JPH0669270A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ボンディングパッドの水分などによる腐食を防
ぎ、同時にボンディングワイヤの接着強度を向上させ
る。 【構成】第2アルミニウム膜(ボンディングパッド)
4、第2アルミニウム膜4とカバー膜3との境界部分が
ボンディングワイヤ5に完全に覆われることにより、耐
湿性を向上させ、また、ボンディングワイヤ5がボンデ
ィングされる際に、第2アルミニウム膜4に食い込むよ
うにボンディングされるため、ボンディングワイヤ5と
第2アルミニウム膜4との接着強度が大きくなる。
ぎ、同時にボンディングワイヤの接着強度を向上させ
る。 【構成】第2アルミニウム膜(ボンディングパッド)
4、第2アルミニウム膜4とカバー膜3との境界部分が
ボンディングワイヤ5に完全に覆われることにより、耐
湿性を向上させ、また、ボンディングワイヤ5がボンデ
ィングされる際に、第2アルミニウム膜4に食い込むよ
うにボンディングされるため、ボンディングワイヤ5と
第2アルミニウム膜4との接着強度が大きくなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にボールボンディングされるボンディングパッ
ド部の形状に関する。
関し、特にボールボンディングされるボンディングパッ
ド部の形状に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置、特にボール
ボンィングされるボンディングパッドは、アルミニウム
等の金属により表面が平坦な正方形あるいは長方形に形
成され、この上にボール状の先端を持った金線等のボン
ディングワイヤがボンディングされるようになってい
る。
ボンィングされるボンディングパッドは、アルミニウム
等の金属により表面が平坦な正方形あるいは長方形に形
成され、この上にボール状の先端を持った金線等のボン
ディングワイヤがボンディングされるようになってい
る。
【0003】従来のこの種のボンディングパッドの例を
図3(a),(b)に示す。図3(a)は図3(b)の
B−B線断面図、図3(a)は平面図である。これらの
図において、6は半導体基板であり、この上に第1アル
ミニウム膜1の一部を配設する。そして、この上に層間
膜2を形成しかつその一部を開口して第1アルミニウム
膜1を露出させ、更に第2アルミニウム膜4を正方形ま
たは長方形に形成する。その上で、この第2アルミニウ
ム膜4上の外周付近をカバー膜3で被覆することでボン
ディングパッドが形成される。このボンディングパッド
に対しては、先端をボール状にした金線等からなるボン
ディングワイヤ5を熱圧着等により接続している。
図3(a),(b)に示す。図3(a)は図3(b)の
B−B線断面図、図3(a)は平面図である。これらの
図において、6は半導体基板であり、この上に第1アル
ミニウム膜1の一部を配設する。そして、この上に層間
膜2を形成しかつその一部を開口して第1アルミニウム
膜1を露出させ、更に第2アルミニウム膜4を正方形ま
たは長方形に形成する。その上で、この第2アルミニウ
ム膜4上の外周付近をカバー膜3で被覆することでボン
ディングパッドが形成される。このボンディングパッド
に対しては、先端をボール状にした金線等からなるボン
ディングワイヤ5を熱圧着等により接続している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボンディン
グパッドの構造では、実際にボンディングされる第2ア
ルミニウム膜4の表面積よりもボンディングワイヤ5の
接着領域の方が小さく、必ず第2アルミニウム膜4の露
出部分が存在するため、半導体装置のパッケージ内に浸
入した水分等によって第2アルミニウム膜4、さらに第
1アルミニウム膜1が露出部分から腐食され、半導体装
置の耐湿性が劣化するという問題がある。
グパッドの構造では、実際にボンディングされる第2ア
ルミニウム膜4の表面積よりもボンディングワイヤ5の
接着領域の方が小さく、必ず第2アルミニウム膜4の露
出部分が存在するため、半導体装置のパッケージ内に浸
入した水分等によって第2アルミニウム膜4、さらに第
1アルミニウム膜1が露出部分から腐食され、半導体装
置の耐湿性が劣化するという問題がある。
【0005】さらに、従来のボンディングパッドは、ボ
ンディングワイヤ5がボンディングされる第2アルミニ
ウム膜4の表面が平面であるため、ボンディングワイヤ
5との接着強度が弱いという問題もある。
ンディングワイヤ5がボンディングされる第2アルミニ
ウム膜4の表面が平面であるため、ボンディングワイヤ
5との接着強度が弱いという問題もある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
にボンディングワイヤと接続されるボンディングパッド
を有する半導体集積回路装置において、ボンディングパ
ッドは上位層と下位層の2層からなり、上位層は、ボン
ディングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円環状
の凸パターンを有し、その凸パターンの外周部までカバ
ー膜で覆われていることを特徴とする。
にボンディングワイヤと接続されるボンディングパッド
を有する半導体集積回路装置において、ボンディングパ
ッドは上位層と下位層の2層からなり、上位層は、ボン
ディングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円環状
の凸パターンを有し、その凸パターンの外周部までカバ
ー膜で覆われていることを特徴とする。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の2層アルミニウムの半導体集積回路
装置についての第1の実施例を示す図で、図1(a)は
図1(b)のA−A線断面図、図1(b)はその平面図
である。これらの図において、6は半導体基板であり、
この上に図外の素子に接続される第1アルミニウム膜1
の一部を配設する。そして、この上に層間膜2を形成
し、かつその一部を開口することにより第1アルミニウ
ム膜1を露呈する。更に、従来のものより厚く第2アル
ミニウム膜4を形成させ、その後エッチングを行なうこ
とによりボンディングワイヤの接着領域よりも狭い範囲
に円環状の凸パターンを形成する。その上で、この第2
アルミニウム膜上の凸パターンの外周部までカバー膜3
で被覆することでボンディングパッドが形成される。
る。図1は本発明の2層アルミニウムの半導体集積回路
装置についての第1の実施例を示す図で、図1(a)は
図1(b)のA−A線断面図、図1(b)はその平面図
である。これらの図において、6は半導体基板であり、
この上に図外の素子に接続される第1アルミニウム膜1
の一部を配設する。そして、この上に層間膜2を形成
し、かつその一部を開口することにより第1アルミニウ
ム膜1を露呈する。更に、従来のものより厚く第2アル
ミニウム膜4を形成させ、その後エッチングを行なうこ
とによりボンディングワイヤの接着領域よりも狭い範囲
に円環状の凸パターンを形成する。その上で、この第2
アルミニウム膜上の凸パターンの外周部までカバー膜3
で被覆することでボンディングパッドが形成される。
【0008】このように構成されるボンディングパッド
にボンディングワイヤ5を熱圧着等により接続すると、
ボンディングワイヤ5は、第2アルミニウム膜4を完全
に覆うことになる。このため外部から半導体装置のパッ
ケージ内に浸入した水分等によって第2アルミニウム膜
4等の腐食が防止され、半導体装置の耐湿性が著しく向
上する。また、ボンディングワイヤ5がボンディングさ
れる際に、第2アルミニウム膜4に食い込むようにボン
ディングされるため、ボンディングパッドに対するボン
ディングワイヤ5の接着強度が非常に大きくなる。
にボンディングワイヤ5を熱圧着等により接続すると、
ボンディングワイヤ5は、第2アルミニウム膜4を完全
に覆うことになる。このため外部から半導体装置のパッ
ケージ内に浸入した水分等によって第2アルミニウム膜
4等の腐食が防止され、半導体装置の耐湿性が著しく向
上する。また、ボンディングワイヤ5がボンディングさ
れる際に、第2アルミニウム膜4に食い込むようにボン
ディングされるため、ボンディングパッドに対するボン
ディングワイヤ5の接着強度が非常に大きくなる。
【0009】図2は本発明の第2の実施例の平面図であ
る。この第2の実施例では、第2アルミニウム膜4の凸
パターンを円環状ではなく正方形または長方形で形成し
ている。この実施例においても第2アルミニウム膜4を
ボンディングワイヤ8の接着領域よりも狭い範囲に限定
していることで、半導体装置の耐湿性の向上とボンディ
ングワイヤ5の接着強度の向上とともに、凸パターンが
正方形あるいは長方形であるので設計段階においてデー
タ数を少なくすることができる。
る。この第2の実施例では、第2アルミニウム膜4の凸
パターンを円環状ではなく正方形または長方形で形成し
ている。この実施例においても第2アルミニウム膜4を
ボンディングワイヤ8の接着領域よりも狭い範囲に限定
していることで、半導体装置の耐湿性の向上とボンディ
ングワイヤ5の接着強度の向上とともに、凸パターンが
正方形あるいは長方形であるので設計段階においてデー
タ数を少なくすることができる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングワイヤとボンディングパッドが実際に接着するボン
ディングパッドの最上位層において、最上位層とボンデ
ィングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円状の凸
パターンを形成し、その凸パターンの外周部までカバー
膜で覆うことにより、ボンディング後にボンディングパ
ッドの露出部分、ボンディングパッドとカバー膜の境界
部分がなくなるため、耐湿性が著しく向上するという効
果がある。また、ボンディングパッドがボンディングワ
イヤに食い込むように接続されるため、その接着強度が
向上するという効果がある。
ングワイヤとボンディングパッドが実際に接着するボン
ディングパッドの最上位層において、最上位層とボンデ
ィングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円状の凸
パターンを形成し、その凸パターンの外周部までカバー
膜で覆うことにより、ボンディング後にボンディングパ
ッドの露出部分、ボンディングパッドとカバー膜の境界
部分がなくなるため、耐湿性が著しく向上するという効
果がある。また、ボンディングパッドがボンディングワ
イヤに食い込むように接続されるため、その接着強度が
向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b)は本発明の第1の実施例の縦断
面図と平面図である。
面図と平面図である。
【図2】本発明の第2の実施例の平面図である。
【図3】(a),(b)は従来例の縦断面図と平面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 1 第1アルニニウム膜 2 層間膜 3 カバー膜 4 第2アルミニウム膜 5 ボンディングワイヤ 6 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上にボンディングワイヤと接
続されるボンディングパッドを有する半導体集積回路装
置において、ボンディングパッドは下位層と上位層の2
層から成り、上位層がボンディングワイヤとの接着領域
よりも小さい範囲に円環状の凸パターンを有し、その凸
パターンの外周部までカバー膜で覆われていることを特
徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4217581A JPH0669270A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4217581A JPH0669270A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669270A true JPH0669270A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16706528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4217581A Pending JPH0669270A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669270A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7176576B2 (en) * | 2000-03-03 | 2007-02-13 | Micron Technology, Inc. | Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby |
US7982254B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-07-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1992
- 1992-08-17 JP JP4217581A patent/JPH0669270A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7176576B2 (en) * | 2000-03-03 | 2007-02-13 | Micron Technology, Inc. | Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby |
US7220663B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby |
US7329607B2 (en) | 2000-03-03 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby |
US7982254B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-07-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980811 |