JPH0681151A - Cleaning method of window for container - Google Patents
Cleaning method of window for containerInfo
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- JPH0681151A JPH0681151A JP25896792A JP25896792A JPH0681151A JP H0681151 A JPH0681151 A JP H0681151A JP 25896792 A JP25896792 A JP 25896792A JP 25896792 A JP25896792 A JP 25896792A JP H0681151 A JPH0681151 A JP H0681151A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光による容器の窓の清浄
方法に関するものである。更に詳しくはレーザ光を含む
高パワー密度光により、真空蒸着装置、スパッタリング
装置、電子ビーム溶解装置、光ＣＶＤ装置、揮発性物質
を含む単結晶成長装置等に使用される容器や電子顕微鏡
の観察室に設けられた窓の表面の汚染防止、又は汚染さ
れた場合はこれを清浄にする窓の清浄方法に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for cleaning a window of a container by light. More specifically, by using high power density light including laser light, a container used in a vacuum vapor deposition device, a sputtering device, an electron beam melting device, a photo CVD device, a single crystal growth device containing a volatile substance, or an observation room of an electron microscope. The present invention relates to a window cleaning method for preventing contamination of the surface of a window provided on the window or cleaning the window when it is contaminated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、工業的な装置・設備・機械等
に、又理化学的な研究・試験装置等にも広範囲に利用さ
れている真空蒸着装置、スパッタリング装置、電子ビー
ム溶解装置、光ＣＶＤ装置、揮発性物質を含む単結晶成
長装置や電子顕微鏡等にはジャー又はチャンバーとも呼
ばれる容器又は観察室が備えられている。これらの容器
には容器内部の観察のための窓や、又は光ＣＶＤ装置の
如く光化学反応を容器の内部で起こさせるために、外部
より内部の反応物に光を照射するための光透過部用の窓
が設けられている場合が多い。2. Description of the Related Art Conventionally, a vacuum vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus, an electron beam melting apparatus, an optical CVD apparatus which has been widely used in industrial equipment, facilities, machines, etc., and also in physicochemical research and testing equipment. The apparatus, the single crystal growth apparatus containing a volatile substance, the electron microscope, and the like are provided with a container or an observation chamber also called a jar or a chamber. These containers have a window for observing the inside of the container, or a light transmitting part for irradiating the internal reactant from the outside with light in order to cause a photochemical reaction inside the container like a photo CVD apparatus. Often windows are provided.
【０００３】装置の内部を観察するための窓には、観察
対象の種類と、観察装置の使用する光の性質により選択
した材料が使用されている。アルミニウムの真空蒸着装
置の窓であれば並ガラス、電子顕微鏡の窓であれば鉛ガ
ラス、電子ビーム溶解装置であればシリカガラス等が窓
として使用されている。The window for observing the inside of the device is made of a material selected according to the type of object to be observed and the nature of the light used by the observing device. A normal glass is used as a window of an aluminum vacuum deposition apparatus, a lead glass is used as an electron microscope window, and a silica glass is used as an electron beam melting apparatus.
【０００４】容器の内部の反応物に光を照射するための
窓には、例えばシリコンの光ＣＶＤ装置にはシリカガラ
ス等が使用されている。Silica glass or the like is used for a window for irradiating the reactant inside the container with light, for example, in a silicon photo-CVD apparatus.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の装置が運転使用されている間に次第に窓の表面に金属
等の異物が析出、付着して汚染され、光の透過率が低下
してくる。光の透過率が甚だしく低下すると、容器の内
部の観察が困難になり、又は容器の内部の反応物の光照
射量が不足して反応が進行しなくなるので、定期的に窓
の表面の異物を除去し、光の透過率の回復を図らなけれ
ばならなかった。However, while these devices are in operation and use, foreign matter such as metal gradually deposits and adheres to the surface of the window and contaminates them, and the light transmittance decreases. If the light transmittance is drastically reduced, it becomes difficult to observe the inside of the container, or the reaction does not proceed due to insufficient light irradiation amount of the reactant inside the container, so that foreign substances on the surface of the window are regularly removed. It had to be removed to restore the light transmittance.
【０００６】窓の外側面の汚染は、容易に清掃可能であ
るが、装置の内側等に面した表面の清掃には次のような
方法が採られていた。例えば、窓を取り外して清浄なも
のと交換又は洗浄する、窓の内側にシャッターを取付
け、観察時のみ開放状態にして異物の付着を減少させ
る、容器内部をエッチング性雰囲気又はプラズマエッチ
ング状態にして付着した異物をエッチングして除去する
等の方法が行われていた。Contamination on the outside surface of the window can be easily cleaned, but the following method has been adopted for cleaning the surface facing the inside of the apparatus. For example, remove the window and replace or clean it with a clean one, attach a shutter inside the window and open it only during observation to reduce the adhesion of foreign matter, and attach it in an etching atmosphere or plasma etching state inside the container A method such as etching and removing the foreign matter is performed.
【０００７】しかしながら、窓を取り外して清浄なもの
と交換又は洗浄するのは装置を停止しなければならず、
装置の稼働率が低下する。特に真空装置では一旦大気圧
に戻す必要があり、超高真空装置の場合は復帰に数日と
いう長い時間を要することがあるし、雰囲気装置では容
器内への不純物の混入の虞が大きい。However, removing the window and replacing or cleaning it with a clean one must stop the device,
The operation rate of the equipment is reduced. Particularly in a vacuum device, it is necessary to return to atmospheric pressure once, and in the case of an ultra-high vacuum device, it may take a long time of several days to restore, and in an atmosphere device, there is a high possibility that impurities will be mixed into the container.
【０００８】窓の内側にシャッターを取付け、観察時の
み開放状態にして異物の付着を減少させるのは、汚染の
速度を低下させることは可能であるが完全に汚染を防止
することはできない。又装置全体の構造が複雑となり、
真空装置では真空度の低下の原因ともなる。光の照射に
より処理又は作業を進行させる光ＣＶＤ装置の如き装置
では採用することが難しい。It is possible to reduce the speed of contamination, but it is not possible to completely prevent contamination by attaching a shutter to the inside of the window and opening it only during observation to reduce the adhesion of foreign matter. Moreover, the structure of the entire device becomes complicated,
In a vacuum device, it also causes a decrease in the degree of vacuum. It is difficult to employ it in an apparatus such as a photo-CVD apparatus which advances processing or work by irradiation of light.
【０００９】容器内部をエッチング性雰囲気にして付着
した異物をエッチングして除去するのは、エッチング用
物質により容器内が汚染され、又被加工物の品質の低下
や真空度の低下等の問題が発生する。プラズマエッチン
グによる方法でも同様である。装置の停止によりおこる
不都合は上記取り外して清浄するのと同様である。When the inside of the container is made to have an etching atmosphere to remove the adhering foreign matter by etching, there is a problem that the inside of the container is contaminated by an etching substance, the quality of the workpiece is deteriorated and the degree of vacuum is deteriorated. Occur. The same applies to the method using plasma etching. The inconvenience caused by stopping the device is similar to the above-mentioned removal and cleaning.
【００１０】本発明は、装置の窓の表面の汚染を防止し
又は汚染された場合は容易にこれを清浄にする窓の清浄
方法を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a window cleaning method for preventing the surface of a window of a device from being contaminated or for easily cleaning the contaminated surface.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の窓の清浄方法
は、窓の表面に物質が付着したとき、付着した物質に高
パワー密度光を照射してアブレーションを行い、窓を損
傷することなく物質を除去するものである。又は窓に高
パワー密度光を照射してアブレーションにより、異物の
付着を防止し窓を清浄に保持するものである。そして照
射は窓の内側又は外側の何れからもすることができる。
そして又窓の内側の表面に付着したときの望ましい照射
の方法の一つは、窓の内側より光ファイバを介して照射
する方法である照射光はレーザを光源とする光であるこ
とが好ましく、中でもエキシマレーザが好ましい。According to the window cleaning method of the present invention, when a substance adheres to the surface of the window, the adhered substance is irradiated with high power density light to perform ablation, without damaging the window. It removes substances. Alternatively, the window is irradiated with high power density light to be ablated to prevent foreign matter from adhering and keep the window clean. And irradiation can be from either inside or outside the window.
And, one of the desirable irradiation method when attached to the inner surface of the window is a method of irradiating through the optical fiber from the inner side of the window, the irradiation light is preferably light using a laser as a light source, Of these, the excimer laser is preferable.
【００１２】アブレーションなる現象は高パワー密度光
を固体表面に照射することにより起こる現象である。光
を吸収して固体表面層そのものが分解され、原子や分子
が放出され、光強度がさらに大きくなると原子や分子の
他にイオンや原子のクラスターが生成する。The phenomenon of ablation is a phenomenon caused by irradiating a solid surface with high power density light. The solid surface layer itself is decomposed by absorbing light, atoms and molecules are emitted, and when the light intensity further increases, ions and clusters of atoms are generated in addition to atoms and molecules.
【００１３】アブレーションを起こすためには高パワー
密度光が必要で、高密度レーザ、なかでもエキシマレー
ザが高い光強度を有するので適当である。そして光強
度、パルス幅、照射波長および固体の吸収波長や吸収係
数などの物性によって適当なものが選択される。High power density light is required to cause ablation, and a high density laser, especially an excimer laser, has a high light intensity and is therefore suitable. Then, an appropriate one is selected according to the physical properties such as the light intensity, the pulse width, the irradiation wavelength, the absorption wavelength and the absorption coefficient of the solid.
【００１４】光強度は又パワー密度とも言われるが、こ
れに関しては酸化物超伝導体にＡｒＦレーザを照射する
例でいえば、１パルス当たり５０ｍＪ／ｃｍ2 程度以下
の光強度ではアブレーションは認められず、それを超え
る光強度ではじめてアブレーションが起こる。さらに光
強度を上げると原子や分子の放出の他にイオンや原子の
クラスターの生成が認められるようになる。The light intensity is also referred to as the power density. Regarding this, in the example of irradiating an oxide superconductor with an ArF laser, ablation is recognized at a light intensity of about 50 mJ / cm 2 per pulse or less. Ablation does not occur until the light intensity exceeds that. When the light intensity is further increased, in addition to the emission of atoms and molecules, the formation of clusters of ions and atoms comes to be recognized.
【００１５】またパルス幅が短く、エネルギーの尖頭値
が高い方がアブレーションを起こし易い。そのためにパ
ルス幅が１乃至５０ｎｓと短いエキシマレーザやＱ─ス
イッチつきのパルスＹＡＧレーザなどが適当である。Further, the shorter the pulse width and the higher the peak value of energy, the more easily ablation occurs. Therefore, an excimer laser having a short pulse width of 1 to 50 ns or a pulse YAG laser with a Q-switch is suitable.
【００１６】照射波長に関しては、短波長のものほど１
光子当たりのエネルギーが大きいため、波長の短い紫外
線乃至エキシマレーザが適当である場合が多い。Regarding the irradiation wavelength, the shorter the wavelength, the more
Due to the large energy per photon, ultraviolet or excimer lasers with short wavelengths are often suitable.
【００１７】なお照射対象の窓表面の物質が光を吸収し
なければアブレーションは起こらない。Ablation does not occur unless the substance on the surface of the window to be irradiated absorbs light.
【００１８】本発明において特に適用が望ましい容器
は、真空蒸着装置、スパッタリング、電子ビーム溶解装
置、光ＣＶＤ装置、単結晶成長装置や電子顕微鏡等の容
器であるが、全面が光透過性である容器にも適用可能で
あるし、又閉鎖的な容器に限らず、容器の透明な仕切り
板の如きものにも適用可能である。The container to which the present invention is particularly preferably applied is a container such as a vacuum vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus, an electron beam melting apparatus, a photo CVD apparatus, a single crystal growth apparatus, an electron microscope, etc., but the entire surface is light transmissive. The present invention is also applicable to not only a closed container but also a transparent partition plate of the container.
【００１９】窓の材料は観察又は反応のための所要の光
を透過するものであり、並ガラス、鉛ガラス、シリカガ
ラス、カルコゲンガラス等の非晶質材料に限らず、水晶
（ＳｉＯ2)、蛍石（ＣａＦ2 ）等の結晶質のものも含ま
れ、形状は必ずしも平行板である必要はない。The material of the window transmits the light required for observation or reaction, and is not limited to amorphous materials such as ordinary glass, lead glass, silica glass and chalcogen glass, but also quartz (SiO 2 ), A crystalline material such as fluorite (CaF 2 ) is also included, and the shape does not necessarily have to be a parallel plate.
【００２０】[0020]
【作用】高パワー密度光を照射することにより、アブレ
ーション現象により窓の表面を清浄に保ち、又窓の表面
に物質が付着したときは、物質を表面から除去し、表面
を清浄化する。By irradiating light with a high power density, the surface of the window is kept clean by the ablation phenomenon, and when a substance adheres to the surface of the window, the substance is removed from the surface to clean the surface.
【００２１】窓に使用されているシリカガラスは１８０
ｎｍから３．５μｍにわたって光を透過し、又蛍石の結
晶は１２０ｎｍから９μｍにわたって光を透過する。こ
れらの窓にエキシマレーザやＹＡＧレーザなどを照射し
ても吸収がないために窓自身はアブレーションを受けず
損傷しない。ところが窓に付着している金属などの物質
が紫外や可視域に吸収帯があると光を吸収してアブレー
ションが起こる。窓の材質が通常のソーダ石灰ガラスで
ある場合はこれをシリカガラス製のものに替えることに
より、容器の外側から窓を透過して内側の金属などの付
着物に光を照射してアブレーションを起こさせることが
できる。また反応系にガラスを腐食させるフッ素ガスの
雰囲気が使用される場合は、耐フッ素ガス性のフッ化マ
グネシウムを用いると良い。The silica glass used for the window is 180
It transmits light from nm to 3.5 μm, and fluorite crystals transmit light from 120 nm to 9 μm. When these windows are irradiated with excimer laser or YAG laser, they are not absorbed, so that the windows themselves are not ablated and are not damaged. However, if a substance such as a metal attached to the window has an absorption band in the ultraviolet or visible region, it absorbs light and ablation occurs. If the window material is normal soda lime glass, it can be replaced with silica glass so that the metal and other deposits inside the container are irradiated with light from the outside of the container, causing ablation. Can be made. When an atmosphere of fluorine gas that corrodes glass is used in the reaction system, it is preferable to use fluorine gas-resistant magnesium fluoride.
【００２２】真空容器の窓の付着物がアブレーションさ
れた時、原子や分子に分かれた粒子は真空容器内に飛び
出し真空ポンプ側へ流出する。このとき容器内の圧力が
充分に低く、１０-4Ｔｏｒｒの程度であると、粒子は直
線的に軌跡を描いて飛行し容器の壁面に付着する。もし
装置がスパッタリング装置であるならば成膜中にレーザ
ー光の照射を行っても膜の堆積速度を増加するのみで支
障ない。しかし光ＣＶＤ装置であるならば、成膜中にレ
ーザー光の照射を行うと堆積する膜の中に異物の混入の
虞があり成膜中のアブレーションは適当ではない。When the deposit on the window of the vacuum container is ablated, the particles divided into atoms and molecules jump out into the vacuum container and flow out to the vacuum pump side. At this time, if the pressure in the container is sufficiently low and is about 10 −4 Torr, the particles fly in a linear trajectory and adhere to the wall surface of the container. If the apparatus is a sputtering apparatus, irradiation with laser light during film formation will only increase the deposition rate of the film and will not cause any problems. However, in the case of a photo-CVD apparatus, if laser light is irradiated during film formation, foreign matter may be mixed in the film to be deposited, and ablation during film formation is not appropriate.
【００２３】又容器内の圧力が数Ｔｏｒｒ程度と高いと
きには生成粒子は気体分子と衝突して真空ポンプ側に流
出し、容器内への再付着は減少する。When the pressure in the container is as high as several Torr, the produced particles collide with the gas molecules and flow out to the vacuum pump side, so that reattachment in the container is reduced.
【００２４】アブレーションの現象そのものは容器内の
圧力にあまり影響されないから、容器内圧力を上記の現
象を勘案して選定することができる。また使用する装置
の種類により、清浄を容器の使用時に行うか、停止させ
てから行うかも適宜選択できる。Since the phenomenon of ablation itself is not so much influenced by the pressure inside the container, the pressure inside the container can be selected in consideration of the above phenomenon. Further, depending on the type of the apparatus used, whether the cleaning is performed when the container is used or after the container is stopped can be appropriately selected.
【００２５】窓へのレーザ光の照射は窓の外側からある
いは内側からのいずれも選択できる。窓の外側から照射
するときはレーザ照射装置から窓まで公知の通例に従い
光を導く。レーザ光に対する窓の透過性が失われなけれ
ば、窓の内側でアブレーションが起こる。なお窓の透過
性が失われてしまってから照射すると、窓と付着物の界
面近傍でアブレーションが起きて窓に損傷を与える虞が
あるから、このときは容易に透過性が失われない窓とす
るか、窓の内側から照射する必要がある。なお窓の外側
からレーザを照射する方法を採るときは従来の真空装置
そのものには何等の改造も行う必要はない。Irradiation of the laser beam to the window can be selected from the outside or the inside of the window. When irradiating from the outside of the window, light is guided from the laser irradiating device to the window according to a known conventional method. Ablation occurs inside the window provided that the window is not opaque to the laser light. If irradiation is performed after the transparency of the window is lost, ablation may occur near the interface between the window and the adhered substance and damage the window. Or you need to irradiate from inside the window. When the method of irradiating the laser from the outside of the window is adopted, it is not necessary to modify the conventional vacuum device itself.
【００２６】窓の内側から照射するときは容器外側に設
けられたレーザ照射装置から一旦容器内部に光を導き、
しかる後窓の内側から光を導く。例えば光ファイバーを
容器内に導入して設置し、清浄する時に窓の近傍に移動
させると良い。窓への付着物が多量に堆積している場合
は、付着物側からレーザ光を照射することにより堆積し
た付着物の表面からアブレーションされていく。When irradiating from the inside of the window, light is once guided into the container from a laser irradiation device provided outside the container,
After that, light is guided from the inside of the window. For example, it is advisable to introduce an optical fiber into the container, install it, and move it near the window when cleaning. When a large amount of deposits on the window is deposited, laser light is irradiated from the deposit side to ablate the deposited deposit surface.
【００２７】アブレーションは吸収した光のエネルギー
のみで起こるものであり、雰囲気や圧力に左右されるも
のではない。そのためエッチングガスの如きものは必要
ではなく、エッチングガスによる容器内汚染はない。ま
たアブレーションで生成するものは付着物そのものか或
いはそれの分解生成物であり、容器内の付着物の総量が
増加することはない。Ablation occurs only by the energy of the absorbed light, and does not depend on the atmosphere or pressure. Therefore, no etching gas is required, and there is no contamination of the container by the etching gas. Further, what is generated by ablation is the deposit itself or a decomposition product thereof, and the total amount of deposit in the container does not increase.
【００２８】更にレーザ光はレンズ等により窓に収束し
て照射するため、収束した位置にある窓では光強度は極
めて大きいが、窓から離れた位置では光強度は急激に小
さくなり、アブレーションを惹起する等の効果は現れな
くなる。被処理物に対する悪影響や容器の損傷などもな
い。Further, since the laser light is converged and irradiated on the window by a lens or the like, the light intensity is extremely high in the window at the converged position, but the light intensity sharply decreases at the position apart from the window, causing ablation. The effect of doing it will not appear. There is no adverse effect on the object to be processed or damage to the container.
【００２９】[0029]
【実施例】第１の実施例をアルミニウム（Ａｌ）の光Ｃ
ＶＤ装置を例として図１及び図２により説明する。図１
は第１の実施例に係る装置の成膜時の概念図、図２はそ
の清浄時の部分的概念図である。本実施例はＡｌ（ＣＨ
3 ）2 ＨをＡｒＦレーザで分解してアルミニウムを半導
体基板上に選択的に直接描画する装置に係わる方法であ
る。EXAMPLE A first example of light C of aluminum (Al)
A VD device will be described as an example with reference to FIGS. Figure 1
Is a conceptual diagram of the apparatus according to the first embodiment at the time of film formation, and FIG. 2 is a partial conceptual diagram at the time of cleaning. In this embodiment, Al (CH
3 ) A method relating to an apparatus for decomposing 2 H with an ArF laser to selectively and directly write aluminum on a semiconductor substrate.
【００３０】図１において、容器１はステンレススチー
ル製の槽であり、その上部の開口には石英窓２が設けら
れ、側面には原料ガスの導入口３と排気の排出口４とが
開口している。基板５は直径２インチのシリコンウェハ
Ｓｉであり、サセプタ６に載置され、容器１中にステー
ジ７により水平に挿入されている。基板５の上方、石英
窓２の下方にシャッタ８が軸８ａに支持され回転自在に
設けられている。In FIG. 1, a container 1 is a stainless steel tank, a quartz window 2 is provided at the upper opening, and a raw material gas inlet 3 and an exhaust outlet 4 are opened at the side surfaces. ing. The substrate 5 is a silicon wafer Si having a diameter of 2 inches, is placed on the susceptor 6, and is horizontally inserted into the container 1 by the stage 7. A shutter 8 is rotatably provided above the substrate 5 and below the quartz window 2 while being supported by a shaft 8a.
【００３１】レーザ発振器９はＡｒＦエキシマレーザで
波長１９３ｎｍの遠紫外線をパルス状に発光し、発光し
たレーザ光１０は光学系１１を介して図１に示すように
石英窓２を透過して基板５に到達し、又は図２に示すよ
うに石英窓２に到達する。The laser oscillator 9 is an ArF excimer laser and emits deep ultraviolet rays having a wavelength of 193 nm in a pulsed manner. The emitted laser light 10 passes through the quartz window 2 as shown in FIG. , Or the quartz window 2 as shown in FIG.
【００３２】光学系１１にはミラー１２が設けられてレ
ーザ光１０の方向を偏向させる。ミラー１２は又公知の
ビームスキャナであり、レーザ光１０の走査を行う。ミ
ラー１２により偏向されたレーザ光１０はシリカガラス
のレンズ１３により収束される。レンズ１３はステージ
１４に支持され石英窓２に対して垂直方向に移動可能で
ある。レーザ光１０はレンズ１３が図１に示す石英窓２
に対して近い位置にある時は基板５に収束し、図２に示
す石英窓２に対して遠い位置にある時は石英窓２に収束
する。The optical system 11 is provided with a mirror 12 for deflecting the direction of the laser beam 10. The mirror 12 is also a well-known beam scanner, and scans the laser light 10. The laser light 10 deflected by the mirror 12 is converged by the silica glass lens 13. The lens 13 is supported by the stage 14 and is movable in the vertical direction with respect to the quartz window 2. The laser beam 10 has a lens 13 and a quartz window 2 shown in FIG.
When it is close to the quartz window 2, it converges on the substrate 5, and when it is far from the quartz window 2 shown in FIG. 2, it converges on the quartz window 2.
【００３３】レンズ１３と石英窓２の間には描画用のマ
スク１５が設けられ、図１に示すように光路中に、又は
図２に示すように光路から外れた位置に互換的移動可能
である。A mask 15 for drawing is provided between the lens 13 and the quartz window 2 and can be moved interchangeably in the optical path as shown in FIG. 1 or in a position deviated from the optical path as shown in FIG. is there.
【００３４】次にこの装置を用いて、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を光分解して
アルミニウムを基板５上に描画することについて説明す
る。アルゴンガス（Ａｒ）をキャリヤガスとして気化さ
せたジメチルアルミニウムハイドライドを原料ガスとし
て、ガスの導入口３から５０ｃｃ／ｍｉｎの流量で容器
１に導入する。ジメチルアルミニウムハイドライドは、
波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光が所定の強度
で照射されると分解して、アルミニウムが生成し、残部
は炭素、水素からなる各種の低分子となる。Next, using this apparatus, the photolysis of dimethyl aluminum hydride (Al (CH 3 ) 2 H) to draw aluminum on the substrate 5 will be described. Dimethylaluminum hydride vaporized by using argon gas (Ar) as a carrier gas is introduced as a source gas into the container 1 through the gas inlet 3 at a flow rate of 50 cc / min. Dimethyl aluminum hydride is
When ArF excimer laser light with a wavelength of 193 nm is irradiated at a predetermined intensity, it decomposes to produce aluminum, and the balance becomes various low-molecular molecules composed of carbon and hydrogen.
【００３５】図１に示すようにシャッタ８を開放した状
態にし、レーザ発振器９を点灯してレンズ１３を石英窓
２に対して近い位置に、マスク１５を光路中の位置に、
レーザ光１０をシリコンの基板５の近傍に収束するよう
にそれぞれ配置した。レーザ光１０が石英窓２を透過
し、基板５近傍に収束されて、表面５ａ近傍においてジ
メチルアルミニウムハイドライドを分解し、分解したア
ルミニウムはマスク１５の画に従いこれを転写して表面
５ａに析出した。この時の光の強度は１パルス当たり５
０ｍＪ／ｃｍ2 であった。As shown in FIG. 1, the shutter 8 is opened, the laser oscillator 9 is turned on, the lens 13 is positioned near the quartz window 2, the mask 15 is positioned in the optical path,
The laser light 10 was arranged so as to be converged in the vicinity of the silicon substrate 5. The laser beam 10 was transmitted through the quartz window 2 and converged in the vicinity of the substrate 5 to decompose dimethylaluminum hydride in the vicinity of the surface 5a. The decomposed aluminum was transferred according to the image of the mask 15 and deposited on the surface 5a. The light intensity at this time is 5 per pulse.
It was 0 mJ / cm 2 .
【００３６】光束の収束位置とスポットの大きさについ
ては、光束が基板５の表面５ａからやや離れた高い位置
Ａに収束するようにし、基板５上でスポットの大きさを
５×５〜１０×１０ｍｍの程度にした。このようにする
と強度がアルミニウムの析出に適当な大きさになり、性
状のよい膜が得られ、表面５ａに過度に近付けて収束す
ると、強度が過大になり、析出率が低下し、アブレーシ
ョンが起きるようになるからである。Regarding the convergence position of the light beam and the size of the spot, the light beam is converged at a high position A slightly apart from the surface 5a of the substrate 5, and the size of the spot on the substrate 5 is 5 × 5 to 10 ×. It was about 10 mm. By doing so, the strength becomes an appropriate size for the precipitation of aluminum, a film with good properties is obtained, and when the surface 5a is brought too close to the surface and converged, the strength becomes excessive, the precipitation rate decreases, and ablation occurs. Because it will be.
【００３７】分解生成したガスはキャリヤガスと共に排
気として排出口４から排出した。石英窓２を透過したレ
ーザ光は、基板５の表面５ａに到達するまでに、ジメチ
ルアルミニウムハイドライドを分解するが、全部が表面
５ａに析出するのではなく、一部はキャリヤガスと共に
排気として排出口４から排出し、他部は容器１の壁等に
析出する。容器１の壁等に析出するものの一部は石英窓
２の内側面２ａに析出し、汚染物１５として堆積し、２
時間の装置の運転の後窓の曇りが顕著となった。The gas produced by decomposition was discharged from the discharge port 4 together with the carrier gas as exhaust gas. The laser light transmitted through the quartz window 2 decomposes the dimethylaluminum hydride by the time it reaches the surface 5a of the substrate 5, but not all of it is deposited on the surface 5a, but a part of it is discharged together with the carrier gas as an exhaust port. 4 and the other part is deposited on the wall of the container 1 and the like. Part of what is deposited on the wall of the container 1 is deposited on the inner surface 2a of the quartz window 2 and is deposited as a contaminant 15.
Fogging of the windows became noticeable after hours of operation of the device.
【００３８】次に石英窓２の内側面２ａに析出し堆積し
た汚染物１５の除去について説明する。図２に示すよう
にシャッタ８を閉鎖した状態におき、レーザ発振器９を
点灯してレンズ１３を石英窓２に対して遠い位置に、マ
スク１５を光路から外れた位置に、レーザ光１０を石英
窓２に収束するようにそれぞれ配置した。Next, the removal of the contaminant 15 deposited and deposited on the inner surface 2a of the quartz window 2 will be described. As shown in FIG. 2, the shutter 8 is closed, the laser oscillator 9 is turned on, the lens 13 is moved far away from the quartz window 2, the mask 15 is moved away from the optical path, and the laser beam 10 is moved to quartz. They were arranged so as to converge on the window 2.
【００３９】石英窓２を透過し内側面２ａに収束したレ
ーザ光１０のエネルギーを吸収してアブレーションを惹
起し、汚染物１５が除去された。このときのレーザ光の
強度は１パルス当たり１Ｊ／ｃｍ2 であった。The energy of the laser beam 10 transmitted through the quartz window 2 and focused on the inner surface 2a is absorbed to cause ablation, and the contaminant 15 is removed. The intensity of the laser beam at this time was 1 J / cm 2 per pulse.
【００４０】レーザ光１０はミラー１２により内側面２
ａ上を５ｍｍ／ｓｅｃでＸＹに走査され、平面状に広が
ったアルミニウムの汚染物１５は５分で全部除去され
た。しかし、石英窓２自体は波長１９３ｎｍのＡｒＦエ
キシマレーザの光を吸収せず、光の強度が大きくてもア
ブレーションを惹起することはなく、又減耗することは
なかった。The laser light 10 is reflected by the mirror 12 on the inner surface 2
The aluminum contaminant 15 spread in a plane was completely removed in 5 minutes by scanning XY at 5 mm / sec on a. However, the quartz window 2 itself does not absorb the light of the ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm, does not cause ablation even if the intensity of the light is large, and is not worn.
【００４１】アブレーションにより離脱し原子又はクラ
スターの状態になったアルミニウムは、閉鎖した状態に
あるシャッタ８により遮られて、サセプタ６その他の容
器１内の部材の汚染は認められなかった。尚本実施例は
成膜停止時に清浄するのであるから、基板５は容器１中
から取り除いてあるからアブレーションによる基板５の
汚染はない。The aluminum that had been separated by the ablation and was in the state of atoms or clusters was blocked by the shutter 8 in the closed state, and contamination of the susceptor 6 and other members inside the container 1 was not recognized. In this example, since the substrate is cleaned when the film formation is stopped, the substrate 5 is removed from the container 1, and therefore the substrate 5 is not contaminated by ablation.
【００４２】次に第２の実施例を図３により説明する。
図３は第２の実施例の概念図である。本実施例は金（Ａ
ｕ）のスパッタリング装置に係わるものである。第１の
実施例と同一又は類似の点の説明の詳述は省略する。Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a conceptual diagram of the second embodiment. In this embodiment, gold (A
This relates to the sputtering device of u). Detailed description of the same or similar points as in the first embodiment will be omitted.
【００４３】図３において、容器１の側面には石英窓２
が設けられ、石英窓２の内側にはシャッタ８がスパッタ
リング処理中は閉じ、観察時は開くように設けられてい
る。又容器１の他の側面にはＡｒ（アルゴン）ガスの導
入口３と排気の排出口４とが開口している。基板１６は
容器１の上側より挿入された基板ホルダー１７に支持さ
れ、成膜する表面を下方に向けている。基板１６の下方
には成膜する表面に対向して金のターゲット１８が設け
られている。In FIG. 3, a quartz window 2 is provided on the side surface of the container 1.
The shutter 8 is provided inside the quartz window 2 so as to be closed during the sputtering process and open during observation. On the other side surface of the container 1, an Ar (argon) gas inlet 3 and an exhaust outlet 4 are opened. The substrate 16 is supported by a substrate holder 17 inserted from the upper side of the container 1, and the surface on which the film is formed faces downward. A gold target 18 is provided below the substrate 16 so as to face the surface on which the film is to be formed.
【００４４】レーザ発振器９はＫｒＦエキシマレーザで
波長２４８ｎｍの紫外線をパルス状に放射し、放射した
レーザ光１０は光学系１１を介して石英窓２に到達す
る。The laser oscillator 9 is a KrF excimer laser and radiates ultraviolet rays having a wavelength of 248 nm in a pulsed manner, and the radiated laser light 10 reaches the quartz window 2 via the optical system 11.
【００４５】光学系１１には反射鏡であり且つビームス
キャナであるミラー１２が設けられてレーザ光１０の方
向を２段に偏向させる。レーザ光１０は収束位置調整用
のステージ１４に支持されているレンズ１３により収束
される。The optical system 11 is provided with a mirror 12 which is a reflecting mirror and a beam scanner, and deflects the direction of the laser beam 10 in two stages. The laser light 10 is converged by a lens 13 supported by a stage 14 for adjusting the convergence position.
【００４６】次にこの装置を用いる、金のスパッタリン
グについて説明する。あらかじめターボ分子ポンプ（不
図示）で真空に引いてから、０．０２ＴｏｒｒのＡｒガ
スを導入して高電圧を印加するとプラズマが発生し、プ
ラズマ中のＡｒイオンが陰極側に置かれたターゲット１
８上の金に衝突し、原子状の金をはじき飛ばし真空中に
放出する。放出された金原子は、ターゲット１８に対向
して置かれた基板１６に到達し堆積して金の膜が形成さ
れた。Next, gold sputtering using this apparatus will be described. After a vacuum is drawn in advance by a turbo molecular pump (not shown), plasma is generated when Ar gas of 0.02 Torr is introduced and a high voltage is applied, and Ar ions in the plasma are placed on the cathode side of the target 1.
It collides with the gold on 8 and repels atomic gold, releasing it into a vacuum. The released gold atoms reached the substrate 16 placed facing the target 18 and were deposited to form a gold film.
【００４７】このとき生成した金の原子の一部は基板１
６以外にも飛来し、器壁に堆積する。石英窓２はシャッ
タ８によりスパッタリング処理中は遮蔽されているが、
完全に金の原子を遮蔽することはできず石英窓２に順次
金が汚染物として堆積し、スパッタリング処理を１０時
間行ったところ窓が曇って観察が困難になった。Some of the gold atoms generated at this time are part of the substrate 1.
Other than 6 will fly and accumulate on the vessel wall. The quartz window 2 is blocked by the shutter 8 during the sputtering process,
Since gold atoms could not be completely shielded, gold was successively deposited on the quartz window 2 as a contaminant, and when the sputtering process was performed for 10 hours, the window became cloudy and observation became difficult.
【００４８】次に石英窓２に析出し堆積した金の除去に
ついて説明する。シャッタ８を閉鎖した状態におき、波
長２４８ｎｍの紫外線のレーザ光１０を石英窓２に収束
する。１パルス当たりのエネルギー密度１Ｊ／ｃｍ2 の
大きさにし、この時のビームの大きさは２ｍｍ×２ｍｍ
の程度で、走査速度５ｍｍ／ｓｅｃで走査したところ、
石英窓２に堆積した金はアブレーションを起こし膜厚が
減少し、約１０分後には全部除去された。Next, the removal of gold deposited and deposited on the quartz window 2 will be described. With the shutter 8 closed, the ultraviolet laser light 10 having a wavelength of 248 nm is focused on the quartz window 2. The energy density per pulse is set to 1 J / cm 2 , and the beam size at this time is 2 mm × 2 mm.
When scanned at a scanning speed of 5 mm / sec,
The gold deposited on the quartz window 2 was ablated to reduce the film thickness, and was completely removed after about 10 minutes.
【００４９】この間、石英窓２自体は光を吸収せず、ア
ブレーションを惹起することはなく、又減耗することは
なかった。During this time, the quartz window 2 itself did not absorb light, did not cause ablation, and did not wear out.
【００５０】アブレーションにより離脱し原子又はクラ
スターの状態になった金は、閉鎖した状態にあるシャッ
タ８により遮られて容器１内の部材を汚染することはな
かった。The gold, which had been separated by ablation and was in the state of atoms or clusters, was not blocked by the shutter 8 in the closed state and did not contaminate the members in the container 1.
【００５１】尚本実施例は成膜中にも清浄することが可
能であり、装置の稼働率を高く保持することができる。In this embodiment, the film can be cleaned even during film formation, and the operating rate of the device can be kept high.
【００５２】次に第３の実施例を図４により説明する。
図４は第３の実施例の概念図である。本実施例は金（Ａ
ｕ）のスパッタリング装置の窓とタングステン（Ｗ）の
電子ビーム溶解装置の窓とに係わるものである。第１及
び第２の実施例と同一又は類似の点は説明の詳述を省略
する。Next, a third embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 4 is a conceptual diagram of the third embodiment. In this embodiment, gold (A
u) The window of the sputtering apparatus and the window of the tungsten (W) electron beam melting apparatus. Detailed description of the same or similar points to those of the first and second embodiments will be omitted.
【００５３】図４において、スパッタリング装置の容器
１の側面には石英窓２が設けられ、基板１６は成膜する
表面を下方に向け、それに対向して金のターゲット１８
が設けられている。In FIG. 4, a quartz window 2 is provided on the side surface of the container 1 of the sputtering apparatus, the surface of the substrate 16 on which the film is to be formed faces downward, and the gold target 18 is opposed to it.
Is provided.
【００５４】又電子ビーム溶解装置の容器２１の上面に
は石英窓２２が設けられ、石英窓２２の内側にはシャッ
タ２８が溶解処理中は閉じ、観察時は開くように設けら
れ、又容器２１の側面には真空ポンプ（不図示）に接続
する排出口２４が開口している。タングステンの融液２
５は容器２１の中に置かれたるつぼ２６に容れられ、電
子ビーム発生器２７において発生する電子ビームがその
表面に衝突し、加熱されるようになっている。A quartz window 22 is provided on the upper surface of the container 21 of the electron beam melting apparatus, and a shutter 28 is provided inside the quartz window 22 so as to be closed during the melting process and open during observation. A discharge port 24 connected to a vacuum pump (not shown) is opened on the side surface of the. Tungsten melt 2
5 is contained in a crucible 26 placed in a container 21, and an electron beam generated by an electron beam generator 27 impinges on the surface thereof and is heated.
【００５５】レーザ発振器９はＫｒＦエキシマレーザで
波長２４８ｎｍの紫外線をパルス状に放射し、放射した
レーザ光１０はハーフミラー２９により分割され、一の
光束は反射鏡であり且つビームスキャナであるミラー１
２を介しレンズ１３により石英窓２に収束され、他の光
束は反射鏡であり且つビームスキャナであるミラー３０
を介しレンズ３１により石英窓２２に収束する。The laser oscillator 9 is a KrF excimer laser, which radiates ultraviolet rays having a wavelength of 248 nm in pulses, and the radiated laser light 10 is split by a half mirror 29, and one light beam is a mirror 1 which is a reflecting mirror and a beam scanner.
The other light flux is converged on the quartz window 2 by the lens 13 via the mirror 2, and the other light flux is a mirror 30 which is a reflection mirror and a beam scanner.
It is converged on the quartz window 22 by the lens 31 via the.
【００５６】スパッタリング装置においては、金は０．
０２ＴｏｒｒのＡｒガス中に発生したプラズマ中のＡｒ
イオンにより原子状として放出され、基板１６に到達し
堆積して金の膜が形成され、このとき生成した金の原子
の一部が石英窓２に堆積し曇りが生じた。In the sputtering apparatus, gold is 0.
Ar in plasma generated in Ar gas of 02 Torr
The ions were emitted as atoms and reached the substrate 16 to be deposited to form a gold film. At this time, some of the gold atoms generated were deposited on the quartz window 2 to cause fogging.
【００５７】他方石英窓２に堆積した金は、石英窓２に
収束されたレーザ光１０によりアブレーションを起こし
除去された。On the other hand, the gold deposited on the quartz window 2 was ablated by the laser beam 10 focused on the quartz window 2 and removed.
【００５８】電子ビーム溶解装置においては、容器２１
を１×１０-5Ｔｏｒｒに減圧し、電子ビーム発生器２７
から発生する電子ビームをタングステンの融液２５に照
射したところ、タングステンの融液２５は加熱され、タ
ングステンが蒸発し、排出口２４から排出されたが、こ
の時蒸発物の一部が石英窓２２の内側に堆積し、内部の
観察を困難にした。In the electron beam melting apparatus, the container 21
Is reduced to 1 × 10 -5 Torr, and the electron beam generator 27
When the tungsten melt 25 was irradiated with an electron beam generated from the tungsten melt 25, the tungsten melt 25 was heated and tungsten was evaporated and discharged from the discharge port 24. Deposited inside, making it difficult to observe the inside.
【００５９】他方石英窓２２に析出し堆積したタングス
テンは石英窓２２に収束されたレーザ光によりアブレー
ションを起こし除去された。On the other hand, the tungsten deposited and deposited on the quartz window 22 was ablated and removed by the laser beam focused on the quartz window 22.
【００６０】このように２台の装置の窓、石英窓２と石
英窓２２とを１台のレーザ発振器９から放射されるレー
ザ光１０により個別に照射したが、照射を同時に行い、
該窓の表面への物質の付着をアブレーションにより防止
することが可能である。Thus, the windows of the two devices, the quartz window 2 and the quartz window 22, were individually irradiated with the laser light 10 emitted from one laser oscillator 9. However, the irradiation was performed simultaneously.
It is possible to prevent the substance from adhering to the surface of the window by ablation.
【００６１】第４の実施例をアルミニウム（Ａｌ）の光
ＣＶＤ装置を例として図５により説明する。図５は第４
の実施例の装置の概念図、図６は第４の実施例の装置の
部分概念図である。第１実施例と同一又は類似の点は説
明の詳述を省略する。図５において、容器１の上部には
石英窓２が設けられ、基板５が石英窓２の下方に載置さ
れている。A fourth embodiment will be described with reference to FIG. 5 using an aluminum (Al) photo-CVD apparatus as an example. Figure 4 is the fourth
FIG. 6 is a conceptual diagram of the apparatus according to the embodiment of FIG. Detailed description of the same or similar points as in the first embodiment will be omitted. In FIG. 5, a quartz window 2 is provided above the container 1, and a substrate 5 is placed below the quartz window 2.
【００６２】レーザ発振器９ａはＡｒレーザであり、発
光したレーザ光１０ａは光学系１１ａのミラー１２によ
り方向を偏向され、レンズ１３により収束され石英窓２
を透過して基板５に到達する。光路中にはマスク１５が
設けられている。レーザ発振器９ｂはＡｒＦエキシマレ
ーザであり、発光したレーザ光１０ｂは光ファイバ３１
に入り、射出窓３２より射出して石英窓２に収束する。
光ファイバ３１はマジックハンド３３により揺動し、射
出窓３２は石英窓２の全面を走査するようになってい
る。The laser oscillator 9a is an Ar laser, and the emitted laser beam 10a is deflected in direction by the mirror 12 of the optical system 11a and is converged by the lens 13 to form the quartz window 2
To reach the substrate 5. A mask 15 is provided in the optical path. The laser oscillator 9b is an ArF excimer laser, and the emitted laser light 10b is the optical fiber 31.
Then, it enters through the exit window 32 and converges on the quartz window 2.
The optical fiber 31 is swung by the magic hand 33, and the emission window 32 scans the entire surface of the quartz window 2.
【００６３】次にこの装置を用いて、レーザ発振器９ａ
を点灯し、ジメチルアルミニウムハイドライド（Ａｌ
（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を光分解してアルミニウムを基板５上
に描画するとき、ジメチルアルミニウムハイドライドが
分解され、アルミニウムが一部石英窓２の内側面２ａに
析出し、２時間の装置の運転の後窓の曇りが顕著となっ
た。そこで、レーザ発振器９ｂを点灯し、光ファイバ３
１をマジックハンド３３により揺動し、石英窓２の全面
を射出窓３２で走査したところ５分で曇りが除去され透
過率が回復した。Next, using this apparatus, the laser oscillator 9a
Lights up and dimethyl aluminum hydride (Al
When (CH 3 ) 2 H) is photolyzed to draw aluminum on the substrate 5, dimethylaluminum hydride is decomposed and aluminum is partially deposited on the inner side surface 2a of the quartz window 2 and the apparatus is operated for 2 hours. The cloudiness of the rear window became noticeable. Therefore, the laser oscillator 9b is turned on and the optical fiber 3
When No. 1 was swung by the magic hand 33 and the entire surface of the quartz window 2 was scanned by the exit window 32, the haze was removed and the transmittance was restored in 5 minutes.
【００６４】次に、レーザ発振器９ａとレーザ発振器９
ｂを点灯して、アルミニウムを基板５上に描画したとこ
ろ５時間の運転後も曇りが認められなかった。Next, the laser oscillator 9a and the laser oscillator 9
When b was turned on and aluminum was drawn on the substrate 5, no fog was observed even after 5 hours of operation.
【００６５】第５の実施例を電子顕微鏡の観察窓を例と
して図７により説明する。図７は第５の実施例の電子顕
微鏡の概念図である。前述の各実施例と同一又は類似の
点は説明の詳述を省略する。図７において、電子顕微鏡
３５の鏡筒３６の上部には電子銃３７が設けられ、電子
銃３７から発生した電子は鏡筒３６中に置かれた試料３
９の像を電子レンズ３８により、投影室４０の蛍光板４
１上に結像する。そして観察窓４２を通してこの像を観
察するようになっている。The fifth embodiment will be described with reference to FIG. 7 by taking an observation window of an electron microscope as an example. FIG. 7 is a conceptual diagram of the electron microscope of the fifth embodiment. Detailed description of the same or similar points as the above-described embodiments will be omitted. In FIG. 7, an electron gun 37 is provided above the lens barrel 36 of the electron microscope 35, and the electrons generated from the electron gun 37 are placed in the lens barrel 36 and the sample 3
The image of 9 is taken by the electron lens 38 and the fluorescent plate 4 in the projection chamber 40.
Image on 1. Then, this image is observed through the observation window 42.
【００６６】レーザ発振器９ｂはＡｒＦエキシマレーザ
であり、発光したレーザ光は光ファイバ３１に入り、射
出窓３２より射出して観察窓４２に収束する。The laser oscillator 9b is an ArF excimer laser, and the emitted laser light enters the optical fiber 31, is emitted from the emission window 32 and is converged on the observation window 42.
【００６７】試料の観察中に、電子顕微鏡の観察窓に散
乱電子の影響により発生した汚れが次第に堆積し曇りが
発生した。この時、レーザ発振器９ｂを点灯し、光ファ
イバ３１を揺動し、観察窓４２を走査したところ３分で
曇りが除去された。During the observation of the sample, stains due to the influence of scattered electrons were gradually accumulated on the observation window of the electron microscope, resulting in fogging. At this time, when the laser oscillator 9b was turned on, the optical fiber 31 was swung, and the observation window 42 was scanned, the fog was removed in 3 minutes.
【００６８】以上詳しく説明したように、各実施例によ
れば、真空容器内をエッチング剤などで汚染することな
く、かつ真空を破らずに窓を清浄にすることができる。
また真空容器本体に改造を施さずに清浄できるため従来
の真空装置をそのまま用いることができる。これらの結
果、真空蒸着装置や電子ビーム溶解装置などの産業装置
において、装置のメンテナンスの時間を短縮し、不純物
混入による品質の低下を防ぐことができる。またレーザ
装置等は光学系や光ファイバーによりいろいろなところ
へ分割あるいは移動できるため、１台の清浄装置で多く
の真空装置の光透過窓を別々にあるいは同時に清浄でき
る。As described in detail above, according to each embodiment, the window can be cleaned without contaminating the inside of the vacuum container with an etching agent or the like and without breaking the vacuum.
Further, since the vacuum container body can be cleaned without modification, the conventional vacuum device can be used as it is. As a result, in the industrial equipment such as the vacuum vapor deposition equipment and the electron beam melting equipment, the maintenance time of the equipment can be shortened and the deterioration of the quality due to the mixing of impurities can be prevented. Further, since the laser device or the like can be divided or moved to various places by an optical system or an optical fiber, one cleaning device can clean the light transmission windows of many vacuum devices separately or simultaneously.
【００６９】尚本発明によるアブレーションによる汚染
の防止、又は汚染されたときの清浄は、アブレーション
を惹起する遠紫外線等の光が雰囲気により吸収されては
ならないから、主として真空装置の容器に適用される。
しかし真空装置の容器に限られず、光吸収のない雰囲気
の中の窓にも適用可能なことは言うまでもない。The prevention of contamination by ablation according to the present invention, or the cleaning when contaminated, is mainly applied to a container of a vacuum apparatus, since light such as deep ultraviolet rays that cause ablation must not be absorbed by the atmosphere. .
However, needless to say, the present invention is not limited to the container of the vacuum device, and can be applied to a window in an atmosphere without light absorption.
【００７０】尚本発明によるアブレーションにはエキシ
マレーザのみならず、ＹＡＧレーザ等が使用可能である
ことは言うまでもない。Needless to say, not only excimer laser but also YAG laser can be used for the ablation according to the present invention.
【００７１】[0071]
【発明の効果】本発明の方法により、高パワー密度光の
照射によるアブレーションにより窓の表面は清浄に保た
れ、又窓の表面に物質が付着したときは、物質は表面か
ら除去され表面が清浄になるから、観察用窓においては
観察が可能であり、反応照射用窓においては照射が可能
である。According to the method of the present invention, the window surface is kept clean by ablation by irradiation with high power density light, and when a substance adheres to the window surface, the substance is removed from the surface and the surface is cleaned. Therefore, observation is possible in the observation window, and irradiation is possible in the reaction irradiation window.
【図１】第１の実施例の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a first embodiment.
【図２】第１の実施例の清浄時の部分的概念図である。FIG. 2 is a partial conceptual diagram of the first embodiment during cleaning.
【図３】第２の実施例の概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of a second embodiment.
【図４】第３の実施例の概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram of a third embodiment.
【図５】第４の実施例の概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram of a fourth embodiment.
【図６】第４の実施例の部分概念図である。FIG. 6 is a partial conceptual diagram of a fourth embodiment.
【図７】第５の実施例の部分概念図である。FIG. 7 is a partial conceptual diagram of a fifth embodiment.
１、２１ 容器 ２、２２ 石英窓 ３ 導入口 ４、２４ 排出口 ５ 基板 ６ サセプタ ７ ステージ ８、２８ シャッタ ９ レーザ発振器 １０ レーザ光 １１ 光学系 １２、３０ ミラー １３、３１ レンズ １４ ステージ １５ マスク １６ 基板 １７ 基板ホルダー １８ ターゲット ２５ 融液 ２６ るつぼ ２７ 電子ビーム発生器 ２９ ハーフミラー ３１ 光ファイバ ３２ 射出窓 ３３ マジックハンド ３５ 電子顕微鏡 ４２ 観察窓 1, 21 Container 2, 22 Quartz Window 3 Inlet 4, 4 Outlet 5 Substrate 6 Susceptor 7 Stage 8, 28 Shutter 9 Laser Oscillator 10 Laser Light 11 Optical System 12, 30 Mirror 13, 31 Lens 14 Stage 15 Mask 16 Substrate 17 Substrate Holder 18 Target 25 Melt 26 Crucible 27 Electron Beam Generator 29 Half Mirror 31 Optical Fiber 32 Ejection Window 33 Magic Hand 35 Electron Microscope 42 Observation Window
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsumi Ogi 1-297 Kitabukuro-cho, Omiya City, Saitama Prefecture Central Research Laboratory, Mitsubishi Materials Corporation
Claims (5)
に付着した物質に高パワー密度光を照射してアブレーシ
ョンにより、該物質を除去することを特徴とする容器の
窓の清浄方法。1. A method for cleaning a window of a container, which comprises irradiating a substance attached to a surface of a window of a container, which is transparent to light, with high power density light to remove the substance by ablation.
表面に物質の付着することを防止することを特徴とする
容器の窓の清浄方法。2. A method for cleaning a window of a container, which comprises irradiating the window with high power density light to prevent a substance from adhering to the surface of the window.
照射することを特徴とする請求項１又は２に記載の容器
の窓の清浄方法。3. The method for cleaning a window of a container according to claim 1 or 2, wherein the high power density light is irradiated through an optical fiber.
光であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の
容器の窓の清浄方法。4. The container window cleaning method according to claim 1, wherein the high power density light is light using a laser as a light source.
特徴とする請求項６に記載の容器の窓の清浄方法。5. The method of cleaning a window of a container according to claim 6, wherein the laser is an excimer laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25896792A JPH0681151A (en) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | Cleaning method of window for container |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25896792A JPH0681151A (en) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | Cleaning method of window for container |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681151A true JPH0681151A (en) | 1994-03-22 |
Family
ID=17327510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25896792A Pending JPH0681151A (en) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | Cleaning method of window for container |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681151A (en) |
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