JPH07235630A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH07235630A JPH07235630A JP2793394A JP2793394A JPH07235630A JP H07235630 A JPH07235630 A JP H07235630A JP 2793394 A JP2793394 A JP 2793394A JP 2793394 A JP2793394 A JP 2793394A JP H07235630 A JPH07235630 A JP H07235630A
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- lead frame
- resin
- island portion
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止している樹脂に対するクラック発生を抑
制することができる樹脂封止型半導体装置に用いるリー
ドフレームを提供する。 【構成】 外部との電気的接続のための複数のリード部
1と、半導体チップをペーストで固着して載置するアイ
ランド部2とよりなるリードフレームであって、前記ア
イランド部2の半導体チップが載置される面にくぼみ部
5を有するリードフレームである。この構成により、ペ
ーストを吸収できるくぼみ部5を有し、またペースト4
を滴下する際の滴下位置の位置決めも精度よく行なうこ
とができるので、ペースト4が半導体チップ3からはみ
出すようなことはなくなり、ペースト中の水分の気化膨
張による封止している樹脂のクラック発生も解消でき
る。
制することができる樹脂封止型半導体装置に用いるリー
ドフレームを提供する。 【構成】 外部との電気的接続のための複数のリード部
1と、半導体チップをペーストで固着して載置するアイ
ランド部2とよりなるリードフレームであって、前記ア
イランド部2の半導体チップが載置される面にくぼみ部
5を有するリードフレームである。この構成により、ペ
ーストを吸収できるくぼみ部5を有し、またペースト4
を滴下する際の滴下位置の位置決めも精度よく行なうこ
とができるので、ペースト4が半導体チップ3からはみ
出すようなことはなくなり、ペースト中の水分の気化膨
張による封止している樹脂のクラック発生も解消でき
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレームに関し、特に高信頼性化、薄型化に好適のリー
ドフレームに関するものである。
フレームに関し、特に高信頼性化、薄型化に好適のリー
ドフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体
チップと、半導体チップをペーストにより固着して搭載
するアイランド部を有したリードフレームと、前記アイ
ランド上の半導体チップとリードフレームの一部を覆う
封止樹脂とより構成されており、このような従来の樹脂
封止型半導体装置を信頼性評価として半田リフローした
場合、(1)リードフレームのアイランド部裏面に存在
する水分の気化膨張、(2)ペースト中の水分の気化膨
張などが半田リフローの急激な加熱によって起こり、封
止している樹脂にクラックが発生するという課題があ
り、樹脂封止型半導体装置製品の信頼性を著しく損ねて
いた。前記(1)リードフレームのアイランド部裏面に
存在する水分の気化膨張による樹脂へのクラック発生に
対しては、封止している樹脂の特性検討や、アイランド
部にスリットを形成するなどの手段を施して密着性を高
めるなどして対処していた。しかし前記(2)ペースト
中の水分の気化膨張に対する対策はペーストの特性検討
にとどまっていた。
チップと、半導体チップをペーストにより固着して搭載
するアイランド部を有したリードフレームと、前記アイ
ランド上の半導体チップとリードフレームの一部を覆う
封止樹脂とより構成されており、このような従来の樹脂
封止型半導体装置を信頼性評価として半田リフローした
場合、(1)リードフレームのアイランド部裏面に存在
する水分の気化膨張、(2)ペースト中の水分の気化膨
張などが半田リフローの急激な加熱によって起こり、封
止している樹脂にクラックが発生するという課題があ
り、樹脂封止型半導体装置製品の信頼性を著しく損ねて
いた。前記(1)リードフレームのアイランド部裏面に
存在する水分の気化膨張による樹脂へのクラック発生に
対しては、封止している樹脂の特性検討や、アイランド
部にスリットを形成するなどの手段を施して密着性を高
めるなどして対処していた。しかし前記(2)ペースト
中の水分の気化膨張に対する対策はペーストの特性検討
にとどまっていた。
【0003】図3に従来の樹脂封止型半導体装置で用い
ているリードフレームの平面図を示す。図3において従
来のリードフレームは、樹脂封止型半導体装置となった
場合、外部との電気的接続のための複数のリード部1
と、半導体チップをペーストで固着して載置するアイラ
ンド部2とよりなるリードフレームであった。図4には
前記図3に示す従来のリードフレームを用いて半導体チ
ップ3をペースト4でリードフレームのアイランド部2
に載置する状態を示す。従来は前記(2)ペースト中の
水分の気化膨張による樹脂へのクラック防止対策とし
て、ペーストの特性を重点的に行なっていたため、図
3、図4に示すようにリードフレームの構造に対しては
何等検討されていなかった。
ているリードフレームの平面図を示す。図3において従
来のリードフレームは、樹脂封止型半導体装置となった
場合、外部との電気的接続のための複数のリード部1
と、半導体チップをペーストで固着して載置するアイラ
ンド部2とよりなるリードフレームであった。図4には
前記図3に示す従来のリードフレームを用いて半導体チ
ップ3をペースト4でリードフレームのアイランド部2
に載置する状態を示す。従来は前記(2)ペースト中の
水分の気化膨張による樹脂へのクラック防止対策とし
て、ペーストの特性を重点的に行なっていたため、図
3、図4に示すようにリードフレームの構造に対しては
何等検討されていなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
構造、特にアイランド部の構造では、前記(2)ペース
ト中の水分の気化膨張による樹脂へのクラック防止対策
は図3に示すように何等対処されておらず、平坦なもの
であり、樹脂封止型半導体装置の組み立て工程で、前記
図4に示すように半導体チップ3をリードフレームのア
イランド部2上に載置する際(ダイスボンド工程)、半
導体チップ3をペースト4によって固着するが、そのペ
ースト4の滴下の際に滴下位置のバラツキや滴下量のバ
ラツキが生じ、アイランド部2上に半導体チップ3を載
置した場合、ペースト4が半導体チップ3よりもはみ出
してしまうという課題があった。ペースト4が半導体チ
ップ3よりもはみ出した状態で樹脂封止して樹脂封止型
半導体装置を製造した場合、ペースト4は封止している
樹脂と接することになり、ペースト4中の水分が半田リ
フローの際に、気化膨張し、封止している樹脂にクラッ
クが発生するという耐熱性劣化という品質問題が起こ
る。
構造、特にアイランド部の構造では、前記(2)ペース
ト中の水分の気化膨張による樹脂へのクラック防止対策
は図3に示すように何等対処されておらず、平坦なもの
であり、樹脂封止型半導体装置の組み立て工程で、前記
図4に示すように半導体チップ3をリードフレームのア
イランド部2上に載置する際(ダイスボンド工程)、半
導体チップ3をペースト4によって固着するが、そのペ
ースト4の滴下の際に滴下位置のバラツキや滴下量のバ
ラツキが生じ、アイランド部2上に半導体チップ3を載
置した場合、ペースト4が半導体チップ3よりもはみ出
してしまうという課題があった。ペースト4が半導体チ
ップ3よりもはみ出した状態で樹脂封止して樹脂封止型
半導体装置を製造した場合、ペースト4は封止している
樹脂と接することになり、ペースト4中の水分が半田リ
フローの際に、気化膨張し、封止している樹脂にクラッ
クが発生するという耐熱性劣化という品質問題が起こ
る。
【0005】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で、封止している樹脂に対するクラック発生を抑制する
ことができる樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレ
ームを提供することを目的とする。
で、封止している樹脂に対するクラック発生を抑制する
ことができる樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレ
ームを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前記従来の課題
を解決するために、半導体チップをペーストによって載
置するアイランド部と、外部との電気的接続のためのリ
ードとを有するリードフレームにおいて、前記アイラン
ド部の半導体チップを載置する面がくぼみ部を有し、ま
た前記アイランド部のくぼみ部が画像認識装置によって
認識可能なように鋭角な段差を有したくぼみ部を設けた
ものである。
を解決するために、半導体チップをペーストによって載
置するアイランド部と、外部との電気的接続のためのリ
ードとを有するリードフレームにおいて、前記アイラン
ド部の半導体チップを載置する面がくぼみ部を有し、ま
た前記アイランド部のくぼみ部が画像認識装置によって
認識可能なように鋭角な段差を有したくぼみ部を設けた
ものである。
【0007】
【作用】前記構成によって、半導体チップをアイランド
部にペーストによって載置した際は、余分なペーストが
くぼみ部に入り吸収されるので、半導体チップからペー
ストがはみ出すのを防止することができ、はみ出したペ
ースト中の水分の気化膨張はなくなるので、封止してい
る樹脂のクラックの発生を防止できる。またくぼみ部が
鋭角な段差を有し、アライメント装置によって認識さ
れ、アライメントされるので、アイランド部のペースト
塗布位置の位置決めが精度よく行なわれ、ペースト塗布
の際には、ペースト滴下の位置のバラツキが低減され
る。そのため、半導体チップをアイランド上に載置して
もペーストは、はみ出すことはなくなり、はみ出したペ
ースト中の水分の気化膨張はなくなるので、封止してい
る樹脂のクラックの発生を防止できる。
部にペーストによって載置した際は、余分なペーストが
くぼみ部に入り吸収されるので、半導体チップからペー
ストがはみ出すのを防止することができ、はみ出したペ
ースト中の水分の気化膨張はなくなるので、封止してい
る樹脂のクラックの発生を防止できる。またくぼみ部が
鋭角な段差を有し、アライメント装置によって認識さ
れ、アライメントされるので、アイランド部のペースト
塗布位置の位置決めが精度よく行なわれ、ペースト塗布
の際には、ペースト滴下の位置のバラツキが低減され
る。そのため、半導体チップをアイランド上に載置して
もペーストは、はみ出すことはなくなり、はみ出したペ
ースト中の水分の気化膨張はなくなるので、封止してい
る樹脂のクラックの発生を防止できる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図1は本実施例におけるリードフレ
ームの構造を示す要部平面図であり、図2は本実施例に
おけるリードフレームを用いて半導体チップを載置する
状態を示す略断面図である。
しながら説明する。図1は本実施例におけるリードフレ
ームの構造を示す要部平面図であり、図2は本実施例に
おけるリードフレームを用いて半導体チップを載置する
状態を示す略断面図である。
【0009】本実施例にかかるリードフレームは、図1
に示すように樹脂封止型半導体装置となった場合、外部
との電気的接続のための複数のリード部1と、半導体チ
ップをペーストで固着して載置するアイランド部2とよ
りなるリードフレームであって、さらに前記アイランド
部2の半導体チップが載置される面に複数のくぼみ部5
を有するリードフレームである。なお前記くぼみ部5
は、ダイスボンド工程でペーストを塗布する際にペース
ト滴下位置の位置決めが精度よくできるように、画像認
識によるアライメント装置でアライメントできるよう
に、鋭角な段差を有したくぼみ部5である。なめらかな
段差であれば、画像認識されない恐れがあり、画像認識
されるような段差が必要である。くぼみ部5の段差の深
さは、アイランド部2の厚さ以内とし、アライメント性
と滴下するペーストの量との適合する範囲で設ける。そ
して図示しているように複数のくぼみ部5は各々等間隔
で設けられている。
に示すように樹脂封止型半導体装置となった場合、外部
との電気的接続のための複数のリード部1と、半導体チ
ップをペーストで固着して載置するアイランド部2とよ
りなるリードフレームであって、さらに前記アイランド
部2の半導体チップが載置される面に複数のくぼみ部5
を有するリードフレームである。なお前記くぼみ部5
は、ダイスボンド工程でペーストを塗布する際にペース
ト滴下位置の位置決めが精度よくできるように、画像認
識によるアライメント装置でアライメントできるよう
に、鋭角な段差を有したくぼみ部5である。なめらかな
段差であれば、画像認識されない恐れがあり、画像認識
されるような段差が必要である。くぼみ部5の段差の深
さは、アイランド部2の厚さ以内とし、アライメント性
と滴下するペーストの量との適合する範囲で設ける。そ
して図示しているように複数のくぼみ部5は各々等間隔
で設けられている。
【0010】なお、鋭角な段差に限らず、くぼみ部5内
に立体的なマークを付したり、反射率差異等で画像認識
できるようにしても、同様の作用を実現できる。また前
記くぼみ部5の個数としては、半導体チップ3とアイラ
ンド部2とが信頼性上の十分な密着強度を有するペース
トの滴下箇所の個数と同等とし、くぼみ部5を設ける場
所もアイランド部2上のペーストの滴下箇所と一致させ
るのが好ましい。
に立体的なマークを付したり、反射率差異等で画像認識
できるようにしても、同様の作用を実現できる。また前
記くぼみ部5の個数としては、半導体チップ3とアイラ
ンド部2とが信頼性上の十分な密着強度を有するペース
トの滴下箇所の個数と同等とし、くぼみ部5を設ける場
所もアイランド部2上のペーストの滴下箇所と一致させ
るのが好ましい。
【0011】以上のように構成された本実施例のリード
フレームを用いて、半導体チップをアイランド部2に載
置する状態を図2に示す。
フレームを用いて、半導体チップをアイランド部2に載
置する状態を図2に示す。
【0012】アイランド部2上に対して、ペースト4は
前記アイランド部2の半導体チップ3が載置される面に
設けられたくぼみ部5によって、滴下位置が精度よく位
置決めされ、目的とするくぼみ部5上に滴下される。そ
して半導体チップ3を滴下したペースト4を介してアイ
ランド部2上に載置した場合、ペーストの余分な量はく
ぼみ部5によって吸収されて半導体チップ3から、ペー
スト4がはみ出すようなことはなくなる。
前記アイランド部2の半導体チップ3が載置される面に
設けられたくぼみ部5によって、滴下位置が精度よく位
置決めされ、目的とするくぼみ部5上に滴下される。そ
して半導体チップ3を滴下したペースト4を介してアイ
ランド部2上に載置した場合、ペーストの余分な量はく
ぼみ部5によって吸収されて半導体チップ3から、ペー
スト4がはみ出すようなことはなくなる。
【0013】以上のように本実施例では、アイランド部
2の半導体チップ3が載置される面に余分なペーストを
吸収できるくぼみ部5を有しているので、ペースト4が
半導体チップ3からはみ出すようなことはなくなり、ペ
ースト中の水分の気化膨張による封止している樹脂のク
ラック発生も解消できる。またそのくぼみ部5はアライ
メント装置によって認識される形状を有したくぼみ部5
であるため、ペースト4を滴下する際の滴下位置の位置
決めも精度よく行なうことができ、ペースト滴下位置の
バラツキによるペースト4の半導体チップからのはみ出
しはなくなり、ペースト中の水分の気化膨張による封止
している樹脂のクラック発生も解消できる。
2の半導体チップ3が載置される面に余分なペーストを
吸収できるくぼみ部5を有しているので、ペースト4が
半導体チップ3からはみ出すようなことはなくなり、ペ
ースト中の水分の気化膨張による封止している樹脂のク
ラック発生も解消できる。またそのくぼみ部5はアライ
メント装置によって認識される形状を有したくぼみ部5
であるため、ペースト4を滴下する際の滴下位置の位置
決めも精度よく行なうことができ、ペースト滴下位置の
バラツキによるペースト4の半導体チップからのはみ出
しはなくなり、ペースト中の水分の気化膨張による封止
している樹脂のクラック発生も解消できる。
【0014】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、従来のリー
ドフレームのアイランド部にペースト塗布位置の位置決
め用のくぼみ部を設けることにより、ペースト塗布の精
度を向上させ、ペースト滴下の滴下バラツキを抑えるこ
とができ、半導体チップからのペーストのはみ出しを防
止できる。またくぼみ部により余分なペーストを吸収
し、ペーストの広がりを抑えて、半導体チップからのペ
ーストのはみ出しを防止できるので、樹脂封止してもは
み出したペーストがなくなり、ペースト中の水分の気化
膨張による樹脂へのクラック発生を防止でき、樹脂封止
型半導体装置の耐熱性の向上を図ることができるリード
フレームである。
ドフレームのアイランド部にペースト塗布位置の位置決
め用のくぼみ部を設けることにより、ペースト塗布の精
度を向上させ、ペースト滴下の滴下バラツキを抑えるこ
とができ、半導体チップからのペーストのはみ出しを防
止できる。またくぼみ部により余分なペーストを吸収
し、ペーストの広がりを抑えて、半導体チップからのペ
ーストのはみ出しを防止できるので、樹脂封止してもは
み出したペーストがなくなり、ペースト中の水分の気化
膨張による樹脂へのクラック発生を防止でき、樹脂封止
型半導体装置の耐熱性の向上を図ることができるリード
フレームである。
【図1】本発明の一実施例におけるリードフレームの構
造を示す要部平面図
造を示す要部平面図
【図2】本発明の一実施例におけるリードフレームを用
いて半導体チップを載置する状態を示す略断面図
いて半導体チップを載置する状態を示す略断面図
【図3】従来のリードフレームの構造を示す要部平面図
【図4】従来のリードフレームを用いて半導体チップを
載置する状態を示す略断面図
載置する状態を示す略断面図
1 リード部 2 アイランド部 3 半導体チップ 4 ペースト 5 くぼみ部
Claims (2)
- 【請求項1】 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
において、半導体チップをペーストによって載置するア
イランド部と、外部との電気的接続のためのリードとを
有するリードフレームであって、前記アイランド部の半
導体チップを載置する面がくぼみ部を有していることを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 アイランド部の半導体チップを載置する
面のくぼみ部が、アライメント可能な鋭角な段差を有し
た複数のくぼみ部であり、前記複数のくぼみ部が各々等
間隔で設けられていることを特徴とする請求項1記載の
リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2793394A JPH07235630A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2793394A JPH07235630A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07235630A true JPH07235630A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12234704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2793394A Pending JPH07235630A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07235630A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118221A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
JP2014063905A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Fujikura Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
US9425165B2 (en) | 2003-11-27 | 2016-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP2793394A patent/JPH07235630A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9472492B2 (en) | 2000-10-06 | 2016-10-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US9064855B2 (en) | 2000-10-06 | 2015-06-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US8026591B2 (en) | 2000-10-06 | 2011-09-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US8421209B2 (en) | 2000-10-06 | 2013-04-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
JP2002118221A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
US10886204B2 (en) | 2000-10-06 | 2021-01-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
JP4523138B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2010-08-11 | ローム株式会社 | 半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
US20190348348A1 (en) * | 2000-10-06 | 2019-11-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US8637976B2 (en) | 2000-10-06 | 2014-01-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US10388595B2 (en) | 2000-10-06 | 2019-08-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US9812382B2 (en) | 2000-10-06 | 2017-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely |
US10249595B2 (en) | 2003-11-27 | 2019-04-02 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
US9806035B2 (en) | 2003-11-27 | 2017-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9425165B2 (en) | 2003-11-27 | 2016-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
US10998288B2 (en) | 2003-11-27 | 2021-05-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2014063905A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Fujikura Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
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