JP2793076B2 - Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents
Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行うバックライトを用いない反射型液晶
表示装置およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device which does not use a backlight for displaying by reflecting incident light and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、光源であるバックライトが不要であるため消
費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目
されている。2. Description of the Related Art In recent years, applications of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, and the like have been rapidly advancing. In particular, among liquid crystal display devices, a reflection type liquid crystal display device which performs display by reflecting light incident from the outside does not require a backlight which is a light source, consumes low power, is thin, and can be reduced in weight. Because of that, it is paid attention.
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に
自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。Conventionally, a reflection type liquid crystal display device has a TN
Although the (twisted nematic) method and the STN (super twisted nematic) method are used, in these methods, half of the light intensity of natural light is inevitably used for display by the polarizing plate, and the display is not performed. There is a problem of darkening.
【０００４】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（D．L．
White and G．N．Taylor：J．Appl．Phys．45 4718 1
974）。この表示モードでは、電界によるコレステリッ
ク・ネマティック相転移現象が利用されている。この相
転移型ゲスト・ホスト方式に、さらにマイクロカラーフ
ィルタを組合わせた反射型マルチカラーディスプレイも
提案されている（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida，P
roceedings ofthe SID，Vol．29，157，1988）。To solve such a problem, there has been proposed a display mode in which all light beams of natural light are effectively used without using a polarizing plate. As an example of such a mode, there is a phase change type guest-host method (DL.
White and G. N. Taylor: J. Appl. Phys. 45 4718 1
974). In this display mode, a cholesteric-nematic phase transition phenomenon caused by an electric field is used. A reflection type multi-color display combining a micro color filter with this phase-change type guest-host system has also been proposed (Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida,
roceedings of the SID, Vol. 29, 157, 1988).
【０００５】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。In order to obtain a brighter display in such a mode that does not require a polarizing plate, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. . For that purpose, it is necessary to create a reflector having optimal reflection characteristics. In the above-mentioned literature, the surface of a substrate made of glass or the like was roughened with an abrasive, and the unevenness of the surface was controlled by changing the etching time with hydrofluoric acid, and a silver thin film was formed on the unevenness. A reflector is described.
【０００６】図１０は、アクティブマトリクス方式に用
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと記す）１を有する反射板２ａの平面図であ
り、図１１は図１０に示す切断面線ＸＩ−ＸＩから見た
断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上に、クロ
ム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３が互
いに平行に設けられ、ゲートバス配線３からはゲート電
極４が分岐して設けられている。ゲートバス配線３は、
走査線として機能している。FIG. 10 is a plan view of a reflector 2a having a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) 1 as a switching element used in the active matrix system. FIG. 11 is a sectional view taken along the line XI-XI shown in FIG. It is sectional drawing seen from. A plurality of gate bus lines 3 made of chromium, tantalum, or the like are provided on an insulating substrate 2 made of glass or the like in parallel with each other, and a gate electrode 4 is branched from the gate bus line 3. The gate bus wiring 3 is
It functions as a scanning line.
【０００７】ゲートバス電極４を覆って基板２上の全面
に窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）
などから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート
電極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳形成されている。Silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ) covers the entire surface of the substrate 2 covering the gate bus electrode 4.
A gate insulating film 5 is formed. On the gate insulating film 5 above the gate electrode 4, amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si), polycrystalline silicon, CdSe
A semiconductor layer 6 is formed. Semiconductor layer 6
A source electrode 7 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on one end of the substrate. A drain electrode 8 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other end of the semiconductor layer 6 in the same manner as the source electrode 7. An end of the drain electrode 8 opposite to the semiconductor layer 6 is provided with ITO (Indium Tin Oxi).
The pixel electrode 9 composed of de) is superposed.
【０００８】図１０に示すように、ソース電極７にはゲ
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該Ｔ
ＦＴ１は、スイッチング素子の機能を有している。As shown in FIG. 10, the source electrode 7 is connected to a source bus line 10 that intersects the gate bus line 3 with the gate insulating film 5 interposed therebetween. The source bus wiring 10 functions as a signal line. The source bus wiring 10 is also formed of the same metal as the source electrode 7.
The gate electrode 4, the gate insulating film 5, the semiconductor layer 6, the source electrode 7, and the drain electrode 8 constitute the TFT 1,
FT1 has a function of a switching element.
【０００９】図１０および図１１に示すＴＦＴ１を有す
る反射板２ａを反射型液晶表示装置に適応しようとすれ
ば、絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有
する金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５の上
に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物から成る
絶縁膜５にテーパの付いた凹凸を均一に形成することは
困難である。If the reflection plate 2a having the TFT 1 shown in FIGS. 10 and 11 is to be applied to a reflection type liquid crystal display device, the picture element electrode 9 must be formed of a light-reflective metal such as aluminum or silver. Instead, it is necessary to form irregularities on the gate insulating film 5. Generally, it is difficult to uniformly form the tapered unevenness on the insulating film 5 made of an inorganic material.
【００１０】図１２はアクティブマトリスク方式に用い
られるＴＦＴ１１を有する反射板１２ａの平面図であ
り、図１３は図１２に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩ
から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２
上にクロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配
線１３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３か
らはゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲート
バス配線１３は、走査線として機能している。FIG. 12 is a plan view of a reflection plate 12a having a TFT 11 used in the active matrix method, and FIG. 13 is a sectional line XII-XII shown in FIG.
It is sectional drawing seen from. Insulating substrate 12 such as glass
A plurality of gate bus lines 13 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other, and a gate electrode 14 branches from the gate bus line 13. The gate bus wiring 13 functions as a scanning line.
【００１１】ゲート電極１４を覆って基板１２上の全面
に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁
膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲー
ト絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１
６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−
Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。
一方のコンタクト層１７上にはソース電極１８が重畳形
成され、他方のコンタクト層１７上にはドレイン電極１
９が重畳形成されている。ソース電極１８にはゲートバ
ス配線１３に前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交差する
信号線として機能するソースバス配線２３が接続されて
いる。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層１
６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびドレイン
電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。A gate insulating film 15 made of silicon nitride, silicon oxide or the like is formed on the entire surface of substrate 12 covering gate electrode 14. The semiconductor layer 1 made of a-Si or the like is formed on the gate insulating film 15 above the gate electrode 14.
6 are formed. Both ends of the semiconductor layer 16 have a-
A contact layer 17 made of Si or the like is formed.
A source electrode 18 is formed on one contact layer 17 so as to overlap therewith, and a drain electrode 1 is formed on the other contact layer 17.
9 are superimposed. The source electrode 18 is connected to a source bus wiring 23 functioning as a signal line crossing the gate bus wiring 13 with the gate insulating film 15 interposed therebetween. Gate electrode 14, gate insulating film 15, semiconductor layer 1
6, the contact layer 17, the source electrode 18 and the drain electrode 19 constitute the TFT 11.
【００１２】さらにその上に複数の凸部２０ａを有し、
ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有
機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反
射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホー
ル２１を介してドレイン電極１９と接続されている。Further, a plurality of projections 20a are provided thereon,
An organic insulating film 20 having a contact hole 21 is formed on the drain electrode 19. The reflection electrode 22 is formed on the organic insulating film 20, and the reflection electrode 22 is connected to the drain electrode 19 via the contact hole 21.
【００１３】以上のようにＴＦＴ１１を形成した反射板
１２ａ上に有機絶縁膜２０を形成すれば、エッチング法
を用いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に形
成することができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０
上に反射電極２２を形成することによって、容易に凹凸
を有する反射電極２２を形成することができる。If the organic insulating film 20 is formed on the reflection plate 12a on which the TFT 11 is formed as described above, the projection 20a can be easily formed on the surface of the organic insulating film 20 by using the etching method. Organic insulating film 20 having portion 20a
By forming the reflective electrode 22 thereon, the reflective electrode 22 having irregularities can be easily formed.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】上記文献に記載の反射
板では、ガラス基板に研磨剤によって傷を付けることに
よって凹凸部が形成されるので、均一な形状の凹凸部を
形成することができない。また、凹凸部の形状の再現性
が悪いという問題点と、凹凸部の形状がパターン化でき
ないという問題点とがあるため、このようなガラス基板
を用いると再現性良く良好な反射特性を有する反射型液
晶表示装置を提供することはできない。さらに、この方
法はＴＦＴなどのスイッチング素子を有した反射板に対
しては装置にダメージを与える危険があるために適用で
きない。In the reflection plate described in the above-mentioned document, since the glass substrate is formed with scratches by an abrasive, the uneven portions cannot be formed in a uniform shape. In addition, there is a problem that the reproducibility of the shape of the uneven portion is poor, and a problem that the shape of the uneven portion cannot be patterned. A liquid crystal display device cannot be provided. Further, this method cannot be applied to a reflector having a switching element such as a TFT because of the danger of damaging the device.
【００１５】また前述の図１０および図１１に示される
ように、反射電極９とソースバス配線１０とをゲート絶
縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソースバス配
線１０とが導通しないように間隙９ａが形成される。し
かしながら、前述の図１２および図１３に示されるよう
に、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に反射電
極２２を有機絶縁膜２０上に形成すれば、前述のような
間隙９ａは不要である。As shown in FIGS. 10 and 11, when the reflection electrode 9 and the source bus line 10 are formed on the gate insulating film 5, the reflection electrode 9 and the source bus line 10 are electrically connected. The gap 9a is formed so as not to occur. However, if the source bus wiring 23 is formed on the gate insulating film 15 and the reflective electrode 22 is formed on the organic insulating film 20, as shown in FIGS. 12 and 13 described above, the gap 9a as described above is unnecessary. .
【００１６】表示の輝度を向上するためには、反射電極
２２は大きいほど好ましい。したがって、図１２および
図１３では反射電極２２端部は有機絶縁膜２０を介して
ソースバス配線２３上にも形成され、図１０および図１
１で示される反射電極９より大きい。In order to improve the display brightness, the larger the reflective electrode 22, the more preferable. Therefore, in FIG. 12 and FIG. 13, the end of the reflection electrode 22 is also formed on the source bus wiring 23 via the organic insulating film 20.
It is larger than the reflective electrode 9 indicated by 1.
【００１７】しかし、有機絶縁膜２０は凹凸を有してい
るため、凹部が深くなり、凹部の底２０ｂがソースバス
配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場合、有
機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜２０上
に形成される反射電極２２とソースバス配線２３との絶
縁不良が生じるという問題がある。However, since the organic insulating film 20 has irregularities, the concave portion becomes deep, and if the etching failure occurs in which the bottom 20b of the concave portion comes into contact with the source bus wiring 23, the insulation by the organic insulating film 20 is not sufficient. Otherwise, there is a problem that insulation failure occurs between the reflection electrode 22 formed on the organic insulating film 20 and the source bus wiring 23.
【００１８】また、基板１２上の全面に凸部２０ａを有
する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパ
ターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の
端部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良が
生じるという問題がある。In order to form the organic insulating film 20 having the projections 20a over the entire surface of the substrate 12, when patterning the reflection electrode 22, the projections 20a cause irregularities at the ends of the reflection electrode 22 and cause the reflection electrode 22 to have irregularities. There is a problem that a patterning failure of No. 22 occurs.
【００１９】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良
好な反射特性を有する反射電極を備えた反射型液晶表示
装置およびその製造方法を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a reflection type liquid crystal display device provided with a reflection electrode having good reflection characteristics and a method of manufacturing the same.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される基板のうち、一方の基板上の液晶層
側に形成された凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形
成された反射電極とを備えた反射型液晶表示装置におい
て、前記絶縁膜に、方形の単位パターン内で断面形状が
円形である凹凸部が不規則に配置され、隣り合う単位パ
ターンとは鏡面反転された形状の凹凸が形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。According to the present invention, there is provided an insulating film having irregularities formed on one liquid crystal layer side of one of substrates opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween; In the reflection type liquid crystal display device provided with the reflection electrode formed in the above, irregularities having a circular cross section in a rectangular unit pattern are irregularly arranged in the insulating film, and the adjacent unit pattern is mirror-finished. This is a reflection type liquid crystal display device, characterized in that unevenness having an inverted shape is formed.
【００２１】また本発明は、第１のバス配線と第２のバ
ス配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子
をさらに備え、前記反射電極が前記スイッチング素子に
接続され、前記絶縁膜が前記スイッチング素子、前記第
１のバス配線および前記第２のバス配線の一部を覆う反
射型液晶表示装置であって、前記絶縁膜のうち前記反射
電極が形成される領域であって、少なくとも前記第１の
バス配線または前記第２のバス配線の一方と前記反射電
極とが重なる領域を除いて凹凸が形成されていることを
特徴とする。Further, the present invention further comprises a switching element provided near an intersection of the first bus wiring and the second bus wiring, wherein the reflection electrode is connected to the switching element, and the insulating film is provided. A reflective liquid crystal display device that covers a part of the switching element, the first bus wiring, and a part of the second bus wiring, wherein the reflective film is a region of the insulating film where the reflective electrode is formed. An unevenness is formed except for a region where one of the first bus wiring or the second bus wiring and the reflective electrode overlap.
【００２２】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される基板のうち、一方の基板上の液晶層側に形成され
た凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射
電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、前記一方の基板上に有機絶縁膜を塗布する工程と、
方形の単位パターン内に直径３〜５０μｍの遮光または
透光領域が不規則に、かつ隣接する前記遮光または透光
領域が１μｍ以上離れて配置されており、隣り合う単位
パターンが鏡面反転されて形成されたマスクを使用し
て、前記絶縁膜に凹凸を形成する工程と、前記凹凸部に
熱処理を施す工程と、前記熱処理の施された絶縁膜に金
属薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法である。According to the present invention, there is provided an insulating film having unevenness formed on a liquid crystal layer side on one of a plurality of substrates opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a reflection film formed on the insulating film. In a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device including electrodes, a step of applying an organic insulating film on the one substrate,
Light-shielding or light-transmitting regions having a diameter of 3 to 50 μm are irregularly arranged in a rectangular unit pattern, and the adjacent light-shielding or light-transmitting regions are arranged at a distance of 1 μm or more, and adjacent unit patterns are formed by mirror inversion. Forming an unevenness on the insulating film using the mask, forming a heat treatment on the uneven portion, and forming a metal thin film on the heat-treated insulating film. Is a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device.
【００２３】[0023]
【作用】本発明に従えば、反射板は凹凸を有する絶縁膜
とその上に形成された反射電極とから成り、絶縁膜には
方形の単位パターン内で断面形状が円形である凹凸部が
不規則に配され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転さ
れた形状の凹凸部が形成されているので、凹凸部を形成
するマスクの設計を簡略化できるとともに、継ぎ目が直
線にならず、この上に形成された反射電極による反射特
性が良好になる。According to the present invention, the reflecting plate comprises an insulating film having irregularities and a reflecting electrode formed thereon, and the insulating film has no irregularities having a circular cross section in a square unit pattern. Arranged in a regular manner, the adjacent unit patterns are formed with mirror-inverted irregularities so that the design of the mask that forms the irregularities can be simplified, and the seams do not become straight lines. The reflection characteristics of the formed reflection electrode are improved.
【００２４】また本発明に従えば、前記絶縁膜に凹凸部
が形成される領域は、第１のバス配線および第２のバス
配線と重なる領域が除外されている。これによって凹部
が深くなり、凹部の底面が第１および第２のバス配線に
接触してもこの上に形成される反射電極がバス配線に接
触することが防げる。Further, according to the present invention, a region where the uneven portion is formed in the insulating film excludes a region overlapping with the first bus wiring and the second bus wiring. As a result, the concave portion is deepened, and even if the bottom surface of the concave portion contacts the first and second bus lines, it is possible to prevent the reflective electrode formed thereon from contacting the bus line.
【００２５】また本発明に従えば、単位パターン内に直
径が３〜５０μｍの円形の遮光または透光領域が不規則
に、かつ隣接する前記領域との距離が１μｍ以上離れて
配置されており、これによって均一な反射特性を有する
反射板が簡単に基板上に形成できる。According to the present invention, a circular light-shielding or light-transmitting region having a diameter of 3 to 50 μm is arranged irregularly in the unit pattern and at a distance of 1 μm or more from the adjacent region. This makes it possible to easily form a reflector having uniform reflection characteristics on the substrate.
【００２６】また、前記反射機能を有する薄膜が、誘電
体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ形フィル
タの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差
し支えがない。さらに、この場合には前記透光性基板に
形成された電極とは前記液晶層を挟んで対向する電極と
しても機能を付与することができる。The thin film having the reflection function may be an insulating thin film of a notch filter using a dielectric mirror or a cholesteric liquid crystal, but may be a metal thin film. Further, in this case, a function can be provided also as an electrode opposed to the electrode formed on the light-transmitting substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、実施例でもって本発明をより具体的に
説明する。The present invention will be described more specifically with reference to the following examples.
【００２８】図１は本発明の一実施例である反射型液晶
表示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される反
射板５２の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の
基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数の第
１のバス配線であるゲートバス配線３２が互いに平行に
設けられ、ゲートバス配線３２からは第２のバス配線で
あるソートバス配線３９の交差部の近傍でゲート電極３
３が分岐している。ゲートバス配線３２は、走査線とし
て機能している。FIG. 1 is a sectional view of a reflection type liquid crystal display device 30 according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a reflection plate 52 shown in FIG. On an insulating substrate 31 made of glass or the like, a plurality of first bus wires made of chromium, tantalum, or the like, which are gate bus wires 32, are provided in parallel with each other. The gate electrode 3 near the intersection of a certain sort bus wiring 39
3 branches. The gate bus wiring 32 functions as a scanning line.
【００２９】ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されてい
る。ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、
ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導
体層３５が形成されている。半導体層３５の両端部に
は、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極４１が形成さ
れている。一方のコンタクト電極４１上にはチタン、モ
リブデン、アルミニウム等から成るソース電極３６が重
畳形成され、他方のコンタクト電極４１上にはソース電
極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなど
から成るドレイン電極３７が重畳形成されている。The entire surface of the substrate 31 covering the gate electrode 33 is covered with silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (Si
A gate insulating film 34 made of Ox ) or the like is formed. On the gate insulating film 34 above the gate electrode 33,
A semiconductor layer 35 made of a-Si, polycrystalline silicon, CdSe, or the like is formed. At both ends of the semiconductor layer 35, contact electrodes 41 made of a-Si or the like are formed. On one contact electrode 41, a source electrode 36 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is formed so as to overlap, and on the other contact electrode 41, similarly to the source electrode 36, a drain electrode 37 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is formed. It is formed so as to overlap.
【００３０】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ
４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機
能を有する。As shown in FIG. 2, the source electrode 36 is connected to a source bus line 39 which intersects the gate bus line 32 with the gate insulating film 34 interposed therebetween. The source bus wiring 39 functions as a signal line. The source bus wiring 39 is also formed of the same metal as the source electrode 36. Gate electrode 33, gate insulating film 34, semiconductor layer 3
5. The source electrode 36 and the drain electrode 37 are TFT
The TFT 40 has a function of a switching element.
【００３１】ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁
膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極３
８が形成される領域には先細状で底面部の断面形状が直
径３〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの凸部が高さ
Ｈで、隣接する凸部が１μｍ以上離れて形成されてお
り、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホール４３が
形成されている。有機絶縁膜４２の形成方法やこれにコ
ンタクトホール４３を形成する工程上の問題、および液
晶表示装置３０を作成する際のセル厚のばらつきを小さ
くするため、前記凸部の高さＨは１０μｍ以下が好まし
い（一般にセルの厚さは１０μｍ以下である）。有機絶
縁膜４２の円形の凸部４２ａの形成領域上にアルミニウ
ム、銀などから成る反射電極３８が形成され、反射電極
３８はコンタクトホール４３においてドレイン電極３７
と接続される。さらにその上には配向膜４４が形成され
る。Gate bus wiring 32, source bus wiring 39
An organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover the TFT 40. Reflective electrode 3 of organic insulating film 42
In the region where 8 is formed, a convex portion having a tapered shape and a sectional shape of a bottom portion having a diameter of 3 to 50 μm, preferably 5 to 20 μm is formed at a height H, and adjacent convex portions are formed at a distance of 1 μm or more, A contact hole 43 is formed in the drain electrode 37 portion. In order to reduce problems in the method of forming the organic insulating film 42, the process of forming the contact hole 43 in the organic insulating film 42, and the variation in cell thickness when the liquid crystal display device 30 is formed, the height H of the convex portion is 10 μm or less. (Generally, the thickness of the cell is 10 μm or less). A reflective electrode 38 made of aluminum, silver, or the like is formed on the region where the circular convex portion 42 a is formed on the organic insulating film 42.
Connected to Further, an alignment film 44 is formed thereon.
【００３２】他方の基板４５上には、カラーフィルタ４
６が形成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射
電極３８に対向する位置にはマゼンタまたは緑のフィル
タ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置に
はブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィ
ルタ４６上の全面にはＩＴＯなどから成る透明な電極４
７、さらにその上には配向膜４８が形成される。On the other substrate 45, a color filter 4
6 are formed. A magenta or green filter 46a is formed at a position of the color filter 46 facing the reflective electrode 38 of the substrate 31, and a black filter 46b is formed at a position not facing the reflective electrode 38. A transparent electrode 4 made of ITO or the like is formed on the entire surface of the color filter 46.
7, and an alignment film 48 is further formed thereon.
【００３３】両基板３１，４５は、反射電極３８とフィ
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置３０
が完成する。The two substrates 31 and 45 are bonded to each other so that the reflection electrode 38 and the filter 46a are aligned with each other, and a liquid crystal 49 is injected between the substrates 31 and 45 so that the reflection type liquid crystal display device 30 is formed.
Is completed.
【００３４】図３は、図１および図２に示される円形の
凹凸を有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成
方法を説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方
法を説明する断面図であり、図５は図３の工程ｓ７で用
いられるマスク５１の平面図である。図４（１）は図３
の工程ｓ４を示し、図４（２）は図３の工程ｓ７を示
し、図４（３）は図３の工程ｓ８を示し、図４（４）は
図３の工程ｓ９を示している。FIG. 3 is a process chart for explaining a method of forming the reflective electrode 38 having circular irregularities shown in FIGS. 1 and 2 on the substrate 31. FIG. 5 is a plan view of a mask 51 used in step s7 of FIG. FIG. 4 (1) is FIG.
4 (2) shows step s7 of FIG. 3, FIG. 4 (3) shows step s8 of FIG. 3, and FIG. 4 (4) shows step s9 of FIG.
【００３５】工程ｓ１では、ガラスなどから成る絶縁性
の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソ
グラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成す
る。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形
成する。In step s1, a 3000 ° thick tantalum metal layer is formed on an insulating substrate 31 made of glass or the like by sputtering, and this metal layer is patterned by photolithography and etching to form a gate bus wiring. 32 and a gate electrode 33 are formed. In step s2, 4000 plasma CVD methods are used.
A gate insulating film 34 made of silicon nitride having a thickness of Å is formed.
【００３６】工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された反
射板５２の断面図である。In step s3, a thickness of 1
An a-Si layer having a thickness of 000 ° and an n + -type a-Si layer having a thickness of 400 ° serving as a contact layer 41 are continuously formed in this order. The formed n + -type a-Si layer and the a-Si layer are patterned to form the semiconductor 35 and the contact layer 4.
Form one. In step s4, a thickness of 2
A molybdenum metal of 000 ° is formed by sputtering, and the molybdenum metal layer is patterned to form a source electrode 36, a drain electrode 37 and a source bus wiring 39, thereby completing the TFT 40. FIG. 4 (1)
FIG. 14 is a cross-sectional view of the reflector 52 on which the TFT 40 has been formed after the processing up to step s4.
【００３７】工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した反射
板５２上全面にポリイミド樹脂（商品名：ＪＳＳ−７４
２；日本合成ゴム株式会社製）を、１２００ｒｐｍで２
０秒間スピンコートし、２μｍの厚さに形成し、有機絶
縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグラフ法
およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜４２にコ
ンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７では、有機絶
縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて反射電極３８形成領域のホトレジ
スト５０に円形の凸部５０ａをパターニングする。さら
に、円形の凸部５０ａの角を取るために、１２０℃〜２
５０℃の範囲で熱処理を行う。本実施例では、２００
℃、３０分の熱処理を行った。図４（２）に、工程ｓ７
までの処理終了後の基板３１の断面図を示す。マスク５
１には、反射電極３８形成領域に図５の斜線で示す円形
の遮光領域５１ａが不規則に形成されている。In step s5, a polyimide resin (trade name: JSS-74) is formed on the entire surface of the reflection plate 52 on which the TFT 40 is formed.
2; manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) at 1200 rpm
Spin coating is performed for 0 second to form a film having a thickness of 2 μm, and an organic insulating film 42 is formed. In step s6, a contact hole 43 is formed in the organic insulating film 42 by using photolithography and dry etching. In step s7, a photoresist 50 is applied on the organic insulating film 42, and a circular convex portion 50a is patterned on the photoresist 50 in the reflective electrode 38 formation region using the mask 51 shown in FIG. Furthermore, in order to make the corner of the circular convex portion 50a, 120 ° C. to 2 ° C.
Heat treatment is performed in the range of 50 ° C. In this embodiment, 200
Heat treatment was performed at 30 ° C. for 30 minutes. FIG. 4B shows a step s7.
2 shows a cross-sectional view of the substrate 31 after the processing up to this point. Mask 5
In FIG. 1, a circular light-shielding region 51a indicated by oblique lines in FIG.
【００３８】工程ｓ８では、図４（３）に示されるよう
に、ホトレジスト５０のない部分の有機絶縁膜４２をエ
ッチングして高さＨが１．０μｍの円形の凸部４２ａを
形成する。このとき、ホトレジスト５０に熱処理を行
い、円形の凸部の角を取ってあるため、円形の凸部４２
ａもまた角が取れた形に形成される。また、コンタクト
ホール４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２はホト
レジスト５０によって保護されており、エッチングが行
われない。エッチングが終われば、薬品で洗浄するか、
光照射でホトレジスト５０を取りさる。In step s8, as shown in FIG. 4C, the portion of the organic insulating film 42 where there is no photoresist 50 is etched to form a circular convex portion 42a having a height H of 1.0 μm. At this time, since the photoresist 50 is subjected to a heat treatment and the corners of the circular convex portions are rounded, the circular convex portions 42 are formed.
a is also formed in a rounded shape. Further, the contact hole 43 and the organic insulating film 42 on the TFT 40 are protected by the photoresist 50 and are not etched. After the etching is completed, clean with chemicals or
The photoresist 50 is removed by light irradiation.
【００３９】工程ｓ９では有機絶縁膜４２上全面にアル
ミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように、円
形の凸部４２ａの上に反射電極３８を形成する。この状
態の反射板５２を、反射電極３８を有する基板５２とす
る。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成されたコン
タクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３
７と接続されている。In step s9, an aluminum layer is formed on the entire surface of the organic insulating film 42, and the reflection electrode 38 is formed on the circular convex portion 42a as shown in FIG. The reflection plate 52 in this state is used as the substrate 52 having the reflection electrode 38. The reflection electrode 38 is connected to the drain electrode 3 of the TFT 40 through a contact hole 43 formed in the organic insulating film 42.
7 is connected.
【００４０】有機絶縁膜４２上の凸の形状を決めるマス
クの形状は、図５（ａ）に示すような一辺が１００〜２
００μｍの方形のＦで示す単位パターン５１とし、図５
（ｂ）に示すように鏡面反転を利用して設計する。図６
は鏡面反転を利用して設計したマスク５５の一例を示
す。なお、図６の点線５３，５６は鏡面を示す。The shape of the mask that determines the shape of the protrusion on the organic insulating film 42 has a side of 100 to 2 as shown in FIG.
A unit pattern 51 indicated by a square F of 00 μm is shown in FIG.
As shown in (b), the design is performed by using mirror inversion. FIG.
Shows an example of a mask 55 designed using mirror inversion. Note that dotted lines 53 and 56 in FIG. 6 indicate mirror surfaces.
【００４１】有機絶縁膜４２上の凸部の形状は、マスク
５１を鏡面反転を利用して設計したマスク５５の形状、
ホトレジスト５０の厚さ、ドライエッチングの時間によ
って制御することができるが、さらに他の有機絶縁膜を
塗布してもよい。The shape of the convex portion on the organic insulating film 42 may be the shape of a mask 55 designed by using mirror inversion of the mask 51,
The thickness can be controlled by the thickness of the photoresist 50 and the dry etching time, but another organic insulating film may be applied.
【００４２】以上の工程によって、反射電極３８を有す
る反射板５２を得た。また上述の製造工程において、有
機絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、種々
の半径の円形の凸部４２ａとのそれぞれの高さＨを１μ
ｍとした基板３１を得ることができ、高さＨが１μｍで
ある反射電極３８を有する反射板５２を基板５９とす
る。Through the above steps, a reflection plate 52 having the reflection electrode 38 was obtained. Further, in the above-described manufacturing process, the dry etching time of the organic insulating film 42 is increased, and the height H of each of the circular convex portions 42a having various radii is set to 1 μm.
The reflector 31 having the reflective electrode 38 whose height H is 1 μm can be obtained as the substrate 59.
【００４３】図１に示される他方の基板４５に形成され
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。配向膜４４，４８は、ポリイミドなどを塗
布後、焼成することによって形成されている。基板５
２，４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した
図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することに
よって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を
真空脱気することによって液晶４９が注入される。液晶
４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホス
ト液晶（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光
学活性物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５
％混入したものを用いる。The electrode 47 formed on the other substrate 45 shown in FIG. 1 is made of, for example, ITO and has a thickness of 100
0 °. The alignment films 44 and 48 are formed by applying polyimide or the like and then firing. Substrate 5
A space for enclosing the liquid crystal 49 is formed by screen-printing an adhesive sealant (not shown) mixed with, for example, a 7 μm spacer, and the liquid crystal 49 is injected by vacuum degassing the space between the spaces 2 and 45. You. As the liquid crystal 49, for example, a guest-host liquid crystal (trade name: ZLI2327, manufactured by Merck) mixed with a black dye, and an optically active substance (trade name: S811, manufactured by Merck) are 4.5.
% Is used.
【００４４】図７は、反射電極６７を有する反射板７０
の反射特性の測定方法を示す断面図である。反射板７０
を実際に液晶表示装置に用いる場合を想定し、液晶層と
ガラス基板の屈折率はいずれも約１．５とほぼ等しいの
で、反射電極６７を有する反射板７０上に屈折率１．５
の紫外線硬化接着樹脂６３を用いてガラス基板６２を密
着し、測定装置６１を形成する。ガラス基板６２の上部
には、光の強度を測定するフォトマルチメータ６４が配
置されている。フォトマルチメータ６４は、反射板７０
に対して入射角θで入射する入射光６５のうち、反射電
極６７によってガラス基板６９の法線方向に反射する散
乱光６６を検出するように、反射板７０の法線方向に固
定されている。FIG. 7 shows a reflection plate 70 having a reflection electrode 67.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for measuring the reflection characteristics of the light emitting device. Reflector 70
Is assumed to be actually used in a liquid crystal display device. Since the refractive indices of the liquid crystal layer and the glass substrate are almost equal to about 1.5, the refractive index of 1.5
The glass substrate 62 is brought into close contact with the ultraviolet curing adhesive resin 63 to form the measuring device 61. Above the glass substrate 62, a photomultimeter 64 for measuring light intensity is arranged. The photomultimeter 64 includes a reflecting plate 70
Is fixed in the normal direction of the reflector 70 so that the scattered light 66 reflected in the normal direction of the glass substrate 69 by the reflective electrode 67 among the incident light 65 incident at an incident angle θ with respect to .
【００４５】測定装置６１に入射される入射光６５の入
射角θを変化させて反射電極６７による法線方向の散乱
光６６を測定することによって、反射電極６７の反射特
性が得られる。The reflection characteristic of the reflective electrode 67 can be obtained by measuring the scattered light 66 in the normal direction by the reflective electrode 67 while changing the incident angle θ of the incident light 65 incident on the measuring device 61.
【００４６】図８は、図１に示す円形の凸部をもった反
射電極３８の反射特性を示すグラフである。図８におい
て入射角θをもって入射する光の反射強度はθ＝０°の
線に対する角度θの方向に原点０からの距離として横軸
に表されている。反射電極３８の反射特性を黒三角で示
す。白丸で示す反射特性曲線は、標準白色板（酸化マグ
ネシウム）について測定したものである。FIG. 8 is a graph showing the reflection characteristics of the reflection electrode 38 having the circular projection shown in FIG. In FIG. 8, the reflection intensity of light incident at an incident angle θ is shown on the horizontal axis as the distance from the origin 0 in the direction of the angle θ with respect to the line of θ = 0 °. The reflection characteristics of the reflection electrode 38 are indicated by black triangles. The reflection characteristic curve indicated by a white circle is measured for a standard white plate (magnesium oxide).
【００４７】図９は、前述の図１３に示す従来の円形凸
部の反射電極２２による反射特性を示すグラフである。
反射電極２２による反射特性を黒四角で示す。本発明の
円形の凸部を有する反射電極３８の反射特性と、従来の
円形の凸部を有する反射電極とを比較すると、前者の方
が反射特性がよく、明るい表示が得られることがわか
る。FIG. 9 is a graph showing the reflection characteristics of the conventional circular convex reflecting electrode 22 shown in FIG. 13 described above.
The reflection characteristics of the reflection electrode 22 are indicated by black squares. Comparing the reflection characteristics of the reflective electrode 38 having a circular convex portion according to the present invention with the conventional reflective electrode having a circular convex portion, it can be seen that the former has better reflective characteristics and provides a bright display.
【００４８】ポリイミド樹脂の種類や膜厚、レジストの
熱処理温度を適当に選択すると凹凸の傾斜角度を自由に
制御することができ、これによって反射強度の入射角θ
の依存性を制御できる。その上に塗布する有機絶縁膜の
種類や膜厚を変えることによっても反射強度を制御でき
る。By appropriately selecting the type and thickness of the polyimide resin and the heat treatment temperature of the resist, the inclination angle of the unevenness can be freely controlled, whereby the incident angle θ of the reflection intensity can be controlled.
Dependencies can be controlled. The reflection intensity can also be controlled by changing the type and thickness of the organic insulating film applied thereon.
【００４９】また、マスク５１の遮光領域の占める割合
を変えることによって、正反射成分の大きさも制御する
ことができる。The magnitude of the specular reflection component can be controlled by changing the ratio of the light shielding area of the mask 51.
【００５０】反射率の測定は、前述の図８の反射板の位
置に、上記の反射型液晶表示装置を置いて測定した。反
射率は、入射角θ＝３０°をもって入射する入射光につ
いて説明され、標準白色板における法線方向への拡散光
に対する、表示装置における法線方向への拡散光の強度
の比率を求めることによって得られる。The reflectance was measured by placing the above-mentioned reflection type liquid crystal display device at the position of the reflection plate shown in FIG. The reflectivity is described for incident light incident at an incident angle θ = 30 °, and by calculating the ratio of the intensity of the diffused light in the normal direction of the display device to the diffused light in the normal direction of the standard white plate. can get.
【００５１】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射
型アクティブマトリスク基板５２の反射電極３８を形成
した面が、液晶層側に配置されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリスク基板５２の反射薄膜が液晶層
側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配置されてい
る構成となるので、凸部の高さＨはセル厚よりも小さ
く、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩や
かにするのが望ましい。In the reflection type liquid crystal display device of this embodiment, since the surface of the reflection type active matrix substrate 52 on which the reflection electrode 38 is formed is disposed on the liquid crystal layer side, parallax is eliminated, and a good display screen is obtained. Can be Further, in this embodiment, since the reflective thin film of the reflective active matrix substrate 52 is arranged on the liquid crystal layer side, that is, at a position substantially adjacent to the liquid crystal layer, the height H of the convex portion is larger than the cell thickness. It is desirable that the inclination angle of the projections is small and gentle so as not to disturb the alignment of the liquid crystal.
【００５２】さらに、本実施例では有機絶縁膜のパター
ニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶
縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウ
エットエッチング法によって行ってもよい。また、有機
絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂
などの他の有機材料を用いることができる。さらに、基
板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Ｓｉ
基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、こ
の場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。Further, in this embodiment, the patterning of the organic insulating film is performed by a dry etching method. However, when the organic insulating film is a polyimide resin, it may be performed by a wet etching method using an alkaline solution. Although a polyimide resin is used as the organic insulating film, another organic material such as an acrylic resin can be used. Further, as the substrate, a glass substrate was used in this embodiment,
A opaque substrate such as a substrate has a similar effect. In this case, there is a merit that a circuit can be integrated on the substrate.
【００５３】なお、本実施例では表示モードとして相転
移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限定
することなく、たとえば２層式ゲスト・ホストモードの
ような他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ（液晶表
示装置）のような光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤ
で使用される複屈折表示モードなど、本発明にかかわる
反射型アクティブマトリクス基板およびその製造方法の
適用は可能である。スイッチング素子としてＴＦＴを用
いた場合について説明したが、他のたとえばＭＩＭ(Met
al Insulator Metal）素子、ダイオード、バリスタなど
を用いたアクティブマトリクス基板にも適用することが
できる。In this embodiment, the phase change type guest-host mode is described as a display mode. However, the display mode is not limited to this. For example, other light absorption modes such as a two-layer type guest-host mode, and a polymer Light scattering type display mode such as dispersion type LCD (liquid crystal display device), ferroelectric LCD
It is possible to apply the reflection type active matrix substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention, such as the birefringence display mode used in the above. The case where a TFT is used as a switching element has been described.
al Insulator Metal) It can be applied to an active matrix substrate using an element, a diode, a varistor, and the like.
【００５４】有機絶縁膜に用いる樹脂にレジスト（ＯＦ
ＰＲ−８００）を用いたものは、さらに干渉光を少なく
できる効果がある。A resin (OF) is used as a resin for the organic insulating film.
An apparatus using PR-800) has an effect of further reducing interference light.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上のように本発明による反射型液晶表
示装置は、反射電極が形成される絶縁膜に、方形の単位
パターン内で断面形状が円形である凹凸部が不規則に配
置され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転された形状
の凹凸が形成されているので、凹凸部を形成するマスク
設計を簡略化できるとともに、継ぎ目が直線にならない
良好な反射特性を有する。また、前記絶縁膜には、第１
および第２のバス配線と重なり部には、前記凹凸部が形
成されないので、凹部の底面でバス配線と反射電極との
間に生ずるおそれのある絶縁不良が防止できる。As described above, in the reflection type liquid crystal display device according to the present invention, irregularities having a circular cross section in a rectangular unit pattern are irregularly arranged on the insulating film on which the reflective electrode is formed. Since the concavo-convex shape having a mirror-inverted shape is formed between the adjacent unit patterns, the mask design for forming the concavo-convex portion can be simplified, and good reflection characteristics in which the seam does not become straight are obtained. In addition, the insulating film has a first
In addition, since the uneven portion is not formed in the overlapping portion with the second bus wiring, it is possible to prevent insulation failure that may occur between the bus wiring and the reflective electrode on the bottom surface of the concave portion.
【００５６】また本発明によれば、方形の単位パターン
内に直径３〜５０μｍの円形の遮光または透光領域が不
規則に、かつ１μｍ以上の間隔で隣接される前記領域が
配置され、隣り合う単位パターンが鏡面反転されて形成
されたマスクを使用して、有機絶縁膜に凹凸を形成する
ので、前記特徴を有する反射型液晶表示装置が容易に製
造できる。Further, according to the present invention, the above-mentioned regions in which circular light-shielding or light-transmitting regions having a diameter of 3 to 50 μm are arranged irregularly and at an interval of 1 μm or more in a rectangular unit pattern are adjacent to each other. Since the unevenness is formed on the organic insulating film by using the mask in which the unit pattern is mirror-inverted, the reflective liquid crystal display device having the above characteristics can be easily manufactured.
【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の断面図である。FIG. 1 is a reflective liquid crystal display device 3 according to an embodiment of the present invention.
0 is a sectional view.
【図２】図１に示される基板３１の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG.
【図３】図１および図２に示される基板３１上に直径３
〜５０μｍの円形の凸部を有する反射電極３８を形成す
る方法を説明する工程図である。FIG. 3 shows a diameter 3 on a substrate 31 shown in FIGS. 1 and 2;
It is a flowchart explaining the method of forming the reflective electrode 38 which has a circular convex part of 50 micrometers.
【図４】図３に示す形成方法を説明するための基板３１
の断面図である。FIG. 4 is a substrate 31 for explaining the forming method shown in FIG.
FIG.
【図５】図３の工程ｓ７で用いるマスクの一例の平面図
である。FIG. 5 is a plan view of an example of a mask used in step s7 of FIG.
【図６】単位パターンを鏡面反転して設計したマスク５
５の平面図である。FIG. 6 is a mask 5 designed by mirror-inverting a unit pattern.
5 is a plan view of FIG.
【図７】反射電極６７の反射特性を測定する装置の原理
を説明する断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the principle of an apparatus for measuring the reflection characteristics of the reflection electrode 67.
【図８】本発明の円形の凸部を有する反射電極の反射特
性を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the reflection characteristics of a reflective electrode having a circular convex portion according to the present invention.
【図９】従来技術による円形の凸部を有する反射電極２
２の反射特性を示すグラフである。FIG. 9 shows a reflection electrode 2 having a circular projection according to the prior art.
3 is a graph showing the reflection characteristics of No. 2;
【図１０】従来技術に用いられる反射型液晶表示装置の
基板２の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a substrate 2 of a reflection type liquid crystal display device used in the prior art.
【図１１】図１０に示される切断面線ＸＩ−ＸＩから見
た断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view as viewed from the section line XI-XI shown in FIG. 10;
【図１２】従来技術に用いられるその他の反射型液晶表
示装置の基板１２の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a substrate 12 of another reflection type liquid crystal display device used in the prior art.
【図１３】図１２に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩか
ら見た断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line XII-XII shown in FIG.
３０ 反射型液晶表示装置 ３８ 反射電極 ４２ 有機絶縁膜 ４２ａ 円形の凸部 ５１，５５ マスク Reference Signs List 30 reflective liquid crystal display device 38 reflective electrode 42 organic insulating film 42a circular convex part 51, 55 mask
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−102680（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−50523（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−2821（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−125084（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−97121（ＪＰ，Ａ) 米国特許4519678（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1335 520 G02F 1/1343──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-57-102680 (JP, A) JP-A-3-50523 (JP, A) JP-A-58-2821 (JP, A) JP-A-58-282 125084 (JP, a) JP flat 4-97121 (JP, a) United States Patent 4519678 (US, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) G02F 1/136 500 G02F 1/1335 520 G02F 1/1343
Claims (3)
うち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有す
る絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備え
た反射型液晶表示装置において、 前記絶縁膜に、方形の単位パターン内で断面形状が円形
である凹凸部が不規則に配置され、隣り合う単位パター
ンとは鏡面反転された形状の凹凸が形成されていること
を特徴とする反射型液晶表示装置。An insulating film having irregularities formed on one liquid crystal layer side of one of substrates arranged opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a reflective electrode formed on the insulating film. In the reflection type liquid crystal display device provided with, the insulating film is provided with irregular portions having a circular cross-sectional shape in a rectangular unit pattern, and irregularities having a mirror-inverted shape with an adjacent unit pattern are formed. A reflective liquid crystal display device, comprising:
差部の近傍に設けられたスイッチング素子をさらに備
え、前記反射電極が前記スイッチング素子に接続され、
前記絶縁膜が前記スイッチング素子、前記第１のバス配
線および前記第２のバス配線の一部を覆う反射型液晶表
示装置であって、前記絶縁膜のうち前記反射電極が形成
される領域であって、少なくとも前記第１のバス配線ま
たは前記第２のバス配線の一方と前記反射電極とが重な
る領域を除いて凹凸が形成されていることを特徴とする
請求項１記載の反射型液晶表示装置。A switching element provided near an intersection of the first bus wiring and the second bus wiring, wherein the reflection electrode is connected to the switching element;
The reflection type liquid crystal display device, wherein the insulating film covers a part of the switching element, the first bus wiring, and a part of the second bus wiring, and is a region of the insulating film where the reflective electrode is formed. 2. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein irregularities are formed except for a region where at least one of the first bus wiring or the second bus wiring and the reflective electrode overlap. .
うち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有す
る絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備え
た反射型液晶表示装置の製造方法において、 前記一方の基板上に有機絶縁膜を塗布する工程と、 方形の単位パターン内に直径３〜５０μｍの遮光または
透光領域が不規則に、かつ隣接する前記遮光または透光
領域が１μｍ以上離れて配置されており、隣り合う単位
パターンが鏡面反転されて形成されたマスクを使用し
て、前記絶縁膜に凹凸を形成する工程と、 前記凹凸部に熱処理を施す工程と、 前記熱処理の施された絶縁膜に金属薄膜を形成する工程
とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方
法。3. An insulating film having concavities and convexities formed on a liquid crystal layer side of one of the substrates disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a reflective electrode formed on the insulating film. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: a step of applying an organic insulating film on the one substrate; and a light shielding or light transmitting region having a diameter of 3 to 50 μm in a rectangular unit pattern being irregular and adjacent to each other. A step of forming irregularities in the insulating film using a mask in which the light-shielding or light-transmitting regions are arranged at a distance of 1 μm or more and adjacent unit patterns are mirror-inverted; A method for manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: a step of performing a heat treatment; and a step of forming a metal thin film on the insulating film that has been subjected to the heat treatment.
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1992
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