JPH0669270A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0669270A
JPH0669270A JP4217581A JP21758192A JPH0669270A JP H0669270 A JPH0669270 A JP H0669270A JP 4217581 A JP4217581 A JP 4217581A JP 21758192 A JP21758192 A JP 21758192A JP H0669270 A JPH0669270 A JP H0669270A
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bonding
film
wire
bonding pad
aluminum film
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Tadashi Fukui
正 福井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ボンディングパッドの水分などによる腐食を防
ぎ、同時にボンディングワイヤの接着強度を向上させ
る。 【構成】第２アルミニウム膜（ボンディングパッド）
４、第２アルミニウム膜４とカバー膜３との境界部分が
ボンディングワイヤ５に完全に覆われることにより、耐
湿性を向上させ、また、ボンディングワイヤ５がボンデ
ィングされる際に、第２アルミニウム膜４に食い込むよ
うにボンディングされるため、ボンディングワイヤ５と
第２アルミニウム膜４との接着強度が大きくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にボールボンディングされるボンディングパッ
ド部の形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置、特にボール
ボンィングされるボンディングパッドは、アルミニウム
等の金属により表面が平坦な正方形あるいは長方形に形
成され、この上にボール状の先端を持った金線等のボン
ディングワイヤがボンディングされるようになってい
る。
【０００３】従来のこの種のボンディングパッドの例を
図３（ａ），（ｂ）に示す。図３（ａ）は図３（ｂ）の
Ｂ−Ｂ線断面図、図３（ａ）は平面図である。これらの
図において、６は半導体基板であり、この上に第１アル
ミニウム膜１の一部を配設する。そして、この上に層間
膜２を形成しかつその一部を開口して第１アルミニウム
膜１を露出させ、更に第２アルミニウム膜４を正方形ま
たは長方形に形成する。その上で、この第２アルミニウ
ム膜４上の外周付近をカバー膜３で被覆することでボン
ディングパッドが形成される。このボンディングパッド
に対しては、先端をボール状にした金線等からなるボン
ディングワイヤ５を熱圧着等により接続している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボンディン
グパッドの構造では、実際にボンディングされる第２ア
ルミニウム膜４の表面積よりもボンディングワイヤ５の
接着領域の方が小さく、必ず第２アルミニウム膜４の露
出部分が存在するため、半導体装置のパッケージ内に浸
入した水分等によって第２アルミニウム膜４、さらに第
１アルミニウム膜１が露出部分から腐食され、半導体装
置の耐湿性が劣化するという問題がある。
【０００５】さらに、従来のボンディングパッドは、ボ
ンディングワイヤ５がボンディングされる第２アルミニ
ウム膜４の表面が平面であるため、ボンディングワイヤ
５との接着強度が弱いという問題もある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
にボンディングワイヤと接続されるボンディングパッド
を有する半導体集積回路装置において、ボンディングパ
ッドは上位層と下位層の２層からなり、上位層は、ボン
ディングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円環状
の凸パターンを有し、その凸パターンの外周部までカバ
ー膜で覆われていることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の２層アルミニウムの半導体集積回路
装置についての第１の実施例を示す図で、図１（ａ）は
図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｂ）はその平面図
である。これらの図において、６は半導体基板であり、
この上に図外の素子に接続される第１アルミニウム膜１
の一部を配設する。そして、この上に層間膜２を形成
し、かつその一部を開口することにより第１アルミニウ
ム膜１を露呈する。更に、従来のものより厚く第２アル
ミニウム膜４を形成させ、その後エッチングを行なうこ
とによりボンディングワイヤの接着領域よりも狭い範囲
に円環状の凸パターンを形成する。その上で、この第２
アルミニウム膜上の凸パターンの外周部までカバー膜３
で被覆することでボンディングパッドが形成される。
【０００８】このように構成されるボンディングパッド
にボンディングワイヤ５を熱圧着等により接続すると、
ボンディングワイヤ５は、第２アルミニウム膜４を完全
に覆うことになる。このため外部から半導体装置のパッ
ケージ内に浸入した水分等によって第２アルミニウム膜
４等の腐食が防止され、半導体装置の耐湿性が著しく向
上する。また、ボンディングワイヤ５がボンディングさ
れる際に、第２アルミニウム膜４に食い込むようにボン
ディングされるため、ボンディングパッドに対するボン
ディングワイヤ５の接着強度が非常に大きくなる。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。この第２の実施例では、第２アルミニウム膜４の凸
パターンを円環状ではなく正方形または長方形で形成し
ている。この実施例においても第２アルミニウム膜４を
ボンディングワイヤ８の接着領域よりも狭い範囲に限定
していることで、半導体装置の耐湿性の向上とボンディ
ングワイヤ５の接着強度の向上とともに、凸パターンが
正方形あるいは長方形であるので設計段階においてデー
タ数を少なくすることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングワイヤとボンディングパッドが実際に接着するボン
ディングパッドの最上位層において、最上位層とボンデ
ィングワイヤとの接着領域よりも小さい範囲に円状の凸
パターンを形成し、その凸パターンの外周部までカバー
膜で覆うことにより、ボンディング後にボンディングパ
ッドの露出部分、ボンディングパッドとカバー膜の境界
部分がなくなるため、耐湿性が著しく向上するという効
果がある。また、ボンディングパッドがボンディングワ
イヤに食い込むように接続されるため、その接着強度が
向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の縦断
面図と平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は従来例の縦断面図と平面図で
ある。
【符号の説明】 １ 第１アルニニウム膜 ２ 層間膜 ３ カバー膜 ４ 第２アルミニウム膜 ５ ボンディングワイヤ ６ 半導体基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上にボンディングワイヤと接
    続されるボンディングパッドを有する半導体集積回路装
    置において、ボンディングパッドは下位層と上位層の２
    層から成り、上位層がボンディングワイヤとの接着領域
    よりも小さい範囲に円環状の凸パターンを有し、その凸
    パターンの外周部までカバー膜で覆われていることを特
    徴とする半導体集積回路装置。
JP4217581A 1992-08-17 1992-08-17 半導体集積回路装置 Pending JPH0669270A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7176576B2 (en) * 2000-03-03 2007-02-13 Micron Technology, Inc. Conductive connection forming methods, oxidation reducing methods, and integrated circuits formed thereby
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Effective date: 19980811