JPH0679385B2 - 変調レ−ザ光の制御回路 - Google Patents

変調レ−ザ光の制御回路

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JPH0679385B2
JPH0679385B2 JP59152779A JP15277984A JPH0679385B2 JP H0679385 B2 JPH0679385 B2 JP H0679385B2 JP 59152779 A JP59152779 A JP 59152779A JP 15277984 A JP15277984 A JP 15277984A JP H0679385 B2 JPH0679385 B2 JP H0679385B2
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ光によって光記録媒体に情報を記録
するときに有用な変調レーザ光の制御回路に関するもの
である。
〔従来の技術〕
感光材料で記録面が形成されている光ディスクに、絞り
込んだレーザ光スポットを照射し、このレーザ光を記録
データにしたがってオン・オフ変調し、渦巻き状,また
は同心円上の記録トラックに所定の情報を書き込む光学
的記録装置がある。
このような光学的記録(再生)装置では、半導体レーザ
ダイオードを光源としているときは、温度や,素子のバ
ラツキによってレーザ光の発光パワーが変動するため、
所定の発光パワーが出力されるように制御する必要があ
る。
この場合、再生時には半導体レーザ光源が連続した発光
状態で使用するため、発光パワーの制御は、例えば、半
導体レーザダイオードの後側より出力される光を検出
し、その光強度が所定の値となるようにフィードバック
回路を構成して簡単に制御することができる。
しかし、記録時には半導体レーザ光源の発光パワーが再
生時の発光パワーの数倍となり、かつ記録データに応じ
て変調されるため、常時、レーザ光が出力される状態に
ならず、発光パワーの制御が困難になる。
そこで、記録時ではレーザ光の発光パワーを設定するた
めに、 記録スタート時からしばらくの間、記録信号に関係
のないダミーデータでレーザ光を変調してレーザ光の発
光パワーを0より所定のレベルまで増加して行き、フィ
ードバックループが閉じて所定の発光パワーになったと
きにデータを記録することが考えられている。
しかし、この場合はダミーデータを光ディスクに記録す
ることになるので記録エリアが無駄になる。
また、ダミーデータを出力しているときは、機械的なシ
ャッタによってレーザ光を光ディスクに照射しないよう
にするか、光ディスクを高速で回転して記録できないよ
うにしてもよいが、いずれの場合も装置が大型化し、記
録前のアドレスサーチ等ができないという問題が発生す
る。
再生時に出力される半導体レーザ光の発光パワーを
基準として、記録時の半導体レーザ光の発光パワーを設
定する方法が提案されている(特開昭58−94143号公
報)。
この方法は、再生時に出力される半導体レーザ光の発光
パワーをフィードバック回路によって所定の値に設定
し、このとき、温度変化等によって変化する発光パワー
と駆動電流の特性を記憶する。そして、記録時には半導
体レーザの駆動電流と発光パワーの特性から記録時に必
要な電流を設定し、レーザ光の発光パワーが所定値とな
るように半導体レーザダイオードに電流を流す。
この方法は、記録時のレーザ光の発光パワーが簡単な構
成で設定できるが、半導体ダイオード素子の発光特性が
各素子毎に異なっている場合が多いので必ずしも記録時
に要求される発光パワーを正確に決定できるとは限らな
い。
また、記録時にフィードバック回路が動作していないの
で長時間の記録中に発光パワーの変動が生じるおそれが
あるという問題がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明は、短い立上がり時間で記録に必要な半導体レ
ーザ光の発光パワーを設定し、かつ、この設定時間内で
は光ディスクにデータが記録されないようにするととも
に、データを記録している間もレーザ光の発光パワーを
制御できるようにしたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
記録スタート時に、まず、半導体レーザ光源を短いパル
ス幅の信号によって変調するセットモードにする。
そして、そのとき得られる半導体レーザ光源の間欠的な
出力光を計数回路によって計数する手段と、この計数回
路の計数値によって半導体レーザ光源に供給される電流
を制御する手段を設ける。
前記計数手段は、半導体レーザ光源の発光パワーのレベ
ルが所定の値となるまでは増大するように動作し、半導
体レーザ光源の出力パワーが所定の値より大きくなると
計数値が減少するように設定されている。
第1図はこの発明の概要を示すブロック図で、1は半導
体レーザ光源3に対して駆動電流を供給している可変電
源、2は変調器、4は半導体レーザ光源3の後側から放
出されるレーザ光を受光し、発光パワーを検出する検出
器(フォトダイオード)、5は比較電圧Erが一方の入力
端子に供給されているラッチ形のコンパレータ、6はア
ップダウンカウンタ(U/Dカウンタ)、7はD/A変換器、
8はモード切換スイッチである。
〔作用〕
第1図において、記録スタート信号が図示しない制御回
路から入力されると、U/Dカウンタ6,D/A変換器7がリセ
ットされると同時に、モード切換スイッチ8が端子TS
に接続され、第2図のPMに示すようなテストパルスP1,P
2,P3……PNが変調器2に入力される。そのため、半導体
レーザ光源3は間欠的に発光し、レンズLを介して回転
している光ディスク面Sに照射される。
スタート時にはU/Dカウンタ6の計数値は例えば0であ
り、D/A変換器7の出力も0と小さいため、可変電源1
から流出する電流も小さい。したがって、検出器4で検
出された発光パワーは小さく、ラッチ形のコンパレータ
5の出力レベルは波形CMPに示すようにLレベルとなっ
ている。
なお、前記テストパルス(またはセットパルス)P1,P2,
P3……PNのパルス幅(τ)は、通常の記録データに比較
してきわめて小さく設定されており、半導体レーザ光源
3が出力する発光パワーによって光ディスク面Sに記録
されることはない。
一方、U/Dカウンタ6のCLK端子に入力されている前記テ
ストパルスP1,P2,P3は順次加算され、D/A変換器7の出
力値は増大する。
その結果、可変電源1の供給電流も漸次増大し、半導体
レーザ光源3の発光パワーはテストパルスP1,P2,P3……
毎に増加して行く。
そして、検出器4には波形PDで示すような発光パワーレ
ベルの検出信号が出力される。
この検出器4のレベルが、テストパルスPNが入力された
段階で比較電圧Erのレベルを超えると、ラッチ形のコン
パレータ5の出力レベルがHレベルに反転する。
そのため、U/Dカウンタ6は、次にテストパルスPN+1
入力されたときは減算するように制御されるので、計算
値(CK)の増加も止まり、D/A変換器7の出力の増加も
ストップする。そして、以後はテストパルスPが入力さ
れるごとに加算・減算がくり返えされるから発光パワー
が比較電圧Erで設定された値で一定となる。
比較電圧Erは記録時の最適発光パワーとなるように調整
されているから、この時点で前記モード切換スイッチ8
を端子TD側に反転するとプリセットモードからデータの
書き込みモードになり、半導体レーザ光源3は端子TD
ら入力されてくる記録データD1,D2,D3……によって変調
され、光ディスク面Sにデータが書き込まれるようにな
る。
そして、この記録モードにおいてもU/Dカウンタ6は所
定の発光パワーにレベル、すなわち、コンパレータ5の
出力レベルに応じて加算,減算制御され、比較電圧Erで
設定された適正な発光パワーを維持する。
なお、プリセットモードでは、テストパルスP1,P2,P3
…のパルス幅(τ)は、半導体レーザ光源3から出力さ
れるビームによって光ディスク面Sに記録が残ることが
ないように狭く設定されている。
したがって、光ディスク面Sに不必要な記録が残ること
はない。
また、書き込みモードになったあとでも記録データD1,D
2,D3……の発光パワーによって、その都度U/Dカウンタ
6が制御されているので、その発光パワーが比較電圧Er
によって所定の値となるようにフィードバックがかか
り、発光ダイオードの温度変化による発光パワーの変動
を補正することができる。
発光パワーが所定の記録パワーとなるまでの立上がり時
間(プリセットモード時間)は、テストパルスPの周期
Tが短いほど早くなり、制御回路の各部の周波数特性が
高ければ、立上がり時間は数ms〜数10msにすることがで
きる。
また、発光パワーの制御精度はD/A変換器7のビット数
が大きいほど向上する。
〔実施例〕
第3図はこの発明の具体的な一実施例を示す回路図で、
第1図と同様に、11は可変電源を形成する可変電流源ト
ランジスタ、12は電流をオン・オフ制御するスイッチン
グトランジスタ、13は発光ダイオード13d,およびフォト
ダイオード13pからなる半導体レーザ光源である。
発光ダイオード13dから出力されるレーザ光は図示しな
い光学系を介して光ディスク面Sに照射され、発光ダイ
オード13dの後部位置に設けられているフォトダイオー
ド13pは、発光ダイオード13dの後部から出力されるレー
ザ光を検出するものである。
したがって、このフォトダイオード13pに流れる電流は
発光ダイオード13dのレーザ光の発光パワーにほぼ比例
している。
フォトダイオード13pに流れる電流は、トランジスタT1
〜T3からなるカレントミラー回路14により検出され、抵
抗rの端子電圧として出力される。
VRは比較電圧Er設定用の可変抵抗器、15は比較器であ
る。
16はアップダウンカウンタ(U/Dカウンタ)を示し、ア
ンドゲートA1からの出力は減算端子TD,アンドゲートA2
からの出力は加算端子Tuに接続されている。
TCはクリアー端子で、この端子に信号が入力されると、
計数値を所定の値にリセットする。
また、TDL,TuLはカウンタ値が最低値〔例えば000……
1〕,最高値〔1110000〕になったとき、前記アンドゲ
ートA1,A2を閉じる信号を出力するための制限端子を示
している。
17は前記U/Dカウンタ16の計数値をアナログ信号に変換
するD/A変換器で、その出力のアナログ値で前記可変電
流源トランジスタ11の電流値が制御される。
モード切換スイッチ18は図示しない制御回路からの信
号、例えば記録装置のマイコンから出力される制御信号
によって切り換わり、前述したようにセットパルス(テ
ストパルス)P,または記録データDを変調用のスイッチ
ングトランジスタ12に供給してオン・オフ制御するとと
もに遅延回路19,およびエッジパルス発生器20にも供給
する。
エッジパルス発生器20は、アンドゲートA3とディレー回
路T1により、よく知られているようにパルスの立上がり
を検出して出力するものである。
なお、21は電源オン時にリセット信号を形成するリセッ
ト信号発生回路である。以下、この実施例の動作を第4
図の波形図とともに参照する。
記録スタートとともに電源がオンとなり、U/Dカウンタ1
6がリセット信号発生回路21によってリセットされる。
図示しない制御回路によってモード切換スイッチ18がセ
ットモードになり、波形Aで示すセットパルスPによっ
てスイッチングトランジスタ12がオン・オフ変調され
る。
このとき、出力される半導体レーザ光源13の出力パワー
はまだ小さく、その検出信号は波形Bに示すように比較
器15に設定されている比較電圧Er(Cレベル)より小さ
い。
したがって、比較器15のQ出力は“H"、出力は“L"レ
ベルとなっており、アンドゲートA1の出力は“L"レベル
である。
“H"レベルのQ出力が供給されているアンドゲートA2
は、遅延回路19,エッジパルス発生器20からセットパル
スPの立上がり点を示すクロック(波形F)が供給され
ているため、U/Dカウンタ16はこのクロックを計算して
計数値を増大する。
そのためD/A変換器17の出力値も高くなり、可変電流源
トランジスタ11の電流値が漸次増加するとともに半導体
レーザ光源13の発光パワーも増加し、ついにセットパル
スPNにおいて検出信号が比較電圧Erのレベルを超える。
このときは、記録のための発光パワーが所定のレベルと
なったことを示しており、比較器15の出力Q,は、波形
D,Eに示すように反転する。そして、アンドゲートA1
は“H"レベルの信号が、アンドゲートA2には“L"レベル
の信号が出力される。
したがって、両方のアンドゲートA1,A2に供給されてい
るクロックはこのタイミングでU/Dカウンタ16の減算端
子TDにのみ供給され、U/Dカウンタ16の計数値(波形
G)はこの点で増加をストップする。
この状態は、半導体レーザ光源13が記録に十分な発光パ
ワーを出力している状態を示し、この発光パワーのレベ
ルは比較電圧Erを可変抵抗器VRで調整することによって
任意に設定できる。
そこで、この点でモード切換スイッチ18をデータ側に切
り換えて記録すべき記録データDを入力する。
この記録データD1,D2,D3……も遅延回路19,エッジパル
ス発生器20を介して波形Fで示すクロック信号とされU/
Dカウンタ16にアンドゲートA1,またはA2を介して入力さ
れるが、このとき、加算されるか、減算されるかは比較
器15の出力Q,によって決定される。
つまり、記録データD1によって出力される発光パワーが
比較電圧Erより小さい場合は加算され、発光パワーが大
きくなるように制御される。また、記録データD2にみら
れるように発光パワーの大きいときは減算され、発光パ
ワーが小さくなるように制御される。
この実施例ではU/Dカウンタ16が2入力タイプとなって
いるためより早い演算機能をもつことができ、高い精度
で制御回路が動作するという特徴がある。
第5図はこの発明の他の実施例を示す回路図で、第3図
に示す実施例の発光ダイオードが2系統になった場合の
制御方式である。
この実施例ではタイミング回路22を用いることによっ
て、1系統のフォトダイオード13pと比較器15から出力
される信号を、2系統のU/Dカウンタ16A,16B,およびD/A
変換器17A,17Bに分割に供給し2系統の発光ダイオード1
3dA,13dBを前記実施例と同様の方法で制御している。
以下、この実施例の動作を第6図の波形図とともに説明
する。
まず、各発光ダイオード13dA,13dBにセットパルス(波
形PA,PB)を異なるタイミングで入力する。
U/Dカウンタ16A,16Bには前記波形PA,PBと同期してエッ
ジパルス発生器20A,20Bから前記第4図の波形Fに示す
ようなクロックが異なるタイミングで入力されているの
で、各々の発光ダイオード13dA,13dBは前記第3図の実
施例で説明したように所定の記録発光パワーにそれぞれ
設定される。
このセットモードが終了したのちは、各発光ダイオード
13dA,13dBにはデータ(1),データ(2)の端子から
記録データDA,DBが入力される。
このとき、タイミング回路22ではアンドゲートA6,A7
よびインバータIN1,IN2によってP,Q波形が出力される。
そして遅延回路19A,19B,エッジパルス発光器20A,20Bを
介してP′,Q′波形(クロックパルス)に整形される。
一方、比較器15には比較電圧(Er)と,記録データDA,D
Bの発生パワーを示す合成信号Nが入力され、その比較
出力である波形R,Sで示す信号が出力される。
ところで、前記波形R,Sで示す比較器15の出力は、タイ
ミング回路22の出力である波形P,Qの各々の期間では、
一方の発光ダイオード(13dAまたは13dB)の発光パワー
のみの光強度を示しているので、この波形R,Sのレベル
で前記2系統のクロックパルス(波形P′,Q′)を各々
のU/Dカウンタ16A,16Bにより加減算すると、時分割的に
各発光ダイオード13dA,13dBの発光パワーを、それぞれU
/Dカウンタ16A,16Bの計数値に置き換えることができ
る。
したがって、各A/D変換器17A,17Bはそれぞれ発光ダイオ
ード3dA,13dBの発光パワーを制御するアナログ信号を可
変電流源トランジスタ11A,11Bに供給し、各発光ダイオ
ード13dA,13dBの発光パワーを所定の値にすることがで
きる。
この実施例では、発光パワーの検出は1系統であるが、
この中に含まれている各々の発光ダイオード13dA,13dB
の発光パワーはタイミング回路22の出力(P,Q)によっ
て時分割的に2系統のU/Dカウンタ16A,16B,D/A変換器17
A,17Bに分離供給されるようになされているので、1個
のフォトダイオード13pを、各発光ダイオード13dA,13dB
の後部に配置すればよく、発光パワーの検出が容易にな
るという効果がある。
(ちなみに、通常、発光ダイオードの後から出力される
レーザ光は集束性がないので、2個のフォトダイオード
で近接している2個の発光ダイオードの光をそれぞれ検
出することはきわめて困難である。) 2個の発光ダイオード(13dA,13dB)の実施例で説明し
たが、この発明は3個以上の発光ダイオードからなるマ
ルチビーム形の記録装置にも適用できることはいうまで
もない。
前記テストパルス(セットパルス)Pはパルス幅(τ)
の狭いものを使用し、光デイスクには記録できないよう
にしてあるが、パルス幅(τ)をある程度広く設定して
も、その周期Tが小さい場合は、空間周波数が高くなっ
て光ディスクには実質的に記録されなくなり、かつ、こ
のときは計数スピードが上がるので所定の発光パワーに
立上がるまでの時間を短くすることができるという利点
がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明の変調レーザ光の制御回
路は、記録データで変調されている半導体レーザ光源の
発光パワーをデジタル的な計数値に置き換え、その計数
値で発光パワーを制御するようにしているので、高速で
正確な制御動作が行われ、特に記録データのパルス幅よ
り十分狭い幅のテストパルスによって実質的に無記録制
御でプリセットレベルの設定が可能になるようにしてい
るので、ディスクの記録領域を減少することなく実際の
記録状態において最適となる変調レーザ光の設定を行う
ことができるという利点がある。また、記録データにDC
成分が含まれているときもフィードバックループが安定
に動作し、マルチビーム記録方式の場合でも時分割制御
によって発光パワーを個別に制御することが容易である
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の基本的な変調レーザ光の制御回路を
示すブロック図、第2図は第1図の動作を説明する主要
な波形図、第3図はこの発明の一実施例を示す回路図、
第4図は第3図の動作を示す波形図、第5図はこの発明
の他の実施例を示すマルチビームレーザ光の制御回路、
第6図は第5図の動作を説明する波形図である。 図中、1は可変電源、2は変調器、3は半導体レーザ光
源、4は検出器、5はラッチ形のコンパレータ、6はU/
Dカウンタ、7はD/A変換器、8はモード切換スイッチで
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザ光源から出力される発光レベ
    ルを検出する検出器と、 上記検出器から得られた検出信号と記録時の最適発光レ
    ベルを設定する設定値とを比較する比較器と、 上記半導体レーザ光源をデジタルデータに基づいて変調
    する変調手段と、 上記比較器の出力によって上記変調手段に供給される上
    記デジタルデータのパルス数を加算、又は減算し、その
    計数値を出力するアップダウンカウンタと、 記録時に外部から供給された記録データを選択し、記録
    開始前では上記記録データのパルス幅より十分狭いパル
    ス幅のテストパルスを選択して上記変調手段及び上記ア
    ップダウンカウンタに供給する供給手段とを備え、 上記アップダウンカウンタの計数出力によって上記半導
    体レーザ光源の電流源を制御して記録発光パワーの最適
    化動作を行うようにしたことを特徴とする変調レーザ光
    の制御回路。
JP59152779A 1984-07-25 1984-07-25 変調レ−ザ光の制御回路 Expired - Lifetime JPH0679385B2 (ja)

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