JPH0684979A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、半導体チップにおけるクラックの
発生を防止し、且つ厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いた
パッケ−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラック
の発生を防止する。 【構成】リ−ドフレ−ム枠11の内側にタイバ−12の一端
および図示せぬアウタ−リ−ドの一端を設け、前記タイ
バ−12の他端にアイランド13を設けている。前記アウタ
−リ−ドの他端にインナ−リ−ド14の一端を設け、この
インナ−リ−ド14の他端は前記アイランド13の側に延び
ている。このアイランド13の表面上に直径Rが1mmの
円形からなる複数の接着部13b を設け、相互に隣り合っ
た接着部13b はそれぞれの外円周において接触してい
る。前記接着部13b 相互間の非接触部にはプレス金型に
よって打ち抜かれることにより孔13a が設けられてい
る。従って、半導体チップおよび樹脂におけるクラック
の発生を防止することができる。
発生を防止し、且つ厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いた
パッケ−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラック
の発生を防止する。 【構成】リ−ドフレ−ム枠11の内側にタイバ−12の一端
および図示せぬアウタ−リ−ドの一端を設け、前記タイ
バ−12の他端にアイランド13を設けている。前記アウタ
−リ−ドの他端にインナ−リ−ド14の一端を設け、この
インナ−リ−ド14の他端は前記アイランド13の側に延び
ている。このアイランド13の表面上に直径Rが1mmの
円形からなる複数の接着部13b を設け、相互に隣り合っ
た接着部13b はそれぞれの外円周において接触してい
る。前記接着部13b 相互間の非接触部にはプレス金型に
よって打ち抜かれることにより孔13a が設けられてい
る。従って、半導体チップおよび樹脂におけるクラック
の発生を防止することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係わり、特に樹脂におけるクラックの発生を防止し
た樹脂封止型半導体装置に関する。
置に係わり、特に樹脂におけるクラックの発生を防止し
た樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来の樹脂封止型半導体装置に
おけるリ−ドフレ−ムを示す平面図である。リ−ドフレ
−ム枠1の内側にはタイバ−2の一端および図示せぬア
ウタ−リ−ドの一端が設けられており、前記タイバ−2
の他端にはアイランド3が設けられている。前記アウタ
−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド4の一端が設けられ
ており、このインナ−リ−ド4の他端は前記アイランド
3の側に延びている。このように構成されたリ−ドフレ
−ムの厚さは一定とされており、具体的には0.25m
mとされている。すなわち、リ−ドフレ−ムのアイラン
ド3の厚さはインナ−リ−ド4およびアウタ−リ−ドと
同じ厚さとされている。
おけるリ−ドフレ−ムを示す平面図である。リ−ドフレ
−ム枠1の内側にはタイバ−2の一端および図示せぬア
ウタ−リ−ドの一端が設けられており、前記タイバ−2
の他端にはアイランド3が設けられている。前記アウタ
−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド4の一端が設けられ
ており、このインナ−リ−ド4の他端は前記アイランド
3の側に延びている。このように構成されたリ−ドフレ
−ムの厚さは一定とされており、具体的には0.25m
mとされている。すなわち、リ−ドフレ−ムのアイラン
ド3の厚さはインナ−リ−ド4およびアウタ−リ−ドと
同じ厚さとされている。
【0003】前記アイランド3の上には図示せぬ接着剤
が塗布され、この接着剤の上には図示せぬ半導体チップ
が載置される。この際、前記半導体チップがアイランド
3に押し付けられることにより前記接着剤は延ばされ、
前記半導体チップはアイランド3に接着される。次に、
前記アイランド3、タイバ−2、インナ−リ−ド4およ
び半導体チップが図示せぬ樹脂によって封止されること
により、樹脂封止型半導体装置が形成される。
が塗布され、この接着剤の上には図示せぬ半導体チップ
が載置される。この際、前記半導体チップがアイランド
3に押し付けられることにより前記接着剤は延ばされ、
前記半導体チップはアイランド3に接着される。次に、
前記アイランド3、タイバ−2、インナ−リ−ド4およ
び半導体チップが図示せぬ樹脂によって封止されること
により、樹脂封止型半導体装置が形成される。
【0004】ところで、前記アイランド3上に塗布され
た接着剤は半導体チップがアイランド3に押し付けられ
ることにより延ばされ、この延ばされた接着剤は円形と
なる。前記アイランド3の形状は図6に示すように四角
形となっており、半導体チップの形状も四角形となって
いるから、この半導体チップとアイランド3との間には
接着剤が塗布されていない部分が生じる。したがって、
半導体チップを樹脂封止した際、この塗布されていない
部分に樹脂が入り込む。この結果、樹脂封止型半導体装
置をプリント基板上に実装する際のベ−パ−フェ−ズ、
赤外線リフロ−および半田ディップ等の工程によって熱
が加わると、前記半導体チップとアイランド3との間の
隙間に入り込んだ樹脂が膨脹する。これにより、半導体
チップにクラックが発生することがある。
た接着剤は半導体チップがアイランド3に押し付けられ
ることにより延ばされ、この延ばされた接着剤は円形と
なる。前記アイランド3の形状は図6に示すように四角
形となっており、半導体チップの形状も四角形となって
いるから、この半導体チップとアイランド3との間には
接着剤が塗布されていない部分が生じる。したがって、
半導体チップを樹脂封止した際、この塗布されていない
部分に樹脂が入り込む。この結果、樹脂封止型半導体装
置をプリント基板上に実装する際のベ−パ−フェ−ズ、
赤外線リフロ−および半田ディップ等の工程によって熱
が加わると、前記半導体チップとアイランド3との間の
隙間に入り込んだ樹脂が膨脹する。これにより、半導体
チップにクラックが発生することがある。
【0005】また、上記の樹脂封止型半導体装置、例え
ば表面実装用パッケ−ジ(PlasticLeaded Chip Carrier
、Single Outline Package、Quad Flat Package )は
空気中の水分を吸収することがある。すなわち、前記タ
イバ−2の一端と樹脂との間から水が侵入し、アイラン
ド3と樹脂との間に水が溜まることがある。このように
水が溜まっている樹脂封止型半導体装置をプリント基板
上に実装すると、この実装する際の工程による熱によ
り、前記アイランド3の裏面における水が急激に加熱さ
れる。これにより、アイランド3と樹脂との間において
水蒸気爆発が起こる。この結果、前記樹脂にクラックが
発生する。
ば表面実装用パッケ−ジ(PlasticLeaded Chip Carrier
、Single Outline Package、Quad Flat Package )は
空気中の水分を吸収することがある。すなわち、前記タ
イバ−2の一端と樹脂との間から水が侵入し、アイラン
ド3と樹脂との間に水が溜まることがある。このように
水が溜まっている樹脂封止型半導体装置をプリント基板
上に実装すると、この実装する際の工程による熱によ
り、前記アイランド3の裏面における水が急激に加熱さ
れる。これにより、アイランド3と樹脂との間において
水蒸気爆発が起こる。この結果、前記樹脂にクラックが
発生する。
【0006】図7は、上記の樹脂にクラックが発生する
問題点を解決するために考えられた他の従来の樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
り、図8は、図7に示す8−8線に沿った断面図であ
る。この他の従来の樹脂封止型半導体装置について、図
6と同一部分については同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
問題点を解決するために考えられた他の従来の樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
り、図8は、図7に示す8−8線に沿った断面図であ
る。この他の従来の樹脂封止型半導体装置について、図
6と同一部分については同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【0007】厚さが0.25mmのリ−ドフレ−ムにお
けるアイランド3の裏面3a、すなわち半導体チップが
載置されない側の面にはプレス金型によりディンプル加
工が施されている。これにより、図8に示すように、前
記アイランド3の裏面3aには凹形状3bが形成され
る。
けるアイランド3の裏面3a、すなわち半導体チップが
載置されない側の面にはプレス金型によりディンプル加
工が施されている。これにより、図8に示すように、前
記アイランド3の裏面3aには凹形状3bが形成され
る。
【0008】上記他の従来の樹脂封止型半導体装置によ
れば、アイランド3の裏面3aに凹形状3bを形成する
ことにより、半導体チップを樹脂封止した際、前記凹形
状3bによる凹凸部に樹脂が噛み合うように形成され
る。この結果、アイランド3の裏面3aにおける樹脂の
機械的密着強度を向上させることができる。このため、
アイランド3の裏面3aに水が溜まっても、樹脂にクラ
ックが発生しにくくなる。
れば、アイランド3の裏面3aに凹形状3bを形成する
ことにより、半導体チップを樹脂封止した際、前記凹形
状3bによる凹凸部に樹脂が噛み合うように形成され
る。この結果、アイランド3の裏面3aにおける樹脂の
機械的密着強度を向上させることができる。このため、
アイランド3の裏面3aに水が溜まっても、樹脂にクラ
ックが発生しにくくなる。
【0009】ところで、表面実装用パッケ−ジは小型・
薄型化が要求されるようになり、これに伴いリ−ドフレ
−ムの厚さにおいても薄型化が要求されている。このた
め、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いて、そのアイラン
ドの裏面にプレス金型によるディンプル加工を行うと、
このディンプル加工の際のパンチによる凹凸がアイラン
ドの表面に生ずる。この凹凸により、アイランドの表面
上に半導体チップを載置することができなくなる。
薄型化が要求されるようになり、これに伴いリ−ドフレ
−ムの厚さにおいても薄型化が要求されている。このた
め、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いて、そのアイラン
ドの裏面にプレス金型によるディンプル加工を行うと、
このディンプル加工の際のパンチによる凹凸がアイラン
ドの表面に生ずる。この凹凸により、アイランドの表面
上に半導体チップを載置することができなくなる。
【0010】前記凹凸がアイランドの表面に生じること
を防ぐ方法としては、エッチングによりアイランドの裏
面にディンプル加工を施すことが考えられる。この方法
によれば、アイランドの表面に凹凸を生じさせることな
くアイランドの裏面に凹形状を形成することができる。
しかし、前記エッチングによるディンプル加工の場合、
前記凹形状における凹部の深さを深くすることができ
ず、その深さは深くても0.1mm程度となる。このた
め、アイランドの裏面における樹脂の機械的密着強度を
充分に向上させることができない。したがって、樹脂に
おけるクラックの発生を防止することができない。これ
とともに、前記プレス金型によるディンプル加工は量産
に適してしるが、前記エッチングによるディンプル加工
は量産に適していない。
を防ぐ方法としては、エッチングによりアイランドの裏
面にディンプル加工を施すことが考えられる。この方法
によれば、アイランドの表面に凹凸を生じさせることな
くアイランドの裏面に凹形状を形成することができる。
しかし、前記エッチングによるディンプル加工の場合、
前記凹形状における凹部の深さを深くすることができ
ず、その深さは深くても0.1mm程度となる。このた
め、アイランドの裏面における樹脂の機械的密着強度を
充分に向上させることができない。したがって、樹脂に
おけるクラックの発生を防止することができない。これ
とともに、前記プレス金型によるディンプル加工は量産
に適してしるが、前記エッチングによるディンプル加工
は量産に適していない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記樹脂封止型半導体
装置の第1の問題点は、半導体チップとアイランド3と
の間に接着剤が塗布されていない部分が生じると、前記
半導体チップにクラックが発生することがある。第2の
問題点は、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いたパッケ−
ジにおいては、アイランドの裏面における樹脂の機械的
密着強度を充分に向上させることができないため、樹脂
におけるクラックの発生を防止することができない。
装置の第1の問題点は、半導体チップとアイランド3と
の間に接着剤が塗布されていない部分が生じると、前記
半導体チップにクラックが発生することがある。第2の
問題点は、厚さが薄いリ−ドフレ−ムを用いたパッケ−
ジにおいては、アイランドの裏面における樹脂の機械的
密着強度を充分に向上させることができないため、樹脂
におけるクラックの発生を防止することができない。
【0012】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、半導体チップとアイラ
ンドとの間の全面に接着剤を塗布することにより、半導
体チップにおけるクラックの発生を防止し、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止した樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
されたものであり、その目的は、半導体チップとアイラ
ンドとの間の全面に接着剤を塗布することにより、半導
体チップにおけるクラックの発生を防止し、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止した樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴としている。
解決するため、所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴としている。
【0014】
【作用】この発明は、アイランドの表面上に複数の相互
に隣接された円形の接着部を形成し、前記アイランドに
おいて前記接着部相互間の非接触部を切除している。前
記接着部の中央部に接着剤を塗布し、この接着剤の上に
半導体チップが載置される際、前記半導体チップが前記
アイランドに押し付けられる力により前記接着剤が延ば
される。この延ばされた接着剤の形状に対応するように
前記接着部を形成している。このため、前記アイランド
の表面上に前記半導体チップを接着した際、前記半導体
チップと前記アイランドとの間の全面に接着剤を存して
いることにより、前記半導体チップと前記アイランドと
の間に隙間が生じることがない。この結果、前記半導体
チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙間に入り込むこ
とがなく、この隙間の樹脂が膨脹することにより生ずる
半導体チップにおけるクラックの発生を防止することが
できる。また、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いるため、前記半導体チップを樹脂封止した際、前記切
除された部分に樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランドと樹脂との機械的密着強度を向上
させることができる。したがって、パッケ−ジを基板に
実装する際の熱によりアイランドに溜まっている水が気
化されても、樹脂にクラックが発生することがない。
に隣接された円形の接着部を形成し、前記アイランドに
おいて前記接着部相互間の非接触部を切除している。前
記接着部の中央部に接着剤を塗布し、この接着剤の上に
半導体チップが載置される際、前記半導体チップが前記
アイランドに押し付けられる力により前記接着剤が延ば
される。この延ばされた接着剤の形状に対応するように
前記接着部を形成している。このため、前記アイランド
の表面上に前記半導体チップを接着した際、前記半導体
チップと前記アイランドとの間の全面に接着剤を存して
いることにより、前記半導体チップと前記アイランドと
の間に隙間が生じることがない。この結果、前記半導体
チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙間に入り込むこ
とがなく、この隙間の樹脂が膨脹することにより生ずる
半導体チップにおけるクラックの発生を防止することが
できる。また、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いるため、前記半導体チップを樹脂封止した際、前記切
除された部分に樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランドと樹脂との機械的密着強度を向上
させることができる。したがって、パッケ−ジを基板に
実装する際の熱によりアイランドに溜まっている水が気
化されても、樹脂にクラックが発生することがない。
【0015】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0016】図1は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
る。厚さが0.15mmのリ−ドフレ−ム10における
リ−ドフレ−ム枠11の内側にはタイバ−12の一端お
よび図示せぬアウタ−リ−ドの一端が設けられており、
前記タイバ−12の他端にはアイランド13が設けられ
ている。前記アウタ−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド
14の一端が設けられており、このインナ−リ−ド14
の他端は前記アイランド13の側に延びている。前記ア
イランド13にはメッシュ状に構成された複数の孔13
aが設けられており、前記孔13aはプレス金型によっ
て打ち抜かれたものである。
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
る。厚さが0.15mmのリ−ドフレ−ム10における
リ−ドフレ−ム枠11の内側にはタイバ−12の一端お
よび図示せぬアウタ−リ−ドの一端が設けられており、
前記タイバ−12の他端にはアイランド13が設けられ
ている。前記アウタ−リ−ドの他端にはインナ−リ−ド
14の一端が設けられており、このインナ−リ−ド14
の他端は前記アイランド13の側に延びている。前記ア
イランド13にはメッシュ状に構成された複数の孔13
aが設けられており、前記孔13aはプレス金型によっ
て打ち抜かれたものである。
【0017】図2は、図1に示すリ−ドフレ−ムにおけ
るアイランドの要部を示す拡大平面図である。アイラン
ド13の表面上には直径Rが1mmの円形からなる複数
の接着部13bが設けられており、相互に隣り合った接
着部13bはそれぞれの外円周において接触している。
すなわち、前記接着部13bは互いに隣接するように形
成されている。前記接着部13b相互間の非接触部には
プレス金型によって打ち抜かれることにより孔13aが
設けられている。この孔13aの最小の一辺の長さ16
はリ−ドフレ−ム10の厚さと等しい0.15mmとさ
れている。これは、プレス金型によって形成される孔の
場合、信頼性を有する孔の最小の寸法がリ−ドフレ−ム
の厚さとなるからである。前記孔13aの相互間の長さ
17は0.5mmとされている。
るアイランドの要部を示す拡大平面図である。アイラン
ド13の表面上には直径Rが1mmの円形からなる複数
の接着部13bが設けられており、相互に隣り合った接
着部13bはそれぞれの外円周において接触している。
すなわち、前記接着部13bは互いに隣接するように形
成されている。前記接着部13b相互間の非接触部には
プレス金型によって打ち抜かれることにより孔13aが
設けられている。この孔13aの最小の一辺の長さ16
はリ−ドフレ−ム10の厚さと等しい0.15mmとさ
れている。これは、プレス金型によって形成される孔の
場合、信頼性を有する孔の最小の寸法がリ−ドフレ−ム
の厚さとなるからである。前記孔13aの相互間の長さ
17は0.5mmとされている。
【0018】図3は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるアイランドの表面上に導電性接着
剤を塗布するためのディスペンサ−を示す断面図であ
る。ディスペンスノズル22の下にはディスペンスニ−
ドル23が設けられており、このディスペンスニ−ドル
23には複数の塗布口25が設けられている。前記ディ
スペンスノズル22には導電性接着剤21が入れられて
おり、この導電性接着剤21は前記ディスペンスノズル
22からディスペンスニ−ドル23に送られ、塗布口2
5から塗布される。
型半導体装置におけるアイランドの表面上に導電性接着
剤を塗布するためのディスペンサ−を示す断面図であ
る。ディスペンスノズル22の下にはディスペンスニ−
ドル23が設けられており、このディスペンスニ−ドル
23には複数の塗布口25が設けられている。前記ディ
スペンスノズル22には導電性接着剤21が入れられて
おり、この導電性接着剤21は前記ディスペンスノズル
22からディスペンスニ−ドル23に送られ、塗布口2
5から塗布される。
【0019】図4は、図3に示すディスペンサ−を塗布
口の側から視た平面図である。ディスペンサ−における
塗布口25は前記アイランド13の接着部13bに対応
するように形成されている。すなわち、前記塗布口25
は接着部13b相互の中心間の距離と等しい距離の間隔
によって並んでおり、前記塗布口25の数は前記接着部
13bの数と等しく形成されている。したがって、前記
接着部13bに導電性接着剤21をディスペンサ−によ
って一度塗布することにより、アイランド13上に設け
られた全ての接着部13bそれぞれの中央部には導電性
接着剤21が塗布される。前記塗布口25の形状は円形
となっている。
口の側から視た平面図である。ディスペンサ−における
塗布口25は前記アイランド13の接着部13bに対応
するように形成されている。すなわち、前記塗布口25
は接着部13b相互の中心間の距離と等しい距離の間隔
によって並んでおり、前記塗布口25の数は前記接着部
13bの数と等しく形成されている。したがって、前記
接着部13bに導電性接着剤21をディスペンサ−によ
って一度塗布することにより、アイランド13上に設け
られた全ての接着部13bそれぞれの中央部には導電性
接着剤21が塗布される。前記塗布口25の形状は円形
となっている。
【0020】図5は、この発明の実施例による樹脂封止
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムのアイランドを示
す平面図である。アイランド13の表面上における接着
部13bの中央部に図3に示すディスペンサ−により導
電性接着剤21が塗布され、この導電性接着剤21の塗
布形状は円形となっている。この後、前記アイランド1
3の上には図示せぬ半導体チップが載置される。この
際、この半導体チップがアイランド13に押し付けられ
る力により前記導電性接着剤21は円形の接着部13b
の全面に引き延ばされる。すなわち、前記接着部13b
の形状は導電性接着剤21が引き延ばされた際の形状と
同一になるように決められている。これにより、前記半
導体チップはアイランド13上に接着される。次に、前
記半導体チップは図示せぬボンディングワイヤにより前
記インナ−リ−ド14と電気的に接続される。この際、
前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ側はネイ
ルヘッドボンディングにより接続され、前記ボンディン
グワイヤにおけるインナ−リ−ド14側はウエッジボン
ディングにより接続される。この後、前記半導体チッ
プ、アイランド13およびインナ−リ−ド14はトラン
スファ成形法によって図示せぬモ−ルド樹脂により封止
される。
型半導体装置におけるリ−ドフレ−ムのアイランドを示
す平面図である。アイランド13の表面上における接着
部13bの中央部に図3に示すディスペンサ−により導
電性接着剤21が塗布され、この導電性接着剤21の塗
布形状は円形となっている。この後、前記アイランド1
3の上には図示せぬ半導体チップが載置される。この
際、この半導体チップがアイランド13に押し付けられ
る力により前記導電性接着剤21は円形の接着部13b
の全面に引き延ばされる。すなわち、前記接着部13b
の形状は導電性接着剤21が引き延ばされた際の形状と
同一になるように決められている。これにより、前記半
導体チップはアイランド13上に接着される。次に、前
記半導体チップは図示せぬボンディングワイヤにより前
記インナ−リ−ド14と電気的に接続される。この際、
前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ側はネイ
ルヘッドボンディングにより接続され、前記ボンディン
グワイヤにおけるインナ−リ−ド14側はウエッジボン
ディングにより接続される。この後、前記半導体チッ
プ、アイランド13およびインナ−リ−ド14はトラン
スファ成形法によって図示せぬモ−ルド樹脂により封止
される。
【0021】上記実施例によれば、アイランド13の表
面上に複数の相互に隣接された円形の接着部13bを形
成し、前記アイランド13において前記接着部13b相
互間の非接触部を切除している。すなわち、プレス金型
による打ち抜きにより前記非接触部に孔13aを設けて
いる。前記接着部13の中央部に導電性接着剤21を塗
布し、この導電性接着剤21の上に半導体チップが載置
される。この際、前記半導体チップが前記アイランド1
3に押し付けられる力により前記導電性接着剤21が引
き延ばされる。この延ばされた導電性接着剤21の形状
に対応するように前記接着部13を形成している。この
ため、前記アイランド13の表面上に前記半導体チップ
を接着した際、前記半導体チップと前記アイランド13
との間の全面に導電性接着剤21を存している。これに
より、前記半導体チップと前記アイランド13との間に
隙間が生じることがなく、アイランド13と半導体チッ
プとにおける良好な接着性を得ることができる。この結
果、前記半導体チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙
間に入り込むことがない。したがって、この隙間に入り
込んだ樹脂に熱サイクルが加えられた際、前記樹脂が膨
脹することにより生ずる半導体チップにおけるクラック
の発生を防止することができ、樹脂封止型半導体装置の
信頼性を高めることができる。
面上に複数の相互に隣接された円形の接着部13bを形
成し、前記アイランド13において前記接着部13b相
互間の非接触部を切除している。すなわち、プレス金型
による打ち抜きにより前記非接触部に孔13aを設けて
いる。前記接着部13の中央部に導電性接着剤21を塗
布し、この導電性接着剤21の上に半導体チップが載置
される。この際、前記半導体チップが前記アイランド1
3に押し付けられる力により前記導電性接着剤21が引
き延ばされる。この延ばされた導電性接着剤21の形状
に対応するように前記接着部13を形成している。この
ため、前記アイランド13の表面上に前記半導体チップ
を接着した際、前記半導体チップと前記アイランド13
との間の全面に導電性接着剤21を存している。これに
より、前記半導体チップと前記アイランド13との間に
隙間が生じることがなく、アイランド13と半導体チッ
プとにおける良好な接着性を得ることができる。この結
果、前記半導体チップを樹脂封止した際、樹脂が前記隙
間に入り込むことがない。したがって、この隙間に入り
込んだ樹脂に熱サイクルが加えられた際、前記樹脂が膨
脹することにより生ずる半導体チップにおけるクラック
の発生を防止することができ、樹脂封止型半導体装置の
信頼性を高めることができる。
【0022】また、接着部13b相互間の非接触部にプ
レス金型によって打ち抜くことにより孔13aを設けて
いる。このため、前記半導体チップを樹脂封止した際、
前記孔13aに樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランド13と樹脂との機械的密着強度を
向上させることができる。したがって、パッケ−ジを基
板に実装する際の熱によりアイランド13に溜まってい
る水が水蒸気爆発を起こしても、樹脂にクラックが発生
することがない。この結果、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を向上させることができる。
レス金型によって打ち抜くことにより孔13aを設けて
いる。このため、前記半導体チップを樹脂封止した際、
前記孔13aに樹脂が噛み合うように入り込む。これに
より、前記アイランド13と樹脂との機械的密着強度を
向上させることができる。したがって、パッケ−ジを基
板に実装する際の熱によりアイランド13に溜まってい
る水が水蒸気爆発を起こしても、樹脂にクラックが発生
することがない。この結果、樹脂封止型半導体装置の信
頼性を向上させることができる。
【0023】また、アイランド13に孔13aを設ける
ことにより、前記アイランド13の面積を小さくしてい
る。この結果、アイランド13の裏面に溜まる水の量は
前記アイランド13の面積に比例することから、前記ア
イランド13に溜まる水の量を従来のそれより少なくす
ることができる。したがって、パッケ−ジを基板に実装
する際の熱による水蒸気爆発を抑えることができる。
ことにより、前記アイランド13の面積を小さくしてい
る。この結果、アイランド13の裏面に溜まる水の量は
前記アイランド13の面積に比例することから、前記ア
イランド13に溜まる水の量を従来のそれより少なくす
ることができる。したがって、パッケ−ジを基板に実装
する際の熱による水蒸気爆発を抑えることができる。
【0024】また、プレス金型によってアイランド13
に凹部を設けるのではなく、プレス金型によって打ち抜
くことによりアイランド13に孔13aを設けている。
このため、パッケ−ジを小型・薄型化するために厚さが
薄いアイランド13を用いても、このアイランド13が
変形することがない。これとともに、前記孔13aを設
ける際、プレス金型を用いているため、前記リ−ドフレ
−ム10を量産することができる。この結果、樹脂封止
型半導体装置のコストダウンを可能とし、市場における
競争力を高めることができる。尚、上記実施例では、リ
−ドフレ−ム10の厚さを0.15mmとしているが、
リ−ドフレ−ム10の厚さを0.125mmとすること
も可能である。
に凹部を設けるのではなく、プレス金型によって打ち抜
くことによりアイランド13に孔13aを設けている。
このため、パッケ−ジを小型・薄型化するために厚さが
薄いアイランド13を用いても、このアイランド13が
変形することがない。これとともに、前記孔13aを設
ける際、プレス金型を用いているため、前記リ−ドフレ
−ム10を量産することができる。この結果、樹脂封止
型半導体装置のコストダウンを可能とし、市場における
競争力を高めることができる。尚、上記実施例では、リ
−ドフレ−ム10の厚さを0.15mmとしているが、
リ−ドフレ−ム10の厚さを0.125mmとすること
も可能である。
【0025】また、接着部13bの直径を1mmとして
いるが、導電性接着剤21が半導体チップにより延ばさ
れる円形状と対応する円形状の接着部13bであれば、
この接着部13bの直径を他の長さとすることも可能で
ある。前記導電性接着剤13bが延ばされる円形状の直
径は、導電性接着剤13bの量と半導体チップをアイラ
ンド13に押し付ける力との関係により決められる。以
下、この発明の応用例について説明する。
いるが、導電性接着剤21が半導体チップにより延ばさ
れる円形状と対応する円形状の接着部13bであれば、
この接着部13bの直径を他の長さとすることも可能で
ある。前記導電性接着剤13bが延ばされる円形状の直
径は、導電性接着剤13bの量と半導体チップをアイラ
ンド13に押し付ける力との関係により決められる。以
下、この発明の応用例について説明する。
【0026】この発明をアイランド13の上に複数の半
導体チップが載置されたマルチ・チップICに適用する
ことも可能である。このマルチ・チップICの場合、ア
イランドの面積が大きくなるため、アイランドをこの発
明の構造とすることにより樹脂クラックの発生を防止す
ることができる。特に、アイランドの上に絶縁回路基板
および半導体チップが接着剤により載置され、前記絶縁
回路基板と半導体チップとがボンディングワイヤにより
電気的に接続されたマルチ・チップICに有効である。
導体チップが載置されたマルチ・チップICに適用する
ことも可能である。このマルチ・チップICの場合、ア
イランドの面積が大きくなるため、アイランドをこの発
明の構造とすることにより樹脂クラックの発生を防止す
ることができる。特に、アイランドの上に絶縁回路基板
および半導体チップが接着剤により載置され、前記絶縁
回路基板と半導体チップとがボンディングワイヤにより
電気的に接続されたマルチ・チップICに有効である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
アイランドに接着剤が延ばされた面積に対応する円形の
接着部を設け、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いる。したがって、半導体チップとアイランドとの間の
全面に接着剤を塗布することにより、半導体チップにお
けるクラックの発生を防止することができ、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止することができる。
アイランドに接着剤が延ばされた面積に対応する円形の
接着部を設け、前記接着部相互間の非接触部を切除して
いる。したがって、半導体チップとアイランドとの間の
全面に接着剤を塗布することにより、半導体チップにお
けるクラックの発生を防止することができ、且つパッケ
−ジを基板に実装する際、樹脂におけるクラックの発生
を防止することができる。
【図1】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図。
におけるリ−ドフレ−ムを示す平面図。
【図2】この発明の図1に示すリ−ドフレ−ムにおける
アイランドの要部を示す拡大平面図。
アイランドの要部を示す拡大平面図。
【図3】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
におけるアイランドの表面上に導電性接着剤を塗布する
ためのディスペンサ−を示す断面図。
におけるアイランドの表面上に導電性接着剤を塗布する
ためのディスペンサ−を示す断面図。
【図4】この発明の図3に示すディスペンサ−を下から
視た平面図。
視た平面図。
【図5】この発明の図1に示すリ−ドフレ−ムにおける
導電性接着剤が塗布されたアイランドを示す平面図。
導電性接着剤が塗布されたアイランドを示す平面図。
【図6】従来の樹脂封止型半導体装置におけるリ−ドフ
レ−ムを示す平面図。
レ−ムを示す平面図。
【図7】他の従来の樹脂封止型半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムを示す平面図。
ドフレ−ムを示す平面図。
【図8】図7に示す8−8線に沿った断面図。
10…リ−ドフレ−ム、11…リ−ドフレ−ム枠、12…タイ
バ−、13…アイランド、13a …孔、13b …接着部、14…
インナ−リ−ド、16…孔の最小の一辺の長さ、17…孔の
相互間の長さ、21…導電性接着剤、22…ディスペンスノ
ズル、23…ディスペンスニ−ドル、24…、25…塗布口、
R…接着部の直径。
バ−、13…アイランド、13a …孔、13b …接着部、14…
インナ−リ−ド、16…孔の最小の一辺の長さ、17…孔の
相互間の長さ、21…導電性接着剤、22…ディスペンスノ
ズル、23…ディスペンスニ−ドル、24…、25…塗布口、
R…接着部の直径。
Claims (1)
- 【請求項1】 所定の間隔を設けて接着剤が円形に塗布
され、この接着剤の上に半導体チップが載置される際、
前記接着剤が延ばされた面積に対応する円形の接着部を
有し、前記接着部相互間の非接触部が切除されたアイラ
ンドを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23373892A JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23373892A JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0684979A true JPH0684979A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16959808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23373892A Pending JPH0684979A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0684979A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
JP2012209604A (ja) * | 2012-08-02 | 2012-10-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23373892A patent/JPH0684979A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
JP2012209604A (ja) * | 2012-08-02 | 2012-10-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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