JPH0673587A - フッ素の製造方法及びフッ素製造用電解槽 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来技術の問題をある程度まで解決するよう
なフッ素の製造方法及びフッ素製造用電解槽を提供す
る。 【構成】 フッ素含有電解液を電解槽のアノードとカソ
ードとの間で非乱流に通す。アノードとカソードとの間
から流出した電解液を２つの流れに分割する。一方の流
れはアノードに隣接して流出し、フッ素を同伴してお
り、他方の流れはカソードに隣接して流出し、水素を同
伴している。その後、フッ素及び水素を電解液の夫々の
流れから分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はフッ素の製造方法及びフ
ッ素製造用電解槽に係る。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在使
用されているフッ素製造用電解槽の設計には多くの問題
がある。これらの問題を以下に説明する。

【０００３】１．低エネルギ効率 これは、（ａ）アノード表面における抵抗フッ化炭素ポ
リマーフィルムの形成により、アノード過電圧が高くな
ることと、（ｂ）（現状の設計では）電流効率を低下さ
せないようにアノード及びカソード間のギャップを大き
くして生成物フッ素及び水素の再結合を最小にしなけれ
ばならないため、電解液抵抗損失が大きいこととの２つ
の主要因に起因する。

【０００４】２．低スペース／時間収率 これは、電解槽の単位容積当たり、単位時間当たりの生
成物の質量として定義され得る。現状の槽の設計では、
フッ素のスペース／時間収率は槽容積に対する非遮蔽ア
ノード面積の比が小さいために内在的に低い。アノード
の厚さ（＞３０ｍｍ）、及び上記アノード及びカソード
間の大きいギャップも問題となる。最終結果として、並
の量のフッ素を製造するための電解設備は（塩素のよう
な類似生成物に比較して）広い面積を占有する。

【０００５】３．低信頼性 アノード故障は当業者に周知であり、このような故障と
しては、「分極」（異常に高いアノード過電圧の発
生）、アノード破損、電気接続部の故障及びフッ素燃焼
が挙げられる。

【０００６】４．生成物ガスの低圧 現在使用されているフッ素製造用電解槽の固有の特徴
は、安全な運転のためには、発生する水素排ガス圧が大
気圧である場合にフッ素排ガス圧が水中に配置されたガ
ス分離スカートにより提供される静水圧以下である点に
ある。実際に、これは発生するフッ素圧を事実上最大値
約１０ｃｍの水柱圧に制限する。水素及びフッ素圧が完
全な平衡状態に維持されるならばこの圧力以上で運転す
ることもも理論的に可能であるが、外部シール又はジョ
イントが突然故障して電解槽内にフッ素／水素爆発を生
じる危険がある。

【０００７】５．保守及び腐食の問題 現状の設計にはある程度までフッ素の高腐食性と、電解
液のエアゾールがフッ素ガスに同伴して槽の外側の管路
壁に堆積する「霧化」の効果とにより生じる保守の問題
もあり、こうして管路を妨げ、最終的に閉塞する。

【０００８】従って、本発明の目的は上記問題をある程
度まで解決するようなフッ素の製造方法及びフッ素製造
用電解槽を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の１態様による
と、電解槽のアノードとカソードとの間で非乱流にフッ
素含有電解液を通し、アノードとカソードとの間から流
出する電解液を、フッ素を同伴しながらアノードに隣接
して流出する流れと、水素を同伴しながらカソードに隣
接して流出する流れとの２つの流れに分割し、その後、
夫々の前記流れからフッ素と水素とを分離することを特
徴とするフッ素の製造方法が提供される。

【００１０】本発明の別の態様によると、比較的近接し
て並置されたアノード及びカソードと、アノード及びカ
ソード間で非乱流に通すように電解液を誘導するための
手段と、アノード及びカソード間から流出する電解液
を、アノードに隣接して流出する流れと、カソードに隣
接して流出する流れとの２つの流れに分割するための手
段とを備えることを特徴とするフッ素製造用電解槽が提
供される。

【００１１】好ましくは、アノード及びカソードは、相
互に対向するように平行に配置された実質的に平坦な表
面を有しており、該表面は２０ｍｍ以下のギャップを規
定する。

【００１２】誘導手段は、アノードとカソードとの間の
スペースの入口に配置された有孔エレメント又はじゃま
板又は複数のチャネル（例えば管束）及び／又は平行な
プレートを含み得る。

【００１３】好ましくは、非乱流は層流であり、望まし
くは２０００未満、例えば５００のレイノルズ数であ
る。

【００１４】有利には、流れ条件は生成されたフッ素及
び水素をアノード及びカソードに夫々実質的に隣接して
流動させるように選択される。

【００１５】分割手段は、ナイフエッジ状分流器であり
得、アノード及びカソード間の実質的に中間に配置され
得る。あるいは分流器は、アノード及びカソードの間の
どちらかに片寄って配置してもよく、好ましくは水素を
含有する流れの体積を増加するようにアノード寄りに配
置され得る。

【００１６】本発明の電解槽は、夫々の流れからのフッ
素及び水素の遊離が電解液を冷却及び濾過する機能も有
する別々の容器により実施され得る。遊離容器からの無
ガス電解液の２つの流れは合流し、電解槽入口に再循環
し得る。電解中に消費される電解液中のフッ化水素は、
電解槽を離れた後の任意の段階で流れに連続的に加える
ことにより交換され得る。

【００１７】本発明により達せられる効果は、アノード
で発生されるフッ素の大部分がアノードの表面に移送さ
れるという点にある。フッ素の一部はアノードの表面か
ら離れるが、フッ素は電解液の流れの中で上昇するので
アノード表面のごく近傍に維持される。カソードの表面
で発生される水素はカソード表面から離れるが、電解液
の流れの中で上昇するので同様にカソード表面に近接し
続ける。こうして、生成物ガスはアノード及びカソード
が近接して並置されているにも拘わらず、混ざりあった
り再結合することがない。その後、水素及びフッ素の両
方を含む槽内の電解液の単一流は２つの流れに分割さ
れ、一方の流れは水素の大部分を含み、他方の流れはフ
ッ素の大部分を含む。場合によっては、アノード及びカ
ソードの一部又は全長にわたってアノード及びカソード
間に配置された透過性メッシュガスセパレータ（例えば
１００μｍの気孔寸法）を組み込むことによりこの効果
を補うことが望ましい。

【００１８】電気化学技術においては、一般に物質移動
を改善するために電極間ギャップ内の乱流を助長するこ
とに留意されたい。しかしながら、フッ素発生反応の場
合、物質移動は使用される電流密度での制限効果ではな
い。

【００１９】本発明の使用により得られる利点のいくつ
かを以下に挙げる。

【００２０】１．アノード−カソードギャップが小さい
ため、電解液抵抗損失を著しく減らすことができ、従っ
て、現状の槽設計でギャップを減らすとフッ素／水素再
結合が増加するが、このような犠牲なしにパワー効率を
改善することができる。

【００２１】２．アノード−カソードギャップが狭いの
でコンパクトな設計が可能であり、スペース／時間収率
を低下させずにアノード電流密度を著しく例えば３分の
１に減らすことができる。槽の動作電流密度が低ければ
低いほど、アノード及びカソードの両方の過電圧は低
く、槽全体の抵抗損失は低くなる。従って、パワー効率
は更に改善される。

【００２２】３．アノード−カソードギャップが狭いた
め、アノード電流密度が現状の槽設計で使用されている
電流密度に維持されるならば、単位体積当たりのフッ素
生産量を著しく増加することができる。しかしながら、
エネルギ効率及び信頼性のためには槽を低電流密度で運
転することが望ましく、従って、スペース／時間収率の
利点をある程度相殺される。スペース／時間収率が最重
要点である場合（例えば使用可能なスペースが制限され
ている場合）には、エネルギ効率の改善をやや妥協すれ
ば槽の小型化を完全に実現できる。

【００２３】４．現状の槽における腐食の問題の多く
は、やむを得ず高い使用動作電圧（槽当たり９〜１１ボ
ルト）に結び付けられ、従って重大な電気化学的腐食
（例えば電流路におけるガス分離スカートの双極腐食）
を生じる。本発明を使用すると槽当たりの動作電圧が低
いため（例えば５．〜６．０Ｖ）、特に双極性の電気化
学的腐食速度を著しく低下させることができる。電圧が
低いと、アノード表面上のフッ化炭素ポリマーの形成も
減少し、従ってアノードの「分極」故障の危険も減少す
る。現状の槽では、高い槽電圧で運転する場合に高アノ
ード過電位の結果として発生する熱はアノードの燃焼及
び破壊をもたらす。アノードが破壊すると、アノード接
続部と冷却用コイルとの間に短絡が生じ、この結果、多
くの場合はコイルに穴があき、槽に漏水し、フッ素の発
生が停止する。

【００２４】５．設計は、水素及びフッ素ガスの槽を分
離させるためにガス分離スカートシステムに依存しない
ので、既存の設計の数倍の圧力で安全に運転することが
できる。

【００２５】

【実施例】以下、添付図面に関して本発明を実施例によ
り説明する。

【００２６】まず図１について説明すると、図示システ
ムは夫々従来通りの設計のフッ素遊離セクション１６及
び水素遊離セクション１８に連結された出口管１２，１
４を有する電解槽ユニット１０を含む。

【００２７】セクション１６，１８はガス出口２２，２
４と、逆止弁２７，２９を備える底部排出管２６，２８
とを有しており、管２６，２８はフィルタユニット３２
に連通する共通管３０に連結されている。フィルタユニ
ット３２は、冷却器３６に連結された底部排出管３４を
有する。冷却器３６は、供給口４０を有する配量タンク
３８に連通する。タンク３８は、ポンプ４４に連結され
た排出管４２を有する。ポンプ４４は槽ユニット１０に
連通するように管４５により連結されている。

【００２８】次に図２について説明すると、図示の槽ユ
ニット１０はフッ素プラスチック材料（例えばＰＴＦ
Ｅ）又はプラスチックポリマー被覆鋼から製造され得る
容器４６から構成され、該容器は底板４７、側面４８及
びルーフ４９を有する。容器４６内には８個の電解槽５
０の列が平行に配置されており、各槽５０は比較的狭い
スペース５５を限定するように相互に対向するように平
行に配置された各々プレート形態の炭素アノード５２及
び鋼カソード５４を有しており、隣接槽５０は共通のア
ノード５２又はカソード５４を共有する。各アノード５
２及びカソード５４の低部は、夫々のアノード５２又は
５４と同一の横断面寸法のフッ素プラスチック（例えば
ＰＴＦＥ）部分５６，５８に夫々結合されている。フッ
素プラスチック部分５６，５８の底部には、鋼濾板６０
の形態の有孔部材が底板４７に平行に伸延している。容
器４６の各側面４８の位置６６で濾板６０にカソード電
気接続部６４が形成され、電気接続部６８はフッ素プラ
スチック部分５８を通って各カソード５４と濾板６０と
の間に伸延している。各アノード５２にはアノード電気
接続部７０が形成されている。濾板６０の下の容器４６
の一方の側面４８には図１の管４５（図示せず）からの
電解液の入口ポート７２が配置されている。容器４６の
ルーフ４９は、隣接するアノード５２及びカソード５４
の間を上昇する電解液を、図１の出口管１２，１４に夫
々連結された夫々の管７６，７８（破線で示す）に各々
向けられる２つの流れに分割するように各アノード５２
及びカソード５４の間の中間から伸延するＶ字形分流器
７４を形成するように構成されている。

【００２９】約１００℃でＫＦ．２ＨＦ電解液を用いて
運転すると、ポンプ４４は図１のシステムに電解液を循
環させる。電解液はポート７２を通って図２の容器４６
に流入し、濾板６０を通ってスペース５５に入る。電解
液の流れは非乱流となるように制御され、レイノルズ数
は２０００未満が好適であり、濾板６０及びフッ素プラ
スチック部分５６，５８は電解液のこの非乱流を誘導す
るのを助長する。各槽５０内では既知の化学反応２ＨＦ
→Ｆ₂＋Ｈ₂が行われる。

【００３０】遊離したフッ素は、アノード５２を通って
管７６に流入する電解液の部分に泡８２（図３参照）と
して同伴され、遊離した水素はカソード５４を通って管
７８に流入する電解液の部分に泡８４として同伴され
る。フッ素は既知方法によりセクション１６で遊離さ
れ、水素は既知方法によりセクション１８で遊離され
る。セクション１６，１８からの電解液残渣は、システ
ムを浸食する危険のある研磨固体（例えば炭素粒子）を
除去するためにフィルタユニット３２に送られる。フィ
ルタユニット３２からの電解液濾液は電解液の温度を約
１００℃に維持するように冷却器３６に移送される。配
量タンク３８において電解液は電解液中のＨＦ濃度を約
４５ｖ／ｏに維持するように（例えば貯蔵容器から）Ｈ
Ｆを補充され、その後、電解液はポンプ４４により槽ユ
ニット１０に送られる。

【００３１】電解液に同伴されるフッ素及び水素濃度は
各々約１０ｖ／ｏであり得、セクション１６，１８で遊
離すると、ある程度（恐らく１５〜２０ｖ／ｏ）のＨＦ
を含有し得る。このＨＦは既知極低温技術により相当程
度（例えば２ｖ／ｏ未満まで）除去され得る。

【００３２】アノード５２及びカソード５４は約２０ｍ
ｍ以下、例えば１５ｍｍの最適間隔を有する。例えば部
分５６，５８の間に非乱流条件を制約するために、槽ユ
ニット１０に付加的な整流器（例えば隣接する平行なプ
レート）を配置してもよい。必要な非乱流は、スペース
５５内に約０．８ｍ／秒までの電解液流量を可能にし得
るが、０．２ｍ／秒が最適流量である。電解液の非乱流
は電解液がアノード５２及びカソード５４に到達する前
に部分５６，５８の間で開始することが望ましい。電解
液の流れの方向は、フッ素及び水素をスペース５５から
除去するのを助長するように設計されている。

【００３３】電解液の非乱流の結果、所望の生成物再結
合レベルで乱流パターンがより広いギャップを必要とす
る現状の設計よりも狭いギャップをアノードとカソード
との間に使用することができる。非乱流は好ましくはレ
イノルズ数２０００以下、例えば５００の層流であり得
る。槽ユニット１０はフッ素及び水素により占有される
容積を減少させるように選択された圧力で運転され得、
例えば数インチ水柱圧又は中間圧力でなく約１５ｐｓｉ
ｇ以上（例えば４００ｐｓｉ）の圧力が使用される。

【００３４】本発明の１つの利点は、槽ユニット１０中
で隣接槽５０間にシールが不要であるという点にある。
アノード５２及びカソード５４は、対向するアノード５
２及びカソード５４の間のギャップの制御を維持するよ
うに容器４６のスロットに配置され得る。

【００３５】必要に応じて電解液を不均等な流れに分割
するように分流器７４を配置してもよく、カソードに隣
接する流れを大きい流れにするほうが好ましい。

【００３６】制御された温度で電解液の流れを使用する
と、従来のフッ素タンク槽に通常見いだされるアノード
の「熱スポット」及びカソードの「冷スポット」の傾向
を減らすことができる。

【００３７】以上、カソード材料として鋼を使用する場
合について本発明を説明したが、ニッケル又はモネルの
ような他の適切な材料を使用してもよい。

【００３８】次に、本発明の電解槽を組み込んだ好適シ
ステムを図４について説明する。図４中、システム８６
は電解液入口管８９及び出口管９０，９１を有する電解
槽８８から構成される。出口管９０は槽８８のアノード
領域から延びており、遊離容器９２の低部に連結されて
いる。出口管９１は槽８８のカソード領域から延びてお
り、遊離容器９４の低部に連結されている。戻り管９６
は容器９２を入口管８９に連結し、戻り管９８は容器９
４を入口管８９に連結している。槽８８は平坦なアノー
ド及び平坦なカソード１０４の間にスペース１００を有
するという点をはじめとして、図２の個々の槽５０と多
くの点で類似する。スペース１００の底部には整流器１
０６が配置され、スペース１００内で電解液を非乱流に
流入させる。図５に示すような整流器１０６は、電解液
を流すように等間隔で配置された多数のチャネル（例え
ば約３ｍｍ平方）を限定する。スペース１００の頂部に
はナイフエッジ状分流器１０８が配置され、スペース１
００に流入する電解液を夫々出口管９０，９１に向け
る。夫々の出口管９０，９１には分岐管１１０，１１１
が連通している。各容器９２，９４の底部の近傍には炭
素フィルタ１１２，１１４が夫々配置されており、各容
器９２，９４の頂部にはガス出口１１６，１１８が夫々
配置されている。

【００３９】５．５〜６．０Ｖの動作電位でＫＦ．２Ｈ
Ｆを使用して運転すると、槽８８は図２の槽５０と同様
に動作する。電解液は入口管８９から整流器１０６のチ
ャネル１０７を通ってスペース１００に流入し、その
後、分流器１０８により分割されて出口管９０，９１及
び夫々の容器９２，９４に流入する。電解液は各容器９
２，９４の高さの約３分の１を占有し、フッ素は容器９
２で発生して出口１１６から排出され、水素は容器９４
で発生して出口１１８から排出される。炭素フィルタ１
１２，１１４を通過して電解液残渣及び他の固体を除去
した後、電解液は夫々の戻り管９６，９８に流入して入
口管８９に合流する。窒素及びＨＦの添加は必要に応じ
て分岐管１１０，１１１を介して行われ得る。スペース
１００内でフッ素及び水素の泡が発生すると、スペース
１００内の電解液に「エアリフトポンプ」効果を与え、
システム８６はポンプにより電解液を常に循環させる必
要なしに運転する。

【００４０】スペース５５又は１００内のフッ素及び水
素の分離を強化するために、スペース５５又は１００の
一部又は全長にわたって夫々のアノード及びカソード間
に多孔質ガスセパレータ１２０（図６にはわかり易くす
るために拡大して示す）を配置してもよい。適切なセパ
レータの１例は、約１００μｍの気孔寸法を有する多孔
質ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）である。

【００４１】本発明の電解槽の好適態様は適切なプレー
ト及びフレーム設計に組み込むことができる。

【００４２】適切な遊離容器９２の１例を図７に示す。
容器９２は長手方向に円筒形であり、発泡スペース１２
７及び底部ギャップ１２８を画定する堰プレート１２６
を有しており、電解液はこのギャップを通ってスタブハ
ウジング１３０に保持された炭素フィルタ１１４に電解
液が移送され得る。電解液から発泡するフッ素は出口１
１６に向かって流れる。容器９２の寸法及び堰プレート
１２６の位置は、発泡１２７の位置で電解液の粒子が出
口１１６に向かって移送される危険を最小限にするよう
に、電解液が容器９２の高さの約３分の１を占めるよう
に選択される。容器９４は類似形であり得る。

【００４３】現状の槽設計における電解液「霧化」の効
果により生じる閉塞は、本発明によると遠隔容器９２，
９４内で電解液からガスを遊離することにより解決され
得る。これらの容器９２，９４の設計は、アノード−カ
ソード連続対間で利用可能なスペースの制約がない。従
って、標準化学設計原理を使用してガス速度が電解液の
粒子を同伴しないように十分低くなるように、十分な大
きさに容器を設計することができる。

【００４４】システム８６の設計は、内在的に安全な最
大排ガス圧が遊離容器９２，９４の底部と分流器１０８
の低部点との間に静水圧により提供される圧力となるよ
うに選択され得る。これは、水素又はフッ素ガス管路の
突発故障の場合にフッ素及び水素の槽を離間しておく最
大作動圧力である。遊離容器９２，９４は槽８８の上方
数メートルに配置され得るので、この圧力は現状の槽設
計の５〜１０ｃｍに比較して５０００ｃｍ以上の水柱圧
に等しい。

【００４５】以上、図１及び図４のシステムについて本
発明を説明したが、本発明を別のシステムにも組み込む
ことができることは理解されよう。本発明の方法を実施
するために他の形態の装置及び電解槽を使用することが
でき、本発明のシステムに適切な加熱手段及び冷却手段
を組み込むことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はフッ素製造システムの概略説明図であ
る。

【図２】図２は図１のシステムにおける電解槽の断面図
である。

【図３】図３は図２の槽の部分拡大断面図である。

【図４】図４はフッ素製造システムの変形例を示す。

【図５】図４の矢印Ａの方向における部分拡大図であ
る。

【図６】図４のシステムの変形部分の部分拡大図であ
る。

【図７】図４のＶＩＩ−ＶＩＩ線における拡大図であ
る。

【符号の説明】

１０ 電解槽ユニット １２，１４ 出口管 １６ フッ素遊離セクション １８ 水素遊離セクション ２２，２４ ガス出口 ２６，２８ 排出管 ２７，２９ 逆止弁 ３６ 冷却器 ３８ 配量タンク ４０ 供給入口 ５０ 電解槽 ５２ アノード ５４ カソード ５６，５８ フッ素プラスチック部分 ６０ 濾板

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電解槽のアノードとカソードとの間で非
   乱流にフッ素含有電解液を通し、アノードとカソードと
   の間から流出する電解液を、フッ素を同伴しながらアノ
   ードに隣接して流出する流れと、水素を同伴しながらカ
   ソードに隣接して流出する流れとの２つの流れに分割
   し、その後、夫々の前記流れからフッ素と水素とを分離
   することを特徴とするフッ素の製造方法。
2. 【請求項２】 比較的近接して並置されたアノード及び
   カソードと、アノード及びカソード間で非乱流に通すよ
   うに電解液を誘導するための手段と、アノード及びカソ
   ード間から流出する電解液を、アノードに隣接して流出
   する流れと、カソードに隣接して流出する流れとの２つ
   の流れに分割するための手段とを備えることを特徴とす
   る請求項１に記載のフッ素の製造方法で使用される電解
   槽。
3. 【請求項３】 アノード及びカソードが、相互に対向す
   るように平行に配置された実質的に平坦な表面を有して
   おり、該表面が２０ｍｍ以下のギャップを規定すること
   を特徴とする請求項２に記載の電解槽。
4. 【請求項４】 誘導手段が、アノード及びカソード間の
   スペースの入口に配置された有孔エレメント、じゃま
   板、複数のチャネル（例えば管束）及び／又は平行なプ
   レートから選択されることを特徴とする請求項２に記載
   の電解槽。
5. 【請求項５】 分割手段がアノード及びカソードの間の
   実質的に中間に配置された分流器からなることを特徴と
   する請求項２に記載の電解槽。
6. 【請求項６】 分流器がアノード及びカソードの間で一
   方に片寄って配置されていることを特徴とする請求項２
   に記載の記載の電解槽。
7. 【請求項７】 分流器が水素を含有する流れの体積を増
   加するようにアノード寄りに配置されていることを特徴
   とする請求項６に記載の電解槽。
8. 【請求項８】 槽が使用中に夫々の流れからフッ素及び
   水素を遊離するための別々の容器を含むシステムに組み
   込まれていることを特徴とする請求項２から７のいずれ
   か一項に記載の記載の電解槽。
9. 【請求項９】 槽が、使用中に遊離容器からの無ガス電
   解液の２つの再結合した流れを槽に再導入するための入
   口を含んでいることを特徴とする請求項８に記載の電解
   槽。
10. 【請求項１０】 アノード及びカソードの長さの一部又
    は全部にわたってアノードとカソードとの間に透過性メ
    ッシュガスセパレータが組み込まれていることを特徴と
    する請求項２から９のいずれか一項に記載の電解槽。
11. 【請求項１１】 透過性メッシュガスセパレータが約１
    ００μｍの気孔寸法を有する多孔質ＰＶＤＦ（ポリフッ
    化ビニリデン）からなることを特徴とする請求項１０に
    記載の電解槽。
12. 【請求項１２】 非乱流が層流であり、流れが２０００
    未満のレイノルズ数であることを特徴とする請求項１に
    記載の記載の方法。
13. 【請求項１３】 流れが４００〜６００のレイノルズ数
    であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 【請求項１４】 流れ条件が、生成されたフッ素及び水
    素をアノード及びカソードに夫々実質的に隣接して流動
    させるように選択されることを特徴とする請求項１２又
    は１３に記載の方法。
15. 【請求項１５】 非乱流が電極間で約０．８ｍ／ｓまで
    の電解液速度であることを特徴とする請求項１２から１
    ４のいずれか一項に記載の方法。
16. 【請求項１６】 電解液の非乱流が、電解液がアノード
    及びカソードに到達する前に開始されることを特徴とす
    る請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 【請求項１７】 槽がフッ素及び水素により占有される
    容積を減少させるように選択された圧力で運転されるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の方法。