979A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16959808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23373892A Pending JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
| JP2012209604A (ja) * | 2012-08-02 | 2012-10-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23373892A patent/JPH0684979A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| JP2012209604A (ja) * | 2012-08-02 | 2012-10-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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