JPH0675238A - Reflection-type liquid crystal display device and its production - Google Patents

Reflection-type liquid crystal display device and its production

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JPH0675238A
JPH0675238A JP24093592A JP24093592A JPH0675238A JP H0675238 A JPH0675238 A JP H0675238A JP 24093592 A JP24093592 A JP 24093592A JP 24093592 A JP24093592 A JP 24093592A JP H0675238 A JPH0675238 A JP H0675238A
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display device
crystal display
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精一 三ツ井
Tadashi Kimura
直史 木村
Hisakazu Nakamura
久和 中村
Makoto Kanbe
誠 神戸
Yasunori Shimada
康憲 島田
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Abstract

PURPOSE:To improve the display grade of a reflection-type liq. crystal display device. CONSTITUTION:An org. insulating film 42 is formed on the thin-film transistor 40 formed on a substrate 31. A contact hole 43 and a protrusion 42a are formed when the reflecting electrode 38 of the insulating film 42 is formed. The reflecting electrode 38 is formed thereon, and the drain electrode 32 and the reflecting electrode 38 are connected through the contact hole 43. Accordingly, since the protrusion 42a is formed only on the reflecting electrode 38, the patterning of the reflecting electrode 38 is improved, defective insulation is not caused between a source bus wiring 36 and the reflecting electrode 38, and the display grade is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、外部からの入射光を反
射することによって表示を行う反射型液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light from the outside and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を
行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要である
ため消費電力が低く、薄形であり、軽量化が可能である
ため注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, application of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, etc. has been rapidly progressing. Among the liquid crystal display devices, in particular, a reflective liquid crystal display device that reflects light incident from the outside to display an image has low power consumption because it does not require a backlight, is thin, and can be lightweight. Attention has been paid.

【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、ならびにＳＴＮ
（スーパツイステッドネマティック）方式が用いられて
いるけれども、これらの方式では偏光板によって必然的
に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことに
なり、表示が暗くなるという問題がある。Conventionally, a TN has been used for a reflective liquid crystal display device.
(Twisted nematic) method and STN
Although the (super twisted nematic) method is used, in these methods, half of the light intensity of natural light is not necessarily used for display by the polarizing plate, and there is a problem that the display becomes dark.

【０００４】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示
モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．
Ｌ．White and Ｇ．Ｎ．Taylor：Ｊ．Appl．Phys．４５
４７１８ １９７４）。このモードでは、電界によるコ
レステリック・ネマティック相転移現象が利用されてい
る。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタを組合
わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されてい
る（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida Proceedings of
the SID，Vol.２９／２，１５７，１９８８）。To solve such a problem, there has been proposed a display mode in which all light rays of natural light are effectively used without using a polarizing plate. An example of such a mode is a phase transition type guest-host system (D.
L. White and G. N. Taylor: J. Appl. Phys. 45
4718 1974). In this mode, the cholesteric-nematic phase transition phenomenon by the electric field is utilized. Reflective multicolor displays that combine this method with micro color filters have also been proposed (Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida Proceedings of
the SID, Vol. 29/2, 157, 1988).

【０００５】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどから成る基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。In order to obtain a brighter display in a mode that does not require such a polarizing plate, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. . For that purpose, it is necessary to create a reflector having optimum reflection characteristics. In the above-mentioned document, the surface of the substrate made of glass or the like is roughened with an abrasive, and the unevenness of the surface is controlled by changing the etching time with hydrofluoric acid, and a silver thin film is formed on the unevenness. A reflector is described.

【０００６】しかしながら、上記文献に記載の反射板に
は、ガラス基板に研磨剤によって傷をつけることによっ
て凹凸が形成されるため、均一な形状の凹凸が形成され
ない。また、凹凸の形状の再現性が悪いという問題があ
るため、このようなガラス基板を用いると再現性よく良
好な反射特性を有する反射型液晶表示装置を提供するこ
とができない。However, in the reflecting plate described in the above-mentioned document, since unevenness is formed by scratching the glass substrate with an abrasive, unevenness having a uniform shape is not formed. Further, since there is a problem that the reproducibility of the shape of the unevenness is poor, it is impossible to provide a reflective liquid crystal display device having good reproducibility with good reproducibility by using such a glass substrate.

【０００７】図２５は、アクティブマトリクス方式に用
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、「ＴＦＴ」と記す。）１を有する基板２の平面図で
あり、図２６は図２５に示す切断面線Ｘ２６−Ｘ２６か
ら見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上
に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配
線３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線３からは
ゲート電極４が分岐して設けられている。ゲートバス配
線３は、走査線として機能している。FIG. 25 is a plan view of a substrate 2 having a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) 1 which is a switching element used in the active matrix system, and FIG. 26 is a sectional plane line X26 shown in FIG. It is sectional drawing seen from -X26. A plurality of gate bus lines 3 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 2 such as glass, and gate electrodes 4 are branched from the gate bus lines 3. The gate bus wiring 3 functions as a scanning line.

【０００８】ゲート電極４を覆って基板２上の全面に窒
化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）など
から成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート電極
４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン（以
下、「ａ−Ｓｉ」と記す。）、多結晶シリコン、ＣｄＳ
ｅなどから成る半導体層６が形成されている。半導体層
６の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウ
ムなどから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６とは反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）から成る絵素電極９が重畳形成されている。A gate insulating film 5 made of silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO x ) is formed on the entire surface of the substrate 2 so as to cover the gate electrode 4. Amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”), polycrystalline silicon, and CdS are formed on the gate insulating film 5 above the gate electrode 4.
A semiconductor layer 6 made of e or the like is formed. A source electrode 7 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is superposed on one end of the semiconductor layer 6. Further, similarly to the source electrode 7, a drain electrode 8 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is formed on the other end of the semiconductor layer 6 in an overlapping manner. At the end of the drain electrode 8 opposite to the semiconductor layer 6, ITO (Indium Tin O
The picture element electrodes 9 made of xide) are formed in an overlapping manner.

【０００９】図２５に示すように、ソース電極７にはゲ
ートバス配線３と前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該Ｔ
ＦＴ１はスイッチング素子の機能を有している。As shown in FIG. 25, the source electrode 7 is connected to the gate bus line 3 and the source bus line 10 which intersects with the gate insulating film 5 interposed therebetween. The source bus line 10 functions as a signal line. The source bus line 10 is also made of the same metal as the source electrode 7.
The gate electrode 4, the gate insulating film 5, the semiconductor layer 6, the source electrode 7 and the drain electrode 8 form the TFT 1 and
The FT1 has a function of a switching element.

【００１０】図２５および図２６に示すＴＦＴ１を有す
る基板２を反射型液晶表示装置に適用しようとすれば、
絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有する
金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５あるいは
その上に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物か
ら成る絶縁膜にテーパのついた凹凸を均一に形成するこ
とは困難である。If the substrate 2 having the TFT 1 shown in FIGS. 25 and 26 is applied to a reflection type liquid crystal display device,
Not only is the pixel electrode 9 formed of a metal having a light-reflecting property such as aluminum or silver, but it is also necessary to form irregularities on the gate insulating film 5 or on it. Generally, it is difficult to uniformly form tapered unevenness on an insulating film made of an inorganic material.

【００１１】図２７は、アクティブマトリクス方式に用
いられるＴＦＴ１１を有する基板１２の平面図であり、
図２８は図２７に示される切断面線Ｘ２８−Ｘ２８から
見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２上に
クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線１
３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３からは
ゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲートバス
配線１３は、走査線として機能している。FIG. 27 is a plan view of the substrate 12 having the TFT 11 used in the active matrix system,
FIG. 28 is a sectional view taken along the section line X28-X28 shown in FIG. A plurality of gate bus wirings 1 made of chromium, tantalum, etc. on an insulating substrate 12 such as glass
3 are provided in parallel to each other, and a gate electrode 14 is branched from the gate bus line 13. The gate bus line 13 functions as a scanning line.

【００１２】ゲート電極１４を覆って基板１２上の全面
に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁
膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲー
ト絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１
６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−
Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。
一方のコンタクト電極１７上にはソース電極１８が重畳
形成され、他方のコンタクト層１７上には、ドレイン電
極１９が重畳形成されている。ソース電極１８には、ゲ
ートバス配線１３と前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交
差する信号線として機能するソースバス配線２３が接続
されている。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導
体層１６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびド
レイン電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。A gate insulating film 15 made of silicon nitride, silicon oxide or the like is formed on the entire surface of the substrate 12 so as to cover the gate electrode 14. A semiconductor layer 1 made of a-Si or the like is formed on the gate insulating film 15 above the gate electrode 14.
6 is formed. At both ends of the semiconductor layer 16, a-
A contact layer 17 made of Si or the like is formed.
A source electrode 18 is superposed on one contact electrode 17, and a drain electrode 19 is superposed on the other contact layer 17. The source electrode 18 is connected to the source bus line 23 that functions as a signal line that intersects the gate bus line 13 with the gate insulating film 15 interposed therebetween. The gate electrode 14, the gate insulating film 15, the semiconductor layer 16, the contact layer 17, the source electrode 18, and the drain electrode 19 form the TFT 11.

【００１３】さらにその上に複数の凸部２０ａを有し、
ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有
機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反
射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホー
ル２１を介してドレイン電極１９と接続されている。Further, it has a plurality of convex portions 20a thereon,
An organic insulating film 20 having a contact hole 21 is formed on the drain electrode 19. A reflective electrode 22 is formed on the organic insulating film 20, and the reflective electrode 22 is connected to the drain electrode 19 via a contact hole 21.

【００１４】以上のように、ＴＦＴ１１を形成した基板
１２上に有機絶縁膜２０を形成する場合は、エッチング
法を用いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に
形成することができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２
０上に反射電極２２を形成することによって、容易に凹
凸を有する反射電極２２を形成することができる。As described above, when the organic insulating film 20 is formed on the substrate 12 on which the TFT 11 is formed, the convex portion 20a can be easily formed on the surface of the organic insulating film 20 by using the etching method. Organic insulating film 2 having convex portion 20a
By forming the reflective electrode 22 on 0, the reflective electrode 22 having unevenness can be easily formed.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】図２５および図２６に
示されるように、反射電極９とソースバス配線１０とを
ゲート絶縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソー
スバス配線１０とが導通しないように間隙９ａが形成さ
れる。しかしながら、図２７および図２８に示されるよ
うに、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に、反
射電極２２を有機絶縁膜２０上にそれぞれ形成すれば、
前述のような間隙９ａは不要である。As shown in FIGS. 25 and 26, when the reflective electrode 9 and the source bus line 10 are formed on the gate insulating film 5, the reflective electrode 9 and the source bus line 10 are formed. A gap 9a is formed so that and are not electrically connected. However, as shown in FIGS. 27 and 28, if the source bus line 23 is formed on the gate insulating film 15 and the reflective electrode 22 is formed on the organic insulating film 20, respectively,
The gap 9a as described above is unnecessary.

【００１６】表示の輝度を向上するためには、反射電極
２２はその表面積が大きいほど好ましい。したがって、
図２７および図２８では反射電極２２端部は、有機絶縁
膜２０を介してソースバス配線２３上に形成されてい
る。In order to improve the display brightness, it is preferable that the reflective electrode 22 has a large surface area. Therefore,
27 and 28, the end portion of the reflective electrode 22 is formed on the source bus line 23 with the organic insulating film 20 interposed therebetween.

【００１７】有機絶縁膜２０は、凸部２０ａを有してい
るため、隣り合う凸部２０ａ間の底部２０ｂ部分がソー
スバス配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場
合、有機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜
２０上に形成される反射電極２２とソースバス配線２３
との絶縁不良が生じるという問題がある。Since the organic insulating film 20 has the convex portions 20a, when the bottom 20b portion between the adjacent convex portions 20a comes into contact with the source bus wiring 23 and an etching defect occurs, the organic insulating film 20 causes The insulation is not performed, and the reflective electrode 22 and the source bus line 23 are formed on the organic insulating film 20.
There is a problem that insulation failure with

【００１８】また、基板１２上の全面に凸部２０ａを有
する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパ
ターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の
周縁部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良
が生じるという問題がある。Further, since the organic insulating film 20 having the convex portion 20a is formed on the entire surface of the substrate 12, when the reflective electrode 22 is patterned, the convex portion 20a causes unevenness on the peripheral edge of the reflective electrode 22, and the reflective electrode 22 is formed. There is a problem that 22 patterning failure occurs.

【００１９】さらに、反射電極２２が、基板１２上に形
成された引回し電極であるゲート電極１４上の接続部分
の半導体層１６の上に有機絶縁膜２０を介して形成され
た場合、反射電極２２にかかる信号が半導体層１６にか
かり、疑似的に反射電極２２がゲート電極１４と同じよ
うな機能を果たし、反射電極２２と半導体層１６との界
面にチャネルを形成してしまい、ＴＦＴ１１の特性を低
下させる。また、ゲート電極１４と反射電極２２との間
に、大きな寄生容量が発生することになる。これらの現
象は、表示品位を低下させる原因となる。Further, when the reflective electrode 22 is formed on the semiconductor layer 16 of the connection portion on the gate electrode 14 which is the leading electrode formed on the substrate 12 via the organic insulating film 20, the reflective electrode 22 is formed. A signal applied to the semiconductor layer 16 is applied to the semiconductor layer 16, the reflection electrode 22 pseudo-functions like the gate electrode 14, and a channel is formed at the interface between the reflection electrode 22 and the semiconductor layer 16. Lower. In addition, a large parasitic capacitance is generated between the gate electrode 14 and the reflective electrode 22. These phenomena cause deterioration of display quality.

【００２０】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良
好な反射特性を有する反射板を容易に、かつ再現性よく
作成することができ、表示品位が向上する反射型液晶表
示装置およびその製造方法を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to manufacture a reflection plate having good reflection characteristics easily and with good reproducibility, and to improve the display quality, and a reflection type liquid crystal display device. It is to provide a manufacturing method.

【００２１】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方基板上
の液晶層側表面には、他方基板側からの入射光を反射す
る表示絵素である複数の反射電極と、各反射電極に表示
のための電圧を印加する引回し電極とを形成し、他方基
板上の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極を形成して構成される反射型液晶表示装
置において、前記反射電極は、一方基板上に形成された
引回し電極上の反射電極との接続部分を除く基板全面を
覆い、かつ引回し電極と重ならない反射電極形成領域の
みに複数の凸部を有する電気絶縁膜上に形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。According to the present invention, of a pair of transparent substrates which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, the liquid crystal layer side surface on one substrate reflects incident light from the other substrate side. A plurality of reflective electrodes, which are display picture elements, and a routing electrode for applying a voltage for display to each reflective electrode are formed. In the reflection type liquid crystal display device configured by forming a common electrode having the reflection electrode, the reflection electrode covers the entire surface of the wiring electrode formed on the one substrate except for the connection portion with the reflection electrode, and is arranged. The reflective liquid crystal display device is characterized in that the reflective liquid crystal display device is formed on an electric insulating film having a plurality of convex portions only in a reflective electrode formation region that does not overlap the electrodes.

【００２２】また本発明は、前記凸部は、不規則に配列
されることを特徴とする。The present invention is also characterized in that the convex portions are arranged irregularly.

【００２３】また本発明は、前記凸部は、先細状に、か
つ先端部は球面状に形成されることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the convex portion is formed in a tapered shape and the tip portion is formed in a spherical shape.

【００２４】また本発明は、前記凸部は、１種類あるい
は大きさの異なる２種類以上の形状から成ることを特徴
とする。Further, the present invention is characterized in that the convex portion is formed of one type or two or more types having different sizes.

【００２５】本発明は、前記凸部の高さは、１０μｍ以
下であることを特徴とする。The present invention is characterized in that the height of the convex portion is 10 μm or less.

【００２６】本発明は、前記凸部の配列パターンが、各
反射電極において同一であることを特徴とする。The present invention is characterized in that the arrangement pattern of the convex portions is the same in each reflection electrode.

【００２７】本発明は、前記一方基板上に形成された引
回し電極上の反射電極との接続部分領域および引回し電
極上の反射電極と重ならない領域に、電気絶縁性を有す
る遮光膜を形成することを特徴とする。According to the present invention, a light-shielding film having an electric insulation property is formed in a region of the leading electrode formed on the one substrate and connected to the reflective electrode and in a region of the leading electrode that does not overlap with the reflective electrode. It is characterized by doing.

【００２８】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される一対の基板の一方基板上に、他方基板側からの入
射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置にお
いて、前記反射板は、一方基板上の液晶層側に不規則に
配列された複数の凸部上に形成された電気絶縁膜上に形
成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置であ
る。Further, the present invention provides a reflection type liquid crystal display device comprising a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, on one substrate and a reflection plate for reflecting incident light from the other substrate side. The plate is a reflective liquid crystal display device characterized in that the plate is formed on an electric insulating film formed on a plurality of convex portions irregularly arranged on the liquid crystal layer side on one substrate.

【００２９】また本発明は、前記一方基板上の液晶層側
に不規則に配列された複数の凸部は、１種類あるいは大
きさの異なる２種類以上の形状から成ることを特徴とす
る。The present invention is also characterized in that the plurality of convex portions irregularly arranged on the side of the liquid crystal layer on the one substrate are formed of one kind or two or more kinds of different sizes.

【００３０】また本発明は、前記一方基板上の液晶層側
に不規則に配列された複数の凸部は、先細状に、かつ先
端部は球面状に形成されることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the plurality of convex portions irregularly arranged on the side of the liquid crystal layer on the one substrate are formed in a tapered shape and the tip portions are formed in a spherical shape.

【００３１】本発明は、前記複数の凸部上に形成された
電気絶縁膜の凸部の高さは、１０μｍ以下であることを
特徴とする。The present invention is characterized in that the height of the protrusions of the electric insulating film formed on the plurality of protrusions is 10 μm or less.

【００３２】本発明は、前記反射板は、前記一方基板上
の液晶層側に不規則に配列される前記複数の凸部の直径
は２０μｍ以下であり、反射板総面積の４０％以上を占
めることを特徴とする。According to the present invention, in the reflector, the diameter of the plurality of convex portions irregularly arranged on the liquid crystal layer side on the one substrate is 20 μm or less, and occupies 40% or more of the total area of the reflector. It is characterized by

【００３３】また本発明は、前記反射板は、表示絵素と
なる電極であることを特徴とする。Further, the invention is characterized in that the reflection plate is an electrode serving as a display picture element.

【００３４】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される一対の基板の一方基板上に、他方基板側からの入
射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置の製
造方法において、前記一方基板上の液晶層側に感光性樹
脂を塗布し、前記感光性樹脂を円形の遮光領域が不規則
に配列された遮光手段を介して露光および現像した後に
熱処理を行い、得られた複数の凸部上に前記複数の凸部
に沿う絶縁膜を形成し、絶縁膜上に金属薄膜から成る前
記反射板を形成することを特徴とする反射型液晶表示装
置の製造方法である。The present invention also provides a method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, on one substrate and a reflector for reflecting incident light from the other substrate. A photosensitive resin was applied to the liquid crystal layer side of the one substrate, the photosensitive resin was exposed and developed through a light-shielding means in which circular light-shielding regions were irregularly arranged, and then heat-treated to obtain a product. A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising: forming an insulating film along the plurality of convex portions on the plurality of convex portions, and forming the reflection plate made of a metal thin film on the insulating film.

【００３５】さらにまた本発明は、前記遮光手段は、前
記円形の遮光領域の総面積が反射板総面積の４０％以上
であり、かつ不規則に配列される前記円形の直径が２０
μｍ以下であることを特徴とする。Further, in the present invention, in the light-shielding means, the total area of the circular light-shielding regions is 40% or more of the total area of the reflecting plate, and the diameter of the circular circles arranged irregularly is 20.
It is characterized by being less than or equal to μm.

【００３６】[0036]

【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は、対向
する一対の透明基板間に液晶層を介在して形成される。
このとき、一方の基板の液晶層側表面には、複数の反射
電極と引回し電極とが形成され、他方の基板の液晶層側
表面には共通電極が形成される。前記反射電極は表示絵
素であり、前述の他方基板および共通電極を介して入射
する入射光を反射することによって表示が行われる。ゲ
ートバス配線、ソースバス配線および薄膜トランジスタ
などで実現される前記引回し電極は、各反射電極に表示
のための電圧を印加する。他方基板上に形成される前記
共通電極は、他方基板のほぼ全面にわたって形成されて
いる。According to the present invention, a reflective liquid crystal display device is formed with a liquid crystal layer interposed between a pair of transparent substrates facing each other.
At this time, a plurality of reflective electrodes and a lead-out electrode are formed on the liquid crystal layer side surface of one substrate, and a common electrode is formed on the liquid crystal layer side surface of the other substrate. The reflective electrode is a display pixel, and display is performed by reflecting incident light that is incident via the other substrate and the common electrode described above. The lead-out electrode, which is realized by a gate bus line, a source bus line, a thin film transistor, and the like, applies a display voltage to each reflective electrode. The common electrode formed on the other substrate is formed over substantially the entire surface of the other substrate.

【００３７】本発明の反射型液晶表示装置においては、
前記一方基板上に形成されたゲートバス配線、ソースバ
ス配線および薄膜トランジスタなどの引回し電極上であ
って、薄膜トランジスタのドレイン電極などと前記反射
電極との接続部分を除く一方基板全面を覆い、引回し電
極と重ならない前記反射電極形成領域のみに凸部を有す
る、たとえば高分子樹脂などから成る絶縁膜上に、反射
電極が形成される。前述のように反射電極は、前記凸部
上に形成されるため、反射電極表面にもまた前記凸部に
対応する凸部が形成される。光反射面に凹凸を形成する
ことによって、あらゆる角度からの入射光に対し、表示
画面に垂直な方向へ散乱する光の強度が増加して表示輝
度が向上し、表示のコントラストが向上することが知ら
れている。前述のように、前記絶縁膜に形成されている
凸部は、反射電極のみが形成される領域のみに形成され
ており、引回し電極上には形成されないため、凸部間の
凹所が深く形成されることがあっても、反射電極と引回
し電極とが接触する絶縁不良は生じない。また、引回し
電極上には、凸部が形成されていないため、前記反射電
極の周縁部には凹凸がなく、前記反射電極のパターニン
グを良好に行うことができる。In the reflective liquid crystal display device of the present invention,
On the routing electrodes such as the gate bus wiring, the source bus wiring and the thin film transistor formed on the one substrate, covering the entire one substrate except the connection portion between the drain electrode of the thin film transistor and the reflective electrode, and routing The reflective electrode is formed on an insulating film made of, for example, a polymer resin, which has a convex portion only in the reflective electrode forming region that does not overlap the electrode. Since the reflective electrode is formed on the convex portion as described above, the convex portion corresponding to the convex portion is also formed on the surface of the reflective electrode. By forming unevenness on the light reflection surface, the intensity of light scattered in the direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles is increased, display brightness is improved, and display contrast is improved. Are known. As described above, the convex portion formed on the insulating film is formed only in the region where only the reflective electrode is formed and is not formed on the routing electrode, so that the concave portion between the convex portions is deep. Even if it is formed, there is no insulation failure in which the reflective electrode and the routing electrode are in contact with each other. Moreover, since no convex portion is formed on the leading electrode, the peripheral portion of the reflective electrode has no irregularities, and the patterning of the reflective electrode can be performed well.

【００３８】また本発明に従えば、前記凸部が不規則に
配列されており、前記凸部の形状が先細状であり、かつ
先端部は球面状に形成されており、また前記凸部は１種
類あるいは大きさの異なる２種類以上の形状から成る。
これらは、いずれもあらゆる角度からの入射光に対し、
表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加する前
述と同様な作用を有している。Further, according to the invention, the convex portions are irregularly arranged, the convex portions are tapered, and the tip portions are formed in a spherical shape, and the convex portions are It consists of one type or two or more types of different sizes.
These are all for incident light from all angles,
It has the same effect as described above that increases the intensity of light scattered in the direction perpendicular to the display screen.

【００３９】また本発明に従えば、前記凸部の高さは１
０μｍ以下に選ばれる。通常、反射型液晶表示装置の液
晶層の厚さは１０μｍ以下であるため、前記凸部の高さ
を液晶層の厚さよりも小さくすることによって、液晶表
示素子を均一に作成することができる。また、あらゆる
角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱
する光の強度を増加する前述と同様な作用を有してい
る。Further, according to the invention, the height of the convex portion is 1
It is selected to be 0 μm or less. Since the thickness of the liquid crystal layer of the reflective liquid crystal display device is usually 10 μm or less, the height of the convex portion is made smaller than the thickness of the liquid crystal layer, so that the liquid crystal display element can be uniformly formed. Further, it has the same effect as described above for increasing the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles.

【００４０】また本発明に従えば、前記凸部の配列パタ
ーンは、各反射電極において同一であり、反射電極毎に
異なる配列パターンで形成する必要はなく、反射電極の
みが形成される全領域に容易に前記凸部を形成すること
ができる。Further, according to the invention, the arrangement pattern of the convex portions is the same in each reflection electrode, and it is not necessary to form different arrangement patterns for each reflection electrode, and only the reflection electrodes are formed in the entire area. The convex portion can be easily formed.

【００４１】さらに本発明に従えば、一方基板上に形成
された引回し電極上の反射電極との接続部分領域および
引回し電極上の反射電極と重ならない領域に、電気絶縁
性を有する遮光膜が形成される。これによって、反射電
極以外の部分からの反射光が遮られる。Further, according to the present invention, a light-shielding film having an electrical insulation property is provided in a region of the leading electrode formed on the one substrate and connected to the reflecting electrode and in a region of the leading electrode that does not overlap with the reflecting electrode. Is formed. As a result, the reflected light from the portion other than the reflective electrode is blocked.

【００４２】本発明に従えば、液晶層を介在して対向配
置される一対の基板の一方基板上に、他方基板からの入
射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置にお
いて、一方基板上の液晶層側に不規則に配列された凸部
上に形成された絶縁膜上に前記反射板を形成する。この
ため、反射板は絶縁膜の凸部に対応する不規則な凸部を
有する形状となる。絶縁膜の形状は、容易にかつ均一に
再現性よく制御することが可能である。容易に形成され
た絶縁膜の不規則な凸部に対応して、反射板の凸部が形
成されるため、反射特性の良好な反射板を形成すること
ができる。According to the present invention, in the reflection type liquid crystal display device having the reflection plate for reflecting the incident light from the other substrate on the one substrate of the pair of substrates arranged to face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, The reflector is formed on the insulating film formed on the convex portions randomly arranged on the upper liquid crystal layer side. Therefore, the reflection plate has a shape having irregular projections corresponding to the projections of the insulating film. The shape of the insulating film can be easily and uniformly controlled with good reproducibility. Since the convex portions of the reflecting plate are formed corresponding to the irregular convex portions of the insulating film that are easily formed, it is possible to form the reflecting plate having good reflection characteristics.

【００４３】また本発明に従えば、前記凸部が不規則に
配列されており、前記凸部の形状が先細状であり、かつ
先端部は球面状に形成されており、また前記凸部は１種
類あるいは大きさの異なる２種類以上の形状から成る。
これらはいずれもあらゆる角度からの入射光に対し、表
示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加する前述
と同様な作用を有している。Further, according to the present invention, the convex portions are arranged irregularly, the shape of the convex portions is tapered, and the tip portion is formed in a spherical shape, and the convex portions are It consists of one type or two or more types of different sizes.
Each of these has the same effect as described above for increasing the intensity of light scattered in the direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from any angle.

【００４４】また本発明に従えば、前記凸部の高さは１
０μｍ以下に選ばれる。通常、反射型液晶表示装置の液
晶層の厚さは、１０μｍ以下であるため、前記凸部の高
さを液晶層の厚さよりも小さくすることによって液晶表
示素子を均一に作成することができる。また、あらゆる
角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱
する光の強度を増加する前述と同様な作用を有してい
る。According to the invention, the height of the convex portion is 1
It is selected to be 0 μm or less. Since the thickness of the liquid crystal layer of the reflective liquid crystal display device is usually 10 μm or less, the liquid crystal display element can be uniformly formed by making the height of the convex portion smaller than the thickness of the liquid crystal layer. Further, it has the same effect as described above for increasing the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles.

【００４５】また本発明に従えば、前記一方基板上の液
晶層側に配列される前記複数の凸部の断面形状の最大直
径は２０μｍ以下であり、反射板総面積の４０％以上を
占めており、反射板は前記凸部上に電気絶縁膜を介して
形成されているため、高い反射率が得られる。前記反射
板は、表示絵素となる電極となる場合がある。この場合
には、視差がなくなり、良好な表示が行える。Further, according to the invention, the maximum diameter of the cross-sectional shape of the plurality of convex portions arranged on the liquid crystal layer side on the one substrate is 20 μm or less, and occupies 40% or more of the total area of the reflector. However, since the reflector is formed on the convex portion via the electric insulating film, a high reflectance can be obtained. The reflection plate may serve as an electrode serving as a display picture element. In this case, parallax is eliminated and good display can be performed.

【００４６】また本発明に従えば、液晶層を介在して対
向配置される一対の基板の一方基板上に、他方基板から
の入射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置
を製造する場合、先ず、一方の基板上の液晶層側に感光
性樹脂が塗布される。前記感光性樹脂は、不規則に配列
された透孔が形成された遮光手段を介して露光および現
像された後に熱処理が行われ、これによって一方基板上
に感光性樹脂から成る不規則な複数の凸部が形成され
る。前記凸部上に一方基板を覆うように絶縁膜が形成さ
れ、絶縁膜は前記凸部に対応した形状となる。さらにそ
の上に、金属薄膜から成る反射板が絶縁膜表面の凸部に
沿って形成される。Further, according to the present invention, a reflection type liquid crystal display device having a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a reflector for reflecting incident light from the other substrate is manufactured. In this case, first, a photosensitive resin is applied to the liquid crystal layer side on one substrate. The photosensitive resin is exposed and developed through a light-shielding means in which irregularly arranged through holes are formed, and then subjected to heat treatment, whereby a plurality of irregular photosensitive resin layers are formed on one substrate. A convex portion is formed. An insulating film is formed on the convex portion so as to cover the one substrate, and the insulating film has a shape corresponding to the convex portion. Further thereon, a reflection plate made of a metal thin film is formed along the convex portion on the surface of the insulating film.

【００４７】反射板表面の凸部は、感光性樹脂によって
形成される凸部に対応している。感光性樹脂の形状は、
容易に、かつ均一に再現性よく制御することが可能であ
る。このように、容易に形成される絶縁膜の不規則な凸
部に対応して反射板の凸部が形成されるため、反射特性
の良好な反射板を形成することができる。The convex portion on the surface of the reflecting plate corresponds to the convex portion formed by the photosensitive resin. The shape of the photosensitive resin is
It is possible to control easily and uniformly with good reproducibility. In this way, the convex portions of the reflecting plate are formed corresponding to the irregular convex portions of the insulating film that are easily formed, so that it is possible to form the reflecting plate having good reflection characteristics.

【００４８】また本発明に従えば、前記遮光手段は、前
記円形の遮光領域の総面積が反射板総面積の４０％以上
であり、かつ不規則に配列される前記円形の直径が２０
μｍ以下であるため、高い反射率が得られる。According to the invention, in the light-shielding means, the total area of the circular light-shielding regions is 40% or more of the total area of the reflection plate, and the diameter of the circular circles arranged irregularly is 20.
Since it is not more than μm, high reflectance can be obtained.

【００４９】[0049]

【実施例】図１は、本発明の一実施例である反射型液晶
表示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される基
板３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基
板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲー
トバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配
線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲートバ
ス配線３２は、走査線として機能している。1 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device 30 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG. A plurality of gate bus wires 32 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 31 made of glass or the like, and a gate electrode 33 branches from the gate bus wires 32. The gate bus line 32 functions as a scanning line.

【００５０】ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
x）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されている。
ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶
質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す。）、多結晶シ
リコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成され
ている。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから
成るコンタクト電極４１が形成されている。一方のコン
タクト電極４１上には、チタン、モリブデン、アルミニ
ウムなどから成るソース電極３６が重畳形成され、他方
のコンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様に
チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイ
ン電極３７が重畳形成されている。Silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2) are formed on the entire surface of the substrate 31 covering the gate electrode 33.
A gate insulating film 34 made of x ) or the like is formed.
A semiconductor layer 35 made of amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”), polycrystalline silicon, CdSe, or the like is formed on the gate insulating film 34 above the gate electrode 33. Contact electrodes 41 made of a-Si or the like are formed on both ends of the semiconductor layer 35. A source electrode 36 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on one contact electrode 41, and a drain electrode made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other contact electrode 41, like the source electrode 36. 37 is formed in an overlapping manner.

【００５１】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、薄膜ト
ランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）４０を構成
し、該ＴＦＴ４０はスイッチング素子の機能を有する。As shown in FIG. 2, the source electrode 36 is connected to the source bus line 39 which intersects the gate bus line 32 with the gate insulating film 34 interposed therebetween. The source bus line 39 functions as a signal line. The source bus line 39 is also made of the same metal as the source electrode 36. Gate electrode 33, gate insulating film 34, semiconductor layer 3
5, the source electrode 36 and the drain electrode 37 form a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) 40, and the TFT 40 has a function of a switching element.

【００５２】ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁
膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極４
３が形成される領域には、先細状で先端部が球面状に形
成された、高さＨの凸部４２ａが形成されており、ドレ
イン電極３７の部分にはコンタクトホール４３が形成さ
れている。有機絶縁膜４２の形成方法や、これにコンタ
クトホール４３を形成する工程上の問題、および液晶表
示装置３０を作成する際の液晶層厚のバラツキを小さく
するため、凸部４２ａの高さＨは１０μｍ以下が好まし
い。一般に、液晶層の厚さは１０μｍ以下である。有機
絶縁膜４２の凸部４２ａ形成領域上にアルミニウム、銀
などから成る反射電極３８が形成され、反射電極３８は
コンタクトホール４３において、ドレイン電極３７と接
続される。さらにその上には、配向膜４４が形成され
る。Gate bus wiring 32, source bus wiring 39
An organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover the TFT 40. Reflective electrode 4 of organic insulating film 42
In a region where 3 is formed, a convex portion 42a having a height H and having a tapered tip portion formed in a spherical shape is formed, and a contact hole 43 is formed in a portion of the drain electrode 37. . In order to reduce problems in the method of forming the organic insulating film 42, the process of forming the contact holes 43 in the organic insulating film 42, and variations in the liquid crystal layer thickness when the liquid crystal display device 30 is formed, the height H of the convex portion 42a is set to It is preferably 10 μm or less. Generally, the thickness of the liquid crystal layer is 10 μm or less. A reflective electrode 38 made of aluminum, silver, or the like is formed on a region where the convex portion 42a of the organic insulating film 42 is formed, and the reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 in the contact hole 43. Further, an alignment film 44 is formed on it.

【００５３】基板４５上には、カラーフィルタ４６が形
成される。カラーフィルタ４６は、基板３１の反射電極
３８に対向する領域には、マゼンタまたは緑色のフィル
タ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない領域に
は黒色のフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィルタ
４６上の全面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などか
ら成る透明電極４７が形成され、さらにその上には配向
膜４８が形成される。A color filter 46 is formed on the substrate 45. In the color filter 46, a magenta or green filter 46a is formed in a region facing the reflective electrode 38 of the substrate 31, and a black filter 46b is formed in a region not facing the reflective electrode 38. A transparent electrode 47 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like is formed on the entire surface of the color filter 46, and an alignment film 48 is further formed thereon.

【００５４】前記両基板３１，４５は、反射電極３８と
フィルタ４６ａとが一致するように対向して貼合わせら
れ、基板間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置
３０が完成する。The two substrates 31 and 45 are laminated so that the reflective electrode 38 and the filter 46a are opposed to each other, and liquid crystal 49 is injected between the substrates to complete the reflective liquid crystal display device 30.

【００５５】図３は、図１および図２に示される凹凸を
有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成方法を
説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方法を説
明する断面図であり、図５は図３の工程ｓ７で用いられ
るマスク５１の平面図である。図４（１）は図３の工程
ｓ４を示し、図４（２）は図３の工程ｓ７を示し、図４
（３）は図３の工程ｓ８を示し、図４（４）は図３の工
程ｓ９を示している。FIG. 3 is a process diagram for explaining a forming method for forming the reflective electrode 38 having the unevenness shown in FIGS. 1 and 2 on the substrate 31, and FIG. 4 illustrates the forming method shown in FIG. 5 is a cross-sectional view, and FIG. 5 is a plan view of the mask 51 used in step s7 of FIG. 4 (1) shows the step s4 of FIG. 3, FIG. 4 (2) shows the step s7 of FIG.
(3) shows the step s8 in FIG. 3, and FIG. 4 (4) shows the step s9 in FIG.

【００５６】工程ｓ１では、ガラスなどから成る絶縁性
の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソ
グラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成す
る。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形
成する。In step s1, a tantalum metal layer having a thickness of 3000 Å is formed on an insulating substrate 31 made of glass or the like by a sputtering method, and the metal layer is patterned by a photolithographic method and etching to form a gate bus wiring. 32 and the gate electrode 33 are formed. In step s2, the plasma CVD method is used to set 4000
A gate insulating film 34 made of silicon nitride having a thickness of Å is formed.

【００５７】工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体層３５およびコンタクト層
４１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ
２０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。In step s3, the thickness of the semiconductor layer 35 is 1
A 000 Å a-Si layer and a 400 Å thick n + -type a-Si layer to be the contact layer 41 are continuously formed in this order. The formed n + type a-Si layer and a-Si layer are patterned to form the semiconductor layer 35 and the contact layer 41. In step s4, a 2000 Å-thick molybdenum metal is formed on the entire surface of the substrate 31 by a sputtering method, and the molybdenum metal layer is patterned to form the source electrode 36, the drain electrode 37, and the source bus wiring 39, and the TFT 40 is formed. Complete. Figure 4 (1)
FIG. 11 is a cross-sectional view of the substrate 31 on which the TFT 40 is formed after the processing up to step s4 is completed.

【００５８】工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した基板
３１上の全面にポリイミド樹脂を２μｍの厚さに形成
し、有機絶縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリ
ソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁
膜４２にコンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７で
は、有機絶縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図
５に示されるマスク５１を用いて反射電極３８形成領域
に凸部５０ａをパターニングする。さらに、凸部５０ａ
の角をとるために、１２０℃〜２５０℃の範囲で熱処理
を行う。本実施例では、２００℃、３０分の熱処理を行
った。図４（２）に、工程ｓ７までの処理終了後の基板
３１の断面図を示す。マスク５１には、反射電極３８形
成領域に、図５に示されるように斜線で示す円形の遮光
領域５１ａが不規則に形成されている。In step s5, a polyimide resin having a thickness of 2 μm is formed on the entire surface of the substrate 31 on which the TFT 40 is formed, and the organic insulating film 42 is formed. In step s6, the contact hole 43 is formed in the organic insulating film 42 by using the photolithography method and the dry etching method. In step s7, a photoresist 50 is applied on the organic insulating film 42, and the convex portion 50a is patterned in the reflective electrode 38 forming region using the mask 51 shown in FIG. Furthermore, the convex portion 50a
In order to remove the corners, heat treatment is performed in the range of 120 ° C to 250 ° C. In this example, heat treatment was performed at 200 ° C. for 30 minutes. FIG. 4B shows a sectional view of the substrate 31 after the processing up to step s7 is completed. In the mask 51, circular light-shielding regions 51a indicated by diagonal lines are irregularly formed in the reflection electrode 38 formation region as shown in FIG.

【００５９】工程ｓ８では、図４（３）に示されるよう
に、ホトレジスト５０を覆って有機絶縁膜４２をエッチ
ングして高さＨが０．５μｍの凸部４２ａを形成する。
このとき、ホトレジスト５２に熱処理を行い、凸部５０
ａの角をとってあるため、凸部４２ａもまた角がとれた
形に形成される。また、コンタクトホール４３およびＴ
ＦＴ４０上の有機絶縁膜４２は、ホトレジスト５０によ
って保護されており、エッチングは行われない。In step s8, as shown in FIG. 4C, the organic insulating film 42 is etched so as to cover the photoresist 50 to form a convex portion 42a having a height H of 0.5 μm.
At this time, the photoresist 52 is heat-treated to form the protrusion 50.
Since the corners of "a" are taken, the convex portions 42a are also formed in a shape with rounded corners. Also, the contact holes 43 and T
The organic insulating film 42 on the FT 40 is protected by the photoresist 50 and is not etched.

【００６０】工程ｓ９では、有機絶縁膜４２上全面にア
ルミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように凸
部４２ａ上に反射電極３８を形成する。この状態の基板
３１を、反射電極３８を有する基板５２とする。反射電
極３８は、有機絶縁膜４２に形成されたコンタクトホー
ル４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３７と接続さ
れている。In step s9, an aluminum layer is formed on the entire surface of the organic insulating film 42, and the reflective electrode 38 is formed on the convex portion 42a as shown in FIG. 4 (4). The substrate 31 in this state is a substrate 52 having the reflective electrode 38. The reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 of the TFT 40 via a contact hole 43 formed in the organic insulating film 42.

【００６１】有機絶縁膜４２上の凸部４２ａの形状は、
マスク５１の形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドライエ
ッチングの時間によって制御することができることが確
認されている。The shape of the convex portion 42a on the organic insulating film 42 is
It has been confirmed that it can be controlled by the shape of the mask 51, the thickness of the photoresist 50, and the dry etching time.

【００６２】以上の工程によって、反射電極３８を有す
る基板５２を得た。また、上述の製造工程において、有
機絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、凸部
４２ａの高さＨを１μｍとした基板３１を得ることがで
き、高さＨが１μｍである反射電極３８を有する基板３
１を基板５９とする。Through the above steps, the substrate 52 having the reflective electrode 38 was obtained. In the manufacturing process described above, the dry etching time of the organic insulating film 42 can be lengthened to obtain the substrate 31 in which the height H of the convex portions 42a is 1 μm, and the height H of the reflective electrode 38 is 1 μm. Substrate 3 having
1 is a substrate 59.

【００６３】図１に示される他方の基板４５に形成され
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。配向膜４４，４８は、ポリイミドなどを塗
布後、焼成することによって形成されている。基板３
１，４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した
図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することに
よって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を
真空脱気することによって、液晶４９が注入される。液
晶４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホ
スト液晶（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、
光学活性物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．
５％混入したものを用いる。The electrode 47 formed on the other substrate 45 shown in FIG. 1 is made of, for example, ITO and has a thickness of 100.
It is 0Å. The alignment films 44 and 48 are formed by applying polyimide or the like and then baking it. Board 3
A space for enclosing the liquid crystal 49 is formed between 1 and 45 by screen-printing an adhesive sealant (not shown) mixed with a spacer of 7 μm, for example, and the liquid crystal 49 is injected by degassing the space under vacuum. To be done. As the liquid crystal 49, for example, a guest-host liquid crystal mixed with a black dye (manufactured by Merck & Co., product name ZLI2327),
3. An optically active substance (Merck & Co., trade name S811) was used.
Use a mixture of 5%.

【００６４】図６は、反射電極３８を有する基板５２，
５９の反射特性の測定法を示す断面図である。反射電極
３８を有する基板５２，５９上に紫外線硬化接着樹脂５
３を介してガラス基板５４を密着し、測定用装置５５を
形成する。反射型液晶表示装置３０において、基板４５
と液晶４９との屈折率のいずれも約１．５であるので、
紫外線硬化接着樹脂５３および基板５４の屈折率は約
１．５のものを用いている。基板５４の上部に、光の強
度を測定するホトマルチメータ５６が配置されている。
ホトマルチメータ５６は、反射電極３８に基板３１に対
して入射角θで入射する入射光５７のうち、基板３１の
法線方向に反射する散乱光５８を検出するように、基板
３１の法線方向に固定されている。FIG. 6 shows a substrate 52 having a reflective electrode 38,
It is sectional drawing which shows the measuring method of the reflection characteristic of 59. The ultraviolet curing adhesive resin 5 is formed on the substrates 52 and 59 having the reflective electrode 38.
The glass substrate 54 is brought into close contact with the substrate 3 via the 3 to form the measuring device 55. In the reflective liquid crystal display device 30, the substrate 45
Since the refractive indexes of the liquid crystal 49 and the liquid crystal 49 are both about 1.5,
The refractive index of the ultraviolet curing adhesive resin 53 and the substrate 54 is about 1.5. A photomultimeter 56 for measuring the intensity of light is arranged above the substrate 54.
The photomultimeter 56 detects the scattered light 58 reflected in the normal direction of the substrate 31 out of the incident light 57 incident on the reflective electrode 38 at the incident angle θ to the substrate 31, so that the normal line of the substrate 31 is detected. It is fixed in the direction.

【００６５】測定用装置５５に入射される入射光５７の
入射角θを変化させて反射電極３８による散乱光５８を
測定することによって、反射電極３８の反射特性が得ら
れる。この測定結果は、反射型液晶表示装置３０内の反
射電極３８と液晶４９層などとの境界における反射特性
と同様の結果が得られることが確認されている。The reflection characteristic of the reflective electrode 38 can be obtained by changing the incident angle θ of the incident light 57 incident on the measuring device 55 and measuring the scattered light 58 by the reflective electrode 38. It has been confirmed that this measurement result is similar to the reflection characteristic at the boundary between the reflective electrode 38 and the liquid crystal 49 layer in the reflective liquid crystal display device 30.

【００６６】図７は、本実施例の反射電極３８を有する
基板５２，５９の反射特性を示すグラフである。基板５
２の反射特性は曲線６０で示され、基板５９の反射特性
は曲線６１で示される。図７において、入射角θをもっ
て入射する光の反射強度は、θ＝０°の線に対する角θ
の方向に、原点０からの距離として表されている。ま
た、図７に破線で示す曲線６２は、標準白色板（酸化マ
グネシウム）について測定した反射特性を示す。基板５
２の反射特性を示す曲線６０は、入射角は小さい場合に
は基板の法線方向の反射率が大きく、入射角が大きい場
合には法線方向の反射率が小さいという指向性を持って
いる。それに対して、基板５９の反射特性を示す曲線６
１は、標準反射板の反射特性を示す曲線６２と同様の反
射特性を示す曲線６１を有していることが判る。FIG. 7 is a graph showing the reflection characteristics of the substrates 52 and 59 having the reflection electrode 38 of this embodiment. Board 5
The reflection characteristic of No. 2 is shown by a curve 60, and the reflection characteristic of the substrate 59 is shown by a curve 61. In FIG. 7, the reflection intensity of light incident at an incident angle θ is the angle θ with respect to the line of θ = 0 °.
Is represented as the distance from the origin 0. A curve 62 shown by a broken line in FIG. 7 shows the reflection characteristic measured on the standard white plate (magnesium oxide). Board 5
The curve 60 showing the reflection characteristic of No. 2 has directivity that the reflectance in the normal direction of the substrate is large when the incident angle is small, and the reflectance in the normal direction is small when the incident angle is large. . On the other hand, the curve 6 showing the reflection characteristic of the substrate 59
It can be seen that 1 has a curve 61 showing the same reflection characteristic as the curve 62 showing the reflection characteristic of the standard reflection plate.

【００６７】このように、ドライエッチング時間を制御
することによって反射特性６０，６１を制御することが
できる。また、マスク５１の遮光領域５１ａの占める割
合を変化させることによって、正反射成分の大きさを制
御することができる。As described above, the reflection characteristics 60 and 61 can be controlled by controlling the dry etching time. Further, the magnitude of the specular reflection component can be controlled by changing the ratio of the light shielding region 51a of the mask 51.

【００６８】反射型液晶表示装置３０上にホトマルチメ
ータ５６を配置して、反射率を測定した。反射率は、入
射光５７の入射角θが３０°のときの標準白色板におけ
る法線方向への拡散光５８の強度に対する、反射型液晶
表示装置３０の法線方向への拡散光５８の強度の比率を
求めることによって得られる。電圧を印加した場合、入
射角θ＝３０°の入射光に対する反射型液晶表示装置３
０の反射率は、約２０％とかなり明るく、コントラスト
比は５であった。A photomultimeter 56 was placed on the reflection type liquid crystal display device 30 to measure the reflectance. The reflectance is the intensity of the diffused light 58 in the normal direction of the reflective liquid crystal display device 30 with respect to the intensity of the diffused light 58 in the normal direction of the standard white plate when the incident angle θ of the incident light 57 is 30 °. It is obtained by determining the ratio of. When a voltage is applied, the reflective liquid crystal display device 3 for incident light with an incident angle θ = 30 °
The reflectance of 0 was about 20%, which was fairly bright, and the contrast ratio was 5.

【００６９】図８は、本発明の一実施例である反射型液
晶表示装置３０の白色光源光に対する反射光の色をＣＩ
Ｅ色度図に示したグラフである。点Ｗ１は白色光源光を
示し、点Ｗ２は反射型液晶表示装置３０によって表示さ
れる白色を示し、点Ｇは反射型液晶表示装置３０によっ
て表示される緑色を示し、点Ｍは反射型液晶表示装置３
０によって表示されるマゼンタを示している。反射型液
晶表示装置３０の白色を示す点Ｗ２は、白色光源光を示
す点Ｗ１に近いことが判る。FIG. 8 shows the color of the reflected light with respect to the white light source light of the reflection type liquid crystal display device 30 which is one embodiment of the present invention as CI.
It is the graph shown in the E chromaticity diagram. A point W1 indicates white light source light, a point W2 indicates white displayed by the reflective liquid crystal display device 30, a point G indicates green displayed by the reflective liquid crystal display device 30, and a point M indicates reflective liquid crystal display. Device 3
0 indicates magenta. It can be seen that the point W2 indicating white of the reflective liquid crystal display device 30 is close to the point W1 indicating white light source light.

【００７０】本実施例の反射型液晶表示装置３０では、
反射電極３８を形成した面が液晶４９側に位置している
ため、視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。ま
た、本実施例では、凹凸を有する反射電極３８が液晶４
９層側、すなわち液晶４９層にほぼ隣接する位置に配置
されている構成となるため、凸部４２ａの高さＨは、液
晶層厚よりも小さく、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱
さない程度に穏やかにすることが望ましい。In the reflective liquid crystal display device 30 of this embodiment,
Since the surface on which the reflective electrode 38 is formed is located on the liquid crystal 49 side, parallax is eliminated and a good display screen can be obtained. In addition, in this embodiment, the reflective electrode 38 having irregularities is used as the liquid crystal 4.
The height H of the convex portion 42a is smaller than the thickness of the liquid crystal layer, and the inclination angle of the convex portion disturbs the alignment of the liquid crystal because it is arranged on the 9th layer side, that is, at a position almost adjacent to the liquid crystal 49th layer. It is desirable to be gentle to the extent that there is not.

【００７１】さらに、本実施例では、有機絶縁膜４２の
パターニングをドライエッチング法によって行ったが、
有機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合には、アルカリ
溶液によるウエットエッチング法によって行ってもよ
い。また、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用い
たが、アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよ
い。さらに本実施例では、基板３１，４５として、ガラ
スなどから成る透明な材料を用いたが、シリコン基板の
ような不透明な材料でも同様な効果が発揮され、この場
合には回路を基板上に集積できる利点がある。Further, in the present embodiment, the patterning of the organic insulating film 42 was performed by the dry etching method.
When the organic insulating film 42 is a polyimide resin, it may be formed by a wet etching method using an alkaline solution. Although the polyimide resin is used as the organic insulating film 42, other organic materials such as acrylic resin may be used. Further, in this embodiment, the transparent material made of glass or the like is used as the substrates 31 and 45, but the same effect can be obtained by using an opaque material such as a silicon substrate. In this case, the circuit is integrated on the substrate. There are advantages.

【００７２】なお、前記実施例においては、表示モード
として相転移型ゲスト・ホストモードを取上げたけれど
も、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲス
ト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型液
晶表示装置のような光散乱型表示モード、強誘電性液晶
表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様の
効果が得られる。また本実施例では、スイッチング素子
としてＴＦＴ４０を用いた場合について説明したけれど
も、たとえばＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）素
子、ダイオード、バリスタなどを用いたアクティブマト
リクス基板にも適用することができる。In the above embodiment, the phase transition type guest-host mode is adopted as the display mode, but the present invention is not limited to this, and other light absorption modes such as a two-layer guest-host mode are used. Similar effects can be obtained in a light-scattering display mode such as a polymer-dispersed liquid crystal display device and a birefringence display mode used in a ferroelectric liquid crystal display device. Further, although the case where the TFT 40 is used as the switching element has been described in the present embodiment, the present invention can also be applied to an active matrix substrate using, for example, an MIM (Metal-Insulator-Metal) element, a diode, a varistor or the like.

【００７３】図９は、本発明の他の実施例を示す基板３
１の平面図である。反射電極３８上には、有機絶縁膜４
０に形成される凸部４２ａを介して凸部３８ａが不規則
に形成されている。しかしながら、反射電極３８の凸部
３８ａの不規則さは、どの反射電極３８をとっても同様
である。これは、有機絶縁膜４２上に凸部４２ａを形成
する際に用いられるホトマスク５１の各反射電極３８に
対応する領域に、同じ配列パターンで遮光領域５１ａを
形成しているためである。FIG. 9 is a substrate 3 showing another embodiment of the present invention.
It is a top view of 1. The organic insulating film 4 is formed on the reflective electrode 38.
The convex portions 38a are irregularly formed via the convex portions 42a formed in 0. However, the irregularity of the convex portions 38 a of the reflective electrode 38 is the same regardless of which reflective electrode 38 is used. This is because the light shielding regions 51a are formed in the same array pattern in the regions corresponding to the respective reflection electrodes 38 of the photomask 51 used when forming the convex portions 42a on the organic insulating film 42.

【００７４】凸部４２ａを形成するためのホトマスク５
１の各反射電極３８に対応する領域に、それぞれ異なる
配列パターンの遮光領域５１ａを設計することもできる
けれども、このような方法を採ると、配列パターンの形
成に必要とされるデータ量が増大し、ホトマスク５１の
作成が困難となる。しかしながら本実施例によれば、各
反射電極３８に対応する領域のホトマスク５１上には、
それぞれ同じ配列パターンで遮光領域５１ａが形成され
るため、１反射電極３８に対応する配列パターンを形成
するだけでよく、ホトマスク５１の作成が容易となる。Photomask 5 for forming convex portion 42a
Although it is possible to design the light-shielding regions 51a having different array patterns in the regions corresponding to the respective one reflection electrodes 38, if such a method is adopted, the amount of data required for forming the array pattern increases. It becomes difficult to make the photomask 51. However, according to the present embodiment, on the photomask 51 in the region corresponding to each reflective electrode 38,
Since the light-shielding regions 51a are formed in the same arrangement pattern, it is only necessary to form the arrangement pattern corresponding to the one reflection electrode 38, and the photomask 51 can be easily formed.

【００７５】また図９に示される凸部４２ａは、２種類
の円形の遮光領域が不規則に配列されているホトマスク
を用いて形成されている。凸部３８ａの大きさは、たと
えば断面形状の最大直径を５μｍと１０μｍとし、高さ
は０．６μｍとし、それらが１反射電極３８に対応する
領域のみランダムに形成し、残りの絵素はその配列パタ
ーンを繰返している。たとえば、絵素の大きさは、３０
０μｍ×３００μｍ、絵素数３２０×２４０、対角サイ
ズ５インチであるようなモノクロ反射型液晶表示装置を
作成した。The convex portion 42a shown in FIG. 9 is formed by using a photomask in which two types of circular light-shielding regions are irregularly arranged. Regarding the size of the convex portion 38a, for example, the maximum diameter of the cross-sectional shape is 5 μm and 10 μm, the height is 0.6 μm, and only the region corresponding to one reflection electrode 38 is randomly formed, and the rest of the picture elements are The array pattern is repeated. For example, the size of a pixel is 30
A monochrome reflective liquid crystal display device having a size of 0 μm × 300 μm, a pixel number of 320 × 240, and a diagonal size of 5 inches was prepared.

【００７６】なお、反射型液晶表示装置３０の構成、凸
部４２ａの作成方法、表示モードなどは前述の実施例と
同様である。全面点灯させたときの表示は、隣の絵素と
の干渉による色は見えず、良好な白色が得られた。The structure of the reflection type liquid crystal display device 30, the method of forming the convex portion 42a, the display mode and the like are the same as those in the above-mentioned embodiment. In the display when the entire surface was turned on, the color due to the interference with the adjacent picture element was not visible, and a good white color was obtained.

【００７７】反射電極３８の数が多くなり、反射電極３
９のピッチが小さくなったときに、特に隣の反射電極３
８が形成する絵素との干渉色が問題となる場合には、２
種類以上の配列パターンを組合せてホトマスク５１を形
成すればよい。The number of reflection electrodes 38 increases, and the reflection electrodes 3
When the pitch of 9 becomes small, especially the adjacent reflective electrode 3
When the interference color with the picture element formed by 8 becomes a problem, 2
The photomask 51 may be formed by combining more than one kind of array pattern.

【００７８】以上のように本実施例によれば、反射電極
３８部分のみに凹凸を形成するため、ソースバス配線３
９と反射電極３８との絶縁不良が生じず、また反射電極
３８周縁部の有機絶縁膜４２上は凹凸がなく平坦である
ためパターニング不良は生じず、反射型液晶表示装置３
０の表示品位が向上する。また、反射電極３８部分に形
成される凸部４２ａは不規則に配置され、また先細状に
かつ先端部は球面状に形成され、１種類あるいは大きさ
の異なる２種類以上の形状から成るため、反射型液晶表
示装置３０の法線方向への拡散光の強度が向上する。As described above, according to this embodiment, since the unevenness is formed only on the reflective electrode 38 portion, the source bus wiring 3
9 does not cause insulation failure between the reflective electrode 38 and the reflective electrode 38, and since the organic insulating film 42 at the peripheral edge of the reflective electrode 38 is flat and has no irregularities, patterning failure does not occur, and the reflective liquid crystal display device 3
The display quality of 0 is improved. In addition, the convex portions 42a formed on the reflective electrode 38 portion are arranged irregularly, and the tip end portion is formed in a spherical shape, and is composed of one type or two or more types having different sizes. The intensity of diffused light in the normal direction of the reflective liquid crystal display device 30 is improved.

【００７９】また本実施例によれば、前記凸部４２ａの
配列パターンが各反射電極３８において同一であるた
め、容易に凸部の形成を行うことができる。Further, according to this embodiment, since the arrangement pattern of the convex portions 42a is the same in each reflection electrode 38, the convex portions can be easily formed.

【００８０】図１０は、本発明のさらに他の実施例であ
る反射型液晶表示装置１３０の断面図であり、図１１は
図１０に示される基板１３１の平面図である。ガラスな
どから成る絶縁性の基板１３１上に、クロム、タンタル
などから成る複数のゲートバス配線１３２が互いに平行
に設けられ、ゲートバス配線１３２からはゲート電極１
３３が分岐している。ゲートバス配線１３０には、走査
線として機能している。FIG. 10 is a sectional view of a reflection type liquid crystal display device 130 which is still another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a plan view of the substrate 131 shown in FIG. A plurality of gate bus wirings 132 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 131 made of glass or the like.
33 is branched. The gate bus line 130 functions as a scanning line.

【００８１】ゲート電極１３３を覆って基板１３１上の
全面に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯx ）などから成るゲート絶縁膜１３４が形成されて
いる。ゲート電極１３３の上方のゲート絶縁膜１３４上
には、非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記
す。）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体
層１３５が形成されている。半導体層１３５の両端部に
は、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極１４１が形成
されている。一方のコンタクト電極１４１上には、チタ
ン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極
１３６が重畳形成され、他方のコンタクト電極１４１上
には、ソース電極１３６と同様にチタン、モリブデン、
アルミニウムなどから成るドレイン電極１３７が重畳形
成されている。Silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (S) are formed on the entire surface of the substrate 131 so as to cover the gate electrode 133.
A gate insulating film 134 made of iO x ) or the like is formed. A semiconductor layer 135 made of amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”), polycrystalline silicon, CdSe, or the like is formed over the gate insulating film 134 above the gate electrode 133. Contact electrodes 141 made of a-Si or the like are formed on both ends of the semiconductor layer 135. A source electrode 136 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on one contact electrode 141 in an overlapping manner, and on the other contact electrode 141, similarly to the source electrode 136, titanium, molybdenum,
A drain electrode 137 made of aluminum or the like is formed so as to overlap.

【００８２】図１１に示すように、ソース電極１３６に
は、ゲートバス配線１３２と前述のゲート絶縁膜１３４
を挟んで交差するソースバス配線１３９が接続されてい
る。ソースバス配線１３９は、信号線として機能してい
る。ソースバス配線１３９も、ソース電極１３６と同様
の金属で形成されている。ゲート電極１３３、ゲート絶
縁膜１３４、半導体層１３５、ソース電極１３６および
ドレイン電極１３７は、薄膜トランジスタ（以下、「Ｔ
ＦＴ」と記す。）１４０を構成し、該ＴＦＴ１４０は、
スイッチング素子の機能を有する。As shown in FIG. 11, the source electrode 136 has a gate bus line 132 and the above-described gate insulating film 134.
Source bus lines 139 intersecting with each other are connected. The source bus line 139 functions as a signal line. The source bus line 139 is also made of the same metal as the source electrode 136. The gate electrode 133, the gate insulating film 134, the semiconductor layer 135, the source electrode 136, and the drain electrode 137 are thin film transistors (hereinafter, referred to as “T
FT ”. ) 140, and the TFT 140 is
It has the function of a switching element.

【００８３】反射電極１３８が形成される領域には、複
数の凸部１４２ａが不規則に形成されている。ゲートバ
ス配線１３２、ソースバス配線１３９、ＴＦＴ１４０お
よび凸部１４２ａを覆って、基板１３１上全面に有機絶
縁膜１４２が形成されている。有機絶縁膜１４２には、
凸部１４２ａに応じた凸部１４２ｂが生じる。ドレイン
電極１３７部分には、コンタクトホール１４３が形成さ
れている。液晶表示装置１３０を作成する際の液晶層厚
のバラツキを小さくするため、凸部１４２ｂの高さＨ１
は液晶層の厚さより小さい１０μｍ以下が好ましい。一
般に、液晶層の厚さは１０μｍ以下であるためである。
また、凸部１４２ａのピッチは、１００μｍ以下が好ま
しい。凸部１４２ａが形成されている領域上の有機絶縁
膜１４２上にアルミニウム、銀などから成る反射電極１
３８が形成され、反射電極１３８はコンタクトホール１
４３においてドレイン電極１３７と接続される。さら
に、その上に配向膜１４４が形成される。A plurality of convex portions 142a are irregularly formed in the region where the reflective electrode 138 is formed. An organic insulating film 142 is formed on the entire surface of the substrate 131 so as to cover the gate bus wiring 132, the source bus wiring 139, the TFT 140 and the convex portion 142a. The organic insulating film 142 includes
A convex portion 142b corresponding to the convex portion 142a is generated. A contact hole 143 is formed in the drain electrode 137 portion. In order to reduce variations in the thickness of the liquid crystal layer when manufacturing the liquid crystal display device 130, the height H1 of the convex portion 142b is
Is preferably 10 μm or less, which is smaller than the thickness of the liquid crystal layer. This is because the thickness of the liquid crystal layer is generally 10 μm or less.
Further, the pitch of the convex portions 142a is preferably 100 μm or less. The reflective electrode 1 made of aluminum, silver or the like is formed on the organic insulating film 142 on the region where the convex portion 142a is formed.
38 is formed, and the reflective electrode 138 forms the contact hole 1
At 43, it is connected to the drain electrode 137. Further, an alignment film 144 is formed on it.

【００８４】反射電極１３８は、図１１に示されるよう
に、ゲートバス配線１３２の一部およびソースバス配線
１３９の一部に有機絶縁膜１４２を介して重畳されるよ
うに形成されている。このため、反射電極１３８の面積
を大きくすることができ、表示画面の開口率が大きくな
り、明るい表示が可能となる。反射電極１３８のパター
ニング不良をなくすためには、反射電極１３８の周縁部
には、凸部１４２ａを形成しない構成とすればよい。ま
た、反射電極１３８とゲートバス配線１３２およびソー
スバス配線１３９との絶縁不良が生じるときには、重畳
する部分には凸部１４２ａを形成しない構成とすればよ
い。As shown in FIG. 11, the reflective electrode 138 is formed so as to overlap a part of the gate bus line 132 and a part of the source bus line 139 via the organic insulating film 142. Therefore, the area of the reflective electrode 138 can be increased, the aperture ratio of the display screen is increased, and bright display is possible. In order to eliminate defective patterning of the reflective electrode 138, the convex portion 142a may not be formed on the peripheral edge of the reflective electrode 138. Further, when insulation failure occurs between the reflective electrode 138 and the gate bus line 132 and the source bus line 139, the convex portion 142a may not be formed in the overlapping portion.

【００８５】基板１４５上には、カラーフィルタ１４６
が形成される。カラーフィルタ１４６は、基板１３１の
反射電極１３８に対向する領域には、マゼンタまたは緑
色のフィルタ１４６ａが形成され、反射電極１３８に対
向しない領域には、黒色のフィルタ１４６ｂが形成され
る。カラーフィルタ１４６上の全面には、ＩＴＯなどか
ら成る透明電極１４７、さらにその上に配向膜１４８が
形成される。A color filter 146 is formed on the substrate 145.
Is formed. In the color filter 146, a magenta or green filter 146a is formed in a region facing the reflective electrode 138 of the substrate 131, and a black filter 146b is formed in a region not facing the reflective electrode 138. A transparent electrode 147 made of ITO or the like is formed on the entire surface of the color filter 146, and an alignment film 148 is further formed thereon.

【００８６】両基板１３１，１４５は、反射電極１３８
とフィルタ１４６ａとが一致するように間隔をあけて対
向して貼合わせられ、基板間に液晶１４９が注入されて
反射型液晶表示装置１３０が完成する。Both substrates 131 and 145 are provided with a reflective electrode 138.
And the filter 146a are bonded so as to face each other with a space so as to match, and the liquid crystal 149 is injected between the substrates to complete the reflective liquid crystal display device 130.

【００８７】図１２は、図１１および図１２に示される
凸部を有する反射電極１３８を基板１３１上に形成する
形成方法を説明する工程図であり、図１３は図１２に示
す形成方法を説明する断面図であり、図１４は図１２の
工程ａ５で用いられるマスク１５１の平面図である。図
１３（１）は図１２の工程ａ４を示し、図１３（２）は
図１２の工程ａ５を示し、図１３（３）は図１２の工程
ａ６を示し、図１３（４）は図１２の工程ａ８を示し、
図１３（５）は図１２の工程ａ９を示している。FIG. 12 is a process chart for explaining the forming method for forming the reflective electrode 138 having the convex portions shown in FIGS. 11 and 12 on the substrate 131, and FIG. 13 for explaining the forming method shown in FIG. 14 is a plan view of the mask 151 used in step a5 of FIG. 13 (1) shows step a4 of FIG. 12, FIG. 13 (2) shows step a5 of FIG. 12, FIG. 13 (3) shows step a6 of FIG. 12, and FIG. 13 (4) shows FIG. Step a8 of
FIG. 13 (5) shows the step a9 of FIG.

【００８８】工程ａ１では、ガラスなどから成る絶縁性
の基板１３１上にスパッタリング法によって３０００Å
の厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリ
ソグラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線１３２およびゲート電極１３３を形
成する。工程ａ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０
００Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜１３
４を形成する。In step a1, 3000 Å is deposited on the insulating substrate 131 made of glass or the like by the sputtering method.
A tantalum metal layer having a thickness of 1 is formed, and the metal layer is patterned by photolithography and etching to form the gate bus wiring 132 and the gate electrode 133. In step a2, the plasma CVD method is used to
Gate insulating film 13 made of silicon nitride with a thickness of 00Å
4 is formed.

【００８９】工程ａ３では、半導体層１３５となる厚さ
１０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層１４１となる
厚さ４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に
形成する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ
層のパターニングを行い、半導体層１３５およびコンタ
クト層１４１を形成する。工程ａ４では、基板１３１の
全面に厚さ２０００Åのモリブデン金属をスパッタ法に
よって形成し、このモリブデン金属層のパターニングを
行って、ソース電極１３６、ドレイン電極１３７および
ソースバス配線１３９を形成し、ＴＦＴ１４０が完成す
る。図１３（１）は、工程ａ４までの処理終了後のＴＦ
Ｔ１４０が形成された基板１３１の断面図である。In step a3, an a-Si layer having a thickness of 1000Å to be the semiconductor layer 135 and an n + -type a-Si layer having a thickness of 400Å to be the contact layer 141 are successively formed in this order. Formed n + -type a-Si layer and a-Si
The layers are patterned to form the semiconductor layer 135 and the contact layer 141. In step a4, molybdenum metal having a thickness of 2000Å is formed on the entire surface of the substrate 131 by a sputtering method, and the molybdenum metal layer is patterned to form the source electrode 136, the drain electrode 137 and the source bus line 139, and the TFT 140 is formed. Complete. FIG. 13A shows the TF after the processing up to the step a4 is completed.
It is sectional drawing of the board | substrate 131 in which T140 was formed.

【００９０】工程ａ５では、ＴＦＴ１４０を形成した基
板１３１上全面にホトレジスト（商品名：ＯＦＰＲ−８
００）を１２００Åの厚さに塗布し、図１４に示される
マスク１５１を用いて、図１３（２）に示されるよう
に、凸部１４２ａを形成する。マスク１５１には、反射
電極１３８の形成領域に図１４に示されるように、斜線
で示す円形の遮光領域１５１ａ，１５１ｂが不規則に形
成されている。遮光領域１５１ａの直径Ｄ１は、遮光領
域１５１ｂの直径Ｄ２よりも大きく形成されている。た
とえば、直径Ｄ１は１０μｍであり、直径Ｄ２は５μｍ
である。直径Ｄ１，Ｄ２は、それぞれ２０μｍ以下が好
ましい。本実施例では、２種類の遮光領域１５１ａ，１
５１ｂを有するマスク１５１を用いたけれども、マスク
１５１はこれには限定されない。遮光領域は１種類の円
形でもよく、また３種類以上の円形でもよい。その後、
熱処理を行い、図１３（２）に示されるように、凸部１
４２ａを角がとれた形状に形成する。In step a5, a photoresist (trade name: OFPR-8) is formed on the entire surface of the substrate 131 on which the TFT 140 is formed.
00) is applied to a thickness of 1200 Å, and the convex portion 142a is formed as shown in FIG. 13B using the mask 151 shown in FIG. In the mask 151, circular light-shielding regions 151a and 151b indicated by diagonal lines are irregularly formed in the region where the reflective electrode 138 is formed, as shown in FIG. The diameter D1 of the light shielding area 151a is formed larger than the diameter D2 of the light shielding area 151b. For example, the diameter D1 is 10 μm and the diameter D2 is 5 μm.
Is. The diameters D1 and D2 are preferably 20 μm or less. In this embodiment, two types of light blocking areas 151a, 151a, 1
Although the mask 151 having 51b is used, the mask 151 is not limited to this. The light-shielding region may be one type of circle or three or more types of circles. afterwards,
Heat treatment is performed, and as shown in FIG.
42a is formed in a shape with rounded corners.

【００９１】工程ａ６では、基板１３１上全面にポリイ
ミド樹脂を１μｍの厚さに塗布し、図１３（３）に示さ
れるように、有機絶縁膜１４２を形成する。工程ａ７で
は、ホトリソグラフ法およびドライエッチング法を用い
て有機絶縁膜１４２にコンタクトホール１４３を形成す
る。In step a6, a polyimide resin is applied to the entire surface of the substrate 131 to a thickness of 1 μm to form an organic insulating film 142 as shown in FIG. 13C. In step a7, the contact hole 143 is formed in the organic insulating film 142 by using the photolithography method and the dry etching method.

【００９２】工程ａ８では、凸部１４２ｂを有する有機
絶縁膜１４２上全面に図１３（４）に示されるようにア
ルミニウムから成る金属薄膜を形成し、工程ａ９では図
１３（５）に示されるように凸部１４２ｂ上に反射電極
１３８をパターニングする。反射電極１３８は、有機絶
縁膜１４２に形成されたコンタクトホール１４３を介し
てＴＦＴ１４０のドレイン電極１３７と接続されてい
る。反射電極１３８のパターニング時に、有機絶縁膜１
４２の下のホトレジストから成る凸部１４２ａは、露
光、現像、アルミニウムのエッチング、レジストの剥離
の工程を通しても、何の変化も見られないことを確認し
ている。In step a8, a metal thin film made of aluminum is formed on the entire surface of the organic insulating film 142 having the convex portions 142b as shown in FIG. 13 (4). In step a9, as shown in FIG. 13 (5). The reflective electrode 138 is patterned on the convex portion 142b. The reflective electrode 138 is connected to the drain electrode 137 of the TFT 140 via a contact hole 143 formed in the organic insulating film 142. When the reflective electrode 138 is patterned, the organic insulating film 1
It has been confirmed that the convex portion 142a made of photoresist under 42 does not show any change through the steps of exposure, development, aluminum etching, and resist stripping.

【００９３】凸部１４２ａの形状は、マスク１５１の形
状、凸部１４２ａとなるホトレジストの厚さによって制
御することができることが確認されている。また、凸部
１４２ａの角は、凸部１４２ａの形成後、熱処理をする
ことによって容易にとることができる。It has been confirmed that the shape of the convex portion 142a can be controlled by the shape of the mask 151 and the thickness of the photoresist that becomes the convex portion 142a. Further, the corners of the convex portion 142a can be easily taken by performing heat treatment after forming the convex portion 142a.

【００９４】図１０に示される他方の基板１４５に形成
される電極１４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは
１０００Åである。電極１３８，１４７上の配向膜１４
４，１４８は、ポリイミドなどを塗布後、焼成すること
によって形成されている。基板１３１，１４５間には、
たとえば７μｍのスペーサを混入した図示しない接着性
シール剤をスクリーン印刷することによって、液晶１４
９を封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気する
ことによって液晶１４９が注入される。液晶１４９とし
ては、たとえば黒色色素を混入したゲストホスト液晶
（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光学活性
物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５％混入
したものを用いる。The electrode 147 formed on the other substrate 145 shown in FIG. 10 is made of, for example, ITO and has a thickness of 1000Å. Alignment film 14 on electrodes 138 and 147
4, 148 are formed by applying polyimide or the like and then baking. Between the substrates 131 and 145,
For example, a liquid crystal 14 is formed by screen-printing an adhesive sealant (not shown) mixed with a spacer of 7 μm.
A space for enclosing 9 is formed, and liquid crystal 149 is injected by evacuating the space under vacuum. As the liquid crystal 149, for example, a guest-host liquid crystal mixed with a black dye (Merck, trade name ZLI2327) mixed with 4.5% of an optically active substance (Merck, trade name S811) is used.

【００９５】図１５は、本発明の反射型液晶表示装置１
３０の反射特性の測定に用いられる反射板１７０の製造
工程を説明する工程図であり、図１６は図１５の各工程
を説明する断面図である。工程ｂ１では、図１６（１）
に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス（商品名 ７０
５９ コーニング社製）１７１の一方表面に、レジスト
材料として、たとえばＯＦＴＲ−８００（東京応化社
製）を好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピ
ンコートによって塗布する。本実施例では、３０００ｒ
ｐｍで３０秒間塗布し、レジスト１７２を１．２μｍ成
膜した。FIG. 15 shows a reflection type liquid crystal display device 1 of the present invention.
FIG. 16 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the reflection plate 170 used for measuring the reflection characteristic of No. 30, and FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating each process of FIG. 15. In step b1, FIG.
As shown in Figure 1, 1.1 mm thick glass (brand name 70
For example, OFTR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to one surface of 171 manufactured by Corning Inc. 59) by spin coating, preferably at 500 rpm to 3000 rpm. In this embodiment, 3000r
It was applied at pm for 30 seconds to form a resist 172 having a thickness of 1.2 μm.

【００９６】工程ｂ２では、レジスト１７２を１００℃
で３０分間プリベークし、工程ｂ３では、図１６（２）
に示すように、レジスト１７２上に円形の遮光領域１５
１ａ，１５１ｂを有するホトマスク１５１を配置して露
光を行い、工程ｂ４では、図１６（３）に示すように、
レジスト１７２を現像し、基板１７１表面に不規則な略
円柱形の凸部１７４を形成した。現像液として、２．３
８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用いた。In step b2, the resist 172 is heated to 100 ° C.
Pre-baking for 30 minutes in step b3, and in step b3, as shown in FIG.
As shown in FIG.
A photomask 151 having 1a and 151b is arranged and exposed, and in step b4, as shown in FIG.
The resist 172 was developed to form irregular substantially cylindrical projections 174 on the surface of the substrate 171. 2.3 as a developer
8% NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was used.

【００９７】工程ｂ５では、ガラス基板１７１上の凸部
１７４を好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理する
と、図１６（４）に示されるように角はとれて球面状の
滑らかな凸部１７４が形成される。本実施例では、１８
０℃で３０分間熱処理を行った。工程ｂ６では、図１６
（５）に示すように凸部１７４を形成した基板１７１上
に有機絶縁膜１７４ａを形成した。有機絶縁膜１７４ａ
としては、ポリイミド樹脂を好ましくは９２０ｒｐｍ〜
３５００ｒｐｍで２０秒間スピンコートによって塗布す
る。本実施例では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布し、
１μｍの厚さの有機絶縁膜７４ａを成膜した。有機絶縁
膜１７４ａには、凸部１７４に応じた凸部が生じるが、
凸部１７４よりは滑らかである。In step b5, the convex portion 174 on the glass substrate 171 is heat-treated at preferably 120 ° C. to 250 ° C., and as shown in FIG. It is formed. In this embodiment, 18
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 30 minutes. In step b6, FIG.
As shown in (5), the organic insulating film 174a was formed on the substrate 171 on which the convex portion 174 was formed. Organic insulating film 174a
As the polyimide resin, preferably 920 rpm
Apply by spin coating for 20 seconds at 3500 rpm. In this example, application was performed at 2200 rpm for 20 seconds,
An organic insulating film 74a having a thickness of 1 μm was formed. The organic insulating film 174a has a protrusion corresponding to the protrusion 174.
It is smoother than the convex portion 174.

【００９８】工程ｂ７では、図１６（６）に示すように
有機絶縁膜１７４ａ上に金属薄膜１７５を形成した。金
属薄膜１７５としては、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、銀、銅などが挙げることができる。金属薄膜１７５
の厚さは、０．０１μｍ〜１．０μｍ程度が適してい
る。本実施例では、アルミニウムを真空蒸着することに
よって金属薄膜１７５を形成した。金属薄膜１７５は、
凸部１７４に沿って形成された有機絶縁膜１７４ａ上に
形成されているため、凸部１７４に応じた不規則な円形
の凸部１７５ａを有している。以上によって反射板１７
０を得た。In step b7, a metal thin film 175 was formed on the organic insulating film 174a as shown in FIG. 16 (6). Examples of the metal thin film 175 include aluminum, nickel, chromium, silver, copper, and the like. Metal thin film 175
A thickness of 0.01 μm to 1.0 μm is suitable. In this example, the metal thin film 175 was formed by vacuum-depositing aluminum. The metal thin film 175 is
Since it is formed on the organic insulating film 174a formed along the convex portion 174, it has an irregular circular convex portion 175a corresponding to the convex portion 174. With the above, the reflection plate 17
I got 0.

【００９９】図１７は、反射板１７０の反射特性の測定
法を説明する側面図である。通常、液晶表示装置１３０
に用いられる基板１３１，１４５および液晶１４９層の
屈折率は、それぞれ約１．５である。反射板１７０の表
面と、液晶１４９層とが接する構成を想定し、本実施例
では屈折率１．５の紫外線硬化樹脂１７７を用いてガラ
ス基板１７６を反射板１７０に密着させて、反射板１７
０の反射特性を測定した。この測定結果は、反射板１７
５の表面と液晶１４９層の境界における反射特性と同様
の結果を与えることを確認している。FIG. 17 is a side view for explaining a method of measuring the reflection characteristic of the reflector 170. Usually, the liquid crystal display device 130
The refractive indexes of the substrates 131 and 145 and the liquid crystal 149 layer used in the above are about 1.5, respectively. Assuming that the surface of the reflection plate 170 and the liquid crystal 149 layer are in contact with each other, in this embodiment, the glass substrate 176 is brought into close contact with the reflection plate 170 by using an ultraviolet curable resin 177 having a refractive index of 1.5, and the reflection plate 17 is formed.
The reflection property of 0 was measured. This measurement result is the reflection plate 17
It was confirmed that the same result as the reflection characteristic at the boundary between the surface of No. 5 and the liquid crystal 149 layer was obtained.

【０１００】図１７に示すように、反射特性の測定は、
反射板１７０に入射する入射光１７９の散乱光１８０を
ホトマルチメータ１７８で検出することによって行われ
る。反射板１７０には、その法線に対し角度θをもって
入射光１７９が入射する。ホトマルチメータ１７８は、
金属薄膜１７５上の入射光１７９が照射される点を通る
反射板１７０の法線方向に固定されている。入射光１７
９の入射角度θを代えて入射光１７９の金属薄膜１７５
による散乱光１８０の強度を測定することによって反射
特性が得られた。As shown in FIG. 17, the reflection characteristic is measured by
The photomultimeter 178 detects the scattered light 180 of the incident light 179 incident on the reflection plate 170. Incident light 179 is incident on the reflector 170 at an angle θ with respect to the normal. The photo multimeter 178
It is fixed in the normal direction of the reflector 170 passing through the point on the metal thin film 175 where the incident light 179 is irradiated. Incident light 17
The incident angle θ of 9 is changed and the metal thin film 175 of the incident light 179 is changed.
The reflection characteristics were obtained by measuring the intensity of the scattered light 180 by.

【０１０１】図１８は、入射角度θと反射強度との関係
を示すグラフである。入射角度θである入射光１７９の
反射強度は、θ＝０°の線に対する角度θの方向に、原
点０からの距離として表されている。θ＝７０°の反射
強度をＰ１、θ＝６０°の反射強度をＰ２、θ＝４０°
の反射強度をＰ３、θ＝３０°の反射強度をＰ４、θ＝
−３０°の反射強度をＰ５、θ＝−４０°の反射強度を
Ｐ６、θ＝−６０°の反射強度をＰ７、θ＝−７０°の
反射強度をＰ８で示している。FIG. 18 is a graph showing the relationship between the incident angle θ and the reflection intensity. The reflection intensity of the incident light 179 having the incident angle θ is represented as the distance from the origin 0 in the direction of the angle θ with respect to the line of θ = 0 °. The reflection intensity at θ = 70 ° is P1, the reflection intensity at θ = 60 ° is P2, and θ = 40 °
Is P3, θ = 30 ° is P4, θ =
The reflection intensity at −30 ° is indicated by P5, the reflection intensity at θ = −40 ° is indicated by P6, the reflection intensity at θ = −60 ° is indicated by P7, and the reflection intensity at θ = −70 ° is indicated by P8.

【０１０２】図１８では、酸化マグネシウムの標準白色
板の反射特性曲線を破線８１で示している。θ＝３０°
の反射強度Ｐ４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反
射強度Ｐ１０よりも優れており、θ＝−３０°の反射強
度もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ
１１よりも優れていることが判る。In FIG. 18, the broken line 81 shows the reflection characteristic curve of the standard white plate of magnesium oxide. θ = 30 °
Is superior to the reflection intensity P10 of magnesium oxide at θ = 30 °, and the reflection intensity P of θ = −30 ° is also the reflection intensity P of magnesium oxide at θ = −30 °.
It turns out that it is superior to 11.

【０１０３】以上のように本実施例によれば、形状の制
御が容易であり、再現性を有するホトレジストから成る
凸部１４２ａ上に凸部１４２ａに沿って形成された凸部
１４２ｂを有する有機絶縁膜１４２上に、凸部１４２ｂ
に沿った反射電極１３８を形成する。凸部１４２ａの形
状を制御することによって、良好な反射特性を有する反
射電極１３８が得られ、反射型液晶表示装置１３０の表
示品位が向上する。As described above, according to this embodiment, the organic insulation having the convex portion 142b formed along the convex portion 142a is formed on the convex portion 142a which is easy to control the shape and has reproducibility. The convex portion 142b is formed on the film 142.
A reflective electrode 138 is formed along the line. By controlling the shape of the convex portion 142a, the reflective electrode 138 having good reflective characteristics is obtained, and the display quality of the reflective liquid crystal display device 130 is improved.

【０１０４】前述のホトマスク１５１は、図１９に示す
ようなものを用いるのが好ましい。図１９（１）では、
遮光領域１５１ａ，１５１ｂの総面積がマスク１５１の
総面積の約４７％であり、図１９（２）では遮光領域１
５１ａ，１５１ｂの総面積がマスク１５１の総面積の４
１％である。The photomask 151 described above is preferably used as shown in FIG. In FIG. 19 (1),
The total area of the light shielding areas 151a and 151b is about 47% of the total area of the mask 151, and in FIG.
The total area of 51a and 151b is 4 times the total area of the mask 151.
1%.

【０１０５】図２０は、遮光領域１５１ａ，１５１ｂが
総面積の４０％以上を占めるマスク５１，１５１を用い
て形成された反射薄膜７５，１７５における入射角度θ
と反射強度との関係を示すグラフである。入射角度θで
ある入射光７８，１７８の反射強度は、θ＝０°の線に
対する角度θの方向に、原点０からの距離として表され
ている。θ＝７０°の反射強度をＰ２１、θ＝６０°の
反射強度をＰ２２、θ＝４０°の反射強度をＰ２３、θ
＝３０°の反射強度をＰ２４、θ＝２５°の反射強度を
Ｐ２５、θ＝−２５°の反射強度をＰ２６、θ＝−３０
°の反射強度をＰ２７、θ＝−４０°の反射強度をＰ２
８、θ＝−６０°の反射強度をＰ２９、θ＝−７０°の
反射強度をＰ３０で示している。FIG. 20 shows the incident angle θ on the reflective thin films 75 and 175 formed using the masks 51 and 151 in which the light shielding regions 151a and 151b occupy 40% or more of the total area.
It is a graph which shows the relationship between and reflection intensity. The reflection intensity of the incident light 78, 178 having the incident angle θ is represented as the distance from the origin 0 in the direction of the angle θ with respect to the line of θ = 0 °. The reflection intensity at θ = 70 ° is P21, the reflection intensity at θ = 60 ° is P22, the reflection intensity at θ = 40 ° is P23, θ
= 30 ° reflection intensity is P24, θ = 25 ° reflection intensity is P25, θ = −25 ° reflection intensity is P26, θ = −30
The reflection intensity of ° is P27, and the reflection intensity of θ = -40 ° is P2.
8, the reflection intensity at θ = −60 ° is indicated by P29, and the reflection intensity at θ = −70 ° is indicated by P30.

【０１０６】図２０では、また酸化マグネシウムの標準
白色板の反射特性曲線を破線１８１で示している。θ＝
３０°の反射強度Ｐ２４は、θ＝３０°の酸化マグネシ
ウムの反射強度Ｐ３４よりも優れており、θ＝−３０°
の反射強度Ｐ２７もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウ
ムの反射強度Ｐ３７よりも優れていることが判る。In FIG. 20, the reflection characteristic curve of a standard white plate of magnesium oxide is shown by a broken line 181. θ =
The reflection intensity P24 at 30 ° is superior to the reflection intensity P34 of magnesium oxide at θ = 30 °, and θ = −30 °
It can be seen that the reflection intensity P27 of is also superior to the reflection intensity P37 of magnesium oxide with θ = −30 °.

【０１０７】これに対し、遮光領域１５１ａ，１５１ｂ
が総面積の４０％未満、たとえば３５％のホトマスク１
５１を用いて同様の方法で反射板の反射特性を図２１に
示す。θ＝３０°の反射強度Ｐ５４は、θ＝３０°の酸
化マグネシウムの反射強度Ｐ４４よりも劣っており、θ
＝−３０°の反射強度Ｐ５７もまたθ＝−３０°の酸化
マグネシウムの反射強度Ｐ４７よりも劣っていることが
判る。これは、凸部が４０％未満であると、正反射成分
が非常に多く、散乱が少ないため視野が狭められていた
と考えられる。On the other hand, the light shielding areas 151a and 151b
Is less than 40% of the total area, for example 35% photomask 1
FIG. 21 shows the reflection characteristics of the reflection plate in the same manner using 51. The reflection intensity P54 at θ = 30 ° is inferior to the reflection intensity P44 of magnesium oxide at θ = 30 °.
It can be seen that the reflection intensity P57 at -30 ° is also inferior to the reflection intensity P47 of magnesium oxide at θ = -30 °. It is considered that when the convex portion is less than 40%, the field of view is narrowed because the specular reflection component is extremely large and scattering is small.

【０１０８】図２２は、遮光領域１５１ａ，１５１ｂの
マスクの総面積に占める割合を変化させたホトマスク１
５１を用いて作成した反射板のθ＝３０°での反射率を
示す。図２２から凸部の割合を４０％以上とすることに
よって高い反射率の反射板が得られることが判る。この
他に、ホトレジストの種類や、膜厚、熱処理温度を選択
することによって、凸部の傾斜角度を自由に制御するこ
とができ、これによって反射特性を制御できる。また、
有機絶縁膜の種類や膜厚によっても反射特性を制御でき
る。FIG. 22 shows the photomask 1 in which the ratio of the light shielding regions 151a and 151b to the total area of the mask is changed.
The reflectance at θ = 30 ° of the reflector prepared by using No. 51 is shown. It can be seen from FIG. 22 that a reflector having a high reflectance can be obtained by setting the ratio of the convex portions to 40% or more. In addition to this, by selecting the type of photoresist, the film thickness, and the heat treatment temperature, it is possible to freely control the inclination angle of the convex portion, and thereby the reflection characteristic can be controlled. Also,
The reflection characteristics can be controlled by the type and thickness of the organic insulating film.

【０１０９】本実施例の反射型液晶表示装置１３０で
は、反射電極１３８を形成した面が液晶１４９側に位置
しているため視差がなくなり、良好な表示画面が得られ
る。また本実施例では、凹凸を有する反射電極１３８が
液晶１４９層側、すなわち液晶１４９層にほぼ隣接する
位置に配置されている構成となるため、凸部１４２ｂの
高さＨ１は、液晶層厚よりも小さく、凸部の傾斜角度は
液晶分子の配向を乱さない程度に穏やかにすることがで
きる。また本実施例では、反射電極１３８形成領域のみ
に凸部１４２ａを形成したけれども、基板１３１全面に
凸部１４２ａを形成してもよい。また、反射電極１３８
を透明電極として、別に反射板を設けてもよく、この場
合にも同様に、不規則な複数の凸部上に形成された有機
絶縁膜上に反射板が形成される。また、スイッチング素
子としてＴＦＴ１４０を用いるアクティブマトリクス駆
動方式の反射型液晶表示装置１３０について説明したけ
れども、これに限られるものではなく、単純マトリクス
駆動方式などの反射型液晶表示装置でも同様の効果が得
られる。In the reflective liquid crystal display device 130 of this embodiment, since the surface on which the reflective electrode 138 is formed is located on the liquid crystal 149 side, parallax is eliminated and a good display screen can be obtained. Further, in this embodiment, since the reflective electrode 138 having irregularities is arranged on the liquid crystal 149 layer side, that is, at a position substantially adjacent to the liquid crystal 149 layer, the height H1 of the convex portion 142b is larger than the liquid crystal layer thickness. The angle of inclination of the convex portion can be made gentle so as not to disturb the alignment of the liquid crystal molecules. Further, although the convex portion 142a is formed only in the reflective electrode 138 forming region in the present embodiment, the convex portion 142a may be formed on the entire surface of the substrate 131. In addition, the reflective electrode 138
Alternatively, a reflective plate may be provided as the transparent electrode, and in this case also, the reflective plate is formed on the organic insulating film formed on the irregular convex portions. Further, although the reflection type liquid crystal display device 130 of the active matrix driving type using the TFT 140 as the switching element has been described, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by the reflection type liquid crystal display device of the simple matrix driving type. .

【０１１０】さらに、本実施例では有機絶縁膜１４２の
パターニングをドライエッチング法によって行ったが、
有機絶縁膜１４２がポリイミド樹脂の場合には、アルカ
リ溶液によるウエットエッチング法によって行ってもよ
い。また、有機絶縁膜１４２としてポリイミド樹脂を用
いたが、アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよ
い。さらに本実施例では、基板１３１として、ガラスな
どから成る透明な材料を用いたが、シリコン基板のよう
な不透明な材料でも同様な効果が発揮され、この場合に
は回路を基板上に集積できる利点がある。Further, although the organic insulating film 142 is patterned by the dry etching method in this embodiment,
When the organic insulating film 142 is a polyimide resin, it may be formed by a wet etching method using an alkaline solution. Although the polyimide resin is used as the organic insulating film 142, other organic materials such as acrylic resin may be used. Further, in the present embodiment, a transparent material such as glass is used as the substrate 131, but an opaque material such as a silicon substrate exhibits the same effect, and in this case, an advantage that a circuit can be integrated on the substrate is obtained. There is.

【０１１１】なお、前記実施例においては、表示モード
として相転移型ゲスト・ホストモードをとりあげたけれ
ども、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲ
スト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型
液晶表示装置のような光散乱型表示モード、強誘電性液
晶表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様
の効果が得られる。また本実施例では、スイッチング素
子としてＴＦＴを用いた場合について説明したが、たと
えばＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal)素子、ダイオー
ド、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基板に
適用することができる。Although the phase transition type guest-host mode is taken as the display mode in the above-mentioned embodiment, the present invention is not limited to this, and other light absorption modes such as a two-layer guest-host mode can be used. Similar effects can be obtained in a light-scattering display mode such as a polymer-dispersed liquid crystal display device and a birefringence display mode used in a ferroelectric liquid crystal display device. Further, although the case where the TFT is used as the switching element has been described in the present embodiment, the present invention can be applied to an active matrix substrate using, for example, an MIM (Metal-Insulator-Metal) element, a diode, a varistor and the like.

【０１１２】図２３は、本発明のさらに他の実施例を説
明するための平面図である。本実施例の特徴は、前述の
図２に示すように凹凸を形成した反射型アクティブマト
リクス基板３１上に、電気絶縁性材料から成る黒色遮光
層７１を形成したことである。黒色遮光層７１は、図２
３において斜線を付した領域、すなわち、反射電極３８
以外の領域とＴＦＴ４０を構成する半導体層３５の形成
領域とに形成される。なお、前述の図１０および図１１
に示される反射型アクティブマトリクス基板１３１上に
黒色遮光層７１を形成してもよい。FIG. 23 is a plan view for explaining still another embodiment of the present invention. The feature of this embodiment is that the black light shielding layer 71 made of an electrically insulating material is formed on the reflection type active matrix substrate 31 having the unevenness as shown in FIG. The black light shielding layer 71 is shown in FIG.
3, the hatched region, that is, the reflective electrode 38
It is formed in the region other than the above and the formation region of the semiconductor layer 35 forming the TFT 40. Note that FIG. 10 and FIG.
The black light shielding layer 71 may be formed on the reflective active matrix substrate 131 shown in FIG.

【０１１３】図２４は、黒色遮光層７１の形成方法を説
明するための断面図である。ここでは、図６に示される
アクティブマトリクス基板３１を例にとり説明するが、
アクティブマトリクス基板１３１の場合も同様である。FIG. 24 is a sectional view for explaining a method of forming the black light shielding layer 71. Here, the active matrix substrate 31 shown in FIG. 6 will be described as an example.
The same applies to the case of the active matrix substrate 131.

【０１１４】先ず、基板３１の全面に、図２４（１）に
示すように、可視光を吸収するように赤色、青色、緑色
の顔料をそれぞれ分散させた感光性アクリル樹脂、たと
えば富士ハント社製、商品名 カラーモザイクＣＲ，Ｃ
Ｇ，ＣＢを３種類混ぜ合わせて黒色を呈した樹脂７１を
スピンナを用いて塗布する。First, as shown in FIG. 24A, a photosensitive acrylic resin in which red, blue, and green pigments are dispersed so as to absorb visible light, for example, manufactured by Fuji Hunt Co., Ltd., on the entire surface of the substrate 31. , Product name Color Mosaic CR, C
A mixture of three types of G and CB is used to apply a black resin 71 using a spinner.

【０１１５】続いて、図２４（２）に示すように、所定
のマスク７２を用いて露光し、現像した後に、反射電極
３８以外の領域と、ＴＦＴ４１を構成する半導体層３５
の形成領域と完全に覆うように、不要な部分をエッチン
グによって取除いて、図２４（３）に示すように、黒色
遮光層７１を形成した。その後、２００℃で１時間加熱
し、黒色遮光層７１を硬化させた。Subsequently, as shown in FIG. 24 (2), after exposure and development using a predetermined mask 72, a region other than the reflective electrode 38 and the semiconductor layer 35 constituting the TFT 41 are formed.
Unnecessary portions were removed by etching so as to completely cover the formation region of (1), and a black light shielding layer 71 was formed as shown in FIG. Then, it heated at 200 degreeC for 1 hour, and hardened the black light shielding layer 71.

【０１１６】以上のように本実施例によれば、黒色遮光
層７１を形成して反射電極３８以外の部分の反射光（散
乱光）を遮るようにしたので、表示に不必要な光の漏れ
を防止することができ、コントラストの優れた反射型液
晶表示装置を実現することができる。また、対向する基
板４５上に黒色遮光層７１を形成する場合に比べて、基
板貼合わせ時のマージンを大きくとることができ、基板
貼合わせのずれによる開口率の低下を少なくした明るい
表示を実現することができる。As described above, according to this embodiment, since the black light shielding layer 71 is formed so as to shield the reflected light (scattered light) from the portion other than the reflective electrode 38, leakage of light unnecessary for display is achieved. And a reflective liquid crystal display device having excellent contrast can be realized. Further, as compared with the case where the black light shielding layer 71 is formed on the opposing substrate 45, a large margin can be secured at the time of bonding the substrates, and a bright display in which the reduction in the aperture ratio due to the deviation of the bonding of the substrates is reduced is realized. can do.

【０１１７】本実施例では、黒色遮光層７１の材料とし
て、顔料を分散させたアクリル樹脂を用いたが、カーボ
ンを分散させたアクリル樹脂、たとえば富士ハント社
製、商品名 カラーモザイクＢＫのような有機材料や、
アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ；
Ｈ）、あるいは銀の無電界メッキなどの無機物も適用可
能である。また、黒色遮光層７１の厚みは、用いる材料
の吸収係数を考慮して、好ましくは透過率を少なくとも
５％以下に、より好ましくは１％以下になるように設定
する必要がある。In this embodiment, an acrylic resin in which a pigment is dispersed is used as the material of the black light shielding layer 71. However, an acrylic resin in which carbon is dispersed, for example, Color Mosaic BK manufactured by Fuji Hunt Co., Ltd. Organic materials,
Amorphous silicon germanium (a-SiGe;
H) or an inorganic substance such as electroless plating of silver is also applicable. The thickness of the black light shielding layer 71 needs to be set so that the transmittance is preferably at least 5% or less, more preferably 1% or less, in consideration of the absorption coefficient of the material used.

【０１１８】[0118]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射電極
は引回し電極と重ならない反射電極形成領域のみに複数
の凸部を有する絶縁膜上に形成される。絶縁膜上の凸部
の形成不良が生じても、引回し電極上には凸部が形成さ
れないので、反射電極と引回し電極との絶縁不良は生じ
ない。As described above, according to the present invention, the reflective electrode is formed on the insulating film having a plurality of convex portions only in the reflective electrode forming region which does not overlap the routing electrode. Even if defective formation of the convex portion on the insulating film occurs, the convex portion is not formed on the leading electrode, so that the defective insulation between the reflective electrode and the leading electrode does not occur.

【０１１９】また、前述のように反射電極周縁部の絶縁
膜には凸部は形成されておらず、平坦なため、反射電極
のパターニングが良好となる。したがって、表示品位が
向上する。また、前記凸部は不規則に形成され、凸部の
形状は先細状で、かつ先端が球面状であり、また前記凸
部は１種類あるいは大きさの異なる２種類以上の形状か
ら成るため、あらゆる角度からの入射光に対する表示画
面へ垂直な方向に散乱する光の強度が増加して表示機能
が向上し、表示のコントラストが向上するため、表示品
位が向上する。Further, as described above, since the convex portion is not formed on the insulating film at the peripheral portion of the reflective electrode and is flat, the patterning of the reflective electrode becomes good. Therefore, the display quality is improved. Further, since the convex portions are irregularly formed, the convex portions have a tapered shape, and the tips have a spherical shape, and the convex portions include one type or two or more types having different sizes, The intensity of light scattered in the direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from any angle is increased, the display function is improved, and the display contrast is improved, so that the display quality is improved.

【０１２０】また本発明によれば、前記凸部の配列パタ
ーンは各反射電極において同一であり、前記凸部を形成
する際に用いる配列パターンを１種類用意するだけでよ
く、凸部の形成が容易となる。Further, according to the present invention, the arrangement pattern of the convex portions is the same in each reflection electrode, and it is only necessary to prepare one kind of arrangement pattern used when forming the convex portions, and the convex portions can be formed. It will be easy.

【０１２１】さらにまた本発明によれば、一方基板上に
電気絶縁性を有する遮光膜を形成して、反射電極以外の
部分の反射光を遮るようにしたので、表示に不必要な光
の漏れを防止することができ、コントラストの優れた反
射型液晶表示装置を実現することができる。また、他方
基板上に遮光膜を形成する場合に比べて、基板貼合わせ
時のマージンを大きくとることができ、貼合わせのずれ
による開口率の低下を少なくして明るい表示を実現する
ことができる。Furthermore, according to the present invention, a light-shielding film having an electric insulation property is formed on one of the substrates so as to shield the reflected light from the portion other than the reflective electrode, so that leakage of light unnecessary for display is prevented. And a reflective liquid crystal display device having excellent contrast can be realized. Further, as compared with the case where the light-shielding film is formed on the other substrate, the margin at the time of laminating the substrates can be made larger, and the reduction of the aperture ratio due to the misalignment of the substrates can be reduced to realize a bright display. .

【０１２２】また本発明によれば、感光性樹脂を露光、
現像し、熱処理を行って得られた複数の不規則な凸部上
に形成された絶縁膜上に、金属薄膜から成る反射板を絶
縁膜の凸部に沿って形成する。反射板の形状は、感光性
樹脂の形状によって決定される。感光性樹脂は、容易
に、かつ均一に再現性よく制御することが可能であるた
め、良好な反射特性を有する反射板を容易に形成するこ
とができ、反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。Further, according to the present invention, the photosensitive resin is exposed to light,
On the insulating film formed on the plurality of irregular convex portions obtained by development and heat treatment, a reflector made of a metal thin film is formed along the convex portions of the insulating film. The shape of the reflector is determined by the shape of the photosensitive resin. Since the photosensitive resin can be easily and uniformly controlled with good reproducibility, it is possible to easily form a reflection plate having good reflection characteristics and improve the display quality of the reflection type liquid crystal display device. To do.

【０１２３】また不規則に配列された複数の凸部に沿っ
て反射板を形成するため、良好な反射特性が得られ、反
射型液晶表示装置の表示品位を向上する。Further, since the reflecting plate is formed along the plurality of irregularly arranged convex portions, good reflection characteristics are obtained and the display quality of the reflection type liquid crystal display device is improved.

【０１２４】さらに、前記反射板が表示絵素となる電極
である場合には、視差がなくなり、反射型液晶表示装置
の表示品位がさらに向上する。Further, when the reflection plate is an electrode serving as a display picture element, parallax is eliminated, and the display quality of the reflection type liquid crystal display device is further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の断面図である。FIG. 1 is a reflection type liquid crystal display device 3 according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of 0.

【図２】図１に示される基板３１の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG.

【図３】図１および図２に示される基板３１上に凹凸を
有する反射電極３８を形成する形成方法を説明する工程
図である。3A and 3B are process diagrams illustrating a forming method for forming a reflective electrode having irregularities on the substrate 31 shown in FIGS. 1 and 2.

【図４】図３に示す形成方法を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the forming method shown in FIG.

【図５】図３の工程ｓ７で用いるマスク５１の平面図で
ある。5 is a plan view of a mask 51 used in step s7 of FIG.

【図６】反射電極３８を有する基板５２の反射特性の測
定法を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method for measuring a reflection characteristic of a substrate 52 having a reflection electrode 38.

【図７】本発明の反射型アクティブマトリクス基板５
２，５９の反射特性６０，６１を示すグラフである。FIG. 7 is a reflection type active matrix substrate 5 of the present invention.
It is a graph which shows the reflection characteristics 60 and 61 of 2,59.

【図８】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の白色光源光に対する反射光の色をＣＩＥ色度図に示
したグラフである。FIG. 8 is a reflective liquid crystal display device 3 according to an embodiment of the present invention.
It is the graph which showed the color of the reflected light with respect to the white light source light of 0 in the CIE chromaticity diagram.

【図９】本発明の他の実施例を示す基板３１の平面図で
ある。FIG. 9 is a plan view of a substrate 31 showing another embodiment of the present invention.

【図１０】本発明のさらに他の実施例である反射型液晶
表示装置１３０の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device 130 which is still another embodiment of the present invention.

【図１１】図１０に示される基板１３１の平面図であ
る。11 is a plan view of the substrate 131 shown in FIG.

【図１２】図１０および図１１に示される凸部を有する
反射電極１３８を形成する形成方法を説明する工程図で
ある。FIG. 12 is a process diagram illustrating a forming method for forming the reflective electrode 138 having the convex portions shown in FIGS. 10 and 11.

【図１３】図１２に示す形成方法を説明する断面図であ
る。13 is a cross-sectional view explaining the forming method shown in FIG.

【図１４】図１２の工程ａ５で用いるマスク１５１の平
面図である。14 is a plan view of a mask 151 used in step a5 of FIG.

【図１５】本発明の反射型液晶表示装置１３０の反射特
性の測定に用いられる反射板１７０の製造工程を説明す
る工程図である。FIG. 15 is a process diagram illustrating a manufacturing process of a reflection plate 170 used to measure the reflection characteristics of the reflective liquid crystal display device 130 of the present invention.

【図１６】図１５の工程を説明する断面図である。16 is a cross-sectional view illustrating the process of FIG.

【図１７】反射板１７０の反射特性の測定法を説明する
斜視図である。FIG. 17 is a perspective view illustrating a method of measuring the reflection characteristic of the reflection plate 170.

【図１８】入射角度θと反射強度との関係を示すグラフ
である。FIG. 18 is a graph showing the relationship between the incident angle θ and the reflection intensity.

【図１９】マスク５１を示す平面図である。FIG. 19 is a plan view showing a mask 51.

【図２０】遮光領域５１ａ，１５１ａの総面積がマスク
の総面積の４０％以上であるマスク５１を用いて形成さ
れた反射薄膜７５における入射角度θと反射強度との関
係を示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing the relationship between the incident angle θ and the reflection intensity in the reflective thin film 75 formed using the mask 51 in which the total area of the light shielding regions 51a and 151a is 40% or more of the total area of the mask.

【図２１】遮光領域１５１ａの総面積が全体の３５％を
占めるマスク１５１を用いて形成された反射薄膜７５に
おける入射角度θと反射強度との関係を示すグラフであ
る。FIG. 21 is a graph showing the relationship between the incident angle θ and the reflection intensity in the reflective thin film 75 formed using the mask 151 in which the total area of the light shielding region 151a occupies 35% of the entire area.

【図２２】遮光領域の割合と反射率との関係を示すグラ
フである。FIG. 22 is a graph showing the relationship between the ratio of the light-shielded area and the reflectance.

【図２３】本発明のさらに他の実施例を説明するための
平面図である。FIG. 23 is a plan view for explaining still another embodiment of the present invention.

【図２４】黒色遮光層７１の形成方法を説明するための
断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view for explaining the method of forming the black light shielding layer 71.

【図２５】アクティブマトリクス方式に用いられるスイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ１を有する基板２
の平面図である。FIG. 25 is a substrate 2 having a thin film transistor 1 which is a switching element used in an active matrix system.
FIG.

【図２６】図２５に示される切断面線Ｘ２６−Ｘ２６か
ら見た断面図である。FIG. 26 is a sectional view taken along the section line X26-X26 shown in FIG. 25.

【図２７】アクティブマトリクス方式に用いられるスイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ１１を有する基板
１２の平面図である。FIG. 27 is a plan view of a substrate 12 having a thin film transistor 11 which is a switching element used in an active matrix system.

【図２８】図２７に示される切断面線Ｘ２８−Ｘ２８か
ら見た断面図である。28 is a cross-sectional view taken along the section line X28-X28 shown in FIG. 27.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３０，１３０ 反射型液晶表示装置 ３１，４５，１３１，１４５ 基板 ３８，１３８ 反射電極 ４２，１４２ 有機絶縁膜 ４２ａ，１４２ａ 凸部 ４９，１４９ 液晶 ５１，１５１ ホトマスク 30, 130 Reflective liquid crystal display device 31, 45, 131, 145 Substrate 38, 138 Reflective electrode 42, 142 Organic insulating film 42a, 142a Convex portion 49, 149 Liquid crystal 51, 151 Photomask

フロントページの続き (72)発明者 神戸 誠 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 島田 康憲 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内Front page continuation (72) Makoto Kobe Makoto 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture Sharp Co., Ltd. Within

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透明基板のうち、一方基板上の液晶層側表面には、他方
基板側からの入射光を反射する表示絵素である複数の反
射電極と、各反射電極に表示のための電圧を印加する引
回し電極とを形成し、他方基板上の液晶層側表面には、
ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極を形成して
構成される反射型液晶表示装置において、 前記反射電極は、一方基板上に形成された引回し電極上
の反射電極との接続部分を除く基板全面を覆い、かつ引
回し電極と重ならない反射電極形成領域のみに複数の凸
部を有する電気絶縁膜上に形成されていることを特徴と
する反射型液晶表示装置。1. A pair of transparent substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, have a plurality of display picture elements which are formed on a surface of one substrate on the liquid crystal layer side and which reflect incident light from the other substrate side. A reflective electrode and a routing electrode for applying a voltage for display to each reflective electrode are formed, and on the other surface of the liquid crystal layer on the substrate,
In a reflective liquid crystal display device formed by forming a common electrode having a light-transmitting property over substantially the entire surface, the reflective electrode is a substrate except a connection portion with a reflective electrode on a routing electrode formed on one substrate. A reflection type liquid crystal display device, which is formed on an electric insulating film which covers the entire surface and has a plurality of convex portions only in a reflection electrode formation region which does not overlap with the routing electrode. 【請求項２】 前記凸部は、不規則に配列されることを
特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。2. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the convex portions are arranged irregularly. 【請求項３】 前記凸部は、先細状に、かつ先端部は球
面状に形成されることを特徴とする請求項１または２記
載の反射型液晶表示装置。3. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the convex portion is formed in a tapered shape and the tip portion is formed in a spherical shape. 【請求項４】 前記凸部は、１種類あるいは大きさの異
なる２種類以上の形状から成ることを特徴とする請求項
１、２または３記載の反射型液晶表示装置。4. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the convex portion is formed of one type or two or more types having different sizes. 【請求項５】 前記凸部の高さは、１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の反射
型液晶表示装置。5. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the height of the convex portion is 10 μm or less. 【請求項６】 前記凸部の配列パターンが、各反射電極
において同一であることを特徴とする請求項１、２、
３、４または５記載の反射型液晶表示装置。6. The arrangement pattern of the convex portions is the same in each reflection electrode,
The reflective liquid crystal display device according to 3, 4, or 5. 【請求項７】 前記一方基板上に形成された引回し電極
上の反射電極との接続部分領域および引回し電極上の反
射電極と重ならない領域に、電気絶縁性を有する遮光膜
を形成することを特徴とする請求項１、２、３、４、５
または６記載の反射型液晶表示装置。7. A light-shielding film having electrical insulation is formed in a region of the routing electrode formed on the one substrate and connected to the reflective electrode and in a region of the routing electrode that does not overlap with the reflective electrode. Claims 1, 2, 3, 4, 5
Alternatively, the reflective liquid crystal display device according to item 6. 【請求項８】 液晶層を介在して対向配置される一対の
基板の一方基板上に、他方基板側からの入射光を反射す
る反射板を有する反射型液晶表示装置において、 前記反射板は、一方基板上の液晶層側に不規則に配列さ
れた複数の凸部上に形成された電気絶縁膜上に形成され
ていることを特徴とする反射型液晶表示装置。8. A reflection-type liquid crystal display device, comprising: on one substrate of a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a reflection plate for reflecting incident light from the other substrate side. On the other hand, a reflection type liquid crystal display device characterized in that the reflection type liquid crystal display device is formed on an electric insulating film formed on a plurality of convex portions arranged irregularly on the liquid crystal layer side on the substrate. 【請求項９】 前記一方基板上の液晶層側に不規則に配
列された複数の凸部は、１種類あるいは大きさの異なる
２種類以上の形状から成ることを特徴とする請求項８記
載の反射型液晶表示装置。9. The plurality of convex portions irregularly arranged on the liquid crystal layer side on the one substrate are formed of one kind or two or more kinds having different sizes. Reflective liquid crystal display device. 【請求項１０】 前記一方基板上の液晶層側に不規則に
配列された複数の凸部は、先細状に、かつ先端部は球面
状に形成されることを特徴とする請求項８記載の反射型
液晶表示装置。10. The plurality of convex portions irregularly arranged on the side of the liquid crystal layer on the one substrate are formed in a tapered shape, and the tip portion is formed in a spherical shape. Reflective liquid crystal display device. 【請求項１１】 前記複数の凸部上に形成された電気絶
縁膜の凸部の高さは、１０μｍ以下であることを特徴と
する請求項８記載の反射型液晶表示装置。11. The reflective liquid crystal display device according to claim 8, wherein the height of the protrusions of the electric insulating film formed on the plurality of protrusions is 10 μm or less. 【請求項１２】 前記反射板は、前記一方基板上の液晶
層側に不規則に配列される前記複数の凸部の断面形状の
最大直径は２０μｍ以下であり、反射板総面積の４０％
以上を占めることを特徴とする請求項８記載の反射型液
晶表示装置。12. The reflector has a maximum diameter of 20 μm or less in a cross-sectional shape of the plurality of convex portions irregularly arranged on the liquid crystal layer side of the one substrate, which is 40% of the total area of the reflector.
9. The reflective liquid crystal display device according to claim 8, which occupies the above. 【請求項１３】 前記反射板は、表示絵素となる電極で
あることを特徴とする請求項８記載の反射型液晶表示装
置。13. The reflective liquid crystal display device according to claim 8, wherein the reflection plate is an electrode serving as a display pixel. 【請求項１４】 液晶層を介在して対向配置される一対
の基板の一方基板上に、他方基板側からの入射光を反射
する反射板を有する反射型液晶表示装置の製造方法にお
いて、 前記一方基板上の液晶層側に感光性樹脂を塗布し、前記
感光性樹脂を円形の遮光領域が不規則に配列された遮光
手段を介して露光および現像した後に熱処理を行い、得
られた複数の凸部上に前記複数の凸部に沿う絶縁膜を形
成し、絶縁膜上に金属薄膜から成る前記反射板を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。14. A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, on one substrate, and a reflection plate for reflecting incident light from the other substrate side. A photosensitive resin is applied to the liquid crystal layer side of the substrate, the photosensitive resin is exposed and developed through a light-shielding means in which circular light-shielding regions are irregularly arranged, and then heat-treated to obtain a plurality of obtained protrusions. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: forming an insulating film along the plurality of convex portions on a portion, and forming the reflecting plate made of a metal thin film on the insulating film. 【請求項１５】 前記遮光手段は、前記円形の遮光領域
の総面積が反射板総面積の４０％以上であり、かつ不規
則に配列される前記円形の直径が２０μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１４記載の反射型液晶表示装置の
製造方法。15. The light shielding means is characterized in that the total area of the circular light shielding regions is 40% or more of the total area of the reflection plate, and the diameter of the circles irregularly arranged is 20 μm or less. 15. The method for manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 14.
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