JP3471246B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に、通過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶
表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a pass-reflection type liquid crystal display and a reflection type liquid crystal display.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ
（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器のポータ
ブル化が進み、表示装置の低コスト化が重要な課題とな
っている。表示装置は、電気光学特性を有する表示媒体
を挟んで各々電極が形成された一対の基板が設けられ、
その電極間に電圧を印加することによって表示を行う構
成を有する。このような表示装置の表示媒体としては、
液晶、エレクトロルミネッセンス、プラズマ、エレクト
ロクロミック等が使用されており、特に、液晶を用いた
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ、ＬＣＤ）が、薄型で低消費電力であるために
最も実用化が進んでいる。液晶表示装置は、現在ワード
プロセッサやパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器
や、電子手帳等の携帯情報機器、及び液晶モニターを備
えたカメラー体型ＶＴＲ等に多く用いられている。2. Description of the Related Art Recently, OA of personal computers and the like has been developed.
(Office Automation) As portable devices have advanced, reduction in cost of display devices has become an important issue. The display device is provided with a pair of substrates on each of which electrodes are formed with a display medium having electro-optical characteristics interposed therebetween,
Display is performed by applying a voltage between the electrodes. As a display medium of such a display device,
Liquid crystal, electroluminescence, plasma, electrochromic, and the like are used. In particular, a liquid crystal display device using a liquid crystal (Liquid Crystal Diss) is used.
play, LCD) are being put to practical use most because of their low profile and low power consumption. 2. Description of the Related Art Currently, liquid crystal display devices are widely used in OA devices such as word processors and personal computers, portable information devices such as electronic organizers, and camera-type VTRs equipped with a liquid crystal monitor.

【０００３】液晶表示装置の表示モード及び駆動方法に
ついて、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマティック）
モードを初めとする単純マトリクス方式は、最も低コス
ト化を実現できる部類に属する。しかし、今後、情報の
マルチメディア化が進むにつれ、ディスプレイの高解像
度化、高コントラスト化、多階調（マルチカラー、フル
カラー）化及び広視野角化が要求されるようになるの
で、単純マトリクス方式では対応が困難であると考えら
れる。そこで、個々の画素にスイッチング素子（アクテ
ィブ素子）を設けて駆動可能な走査電極の本数を増加さ
せるアクティブマトリクス方式が提案されている。この
方式により、ディスプレイの高解像度化、高コントラス
ト化、多階調化及び広視野角化が達成されつつある。ア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置においては、マ
トリクス状に設けられた画素電極と、画素電極の近傍を
通る走査線とが、アクティブ素子を介して電気的に接続
された構成となっている。アクティブ素子としては、２
端子の非線形素子及び３端子の非線形素子があり、現在
採用されているアクティブ素子の代表格は、３端子素子
の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）である。A display mode and a driving method of a liquid crystal display device are described in STN (Super Twisted Nematic).
The simple matrix method including the mode belongs to the class that can realize the lowest cost. However, in the future, as information becomes more multimedia, it is necessary to increase the resolution, contrast, multi-gradation (multi-color, full-color) and wide viewing angle of the display. It is considered difficult to respond. Therefore, an active matrix method has been proposed in which switching elements (active elements) are provided in individual pixels to increase the number of scan electrodes that can be driven. With this method, high resolution, high contrast, multiple gradations, and a wide viewing angle of the display are being achieved. In an active matrix liquid crystal display device, pixel electrodes provided in a matrix and scanning lines passing in the vicinity of the pixel electrodes are electrically connected via active elements. As the active element, 2
There are a three-terminal non-linear element and a three-terminal non-linear element, and a typical example of an active element currently employed is a three-terminal thin film transistor (Thin Film Trans).
istor, TFT).

【０００４】液晶表示装置は透過型及び反射型を有す
る。液晶ディスプレイはＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）とは異なり自らは発光し
ないため、バックライトと呼ばれる蛍光管からなる装置
を背後に設置して照明する透過型が一般的である。しか
し、バックライトは通常液晶ディスプレイの全消費電力
のうち５０％以上を消費するため、バックライトの代わ
りに反射板を設置し、周囲光を利用して表示を行う反射
型は、戸外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報
機器にとって低消費電力化の観点から有利である。[0004] Liquid crystal display devices have a transmission type and a reflection type. Liquid crystal display is CRT (CRT) or EL
Unlike (electroluminescence), since it does not emit light by itself, it is common to use a transmission type in which a device called a backlight and comprising a fluorescent tube is installed behind and illuminated. However, a backlight typically consumes 50% or more of the total power consumption of a liquid crystal display. Therefore, a reflection type, which uses a reflector instead of the backlight and performs display by using ambient light, is used outdoors or at all times. This is advantageous from the viewpoint of reducing power consumption for portable information devices that are frequently used.

【０００５】反射型液晶表示装置で用いられる表示モー
ドには、現在透過型で広く用いられているＴＮ（ツイス
テッドネマテイック）モード、ＳＴＮモードといった偏
光板を利用するタイプの他、偏光板を用いないため明る
い表示が実現できる相転移型ゲストホストモードも近年
盛んに開発が行われている。The display mode used in the reflection type liquid crystal display device uses a polarizing plate such as a TN (twisted nematic) mode and an STN mode which are widely used in a transmission type, and does not use a polarizing plate. Therefore, a phase transition type guest host mode capable of realizing a bright display has been actively developed in recent years.

【０００６】反射型液晶表示装置は周囲の光が暗い場合
には視認性が極端に低下するという欠点を有する。一
方、透過型液晶表示装置はこれとは逆に周囲光が非常に
明るい場合−例えば晴天下等での視認性が低下する問題
があった。そこで、絶縁基板上に、光反射機能を有する
材料からなる反射電極とそれとは別に光透過機能を有す
る材料からなる透明電極を有する基板を用いることで、
周囲の光が暗い場合ではバックライトを用いて透明電極
を透過する光を利用して表示する透過型液晶表示装置と
して、周囲光が明るい場合には、光反射率の比較的高い
膜で形成した反射電極での反射光を利用して表示する反
射型液晶表示装置として表示が可能になる。これによ
り、１枚のパネルで周囲の光が暗い場合ではバックライ
トを用いて、周囲光が明るい場合はバックライトを使わ
ずに周囲光を利用する透過反射両用型液晶表示装置とし
て用いることが可能になる。[0006] The reflection type liquid crystal display device has a drawback that visibility is extremely reduced when ambient light is dark. On the other hand, a transmissive liquid crystal display device has a problem that, when the ambient light is extremely bright, the visibility under a clear sky is reduced. Therefore, by using a substrate having a reflective electrode made of a material having a light reflecting function and a transparent electrode made of a material having a light transmitting function separately from the material on an insulating substrate,
When the ambient light is dark, it is formed as a transmissive liquid crystal display device that uses a backlight to display by utilizing the light transmitted through the transparent electrode, and when the ambient light is bright, it is formed of a film having a relatively high light reflectance. Display can be performed as a reflective liquid crystal display device that performs display using light reflected by the reflective electrode. This makes it possible to use a single panel as a transflective liquid crystal display device that uses a backlight when the ambient light is dark and uses the ambient light without using the backlight when the ambient light is bright. become.

【０００７】これは、従来の透過型液晶表示よりも周囲
光が明るい場合にはバックライトを使わない分低消費電
力であり、周囲の光が暗い場合ではバックライトを用い
ることで、従来の反射型液晶表示装置のように周囲の光
が暗いと十分な表示が得られないという欠点を克服でき
る。[0007] When the ambient light is brighter than that of the conventional transmissive liquid crystal display, the power consumption is lower because the backlight is not used. When the ambient light is dark, the backlight is used. It is possible to overcome the drawback that sufficient display cannot be obtained if the surrounding light is dark as in the liquid crystal display device of the type.

【０００８】上記のような反射型液晶表示装置及び透過
反射両用型液晶表示装置において、周囲光を利用して明
るい表示を行なう為には、あらゆる角度からの入射光に
対して表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加
させる必要がある。最適な反射特性を有する反射板を製
造するために、反射板に凹凸部を再現性よく均一に形成
することが必要になる。In the reflection type liquid crystal display device and the transflective type liquid crystal display device as described above, in order to perform bright display using ambient light, incident light from all angles is perpendicular to the display screen. It is necessary to increase the intensity of light scattered in the direction. In order to manufacture a reflector having optimal reflection characteristics, it is necessary to form uneven portions on the reflector with good reproducibility.

【０００９】反射板の形成について、絶縁基板に感光性
樹脂層を塗布してパターン化した後熱処理を行うことに
よりパターン部を丸くなるように角落としを行うことに
よる方法がある。以下に、透過反射両用型液晶表示装置
の透過反射両用型基板（素子側基板）の従来の製造工程
について、図１〜３を参照しながら説明する。There is a method of forming a reflection plate by applying a photosensitive resin layer to an insulating substrate, forming a pattern, and then performing a heat treatment to cut off the corners so that the pattern portion becomes round. Hereinafter, a conventional manufacturing process of a transmission / reflection type substrate (element side substrate) of a transmission / reflection type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS.

【００１０】図１は、透過反射両用型基板１０の一画素
分の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図であ
る。透過反射両用型基板１０は、ソースバスライン１
２、ゲ―トバスライン１４、ソースバスライン１２とゲ
―トバスライン１４に囲まれる領域に形成されている画
素電極２７及び２９、ならびに各画素電極に対応して設
けられているアモルファスシリコントランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１６を含んでいる。複数の画素電極が基板上にマト
リクス状に配置され、液晶表示装置の表示部を構成す
る。画素電極は、光透過領域１８（電極２７に対応）と
光透過領域１８以外の光反射領域１９（電極２９に対
応）とを含んでいる。光反射領域１９はゲ―トバスライ
ン１４と部分的に重なっている（領域Ａ）。FIG. 1 is a plan view of one transmission / reflection substrate 10 for one pixel. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. The transmission / reflection dual-purpose substrate 10 includes the source bus line 1
2. Pixel electrodes 27 and 29 formed in a region surrounded by the gate bus line 14, the source bus line 12 and the gate bus line 14, and an amorphous silicon transistor (TF) provided corresponding to each pixel electrode.
T) 16. A plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate, and constitute a display unit of a liquid crystal display device. The pixel electrode includes a light transmitting region 18 (corresponding to the electrode 27) and a light reflecting region 19 (corresponding to the electrode 29) other than the light transmitting region 18. The light reflection area 19 partially overlaps the gate bus line 14 (area A).

【００１１】ＴＦＴ１６部は、図２に示すように、ガラ
ス基板２０上のゲート電極１４ａ（Ｔａ膜）、絶縁層２
１（ＳｉＮｘ膜）、半導体層２２（ａ−Ｓｉ膜）、ｎ型
半導体層２３（ｎ型ａ−Ｓｉ膜）、ソース電極２４・ド
レイン電極２５（ＩＴＯ膜）、及びＴａによる２つの層
２６を含んでいる。光透過領域における画素電極２７
は、ソース電極２４・ドレイン電極２５と同時に形成し
たＩＴＯなどの膜から構成されている（なお、透過画素
電極２７上にはＴａ膜は存在しない）。基板上部には凹
凸部を有する感光性樹脂層２８が形成され、その上面の
一部にＡｌ／Ｍｏ膜による光反射領域１９の画素電極２
９が設けられている。As shown in FIG. 2, the TFT 16 comprises a gate electrode 14a (Ta film) on a glass substrate 20, an insulating layer 2
1 (SiNx film), semiconductor layer 22 (a-Si film), n-type semiconductor layer 23 (n-type a-Si film), source electrode 24 / drain electrode 25 (ITO film), and two layers 26 of Ta. Contains. Pixel electrode 27 in light transmission region
Is formed of a film such as ITO formed simultaneously with the source electrode 24 and the drain electrode 25 (there is no Ta film on the transmissive pixel electrode 27). A photosensitive resin layer 28 having an uneven portion is formed on the upper portion of the substrate, and the pixel electrode 2 of the light reflection region 19 of the Al / Mo film is formed on a part of the upper surface thereof.
9 are provided.

【００１２】この透過反射両用型基板１０は図３（ａ）
〜（ｆ）に示すような工程により形成される。なお、図
３（ａ）〜（ｆ）は図２のＴＦＴ１６を省略した部分に
対応する。まず、図３（ａ）に示すように、上面にゲー
トバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が形成
されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層２８
（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍの厚さに
塗布する。感光性樹脂層２８の領域Ａにおける部分の下
には、ゲートバスライン１４などの表面反射が比較的高
いパターンが存在しており、感光性樹脂層２８の領域Ｂ
における部分の下には、絶縁膜２１及び透明電極（画素
電極２７）等の表面反射が比較的低い層のみが形成され
表面反射が比較的高いパターンが存在しない。This transmission / reflection type substrate 10 is shown in FIG.
To (f). 3 (a) to 3 (f) correspond to the portion of FIG. 2 from which the TFT 16 is omitted. First, as shown in FIG. 3A, a positive photosensitive resin layer 28 is formed on a substrate 20 on which a gate bus line 14, an insulating layer 21, and a pixel electrode 27 are formed.
(Acrylic resin made of Japan Synthetic Rubber) is applied to a thickness of 3.7 μm. Below the portion in the region A of the photosensitive resin layer 28, there is a pattern such as the gate bus line 14 having a relatively high surface reflection, and the region B of the photosensitive resin layer 28 is formed.
Only the layer having a relatively low surface reflection, such as the insulating film 21 and the transparent electrode (pixel electrode 27), is formed below the portion, and there is no pattern having a relatively high surface reflection.

【００１３】このような基板に対し、図４に示す遮光部
４２を有するフォトマスク（遮光マスク）４０を用い
て、均一に低照度で露光４４を行う（図３（ｂ））。フ
ォトマスク４０について、遮光部４２は直径１２μｍの
丸型の形状を有し、遮光部４２の中心間隔が１４μｍで
ある。但し、均一に遮光部４２の中心間隔が１４μｍと
なるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、
遮光部４２の中心間隔は最小が１４μｍ前後になるよう
にランダムに配置したものを用いる。露光強度は、素ガ
ラスにおいて露光条件をふりながら反射特性を評価し、
良好な反射特性が得られる露光強度を求めた結果に基づ
き、５０ｍＪに設定されている。Exposure 44 is uniformly performed on such a substrate at a low illuminance using a photomask (light-shielding mask) 40 having a light-shielding portion 42 shown in FIG. 4 (FIG. 3B). In the photomask 40, the light shielding portion 42 has a round shape with a diameter of 12 μm, and the center interval between the light shielding portions 42 is 14 μm. However, if the light-shielding portions 42 are uniformly arranged so that the center interval is 14 μm, interference of reflected light poses a problem.
The light-shielding portions 42 are randomly arranged so that the minimum distance between the centers is about 14 μm. Exposure intensity evaluates the reflection characteristics while shaking the exposure conditions on the raw glass,
It is set to 50 mJ based on the result of obtaining the exposure intensity at which good reflection characteristics can be obtained.

【００１４】次に、図５に示すような、コンタクトホー
ル部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７に対応する
部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォトマ
スク５０を用いて、図３（ｃ）に示すように均一に高照
度で露光を行なう。露光強度は２６０ｍＪである。Next, as shown in FIG. 5, a photomask 50 having exposed portions 28b and 27b having openings corresponding to the contact holes 28a and the transmissive electrodes 27 of the transmissive region 18 is used. Exposure is performed uniformly at high illuminance as shown in FIG. The exposure intensity is 260 mJ.

【００１５】次に、図３（ｄ）に示すように、現像液で
現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分（露
光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、低照
度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減りす
る。Next, as shown in FIG. 3D, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in thickness with respect to the initial film thickness.

【００１６】次に、図３（ｅ）に示すように、１００℃
で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分間
の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低照
度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形状
を得る。Next, as shown in FIG.
And then heat treatment at 220 ° C. for 60 minutes to deform the resin in the low-illumination-exposed area due to the heat dripping phenomenon, thereby obtaining a smooth uneven shape.

【００１７】次に、反射電極２９としてＭｏ薄膜をスパ
ッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その
上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの
厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォト
レジストを基板上に塗布し、透過電極部２７ａ上部のフ
ォトレジストの部分を露光してから、現像、エッチン
グ、剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパ
ターニングを行い、図３（ｆ）に示すような反射画素電
極２９を完成させる。Next, a Mo thin film is formed as a reflective electrode 29 to a thickness of 100 nm by a sputtering method, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by a sputtering method and patterned. Specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode portion 27a is exposed, and then, development, etching, and stripping are performed to pattern the Al / Mo electrode, The reflection pixel electrode 29 as shown in FIG.

【００１８】以下に、従来の反射型液晶表示装置につい
て簡単に説明する。反射型液晶表示装置の素子側基板の
形成について、ガラス等からなる基板の表面に最適な反
射特性を有するために制御された凹凸を形成しその上に
銀などの薄膜を形成し反射板を形成する手段がある。特
開平６−７５２３８号公報において、基板上に感光性樹
脂を塗布し、円形の遮光部が配列された遮光マスクを介
して感光性樹脂を露光及び現像した後に熱処理を行うこ
とにより複数の凸部を形成している。この凸部の上に凸
部の形状に沿って絶縁体保護膜を形成し絶縁体保護膜上
に金属薄膜からなる反射板を形成している。また、反射
板を外側に形成することで問題となるガラス厚みの影響
による二重映りの発生を、反射板を内部に形成し画素電
極と兼ねる構造にすることで解決している。Hereinafter, a conventional reflection type liquid crystal display device will be briefly described. Regarding the formation of the element side substrate of the reflection type liquid crystal display device, the surface of the substrate made of glass or the like is formed with irregularities controlled to have optimal reflection characteristics, and a thin film such as silver is formed thereon to form a reflection plate There is a way to do it. In JP-A-6-75238, a plurality of convex portions are formed by applying a photosensitive resin on a substrate, exposing and developing the photosensitive resin through a light-shielding mask in which circular light-shielding portions are arranged, and then performing a heat treatment. Is formed. An insulator protective film is formed on the convex portion along the shape of the convex portion, and a reflector made of a metal thin film is formed on the insulator protective film. Further, the occurrence of double reflection due to the influence of the thickness of the glass, which is a problem due to the formation of the reflection plate on the outside, is solved by forming the reflection plate inside and having a structure that also serves as a pixel electrode.

【００１９】[0019]

【発明が解決しようとする課題】従来の上記のような工
程により形成される透過反射両用型液晶表示装置の反射
板において、次のような問題点がある。However, there are the following problems in the reflection plate of the conventional transflective liquid crystal display device formed by the above-described steps.

【００２０】感光性樹脂層２８の下にバスラインや補助
容量等の表面反射が比較的強い配線パターンが存在する
領域Ａと、感光性樹脂層２８の下に絶縁膜、透明電極等
の表面反射が比較的弱い領域Ｂでは、同じ露光強度で凹
凸形状を形成しても、凹凸の段差形状に差が見られる。
例えば上記図３の工程によれば、領域Ａにおいては凸部
の感光性樹脂層２８の厚さａが２．７μｍ、凹部の厚さ
ｂが１．０μｍであるに対して、領域Ｂにおいては凸部
の感光性樹脂層２８の厚さａ’が２．９μｍ、凹部の厚
さｂ’が１．９μｍである（図３（ｅ））。領域Ａにお
いて凹凸形状の段差が大きくなった原因としては、領域
Ａにおいては感光性樹脂層の下に存在するパターンでの
表面反射により露光量が増加するため、凹凸形状の段差
が、領域Ｂに比べて大きくなることが考えられる。A region A under the photosensitive resin layer 28 where a wiring pattern having relatively strong surface reflection such as a bus line or an auxiliary capacitor exists, and a surface reflection such as an insulating film or a transparent electrode under the photosensitive resin layer 28. In the region B where is relatively weak, even when the unevenness is formed at the same exposure intensity, a difference is seen in the step shape of the unevenness.
For example, according to the process of FIG. 3 described above, in the region A, the thickness a of the photosensitive resin layer 28 in the convex portion is 2.7 μm and the thickness b in the concave portion is 1.0 μm, whereas in the region B, The thickness a ′ of the photosensitive resin layer 28 at the convex portion is 2.9 μm, and the thickness b ′ at the concave portion is 1.9 μm (FIG. 3E). The reason that the unevenness in the area A is large is that the exposure amount increases due to surface reflection in the pattern under the photosensitive resin layer in the area A. It is conceivable that it will be larger than that.

【００２１】すなわち、絶縁基板に感光性樹脂を塗布し
てパターン化する際に、感光性樹脂の下地がバスライン
等の表面反射が比較的高い場合と、絶縁膜、透明電極等
の表面反射が比較的低い場合とでは、その上に形成され
た凹凸形状が異なって設計通りの反射特性が実現できな
かった。同じ露光強度で凹凸形状をパターン化しても、
感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い場合には、表
面反射により露光量が増加するため、凹凸形状の段差
が、下地が表面反射の比較的低い場合に比べて大きくな
る。That is, when a photosensitive resin is applied to an insulating substrate to form a pattern, the base of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection, such as a bus line, and the surface reflection of an insulating film, a transparent electrode, etc. When it is relatively low, the irregularities formed thereon are different, and the designed reflection characteristics cannot be realized. Even if the uneven shape is patterned with the same exposure intensity,
When the surface of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection, the amount of exposure increases due to the surface reflection. Therefore, the step of the unevenness becomes larger than when the surface of the substrate has a relatively low surface reflection.

【００２２】また、３端子非線形抵抗素子が形成された
基板上には、バスラインや補助容量などの導電性薄膜
層、絶縁体層、半導体層などの積層が多く形成されてお
り平坦ではなく、それぞれの層ごとに段差が存在してい
る。このため、凹凸部を形成するための感光性樹脂も下
層の段差の影響を受け均一な膜厚を保つことができなく
なる。領域Ｂのように、領域Ａ上に感光性樹脂を塗布す
ると、基板表面の段差のためにバスラインや補助容量な
どの上の感光性樹脂の膜厚が、それ以外の部分（領域
Ｂ）の感光性樹脂の膜厚より薄くなる。ポジ型感光性樹
脂で凹凸部を形成する際、すべて同じ直径の円形の遮光
部を有する遮光手段を用いた場合、感光性樹脂の膜厚が
異なる領域で、大きさ（直径）の異なる円形の凸部が形
成されてしまう。また、すべて同じ直径の円形の透光部
を有する遮光手段を用いた場合も、感光性樹脂の膜厚が
異なる領域で、大きさ（直径）の異なる円形の凹部が形
成されてしまう。ネガ型感光性樹脂で凹凸部を形成する
際も同様に異なる円形の凹部あるいは凸部が形成されて
しまう。また、絶縁基板に感光性樹脂を塗布してパター
ン化する際に、領域Ａで反射効率が良好になるように露
光すると、領域Ｂでは露光量不足で凹凸形状が十分に形
成されず、良好な反射特性が得られない。一方、絶縁基
板に感光性樹脂を塗布してパターン化する際に、領域Ｂ
で反射効率が良好になるように露光すると、領域Ａでは
露光量オーバーで急峻な凹凸形状が形成され、良好な反
射特性が得られない。On the substrate on which the three-terminal non-linear resistance element is formed, many layers of conductive thin film layers such as bus lines and auxiliary capacitors, insulator layers, semiconductor layers, and the like are formed. Steps exist for each layer. For this reason, the photosensitive resin for forming the uneven portion cannot be maintained at a uniform film thickness due to the influence of the step of the lower layer. When the photosensitive resin is applied on the region A as in the region B, the thickness of the photosensitive resin on the bus line, the auxiliary capacitor, and the like is increased due to a step on the substrate surface. It becomes thinner than the thickness of the photosensitive resin. When the light-shielding means having circular light-shielding portions of the same diameter are used when forming the concave and convex portions with the positive photosensitive resin, circular regions of different sizes (diameters) are formed in regions where the thickness of the photosensitive resin is different. Protrusions are formed. In addition, even when light-shielding means having circular light-transmitting portions having the same diameter are used, circular concave portions having different sizes (diameters) are formed in regions having different thicknesses of the photosensitive resin. Similarly, when a concave-convex portion is formed of a negative photosensitive resin, a different circular concave portion or convex portion is formed. In addition, when a photosensitive resin is applied to an insulating substrate to form a pattern, if exposure is performed so that the reflection efficiency becomes good in the region A, the unevenness is not sufficiently formed in the region B due to an insufficient amount of exposure, and a favorable shape is obtained. Reflection characteristics cannot be obtained. On the other hand, when a photosensitive resin is applied to the insulating substrate to form a pattern,
When the exposure is performed such that the reflection efficiency becomes good, a steep unevenness is formed in the region A due to an excessive amount of exposure, and good reflection characteristics cannot be obtained.

【００２３】上記のように、同一画素内でも凹凸形状が
領域ごとに異なることとなり、最適な反射特性を得るた
めに制御された凹凸を画素内で均一に形成することが困
難であった。As described above, even in the same pixel, the uneven shape is different for each region, and it is difficult to uniformly form unevenness in the pixel to obtain optimum reflection characteristics.

【００２４】以上の説明は透過反射両用型液晶表示装置
に関しているが、反射型液晶表示装置は表示部が透過領
域１８を有しておらずすべてが反射領域となる場合であ
り、基本的に上記と同様な問題を持っている。反射型液
晶表示装置の反射板の凹凸部は、円形のものがランダム
に配置されて形成されており、その直径φが１μｍ〜３
０μｍであり、またそれらの隣接する間隔も同様に１μ
ｍ〜３０μｍと非常に微少である。このため、高精細な
フォトリソグラフィが要求され、均一な凹凸部を持つ反
射板を形成することが困難であった。Although the above description relates to a transflective liquid crystal display device, the reflective liquid crystal display device has a case where the display section does not have the transmissive area 18 and all of the display areas are reflective areas. And have similar problems. The concave and convex portions of the reflection plate of the reflection type liquid crystal display device are formed by randomly arranging circular ones, and have a diameter φ of 1 μm to 3 μm.
0 μm, and their adjacent spacing is likewise 1 μm.
m to 30 μm, which is very small. For this reason, high-resolution photolithography has been required, and it has been difficult to form a reflector having uniform uneven portions.

【００２５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、均一な凹凸形状を
持ち良好な反射特性を有する反射板を備えた透過反射両
用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置、ならびにそ
れらの製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a transmission / reflection type liquid crystal display device having a reflection plate having uniform unevenness and good reflection characteristics. And a reflection type liquid crystal display device, and a method for manufacturing the same.

【００２６】[0026]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、第１の基板と、液晶層を挟んで該第１の基
板に対向する対向基板と、を備えた液晶表示装置の製造
方法であって、該第１の基板の該液晶層側表面における
第１の下地膜が形成された第１の領域及び第１の下地膜
より反射率が低い第２の下地膜が形成された第２の領域
上に、表面凹凸を持つ光反射板が設けられており、該方
法は、該第１の基板上に、該第１の領域と該第２の領域
とを覆うように感光性樹脂層を形成する工程と、遮光マ
スクを用いて、該第１の領域における露光量が該第２の
領域における露光量より低くなるように該感光性樹脂層
を露光することによって、該第１の基板の上面に該感光
性樹脂層による凹凸を形成する工程と、該感光性樹脂層
の上に、該凹凸が反映されるように該光反射板を形成す
る工程と、を包含しており、そのことにより上記目的が
達成される。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a first substrate; and a counter substrate facing the first substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween. A method of manufacturing, wherein a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side is formed.
First region where first base film is formed and first base film
A light reflecting plate having surface irregularities is provided on a second region where a second base film having a lower reflectance is formed , and the method comprises the steps of: Forming a photosensitive resin layer so as to cover the region and the second region, and using a light-shielding mask so that an exposure amount in the first region is lower than an exposure amount in the second region . Exposing the photosensitive resin layer to form irregularities on the upper surface of the first substrate by the photosensitive resin layer; and forming the irregularities on the photosensitive resin layer so that the irregularities are reflected. Forming a light reflecting plate, whereby the object is achieved.

【００２７】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、第１の基板と、液晶層を挟んで該第１の基板に対向
する対向基板と、を備えた液晶表示装置の製造方法であ
って、該第１の基板の該液晶層側表面における第１の領
域及び第２の領域上に、表面凹凸を持つ光反射板が設け
られており、該方法は、該第１の基板上に、該第１の領
域と該第２の領域とを覆うように感光性樹脂層を形成す
ることによって、該感光性樹脂層の該第１の領域におけ
る部分の厚さが、該感光性樹脂層の該第２の領域におけ
る部分の厚さより小さくなるときに、遮光マスクを用い
て、該第１の領域における露光量が該第２の領域におけ
る露光量より低くなるように該感光性樹脂層を露光する
ことによって、該第１の基板の上面に該感光性樹脂層に
よる凹凸を形成する工程と、該感光性樹脂層の上に 、 該
凹凸が反映されるように該光反射板を形成する工程と、
を包含しており、そのことにより上記目的が達成され
る。 Further, a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention.
Faces the first substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween.
And a counter substrate, comprising:
Thus, a first region on the liquid crystal layer side surface of the first substrate is formed.
Light reflector with surface irregularities is provided on the area and the second area
Wherein the method comprises: providing, on the first substrate, the first region.
Forming a photosensitive resin layer so as to cover the region and the second region.
By doing so, the first region of the photosensitive resin layer
The thickness of the portion in the second region of the photosensitive resin layer is
Use a light-blocking mask
The exposure amount in the first area is
Exposing the photosensitive resin layer to lower than the exposure amount
Thereby, the photosensitive resin layer is formed on the upper surface of the first substrate.
Forming irregularities according to the method , and , on the photosensitive resin layer ,
Forming the light reflecting plate so that the irregularities are reflected;
Which achieves the above object.
You.

【００２８】前記第１の下地膜は、画素電極の補助容量
部の一部を含んでいる。 The first underlayer is formed of a storage capacitor for a pixel electrode.
Includes part of the department.

【００２９】前記第１の領域と前記第２の領域とに形成
された前記光反射板は画素電極であり、前記第１の基板
と前記感光性樹脂層との間で、該第１の領域には配線が
設けられている。 Formed in the first region and the second region
The light reflecting plate is a pixel electrode, and the first substrate
A wiring is provided in the first region between the first region and the photosensitive resin layer.
Is provided.

【００３０】前記遮光マスクの前記第１の領域における
遮光面積に対する露光面積の比率は、前記第２の領域に
おける遮光面積に対する露光面積の比率より小さい。 In the first region of the light shielding mask,
The ratio of the exposure area to the light shielding area is
Smaller than the ratio of the exposed area to the light-shielded area.

【００３１】[0031]

【００３２】[0032]

【００３３】[0033]

【００３４】[0034]

【００３５】[0035]

【００３６】[0036]

【００３７】[0037]

【００３８】[0038]

【００３９】[0039]

【００４０】[0040]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の基本的なコンセ
プトを説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The basic concept of the present invention will be described below.

【００４１】本発明では、良好な反射特性を有する反射
板を持つ透過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表
示装置を形成するために、感光性樹脂層の露光工程にお
いて、感光性樹脂層の異なる領域に対して露光量を変え
る。より具体的には、感光性樹脂の下地が表面反射の比
較的高い領域又は配線などが存在することで感光性樹脂
層の厚さが比較的に小さい領域（領域Ａ）の露光量を、
下地が表面反射の比較的低い領域又は配線などが存在し
ないことで感光性樹脂層の厚さが比較的に大きい領域
（領域Ｂ）の露光量より低くなるように設定する。In the present invention, in order to form a transmission / reflection type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device having a reflection plate having good reflection characteristics, in the step of exposing the photosensitive resin layer, the photosensitive resin layer is exposed. Varying the exposure for different areas. More specifically, the amount of exposure in a region (region A) in which the thickness of the photosensitive resin layer is relatively small due to the presence of a region where the base of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection or a wiring is present,
The amount of exposure is set to be lower than the exposure amount in a region where the thickness of the photosensitive resin layer is relatively large (region B) because the base has a relatively low surface reflection area or no wiring.

【００４２】この露光量の調整について、均一なパター
ンを持つフォトマスク（遮光マスク）を用い露光する光
の強度（露光強度）を制御する方法と、異なる領域のパ
ターンが異なっているフォトマスクを用いて露光を行う
方法などがある。For the adjustment of the exposure amount, a method of controlling the intensity of exposure light (exposure intensity) using a photomask (light shielding mask) having a uniform pattern and a method of using a photomask having a different pattern in a different region are used. Exposure method.

【００４３】（第１の実施形態）以下に、本発明の第１
の実施形態として、透過反射両用型基板を備えた透過反
射両用型液晶表示装置及びその製造方法を説明する。(First Embodiment) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described.
As an embodiment of the present invention, a transflective liquid crystal display device including a transflective substrate and a method for manufacturing the same will be described.

【００４４】本実施形態における透過反射両用基板の一
画素分の平面図は、基本的には図１に示す構成と同様で
あり、その説明を省略する。図６は、本発明による透過
反射両用型基板６０の図１のＡ―Ａ’線に沿った断面構
造を示す。透過反射両用型基板６０における反射板６９
は、実質的に同一なサイズの凹凸を持っており、均一で
良好な反射特性を有する。本願明細書において、反射板
が持っている「実質的に同一なサイズの凹凸」とは、反
射板が、１つの画素内で表示品質に不均一を生じさせな
い反射特性を示すようなサイズのばらつきを有する凹凸
を指す。なお、透過反射両用型基板６０の他の部分は図
２に示す対応の部分と基本的に同様である。The plan view of one pixel of the transmission / reflection substrate in the present embodiment is basically the same as the configuration shown in FIG. 1, and the description thereof will be omitted. FIG. 6 shows a cross-sectional structure of the transflective substrate 60 according to the present invention along the line AA ′ in FIG. Reflecting plate 69 in transmission / reflection dual-purpose substrate 60
Have irregularities of substantially the same size, and have uniform and good reflection characteristics. In the specification of the present application, “substantially the same size unevenness” of a reflector refers to a variation in size such that the reflector exhibits a reflection characteristic that does not cause non-uniform display quality within one pixel. Point. The other portions of the transmissive / reflective substrate 60 are basically the same as the corresponding portions shown in FIG.

【００４５】以下に、図７（ａ）〜（ｇ）を参照しなが
ら透過反射両用型液晶表示装置の製造方法を説明する。
本実施形態において、均一なパターンを持つフォトマス
クを用い感光性樹脂層を露光する露光量を制御すること
で、感光性樹脂層の表面に所望の凹凸を形成する。な
お、図７（ａ）〜（ｇ）は図６のＴＦＴ１６を省略した
部分に対応する。Hereinafter, a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 7 (a) to 7 (g).
In the present embodiment, desired unevenness is formed on the surface of the photosensitive resin layer by controlling the exposure amount for exposing the photosensitive resin layer using a photomask having a uniform pattern. FIGS. 7A to 7G correspond to portions in which the TFT 16 in FIG. 6 is omitted.

【００４６】まず、図７（ａ）に示すように、上面にゲ
ートバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が形
成されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層６
８（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍ程度の
厚さに塗布する。感光性樹脂層６８の領域Ａにおける部
分の下には、ゲートバスライン１４などの表面反射が比
較的高いパターンが存在しており、感光性樹脂層６８の
領域Ｂにおける部分の下には、絶縁膜２１及び透明電極
（画素電極２７）等の表面反射が比較的低い層のみが形
成され表面反射が比較的高いパターンが存在しない。こ
のため、感光性樹脂層６８の厚さは領域Ａの部分が領域
Ｂの部分より小さい。First, as shown in FIG. 7A, a positive photosensitive resin layer 6 is formed on a substrate 20 on which a gate bus line 14, an insulating layer 21 and a pixel electrode 27 are formed.
8 (Acrylic resin made of Japan Synthetic Rubber) is applied to a thickness of about 3.7 μm. Below the portion of the photosensitive resin layer 68 in the region A, there is a pattern having a relatively high surface reflection such as the gate bus line 14, and below the portion of the photosensitive resin layer 68 in the region B, Only a layer having relatively low surface reflection such as the film 21 and the transparent electrode (pixel electrode 27) is formed, and there is no pattern having relatively high surface reflection. Therefore, the thickness of the photosensitive resin layer 68 is smaller in the region A than in the region B.

【００４７】このような基板を、図８に示すような、領
域Ａがすべて遮光し、それ以外の領域（領域Ｂ）が不規
則に配置された遮光部８２を有する第１のフォトマスク
８０を用いて、均一に低照度で露光４４を行う（図７
（ｂ））。フォトマスク８０について、遮光部８２は直
径Ｄが１２μｍの丸型の形状を有し、遮光部８２の中心
間隔Ｅが１４μｍである。但し、均一に遮光部８２の中
心間隔が１４μｍとなるように配置すると反射光の干渉
が問題となるので、遮光部８２の中心間隔は、最小が１
４μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用い
る。露光強度は、約５０ｍＪに設定されている。As shown in FIG. 8, a first photomask 80 having a light-shielding portion 82 in which all the regions A are light-shielded and other regions (regions B) are irregularly arranged as shown in FIG. Exposure 44 is performed uniformly and at low illuminance (FIG. 7).
(B)). In the photomask 80, the light-shielding portion 82 has a round shape with a diameter D of 12 μm, and the center interval E between the light-shielding portions 82 is 14 μm. However, if the light-shielding portions 82 are uniformly arranged so that the center interval is 14 μm, interference of reflected light becomes a problem.
One that is randomly arranged to be about 4 μm is used. The exposure intensity is set at about 50 mJ.

【００４８】次に、図９に示すような、領域Ａは不規則
に配置された遮光部８２を有し、それ以外の領域（領域
Ｂ）が全面遮光している第２のフォトマスク９０を用い
て、図７（ｃ）に示すように均一に低照度で露光４４を
行う。遮光部８２のサイズ及び配置は上記の第１のフォ
トマスク８０を用いる露光工程のそれと同一である。こ
の工程で、露光強度を第１のフォトマスク８０の場合と
同じく５０ｍＪで露光を行なうと、感光性樹脂層の領域
Ａにおける凹凸形状の段差が領域Ｂのそれより大きくな
る。なぜなら、感光性樹脂層６８の領域Ａの下には表面
反射が比較的強い配線パターン（ゲートバスライン１
４）が存在しており、さらにこれにより感光性樹脂層６
８の領域Ａの部分の膜厚がそれ以外の部分（領域Ｂ）の
それより薄いからである。Next, as shown in FIG. 9, the second photomask 90 in which the region A has the light shielding portions 82 arranged irregularly and the other region (the region B) completely shields the light is provided. As shown in FIG. 7C, the exposure 44 is performed uniformly at low illuminance. The size and arrangement of the light-shielding portion 82 are the same as those in the exposure step using the first photomask 80 described above. In this step, when the exposure is performed at an exposure intensity of 50 mJ as in the case of the first photomask 80, the unevenness in the area A of the photosensitive resin layer becomes larger than that in the area B. This is because, under the region A of the photosensitive resin layer 68, a wiring pattern (gate bus line 1) having relatively strong surface reflection is provided.
4) is present, and the photosensitive resin layer 6
This is because the film thickness in the region A of No. 8 is smaller than that in the other region (region B).

【００４９】領域Ａについての最適な露光強度を設定す
るために、透過反射両用型基板に対して、図４に示す従
来のフォトマスク４０を用いて露光を行い、露光強度と
領域Ａと領域Ｂでの凹凸形状の段差の関係を調べた。そ
の結果を図１０に示す。図１０では、反射特性を支配す
る凹凸のサイズのばらつきとして、凹凸の相対的な形状
だけでなく、同一面からの高さの均一性も考慮するた
め、樹脂膜厚に下地膜を加算した値を縦軸に設定してい
る。すなわち、領域Ａにおいては、領域Ｂと同一面から
の高さの均一性も比較できるように、ゲートバスライン
の膜厚０．３μmを加算している。図１０から分かるよ
うに、領域Ａの凸部の感光性樹脂層の厚さａと領域Ｂの
凸部の感光性樹脂層の厚さａ’（図３（ｅ）参照）は、
露光強度に関係なくほぼ一定である。一方、凹部の感光
性樹脂層の厚さは、露光強度３５ｍＪ時（厚さｂ）と、
露光強度５０ｍＪ時（厚さｂ’）がほぼ等しい。上記の
結果に基づいて、本実施形態では、図７（ｃ）に示す工
程において領域Ａに対する第２のフォトマスク９０を用
いて露光する場合の露光強度を約３５ｍＪに設定する。In order to set the optimum exposure intensity for the area A, the transmission / reflection type substrate is exposed using the conventional photomask 40 shown in FIG. The relationship between the steps of the concave and convex shapes was examined. The result is shown in FIG. In FIG. 10, in order to consider not only the relative shape of the unevenness but also the uniformity of the height from the same surface as the unevenness in the size of the unevenness that governs the reflection characteristics, the value obtained by adding the base film to the resin film thickness is used. Is set on the vertical axis. That is, in the region A, the gate bus line thickness of 0.3 μm is added so that the uniformity of the height from the same plane as the region B can be compared. As can be seen from FIG. 10, the thickness a of the photosensitive resin layer in the convex portion in the region A and the thickness a ′ of the photosensitive resin layer in the convex portion in the region B (see FIG. 3E)
It is almost constant irrespective of the exposure intensity. On the other hand, the thickness of the photosensitive resin layer in the concave portion is as follows when the exposure intensity is 35 mJ (thickness b).
At an exposure intensity of 50 mJ (thickness b ') are almost equal. Based on the above results, in the present embodiment, the exposure intensity when exposing the region A using the second photomask 90 in the step shown in FIG. 7C is set to about 35 mJ.

【００５０】次に、図５に示すような、コンタクトホー
ル部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７ａに対応す
る部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォト
マスク５０（第３のフォトマスク）を用いて、図７
（ｄ）に示すように均一に高照度で露光を行なう。露光
強度は２６０ｍＪである。Next, as shown in FIG. 5, a photomask 50 (third photomask) having exposure portions 28b and 27b having openings corresponding to the contact holes 28a and the transmission electrodes 27a of the transmission region 18 is formed. Using FIG.
Exposure is performed uniformly at high illuminance as shown in FIG. The exposure intensity is 260 mJ.

【００５１】次に、図７（ｅ）に示すように、現像液で
現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分（露
光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、低照
度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減りす
る。Next, as shown in FIG. 7E, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in thickness with respect to the initial film thickness.

【００５２】次に、図７（ｆ）に示すように、１００℃
で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分間
の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低照
度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形状
を得る。Next, as shown in FIG.
And then heat treatment at 220 ° C. for 60 minutes to deform the resin in the low-illumination-exposed area due to the heat dripping phenomenon, thereby obtaining a smooth uneven shape.

【００５３】次に、反射電極６９としてＭｏ薄膜をスパ
ッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その
上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの
厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォト
レジストを基板上に塗布し、透過電極２７ａ上部のフォ
トレジストの部分を露光してから、現像、エッチング、
剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパター
ニングを行い、図７（ｇ）に示すような反射画素電極６
９を完成させる。反射画素電極６９は実質的に感光性樹
脂層６８と同一の凹凸形状を有する。Next, a Mo thin film is formed as a reflective electrode 69 to a thickness of 100 nm by sputtering, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by sputtering and patterned. Specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode 27a is exposed, and then developed, etched,
The Al / Mo electrode is patterned by performing the peeling process, and the reflective pixel electrode 6 as shown in FIG.
9 is completed. The reflection pixel electrode 69 has substantially the same concavo-convex shape as the photosensitive resin layer 68.

【００５４】以上の工程により、なだらかで高密度な反
射凹凸を有する反射板を形成していると共に、領域Ａに
おいても領域Ｂにおいても反射板が形成されている領域
では段差が均一な凹凸形状が得られる。つまり、従来技
術による反射板が有する凹凸形状（Ａ領域における段差
（ａ−ｂ＝２．７μｍ−１．０μｍ）が１．７μｍ、Ｂ
領域における段差（ａ’−ｂ’＝２.９μｍ−１.９μ
ｍ）が１.０μｍに対し、本発明による反射板の凹凸
は、領域Ａでも領域Ｂでも段差（ａ−ｂ＝２．７−１．
６＝１．１、及びａ’−ｂ’＝３．０−１．９＝１．
１）が１.１μmという同一なサイズを有する。この結
果、従来の反射板と比べて、本発明による反射板が均一
で良好な反射率を示す。Through the above-described steps, a reflector having a smooth and high-density reflection unevenness is formed, and in the area where the reflector is formed in both the area A and the area B, an uneven shape having a uniform step is formed. can get. That is, the concavo-convex shape (step (ab = 2.7 μm−1.0 μm) in the region A) of the conventional reflector is 1.7 μm and B
Step in the region (a′−b ′ = 2.9 μm−1.9 μm)
m) is 1.0 μm, and the unevenness of the reflector according to the present invention has a step (ab = 2.7-1.
6 = 1.1, and a′−b ′ = 3.0-1.9 = 1.
1) has the same size of 1.1 μm. As a result, as compared with the conventional reflector, the reflector according to the present invention shows a uniform and favorable reflectance.

【００５５】上記のように形成した透過反射両用型基板
と対向電極を有するカラーフィルタ基板とを貼り合わせ
て、基板間に液晶を注入して透過反射両用型液晶表示パ
ネルを作成する。The transmission / reflection type liquid crystal display panel is formed by bonding the transmission / reflection type substrate formed as described above and a color filter substrate having a counter electrode, and injecting liquid crystal between the substrates.

【００５６】以上の説明では、フォトマスクの遮光部が
円形の形状となっているが、円形の代わりに、四方形、
長方形などの他の幾何学的形状を有してもよい。さら
に、本実施形態では、感光性樹脂層現像後、凹部が存在
するように露光しているが、後述する図２０に示すよう
に、感光性樹脂層現像後、凸部だけが存在する工程にお
いても、凸部の形状を調整するため、最適な露光量を設
定することで、実質的に同一なサイズを有する凹凸形状
を実現することができる。これらのことは以下の実施形
態についても同様である。In the above description, the light-shielding portion of the photomask has a circular shape.
It may have other geometric shapes, such as a rectangle. Further, in this embodiment, after the photosensitive resin layer is developed, exposure is performed so that a concave portion exists. However, as shown in FIG. 20 described later, in a process in which only a convex portion exists after the photosensitive resin layer is developed. Also, by adjusting the shape of the convex portion and setting the optimal exposure amount, it is possible to realize a concave-convex shape having substantially the same size. The same applies to the following embodiments.

【００５７】（第２の実施形態）以下に、本発明の第２
の実施形態として、透過反射両用型液晶表示装置の他の
製造方法を説明する。上記の第１の実施形態では、感光
性樹脂層に凹凸を形成するために２枚のフォトマスク
（８０及び９０）を用いて感光性樹脂層の領域Ａ及び領
域Ｂの部分を２つの工程で露光している。本実施形態で
は、凹凸を形成するために、領域Ａ及び領域Ｂに対応す
る部分が異なるパターンを持つ１枚のフォトマスクを用
いて１つの露光工程を行う。このフォトマスクにおい
て、領域Ａにおける露光する面積対遮光する面積の比率
が、領域Ｂにおける露光する面積対遮光する面積の比率
より小さく設定される。図１１（ａ）〜（ｆ）を参照し
ながら、本実施形態により対角２インチの透過反射両用
型液晶表示装置の製造方法を説明する。(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
As another embodiment, another method for manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In the first embodiment, the area A and the area B of the photosensitive resin layer are formed in two steps by using two photomasks (80 and 90) in order to form irregularities on the photosensitive resin layer. Exposure. In the present embodiment, in order to form the unevenness, one exposure step is performed using one photomask having a different pattern in a portion corresponding to the region A and the region B. In this photomask, the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region A is set smaller than the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region B. With reference to FIGS. 11A to 11F, description will be made on a method of manufacturing a two-inch diagonal transflective liquid crystal display device according to the present embodiment.

【００５８】まず、図１１（ａ）に示すように、上面に
ゲートバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が
形成されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層
６８（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍ程度
の厚さに塗布する。First, as shown in FIG. 11A, a positive photosensitive resin layer 68 (Japan) is formed on a substrate 20 on which a gate bus line 14, an insulating layer 21 and a pixel electrode 27 are formed on the upper surface. (Acrylic resin made of synthetic rubber) is applied to a thickness of about 3.7 μm.

【００５９】このような基板を、図１２に示すフォトマ
スク１２０を用いて、均一に低照度で露光４４（露光強
度、約５０ｍＪ）を行う（図１１（ｂ）。フォトマスク
１２０は、不規則に配置された円形の遮光部１２２ａを
持つ領域Ａのパターンと、領域Ａのパターンと遮光部１
２２ａの直径及び中心間隔が異なる遮光部１２２ｂを持
つ領域Ｂのパターンを有する。遮光部１２２ａ及び１２
２ｂの大きさ及び中心間隔を調整すれば、感光性樹脂層
６８の領域Ａの部分に対する露光量を領域Ｂの部分に対
する露光量より少なくすることができる。（遮光部１２
２ａ及び１２２ｂの大きさ及び中心間隔の最適な値につ
いての考察は後ほど詳細に説明する。）本実施形態で
は、フォトマスク１２０の領域Ａの丸型遮光部１２２ａ
は直径が１０μｍ、中心間隔が１２μｍであり、領域Ｂ
の丸型遮光部１２２ｂは直径が１２μｍ、中心間隔が１
４μｍである。但し、遮光部の中心間隔を均一に１２μ
ｍ及び１４μｍに設定すると反射光の干渉が問題となる
ので、遮光部の中心間隔は、最小がそれぞれ１２μｍ及
び１４μｍ前後になるようにランダムに設定することが
好ましい。露光条件は第１の実施形態と同様に、５０ｍ
Ｊの露光強度に設定される。Exposure 44 (exposure intensity, about 50 mJ) is uniformly performed on such a substrate at a low illuminance using a photomask 120 shown in FIG. 12 (FIG. 11B). Area A pattern having a circular light-shielding portion 122a disposed in
It has a pattern of a region B having light-shielding portions 122b having different diameters and center intervals of 22a. Light shielding parts 122a and 12
By adjusting the size and the center interval of 2b, the exposure amount for the region A of the photosensitive resin layer 68 can be made smaller than the exposure amount for the region B. (Shade 12
The consideration of the optimal values of the sizes and center intervals of 2a and 122b will be described later in detail. In this embodiment, the round light-shielding portion 122a in the region A of the photomask 120 is used.
Has a diameter of 10 μm, a center interval of 12 μm, and a region B
Has a diameter of 12 μm and a center interval of 1
4 μm. However, the distance between the centers of the light-shielding portions should be 12 μm uniformly.
If the distances are set to m and 14 μm, interference of reflected light poses a problem. Therefore, it is preferable to randomly set the center intervals of the light-shielding portions so that the minimum distance is about 12 μm and 14 μm, respectively. The exposure condition is 50 m, as in the first embodiment.
The exposure intensity is set to J.

【００６０】次に、図５に示すような、コンタクトホー
ル部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７ａに対応す
る部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォト
マスク５０を用いて、図１１（ｃ）に示すように均一に
高照度で露光を行なう。露光強度は２６０ｍＪである。Next, as shown in FIG. 5, using a photomask 50 having exposed portions 28b and 27b having openings corresponding to the contact holes 28a and the transmissive electrodes 27a of the transmissive region 18, FIG. Exposure is performed uniformly at high illuminance as shown in FIG. The exposure intensity is 260 mJ.

【００６１】次に、図１１（ｄ）に示すように、現像液
で現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分
（露光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、
低照度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減り
する。Next, as shown in FIG. 11D, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high-illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed,
The resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in film thickness with respect to the initial film thickness.

【００６２】次に、図１１（ｅ）に示すように、１００
℃で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分
間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低
照度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形
状を得る。Next, as shown in FIG.
By performing the heat treatment at 11 ° C. for 11 minutes and then performing the heat treatment at 220 ° C. for 60 minutes, the resin in the low-illumination-exposed region is deformed due to the heat dripping phenomenon, and a gentle uneven shape is obtained.

【００６３】次に、反射電極６９としてＭｏ薄膜をスパ
ッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その
上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの
厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォト
レジストを基板上に塗布し、透過電極２７ａ上部のフォ
トレジストの部分を露光してから、現像、エッチング、
剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパター
ニングを行い、図１１（ｆ）に示すような反射画素電極
６９を完成させる。このように形成した透過反射両用型
基板と対向電極を有するカラーフィルタ基板とを貼り合
わせて、基板間に液晶を注入して透過反射両用型液晶表
示パネルを作成する。Next, a Mo thin film is formed as the reflective electrode 69 to a thickness of 100 nm by sputtering, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by sputtering and patterned. Specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode 27a is exposed, and then developed, etched,
The Al / Mo electrode is patterned by performing the peeling process, thereby completing the reflection pixel electrode 69 as shown in FIG. The transmission / reflection type liquid crystal display panel is formed by bonding the thus formed transmission / reflection type substrate and a color filter substrate having a counter electrode, and injecting liquid crystal between the substrates.

【００６４】以下に、本実施形態で用いられるフォトマ
スク１２０の遮光部１２２ａ及び１２２ｂの大きさ及び
中心間隔の最適な値について考察する。The optimum values of the size and the center interval of the light shielding portions 122a and 122b of the photomask 120 used in the present embodiment will be described below.

【００６５】まず、この考察を行うために、遮光部の大
きさ及び中心間隔が異なる複数のフォトマスク（図４に
示すフォトマスク４０を参照）を用いて、複数の透過反
射両用型基板を形成する。具体的には、素ガラス基板の
上に、ポジ型の感光性樹脂層を３．７μｍ程度の厚さに
塗布してから、一定の大きさ及び中心間隔を持つ遮光部
を有するフォトマスクを用いて、均一に低照度で露光
（露光強度、約５０ｍＪ）を行う。現像後、１００℃で
１１分加熱処理を行ない、さらに２２０℃で６０分間の
加熱処理を行う。そして基板上にＡｌ（厚さ１００ｎ
ｍ）／Ｍｏ（厚さ１００ｎｍ）による反射板を形成す
る。この反射基板とガラス基板をサリチル酸メチルを挟
んで貼り合わせ、ミノルタＣＭ−２００２を用いて標準
白色板をリファレンスにして、反射強度を表すＹ値を測
定した。この結果を図１３に示す。First, in order to make this consideration, a plurality of transmission / reflection type substrates are formed using a plurality of photomasks (see photomask 40 shown in FIG. 4) having different sizes and center intervals of light-shielding portions. I do. Specifically, a positive photosensitive resin layer is applied to a thickness of about 3.7 μm on a base glass substrate, and then a photomask having a light-shielding portion having a fixed size and a center interval is used. Exposure (exposure intensity, about 50 mJ) with low illuminance. After the development, heat treatment is performed at 100 ° C. for 11 minutes, and further heat treatment is performed at 220 ° C. for 60 minutes. Then, Al (thickness 100 n) is formed on the substrate.
m) / Mo (thickness: 100 nm) reflector is formed. The reflective substrate and the glass substrate were bonded together with the methyl salicylate sandwiched therebetween, and the Y value representing the reflection intensity was measured using Minolta CM-2002 with reference to a standard white plate. FIG. 13 shows the result.

【００６６】図１３において、曲線（８−２Ｐ）は丸型
遮光部の直径が８μｍであり中心間隔が１０μｍである
パターンを有するフォトマスクを用いて形成した反射基
板、曲線（１０−２Ｐ）は丸型遮光部の直径が１０μｍ
であり中心間隔が１２μｍであるパターンを有するフォ
トマスクを用いて形成した反射基板、曲線（１２−２
Ｐ）は丸型遮光部の直径が１２μｍであり中心間隔が１
４μｍであるパターンを有するフォトマスクを用いて形
成した反射基板の場合の、露光強度と反射板のＹ値との
関係を示す。但し、均一に遮光部の中心間隔がそれぞれ
１４μｍ、１２μｍ、１０μｍとなるように配置すると
反射光の干渉が問題となるので、遮光部の中心間隔は、
それぞれ最小が１４μｍ、１２μｍ、１０μｍ前後にな
るようにランダムに配置したものを用いた。In FIG. 13, a curve (8-2P) indicates a reflective substrate formed using a photomask having a pattern in which the diameter of the round light-shielding portion is 8 μm and the center interval is 10 μm, and a curve (10-2P) indicates The diameter of the round shading part is 10μm
And a reflective substrate formed using a photomask having a pattern with a center interval of 12 μm, curve (12-2)
In P), the diameter of the round light-shielding portion is 12 μm and the center interval is 1
4 shows the relationship between the exposure intensity and the Y value of the reflector in the case of a reflective substrate formed using a photomask having a pattern of 4 μm. However, if the center intervals of the light-shielding portions are uniformly arranged to be 14 μm, 12 μm, and 10 μm, interference of reflected light becomes a problem.
Those that were randomly arranged so that the minimum was about 14 μm, 12 μm, and 10 μm, respectively, were used.

【００６７】図１３によると、遮光部の直径が１２μｍ
から１０μｍ、８μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最
大になる露光強度が大きくなるのがわかる。このことか
ら、図１２に示すフォトマスク１２０を用いて感光性樹
脂層の露光を行う場合、領域Ａの遮光部１２２ａの直径
を領域Ｂの遮光部１２２ｂの直径よりも小さくすること
で、遮光部の直径が全面同じであるフォトマスクで露光
した場合よりも、より良好な反射特性が得られることが
分かる。According to FIG. 13, the diameter of the light shielding portion is 12 μm.
It can be seen that the exposure intensity at which the Y value is maximized increases as the distance decreases from 10 μm to 8 μm. For this reason, when exposing the photosensitive resin layer using the photomask 120 shown in FIG. 12, the diameter of the light-shielding portion 122a in the region A is made smaller than the diameter of the light-shielding portion 122b in the region B. It can be seen that better reflection characteristics can be obtained than when exposure is performed using a photomask having the same diameter over the entire surface.

【００６８】本実施形態によって形成される表示パネル
は、従来技術にる表示パネルに比べてより高いＹ値が得
られる（なお、Ｙ値の測定に関して、液晶層の層厚が反
射特性に影響を与えないように、偏光板はパネルに貼り
合わせずに測定を行なっている）。より具体的に、図４
に示すフォトマスク４０（遮光部は均一に直径１２μ
ｍ、中心間隔が１４μｍとなっている）を用いる従来技
術によるパネルは、Ｙ値が５.２８となっている。これ
に対し、第２の実施形態の方法により、領域Ａの遮光部
１２２ａの直径が８μｍ、中心間隔が１０μｍ、領域Ｂ
の遮光部１２２ｂの直径が１２μｍ、中心間隔が１４μ
ｍとなるフォトマスク１２０を用いて形成したパネルの
Ｙ値が５.３１となる。また、同様に第２の実施形態の
方法により、領域Ａの遮光部１２２ａの直径が１０μ
ｍ、中心間隔が１２μｍ、領域Ｂの遮光部１２２ｂの直
径が１２μｍ、中心間隔が１４μｍとなるフォトマスク
１２０を用いて形成したパネルのＹ値が５.７３とな
り、従来例のパネルに比べて約９％の反射特性の改善が
認められる。この様に、フォトマスクの領域Ａと領域Ｂ
で遮光部の直径又は中心間隔を変えることで、反射板の
反射特性の向上が可能である。The display panel formed according to the present embodiment can obtain a higher Y value than the display panel according to the prior art (in the measurement of the Y value, the thickness of the liquid crystal layer affects the reflection characteristics). The measurement is performed without attaching the polarizing plate to the panel so as not to give it.) More specifically, FIG.
(The light-shielding portion is uniformly 12 μm in diameter.)
m, and the center distance is 14 μm), the Y value is 5.28. On the other hand, according to the method of the second embodiment, the diameter of the light shielding portion 122a in the area A is 8 μm, the center interval is 10 μm, and the area B is
The diameter of the light shielding portion 122b is 12 μm and the center interval is 14 μm.
The Y value of the panel formed using the photomask 120 of m is 5.31. Similarly, according to the method of the second embodiment, the diameter of the light shielding portion 122a in the region A is 10 μm.
m, the center interval is 12 μm, the diameter of the light-shielding portion 122 b in the region B is 12 μm, and the Y value of the panel formed using the photomask 120 having the center interval of 14 μm is 5.73, which is about compared to the conventional panel. A 9% improvement in reflection properties is observed. As described above, the photomask regions A and B
By changing the diameter or the center interval of the light-shielding portion, the reflection characteristics of the reflector can be improved.

【００６９】本実施形態は、第１の実施形態に比べてさ
らに次のような利点を有する。第１の実施形態では、感
光性樹脂層に凹凸を形成するための露光工程において、
２枚のフォトマスクを用いて２回の工程を行うが、第２
の実施形態によれば、２種類のパターンを持つフォトマ
スクを用いることで、１枚のフォトマスクにより１つの
露光工程で所望の凹凸が形成できる。このため、露光量
を変えることでマスク数や工程数の増加による生産効率
の低下が避けられる。This embodiment has the following advantages over the first embodiment. In the first embodiment, in the exposure step for forming irregularities on the photosensitive resin layer,
Although two steps are performed using two photomasks, the second
According to the embodiment, by using a photomask having two types of patterns, desired unevenness can be formed by one exposure step using one photomask. Therefore, by changing the exposure amount, a decrease in production efficiency due to an increase in the number of masks and the number of steps can be avoided.

【００７０】なお、基板上に形成された配線パターンな
どを考慮して、その上に反射画素電極（反射板）が形成
される感光性樹脂層の全面に均一な形状の凹凸を形成す
るのに必要であれば、感光性樹脂層の露光に用いられる
フォトマスクの遮光部のパターン（遮光部のサイズ及び
間隔）を２種類以上にしても良い。In consideration of the wiring pattern formed on the substrate and the like, it is necessary to form uniform unevenness on the entire surface of the photosensitive resin layer on which the reflective pixel electrode (reflective plate) is formed. If necessary, two or more types of light-shielding portion patterns (sizes and intervals of light-shielding portions) of a photomask used for exposing the photosensitive resin layer may be used.

【００７１】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態として、透過反射両用型液晶表示装置のさらに他の製
造方法を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層に凹凸
を形成するために用いるフォトマスクのパターンが第２
の実施形態のそれと異なっており、製造方法は第２の実
施形態の場合に類似する。以下では、主にこのフォトマ
スクのパターンについて説明する。(Third Embodiment) As a third embodiment of the present invention, still another method of manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In this embodiment, the pattern of the photomask used to form the irregularities on the photosensitive resin layer is the second pattern.
The manufacturing method is different from that of the second embodiment, and the manufacturing method is similar to that of the second embodiment. Hereinafter, the pattern of the photomask will be mainly described.

【００７２】図１４に示すように、本実施形態に用いる
フォトマスク１４０の領域Ａ及び領域Ｂの２種類のパタ
ーンは、不規則に配置された遮光部１４２ａ及び１４２
ｂの直径が同一で遮光部の中心間隔が異なっている。感
光性樹脂層に均一な凹凸形状を形成するために、フォト
マスク１４０の領域Ａにおける遮光部１４２ａの中心間
隔を、領域Ｂにおける遮光部１４２ｂの中心間隔より小
さくしている。As shown in FIG. 14, the two types of patterns of the region A and the region B of the photomask 140 used in the present embodiment are composed of irregularly arranged light shielding portions 142a and 142.
The diameters of b are the same, and the center intervals of the light shielding portions are different. In order to form a uniform uneven shape on the photosensitive resin layer, the center interval of the light shielding portions 142a in the region A of the photomask 140 is smaller than the center interval of the light shielding portions 142b in the region B.

【００７３】遮光部の間隔を変化させ、遮光部の直径を
一定にしたマスクパターンでの最適露光強度を評価する
ために、遮光部の直径が８μｍの丸型で、遮光部の中心
間隔が１０μｍとなるように配置したパターン（８−２
Ｐ）と、遮光部の直径が８μｍの丸型で、遮光部１７の
中心間隔が１１μｍとなるように配置したパターン（８
−３Ｐ）を有するフォトマスクを用いて露光強度を変化
させて反射板を作成し、その露光強度とＹ値との関係を
調べた。その結果を図１５に示す。反射板の作成におい
て、均一に遮光部の中心間隔がそれぞれ１０μ、１１μ
ｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるの
で、遮光部の中心間隔は、それぞれ最小が１０μｍ又は
１１μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用
いた。In order to evaluate the optimum exposure intensity in a mask pattern in which the distance between the light-shielding portions is changed and the diameter of the light-shielding portions is constant, a round shape having a diameter of the light-shielding portions of 8 μm and a center interval of the light-shielding portions of 10 μm (8-2)
P) and a pattern (8) in which the light-shielding portions are formed in a round shape with a diameter of 8 μm and the center intervals of the light-shielding portions 17 are 11 μm.
A reflector was prepared by changing the exposure intensity using a photomask having (-3P), and the relationship between the exposure intensity and the Y value was examined. The result is shown in FIG. In the production of the reflector, the center intervals of the light-shielding portions were uniformly 10 μ and 11 μ, respectively.
Since the interference with the reflected light poses a problem when the light-shielding portions are arranged so as to have a distance of m, the light-shielding portions are randomly arranged so that the minimum distance between them is about 10 μm or 11 μm, respectively.

【００７４】図１５によると、遮光部の間隔が１１μｍ
から１０μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最大になる
露光強度が大きくなるのがわかる。このことからも、領
域Ａの遮光部１４２ａの間隔を領域Ｂの遮光部１４２ｂ
の間隔よりも小さくすることで、領域Ａにおける感光性
樹脂層の露光する面積を領域Ｂにおける感光性樹脂層の
露光する面積より小さくすることによって、領域Ａ及び
領域Ｂに対して同じ強度の光を照射しても均一な形状の
凹凸を形成することが期待できる。その結果、遮光部の
間隔が全面同じであるフォトマスクで露光した場合より
も、より良好な反射特性を示す反射電極が得られる。According to FIG. 15, the interval between the light shielding portions is 11 μm.
It can be seen that the exposure intensity at which the Y value becomes the maximum increases as the distance from the target decreases to 10 μm. Therefore, the interval between the light shielding portions 142a in the region A is set to
By making the area of the photosensitive resin layer exposed in the area A smaller than the area of the photosensitive resin layer exposed in the area B, the light having the same intensity with respect to the areas A and B can be obtained. Irradiation can be expected to form unevenness having a uniform shape. As a result, a reflective electrode exhibiting better reflection characteristics can be obtained as compared with a case where exposure is performed using a photomask in which the intervals between the light shielding portions are the same.

【００７５】本実施形態によるフォトマスク１４０を用
いて感光性樹脂層に凹凸を形成する場合、フォトマスク
のパターン１４２ａ及び１４２ｂの具体的な寸法は、感
光性樹脂の塗布膜厚や、感光性樹脂の下にある配線パタ
ーンの表面反射特性や膜厚を考慮して適切に設定すれば
よい。When the unevenness is formed in the photosensitive resin layer using the photomask 140 according to the present embodiment, the specific dimensions of the photomask patterns 142a and 142b are determined by the applied thickness of the photosensitive resin and the photosensitive resin. It may be set appropriately in consideration of the surface reflection characteristics and the film thickness of the wiring pattern below.

【００７６】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態として、透過反射両用型液晶表示装置のさらに他の製
造方法を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層に凹凸
を形成するために用いるフォトマスクのパターンが第２
の実施形態のそれと異なっており、製造方法は第２の実
施形態の場合に類似する。以下では、主にこのフォトマ
スクのパターンについて説明する。(Fourth Embodiment) As a fourth embodiment of the present invention, still another method of manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In this embodiment, the pattern of the photomask used to form the irregularities on the photosensitive resin layer is the second pattern.
The manufacturing method is different from that of the second embodiment, and the manufacturing method is similar to that of the second embodiment. Hereinafter, the pattern of the photomask will be mainly described.

【００７７】図１６に示すように、本実施形態によるフ
ォトマスク１６０は、領域Ａの透光部１６２ａの直径が
領域Ｂの透光部１６２ｂの直径より小さく、透光部１６
２ａの最小間隔（１つの透光部の辺と隣りの透光部の辺
との最小間隔）と透光部１６２ｂの最小間隔とは同一に
なるように設定される。なお、透光部１６２ａ及び透光
部１６２ｂは不規則に配置されている。As shown in FIG. 16, in the photomask 160 according to the present embodiment, the diameter of the light transmitting portion 162a in the region A is smaller than the diameter of the light transmitting portion 162b in the region B, and
The minimum interval of 2a (the minimum interval between the side of one translucent section and the side of the adjacent translucent section) and the minimum interval of the translucent section 162b are set to be the same. Note that the light transmitting portions 162a and 162b are arranged irregularly.

【００７８】このようなフォトマスクでの最適露光強度
を評価するために、透光部の直径が８μｍの丸型で、透
光部の中心間隔が最小１２μｍとなるように配置したパ
ターン（８−４Ｎ）と、透光部の直径が６μｍの丸型
で、透光部の中心間隔が最小１０μｍとなるように配置
したパターン（６−４Ｎ）を有するフォトマスクを用い
て露光強度を変化させて作成した反射板に対し、露光強
度とＹ値の依存性を調べた。その結果を図１７に示す。
なお、反射板の作成において、均一に透光部の中心間隔
がそれぞれ最小１０μmと最小１２μｍとなるように配
置すると反射光の干渉が問題となるので、透光部の中心
間隔は、それぞれ１０μm前後と１２μｍ前後になるよ
うにランダムに配置したものを用いた。In order to evaluate the optimum exposure intensity on such a photomask, a pattern (8-) was used in which the diameter of the translucent portion was 8 μm and the center distance between the translucent portions was at least 12 μm. 4N) and a photomask having a pattern (6-4N) having a pattern in which the diameter of the light-transmitting portion is 6 μm and the center distance between the light-transmitting portions is at least 10 μm is changed. The dependence of the exposure intensity and the Y value on the prepared reflector was examined. The result is shown in FIG.
In the production of the reflection plate, if the light-transmitting portions are uniformly arranged so that the center distance between the light-transmitting portions is at least 10 μm and the minimum light is 12 μm, interference of reflected light becomes a problem. Therefore, the center distance between the light-transmitting portions is about 10 μm. And randomly arranged so as to be about 12 μm.

【００７９】図１７によると、透光部の直径が８μｍか
ら６μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最大になる露光
強度が大きくなるのがわかる。このことからも、領域Ａ
の透光部１６２ａの直径を領域Ｂの透光部１６２ｂの直
径よりも小さくすることで、透光部の直径が全面同じで
あるフォトマスクで露光した場合よりも、より良好な反
射特性が得られることが期待できる。よって、領域Ｂよ
りも領域Ａの方が、感光性樹脂の低照度露光する面積を
小さくすることで、同じ露光強度で領域Ａでも領域Ｂで
も良好な反射特性を持つ反射電極を形成できる。FIG. 17 shows that the exposure intensity at which the Y value becomes maximum increases as the diameter of the light transmitting portion decreases from 8 μm to 6 μm. From this, the area A
By making the diameter of the light-transmitting portion 162a smaller than the diameter of the light-transmitting portion 162b in the region B, better reflection characteristics can be obtained as compared with the case where exposure is performed using a photomask in which the diameter of the light-transmitting portion is entirely the same. Can be expected. Therefore, by reducing the area of the photosensitive resin exposed to low illuminance in the area A compared to the area B, a reflective electrode having good reflection characteristics can be formed in both the area A and the area B with the same exposure intensity.

【００８０】本実施形態によるフォトマスク１６０を用
いて感光性樹脂層に凹凸を形成する場合、フォトマスク
のパターン１６２ａ及び１６２ｂの具体的な寸法は、感
光性樹脂の塗布膜厚や、感光性樹脂の下にある配線パタ
ーンの表面反射特性や膜厚を考慮して適切に設定すれば
よい。In the case where unevenness is formed in the photosensitive resin layer using the photomask 160 according to the present embodiment, the specific dimensions of the photomask patterns 162a and 162b are determined based on the applied thickness of the photosensitive resin and the photosensitive resin. It may be set appropriately in consideration of the surface reflection characteristics and the film thickness of the wiring pattern below.

【００８１】以上の実施形態では、透過電極領域である
領域１８（領域Ｃ）は領域Ｂに含まれるようにし（図２
参照）、領域Ｂと同じマスクパターンで低照度露光を行
なったが、領域Ｃはコンタクトホール部と共に感光性樹
脂をすべて除去するので、透過電極領域である領域Ｃは
領域Ａと同じマスクパターンで低照度露光を行なっても
よい。In the above embodiment, the region 18 (region C) which is a transmission electrode region is included in the region B (see FIG. 2).
Although low-illuminance exposure was performed using the same mask pattern as that of the area B, the area C, which is a transmission electrode area, has the same mask pattern as that of the area A because the photosensitive resin is completely removed along with the contact hole. Illumination exposure may be performed.

【００８２】また、上記の説明では反射板の凹凸を１層
の感光性樹脂で形成しているが、複数の感光性樹脂層を
用いて凹凸を形成してもよい。例えば、第１の感光性樹
脂を塗布後凹凸パターンを形成した後、その上に第２の
感光性樹脂層を塗布し、反射板を形成することができ
る。In the above description, the unevenness of the reflection plate is formed by one layer of the photosensitive resin, but the unevenness may be formed by using a plurality of photosensitive resin layers. For example, after forming a concave and convex pattern after applying the first photosensitive resin, a second photosensitive resin layer can be applied thereon to form a reflector.

【００８３】なお、下地が表面反射の比較的低い領域
（領域Ｂ）の感光性樹脂層表面の凹凸形状と同様な凹凸
をバスライン上（領域Ａ）の感光性樹脂層表面に形成す
ることが理想的であるが、バスラインのパターンが比較
的細い場合は、バスライン上の感光性樹脂層表面に所望
の凹凸を形成することが困難なときがある。しかし、バ
スライン上には通常、反射層は一部しか形成されないた
め、面積の大きな補助容量形成部上に形成された反射層
と比べると、反射特性には大きく寄与しない。よって、
下地が表面反射の比較的高い領域（例えば補助容量形成
部）の一部に、下地が表面反射の比較的低い領域に形成
された凹凸と異なる凹凸形状を形成するだけでも、反射
電極の反射特性の向上が図れる。It is to be noted that unevenness similar to the unevenness of the surface of the photosensitive resin layer in the region where the surface reflection is relatively low (region B) may be formed on the surface of the photosensitive resin layer on the bus line (region A). Although ideal, when the bus line pattern is relatively narrow, it may be difficult to form desired irregularities on the surface of the photosensitive resin layer on the bus line. However, since only a part of the reflective layer is usually formed on the bus line, the reflective layer does not significantly contribute to the reflection characteristics as compared with the reflective layer formed on the storage capacitor forming portion having a large area. Therefore,
The reflection characteristic of the reflective electrode can be obtained even if the base is formed only in a part of a region where the surface reflection is relatively high (for example, an auxiliary capacitance forming part) with an uneven shape different from that formed in the region where the surface reflection is relatively low. Can be improved.

【００８４】（第５の実施形態）以下に、本発明の第５
の実施形態として、反射型液晶表示装置の製造方法を説
明する。(Fifth Embodiment) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described.
As an embodiment, a method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device will be described.

【００８５】図１８は、素子側基板１８０の一画素分の
平面図である。図１９は、図１８のＡ−Ａ’断面図であ
る。素子側基板１８０は、ソースバスライン１８１、ゲ
―トバスライン１８２、ソースバスライン１８１とゲ―
トバスライン１８２に囲まれる領域に形成されている反
射板を兼ねた画素電極（反射電極）１８６、ならびに各
画素電極に対応して設けられている３端子非線形抵抗素
子１８５を含んでいる。複数の画素電極がガラス基板１
９０上にマトリクス状に配置され、液晶表示装置の表示
部を構成する。なお、ガラス基板１９０上には、補助容
量電極及び補助容量配線１９４が、反射電極１８６と一
部重なるように設けられている。FIG. 18 is a plan view of one pixel of the element-side substrate 180. FIG. 19 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. The element-side substrate 180 includes a source bus line 181, a gate bus line 182, a source bus line 181 and a gate bus line 181.
It includes a pixel electrode (reflection electrode) 186 also serving as a reflection plate formed in a region surrounded by the bus line 182, and a three-terminal nonlinear resistance element 185 provided corresponding to each pixel electrode. A plurality of pixel electrodes are on the glass substrate 1
90, are arranged in a matrix, and constitute a display unit of the liquid crystal display device. Note that an auxiliary capacitance electrode and an auxiliary capacitance wiring 194 are provided over the glass substrate 190 so as to partially overlap the reflective electrode 186.

【００８６】３端子非線形抵抗素子１８５は、図１９に
示すように、ガラス基板１９０の上の導電薄膜からなる
ゲート電極１８２ａと、ゲート電極１８２ａ及び補助容
量電極１９４上に形成された絶縁体層１８９と、半導体
層１８７と、コンタクト層１８７ａ及び１８７ｂと、ソ
ース電極１８３及びドレイン電極１８４とによって構成
されている。As shown in FIG. 19, the three-terminal nonlinear resistance element 185 includes a gate electrode 182a formed of a conductive thin film on a glass substrate 190, and an insulator layer 189 formed on the gate electrode 182a and the auxiliary capacitance electrode 194. , A semiconductor layer 187, contact layers 187a and 187b, and a source electrode 183 and a drain electrode 184.

【００８７】この３端子非線形抵抗素子１８５の上には
絶縁体保護層１９２が形成され、この絶縁体保護層１９
２にはドレイン電極１８４の引き回し電極１８４ａの上
部にコンタクトホール１９８が位置するようにパターン
形成されている。その上にさらに、アルミニウムなどか
ら形成された反射電極１８６が、ドレイン電極１８４の
引き回し電極１８４ａにコンタクトホール１９８を介し
て電気的に接続されるように形成されている。An insulator protective layer 192 is formed on the three-terminal non-linear resistance element 185.
2, a pattern is formed so that the contact hole 198 is located above the routing electrode 184a of the drain electrode 184. Further, a reflection electrode 186 made of aluminum or the like is further formed so as to be electrically connected to a routing electrode 184a of the drain electrode 184 via a contact hole 198.

【００８８】また、あらゆる角度からの入射光に対し表
示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させるよ
うな最適な反射特性を有する反射板を形成するために、
反射電極１８６が形成される部分の絶縁体保護層１９２
の下部には複数の凹凸部からなる感光性樹脂層１９１が
形成されている。Further, in order to form a reflector having an optimal reflection characteristic for increasing the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles,
Insulator protective layer 192 where reflective electrode 186 is formed
A photosensitive resin layer 191 composed of a plurality of uneven portions is formed below.

【００８９】以下に、図２０（ａ）〜（ｆ）を参照しな
がら、上記の反射型液晶表示装置の製造方法を説明す
る。Hereinafter, a method for manufacturing the above-mentioned reflection type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 20 (a) to 20 (f).

【００９０】図２０（ａ）に示すように、補助容量電極
１９４、絶縁体層１８９、ドレイン電極１８４及び端子
非線形抵抗素子１８５（不図示）が形成された基板１９
０の全面にポジ型感光性樹脂１９１ａを塗布する。感光
性樹脂１９１ａであるレジスト材料として、例えばＯＦ
ＰＲ−８００（東京応化社製）を好ましくは５００ｒｐ
ｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートにより塗布する。本
実施例では、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を行った。As shown in FIG. 20A, a substrate 19 on which an auxiliary capacitance electrode 194, an insulator layer 189, a drain electrode 184, and a terminal non-linear resistance element 185 (not shown) are formed.
The positive photosensitive resin 191a is applied to the entire surface of the "0". As a resist material which is the photosensitive resin 191a, for example, OF
PR-800 (manufactured by Tokyo Ohkasha) preferably at 500 rpm
It is applied by spin coating at m to 3000 rpm. In this embodiment, the coating was performed at 2000 rpm for 30 seconds.

【００９１】３端子非線形抵抗素子１８５が形成された
基板１９０上には多くの金属薄膜層（補助容量電極１９
４、ドレイン電極１８４等）、絶縁体層１８９、半導体
層（不図示）等が積層されているため平坦ではなく、そ
れぞれの層ごとに段差が存在している。図２０（ａ）に
示すように、基板１９０は、感光性樹脂１９１ａの厚さ
が比較的に小さい領域Ａと、感光性樹脂層１９１ａの厚
さが比較的に大きい領域Ｂを有する。領域Ａにおける感
光性樹脂層１９１ａの厚さは２μｍ、領域Ｂにおける感
光性樹脂層１９１ａの厚さは３μｍとなる。On the substrate 190 on which the three-terminal nonlinear resistance element 185 is formed, a number of metal thin film layers (the auxiliary capacitance electrodes 19) are formed.
4, the drain electrode 184, etc.), the insulator layer 189, the semiconductor layer (not shown), and the like are stacked, so that they are not flat, and each layer has a step. As shown in FIG. 20A, the substrate 190 has a region A where the thickness of the photosensitive resin 191a is relatively small, and a region B where the thickness of the photosensitive resin layer 191a is relatively large. The thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region A is 2 μm, and the thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region B is 3 μm.

【００９２】次に、図２１に示すようなフォトマスク２
１０を用いて、図２０（ｂ）に示されるように露光を行
う。フォトマスク２１０は、斜線で示す円形の遮光領域
２１２ａ及び２１２ｂが不規則に配置されている。遮光
領域２１２ａは基板１９０上の補助容量電極１９４が下
層に形成されている領域Ａに配置され、遮光領域２１２
ｂはその他のドレイン電極の位置する領域Ｂに配置され
ている。遮光領域２１２ａの直径Ｄ１は、遮光領域２１
２ｂの直径Ｄ２よりも大きく形成されている。たとえ
ば、直径Ｄ１は１５μｍであり、直径Ｄ２は１０μｍで
ある。フォトマスク２１０を用いることにより、領域Ａ
における露光する面積対遮光する面積の比率が、領域Ｂ
における露光する面積対遮光する面積の比率より小さく
設定される。Next, a photomask 2 as shown in FIG.
Exposure is performed as shown in FIG. In the photomask 210, circular light-shielding regions 212a and 212b indicated by oblique lines are irregularly arranged. The light-shielding region 212a is disposed in a region A on the substrate 190 where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in a lower layer.
b is arranged in a region B where other drain electrodes are located. The diameter D1 of the light shielding area 212a is
2b is formed larger than the diameter D2. For example, the diameter D1 is 15 μm and the diameter D2 is 10 μm. By using the photomask 210, the region A
In the area B, the ratio of the area to be exposed to the area to be shielded is
Is set smaller than the ratio of the area to be exposed to the area to be shielded.

【００９３】フォトマスク２１０により露光する際、補
助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａは、そ
の他のドレイン電極の位置する領域Ｂよりも感光性樹脂
１９１ａの膜厚が薄いためオーバー露光となり、図２０
（ｂ）における感光性樹脂層１９１ａ中の矢印で示す位
置まで露光されることとなる。When the exposure is performed by the photomask 210, the area A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer is overexposed because the thickness of the photosensitive resin 191a is smaller than the area B where the other drain electrodes are located. , FIG.
The exposure is performed up to the position indicated by the arrow in the photosensitive resin layer 191a in (b).

【００９４】次に、図２０（ｃ）に示されるように、感
光性樹脂１９１ａを現像し円形の凸部を形成する。現像
液として、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を
用いる。これにより、補助容量電極１９４が下層に形成
されている領域Ａの凸部は図２０（ｂ）の工程で用いた
フォトマスク２１０の遮光領域２１２ａよりも、小さな
直径の円形の凸部となり、その他のドレイン電極の位置
する領域Ｂに形成された凸部と同じ直径の円形の凸部と
なる。Next, as shown in FIG. 20C, the photosensitive resin 191a is developed to form a circular convex portion. 2.38% NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used as a developer. As a result, the convex portion in the region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer becomes a circular convex portion having a smaller diameter than the light shielding region 212a of the photomask 210 used in the step of FIG. Is formed in a circular protrusion having the same diameter as the protrusion formed in the region B where the drain electrode is located.

【００９５】次に、図２０（ｄ）に示されるように、好
ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理をすることで凸部
（感光性樹脂層１９１ａ）の角が取り除かれ滑らかな凸
部による感光性樹脂層１９１が形成される。本実施例で
は、１８０℃で３０分間熱処理を行う。Next, as shown in FIG. 20 (d), heat treatment is preferably performed at 120 ° C. to 250 ° C. to remove the corners of the convex portions (photosensitive resin layer 191a), thereby forming a photosensitive layer with a smooth convex portion. The conductive resin layer 191 is formed. In this embodiment, the heat treatment is performed at 180 ° C. for 30 minutes.

【００９６】その後、図２０（ｅ）に示されるように、
凸部による感光性樹脂層１９１を形成した基板上に絶縁
体保護膜１９２として、レジスト樹脂を好ましくは１０
００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍでスピンコートにより塗布
する。本実施例では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布す
ることで、１μｍの膜厚となる。これにより絶縁体保護
膜１９２上には感光性樹脂層１９１の凸部に応じた凸部
が生じるが、感光性樹脂層１９１の凸部よりも滑らかな
形状となる。さらに、ドレイン電極１８４と次の工程で
形成される反射電極１８６とを接続するためのコンタク
トホール１９８（図１９参照）をフォトリソグラフイ法
を用いて形成する。After that, as shown in FIG.
A resist resin is preferably used as an insulating protective film 192 on the substrate on which the photosensitive resin layer 191 having the convex portions is formed.
It is applied by spin coating at 00 rpm to 3500 rpm. In the present embodiment, the film is applied at 2200 rpm for 20 seconds to have a film thickness of 1 μm. As a result, a protrusion corresponding to the protrusion of the photosensitive resin layer 191 is formed on the insulator protective film 192, but the shape becomes smoother than the protrusion of the photosensitive resin layer 191. Further, a contact hole 198 (see FIG. 19) for connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 formed in the next step is formed by photolithography.

【００９７】最後に、図２０（ｆ）に示されるように、
絶縁体保護膜１９２上に反射電極１８６となる金属薄膜
を２０００Åの膜厚で真空蒸着を行う。これによりドレ
イン電極１８４と反射電極１８６はコンタクトホール１
９８を介して接続される。さらに金属薄膜を画素ごとに
パターニングすることで反射電極１８６は完成される。
金属薄膜は本実施例ではアルミニウムを用いたが、銀、
銅、ニッケル、クロムなどを用いることも可能である。
なお、上記のように形成した素子側基板１８０を、周知
の方法で対向基板と張り合わせ、その間に液晶を注入す
ることで反射型液晶表示装置が得られる。Finally, as shown in FIG.
A metal thin film serving as the reflective electrode 186 is vacuum-deposited on the insulator protective film 192 to a thickness of 2000 °. As a result, the drain electrode 184 and the reflection electrode 186 are in contact hole 1
98. Further, the reflective electrode 186 is completed by patterning the metal thin film for each pixel.
In this embodiment, aluminum was used for the metal thin film, but silver,
It is also possible to use copper, nickel, chromium, or the like.
The reflection-type liquid crystal display device can be obtained by bonding the element-side substrate 180 formed as described above to a counter substrate by a well-known method and injecting liquid crystal therebetween.

【００９８】以上の工程により、感光性樹脂１９１の膜
厚が異なる領域Ａ及びＢで直径の異なる遮光領域２１２
ａ及び２１２ｂを有する遮光手段２１０を用いることで
同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、最
適な反射特性を有する反射電極をかねた反射板が得られ
る。Through the above steps, the light-shielding areas 212 having different diameters in the areas A and B having different thicknesses of the photosensitive resin 191 are obtained.
By using the light-shielding means 210 having a and 212b, a uniform uneven shape can be formed in the same pixel, and a reflector having a reflective electrode having optimal reflection characteristics can be obtained.

【００９９】なお、本実施例ではポジ型感光性樹脂を用
いたが、ネガ型感光性樹脂を用いることで領域Ａ、Ｂ共
に同じ直径の円形の凹部が形成され、同一画素内で均一
な凹凸形状を作成することができ、ボジ型感光性樹脂を
用いた場合と同じ効果を得ることができる。In this embodiment, the positive photosensitive resin is used. However, by using the negative photosensitive resin, circular recesses having the same diameter are formed in the regions A and B, and uniform concave and convex portions are formed in the same pixel. A shape can be formed, and the same effect as in the case of using a bodi type photosensitive resin can be obtained.

【０１００】本実施例では、２種類の遮光領域２１２
ａ、２１２ｂを有するフォトマスク２１０を用いたが、
遮光手段はこれに限定されない。たとえば３端子非線形
抵抗素子１８５上にも異なる直径の円形の遮光領域を形
成してもよく、遮光領域は３種類以上の円形形状でもよ
い。In this embodiment, two types of light-shielding regions 212 are used.
a, a photomask 210 having 212b was used,
The light blocking means is not limited to this. For example, circular light-shielding regions having different diameters may be formed on the three-terminal nonlinear resistance element 185, and three or more types of circular light-shielding regions may be formed.

【０１０１】（第６の実施形態）以下に、本発明の第６
の実施形態として、反射型液晶表示装置の他の製造方法
を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層を複数の凸部
に形成するための露光工程において用いるフォトマスク
が第５の実施形態の場合と異なっており、それ以外の工
程は基本的には同様である。(Sixth Embodiment) Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described.
As another embodiment, another method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device will be described. In the present embodiment, a photomask used in an exposure step for forming a photosensitive resin layer on a plurality of convex portions is different from that in the fifth embodiment, and the other steps are basically the same. .

【０１０２】図２２は、本実施形態で用いるフォトマス
ク２２０の平面を示す。フォトマスク２２０と第５の実
施形態のフォトマスク２１０との違いは、フォトマスク
２１０では遮光部として円形の遮光領域が設けられてい
るが、フォトマスク２２０ではそれとは反対に透光部と
して円形の透過領域２２２ａ及び２２２ｂが設けられて
いる。FIG. 22 shows a plan view of a photomask 220 used in this embodiment. The difference between the photomask 220 and the photomask 210 of the fifth embodiment is that the photomask 210 has a circular light-shielding region as a light-shielding portion, whereas the photomask 220 has a circular light-shielding portion as a light-transmitting portion. Transmission regions 222a and 222b are provided.

【０１０３】図２３（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、本
実施形態の反射型液晶表示装置の製造方法を説明する。With reference to FIGS. 23A to 23F, a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device of the present embodiment will be described.

【０１０４】まず、図２３（ａ）に示すように、補助容
量電極１９４、絶縁体層１８９、ドレイン電極１８４及
び端子非線形抵抗素子１８５（不図示）が形成された基
板１９０の全面にポジ型感光性樹脂１９１ａを塗布す
る。感光性樹脂１９１ａであるレジスト材料として、例
えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を好ましくは５
００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートにより塗布
する。本実施例では、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を
行った。First, as shown in FIG. 23A, a positive photosensitive film is formed on the entire surface of a substrate 190 on which an auxiliary capacitance electrode 194, an insulator layer 189, a drain electrode 184, and a terminal nonlinear resistance element 185 (not shown) are formed. The conductive resin 191a is applied. As a resist material which is the photosensitive resin 191a, for example, OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is preferably used.
The coating is performed by spin coating at 00 rpm to 3000 rpm. In this embodiment, the coating was performed at 2000 rpm for 30 seconds.

【０１０５】３端子非線形抵抗素子１８５が形成された
基板１９０上には多くの金属薄膜層（補助容量電極１９
４、ドレイン電極１８４等）、絶縁体層１８９、半導体
層（不図示）等が積層されているため平坦ではなく、そ
れぞれの層ごとに段差が存在している。図２３（ａ）に
示すように、基板１９０は、感光性樹脂１９１ａの厚さ
が比較的に小さい領域Ａと、感光性樹脂層１９１ａの厚
さが比較的に大きい領域Ｂを有する。領域Ａにおける感
光性樹脂層１９１ａの厚さは２μｍ，領域Ｂにおける感
光性樹脂層１９１ａの厚さは３μｍとなる。On the substrate 190 on which the three-terminal non-linear resistance element 185 is formed, many metal thin film layers (the auxiliary capacitance electrodes 19) are formed.
4, the drain electrode 184, etc.), the insulator layer 189, the semiconductor layer (not shown), and the like are stacked, so that they are not flat, and each layer has a step. As shown in FIG. 23A, the substrate 190 has a region A in which the thickness of the photosensitive resin 191a is relatively small, and a region B in which the thickness of the photosensitive resin layer 191a is relatively large. The thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region A is 2 μm, and the thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region B is 3 μm.

【０１０６】次に、図２２に示すようなフォトマスク２
２０を用いて、図２３（ｂ）に示されるように露光を行
う。フォトマスク２２０は、円形の透光領域２２２ａ及
び２２２ｂが形成され、さらにドレイン電極１８４と反
射電極１８６（図１９参照）を電気的に接続させるコン
タクトホール１９８を形成するための透光領域２２２ｃ
が形成されている。透光領域２２２ａは基板１９０上の
補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａに配
置され、透光領域２２２ｂはその他のドレイン電極の位
置する領域Ｂに配置されている。透光領域２２２ａの直
径Ｆ１は、透光領域２２２ｂの直径Ｆ２よりも小さく形
成されている。たとえば、直径Ｆ１は５μｍであり、直
径Ｆ２は１０μｍである。フォトマスク２２０を用いる
ことにより、領域Ａにおける露光する面積対遮光する面
積の比率が、領域Ｂにおける露光する面積対遮光する面
積の比率より小さく設定される。Next, a photomask 2 as shown in FIG.
Exposure is performed as shown in FIG. The photomask 220 has circular light-transmitting regions 222a and 222b formed thereon, and further has a light-transmitting region 222c for forming a contact hole 198 for electrically connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 (see FIG. 19).
Are formed. The light transmitting region 222a is disposed in a region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in a lower layer on the substrate 190, and the light transmitting region 222b is disposed in a region B where another drain electrode is located. The diameter F1 of the light transmitting region 222a is formed smaller than the diameter F2 of the light transmitting region 222b. For example, the diameter F1 is 5 μm, and the diameter F2 is 10 μm. By using the photomask 220, the ratio of the area to be exposed to light in the region A is set smaller than the ratio of the area to be exposed to light in the region B.

【０１０７】フォトマスク２２０により露光する際、補
助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａは、そ
の他のドレイン電極の位置する領域Ｂよりも感光性樹脂
１９１ａの膜厚が薄いためオーバー露光となり、図２３
（ｂ）における感光性樹脂１９１ａ中の矢印で示す位置
まで露光されることとなる。In the exposure using the photomask 220, the region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer is overexposed because the photosensitive resin 191a has a smaller thickness than the region B where the other drain electrode is located. 23
The exposure is performed up to the position indicated by the arrow in the photosensitive resin 191a in (b).

【０１０８】次に、図２３（ｃ）に示されるように、感
光性樹脂１９１ａを現像し円形の凸部を形成する。現像
液として、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を
用いる。これにより、補助容量電極１９４が下層に形成
されている領域Ａの凸部は図２３（ｂ）の工程で用いた
フォトマスク２２０の透光領域２２２ａよりも、大きな
直径の円形の凹部となり、その他のドレイン電極の位置
する領域Ｂに形成された凸部と同じ直径の円形の凹部と
なる。Next, as shown in FIG. 23C, the photosensitive resin 191a is developed to form a circular convex. 2.38% NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used as a developer. As a result, the convex portion of the region A in which the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer becomes a circular concave portion having a larger diameter than the light transmitting region 222a of the photomask 220 used in the step of FIG. Is a circular concave portion having the same diameter as the convex portion formed in the region B where the drain electrode is located.

【０１０９】次に、図２３（ｄ）に示されるように、好
ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理をすることで凸部
（感光性樹脂層１９１ａ）の角が取り除かれ滑らかな凸
部による感光性樹脂層１９１が形成される。本実施例で
は、１８０℃で３０分間熱処理を行う。Next, as shown in FIG. 23D, heat treatment is preferably performed at a temperature of 120 ° C. to 250 ° C. to remove corners of the convex portion (photosensitive resin layer 191a), thereby forming a photosensitive film having a smooth convex portion. The conductive resin layer 191 is formed. In this embodiment, the heat treatment is performed at 180 ° C. for 30 minutes.

【０１１０】その後、図２３（ｅ）に示されるように、
凸部による感光性樹脂層１９１を形成した基板上に絶縁
体保護膜１９２として、レジスト樹脂を好ましくは１０
００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍでスピンコートにより塗布
する。本実施例では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布す
ることで、１μｍの膜厚となる。これにより絶縁体保護
膜１９２上には感光性樹脂層１９１の凸部に応じた凸部
が生じるが、感光性樹脂層１９１の凸部よりも滑らかな
形状となる。さらに、ドレイン電極１８４と次の工程で
形成される反射電極１８６とを接続するためのコンタク
トホール１９８（図１９参照）をフォトリソグラフイ法
を用いて形成する。Thereafter, as shown in FIG.
A resist resin is preferably used as an insulating protective film 192 on the substrate on which the photosensitive resin layer 191 having the convex portions is formed.
It is applied by spin coating at 00 rpm to 3500 rpm. In the present embodiment, the film is applied at 2200 rpm for 20 seconds to have a film thickness of 1 μm. As a result, a protrusion corresponding to the protrusion of the photosensitive resin layer 191 is formed on the insulator protective film 192, but the shape becomes smoother than the protrusion of the photosensitive resin layer 191. Further, a contact hole 198 (see FIG. 19) for connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 formed in the next step is formed by photolithography.

【０１１１】最後に、図２３（ｆ）に示されるように、
絶縁体保護膜１９２上に反射電極１８６となる金属薄膜
を２０００Åの膜厚で真空蒸着を行う。これによりドレ
イン電極１８４と反射電極１８６はコンタクトホール１
９８を介して接続される。さらに金属薄膜を画素ごとに
パターニングすることで反射電極１８６は完成される。
金属薄膜は本実施例ではアルミニウムを用いたが、銀、
銅、ニッケル、クロムなどを用いることも可能である。
なお、上記のように形成した素子側基板１８０を、周知
の方法で対向基板と張り合わせ、その間に液晶を注入す
ることで反射型液晶表示装置が得られる。Finally, as shown in FIG.
A metal thin film serving as the reflective electrode 186 is vacuum-deposited on the insulator protective film 192 to a thickness of 2000 °. As a result, the drain electrode 184 and the reflection electrode 186 are in contact hole 1
98. Further, the reflective electrode 186 is completed by patterning the metal thin film for each pixel.
In this embodiment, aluminum was used for the metal thin film, but silver,
It is also possible to use copper, nickel, chromium, or the like.
The reflection-type liquid crystal display device is obtained by bonding the element-side substrate 180 formed as described above to a counter substrate by a known method and injecting liquid crystal therebetween.

【０１１２】以上の工程により、感光性樹脂１９１の膜
厚が異なる領域Ａ及びＢで直径の異なる透光領域２２２
ａ及び２２２ｂを有する遮光手段２２０を用いることで
同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、最
適な反射特性を有する反射電極をかねた反射板が得られ
る。Through the above steps, the light-transmitting regions 222 having different diameters in the regions A and B having different thicknesses of the photosensitive resin 191 are obtained.
By using the light-shielding means 220 having “a” and “222b”, a uniform uneven shape can be created in the same pixel, and a reflector having a reflective electrode having optimal reflection characteristics can be obtained.

【０１１３】なお、本実施例ではポジ型感光性樹脂を用
いたが、ネガ型感光性樹脂を用いることで領域Ａ、Ｂ共
に同じ直径の円形の凹部が形成され、同一画素内で均一
な凹凸形状を作成することができ、ボジ型感光性樹脂を
用いた場合と同じ効果を得ることができる。In this embodiment, the positive photosensitive resin is used. However, by using the negative photosensitive resin, circular recesses having the same diameter are formed in the regions A and B, and the uniform concave and convex portions are formed in the same pixel. A shape can be formed, and the same effect as in the case of using a bodi type photosensitive resin can be obtained.

【０１１４】本実施例では、２種類の透光領域２２２
ａ、２２２ｂを有するフォトマスク２２０を用いたが、
透光手段はこれに限定されない。たとえば３端子非線形
抵抗素子１８５上にも異なる直径の円形の透光領域を形
成してもよく、透光領域は３種類以上の円形形状でもよ
い。In this embodiment, two types of light transmitting regions 222 are used.
a, a photomask 220 having 222b was used,
The light transmitting means is not limited to this. For example, circular light-transmitting regions having different diameters may be formed on the three-terminal nonlinear resistance element 185, and the light-transmitting regions may have three or more types of circular shapes.

【０１１５】上記の第５及び６の実施形態では補助容量
画素電極１９４が設けられており、第１〜４の実施形態
では補助容量画素電極が示されていないが、第１〜４の
実施形態についても補助容量画素電極を設けてもよい。
例えば、図２４（図１に対応）に示すように、画素電極
の中心部に、補助容量画素電極２４２をゲートバスライ
ン１４と同一の工程で同一の材料で形成することができ
る。この場合、補助容量画素電極２４２が形成されてい
る領域も、上記の説明で定義している領域Ａ（感光性樹
脂の下地が表面反射の比較的高い領域又は配線などが存
在することで感光性樹脂層の厚さが比較的に小さい領
域）となる。In the fifth and sixth embodiments, the auxiliary capacitance pixel electrode 194 is provided. In the first to fourth embodiments, the auxiliary capacitance pixel electrode is not shown, but in the first to fourth embodiments. May be provided with an auxiliary capacitance pixel electrode.
For example, as shown in FIG. 24 (corresponding to FIG. 1), an auxiliary capacitance pixel electrode 242 can be formed at the center of the pixel electrode in the same step and with the same material as the gate bus line 14. In this case, the area where the auxiliary capacitance pixel electrode 242 is formed is also the area A defined in the above description (the area where the base of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection or the presence of wiring, etc. (A region where the thickness of the resin layer is relatively small).

【０１１６】[0116]

【発明の効果】本発明によれば反射板の凹凸を形成する
ための感光性樹脂の下地膜の光反射特性不均一であり又
は下地膜に表面段差がある場合でも、均一な大きさの凹
凸形状を作成することができ、反射特性の良好な透過反
射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置を得るこ
とが可能となる。According to the present invention, the unevenness of the uniform size is obtained even when the light reflection characteristics of the photosensitive resin base film for forming the unevenness of the reflection plate are non-uniform or when the base film has a surface step. The shape can be formed, and a transflective liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device having good reflection characteristics can be obtained.

【０１１７】また、透過反射両用型液晶表示装置の場
合、透光部はバスライン等を形成する表面反射の比較的
高い領域に形成することはできないため、反射部におけ
る感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い領域の存在
比率が高い。よって、画素すべてが反射部である反射型
晶装置装置と比べて、透過反射両用型液晶表示装置では
バスライン等を形成する表面反射率の比較的高い領域上
に形成された反射層の特性が、反射板の特性に大きく影
響する。このことから、透過反射両用型液晶表示装置に
ついて、本発明による反射板の反射特性向上の効果がよ
り著しい。In the case of a transflective liquid crystal display device, the light-transmitting portion cannot be formed in a region having a relatively high surface reflection forming a bus line or the like. The existence ratio of the region having relatively high reflection is high. Therefore, as compared with the reflection type crystal device in which all the pixels are reflection portions, the characteristics of the reflection layer formed on the relatively high surface reflectance region forming the bus line and the like in the transmission / reflection type liquid crystal display device. Greatly affects the characteristics of the reflector. For this reason, the effect of improving the reflection characteristics of the reflector according to the present invention is more remarkable in the transflective liquid crystal display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】透過反射両用型基板の一画素分の平面図。FIG. 1 is a plan view of one pixel of a transflective substrate.

【図２】図１の線Ａ―Ａ’に沿った断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line A-A 'in FIG.

【図３】（ａ）〜（ｆ）は従来技術による透過反射両用
型液晶表示装置の製造工程図。3 (a) to 3 (f) are manufacturing process diagrams of a transflective liquid crystal display device according to a conventional technique.

【図４】図３の工程で用いられるフォトマスクの平面
図。FIG. 4 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 3;

【図５】図３の工程で用いられるフォトマスクの平面
図。FIG. 5 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 3;

【図６】本発明による透過反射両用型基板の断面図（図
１の断面図に対応）。FIG. 6 is a cross-sectional view (corresponding to the cross-sectional view of FIG. 1) of the transflective substrate according to the present invention.

【図７】（ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施形態によ
る透過反射両用型液晶表示装置の製造工程図。FIGS. 7A to 7G are manufacturing process diagrams of the transflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図８】図７の工程で用いられるフォトマスクの平面
図。FIG. 8 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 7;

【図９】図７の工程で用いられるフォトマスクの平面
図。FIG. 9 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 7;

【図１０】感光性樹脂層の厚さと露光強度との関係を示
す図。FIG. 10 is a diagram showing a relationship between the thickness of a photosensitive resin layer and exposure intensity.

【図１１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に
よる透過反射両用型液晶表示装置の製造工程図。FIGS. 11A to 11F are manufacturing process diagrams of a transflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図１２】図１１の工程で用いられるフォトマスクの平
面図。FIG. 12 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 11;

【図１３】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する
露光強度との関係を示す図。FIG. 13 is a view showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.

【図１４】本発明による第３の実施形態で用いられるフ
ォトマスクの平面図。FIG. 14 is a plan view of a photomask used in a third embodiment according to the present invention.

【図１５】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する
露光強度との関係を示す図。FIG. 15 is a view showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.

【図１６】本発明による第４の実施形態で用いられるフ
ォトマスクの平面図。FIG. 16 is a plan view of a photomask used in a fourth embodiment according to the present invention.

【図１７】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する
露光強度との関係を示す図。FIG. 17 is a view showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.

【図１８】本発明の第５の実施形態による反射型液晶表
示装置の素子側基板の一画素分の平面図。FIG. 18 is a plan view of one pixel of an element-side substrate of a reflective liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図１９】図１８の線Ａ―Ａ’に沿った断面図。FIG. 19 is a sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 18;

【図２０】（ａ）〜（ｆ）は第５の実施形態による反射
型液晶表示装置の製造工程図。FIGS. 20A to 20F are manufacturing process diagrams of the reflective liquid crystal display device according to the fifth embodiment.

【図２１】図２０の工程で用いられるフォトマスクの平
面図。FIG. 21 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 20;

【図２２】本発明の第６の実施形態で用いられるフォト
マスクの平面図。FIG. 22 is a plan view of a photomask used in a sixth embodiment of the present invention.

【図２３】（ａ）〜（ｆ）は第６の実施形態による反射
型液晶表示装置の製造工程図。FIGS. 23A to 23F are manufacturing process diagrams of a reflective liquid crystal display device according to a sixth embodiment.

【図２４】補助容量画素電極が設けられている場合の図
１に対応する平面図。FIG. 24 is a plan view corresponding to FIG. 1 when an auxiliary capacitance pixel electrode is provided.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 透過反射両用型液晶表示装置の素子側基板 １２ ソースバスライン １４ ゲートバスライン １６ ＴＦＴ ２０ ガラス基板 ２１ 絶縁層 ２７ 画素電極 ２７ａ 透過電極 ２８、６８、１９１ 感光性樹脂層 ２９、６９、１８６ 反射板（反射画素電極） ４０、５０、８０、９０、1２０、１６０、２２０ フ
ォトマスク ４２、８２、１２２ａ、１２２ｂ、２１２ａ、２１２ｂ
遮光部 ４４ 露光 １６２ａ、１６２ｂ、２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ
透光部 １８０ 反射型液晶表示装置の素子側基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Element side board | substrate 12 of the transflective liquid crystal display device 12 Source bus line 14 Gate bus line 16 TFT 20 Glass substrate 21 Insulating layer 27 Pixel electrode 27a Transmissive electrodes 28, 68, 191 Photosensitive resin layers 29, 69, 186 Reflector (Reflective Pixel Electrodes) 40, 50, 80, 90, 120, 160, 220 Photomasks 42, 82, 122a, 122b, 212a, 212b
Shielding part 44 exposure 162a, 162b, 222a, 222b, 222c
Transparent portion 180 Element-side substrate of reflective liquid crystal display device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤岡 正悟 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−27481（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−71081（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−2821（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−311982（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−318929（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Shogo Fujioka 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (56) References JP-A-6-27481 (JP, A) JP-A-59- 71081 (JP, A) JP-A-58-2821 (JP, A) JP-A-10-311982 (JP, A) JP-A-7-318929 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. ⁷ , DB name) G02F 1/1335

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 第１の基板と、液晶層を挟んで該第１の
基板に対向する対向基板と、を備えた液晶表示装置の製
造方法であって、該第１の基板の該液晶層側表面におけ
る第１の下地膜が形成された第１の領域及び第１の下地
膜より反射率が低い第２の下地膜が形成された第２の領
域上に、表面凹凸を持つ光反射板が設けられており、該
方法は、 該第１の基板上に、該第１の領域と該第２の領域とを覆
うように感光性樹脂層を形成する工程と、 遮光マスクを用いて、該第１の領域における露光量が該
第２の領域における露光量より低くなるように該感光性
樹脂層を露光することによって、該第１の基板の上面に
該感光性樹脂層による凹凸を形成する工程と、 該感光性樹脂層の上に、該凹凸が反映されるように該光
反射板を形成する工程と、 を包含する液晶表示装置の製造方法。1. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a first substrate; and an opposing substrate facing the first substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein the liquid crystal layer of the first substrate is provided. A first region on a side surface where a first underlayer is formed and a first underlayer
A light reflecting plate having surface irregularities is provided on a second region on which a second base film having a lower reflectance than the film is formed , and the method comprises the steps of: Forming a photosensitive resin layer so as to cover the region and the second region, and using a light-shielding mask so that the exposure amount in the first region is lower than the exposure amount in the second region . Exposing the photosensitive resin layer to form irregularities due to the photosensitive resin layer on the upper surface of the first substrate; and forming the irregularities on the photosensitive resin layer so that the irregularities are reflected on the photosensitive resin layer. Forming a light reflecting plate. 【請求項２】 第１の基板と、液晶層を挟んで該第１の
基板に対向する対向基板と、を備えた液晶表示装置の製
造方法であって、該第１の基板の該液晶層側表面におけ
る第１の領域及び第２の領域上に、表面凹凸を持つ光反
射板が設けられており、該方法は、 該第１の基板上に、該第１の領域と該第２の領域とを覆
うように感光性樹脂層を形成することによって、該感光
性樹脂層の該第１の領域における部分の厚さが、該感光
性樹脂層の該第２の領域における部分の厚さより小さく
なるときに、 遮光マスクを用いて、該第１の領域における露光量が該
第２の領域における露光量より低くなるように該感光性
樹脂層を露光することによって、該第１の基板の上面に
該感光性樹脂層による凹凸を形成する工程と、 該感光性樹脂層の上に 、 該凹凸が反映されるように該光
反射板を形成する工程と、 を包含する液晶表示装置の製造方法。 2. A method according to claim 1 , wherein said first substrate is interposed between said first substrate and a liquid crystal layer.
And a counter substrate facing the substrate.
A liquid crystal layer side surface of the first substrate.
A light reflector having surface irregularities on the first region and the second region.
A firing plate is provided, and the method covers the first region and the second region on the first substrate.
By forming a photosensitive resin layer as shown in FIG.
The thickness of the portion of the conductive resin layer in the first region is determined by the photosensitive resin layer.
Smaller than the thickness of the portion of the conductive resin layer in the second region.
When the exposure amount in the first region is reduced by using a light shielding mask,
The photosensitivity so as to be lower than the exposure in the second area.
By exposing the resin layer, the upper surface of the first substrate
A step of forming irregularities by the photosensitive resin layer, on the photosensitive resin layer, so that the unevenness is reflected light
Forming a reflection plate . 【請求項３】 前記第１の下地膜は、画素電極の補助容
量部の一部を含んでいる、請求項１に記載の液晶表示装
置の製造方法。3. The pixel circuit according to claim 1, wherein the first underlayer is an auxiliary capacitor for the pixel electrode.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 , wherein the liquid crystal display device includes a part of the liquid crystal display. 【請求項４】 前記第１の領域と前記第２の領域とに形
成された前記光反射板は画素電極であり、前記第１の基
板と前記感光性樹脂層との間で、該第１の領域には配線
が設けられている、請求項１または２に記載の液晶表示
装置の製造方法。4. The light reflection plate formed in the first area and the second area is a pixel electrode, and the first light reflection plate is provided between the first substrate and the photosensitive resin layer. 3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a wiring is provided in the region (1). 【請求項５】 前記遮光マスクの前記第１の領域におけ
る遮光面積に対する露光面積の比率は、前記第２の領域
における遮光面積に対する露光面積の比率より小さい、
請求項１から４の何れかに記載の液晶表示装置の製造方
法。5. A ratio of an exposure area to a light-shielding area in the first region of the light-shielding mask is smaller than a ratio of an exposure area to a light-shielding area in the second region.
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 .