JPH0668839A - プラズマ装置における高周波給電装置 - Google Patents

プラズマ装置における高周波給電装置

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JPH0668839A
JPH0668839A JP4237786A JP23778692A JPH0668839A JP H0668839 A JPH0668839 A JP H0668839A JP 4237786 A JP4237786 A JP 4237786A JP 23778692 A JP23778692 A JP 23778692A JP H0668839 A JPH0668839 A JP H0668839A
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JP
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power supply
high frequency
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hollow tube
plasma
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JP4237786A
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Yoichi Deguchi
洋一 出口
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 [目的]プラズマを発生させるための高周波を高周波電
源より効率良くプラズマ装置に給電し、消費電力の節約
化と加工精度の向上を実現する。 [構成]真空容器からなる処理室10内に、平行平板型
の上部電極12および下部電極14が所定の間隔を置い
て平行に配置される。下部電極14には、高周波電源1
6より通常13.56MHzの高周波電圧がマッチング
・ボックス18および給電管20を介して印加される。
給電管20は、銀、銅、金、アルミニウムまたはそれら
の化合物からなる中空管、あるいはそれらの導電材をメ
ッキ等で被覆してなる中空管で構成される。給電管20
の管内には、被処理体Wを静電吸着するための静電チャ
ックシート36に直流電圧を給電するための電気ケーブ
ル40が通されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ装置において
プラズマ発生用の高周波電圧を給電するための装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、アッシ
ング、エッチング、CVD、スパッタリング等の工程で
は、処理ガスのイオン化や化学反応等を促進するため
に、プラズマが利用されている。プラズマを用いて上記
の工程処理を行うプラズマ装置には、円筒型石英反応管
の周囲に電極をコイル状に巻いてこのコイル状電極に高
周波を印加する誘導型と、石英反応管の周囲に板状の電
極を固定してこの板状電極に高周波を印加する容量型
と、処理(反応)室内に一対の平行平板型電極を配置し
て一方の電極を接地し他方の電極に高周波を印加する平
行平板型とがある。
【0003】図9に、従来の平行平板型プラズマ装置の
構成を概略的に示す。真空容器からなる処理室100内
に、平行平板型の上部電極102および下部電極104
が所定の間隔を置いて平行に配置される。上部電極10
2は接地され、下部電極104には高周波電源106よ
り通常13.56MHzの高周波電圧が整合回路108
および給電棒110を介して下部電極104に供給され
る。下部電極104は載置台を兼ねており、その上に被
処理体としてたとえば半導体ウエハWが載置される。処
理室100には、室内に処理ガスを導くための処理ガス
供給管112、および室内を排気するための排気管11
4、被処理体Wを搬入・搬出するためのゲートバルブ1
16等も設けられている。
【0004】整合回路108は、反射損(電力損失)を
最も少なくするよう高周波電源106側の出力インピー
ダンスにプラズマ装置側の入力インピーダンスを合わせ
るためのLC回路である。プラズマ装置側の入力インピ
ーダンスは処理条件等の変更に応じて変わりやすいた
め、整合回路108には可変リアクトルLv および/ま
たは可変キャパシタ(バリコン)Cv が設けられ、これ
らの可変リアクタンスが可変調整されることで、チュー
ニングが行われるようになっている。一般に、この種の
整合回路は、マッチング・ボックス等と称される箱状ケ
ースに収められている。
【0005】図10は、従来の高周波給電装置における
給電棒110とマッチング・ボックスとの接続構造を示
す。マッチング・ボックス118の中には、図9の整合
回路108の外に、可変リアクトルLv 、可変キャパシ
タCv の可変調整を行うための制御回路や駆動モータ等
の駆動機構が収容されている。マッチング・ボックス1
18の入力端子118aは同軸ケーブル120を介して
高周波電源106に接続される。マッチング・ボックス
118の出力端子118bは給電棒110に対応した棒
体で構成され、その棒体118bの上端斜面が給電棒1
10の下端斜面に合わせられ、ボルト122によって締
結される。給電棒110はニッケルメッキでコーティン
グされたアルミニウム棒であり、マッチング・ボックス
118の出力端子棒118bも同じくニッケルメッキで
コーティングされたアルミニウム棒である。マッチング
・ボックス118内には機械的なチューニング機構が入
っているため、各部が故障することがあり、その修理・
調整を行うためにマッチング・ボックス118は着脱可
能式に高周波電源106と給電棒111との間に接続さ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の高周波給電装置においては、マッチング
・ボックス118でせっかくチューニングしても、給電
棒110でかなりの電力損失が生じるために、設定通り
の電力がプラズマ装置に供給されなかった。たとえば、
高周波電源106の出力電力を1000Wに設定した場
合、約20Wの電力が給電棒110で損われ、プラズマ
装置側には約980Wの電力しか供給されないことがあ
った。このような高周波電力の損失は、電力消費の観点
から好ましくないばかりか、処理室100内のプラズマ
発生量ないし密度にも誤差をもたらし、ひいては微細加
工の精度に影響するという不具合があった。
【0007】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、プラズマを発生させるための高周波を高周波電
源より効率良くプラズマ装置に給電し、消費電力の節約
化と加工精度の向上をはかる高周波給電装置を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第1の高周波給電装置は、プラズマ装置
の処理容器内にプラズマを発生させるための高周波電圧
を高周波電源より給電手段を介して所定の電極に供給す
るようにした高周波給電装置において、前記給電手段を
銀、銅、金、アルミニウムまたはそれらの化合物からな
る中空管で構成することとした。
【0009】本発明の第2の高周波給電装置は、プラズ
マ装置の処理容器内にプラズマを発生させるための高周
波電圧を高周波電源より給電手段を介して所定の電極に
供給するようにした高周波給電装置において、前記給電
手段を中空管で構成し、前記中空管の表面を銀、銅、
金、アルミニウムまたはそれらの化合物で被覆してなる
構成とした。
【0010】また、処理室内に被処理体を静電力で吸着
するための静電チャックシートを設けた場合は、該静電
チャックシートに対して直流電源より所定の直流電圧を
供給するための電気ケーブルを前記中空管内に通す構成
とした。
【0011】
【作用】銀、銅、金、アルミニウムの各導電材は、高周
波に対する抵抗値がニッケル、ステンレス等のそれと比
較して格段に低い。また、材質が同じでも、中空管と丸
棒とでは、前者の高周波抵抗値は後者のそれよりも半分
以下である。本発明においては、銀、銅、金、アルミニ
ウムまたはそれらの化合物からなる中空管、あるいはそ
れらの導電材をメッキ等で被覆してなる中空管によって
給電手段を構成するので、従来のニッケルメッキの給電
棒と比較して電力損失を大幅に低減することができ、ほ
ぼ設定値通りの電力で高周波を電極に供給することがで
きる。
【0012】さらに、本発明では、静電チャックシート
に直流電圧を給電するための電気ケーブルを給電管の管
内に通すことで、電気ケーブルの配線取付が簡単にな
り、たとえば真空処理室の壁面において電気ケーブルに
対する特別のシーリングを不要とすることができる。
【0013】
【実施例】以下、図1〜図8を参照して本発明の実施例
を説明する。図1は、本発明の一実施例によるプラズマ
エッチング装置の構成を示す。真空容器からなる処理室
10内には、平行平板型の上部電極12および下部電極
14が所定の間隔を置いて平行に配置される。上部電極
12は、処理室10の天井板10aに支持され、電気的
には接地されている。下部電極14には、高周波電源1
6より通常13.56MHzの高周波電圧がマッチング
・ボックス18および給電管20を介して印加される。
下部電極14は、載置台を兼ねており、その上に被処理
体としてたとえば半導体ウエハWが載置される。
【0014】このプラズマエッチング装置はマグネトロ
ン放電型であり、上部電極12の裏側には、半導体ウエ
ハWに対して平行な磁界を形成するための永久磁石24
a,24bを取付したマグネット・アッセンブリ24が
配設されている。処理室10の上面に取付された駆動モ
ータ26の駆動により回転軸28を介してマグネット・
アッセンブリ24が回転移動することで、上部および下
部電極12,14間に浮遊しているプラズマが回転磁界
に同期して半導体ウエハWの上で回転移動するようにな
っている。処理室10には、室内にエッチングガスを導
くための処理ガス供給管30、および室内より排気ガス
を排出ための排気管32、半導体ウエハWを搬入・搬出
するためのゲートバルブ34等が設けられている。
【0015】載置台を兼ねる下部電極14の上面には、
半導体ウエハWを静電力で吸着保持するための静電チャ
ックシート36が被せられている。この静電チャックシ
ート36は、たとえば2枚のポリイミド樹脂フィルムの
間に薄い導電板を封入してなるもので、該導電板には所
定の直流電圧が供給される。本実施例において、静電チ
ャックシート36に対する直流給電は、直流電源38よ
りマッチング・ボックス18、給電管20の管内および
下部電極(載置台)14の貫通孔14a内を通って設け
られた電気ケーブル40を介して行われる。
【0016】マッチング・ボックス18の中には、図9
に示すものと同様の整合回路が収容される外、その可変
リアクトルLv 、可変キャパシタCv の可変調整を行う
ための制御回路や駆動モータ等の駆動機構等も収容され
ている。マッチング・ボックス18の第1の入力端子1
8aは同軸ケーブル42を介して高周波電源16に接続
され、第2の入力端子18bは電気ケーブル40および
LC回路44を介して直流電源38に接続されている。
【0017】図2〜図4は、マッチング・ボックス18
と給電管20との接続構造を示す。図4に示すように、
マッチング・ボックス18の出力端子18cは、給電管
20と同径の中空管からなり、その上端部の外周面には
ネジ18dが切られている。一方、給電管20の下端部
の内周面にもネジ20aが切られている。給電管20の
ネジ20aに出力端子18cのネジ18dを螺合させる
ことで、マッチング・ボックス18を着脱可能に取付す
ることができる。
【0018】図2に示すように、マッチング・ボックス
18の出力端子18cの基端部外周面にはネジ18eが
形成されている。このネジ部18eにコイル管42の扁
平先端部42aの開口42b(図3参照)を外嵌し、平
ワッシャ44,46を介してナット48,50で両側か
ら扁平先端部42aを挟着するようにして、出力端子1
8cをコイル管42に物理的に固定すると同時に電気的
に接続する。さらに、マッチング・ボックス18の上板
に取付された絶縁リング52によって出力端子18cを
支持する。ナット48,50を緩めると、出力端子18
cが上下方向に移動可能となり、出力端子18cを給電
管20から外すことができる。なお、コイル管42は、
図9の整合回路108内の固定リアクトルL0 に対応す
るものである。
【0019】さて、本実施例における給電管20は、マ
ッチング・ボックス18からの高周波を処理容器10内
の下部電極14に供給するための給電手段であり、銀、
銅、金、アルミニウムまたはそれらの混合物もしくは化
合物からなる中空管、あるいはそれらの導電材をメッキ
等で被覆してなる中空管で構成される。これらの材質の
中で最も好ましいものは銀である。しかし、銀の中空管
は極めて高価なため、アルミニウムまたは銅の中空管を
使用し、その表面を銀で被覆したものが実用上好適であ
る。給電手段をこのような給電管20で構成すること
で、電力損失を大幅に低減させ、高周波電源16からの
高周波をほぼ設定値通りの電力で平行平板電極12,1
4間に供給することが可能である。したがって、電極間
のプラズマ発生量ないし密度を正確に制御し、ひいては
半導体ウエハWに対するエッチング加工の精度を正確に
制御することができる。
【0020】図5に、各種材料について中空管で構成し
た給電管の高周波抵抗と丸棒で構成した給電管の高周波
抵抗とを対比して示す。これらの各高周波抵抗値は、標
準の13.56MHzに対する値である。また、図5の
表には、各種材料について中空管および丸棒における高
周波抵抗(Rrf)と直流抵抗(Rdc)との比を対比して
示す。図6の表には、図5の表中の値に関係する各材料
の固有値を示す。いずれの値も温度が20゜Cのときの
値である。
【0021】図5に示すように、銀、銅、金、アルミニ
ウムの高周波抵抗値はニッケル、ステンレスのそれと比
較して格段に低く、約1/20〜1/90ほどである。
また中空管と丸棒とを比較すると、中空管の高周波抵抗
値は丸棒のそれよりも1/2以下である。本実施例にお
ける銀メッキのアルミニウム管と従来の給電装置で用い
られていたニッケルメッキのアルミニウム棒とを比較す
ると、前者の高周波抵抗値は後者のそれよりも約1/5
0ほどてある。
【0022】図6の表の下には各種計算式を示す。中空
管および丸棒の高周波抵抗はそれぞれ式(1),(2) で与え
られる。これらの式(1),(2) 中のRdcは式(3) で与えら
れる直流抵抗であり、δは式(4) で与えられる表皮の深
さである。式(1) 中のtは中空管の管(板)厚であり、
図5の表中の各値はt=1.2mmに選んだ場合の値で
ある。式(1),(3) 中のdは丸棒の直径で、図5の表中の
各値はd=12mmに選んだ場合の値である。式(3) 中
のδは体積固有抵抗であり、図6の表中に示されてい
る。なお、表皮の深さとは、図7に示すように、導体5
4の表面上の電流値(最大電流値)Io に対してIo /
e(e=2.718) の電流が流れる深さを意味する。表面
から表皮深さまでの領域で電流値のほぼ60%が流れ、
表皮深さの3倍までの領域では電流値のほぼ90%が流
れる。したがって、表面を銀、銅、金、アルミニウムま
たはそれらの混合物もしくは化合物からなる導電材で被
覆してなる中空管で給電管20を構成する場合は、被覆
の厚みを給電管20の表皮深さの3倍付近の厚みに選べ
ばよい。
【0023】このように、給電手段を銀、銅、金、アル
ミニウムまたはそれらの混合物もしくは化合物からなる
中空管、あるいはそれらの導電材をメッキ等で被覆して
なる中空管で構成することにより、給電手段の高周波抵
抗値を低くして電力損失を少なくすることができる。し
たがって、高周波電源16より設定通りの高周波電力を
平行平板電極12,14間に供給し、高精度な微細加工
を行うことができる。
【0024】さらに、本実施例では、静電チャックシー
ト36に直流電圧を給電するための電気ケーブル40を
給電管20の管内に通して引いているため、処理室10
の底面には給電管20に対する絶縁シール部材56を設
けるだけでよく、電気ケーブル40に対する特別のシー
リングは不要となっている。
【0025】図7は、マッチング・ボックス18の出力
端子18cと給電管20との接合部の変形例を示す。図
7の(A) に示す構成例は、図4の接合部において、出力
端子18cのネジ部18dの基端と給電管20のネジ部
20aの先端との突き合わせ部にたとえば銀箔のテープ
58を巻いたものである。上記のように、電流の殆どは
出力端子18cおよび給電管20の表皮部分を流れる。
したがって、突き合わせ部に隙間があるときは、そこに
銀箔テープ58を巻いて隙間を塞ぐことで、表皮部分を
実質的に連続させることができる。図7の(B) に示す構
成例は、マッチング・ボックス18の出力端子18cお
よび給電管20のそれぞれの接合端部を断面櫛歯状に形
成して互いに差し違いに突き合わせ、ボルト60および
ナット62で締結固定してなるものである。好ましく
は、ボルト60およびナット62に銀メッキを施すとよ
い。外にも、種々の変形例が可能であり、またマッチン
グ・ボックス18の出力端子18cを銀、銅等の丸棒で
構成することも可能である。
【0026】以上、平行平板型のプラズマエッチング装
置に係る一実施例について説明したが、本発明は、マグ
ネトロンプラズマエッチング装置にも適用可能であり、
さらには任意の電極構造を有するアッシング装置、CV
D装置、スパッタ装置等の他のプラズマ装置にも適用可
能である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波給
電装置によれば、高周波電源より電極に高周波を供給す
るための給電手段を、銀、銅、金、アルミニウムまたは
それらの化合物からなる中空管、あるいはそれらの導電
材をメッキ等で被覆してなる中空管によって構成するこ
とにより、給電に際しての電力損失を大幅に低減し、ほ
ぼ設定値通りの高周波電力を電極に供給することが可能
であり、消費電力の節約化だけでなく微細加工の精度向
上をはかることができる。また、処理室内に被処理体を
静電力で吸着するための静電チャックシートを設けた場
合は、該直流給電用の電気ケーブルを高周波給電用の中
空管内に通すことで、電気ケーブルの配線取付を簡単に
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による高周波給電装置を適用
したプラズマエッチング装置の構成を示す斜視図であ
る。
【図2】実施例におけるマッチング・ボックスの出力端
子を支持する構造を示す側面図である。
【図3】図2の出力端子支持構造におけるコイル管の開
口付扁平先端部の構成を示す斜視図である。
【図4】実施例におけるマッチング・ボックスの出力端
子と給電管との接合部を示す縦断面図である。
【図5】各種材料について中空管で構成した給電管の高
周波抵抗と丸棒で構成した給電管の高周波抵抗とを表に
して示す図である。
【図6】図5の表中の値に関係する各材料の固有値を表
にして示す図である。
【図7】図6に付記した計算式で用いる表皮の深さの意
味を説明するための図である。
【図8】マッチング・ボックスの出力端子と給電管との
接合部の変形例の構造を示す縦断面図である。
【図9】従来のプラズマ装置の構成を概略的に示す斜視
図である。
【図10】従来の高周波給電装置におけるマッチング・
ボックスの出力端子と給電棒との接合部の構造を示す側
面図である。
【符号の説明】
10 処理室 12 上部電極 14 下部電極 16 高周波電源 18 マッチング・ボックス 20 給電管 40 電気ケーブル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマ装置の処理容器内にプラズマを
    発生させるための高周波電圧を高周波電源より給電手段
    を介して所定の電極に供給するようにした高周波給電装
    置において、 前記給電手段を銀、銅、金、アルミニウムまたはそれら
    の化合物からなる中空管で構成したことを特徴とする高
    周波給電装置。
  2. 【請求項2】 プラズマ装置の処理容器内にプラズマを
    発生させるための高周波電圧を高周波電源より給電手段
    を介して所定の電極に供給するようにした高周波給電装
    置において、 前記給電手段を中空管で構成し、前記中空管の表面を
    銀、銅、金、アルミニウムまたはそれらの化合物で被覆
    してなることを特徴とする高周波給電装置。
  3. 【請求項3】 被処理体を静電力で吸着するための静電
    チャックシートに対して直流電源より所定の直流電圧を
    供給するための電気ケーブルを前記中空管内に通してな
    ることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波給
    電装置。
JP4237786A 1992-08-13 1992-08-13 プラズマ装置における高周波給電装置 Pending JPH0668839A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6150763A (en) * 1998-02-11 2000-11-21 Chuen-Horng Tsai Inductively-coupled high density plasma producing apparatus and plasma processing equipment provided with the same
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