JPH0684835A - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理体に対してダメージを与えることな
く、該被処理体に対して高効率且つ高精度で中性ビーム
によりエッチング等の表面処理を行う。 【構成】 ガスを放電させてプラズマＰを発生させるプ
ラズマ室１０と、該プラズマ室１０で発生したプラズマ
Ｐからイオン引出電極１２で引出されたインオビームを
中性ビームに変換する中性化室１４と、該中性化室１４
で生成した中性ビームを導入し、該中性ビームで被処理
体Ｓをエッチングする処理室１６とを備えたエッチング
装置において、上記中性化室１４に、イオンビームを中
性ビームに変換する際に、その中性ビームを同時に励起
状態に変換するための、プラズマ室１０Ａ、その周囲に
配設したＥＣＲ電磁石２２Ａ及びメッシュ電極３０から
なる、励起中性粒子を生成する励起装置２８を付設し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面処理方法及びその
装置、特に、半導体基板に対するドライエッチング等の
表面処理に有効に適用することができる表面処理方法及
びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面処理装置の１つに中性ビームをエッ
チャントとするドライエッチング装置がある。このドラ
イエッチング装置としては、例えば特開昭６２−２５９
４４３に、図７に示すような、直流や高周波放電によっ
てイオン源５０で発生させたプラズマから引出電極５２
によって希ガスの正イオンビームを真空槽５４に引き出
し、該真空槽５４において引き出された希ガスイオンと
同種の中性希ガスとの間の共鳴電荷交換反応によってイ
オンビームを中性ビームに変換し、該中性ビームを被処
理基板Ｓ上に照射することにより、該基板Ｓのエッチン
グを行うものが開示されている。なお、図中５６はター
ボ分子ポンプ、５８は偏向板である。

【０００３】このエッチング装置では、中性の希ガスが
ほとんど化学反応性を有しないことから、上記イオン源
５０とは別に、化学的に活性なハロゲン原子を生成する
チャンバを備えており、該チャンバで生成したハロゲン
原子を被処理基板Ｓ上に輸送して主に該基板Ｓ上に吸着
させ、その吸着表面に前記中性ビームを照射する方法を
採用している。

【０００４】又、他のエッチング装置の例としては、特
開平１−１２０８２６に、図８に示すような、マイクロ
波発信器６０から導波管６２を介して入力されるマイク
ロ波により放電管６４に発生させたプラズマから、負の
イオンビームを真空槽６６に引き出し、電子付着反応に
よって該負イオンビームを中性ビームに変換し、該中性
ビームをグリッド電極６８を通して基板Ｓに照射するこ
とにより、該基板Ｓのエッチングを行うものが開示され
ている。なお、図中７０は、排気ポンプである。

【０００５】このエッチング装置では、前記特開昭６２
−２５９４４３に開示されているエッチング装置と比べ
て、負イオンビームとしてハロゲンガスを用いることが
できるため、別の活性なハロゲン原子を生成するチャン
バを必要としない利点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
報に開示されているような、単純な電荷交換反応や電子
付着反応によってイオンビームを中性ビームに変換する
だけでは、中性ビーム中の中性ガス粒子は、そのほとん
どが基底状態にあって化学反応性に乏しいため、エッチ
ング速度が非常に遅く、例えばシリコン基板をエッチン
グする場合であれば、プラズマエッチングに比べてその
速度は１０〜２０分の１程度しかない。

【０００７】又、中性ビームに含まれる原子や分子の並
進エネルギ（以下、単にエネルギともいう）は数百e Ｖ
であり、このエネルギは、例えば電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）プラズマを用いたドライエッチングのエッ
チャントであるイオンのエネルギ約１０〜３０e Ｖと比
較すると非常に大きく、それ故にシリコン基板に与える
エッチングダメージが大きいという問題もある。

【０００８】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
く成されたもので、被処理体に対してダメージを与える
ことなく、該被処理体に対して高効率且つ高精度で中性
ビームによるドライエッチング等の表面処理を行うこと
ができる、表面処理方法及びその装置を提供することを
課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、ガス放電によ
り発生させたプラズマから引き出されたイオンビームを
中性ビームに変換し、該中性ビームを被処理体の表面に
入射させてその表面処理を行う表面処理方法において、
イオンビームを中性ビームに変換する際に、その中性ビ
ームを励起状態にすることにより、前記課題を達成した
ものである。

【００１０】本発明は、又、ガス放電によりプラズマを
発生させるプラズマ室と、該プラズマ室で発生したプラ
ズマからイオン引出電極で引き出されたイオンビームを
中性ビームに変換する中性化室と、該中性化室で生成し
た中性ビームを導入し、該中性ビームで被処理体を表面
処理する処理室とを備えた表面処理装置において、上記
中性化室に、イオンビームを中性ビームに変換する際
に、その中性ビームを励起状態にする励起手段を設けた
ことにより、同様に前記課題を達成したものである。

【００１１】

【作用】本発明においては、プラズマから引き出された
イオンビームを中性化する際に、生成する中性粒子を化
学的に活性な状態に励起するようにしたので、例えばエ
ッチングの場合であれば、中性ビームに含まれる中性粒
子の並進運動エネルギ、即ち中性ビームのエネルギが小
さくとも十分な大きさのエッチング速度を得ることがで
きる。

【００１２】又、このように中性ビームエネルギを小さ
くできるため、被処理体に対するエッチングダメージを
小さくすることができ、又、エッチャントが中性である
ことから、被処理体が絶縁性であってもチャージアップ
することがないため、マスクパターンに忠実なエッチン
グ形状を得ることができる。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００１４】図１は、本発明に係る第１実施例のドライ
エッチング装置（表面処理装置）を示す概略断面図であ
る。

【００１５】本実施例のエッチング装置は、プラズマを
発生させるプラズマ室１０と、該プラズマ室１０で発生
したプラズマからイオン引出電極１２で引き出されたイ
オンビームを中性ビームに変換する中性化室１４と、該
中性化室１４で生成した中性ビームを導入し、該中性ビ
ームで被処理体Ｓをエッチングする処理室１６とを備え
ている。

【００１６】上記プラズマ室１０は、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）によりマイクロ波プラズマを発生させ
るために、導波管１８を介して連結されたマイクロ波源
２０と、周囲に配設されたＥＣＲ用の電磁石２２とを有
している。又、上記プラズマ室１０には、原料ガスを導
入するためのガス導入管２４と、内部を所望の減圧状態
にするための真空排気装置２６とが連結されている。

【００１７】上記イオン引出電極１２は図示しない電源
に接続されており、プラズマ室１０で発生したプラズマ
Ｐから正イオンを引き出すために、該プラズマＰに対し
負電位が印加されるようになっている。

【００１８】前記中性化室１４には、該中性化室１４内
を独立に圧力調整するための真空排気装置２６Ａと、励
起された中性粒子を発生させるための励起装置２８が連
結されている。

【００１９】上記励起装置２８は、前記プラズマ室１０
と同様のプラズマ室１０Ａと、該プラズマ室１０Ａに原
料ガスを導入するガス導入管２４Ａと、導入されたガス
をプラズマ化するためのＥＣＲ用の電磁石２２Ａと、該
プラズマ室１０Ａ内で発生したプラズマから励起された
中性粒子のみを中性化室１４に導入させるためのメッシ
ュ電極３０とを備えている。このメッシュ電極３０は、
上記プラズマ室１０Ａから化学的に活性な状態にある原
子又は分子からなる中性粒子のみが中性化室１４に引き
出されるようにするもので、正負両イオン及び電子が該
中性化室１４に放出されないようにするために、その電
位がプラズマ室１０Ａと同一に設定されるようになって
いる。

【００２０】前記処理室１６には、該処理室１６内を独
立に圧力調整するための真空排気装置２６Ｂが連結さ
れ、その内部には被処理体（基板）Ｓを取り付け、且つ
該被処理体Ｓを所望の温度に調整することが可能なホル
ダ３２が設置されている。

【００２１】又、上記中性化室１４と処理室１６との間
には、中性化室１４で中性化されなかったイオンビーム
と、電荷交換反応によって生成した低エネルギのイオン
が被処理体Ｓに到達することを防止するために、正電位
に設定されたイオン反発電極３４が配設されている。こ
のイオン反発電極３４は、図２にその一部断面を拡大し
て模式的に示すように、２枚の電極からなっており、両
電極ともに正電位を与えてある。中性化室１４に近い方
の電極３４a で殆んどの正イオンを反発し、処理室１６
に近い方の電極３４b では、電極３４a を通り抜けてき
た正イオンを反発すると共に、中性化室１４で生成した
中性ビームをコリメートする。

【００２２】電極３４a と３４b の間隔d が大きければ
大きい程、又、各電極の穴径a が小さければ小さい程、
中性ビームはコリメートされるが、本実施例では中性ビ
ームの発散角度を２°以内にするために、電極３４a 、
３４b の穴径を１mm、間隔を３０mmにしてある。又、中
性化室１４の圧力は、電極３４a 、３４b を通り抜ける
中性ビームが分子流となるような圧力、例えば１０^-2Ｔ
orr とし、処理室１６では、電極３４a 、３４b を通り
抜けた中性ビームが被処理体Ｓに到達するまでに無衝
突、即ち、電極３４a 、３４b で決定されるビーム発散
角度のまま被処理体Ｓに到達するように、その圧力が例
えば１０^-4Ｔorr で、電極３４b から被処理体Ｓまでの
距離が数cm以内になるようにしてある。

【００２３】次に、本実施例の作用を説明する。

【００２４】まず、処理室１６内のホルダ３２に被処理
体Ｓを取り付け、ガス導入管２４及び２４Ａから所定の
原料ガスをプラズマ室１０及び１０Ａに導入すると共
に、真空排気装置２６、２６Ａ及び２６Ｂによりプラズ
マ室１０、中性化室１４及び処理室１６をそれぞれ所定
の減圧程度にした状態で、プラズマ室１０及び１０Ａ内
にプラズマを発生させる。ここでは、プラズマ室１０、
プラズマ室１０Ａ及び中性化室１４の圧力をそれぞれＰ
１、Ｐ２及びＰ３とすると、これら各室の圧力をＰ３≦
Ｐ１≦Ｐ２になるように設定する。

【００２５】プラズマ室１０でプラズマＰを発生させる
と、該プラズマＰからイオン引出電極１２によって引き
出された正イオンビームＩは中性化室１４に導かれ、電
荷交換反応によって中性ビームに変換される。

【００２６】本実施例では、上記中性化室１４に対し
て、励起装置２８のプラズマ室１０Ａから励起された中
性粒子（ターゲットガス）Ｎが導入されるようにしてあ
るので、プラズマ室１０のプラズマＰから引き出された
イオンビームＩは、励起状態の中性粒子Ｎとの間で電荷
交換反応を行って中性粒子となるため、生成される中性
ビームを化学的に活性で且つ方向が揃った状態で処理室
１６に導入することができる。従って、中性ビームＮ′
のエネルギが小さくとも、十分な速度で、しかも高異方
性で被処理体Ｓをエッチングすることが可能となる。

【００２７】一般に、上記電荷交換反応では、電荷交換
反応の断面積をσ_AB、中性化室１４に入射する正イオン
ビーム電流をＩ_O 、正イオンビームが距離x だけ離れた
位置での正イオンビーム電流をＩ（x ）、中性化室１４
中の熱運動中性粒子、即ち正イオンと電荷交換させるた
めのターゲットガスの数密度をＮ_B 、中性ビームの強度
をＩ_n （x ）とすると、 Ｉ（x ）／Ｉ₀ ＝exp （−Ｎ_B σ_ABx ） …（１） であるから Ｉ_n （x ）＝Ｉ₀ −Ｉ（x ） …（２） より Ｉ_n （x ）＝Ｉ₀ ｛１−exp （−Ｎ_B σ_ABx ）｝ …（３） と表わすことができる。但し、Ｉ_n （x ）は電流相当値
である。

【００２８】従って、イオンビームが中性ビームに変換
される効率Ｉ_n （x ）／Ｉ_O は、上記（３）式より電荷
交換反応の断面積σ_AB、イオンビームの輸送距離x 及び
ターゲットガス密度Ｎ_B に依存するため、イオンビーム
を１００％中性ビームに変換することはできない。

【００２９】本実施例では、中性化室１４にプラズマ室
１０Ａから励起中性粒子Ｎが導入されるため、電荷交換
効率は上記と完全には一致しないが同様に変換されない
イオンが残る。しかし、変換されずに残ったイオンは、
イオン反発電極３４により押し返され、処理室１６に導
入されることが防止され、結果として電気的に中性な粒
子からなる中性ビームＮ′のみを被処理体Ｓ上に到達さ
せ、該中性ビームＮ′により被処理体Ｓに対してエッチ
ング反応を生じさせることができる。

【００３０】本実施例では、プラズマ室１０に導入する
原料ガスとしてはハロゲンを含むガスを用い、中性化室
１４にハロゲンの正イオンビームが引き出されるように
し、又、励起装置２８のプラズマ室１０Ａからターゲッ
トガスとして励起状態にあるガス状分子又は原子が供給
されるようにしてある。ここで、励起状態とは、分子の
場合には電子励起状態、振動励起状態、回転励起状態の
いずれかを意味し、原子の場合には電子励起状態を意味
する。

【００３１】上記ターゲットガスの励起状態は、なるべ
く長い寿命を持つことが望ましく、例えば電荷交換され
る正イオンが中性化室を通過する時間持続することが望
ましい。イオンが中性化室を通過する時間はイオンの速
度、即ちイオンの並進運動エネルギと、中性化室１４の
長さで決まるため、ターゲットガスとして要求される寿
命は、一概に決定することはできないが、現実的にはマ
イクロ秒以上あれば十分である。

【００３２】以下に、本実施例のエッチング装置を用い
て、ターゲットガスとしては励起状態 c ¹Σ^- _u にある
Ｏ₂ 分子を、又、イオンビームとしては基底状態 ²Π_i
にあるＣl ₂ ⁺ イオンを発生させた場合について具体的
に説明する。

【００３３】上記励起状態にあるＯ₂ 分子はその寿命が
２０秒以上あり、その励起状態からＯ₂ ⁺ イオンの基底
状態までのエネルギ差は約８e Ｖである。又、前記基底
状態Ｃl ₂ ⁺ イオンと励起状態Ｃl ₂ の ³Π（Ｏ_u ⁺ ）
状態間のエネルギ差は約９eＶである。従って、前記基
底状態Ｃl ₂ ⁺ イオンと励起状態Ｏ₂ が非弾性衝突する
と、基底状態Ｃl ₂ ⁺ イオンは励起状態のＣl ₂ に、励
起状態Ｏ₂ 分子は基底状態のＯ₂ ⁺ イオンにそれぞれ変
換するため、Ｃl ₂ ⁺ イオンビームは中性の励起状態Ｃ
l ₂ 分子ビームに変換される。

【００３４】上記のような電荷交換反応を生じさせるた
めには、一般にターゲットガスを構成する粒子Ｂのイオ
ン状態と励起状態とのエネルギ差をΔＥ_T と表わし、イ
オンビームを構成する粒子Ｂの同エネルギ差をΔＥ_i と
表わすと、図３に示すようなΔＥi ≧ΔＥ_T の関係にあ
る必要がある。

【００３５】エッチングを行うために適切な中性ビーム
の並進運動エルネギは数〜数十e Ｖであるため、前記中
性ビームの励起状態の寿命はマイクロ秒以上あれば十分
である。但し、中性ビームの励起状態の寿命は、中性ビ
ームの運動エネルギ、種類及び輸送距離に関係するた
め、高速の励起状態中性ビームを生成する場合にはナノ
秒の寿命であってもよい場合がある。

【００３６】前記電荷交換反応で生成する励起状態の中
性Ｃl ₂ の分子はその寿命が約３０５マイクロ秒あるた
め、その速度即ち並進運動エネルギが約０．１６e Ｖ以
上であれば距離２０cmは励起状態のまま輸送できる。な
お、励起状態で数〜数十cmの輸送距離が得られれば、中
性化室１４と処理室１６とを機械的に実現でき、従っ
て、被処理体Ｓ上に励起状態の中性ビームを照射するこ
とができる。

【００３７】本実施例では、実際に被処理体Ｓとしてシ
リコン基板を用意し、イオン引出電極１２から該シリコ
ン基板Ｓまでの距離を２０cmとし、生成する中性ビーム
のエネルギを１０e Ｖとして該シリコン基板Ｓ上のポリ
シリコン（poly- Ｓi ）をエッチングした場合の結果を
図４に示した。

【００３８】この図４には、前述した方法により中性化
室１６で励起状態のＣl ₂ 中性ビームを生成させて上記
ポリシリコンをエッチングした場合（本発明）と、基底
状態のＣl ₂ 中性ビームでポリシリコンをエッチングし
た場合（従来）のそれぞれについてのエッチング速度が
示してある。

【００３９】上記図４より明らかなように、基底状態の
Ｃl ₂ ビームでは殆どエッチングされなかったが、本実
施例による励起状態のＣl ₂ ビームでは実用的な速度で
エッチングすることができた。又、上記ポリシリコンに
は、その下地に厚さ４０ÅのＳi Ｏ₂ 膜が存在していた
が、該膜には全くダメージが生じていなかった。

【００４０】又、従来のドライエッチングでは、異方性
加工を実現するためにエッチャントとして主に正イオン
を用いていたため、絶縁性基板をエッチングする場合に
は、入射するイオンビームの量に基板内でばらつきがあ
ると該基板上で電荷の偏りが生じてしまい、それが原因
で基板内を流れる電流により基板上の被加工部にダメー
ジが生じたり、又、チャージアップしたエッチングパタ
ーン上に生じる電界形状によっては加工寸法精度を悪化
させることがあった。しかし、本実施例によれば、エッ
チャントが中性であり、又、イオンは処理室１６に入る
ことが完全に防止されているため、上記のような問題は
生じることがなく、極めて良好なエッチングパターン形
状が得られた。

【００４１】図５は、本発明に係る第２実施例のエッチ
ング装置を示す、前記図１に相当する断面図である。

【００４２】本実施例のエッチング装置は、励起手段と
してＲＦコイル３６を中性化室１４の周囲に配設し、該
ＲＦコイル３６により中性化室１４中でプラズマを発生
できるようにし、前記第１実施例で用いたプラズマ発生
室１０Ａ、ＥＣＲ電磁石２２Ａ、メッシュ電極３０から
なる励起装置２８を除いた以外は、前記第１実施例のエ
ッチング装置と実質的に同一である。

【００４３】図６は、本実施例において、ホルダ３２に
設置されているシリコン基板をエッチングする際に上記
ＲＦコイル３６に対する電圧（図中、ＲＦ電圧と表示）
の印加と、イオン引出電極１２に対する負電圧（図中、
引出電圧と表示）の印加とのタイミングを示したタイム
チャートである。

【００４４】本実施例では、上記図６に示されるよう
に、中性化室１４では励起用のプラズマをパルス状に発
生させ、且つ中性化室１４にプラズマ室１０中のプラズ
マＰからイオンビームを引出すためのイオン引出電極１
２に対する負電圧をもパルス状で印加する。ここでは、
中性化室１４にプラズマを発生させるためにＲＦコイル
に対して電圧を印加する時間幅を１００msecで周期を４
Ｈz として、イオン引出電極１２に対して負電位を印加
するパルス幅を、ＲＦプラズマ生成周期の１／２より小
さい値である２０msecとし、且つ、これらパルスの位相
差は図６に示す通り、ＲＦプラズマがオフ状態になった
後５msec経過した後にイオン引出電極１２に電位を印加
するようにしてある。このようなタイミングでイオン引
出電極１２に負電位を印加するためには、プラズマは瞬
時に消滅しないため、ＲＦ電力をオフにした後数十msec
の後にイオン引出電極１２に電位を印加する必要があ
る。

【００４５】本実施例によれば、上記の如く中性化室１
４でパルス状のプラズマを発生させ、そのパルスとパル
スの間にイオン引出電極１２に正電位を印加してプラズ
マ室１０内のプラズマＰからイオンビームを引出すこと
により、中性化室１４にＲＦコイル３６で発生させたパ
ルス状のプラズマ中に生成している寿命が長く且つ化学
的に活性な励起状態の中性粒子と、上記イオンビームを
非弾性衝突させることができるため、該イオンビームを
電荷交換反応により化学的に活性な中性ビームに変換す
ることができる。

【００４６】従って、本実施例によれば、前記第１実施
例の場合と同様に、シリコン基板にダメージを与えるこ
となく、異方性の高いエッチングを、高速で行うことが
できる。

【００４７】又、本実施例によれば、前記第１実施例の
ような活性な励起状態中性粒子を生成するためのプラズ
マ室１０Ａ等からなる励起装置２８が不要となるため、
装置をコンパクトにできるだけでなく、該プラズマ室１
０Ａで生成した活性中性粒子を中性化室１４に輸送する
際に生じてしまう活性粒子の脱励起が起こらないため、
高密度の活性中性粒子を中性化室１４で生成することが
できる。

【００４８】実際に、本実施例のエッチング装置におい
て、イオンビームの原料ガスとして塩素含有ガスを、タ
ーゲットガスの原料としてネオン（Ｎe ）を用い、ＲＦ
コイル３６にパルス状の電圧を印加して中性化室１４内
にターゲットガスとして準安定励起状態にあるネオンを
生成させ、ポリシリコンをエッチングしたところ十分実
用的な２０００Å／min のエッチング速度を得ることが
できた。

【００４９】以上、本発明について具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に示したものに限られるもの
ではない。

【００５０】例えば、処理室にイオンが導入されること
を防止するためには、前記イオン反発電極の代りにビー
ムに平行な偏向電極を配設し、これに静電位を与え、静
電界によりビーム中からイオンを偏向させて取除くよう
にしてもよい。

【００５１】又、プラズマを発生させるエネルギ源とし
ては、マイクロ波に限られるものでなく、例えばラジオ
波や直流電界等を用いてもよく、その他特に制限されな
い。

【００５２】又、イオン反発電極としては、前記スキマ
ー構造に限られるものでなく、例えばメッシュ状であっ
てもよい。

【００５３】又、前記実施例では、イオン原料ガスとし
て塩素（Ｃl ₂ ）を用いたが、これに限られるものでな
く、例えば他のハロゲンガスを使用してもよく、又、タ
ーゲットガス原料としては、酸素（Ｏ₂ ）とネオン（Ｎ
e ）を使用したが、励起状態のターゲットガスとしてＨ
e 、Ａr 、Ｋr 、Ｘe のような希ガスや、準安定状態の
ターゲットガスとしてＯ、Ｎ₂ 、Ｎ等の分子又は原子の
長寿命準位を用いてもよい。

【００５４】又、前記実施例では、電子励起状態にある
ターゲットガス（Ｏ₂ ）とイオン（Ｃl ₂ ⁺ ）との間で
エネルギ及び電荷を交換させることにより励起状態の中
性ビーム（Ｃl ₂ ）を生成させる場合を示したが、ター
ゲットガスとしては振動励起又は回転励起されたガスを
用い、そのエネルギを中性ビームに移動させるようにし
てもよい。この場合は、イオン及びターゲットガスとし
て同種の元素を用い、イオンの電荷を共鳴電荷交換反応
によってターゲットガスに移動させる方法が効率的であ
る。

【００５５】又、エッチング対象は、ポリシリコンに限
られるものでなく、任意の半導体、導電体又は絶縁体で
あってもよい。

【００５６】又、本発明は、ドライエッチングに適用さ
れるものに限られるものでなく、スパッタリングにも適
用が可能である。この本発明によりスパッタリングを行
う場合は、スパッタするビームが電気的に中性であるた
め、特に絶縁物をスパッタリングする場合に有効であ
る。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
被処理体に対してダメージを与えることなく、該被処理
体に対して高効率且つ高精度で中性ビームによりエッチ
ング等の表面処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例のエッチング装置を示す
概略断面図

【図２】上記エッチング装置の要部を拡大して示す断面
図

【図３】イオンビームのエネルギとターゲットガスのエ
ネルギとの相関を示す線図

【図４】上記実施例の効果を示す線図

【図５】本発明に係る第２実施例のエッチング装置を示
す概略断面図

【図６】上記実施例の作用を説明するための線図

【図７】従来のエッチング装置を示す概略断面図

【図８】従来の他のエッチング装置を示す概略断面図

【符号の説明】

１０、１０Ａ…プラズマ室 １２…イオン引出電極 １４…中性化室 １６…処理室 １８…導波管 ２０…マイクロ波源 ２２、２２Ａ…電磁石 ２４、２４Ａ、２４Ｂ…ガス導入管 ２６、２６Ａ、２６Ｂ…真室排気装置 ２８…励起装置 ３０…メッシュ電極 ３２…ホルダ ３４…イオン反発電極 ３６…ＲＦコイル Ｓ…被処理体 Ｐ…プラズマ Ｉ…イオンビーム Ｎ…中性ビーム

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガス放電により発生させたプラズマから引
   き出されたイオンビームを中性ビームに変換し、該中性
   ビームを被処理体の表面に入射させてその表面処理を行
   う表面処理方法において、 イオンビームを中性ビームに変換する際に、その中性ビ
   ームを励起状態にすることを特徴とする表面処理方法。
2. 【請求項２】ガス放電によりプラズマを発生させるプラ
   ズマ室と、該プラズマ室で発生したプラズマからイオン
   引出電極で引き出されたイオンビームを中性ビームに変
   換する中性化室と、該中性化室で生成した中性ビームを
   導入し、該中性ビームで被処理体を表面処理する処理室
   とを備えた表面処理装置において、 上記中性化室に、イオンビームを中性ビームに変換する
   際に、その中性ビームを励起状態にする励起手段を設け
   たことを特徴とする表面処理装置。