JPH0682843B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0682843B2 JPH0682843B2 JP20666385A JP20666385A JPH0682843B2 JP H0682843 B2 JPH0682843 B2 JP H0682843B2 JP 20666385 A JP20666385 A JP 20666385A JP 20666385 A JP20666385 A JP 20666385A JP H0682843 B2 JPH0682843 B2 JP H0682843B2
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- Japan
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- type diffusion
- etching
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、梁構造体を有する半導体装置の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の梁構造体を有する半導体装置としては、例えばペ
ーターセン等の考案した装置が知られている（K.E.Pete
rsen,IEEE Transaction on Electron Devices,Vol.ED−
25,No.10 Oct1978に記載）。
ーターセン等の考案した装置が知られている（K.E.Pete
rsen,IEEE Transaction on Electron Devices,Vol.ED−
25,No.10 Oct1978に記載）。
第４図は、上記の装置の断面図である。
第４図の装置は、シリコン基板７にp+埋込層６を形成し
た後、ｎ形エピタキシャル層５をエピタキシャル成長さ
せ、その上に耐エッチング材４を設け、その耐エッチン
グ材４に設けた窓から異方性エッチングを行なうことに
より、エッチ孔２の部分を除去することによって梁１を
形成したものである。
た後、ｎ形エピタキシャル層５をエピタキシャル成長さ
せ、その上に耐エッチング材４を設け、その耐エッチン
グ材４に設けた窓から異方性エッチングを行なうことに
より、エッチ孔２の部分を除去することによって梁１を
形成したものである。
この場合、p+埋込層６は、異方性エッチングにおけるエ
ッチングストッパとして作用すると共に、装置の完成後
は金属電極３と対になってコンデンサを構成する。
ッチングストッパとして作用すると共に、装置の完成後
は金属電極３と対になってコンデンサを構成する。
上記のごとき梁構造体を有する半導体装置に圧力や加速
度が印加されると梁１が撓み、それによって金属電極３
とp+埋込層６とで形成されるコンデンサの静電容量が変
化するので、上記の両電極間に印加している電圧の変化
を検出することによって印加された圧力や加速度を検出
することが出来る。
度が印加されると梁１が撓み、それによって金属電極３
とp+埋込層６とで形成されるコンデンサの静電容量が変
化するので、上記の両電極間に印加している電圧の変化
を検出することによって印加された圧力や加速度を検出
することが出来る。
しかしながら、上記のごとき従来の梁構造体を有する半
導体装置においては、その製造時に、エッチングストッ
パとして作用するp+埋込層及びｎ形エピタキシャル層の
厚さによってシリコン基板のエッチング量を制御するよ
うになっていたため、梁の長さがエッチング条件（エッ
チング液成分、温度、時間等）によって左右されるの
で、寸法精度が悪いという問題があり、また、エピタキ
シャル基板を用いる必要があるのでコストが高くなると
いう問題があった。
導体装置においては、その製造時に、エッチングストッ
パとして作用するp+埋込層及びｎ形エピタキシャル層の
厚さによってシリコン基板のエッチング量を制御するよ
うになっていたため、梁の長さがエッチング条件（エッ
チング液成分、温度、時間等）によって左右されるの
で、寸法精度が悪いという問題があり、また、エピタキ
シャル基板を用いる必要があるのでコストが高くなると
いう問題があった。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決し、安価
で寸法精度の高い梁構造体を有する半導体装置の製造方
法を提供することを目的とするものである。
で寸法精度の高い梁構造体を有する半導体装置の製造方
法を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するため本発明においては、梁構造体
の周囲のエッチングによって除去する部分をｐ形拡散層
で形成し、エレクトロケミカルエッチングによってｐ形
拡散層のみを除去するように構成している。
の周囲のエッチングによって除去する部分をｐ形拡散層
で形成し、エレクトロケミカルエッチングによってｐ形
拡散層のみを除去するように構成している。
第１図は、本発明の製造方法で製造した半導体装置の一
実施例の平面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ′断面図で
あり、第３図は、本発明の製造工程図である。
実施例の平面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ′断面図で
あり、第３図は、本発明の製造工程図である。
以下、第３図に基づいて本発明の製造方法を工程順に説
明する。
明する。
まず、（Ａ）において、ｎ形シリコン基板100にボロン
のイオン注入と熱拡散によって、所定の部分に選択的に
ｐ形拡散層107を形成する。
のイオン注入と熱拡散によって、所定の部分に選択的に
ｐ形拡散層107を形成する。
なお、この時、熱酸化等によって酸化膜106も形成す
る。
る。
次に、（Ｂ）において、リンのイオン注入と熱拡散によ
って梁部分となるｎ形拡散層102を形成する。
って梁部分となるｎ形拡散層102を形成する。
次に、（Ｃ）において、ｎ形拡散層102にコンタクトを
とるためのn+拡散層105をリンのイオン注入と熱拡散に
よって選択的に形成し、更に、梁部分の撓みを検出する
ためのピエゾ抵抗112をボロンのイオン注入と熱拡散に
よって形成する。
とるためのn+拡散層105をリンのイオン注入と熱拡散に
よって選択的に形成し、更に、梁部分の撓みを検出する
ためのピエゾ抵抗112をボロンのイオン注入と熱拡散に
よって形成する。
次に、（Ｄ）において、ｎ形シリコン基板100の裏面にP
SG等の裏面保護膜109をCVD法等によって形成した後、表
面の酸化膜106にコンタクト孔104及びエッチング窓111
をホトエッチングによって開孔する。
SG等の裏面保護膜109をCVD法等によって形成した後、表
面の酸化膜106にコンタクト孔104及びエッチング窓111
をホトエッチングによって開孔する。
次に、（Ｅ）において、Al等の金属電極110を蒸着やホ
トエッチングによって形成する。
トエッチングによって形成する。
上記のごとき処理を行なったシリコン基板を図示しない
エッチング槽内に満たしたアルカリ系エッチング液に浸
漬し、上記の金属電極110と図示しないエッチング槽内
に設けた白金等の対抗電極との間に、例えば約0.7Vの電
圧を印加してエレクトロケミカルエッチングを行なう。
エッチング槽内に満たしたアルカリ系エッチング液に浸
漬し、上記の金属電極110と図示しないエッチング槽内
に設けた白金等の対抗電極との間に、例えば約0.7Vの電
圧を印加してエレクトロケミカルエッチングを行なう。
この場合、金属電極110側を＋に、対抗電極側を−に接
続する。
続する。
上記エレクトロケミカルエッチングにおいては、酸化膜
106及び裏面保護膜109は耐エッチング性を有しているた
め、シリコンの露出している部分のみがエッチングされ
るが、ｎ形シリコン基板100及びｎ形拡散層102には＋の
電圧が印加されているため、エッチングはｐ形拡散層10
7のみに行なわれ、ｎ形シリコン基板100及びｎ形拡散層
102はエッチングされない。
106及び裏面保護膜109は耐エッチング性を有しているた
め、シリコンの露出している部分のみがエッチングされ
るが、ｎ形シリコン基板100及びｎ形拡散層102には＋の
電圧が印加されているため、エッチングはｐ形拡散層10
7のみに行なわれ、ｎ形シリコン基板100及びｎ形拡散層
102はエッチングされない。
そのため、（Ｆ）に示すごとく、ｐ形拡散層107の部分
のみが除去されてｎ形拡散層102からなる梁構造体103が
形成される。
のみが除去されてｎ形拡散層102からなる梁構造体103が
形成される。
その後、裏面保護膜109を例えばCH3COOH＋NH4F＋H2O液
によって除去すれば、前記第１図及び第２図に示した梁
構造体を有する半導体装置が完成する。
によって除去すれば、前記第１図及び第２図に示した梁
構造体を有する半導体装置が完成する。
上記第１図及び第２図に示した半導体装置は、片持梁構
造となっており、この片持梁は梁の長さ、長さ及び材質
で定まる固有の共振周波数を有している。
造となっており、この片持梁は梁の長さ、長さ及び材質
で定まる固有の共振周波数を有している。
そのため、この半導体装置に共振周波数と同じ周波数の
振動が印加されると梁は共振して上下に撓むので、梁の
根元に形成しておいたピエゾ抵抗112によって梁の振動
を電気信号として取出すことにより、振動検出装置とし
て用いることが出来る。
振動が印加されると梁は共振して上下に撓むので、梁の
根元に形成しておいたピエゾ抵抗112によって梁の振動
を電気信号として取出すことにより、振動検出装置とし
て用いることが出来る。
上記のごとき本発明の製造方法によれば、エレクトロケ
ミカルエッチングによってｐ形拡散層107の部分を除去
するようになっているので、梁の寸法精度はｐ形拡散層
107の拡散精度によって定まることになる。
ミカルエッチングによってｐ形拡散層107の部分を除去
するようになっているので、梁の寸法精度はｐ形拡散層
107の拡散精度によって定まることになる。
この拡散精度は、前記のごとき異方性エッチングによる
エッチング条件で定まる寸法精度よりもはるかに高く、
高精度にすることが出来るので、従来に比べて梁の寸法
精度を大幅に向上させることが出来る。
エッチング条件で定まる寸法精度よりもはるかに高く、
高精度にすることが出来るので、従来に比べて梁の寸法
精度を大幅に向上させることが出来る。
以上説明したごとく本発明においては、エレクトロケミ
カルエッチングを用いてｐ形拡散層の部分のみを除去す
ることによって梁構造体を形成するように構成している
ので、従来の製造方法で用いられていたp+埋込層による
エッチングストップ手法を用いる必要がなく、そのめ高
価なエピタキシャル基板を用いる必要がなくなるので、
製造コストを安価にすることが出来る。
カルエッチングを用いてｐ形拡散層の部分のみを除去す
ることによって梁構造体を形成するように構成している
ので、従来の製造方法で用いられていたp+埋込層による
エッチングストップ手法を用いる必要がなく、そのめ高
価なエピタキシャル基板を用いる必要がなくなるので、
製造コストを安価にすることが出来る。
また、梁構造体の寸法精度がｐ形拡散層及びｎ形拡散層
の拡散精度で定まるので、従来よりも梁構造体の寸法精
度を大幅に向上させることが出来る、等の効果が得られ
る。
の拡散精度で定まるので、従来よりも梁構造体の寸法精
度を大幅に向上させることが出来る、等の効果が得られ
る。
第１図は本発明の製造方法で製造した半導体装置の一実
施例の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図、第３
図は本発明の製造工程図、第４図は従来装置の一例の断
面図である。 ＜符号の説明＞ 100……ｎ形シリコン基板 101……エッチング孔、102……ｎ形拡散層 103……梁、104……コンタクト孔 105……n+拡散層、106……酸化膜 107……ｐ形拡散層、109……裏面保護膜 110……金属電極、111……エッチング窓 112……ピエゾ抵抗
施例の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図、第３
図は本発明の製造工程図、第４図は従来装置の一例の断
面図である。 ＜符号の説明＞ 100……ｎ形シリコン基板 101……エッチング孔、102……ｎ形拡散層 103……梁、104……コンタクト孔 105……n+拡散層、106……酸化膜 107……ｐ形拡散層、109……裏面保護膜 110……金属電極、111……エッチング窓 112……ピエゾ抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】ｎ形半導体基板の所定部分にｐ形拡散層を
形成し、 上記ｐ型拡散層と上記ｎ形半導体基板の表面に保護膜を
形成し、 上記ｐ形拡散層の所定部分及びその所定部分に接する上
記ｎ形半導体基板の所定部分に渡って所定の形状にｎ形
拡散層を形成し、 上記表面の保護膜の所定部分にコンタクト孔及びエッチ
ング窓を開け、 上記コンタクト孔を介して上記ｎ形拡散層に電極を接続
した後、エッチング液に浸漬して上記電極と別途に設け
た対抗電極との間に直流電圧を印加して上記エッチング
窓の部分からエレクトロケミカルエッチングを行ない、
ｐ形拡散層の部分をエッチングで除去することにより、 上記ｐ形拡散層内に形成したｎ形拡散層の形状を有する
梁構造体を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20666385A JPH0682843B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20666385A JPH0682843B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267880A JPS6267880A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0682843B2 true JPH0682843B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16527072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20666385A Expired - Fee Related JPH0682843B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682843B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2701845B2 (ja) * | 1987-08-21 | 1998-01-21 | 株式会社東海理化電機製作所 | シリコン薄膜の製造方法 |
| DE19903380B4 (de) | 1998-02-02 | 2007-10-18 | Denso Corp., Kariya | Halbleitersensoren für eine physikalische Grösse und ihre Herstellungsverfahren |
| JP4238437B2 (ja) | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
| JP4897462B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-03-14 | 株式会社イノアックコーポレーション | スポイラー |
| JP4897463B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-03-14 | 株式会社イノアックコーポレーション | スポイラー及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20666385A patent/JPH0682843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6267880A (ja) | 1987-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |