JPH0671131A - 環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法 - Google Patents
環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法Info
- Publication number
- JPH0671131A JPH0671131A JP5156419A JP15641993A JPH0671131A JP H0671131 A JPH0671131 A JP H0671131A JP 5156419 A JP5156419 A JP 5156419A JP 15641993 A JP15641993 A JP 15641993A JP H0671131 A JPH0671131 A JP H0671131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cyclic alkylene
- alkylene carbonate
- carbonate
- propylene carbonate
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/72—Organic compounds not provided for in groups B01D53/48 - B01D53/70, e.g. hydrocarbons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/14—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by absorption
- B01D53/1487—Removing organic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/18—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from the purification of gaseous effluents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/34—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32
- C02F2103/36—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from the manufacture of organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/34—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32
- C02F2103/36—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from the manufacture of organic compounds
- C02F2103/38—Polymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子回路パッケージのリソグラフィによる回
路形成において生じる、環状アルキレンカーボネート現
像剤または剥離剤の蒸気からプロピレンカーボネートを
除去する方法を提供すること。 【構成】 現像剤または剥離剤の一方または両方として
使用される環状アルキレンカーボネートは蒸気圧が低く
高沸点であるが、リソグラフィ工程１１中に環状アルキ
レンカーボネートを含む蒸気が発生する。そこで、環状
アルキレンカーボネートを含む空気をプロセスから取り
出し、ガス・スクラバ２１において水性アルカリ性液体
中に通すことによって、環状アルキレンカーボネートを
空気から洗気除去する。 【効果】 本発明によれば、洗気済みの、環状アルキレ
ンカーボネートを実質上含まない空気がプロセスから回
収される。
路形成において生じる、環状アルキレンカーボネート現
像剤または剥離剤の蒸気からプロピレンカーボネートを
除去する方法を提供すること。 【構成】 現像剤または剥離剤の一方または両方として
使用される環状アルキレンカーボネートは蒸気圧が低く
高沸点であるが、リソグラフィ工程１１中に環状アルキ
レンカーボネートを含む蒸気が発生する。そこで、環状
アルキレンカーボネートを含む空気をプロセスから取り
出し、ガス・スクラバ２１において水性アルカリ性液体
中に通すことによって、環状アルキレンカーボネートを
空気から洗気除去する。 【効果】 本発明によれば、洗気済みの、環状アルキレ
ンカーボネートを実質上含まない空気がプロセスから回
収される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、環境と調和する、フォ
トレジスト材料用の現像剤及び剥離用溶剤に関するもの
である。具体的には、本発明は、メチルクロロホルム
（ＭＣＦ、１，１，１−トリクロロエタン）や塩化メチ
レン（ＭＣ、ジクロロメタン）などの塩素化溶剤の代替
品として使用する、プロピレンカーボネートなどの環状
アルキレンカーボネートに関するものである。プロピレ
ンカーボネートは、蒸気圧が非常に低く、沸点が非常に
高いが、それでもプロピレンカーボネートを利用する剥
離・現像工程の周囲の空気中にはｐｐｍレベルのプロピ
レンカーボネートが存在する可能性がある。本発明によ
れば、プロピレンカーボネート操作の周囲の空気を希ア
ルカリ性水溶液で洗浄する。本発明の他の実施例によれ
ば、スクラバ液を監視し、その特性を管理する。本発明
のさらに他の実施例によれば、スクラバ液のあふれ液
を、環状アルキレンカーボネート溶剤、たとえばプロピ
レンカーボネート溶剤、及び固形物、たとえば回路板製
造工程から回収したフォトレジストやはんだマスク材料
などのフォトリソグラフィ排出物と混合し、この混合液
を処理して環状アルキレンカーボネート溶剤を回収す
る。
トレジスト材料用の現像剤及び剥離用溶剤に関するもの
である。具体的には、本発明は、メチルクロロホルム
（ＭＣＦ、１，１，１−トリクロロエタン）や塩化メチ
レン（ＭＣ、ジクロロメタン）などの塩素化溶剤の代替
品として使用する、プロピレンカーボネートなどの環状
アルキレンカーボネートに関するものである。プロピレ
ンカーボネートは、蒸気圧が非常に低く、沸点が非常に
高いが、それでもプロピレンカーボネートを利用する剥
離・現像工程の周囲の空気中にはｐｐｍレベルのプロピ
レンカーボネートが存在する可能性がある。本発明によ
れば、プロピレンカーボネート操作の周囲の空気を希ア
ルカリ性水溶液で洗浄する。本発明の他の実施例によれ
ば、スクラバ液を監視し、その特性を管理する。本発明
のさらに他の実施例によれば、スクラバ液のあふれ液
を、環状アルキレンカーボネート溶剤、たとえばプロピ
レンカーボネート溶剤、及び固形物、たとえば回路板製
造工程から回収したフォトレジストやはんだマスク材料
などのフォトリソグラフィ排出物と混合し、この混合液
を処理して環状アルキレンカーボネート溶剤を回収す
る。
【０００２】
【従来の技術】パッケージングにおけるフォトリソグラ
フィ工程は、トゥンマラ（Tummala）他編 "Microelectr
onics Packaging Handbook"、Pub. Van Nostrand Reinh
old（ニューヨーク）1989年刊のpp.898〜903、及びセラ
フィム（Seraphim）他編 "Principles of Electronic P
ackaging", McGraw-Hill Book Company（ニューヨー
ク）1989年刊の第１２章、pp.372〜393、及びコンシデ
ィン（Considine）他編 "Scientific Encyclopedia"、
第６版第II巻、Pub. Van Nostrand Reinhold Company
（ニューヨーク）1983年刊のpp.1877〜1881に記載され
ている。これらは、背景技術として本明細書において参
照されたい。
フィ工程は、トゥンマラ（Tummala）他編 "Microelectr
onics Packaging Handbook"、Pub. Van Nostrand Reinh
old（ニューヨーク）1989年刊のpp.898〜903、及びセラ
フィム（Seraphim）他編 "Principles of Electronic P
ackaging", McGraw-Hill Book Company（ニューヨー
ク）1989年刊の第１２章、pp.372〜393、及びコンシデ
ィン（Considine）他編 "Scientific Encyclopedia"、
第６版第II巻、Pub. Van Nostrand Reinhold Company
（ニューヨーク）1983年刊のpp.1877〜1881に記載され
ている。これらは、背景技術として本明細書において参
照されたい。
【０００３】フォトリソグラフィは、プリント回路パッ
ケージングの技術分野で重大な役割を演じている。フォ
トリソグラフィは、銅を選択的にエッチングしてサブト
ラクティブに回路を形成すべき領域、または銅を選択的
にめっきしてアディティブに回路を形成すべき領域をフ
ォトレジスト薄膜内で画定するのに使用される。
ケージングの技術分野で重大な役割を演じている。フォ
トリソグラフィは、銅を選択的にエッチングしてサブト
ラクティブに回路を形成すべき領域、または銅を選択的
にめっきしてアディティブに回路を形成すべき領域をフ
ォトレジスト薄膜内で画定するのに使用される。
【０００４】フォトレジストには、ネガティブとポジテ
ィブの２種がある。ネガティブ・フォトレジストは、露
光によって、たとえばそれが感光性を有する特定の化学
線で十分な時間選択的に露光することによって重合す
る。次いで、現像剤にさらす。現像剤は、レジストの化
学線で露光されなかった領域を溶解する。ネガティブ・
レジストの化学線で露光された領域は、架橋によって硬
化し、非露光領域よりも現像剤に対する抵抗力が高くな
る。
ィブの２種がある。ネガティブ・フォトレジストは、露
光によって、たとえばそれが感光性を有する特定の化学
線で十分な時間選択的に露光することによって重合す
る。次いで、現像剤にさらす。現像剤は、レジストの化
学線で露光されなかった領域を溶解する。ネガティブ・
レジストの化学線で露光された領域は、架橋によって硬
化し、非露光領域よりも現像剤に対する抵抗力が高くな
る。
【０００５】ポジティブ・レジストはこれと逆の挙動を
示す。化学線によってポジティブ・フォトレジストは現
像剤に可溶性となり、露光領域が希アルカリ性現像剤に
よって優先的に除去される。
示す。化学線によってポジティブ・フォトレジストは現
像剤に可溶性となり、露光領域が希アルカリ性現像剤に
よって優先的に除去される。
【０００６】ポジティブ・フォトレジストは、シリコン
・デバイスの製造及びプリント回路板のサブトラクティ
ブ回路形成に広く使用されている。しかし、ポジティブ
・フォトレジストは、希アルカリ性水溶液で容易に現像
でき、やや濃いアルカリ性水溶液で剥離できるが、高苛
性環境及び高温では性能が不十分である。
・デバイスの製造及びプリント回路板のサブトラクティ
ブ回路形成に広く使用されている。しかし、ポジティブ
・フォトレジストは、希アルカリ性水溶液で容易に現像
でき、やや濃いアルカリ性水溶液で剥離できるが、高苛
性環境及び高温では性能が不十分である。
【０００７】一方、ネガティブ・レジストは、銅を所望
の場所からエッチングによって除去するのではなく、銅
を所望の場所にアディティブにめっきする際に、すなわ
ち無電解めっきまたは無電解めっきと電解めっきによっ
て回路線を設ける際に使用される。
の場所からエッチングによって除去するのではなく、銅
を所望の場所にアディティブにめっきする際に、すなわ
ち無電解めっきまたは無電解めっきと電解めっきによっ
て回路線を設ける際に使用される。
【０００８】ネガティブ・フォトレジストは、光活性剤
に対する化学線エネルギーの作用によって、重合を開始
または支援するのに必要な遊離基またはイオンを形成さ
せることによって架橋する。市販のフォトレジストは、
その組成に応じて紫外線、Ｘ線、電子線などに対して感
受性を持つ。放射線は、エマルジョン・マスクやクロム
・マスクなどのマスク中のパターンを通して、密着また
は投射によってレジストに供給でき、あるいは放射線ビ
ームをラスタ化することができる。
に対する化学線エネルギーの作用によって、重合を開始
または支援するのに必要な遊離基またはイオンを形成さ
せることによって架橋する。市販のフォトレジストは、
その組成に応じて紫外線、Ｘ線、電子線などに対して感
受性を持つ。放射線は、エマルジョン・マスクやクロム
・マスクなどのマスク中のパターンを通して、密着また
は投射によってレジストに供給でき、あるいは放射線ビ
ームをラスタ化することができる。
【０００９】ネガティブ・フォトレジストは、有機樹脂
バインダ、光開始剤／光増感剤及び反応性モノマーを含
んでいる。ネガティブ・フォトレジストはまた、任意選
択で、充填剤たとえば有機または無機充填剤、防火剤、
可塑剤、染料、可撓化剤、熱安定剤、及びパッケージの
加工特性を改善するためのその他の添加剤を含んでい
る。
バインダ、光開始剤／光増感剤及び反応性モノマーを含
んでいる。ネガティブ・フォトレジストはまた、任意選
択で、充填剤たとえば有機または無機充填剤、防火剤、
可塑剤、染料、可撓化剤、熱安定剤、及びパッケージの
加工特性を改善するためのその他の添加剤を含んでい
る。
【００１０】典型的なネガティブ・フォトレジストの組
成は、全成分の重量に対してバインダ４０〜７０重量
％、モノマー１０〜４０重量％、光開始剤０．５〜１５
重量％を含み、合計１００％となるものである。
成は、全成分の重量に対してバインダ４０〜７０重量
％、モノマー１０〜４０重量％、光開始剤０．５〜１５
重量％を含み、合計１００％となるものである。
【００１１】このような組成の例は、米国特許第４３２
６０１０号に記載されている（例１）。
６０１０号に記載されている（例１）。
【００１２】一般にネガティブ・レジストは、米国特許
第３４６９９８２号、米国特許第４２７３８５７号、米
国特許第４２９３６３５号に記載されているタイプの光
重合可能材料、及び米国特許第３５２６５０４号に開示
されているタイプの光架橋可能化学種である。
第３４６９９８２号、米国特許第４２７３８５７号、米
国特許第４２９３６３５号に記載されているタイプの光
重合可能材料、及び米国特許第３５２６５０４号に開示
されているタイプの光架橋可能化学種である。
【００１３】単独でまたは他のものと組み合わせて使用
してネガティブ・フォトレジストを形成することのでき
るモノマーとしては、アクリル酸−ｔ−ブチル、ジアク
リル酸−１，５−ペンタンジオール、アクリル酸−Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノエチル、ジアクリル酸エチレングリ
コール、ジアクリル酸−１，４−ブタンジオール、ジア
クリル酸ジエチレングリコール、ジアクリル酸ヘキサメ
チレングリコール、ジアクリル酸−１，３−プロパンジ
オール、ジアクリル酸デカメチレングリコール、ジメタ
クリル酸デカメチレングリコール、ジアクリル酸−１，
４−シクロヘキサンジオール、ジアクリル酸−２，２−
ジメチロールプロパン、ジアクリル酸グリセロール、ジ
アクリル酸トリプロピレングリコール、トリアクリル酸
グリセロール、トリアクリル酸トリメチロールプロパ
ン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、ポリオキシ
エチル化トリアクリル酸及びトリメタクリル酸トリメチ
ロールプロパン、ならびに米国特許第３３８０８３１号
に開示されている同様の化合物、ジアクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、テトラアク
リル酸ペンタエリスリトール、ジメタクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、ジアクリル
酸トリエチレングリコール、ジメタクリル酸ポリオキシ
エチル−２，２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２
−ヒドロキシプロピル）エーテル、ビスフェノールＡの
ジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、ビスフェ
ノールＡのジ（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロピル）エーテル、ビスフェノールＡのジ（２−アクリ
ルオキシエチル）エーテル、テトラクロロビスフェノー
ルＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＡのジ
（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、テトラブロ
モビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−
ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェ
ノールＡのジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテ
ル、１，４ブタンジオールのジ（３−メタクリルオキシ
−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、ジフェノール酸
のジ（３−メタクリオキシ−２−ヒドロキシプロピル）
エーテル、ジメタクリル酸トリエチレングリコール、ト
リアクリル酸ポリオキシプロピルトリメチロールプロパ
ン、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル
酸ブチレングリコール、ジメタクリル酸−１，３−プロ
パンジオール、トリメタクリル酸−１，２，４−ブタン
トリオール、ジメタクリル酸−２，２，４−トリメチル
−１，３−ペンタンジオール、トリメタクリル酸ペンタ
エリスリトール、１，２−ジメタクリル酸−１−フェニ
ルエチレン、テトラメタクリル酸ペンタエリスリトー
ル、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、ジメタ
クリル酸−１，５−ペンタンジオール、フマール酸ジア
リル、スチレン、ジメタクリル酸−１，４−ベンゼンジ
オール、１，４−ジイソプロペニルベンゼン、１，３，
５−トリイソプロプニルベンゼンが含まれる。
してネガティブ・フォトレジストを形成することのでき
るモノマーとしては、アクリル酸−ｔ−ブチル、ジアク
リル酸−１，５−ペンタンジオール、アクリル酸−Ｎ，
Ｎ−ジエチルアミノエチル、ジアクリル酸エチレングリ
コール、ジアクリル酸−１，４−ブタンジオール、ジア
クリル酸ジエチレングリコール、ジアクリル酸ヘキサメ
チレングリコール、ジアクリル酸−１，３−プロパンジ
オール、ジアクリル酸デカメチレングリコール、ジメタ
クリル酸デカメチレングリコール、ジアクリル酸−１，
４−シクロヘキサンジオール、ジアクリル酸−２，２−
ジメチロールプロパン、ジアクリル酸グリセロール、ジ
アクリル酸トリプロピレングリコール、トリアクリル酸
グリセロール、トリアクリル酸トリメチロールプロパ
ン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、ポリオキシ
エチル化トリアクリル酸及びトリメタクリル酸トリメチ
ロールプロパン、ならびに米国特許第３３８０８３１号
に開示されている同様の化合物、ジアクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、テトラアク
リル酸ペンタエリスリトール、ジメタクリル酸−２，２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、ジアクリル
酸トリエチレングリコール、ジメタクリル酸ポリオキシ
エチル−２，２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２
−ヒドロキシプロピル）エーテル、ビスフェノールＡの
ジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、ビスフェ
ノールＡのジ（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロピル）エーテル、ビスフェノールＡのジ（２−アクリ
ルオキシエチル）エーテル、テトラクロロビスフェノー
ルＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＡのジ
（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、テトラブロ
モビスフェノールＡのジ（３−メタクリルオキシ−２−
ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェ
ノールＡのジ（２−メタクリルオキシエチル）エーテ
ル、１，４ブタンジオールのジ（３−メタクリルオキシ
−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、ジフェノール酸
のジ（３−メタクリオキシ−２−ヒドロキシプロピル）
エーテル、ジメタクリル酸トリエチレングリコール、ト
リアクリル酸ポリオキシプロピルトリメチロールプロパ
ン、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル
酸ブチレングリコール、ジメタクリル酸−１，３−プロ
パンジオール、トリメタクリル酸−１，２，４−ブタン
トリオール、ジメタクリル酸−２，２，４−トリメチル
−１，３−ペンタンジオール、トリメタクリル酸ペンタ
エリスリトール、１，２−ジメタクリル酸−１−フェニ
ルエチレン、テトラメタクリル酸ペンタエリスリトー
ル、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、ジメタ
クリル酸−１，５−ペンタンジオール、フマール酸ジア
リル、スチレン、ジメタクリル酸−１，４−ベンゼンジ
オール、１，４−ジイソプロペニルベンゼン、１，３，
５−トリイソプロプニルベンゼンが含まれる。
【００１４】フォトレジスト材料は、上記のモノマーの
他に、分子量が少なくとも約３００の、遊離基で開始さ
れ重合可能な化学種を１種またはそれ以上含むことがで
きる。このタイプのモノマーは、ジアクリル酸のアルキ
レンまたはポリアルキレングリコール、及び米国特許第
２９２７０２２号に記載されているものである。
他に、分子量が少なくとも約３００の、遊離基で開始さ
れ重合可能な化学種を１種またはそれ以上含むことがで
きる。このタイプのモノマーは、ジアクリル酸のアルキ
レンまたはポリアルキレングリコール、及び米国特許第
２９２７０２２号に記載されているものである。
【００１５】化学線によって活性化できる、１８５℃以
下では熱的に不活性な遊離基開始剤としては、次に列挙
する置換または未置換多核キノンが含まれる；９、１０
−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−ク
ロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−
tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキ
ノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントロ
キノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベン
ズアントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノ
ン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，４−ジメチル
アントラキノン、２，３−ジメチルアントラキノン、２
−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアント
ラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アント
ラキノン−α−スルホン酸ナトリウム塩、３−クロロ−
２−メチルアントラキノン、レテンキノン、７，８，
９，１０−テトラヒドロナフタセンキノン、１，２，
３，４−テトラヒドロベンズアントラセン−７，１２−
ジオン。
下では熱的に不活性な遊離基開始剤としては、次に列挙
する置換または未置換多核キノンが含まれる；９、１０
−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−ク
ロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−
tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキ
ノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントロ
キノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベン
ズアントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノ
ン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，４−ジメチル
アントラキノン、２，３−ジメチルアントラキノン、２
−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアント
ラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アント
ラキノン−α−スルホン酸ナトリウム塩、３−クロロ−
２−メチルアントラキノン、レテンキノン、７，８，
９，１０−テトラヒドロナフタセンキノン、１，２，
３，４−テトラヒドロベンズアントラセン−７，１２−
ジオン。
【００１６】８５℃以下の温度で熱的に活性なものも含
めて他の有用な光開始剤は、米国特許第２７６０８６３
号に記載されている。
めて他の有用な光開始剤は、米国特許第２７６０８６３
号に記載されている。
【００１７】光還元性の染料及びその他の還元剤は、米
国特許第２８５０４４５号、第２８７５０４７号、第３
０９７０９６号、第３０７４９７４号、第３０９７０９
７号、第３１４５１０４号に記載されており、また米国
特許３４２７１６１号、第３４７９１８５号、第３５４
９３６７号に記載されているフェナジン類、オキサジン
類、キノン類の染料、ミヒラーのケトン、ベンゾフェノ
ン、水素供与体を含む２，４，５−トリフェニルイミダ
ゾリル２量体、及びそれらの混合物も開始剤として使用
できる。米国特許第４３４１８６０号のシクロヘキサジ
エノン化合物も開始剤として有用である。さらに、米国
特許第４１６２１６２号に記載されている増感剤が、光
開始剤及び光抑制剤と組み合わせて有用である。
国特許第２８５０４４５号、第２８７５０４７号、第３
０９７０９６号、第３０７４９７４号、第３０９７０９
７号、第３１４５１０４号に記載されており、また米国
特許３４２７１６１号、第３４７９１８５号、第３５４
９３６７号に記載されているフェナジン類、オキサジン
類、キノン類の染料、ミヒラーのケトン、ベンゾフェノ
ン、水素供与体を含む２，４，５−トリフェニルイミダ
ゾリル２量体、及びそれらの混合物も開始剤として使用
できる。米国特許第４３４１８６０号のシクロヘキサジ
エノン化合物も開始剤として有用である。さらに、米国
特許第４１６２１６２号に記載されている増感剤が、光
開始剤及び光抑制剤と組み合わせて有用である。
【００１８】単独でまたは重合可能モノマーと組み合わ
せて使用できる重合性バインダとしては、下記のものが
含まれる。ポリアクリレート及びα−アルキルポリアク
リレートエステル類、すなわちポリメチルメタアクリレ
ート及びポリエチルメタクリレート、ポリビニルエステ
ル類、すなわちポリ酢酸ビニル、ポリ酢酸／アクリル酸
ビニル及び加水分解ポリ酢酸ビニル、エチレン／酢酸ビ
ニル共重合体、ポリスチレン及び共重合体、すなわち無
水マレイン酸との共重合体及びエステル、塩化ビニリデ
ンの共重合体、すなわち塩化ビニリデン／メタクリレー
ト共重合体及び塩化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体、
ポリ塩化ビニル及び共重合体、すなわちポリ塩化／酢酸
ビニル、飽和及び不飽和ポリウレタン類、合成ゴム類、
すなわちブタジエン／アクリロニトリル、アクリロニト
リル／ブタンジエン／スチレン、メタクリレート／アク
リロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体、２−ク
ロロブタジエン−１，３重合体、塩素化ゴム、及びスチ
レン／ブタジエン／スチレン、スチレン／イソプレン／
スチレン・ブロック共重合体、平均分子量が約４，００
０ないし１，０００，０００のポリグリコールの高分子
量ポリエチレンオキサイド、エポキシド類、すなわちア
クリレート基またはメタクリレート基を含むエポキシ
ド、コポリエステル類、ナイロンまたはポリアミド類、
すなわちＮ−メトキシメチルポリヘキサメチレンアジポ
アミド、セルロースのエステル類、すなわち酢酸コハク
酸セルロース及び酢酸酪酸セルロース、セルロースエー
テル類、すなわちメチルセルロース、エチルセルロース
及びベンジルセルロース、ポリカーボネート類、ポリビ
ニルアセタール類、すなわちポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリホルムアルデヒド類。
せて使用できる重合性バインダとしては、下記のものが
含まれる。ポリアクリレート及びα−アルキルポリアク
リレートエステル類、すなわちポリメチルメタアクリレ
ート及びポリエチルメタクリレート、ポリビニルエステ
ル類、すなわちポリ酢酸ビニル、ポリ酢酸／アクリル酸
ビニル及び加水分解ポリ酢酸ビニル、エチレン／酢酸ビ
ニル共重合体、ポリスチレン及び共重合体、すなわち無
水マレイン酸との共重合体及びエステル、塩化ビニリデ
ンの共重合体、すなわち塩化ビニリデン／メタクリレー
ト共重合体及び塩化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体、
ポリ塩化ビニル及び共重合体、すなわちポリ塩化／酢酸
ビニル、飽和及び不飽和ポリウレタン類、合成ゴム類、
すなわちブタジエン／アクリロニトリル、アクリロニト
リル／ブタンジエン／スチレン、メタクリレート／アク
リロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体、２−ク
ロロブタジエン−１，３重合体、塩素化ゴム、及びスチ
レン／ブタジエン／スチレン、スチレン／イソプレン／
スチレン・ブロック共重合体、平均分子量が約４，００
０ないし１，０００，０００のポリグリコールの高分子
量ポリエチレンオキサイド、エポキシド類、すなわちア
クリレート基またはメタクリレート基を含むエポキシ
ド、コポリエステル類、ナイロンまたはポリアミド類、
すなわちＮ−メトキシメチルポリヘキサメチレンアジポ
アミド、セルロースのエステル類、すなわち酢酸コハク
酸セルロース及び酢酸酪酸セルロース、セルロースエー
テル類、すなわちメチルセルロース、エチルセルロース
及びベンジルセルロース、ポリカーボネート類、ポリビ
ニルアセタール類、すなわちポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリホルムアルデヒド類。
【００１９】上記に列挙した重合体バインダの他に、米
国特許第３７５４９２０号に記載されているような粒子
状シックナ、すなわちシリカ、粘土、アルミナ、ベント
ナイト、カオリナイトなどが使用できる。
国特許第３７５４９２０号に記載されているような粒子
状シックナ、すなわちシリカ、粘土、アルミナ、ベント
ナイト、カオリナイトなどが使用できる。
【００２０】フォトレジストの水溶液による現像が望ま
しい場合、バインダは、組成物を水性現像液中で処理可
能にするのに十分な酸性その他の官能基を含むべきであ
る。適当な水溶液処理の可能なバインダとしては、米国
特許第３４５８３１１号及び同第４２７３８５６号に記
載されているものがある。アミノアルキルアクリレート
またはメタクリレート、酸性の膜形成性コモノマー、及
び米国特許第４２９３６３５号に記載されているような
アルキルまたはヒドロキシアルキルアクリレートを含め
ることができる。
しい場合、バインダは、組成物を水性現像液中で処理可
能にするのに十分な酸性その他の官能基を含むべきであ
る。適当な水溶液処理の可能なバインダとしては、米国
特許第３４５８３１１号及び同第４２７３８５６号に記
載されているものがある。アミノアルキルアクリレート
またはメタクリレート、酸性の膜形成性コモノマー、及
び米国特許第４２９３６３５号に記載されているような
アルキルまたはヒドロキシアルキルアクリレートを含め
ることができる。
【００２１】通常、感光性組成物の貯蔵中の安定性を高
めるために、熱重合抑制剤を加える。このような抑制剤
には、ｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキ
ル置換及びアリール置換のハイドロキノン及びキノン
類、tert−ブチルカテコール、ビロガロール、樹脂酸
銅、ナフチルアミン、β−ナフトール、塩化第一銅、
２，６−ジ−tert−ブチル−ｐ−クレゾール、フェノチ
アジン、ピリジン、ニトロベンゼン及びジニトロベンゼ
ン、Ｐ−トルエキノン及びクロラニルがある。また米国
特許第４１６８９８２号に記載されているニトロソ組成
物も熱重合抑制剤として有用である。
めるために、熱重合抑制剤を加える。このような抑制剤
には、ｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキ
ル置換及びアリール置換のハイドロキノン及びキノン
類、tert−ブチルカテコール、ビロガロール、樹脂酸
銅、ナフチルアミン、β−ナフトール、塩化第一銅、
２，６−ジ−tert−ブチル−ｐ−クレゾール、フェノチ
アジン、ピリジン、ニトロベンゼン及びジニトロベンゼ
ン、Ｐ−トルエキノン及びクロラニルがある。また米国
特許第４１６８９８２号に記載されているニトロソ組成
物も熱重合抑制剤として有用である。
【００２２】レジスト・イメージの可視性を高めるため
に染料及び顔料を加えてもよい。ただし、使用する着色
剤は、使用する化学線に対して透過性をもつべきであ
る。
に染料及び顔料を加えてもよい。ただし、使用する着色
剤は、使用する化学線に対して透過性をもつべきであ
る。
【００２３】そのような感光性組成物の例が、米国特許
第４６９３９５９号の表１に記載されている。
第４６９３９５９号の表１に記載されている。
【００２４】こうした処方を調製する際に、一般に、常
圧で揮発性の不活性溶剤を使用する。その例としては、
アルコール類及びエーテルアルコール類、エステル類、
芳香剤、ケトン類、塩素化炭化水素、脂肪族炭化水素、
その他の溶剤、たとえばジメチルスルホキシド、ピリジ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジシアノシクロ
ブタン、１−メチル−２−オキソヘキサメチレンイミ
ン、及び溶液を得るのに必要な様々な比率によるこれら
の溶剤の混合物がある。コーティングが支持ファイルに
粘着するのを防止するための粘着防止剤を含めることも
できる。
圧で揮発性の不活性溶剤を使用する。その例としては、
アルコール類及びエーテルアルコール類、エステル類、
芳香剤、ケトン類、塩素化炭化水素、脂肪族炭化水素、
その他の溶剤、たとえばジメチルスルホキシド、ピリジ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジシアノシクロ
ブタン、１−メチル−２−オキソヘキサメチレンイミ
ン、及び溶液を得るのに必要な様々な比率によるこれら
の溶剤の混合物がある。コーティングが支持ファイルに
粘着するのを防止するための粘着防止剤を含めることも
できる。
【００２５】ある種の重合体では、被膜または被覆に可
撓性を与えるために固体または液体の可塑剤を加えるこ
とが望ましい。適当な可塑剤が米国特許第３６５８５４
３号に記載されている。好ましい液体可塑剤はノリルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールである。好
ましい固体可塑剤はＮ−エチル−ｐ−トルエンスルホン
アミドである。
撓性を与えるために固体または液体の可塑剤を加えるこ
とが望ましい。適当な可塑剤が米国特許第３６５８５４
３号に記載されている。好ましい液体可塑剤はノリルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールである。好
ましい固体可塑剤はＮ−エチル−ｐ−トルエンスルホン
アミドである。
【００２６】光結像可能組成物ははんだマスクとしても
利用される。そのような応用例では、光結像可能組成物
を使用する際には、それをプリント回路板に塗布し、続
いてフォトリソグラフィ技術によって他のものをマスク
しながら回路板上の様々の下部フィーチャを露出させ
る。はんだ付け工程中にはんだが露出した下部構成要素
上に付着する。はんだマスク材料を、適当な方法、例え
ばカーテン・コーティングによって塗布できるような処
方にする必要がある。エポキシ類を使用する多数のもの
も含めて、適当な光結像可能組成物は、米国特許第４２
７９９８５号、第４４５８８９０号、第４３５１７０８
号、第４１３８２５５号、第４０６９０５５号、第４２
５００５３号、第４０５８４０１号、第４６５９６４９
号、第４５４４６２３号、第４６８４６７１号、第４６
２４９１２号、第４１７５９６３号、第４０８１２７６
号、第４６９３９６１号、第４４４２１９７号に記載さ
れている。
利用される。そのような応用例では、光結像可能組成物
を使用する際には、それをプリント回路板に塗布し、続
いてフォトリソグラフィ技術によって他のものをマスク
しながら回路板上の様々の下部フィーチャを露出させ
る。はんだ付け工程中にはんだが露出した下部構成要素
上に付着する。はんだマスク材料を、適当な方法、例え
ばカーテン・コーティングによって塗布できるような処
方にする必要がある。エポキシ類を使用する多数のもの
も含めて、適当な光結像可能組成物は、米国特許第４２
７９９８５号、第４４５８８９０号、第４３５１７０８
号、第４１３８２５５号、第４０６９０５５号、第４２
５００５３号、第４０５８４０１号、第４６５９６４９
号、第４５４４６２３号、第４６８４６７１号、第４６
２４９１２号、第４１７５９６３号、第４０８１２７６
号、第４６９３９６１号、第４４４２１９７号に記載さ
れている。
【００２７】最近になって、改良型のカチオン性光結像
可能はんだマスクが、本出願人に譲渡された米国特許第
５０２６６２４号に記載されている。同明細書を本明細
書において参照されたい。実際に米国特許第５０２６６
２４号は、エポキシを主体とする改良型の光結像可能な
カチオン性重合可能コーティング材料を教示している。
可能はんだマスクが、本出願人に譲渡された米国特許第
５０２６６２４号に記載されている。同明細書を本明細
書において参照されたい。実際に米国特許第５０２６６
２４号は、エポキシを主体とする改良型の光結像可能な
カチオン性重合可能コーティング材料を教示している。
【００２８】ネガティブ・レジストを処理する際、結像
済み被膜の非露光領域は通常、スプレイ形の現像液の作
用によって数分以内にプリント回路板または基板の表面
から除去される。フォトレジスト組成物の種類に応じ
て、現像液は、単純な有機溶剤、無機塩基の水溶液、あ
るいは米国特許第３４７５１７１号に記載のように、有
機溶剤と塩基水溶液を組み合わせて形成した半水性現像
剤とすることができる。
済み被膜の非露光領域は通常、スプレイ形の現像液の作
用によって数分以内にプリント回路板または基板の表面
から除去される。フォトレジスト組成物の種類に応じ
て、現像液は、単純な有機溶剤、無機塩基の水溶液、あ
るいは米国特許第３４７５１７１号に記載のように、有
機溶剤と塩基水溶液を組み合わせて形成した半水性現像
剤とすることができる。
【００２９】メチルクロロホルム（ＭＣＦ、１，１，１
−トリクロロエタン）及び塩化メチレン（ＭＣ、ジクロ
ロメタン）が、電子実装技術及びその他の技術で、通常
なら化学的攻撃に対して抵抗力のあるいくつかのフォト
レジストを現像し除去するために広く使用されている溶
剤である。
−トリクロロエタン）及び塩化メチレン（ＭＣ、ジクロ
ロメタン）が、電子実装技術及びその他の技術で、通常
なら化学的攻撃に対して抵抗力のあるいくつかのフォト
レジストを現像し除去するために広く使用されている溶
剤である。
【００３０】アディティブ法で使用される高度にアルカ
リ性の無電解銅メッキ浴は、フォトレジストにとって厳
しい環境をもたらす。一般に、化学的に比較的不活性な
レジストは塩化メチレンなどの有機溶剤中で除去でき
る。それほど厳しくない環境では、水溶液で現像可能な
フォトレジストで十分であろう。しかし、有機溶剤で現
像可能なレジストが、無電解銅環境及びプリント・バン
ド及び薄膜技術で、デュポン社のリストンＴ−１６８な
どアクリレートを主体とするレジスト及びデュポン社の
Vacrel 700及び900シリーズなどの溶剤処理済みはんだ
マスクと共に引続き使用されている。この環境では、水
性レジストが損傷を受けやすい。
リ性の無電解銅メッキ浴は、フォトレジストにとって厳
しい環境をもたらす。一般に、化学的に比較的不活性な
レジストは塩化メチレンなどの有機溶剤中で除去でき
る。それほど厳しくない環境では、水溶液で現像可能な
フォトレジストで十分であろう。しかし、有機溶剤で現
像可能なレジストが、無電解銅環境及びプリント・バン
ド及び薄膜技術で、デュポン社のリストンＴ−１６８な
どアクリレートを主体とするレジスト及びデュポン社の
Vacrel 700及び900シリーズなどの溶剤処理済みはんだ
マスクと共に引続き使用されている。この環境では、水
性レジストが損傷を受けやすい。
【００３１】１，１，１−トリクロロエタン及び塩化メ
チレンの使用は、地球のオゾン層の減少に対する気状ハ
ロゲン化炭化水素の影響に関する環境問題上の関心、及
び大気中への発ガン性の疑いのある物質の排出に関する
関心の増大に伴って不都合になってきた。いくつかの国
ではその完全撤廃を目標として設定している。しかし、
水溶液で現像可能なレジストの使用が実用的でない製造
工程は依然として沢山ある。
チレンの使用は、地球のオゾン層の減少に対する気状ハ
ロゲン化炭化水素の影響に関する環境問題上の関心、及
び大気中への発ガン性の疑いのある物質の排出に関する
関心の増大に伴って不都合になってきた。いくつかの国
ではその完全撤廃を目標として設定している。しかし、
水溶液で現像可能なレジストの使用が実用的でない製造
工程は依然として沢山ある。
【００３２】したがって、当業界では、１，１，１−ト
リクロエタン及び塩化メチレンの代替品となる有機溶剤
を探し続けている。新しい溶剤は、可燃性、毒性、溶解
力、貯蔵寿命、廃棄物処理、リサイクル可能性、組成の
簡単さ、及び広範囲のレジストとの相溶性に関して特定
の製造要件及び環境要件を満たさなければならない。
リクロエタン及び塩化メチレンの代替品となる有機溶剤
を探し続けている。新しい溶剤は、可燃性、毒性、溶解
力、貯蔵寿命、廃棄物処理、リサイクル可能性、組成の
簡単さ、及び広範囲のレジストとの相溶性に関して特定
の製造要件及び環境要件を満たさなければならない。
【００３３】リストン・フォトレジストを剥離するため
の代替溶剤は、Research Disclosure、1989年６月、p.3
02に所載の著者不明の論文にも記載されている。
の代替溶剤は、Research Disclosure、1989年６月、p.3
02に所載の著者不明の論文にも記載されている。
【００３４】当技術分野では、１，１，１−トリクロロ
エタン及び塩化メチレンに代わる環境にやさしい代替品
を実現するための試みが以前から報告されている。しか
し、どの参照文献にも本発明の簡単で環境にやさしい常
温現像剤及び剥離剤は記載されていない。
エタン及び塩化メチレンに代わる環境にやさしい代替品
を実現するための試みが以前から報告されている。しか
し、どの参照文献にも本発明の簡単で環境にやさしい常
温現像剤及び剥離剤は記載されていない。
【００３５】同時係属の米国特許出願第０７／７８１５
４１号（特願平４−２３４８６６）は現像剤及び剥離剤
として４−メチル−１，２−ジオキソラン−２−オン
（プロピレンカーボネート、メチルエチレンカーボネー
ト、１，２−プロピレンカーボネート）を使用すること
を記載している。この物質は、下記の化学式１で表され
る構造をもつ。上記出願明細書は、リストンＴ−１６８
やポリメチルメタクリレートなどアクリレートを主体と
するフォトレジスト及びＶａｃｒｅｌ ７００及び９０
０シリーズなどの溶剤処理済みはんだマスクを現像及び
剥離するのに使用されるハロゲン化炭化水素現像剤及び
剥離剤の代替品としてこれを使用することを記載してい
る。
４１号（特願平４−２３４８６６）は現像剤及び剥離剤
として４−メチル−１，２−ジオキソラン−２−オン
（プロピレンカーボネート、メチルエチレンカーボネー
ト、１，２−プロピレンカーボネート）を使用すること
を記載している。この物質は、下記の化学式１で表され
る構造をもつ。上記出願明細書は、リストンＴ−１６８
やポリメチルメタクリレートなどアクリレートを主体と
するフォトレジスト及びＶａｃｒｅｌ ７００及び９０
０シリーズなどの溶剤処理済みはんだマスクを現像及び
剥離するのに使用されるハロゲン化炭化水素現像剤及び
剥離剤の代替品としてこれを使用することを記載してい
る。
【化１】
【００３６】上記の米国特許出願第０７／７８１５４１
号（特願平４−２３４８６６）は、プロピレンカーボネ
ート（ＰＣ）、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ベンジ
ルアルコール（ＢＡ）のうちから選択された高沸点溶剤
中で露光済みレジストを現像することを記載している。
この工程は約２４ないし４５℃で約０．５ないし１２分
間行われ、通常はそれに続いて熱湯洗浄、冷水洗浄、脱
イオン水洗浄、水道水洗浄または低沸点の代替溶剤によ
る洗浄を行って過剰の現像剤を除去する。
号（特願平４−２３４８６６）は、プロピレンカーボネ
ート（ＰＣ）、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ベンジ
ルアルコール（ＢＡ）のうちから選択された高沸点溶剤
中で露光済みレジストを現像することを記載している。
この工程は約２４ないし４５℃で約０．５ないし１２分
間行われ、通常はそれに続いて熱湯洗浄、冷水洗浄、脱
イオン水洗浄、水道水洗浄または低沸点の代替溶剤によ
る洗浄を行って過剰の現像剤を除去する。
【００３７】リストン型フォトレジストの現像用の従来
技術の一般的現像剤は低沸点高蒸気圧の溶剤であるが、
上記の米国特許出願第０７／７８１５４１号（特願平４
−２３４８６６）の溶剤は高沸点溶剤である。メチルク
ロロホルム（ＭＣＦ）、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）、キシレンまたはそれらの混合物などの低沸点溶剤
の使用は、塩化メチレンによる剥離工程と類似してい
る。
技術の一般的現像剤は低沸点高蒸気圧の溶剤であるが、
上記の米国特許出願第０７／７８１５４１号（特願平４
−２３４８６６）の溶剤は高沸点溶剤である。メチルク
ロロホルム（ＭＣＦ）、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）、キシレンまたはそれらの混合物などの低沸点溶剤
の使用は、塩化メチレンによる剥離工程と類似してい
る。
【００３８】それとは対照的に、高沸点溶剤すなわちｎ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン
（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、及び
プロビレンカーボネート（ＰＣ）は、続いて相溶性のあ
る溶剤または水による洗浄ステップを施さなければなら
ない。さらに、ＭＣに匹敵する溶解時間を得るために
は、剥離中の温度を約５０℃以上、好ましくは５０℃と
１００℃の間に維持する必要がある。しかし、こうした
熱的要件の結果、プロピレンカーボネートを１００ｐｐ
ｍ以上、場合によっては２０００ｐｐｍも含むプロピレ
ンカーボネート含有蒸気が生じる。排出空気からプロピ
レンカーボネートを除去しなければならない。
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン
（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、及び
プロビレンカーボネート（ＰＣ）は、続いて相溶性のあ
る溶剤または水による洗浄ステップを施さなければなら
ない。さらに、ＭＣに匹敵する溶解時間を得るために
は、剥離中の温度を約５０℃以上、好ましくは５０℃と
１００℃の間に維持する必要がある。しかし、こうした
熱的要件の結果、プロピレンカーボネートを１００ｐｐ
ｍ以上、場合によっては２０００ｐｐｍも含むプロピレ
ンカーボネート含有蒸気が生じる。排出空気からプロピ
レンカーボネートを除去しなければならない。
【００３９】したがって、プロピレンカーボネートの蒸
気を減少させ、このような排出空気からプロピレンカー
ボネートを除去するための、低コストの方法が明らかに
必要とされている。
気を減少させ、このような排出空気からプロピレンカー
ボネートを除去するための、低コストの方法が明らかに
必要とされている。
【００４０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、排
出物の洗気による削減処理においてプロセスガス流及び
空気からプロピレンカーボネートのような環状アルキレ
ンカーボネートを除去するための、単純で低コストの方
法を提供することにある。
出物の洗気による削減処理においてプロセスガス流及び
空気からプロピレンカーボネートのような環状アルキレ
ンカーボネートを除去するための、単純で低コストの方
法を提供することにある。
【００４１】本発明の他の目的は、液体流が、プロピレ
ンカーボネートを効果的に洗気除去し、かつ装置寸法を
経済的にするのに十分な強さであるが、処分または処理
を経済的にするのに十分な淡さに保たれるように、排出
物の洗気による削減工程のパラメータを制御することに
ある。
ンカーボネートを効果的に洗気除去し、かつ装置寸法を
経済的にするのに十分な強さであるが、処分または処理
を経済的にするのに十分な淡さに保たれるように、排出
物の洗気による削減工程のパラメータを制御することに
ある。
【００４２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の米国特
許出願第０７／７８１５４１号（特願平４−２３４８６
６）に記載されたタイプの非毒性溶剤を排気空気及びプ
ロセスガス流から除去するものである。
許出願第０７／７８１５４１号（特願平４−２３４８６
６）に記載されたタイプの非毒性溶剤を排気空気及びプ
ロセスガス流から除去するものである。
【００４３】プロピレンカーボネートなどの環状アルキ
レンカーボネートを用いてハロゲン化溶剤に匹敵する重
合体溶解時間を得るには、現像中の温度を約４５℃の高
さに維持し、剥離中の温度を約５０℃より高く維持する
ことが必要である。さらに、効果的な現像及び剥離を得
るには、熱湯を使ってプロピレンカーボネートなどの環
状アルキレンカーボネート溶剤を除去することが必要で
ある。プロピレンカーボネートは低蒸気圧高沸点の物質
であるが、約５０℃を超える温度を使用する場合には、
少なくとも数百ないし数千ｐｐｍレベルのガス状の環状
アルキレンカーボネート、たとえばガス状プロピレンカ
ーボネートを処理する必要が生じる。
レンカーボネートを用いてハロゲン化溶剤に匹敵する重
合体溶解時間を得るには、現像中の温度を約４５℃の高
さに維持し、剥離中の温度を約５０℃より高く維持する
ことが必要である。さらに、効果的な現像及び剥離を得
るには、熱湯を使ってプロピレンカーボネートなどの環
状アルキレンカーボネート溶剤を除去することが必要で
ある。プロピレンカーボネートは低蒸気圧高沸点の物質
であるが、約５０℃を超える温度を使用する場合には、
少なくとも数百ないし数千ｐｐｍレベルのガス状の環状
アルキレンカーボネート、たとえばガス状プロピレンカ
ーボネートを処理する必要が生じる。
【００４４】プロピレンカーボネートなどガス状の環状
アルキレンカーボネートを洗気除去するには、プロピレ
ンカーボネートなどの環状アルキレンカーボネートを含
有する気体をプロセスから取り出し、プロピレンカーボ
ネートを含有する空気を水性アルカリ性液体中に通し
て、環状アルキレンカーボネートたとえばプロピレンカ
ーボネートをその空気から洗気除去する。洗気済みの空
気は、環状アルキレンカーボネート、たとえばプロピレ
ンカーボネートを実質上含まず、プロセスから回収され
る。本発明の第１の実施例では、洗気液を生物的に処理
して残渣を破壊する。水性アルカリ性液体は、好ましく
はアルカリ金属水酸化物の溶液またはアルカリ金属と弱
酸の塩の溶液である。より好ましくは、水酸化ナトリウ
ムである。
アルキレンカーボネートを洗気除去するには、プロピレ
ンカーボネートなどの環状アルキレンカーボネートを含
有する気体をプロセスから取り出し、プロピレンカーボ
ネートを含有する空気を水性アルカリ性液体中に通し
て、環状アルキレンカーボネートたとえばプロピレンカ
ーボネートをその空気から洗気除去する。洗気済みの空
気は、環状アルキレンカーボネート、たとえばプロピレ
ンカーボネートを実質上含まず、プロセスから回収され
る。本発明の第１の実施例では、洗気液を生物的に処理
して残渣を破壊する。水性アルカリ性液体は、好ましく
はアルカリ金属水酸化物の溶液またはアルカリ金属と弱
酸の塩の溶液である。より好ましくは、水酸化ナトリウ
ムである。
【００４５】本発明の他の実施例では、（ｉ）環状アル
キレンカボネート、たとえばプロピレンカーボネートを
実質上含まない洗気済み空気と、（ii）洗気除去された
ガス状アルキレンカーボネート、たとえばプロピレンカ
ーボネートの残渣を含むアルカリ性液体とを一緒に処理
して、プロピレンカーボネートをリサイクルのために回
収する。
キレンカボネート、たとえばプロピレンカーボネートを
実質上含まない洗気済み空気と、（ii）洗気除去された
ガス状アルキレンカーボネート、たとえばプロピレンカ
ーボネートの残渣を含むアルカリ性液体とを一緒に処理
して、プロピレンカーボネートをリサイクルのために回
収する。
【００４６】この実施例は、プロピレンカーボネートの
排出物とアルカリ性液体を分離手段、たとえば蒸発器に
供給し、プロピレンカーボネートから水と揮発物を分離
するステップを含んでいる。
排出物とアルカリ性液体を分離手段、たとえば蒸発器に
供給し、プロピレンカーボネートから水と揮発物を分離
するステップを含んでいる。
【００４７】脱水されたプロピレンカーボネートを蒸発
させて、プロピレンカーボネートを高沸点物質及びフォ
トレジスト材料から分離する。これによってさらに高純
度のプロピレンカーボネートの回収が可能になる。
させて、プロピレンカーボネートを高沸点物質及びフォ
トレジスト材料から分離する。これによってさらに高純
度のプロピレンカーボネートの回収が可能になる。
【００４８】このさらに高純度の、すなわち脱水済みの
蒸発させたプロピレンカーボネートを、たとえば分別蒸
留によって、高蒸気圧のプロピレングリコール留分と低
蒸気圧のプロピレンカーボネート留分とに分離する。
蒸発させたプロピレンカーボネートを、たとえば分別蒸
留によって、高蒸気圧のプロピレングリコール留分と低
蒸気圧のプロピレンカーボネート留分とに分離する。
【００４９】
【実施例】プロピレンカーボネートを含有する空気など
環状アルキレンカーボネートを含有する空気と、プロピ
レンカーボネートなどの低純度の液体環状アルキレンカ
ーボネートが、重合体材料の薄膜、膜または被覆を除去
する際に比較的高純度の環状アルキレンカーボネートを
現像剤または剥離剤あるいはその両方として使用する、
上流側の工業工程からの排出物である。
環状アルキレンカーボネートを含有する空気と、プロピ
レンカーボネートなどの低純度の液体環状アルキレンカ
ーボネートが、重合体材料の薄膜、膜または被覆を除去
する際に比較的高純度の環状アルキレンカーボネートを
現像剤または剥離剤あるいはその両方として使用する、
上流側の工業工程からの排出物である。
【００５０】本発明は、下記の化学式２で表されるプロ
ピレンカーボネートについて説明し図示するが、もちろ
ん、下記の化学式３のようなプロピレンカーボネートの
高級同族体も本発明の実施に使用できる。
ピレンカーボネートについて説明し図示するが、もちろ
ん、下記の化学式３のようなプロピレンカーボネートの
高級同族体も本発明の実施に使用できる。
【化２】
【化３】
【００５１】上式で、ＲAとＲBのどちらか一方は−Ｈで
もよく、またＲAとＲBの一方または両方が短鎖のアルキ
ル基である。短鎖アルキル基の例は、ＣＨ3−（ＣＨ2）
n−または、プロピレンカーボネートであり、ｎはＲAと
ＲBで独立な０ないし３の整数である。さらに、環状ア
ルキレンカーボネートの蒸気圧が、分留または分離を可
能にするのに十分な高さでなければならないことももち
ろんである。
もよく、またＲAとＲBの一方または両方が短鎖のアルキ
ル基である。短鎖アルキル基の例は、ＣＨ3−（ＣＨ2）
n−または、プロピレンカーボネートであり、ｎはＲAと
ＲBで独立な０ないし３の整数である。さらに、環状ア
ルキレンカーボネートの蒸気圧が、分留または分離を可
能にするのに十分な高さでなければならないことももち
ろんである。
【００５２】低純度のプロピレンカーボネート液は、溶
解した重合体と分散している固形重合体、ならびにモノ
マー、溶剤、界面活性剤、開始剤、染料などを含むフォ
トレジスト生成物を含有する。これを本明細書では「フ
ォトレジスト材料」及び「固形物」と呼ぶ。ガスは、た
とえば１００ｐｐｍないし２０００ｐｐｍ以上のレベル
のプロピレンカーボネートを含有している。
解した重合体と分散している固形重合体、ならびにモノ
マー、溶剤、界面活性剤、開始剤、染料などを含むフォ
トレジスト生成物を含有する。これを本明細書では「フ
ォトレジスト材料」及び「固形物」と呼ぶ。ガスは、た
とえば１００ｐｐｍないし２０００ｐｐｍ以上のレベル
のプロピレンカーボネートを含有している。
【００５３】本発明の１実施例では、重合体はフォトレ
ジスト、たとえばデュポン社のリストンなどアクリル酸
及びアクリル酸エステル部分から形成されるネガティブ
・フォトレジストであり、液体及び気体排出物は、現像
ステップまたは剥離ステップの一方または両方の排出物
である。排出される液体流中の重合体は、溶液状のもの
も分散しているものも「フォトレジスト材料」に含ま
れ、これを本明細書では「固形物」と呼ぶ。
ジスト、たとえばデュポン社のリストンなどアクリル酸
及びアクリル酸エステル部分から形成されるネガティブ
・フォトレジストであり、液体及び気体排出物は、現像
ステップまたは剥離ステップの一方または両方の排出物
である。排出される液体流中の重合体は、溶液状のもの
も分散しているものも「フォトレジスト材料」に含ま
れ、これを本明細書では「固形物」と呼ぶ。
【００５４】プロピレンカーボネートは、電子回路パッ
ケージの製造中に排出される。プロピレンカーボネート
・ガスの排出は、プロピレンカーボネートが低蒸気圧高
沸点であるにもかかわらず、現像済みフォトレジスト及
び剥離済み電子パッケージを熱湯で洗浄する結果であ
る。プロピレンカーボネートを含有する空気は、たとえ
ばファン、ダクタ、フードなどによって工程から除去さ
れる。
ケージの製造中に排出される。プロピレンカーボネート
・ガスの排出は、プロピレンカーボネートが低蒸気圧高
沸点であるにもかかわらず、現像済みフォトレジスト及
び剥離済み電子パッケージを熱湯で洗浄する結果であ
る。プロピレンカーボネートを含有する空気は、たとえ
ばファン、ダクタ、フードなどによって工程から除去さ
れる。
【００５５】したがって、フォトリソグラフィ工程の排
出物の１つはプロピレンカーボネートなどガス状の環状
アルキレンカーボネートである。プロピレンカーボネー
トは低蒸気圧高沸点物質である（蒸気圧は８０℃で０．
０８トル、９２℃で４，５トル）が、プロセスガス流中
及び現像・剥離溶液の上方の空気中のガス状プロピレン
カーボネートの濃度は、現像溶液の上方で約１００ない
し５００ｐｐｍ、剥離溶液の上方で約４００ないし１５
００ｐｐｍである。プロピレンカーボネートを含有する
空気をアルカリ性水溶液の作用によって洗気すると、空
気に含まれるプロピレンカーボネートは１００ｐｐｍ未
満となる。
出物の１つはプロピレンカーボネートなどガス状の環状
アルキレンカーボネートである。プロピレンカーボネー
トは低蒸気圧高沸点物質である（蒸気圧は８０℃で０．
０８トル、９２℃で４，５トル）が、プロセスガス流中
及び現像・剥離溶液の上方の空気中のガス状プロピレン
カーボネートの濃度は、現像溶液の上方で約１００ない
し５００ｐｐｍ、剥離溶液の上方で約４００ないし１５
００ｐｐｍである。プロピレンカーボネートを含有する
空気をアルカリ性水溶液の作用によって洗気すると、空
気に含まれるプロピレンカーボネートは１００ｐｐｍ未
満となる。
【００５６】図１の流れ図と図２及び図３の工程概略図
に示すように、プロピレンカーボネートを含有する空気
をアルカリ性水溶液中に通す。これは、プロピレンカー
ボネートを空気から洗気除去する働きをする。洗気済み
の空気をスクラバから回収する。洗気済みの空気はプロ
ピレンカーボネートを実質上含まず、その含有量は１０
０ｐｐｍ未満である。
に示すように、プロピレンカーボネートを含有する空気
をアルカリ性水溶液中に通す。これは、プロピレンカー
ボネートを空気から洗気除去する働きをする。洗気済み
の空気をスクラバから回収する。洗気済みの空気はプロ
ピレンカーボネートを実質上含まず、その含有量は１０
０ｐｐｍ未満である。
【００５７】図１は、工程の前端、すなわちスクラバ２
１の流れ図であり、図２及び図３はスクラバの細部を示
す。スクラバ２１は製造工程１１からプロピレンカーボ
ネート含有空気１２を受け取る。このガスがスクラバ２
１に送られてそこで洗気溶液１３と接触し、清浄な空気
１５とプロピレンカーボネートを含有する溶液１７を発
生する。溶液１７は、循環させても（１８）、また次の
工程１９に送ってもよい。
１の流れ図であり、図２及び図３はスクラバの細部を示
す。スクラバ２１は製造工程１１からプロピレンカーボ
ネート含有空気１２を受け取る。このガスがスクラバ２
１に送られてそこで洗気溶液１３と接触し、清浄な空気
１５とプロピレンカーボネートを含有する溶液１７を発
生する。溶液１７は、循環させても（１８）、また次の
工程１９に送ってもよい。
【００５８】具体的には、スクラバ２１への入力１２
は、プロピレンカーボネートを１００ｐｐｍより多く含
むプロピレンカーボネート含有空気である。スクラバ２
１からの洗気除去されたガス生成物１５は、プロピレン
カーボネートを１００ｐｐｍ未満しか含まない。
は、プロピレンカーボネートを１００ｐｐｍより多く含
むプロピレンカーボネート含有空気である。スクラバ２
１からの洗気除去されたガス生成物１５は、プロピレン
カーボネートを１００ｐｐｍ未満しか含まない。
【００５９】水性アルカリ性洗気剤は、アルカリ金属水
酸化物またはアルカリ金属と弱酸の塩の水溶液である。
コストと入手可能性の点から、アルカリ金属はナトリウ
ムまたはカリウムであり、ナトリウムが好ましい。アニ
オンは、水酸化物または弱酸たとえば炭酸塩、重炭酸塩
である。
酸化物またはアルカリ金属と弱酸の塩の水溶液である。
コストと入手可能性の点から、アルカリ金属はナトリウ
ムまたはカリウムであり、ナトリウムが好ましい。アニ
オンは、水酸化物または弱酸たとえば炭酸塩、重炭酸塩
である。
【００６０】アルカリ金属水酸化物は水酸化ナトリウム
が好ましく、アニオンは水酸化物が好ましく、水酸化ナ
トリウム水溶液は水酸化ナトリウムを１０重量％未満含
むことが好ましい。これは、導電率約１〜１０（ohm・c
m）-1、ｐＨ＝１４に相当する。
が好ましく、アニオンは水酸化物が好ましく、水酸化ナ
トリウム水溶液は水酸化ナトリウムを１０重量％未満含
むことが好ましい。これは、導電率約１〜１０（ohm・c
m）-1、ｐＨ＝１４に相当する。
【００６１】洗気溶液をスクリーンまたはパッキング２
３の上または中に通す。スクリーンまたはパッキング２
３は乱流を起こし、物質移動係数を増大させる。アルカ
リ性洗気水溶液はスクラバ２１中を一回通してもよく、
また洗気溶液を循環する水性アルカリ性液体として再利
用し返送（１８）してもよく、任意選択で液体排出物１
９としてもよい。
３の上または中に通す。スクリーンまたはパッキング２
３は乱流を起こし、物質移動係数を増大させる。アルカ
リ性洗気水溶液はスクラバ２１中を一回通してもよく、
また洗気溶液を循環する水性アルカリ性液体として再利
用し返送（１８）してもよく、任意選択で液体排出物１
９としてもよい。
【００６２】洗気溶液を循環させるときは、循環する溶
液の特性、たとえば循環するアルカリ性水溶液の電解質
特性を監視して、高い物質移動係数と、空気と溶液の間
の推進力とを維持する必要がある。そのために、たとえ
ば溶液の状態（溶液のｐＨまたは導電率）に応じてアル
カリ性電解質または水を加えることにより、循環するア
ルカリ性水溶液中の電解質と水の濃度を調節する。
液の特性、たとえば循環するアルカリ性水溶液の電解質
特性を監視して、高い物質移動係数と、空気と溶液の間
の推進力とを維持する必要がある。そのために、たとえ
ば溶液の状態（溶液のｐＨまたは導電率）に応じてアル
カリ性電解質または水を加えることにより、循環するア
ルカリ性水溶液中の電解質と水の濃度を調節する。
【００６３】溶液の化学的性質を制御する１つの方法
は、溶液のｐＨを測定し、ｐＨに応じて循環するアルカ
リ性水溶液の濃度を調節するものである。たとえば、ｐ
Ｈが中性に近づいた場合、濃アルカリ金属イオン補給溶
液を循環溶液に加える。あるいはｐＨがアルカリ性に傾
きすぎた場合は、循環溶液に水を加える。また、循環溶
液の導電率を測定して、その導電率に応じて循環するア
ルカリ性水溶液の濃度を調節することもできる。すなわ
ち、導電率が高くなりすぎたときは補給水を加え、導電
率が低くなりすぎたときは濃アルカリ補給溶液を加える
ことができる。
は、溶液のｐＨを測定し、ｐＨに応じて循環するアルカ
リ性水溶液の濃度を調節するものである。たとえば、ｐ
Ｈが中性に近づいた場合、濃アルカリ金属イオン補給溶
液を循環溶液に加える。あるいはｐＨがアルカリ性に傾
きすぎた場合は、循環溶液に水を加える。また、循環溶
液の導電率を測定して、その導電率に応じて循環するア
ルカリ性水溶液の濃度を調節することもできる。すなわ
ち、導電率が高くなりすぎたときは補給水を加え、導電
率が低くなりすぎたときは濃アルカリ補給溶液を加える
ことができる。
【００６４】本発明の好ましい実施例では、たとえば"C
hemical Pre-Treatment and Biological Destruction o
f Propylene Carbonate Effluent Streams"と題するケ
ヴィン・Ｐ・ウンガー（Kevin P. Unger）とジェームズ
・Ａ・シャートレフ（Shurtleff）の同時係属の米国特
許出願第０７／９２４７４０号に記載されているよう
に、液体排出物１９を水処理プラントで化学的に処理
し、その後、生物的に破壊する。この開示を本明細書に
おいて参照されたい。しかし、本発明の代替実施例で
は、"Propylene Carbonate Recovery Process"と題する
Ｊ．Ｊ．ワグナー（Wagner）、Ａ．Ｃ．バット（Bhat
t）、Ｒ．Ｎ．バントゥー（Bantu）、Ｒ．Ｗ．ケースラ
ー（Keesler）、Ｔ．Ｄ．シンクレア（Sinclair）、及
びＫ．Ｉ．パパトマス（Papathomas）の同時係属の米国
特許出願第０７／９２５３４９号に記載されているよう
に、液体排出物１９をフォトリソグラフィ工程の排出液
と共に処理して、プロピレンカーボネートを回収するこ
とができる。この開示を本明細書において参照された
い。
hemical Pre-Treatment and Biological Destruction o
f Propylene Carbonate Effluent Streams"と題するケ
ヴィン・Ｐ・ウンガー（Kevin P. Unger）とジェームズ
・Ａ・シャートレフ（Shurtleff）の同時係属の米国特
許出願第０７／９２４７４０号に記載されているよう
に、液体排出物１９を水処理プラントで化学的に処理
し、その後、生物的に破壊する。この開示を本明細書に
おいて参照されたい。しかし、本発明の代替実施例で
は、"Propylene Carbonate Recovery Process"と題する
Ｊ．Ｊ．ワグナー（Wagner）、Ａ．Ｃ．バット（Bhat
t）、Ｒ．Ｎ．バントゥー（Bantu）、Ｒ．Ｗ．ケースラ
ー（Keesler）、Ｔ．Ｄ．シンクレア（Sinclair）、及
びＫ．Ｉ．パパトマス（Papathomas）の同時係属の米国
特許出願第０７／９２５３４９号に記載されているよう
に、液体排出物１９をフォトリソグラフィ工程の排出液
と共に処理して、プロピレンカーボネートを回収するこ
とができる。この開示を本明細書において参照された
い。
【００６５】重合体がアクリル酸−アクリル酸エステル
型フォトレジストであり、溶剤がプロピレンカーボネー
トである本発明の実施例では、フォトリソグラフィ工程
の排出液は、（ｉ）約５０重量％以上、通常は約９６な
いし９９重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）最
高で約４０重量％まで、通常は約０．２ないし１．０重
量％の「フォトレジスト材料」、すなわち「固形物」つ
まり分散した固体重合体及び溶解した可溶性重合体と、
（iii）最高で約５重量％まで、通常は約０．１ないし
０．５重量％のプロピレングリコール、すなわちプロピ
レンカーボネートの加水分解生成物と、（iv）最高で約
５重量％まで、通常は約０．１ないし２．５重量％の水
を含む。以上の重量％の値を合計すると１００％になる
はずであるが、他の不純物が存在する場合は１００％未
満になることもある。
型フォトレジストであり、溶剤がプロピレンカーボネー
トである本発明の実施例では、フォトリソグラフィ工程
の排出液は、（ｉ）約５０重量％以上、通常は約９６な
いし９９重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）最
高で約４０重量％まで、通常は約０．２ないし１．０重
量％の「フォトレジスト材料」、すなわち「固形物」つ
まり分散した固体重合体及び溶解した可溶性重合体と、
（iii）最高で約５重量％まで、通常は約０．１ないし
０．５重量％のプロピレングリコール、すなわちプロピ
レンカーボネートの加水分解生成物と、（iv）最高で約
５重量％まで、通常は約０．１ないし２．５重量％の水
を含む。以上の重量％の値を合計すると１００％になる
はずであるが、他の不純物が存在する場合は１００％未
満になることもある。
【００６６】環状アルキレンカーボネート、たとえばプ
ロピレンカーボネートを現像剤または剥離剤として再使
用するためにリサイクルするには、高純度の環状アルキ
レンカーボネート、たとえばプロピレンカーボネートを
回収する必要がある。高純度のプロピレンカーボネート
とは、一般に、固形物をほとんど含まないプロピレンカ
ーボネート生成物、すなわち水０．１％未満、好ましく
は０．０５０重量％未満（より好ましくは、０．０３重
量％未満）、プロピレングリコールを０．０５％未満
（白金コバルト標準を基準として、カラー値が２０ＡＰ
ＨＡ未満であることによって証明される）しか含まない
ものを意味する。
ロピレンカーボネートを現像剤または剥離剤として再使
用するためにリサイクルするには、高純度の環状アルキ
レンカーボネート、たとえばプロピレンカーボネートを
回収する必要がある。高純度のプロピレンカーボネート
とは、一般に、固形物をほとんど含まないプロピレンカ
ーボネート生成物、すなわち水０．１％未満、好ましく
は０．０５０重量％未満（より好ましくは、０．０３重
量％未満）、プロピレングリコールを０．０５％未満
（白金コバルト標準を基準として、カラー値が２０ＡＰ
ＨＡ未満であることによって証明される）しか含まない
ものを意味する。
【００６７】図４は、気体排出物と液体排出物を共に回
収する、本発明のもう１つの実施例の流れ図である。気
体排出物は、約２０ないし５００ｐｐｍのプロピレンカ
ーボネートを含むが、まず上記のようにこれを洗気す
る。これによってプロピレンカーボネートを１００ｐｐ
ｍ未満しか含まない洗気済み空気流と、プロピレンカー
ボネートを含有するアルカリ性水溶液が得られる。この
スクラバからの液体流を、プロピレンカーボネートの水
性プロピレンカーボネート排出物、水、及び重合体固形
物流と混合する。図４に示したシステムは、ガス・スク
ラバ２１の液体排出物１９の水処理及び生物的破壊の手
段も備えている。
収する、本発明のもう１つの実施例の流れ図である。気
体排出物は、約２０ないし５００ｐｐｍのプロピレンカ
ーボネートを含むが、まず上記のようにこれを洗気す
る。これによってプロピレンカーボネートを１００ｐｐ
ｍ未満しか含まない洗気済み空気流と、プロピレンカー
ボネートを含有するアルカリ性水溶液が得られる。この
スクラバからの液体流を、プロピレンカーボネートの水
性プロピレンカーボネート排出物、水、及び重合体固形
物流と混合する。図４に示したシステムは、ガス・スク
ラバ２１の液体排出物１９の水処理及び生物的破壊の手
段も備えている。
【００６８】図４に示した回収プロセスでは、フォトリ
ソグラフィ工程から直接得られたプロピレンカーボネー
ト排出物とフォトリソグラフィ工程からガス・スクラバ
を介して間接に得られたプロピレンカーボネート排出物
を共に第１分離段１１１に供給する。この第１分離段１
１１で、排出物流は、（ｉ）第１分離段１１１の上端か
ら回収された水と揮発性物質の気体流と、（ii）液状プ
ロピレン・カーボネート流の２つの流れに分離される。
ソグラフィ工程から直接得られたプロピレンカーボネー
ト排出物とフォトリソグラフィ工程からガス・スクラバ
を介して間接に得られたプロピレンカーボネート排出物
を共に第１分離段１１１に供給する。この第１分離段１
１１で、排出物流は、（ｉ）第１分離段１１１の上端か
ら回収された水と揮発性物質の気体流と、（ii）液状プ
ロピレン・カーボネート流の２つの流れに分離される。
【００６９】この第１段の分離で、環状アルキレンカー
ボネート溶剤排出物、すなわちプロピレンカーボネート
中の水の濃度が、プロピレンカーボネートなどの環状ア
ルキレンカーボネートが加水分解してプロピレングリコ
ールなど対応するグリコールになるのを実際上避けるの
に十分な低いレベルに下がる。第１段分離装置は、熱交
換器型の蒸発器１１１でよい。この第１段蒸発器中で
は、全圧がその開放式引火点でプロピレンカーボネート
の蒸気圧より高く維持される。これは、１３２℃の温度
に相当する。
ボネート溶剤排出物、すなわちプロピレンカーボネート
中の水の濃度が、プロピレンカーボネートなどの環状ア
ルキレンカーボネートが加水分解してプロピレングリコ
ールなど対応するグリコールになるのを実際上避けるの
に十分な低いレベルに下がる。第１段分離装置は、熱交
換器型の蒸発器１１１でよい。この第１段蒸発器中で
は、全圧がその開放式引火点でプロピレンカーボネート
の蒸気圧より高く維持される。これは、１３２℃の温度
に相当する。
【００７０】第１分離段の底部生成物は、脱水されたプ
ロピレンカーボネートであり、（ｉ）約９６ないし９９
重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）約０．２な
いし０．５重量％の「固形物」すなわち分散した固体重
合体及び溶解した可溶性重合体と、（iii）約０．１な
いし０．５重量％のプロピレングリコールと、（iv）約
０．０８ないし０．１０重量％の水を含み、合計濃度が
１００重量％となるものが好ましい。
ロピレンカーボネートであり、（ｉ）約９６ないし９９
重量％のプロピレンカーボネートと、（ii）約０．２な
いし０．５重量％の「固形物」すなわち分散した固体重
合体及び溶解した可溶性重合体と、（iii）約０．１な
いし０．５重量％のプロピレングリコールと、（iv）約
０．０８ないし０．１０重量％の水を含み、合計濃度が
１００重量％となるものが好ましい。
【００７１】第１段分離１１１からの脱水されたプロピ
レンカーボネートは、第２段分離１４１でさらに分離さ
れ、たとえば蒸発によって高沸点物質及び重合体固形物
からプロピレンカーボネートが分離される。第２段分離
１４１では、脱水されたプロピレンカーボネートが
（ｉ）プロピレンカーボネート留分と（ii）重合体固形
物留分に分離される。重合体固形物留分は、プロピレン
カーボネート中に重合体物質を含んでいる。
レンカーボネートは、第２段分離１４１でさらに分離さ
れ、たとえば蒸発によって高沸点物質及び重合体固形物
からプロピレンカーボネートが分離される。第２段分離
１４１では、脱水されたプロピレンカーボネートが
（ｉ）プロピレンカーボネート留分と（ii）重合体固形
物留分に分離される。重合体固形物留分は、プロピレン
カーボネート中に重合体物質を含んでいる。
【００７２】蒸発器４１の圧力は、約２５トル未満、た
とえば約５ないし１５トルに維持される。蒸発器４１の
温度は、約１２０℃より高く維持される。
とえば約５ないし１５トルに維持される。蒸発器４１の
温度は、約１２０℃より高く維持される。
【００７３】この第２段分離１４１により、頂部生成物
として約９８ないし９９重量％のプロピレンカーボネー
トと、底部生成物としてプロピレンカーボネート中の重
合体物質が得られる。
として約９８ないし９９重量％のプロピレンカーボネー
トと、底部生成物としてプロピレンカーボネート中の重
合体物質が得られる。
【００７４】第２段分離１４１の頂部生成物は脱水済み
の蒸発させたプロピレンカーボネートであり、分留手段
１７１に送られる。この分留手段１７１により、脱水済
みの蒸発させたプロピレンカーボネートがさらに、蒸気
圧のより高いプロピレンブリコール留分と、蒸気圧のよ
り低いプロピレンカーボネート留分に分離される。
の蒸発させたプロピレンカーボネートであり、分留手段
１７１に送られる。この分留手段１７１により、脱水済
みの蒸発させたプロピレンカーボネートがさらに、蒸気
圧のより高いプロピレンブリコール留分と、蒸気圧のよ
り低いプロピレンカーボネート留分に分離される。
【００７５】任意選択で、第２段の底部生成物からもプ
ロピレンカーボネートを回収することができる。この底
部生成物はプロピレンカーボネート中の重合体物質であ
り、約９４ないし９７％のプロピレンカーボネート残留
固形物を含んでいる。本発明のこの代替方法によれば、
蒸発器１４１の底部生成物をたとえば分留塔で分留す
る。
ロピレンカーボネートを回収することができる。この底
部生成物はプロピレンカーボネート中の重合体物質であ
り、約９４ないし９７％のプロピレンカーボネート残留
固形物を含んでいる。本発明のこの代替方法によれば、
蒸発器１４１の底部生成物をたとえば分留塔で分留す
る。
【００７６】分留ステップ１７１の生成物は、重合体物
質を実際上含まない分留生成物である。重合体物質を実
際上含まないとは、プロピレンカーボネート生成物のカ
ラー値が（白金コバルト標準を基準として）２０ＡＰＨ
Ａ未満という意味である。この分留生成物は水をも実質
上含まず、水の含有量は０．０５０重量％である。
質を実際上含まない分留生成物である。重合体物質を実
際上含まないとは、プロピレンカーボネート生成物のカ
ラー値が（白金コバルト標準を基準として）２０ＡＰＨ
Ａ未満という意味である。この分留生成物は水をも実質
上含まず、水の含有量は０．０５０重量％である。
【００７７】連結した凝縮器中の頂部生成物であるプロ
ピレングリコールと、連結した蒸発器またはポット中の
底部生成物である高純度のプロピレンカーボネートを、
プロピレンカーボネートを劣化させずに回収するには、
塔内圧力を慎重に維持しなければならない。分留手段１
７１の頂部圧は２０トル未満、約５ないし７トルである
ことが好ましく、底部圧は約１０トル未満であることが
好ましい。
ピレングリコールと、連結した蒸発器またはポット中の
底部生成物である高純度のプロピレンカーボネートを、
プロピレンカーボネートを劣化させずに回収するには、
塔内圧力を慎重に維持しなければならない。分留手段１
７１の頂部圧は２０トル未満、約５ないし７トルである
ことが好ましく、底部圧は約１０トル未満であることが
好ましい。
【００７８】高純度プロピレンカーボネートを高収量で
回収するのに重要なのは、工程中のプロピレンカーボネ
ートの損失を最小限にすることである。プロピレンカー
ボネートは固形物と一緒に失われるだけではなく、化学
的にも、たとえば副生成物や加水分解生成物の形成によ
って失われる。
回収するのに重要なのは、工程中のプロピレンカーボネ
ートの損失を最小限にすることである。プロピレンカー
ボネートは固形物と一緒に失われるだけではなく、化学
的にも、たとえば副生成物や加水分解生成物の形成によ
って失われる。
【００７９】前掲の関連米国特許出願第０７／９２５３
４９号には、こうした工程中損失経路の制御には、低い
操作温度と高温にさらす時間を最小限にすること、及び
水を実質上含まないことが必要であると記載されてい
る。操作温度及び熱入力表面への露出時間を最小限に保
つのは、プロピレンカーボネートの分解速度を遅くする
ためである。
４９号には、こうした工程中損失経路の制御には、低い
操作温度と高温にさらす時間を最小限にすること、及び
水を実質上含まないことが必要であると記載されてい
る。操作温度及び熱入力表面への露出時間を最小限に保
つのは、プロピレンカーボネートの分解速度を遅くする
ためである。
【００８０】温度と伝熱表面への露出時間を低く抑える
には、実質上真空の条件下での処理が必要である。実質
上真空の条件では、環状アルキレンカーボネート流、た
とえばプロピレンカーボネート流を高温度に加熱する必
要が減り、なくなりさえする。有害な副生成物を生じな
いと思われる上限温度は１６０℃である。好都合な設計
及び操作温度の限界は、環状アルキレンカーボネートの
開放式引火点である。プロピレンカーボネートの開放式
引火点は１３２℃である。プロピレンカーボネートの場
合、１３２℃の開放式引火点より低い温度で処理を行う
と、燃焼及び爆発の危険を最小限に抑えることが可能と
なる。これによって、損傷を抑える構造ならびに耐燃性
耐爆性の回収装置の必要が緩和される。さらに、低温で
は分解速度も下がる。
には、実質上真空の条件下での処理が必要である。実質
上真空の条件では、環状アルキレンカーボネート流、た
とえばプロピレンカーボネート流を高温度に加熱する必
要が減り、なくなりさえする。有害な副生成物を生じな
いと思われる上限温度は１６０℃である。好都合な設計
及び操作温度の限界は、環状アルキレンカーボネートの
開放式引火点である。プロピレンカーボネートの開放式
引火点は１３２℃である。プロピレンカーボネートの場
合、１３２℃の開放式引火点より低い温度で処理を行う
と、燃焼及び爆発の危険を最小限に抑えることが可能と
なる。これによって、損傷を抑える構造ならびに耐燃性
耐爆性の回収装置の必要が緩和される。さらに、低温で
は分解速度も下がる。
【００８１】さらに、工程中で早期に水が除去される場
合、たとえば加水分解による、プロピレンカーボネート
の分解を最小限に抑えることが可能になる。これらの考
慮から図４及び上記の個々の工程ステップに示す工程シ
ーケンスが実施される。
合、たとえば加水分解による、プロピレンカーボネート
の分解を最小限に抑えることが可能になる。これらの考
慮から図４及び上記の個々の工程ステップに示す工程シ
ーケンスが実施される。
【図１】本発明の、環状アルキレンカーボネートによる
空気汚染を削減する工程の流れ図である。
空気汚染を削減する工程の流れ図である。
【図２】本発明の方法で使用するスクラバの平面図であ
る。
る。
【図３】工程流れと制御流れをも示す、本発明の方法で
使用するスクラバの概略図である。
使用するスクラバの概略図である。
【図４】排出物削減工程を環状アルキレンカーボネート
溶剤回収工程に組み込んだ統合工程の流れ図である。
溶剤回収工程に組み込んだ統合工程の流れ図である。
１１ 製造工程 １３ 洗気溶液 １５ 清浄空気 １７ プロピレンカーボネート含有溶液 １９ 後続工程 ２１ スクラバ ２３ スクリーンまたはパッキング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/34 １２０ Ｅ Ｇ０３Ｆ 7/32 7124−2Ｈ 7/42 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (10)
- 【請求項１】レジストの現像剤またはレジストの剥離剤
のどちらか一方または両方に環状アルキレンカーボネー
トを含み、電子回路パッケージの製造中にガス状の環状
アルキレンカーボネートが発生する、電子回路パッケー
ジの製造方法であって、 ａ．プロセスから環状アルキレンカーボネートを含む蒸
気を除去するステップと、 ｂ．前記環状アルキレンカーボネートを含む蒸気を水性
アルカリ性液体中に通して、そこから環状アルキレンカ
ーボネートを洗気除去するステップと、 ｃ．環状アルキレンカーボネートを実質上含まない洗気
済みの空気を回収するステップと を含む方法。 - 【請求項２】前記環状アルキレンカーボネートがプロピ
レンカーボネートである、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】水性アルカリ性液体が、アルカリ金属水酸
化物の溶液またはアルカリ金属と弱酸の塩の溶液である
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】水性アルカリ性液体が循環する水性アルカ
リ性液体であり、 ａ．循環するアルカリ性水溶液の電解質特性を監視する
ステップと、 ｂ．溶液の状態に応じてアルカリ性電解質または水を加
えることにより、循環するアルカリ性水溶液の濃度を調
節するステップと を含む、請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】環状アルキレンカーボネートを回収する方
法であって、 ａ．プロセスからガス状の環状アルキレンカーボネート
排出物を回収するステップと、 ｂ．前記ガス状の環状アルキレンカーボネートを水性ア
ルカリ性液体中に通して、それから環状アルキレンカー
ボネートを洗気除去するステップと、 ｃ．（ｉ）環状アルキレンカーボネートを実質上含まな
い洗気済みの空気と、（ii）洗気除去されたガス状の環
状アルキレンカーボネートの残渣を含むアルカリ性液体
とを回収するステップと、 ｄ．前記環状アルキレンカーボネート排出物とアルカリ
性液体を分離手段に送り、環状アルキレンカーボネート
から水及び揮発性物質を分離するステップと、 ｅ．脱水された環状アルキレンカーボネートを回収し、
その後に脱水済み環状アルキレンカーボネートを蒸発さ
せて環状アルキレンカーボネートを高沸点物質及び重合
体固形物から分離し、それから環状アルキレンカーボネ
ート留分を回収するステップと、 ｆ．蒸発させた脱水済み環状アルキレンカーボネート
を、高蒸気圧の環状アルキレングリコール留分と低蒸気
圧の環状アルキレンカーボネート留分とにさらに分離す
るステップと を含む方法。 - 【請求項６】水を除去して、その濃度を、環状アルキレ
ンカーボネートが加水分解されて環状アルキレングリコ
ールになるのを実質上避けるのに十分な低い濃度にまで
下げるステップを含む、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】脱水された環状アルキレンカーボネートを
回収し、その後に脱水済み環状アルキレンカーボネート
を蒸発させて、環状アルキレンカーボネートをそれに含
まれる重合体物質から分離するステップを含む、請求項
５に記載の方法。 - 【請求項８】頂部生成物としての環状アルキレンカーボ
ネートと、底部生成物としての環状アルキレンカーボネ
ート中の重合体物質とを回収するステップを含む、請求
項７に記載の方法。 - 【請求項９】蒸発させた脱水済み環状アルキレンカーボ
ネートを分留手段に送り、さらに蒸発させた脱水済み環
状アルキレンカーボネートを高蒸気圧の環状アルキレン
グリコール留分と低蒸気圧の環状アルキレンカーボネー
トとに分離するステップを含む、請求項５に記載の方
法。 - 【請求項１０】前記環状アルキレンカーボネートがプロ
ピレンカーボネートである請求項５、６、７、８または
９記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US92476992A | 1992-08-04 | 1992-08-04 | |
| US924769 | 1992-08-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671131A true JPH0671131A (ja) | 1994-03-15 |
| JPH0763578B2 JPH0763578B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=25450696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156419A Expired - Fee Related JPH0763578B2 (ja) | 1992-08-04 | 1993-06-28 | 環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0584030B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0763578B2 (ja) |
| DE (1) | DE69308962T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07295239A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Nec Corp | 剥離液組成物および剥離洗浄方法 |
| JP2002224524A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-13 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 不純物除去装置 |
| KR20030082767A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 주식회사 덕성 | 수용액에서의 전해질의 전기전도도가 높은 물질을 이용한레지스트 박리액 조성물 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5571417A (en) * | 1991-10-22 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Method for treating photolithographic developer and stripper waste streams containing resist or solder mask and gamma butyrolactone or benzyl alcohol |
| EP1105203B1 (en) | 1998-08-20 | 2004-01-28 | Extraction Systems, Inc. | Filters employing porous strongly acidic polymers |
| US7540901B2 (en) | 2000-05-05 | 2009-06-02 | Entegris, Inc. | Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media |
| EP1357998B1 (en) | 2000-05-05 | 2014-12-03 | Entegris, Inc. | Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media |
| TWI417130B (zh) | 2006-07-13 | 2013-12-01 | Entegris Inc | 過濾系統 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2638898A1 (de) * | 1976-08-28 | 1978-03-02 | Heinz Hoelter | Verfahren und vorrichtung zur waschung der abluft hinter holztrockneranlagen, die mit formaldehyd, phenol, ammoniak, schweren kohlenwasserstoffen, spuren cyanwasserstoff und holzstaub belastet sind |
| US5006369A (en) * | 1988-08-05 | 1991-04-09 | The Dow Chemical Company | Removing contaminants from a gas stream |
| DE3903975A1 (de) * | 1989-02-10 | 1990-08-16 | Psw Knopf Gmbh | Entfernung von formaldehyd aus gasstroemen, insbesondere zur abgasreinigung |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5156419A patent/JPH0763578B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-30 EP EP19930480112 patent/EP0584030B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-30 DE DE1993608962 patent/DE69308962T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07295239A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Nec Corp | 剥離液組成物および剥離洗浄方法 |
| JP2002224524A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-13 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 不純物除去装置 |
| KR20030082767A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 주식회사 덕성 | 수용액에서의 전해질의 전기전도도가 높은 물질을 이용한레지스트 박리액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0584030A1 (en) | 1994-02-23 |
| DE69308962D1 (de) | 1997-04-24 |
| JPH0763578B2 (ja) | 1995-07-12 |
| EP0584030B1 (en) | 1997-03-19 |
| DE69308962T2 (de) | 1997-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5268260A (en) | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use | |
| JP2501008B2 (ja) | 溶媒の安定化方法および溶媒の回収方法 | |
| NO169923B (no) | Fotopolymeriserbar sammensetning, ark eller rull med en slik sammensetning samt fremgangsmaate for fremmstilling av et trykt kretskort | |
| JP2004046098A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| US4562142A (en) | Aqueous alkali developable photosensitive composition and photosensitive laminate | |
| DE3779450T2 (de) | Verfahren zur adhaesionsverbesserung bei photolack-laminierung und -verarbeitung. | |
| US5637442A (en) | Method for treating photolithographic developer and stripper waste streams containing resist or solder mask and gamma butyrolactone or benzyl alcohol | |
| JPH0671131A (ja) | 環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法 | |
| JPS60208748A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた積層体 | |
| EP0566286B1 (en) | Photoresist stripping method | |
| GB2059982A (en) | Photosensitive composition and photosensitive laminate developable with aqueous alkali | |
| EP0582538B1 (en) | Propylene carbonate recovery process | |
| JPS6253318A (ja) | （メタ）アクリル共重合体含有光重合性組成物およびその製造方法 | |
| EP0919871B1 (en) | Photoimageable composition having improved flexibility, adhesion and stripping characteristics | |
| JPH0824916B2 (ja) | アルキレンカーボネート廃棄物の処理方法 | |
| JP2965016B2 (ja) | 遠紫外線露光用感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| US4230790A (en) | Photopolymerizable compositions useful in dry film photoresist | |
| US4339527A (en) | Process for using photopolymerizable compositions | |
| JP2005303016A (ja) | プリント配線基板の製造方法およびその配線基板 | |
| JP4431642B2 (ja) | 感光性レジスト用現像液組成物 | |
| JPS616827A (ja) | フオトレジストのストリツパー | |
| JP2849666B2 (ja) | 新規なレジスト材料 | |
| JP4431641B2 (ja) | 感光性レジスト用現像液組成物 | |
| MXPA00008458A (en) | Process for the continuous liquid processing of photosensitive compositions having reduced levels of residues | |
| JPH07325403A (ja) | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |