JPH0668478B2 - イオンセンサの製造方法 - Google Patents
イオンセンサの製造方法Info
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- JPH0668478B2 JPH0668478B2 JP61120179A JP12017986A JPH0668478B2 JP H0668478 B2 JPH0668478 B2 JP H0668478B2 JP 61120179 A JP61120179 A JP 61120179A JP 12017986 A JP12017986 A JP 12017986A JP H0668478 B2 JPH0668478 B2 JP H0668478B2
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Description
【発明の詳細な説明】 I.発明の背景 ［技術分野］ この発明は目的とするイオンを選択的に透過させるイオ
ンキヤリヤ膜を用いたイオンセンサの製造方法に関す
る。
ンキヤリヤ膜を用いたイオンセンサの製造方法に関す
る。
［先行技術］ 試料液中の特定イオン濃度を測定する方法として炎光分
析によるスペクトル法が知られているが、その方法は装
置が大型化し、診断現場での使用に適さず、かつ測定時
間が長くかかるなどの欠点がある。
析によるスペクトル法が知られているが、その方法は装
置が大型化し、診断現場での使用に適さず、かつ測定時
間が長くかかるなどの欠点がある。
この欠点を回避するイオンセンサとしてバリノマイシン
を担持させた高分子膜を用い、内部液室を設けた液膜電
極が知られている。しかし、内部液室を有するため、装
置を微小化することが困難であり、かつ液漏れ、汚染な
どの問題もあり、必ずしも好ましものではない。
を担持させた高分子膜を用い、内部液室を設けた液膜電
極が知られている。しかし、内部液室を有するため、装
置を微小化することが困難であり、かつ液漏れ、汚染な
どの問題もあり、必ずしも好ましものではない。
そこで、従来のバリノマイシン担持高分子膜を用い、内
部液室を設けた液膜電極からなるイオンセンサの欠点を
除外し、これに代わるものとして、イオン感応基体に直
接、イオンキヤリヤ膜を被覆したイオンセンサが提案さ
れている。しかし、このようにイオン感応基体に着接、
イオンキヤリヤ膜を所望の厚みで均一に被覆することは
容易ではない。例えば、この場合、一般的な手段とし
て、浸漬塗付法が考えられるが、その場合、浸漬用溶液
の粘度、浸漬引き上げ速度あるいは乾燥条件の調整が困
難であり、膜厚にばらつきが生じ易い。さらに工程的に
面倒で長時間を要するなどの問題もある。
部液室を設けた液膜電極からなるイオンセンサの欠点を
除外し、これに代わるものとして、イオン感応基体に直
接、イオンキヤリヤ膜を被覆したイオンセンサが提案さ
れている。しかし、このようにイオン感応基体に着接、
イオンキヤリヤ膜を所望の厚みで均一に被覆することは
容易ではない。例えば、この場合、一般的な手段とし
て、浸漬塗付法が考えられるが、その場合、浸漬用溶液
の粘度、浸漬引き上げ速度あるいは乾燥条件の調整が困
難であり、膜厚にばらつきが生じ易い。さらに工程的に
面倒で長時間を要するなどの問題もある。
II.発明の目的 本発明は、応答速度が早く、かつ試料液中の共存イオン
の影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化を図
ることが可能なイオンセンサであつて、イオン感応基体
（内部電極）に任意の厚みのイオンキヤリヤ膜を簡単に
再現性良く被覆することができるイオンセンサの製造方
法を提供することを目的とする。
の影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化を図
ることが可能なイオンセンサであつて、イオン感応基体
（内部電極）に任意の厚みのイオンキヤリヤ膜を簡単に
再現性良く被覆することができるイオンセンサの製造方
法を提供することを目的とする。
又、イオンセンサの製造後に使用者がイオン感応基体
（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオンセンサの
製造方法を提供することを目的とする。
（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオンセンサの
製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のイオンセンサの製
造方法は、イオン感応電極を有するイオンセンサの製造
方法であって、該イオン感応電極の製造工程が、イオン
感応基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブの先端
に所定の厚みのスペーサを挿入した後、該イオン感応基
体を先端が該チユーブの先端より内方に引込んだ位置に
来るように挿入保持せしめ、前記スペーサを取り外すこ
とにより、イオンキヤリヤ膜の膜厚を決定する工程と、
その状態でイオンキヤリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチユーブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチユーブとの間に充填する工程と、この充填
されたゾル状イオンキヤリヤ膜組成物をゲル化させる工
程とを具備する。
造方法は、イオン感応電極を有するイオンセンサの製造
方法であって、該イオン感応電極の製造工程が、イオン
感応基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブの先端
に所定の厚みのスペーサを挿入した後、該イオン感応基
体を先端が該チユーブの先端より内方に引込んだ位置に
来るように挿入保持せしめ、前記スペーサを取り外すこ
とにより、イオンキヤリヤ膜の膜厚を決定する工程と、
その状態でイオンキヤリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチユーブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチユーブとの間に充填する工程と、この充填
されたゾル状イオンキヤリヤ膜組成物をゲル化させる工
程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チユーブがセラミツク、硬質プラスチツク、
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様；である。
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様；である。
又、本発明のイオンセンサの製造方法は、イオン感応電
極を有するイオンセンサの製造方法であって、該イオン
感応電極の製造工程が、イオン感応基体を該イオン感応
基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブ内に挿入保
持せしめ、該イオン感応基体を先端がチユーブの先端か
ら所望の距離だけ引っ込んだ位置に来るように切り取る
ことにより該イオン感応基体の先端と該チユーブの先端
との相対的位置関係を調整して、イオンキヤリヤ膜の膜
厚を決定する工程と、その状態でイオンキヤリヤ、電解
質およびペースト・レジンを含むゾル状イオンキヤリヤ
膜組成物を前記イオン感応基体先端とチユーブ先端との
間を含めて上記イオン感応基体とチユーブとの間に充填
する工程と、この充填されたゾル状イオンキヤリヤ膜組
成物をゲル化させる工程とを具備する。
極を有するイオンセンサの製造方法であって、該イオン
感応電極の製造工程が、イオン感応基体を該イオン感応
基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブ内に挿入保
持せしめ、該イオン感応基体を先端がチユーブの先端か
ら所望の距離だけ引っ込んだ位置に来るように切り取る
ことにより該イオン感応基体の先端と該チユーブの先端
との相対的位置関係を調整して、イオンキヤリヤ膜の膜
厚を決定する工程と、その状態でイオンキヤリヤ、電解
質およびペースト・レジンを含むゾル状イオンキヤリヤ
膜組成物を前記イオン感応基体先端とチユーブ先端との
間を含めて上記イオン感応基体とチユーブとの間に充填
する工程と、この充填されたゾル状イオンキヤリヤ膜組
成物をゲル化させる工程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チユーブがセラミツク、硬質プラスチツク、
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様； 又、本発明のイオンセンサの製造方法は、イオン感応電
極を有するイオンセンサの製造方法であって、該イオン
感応電極の製造工程が、イオン感応基体を、該イオン感
応基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブ内に、該
イオン感応基体を先端が該チユーブの先端より内方に引
込んだ位置に挿入保持せしめる工程と、その状態でイオ
ンキヤリヤ、電解質およびペースト・レジンを含むゾル
状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン感応基体先端と
チユーブ先端との間を含めて上記イオン感応基体とチユ
ーブとの間に充填する工程と、この充填されたゾル状イ
オンキヤリヤ膜組成物をゲル化させる工程と、前記チユ
ーブの先端を前記イオン感応基体先端と前記チユーブの
先端が所望の距離になるように切り取ることにより、前
記イオン感応基体先端のゲル状イオンキヤリヤ膜の膜厚
を決定する工程とを具備する。
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様； 又、本発明のイオンセンサの製造方法は、イオン感応電
極を有するイオンセンサの製造方法であって、該イオン
感応電極の製造工程が、イオン感応基体を、該イオン感
応基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブ内に、該
イオン感応基体を先端が該チユーブの先端より内方に引
込んだ位置に挿入保持せしめる工程と、その状態でイオ
ンキヤリヤ、電解質およびペースト・レジンを含むゾル
状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン感応基体先端と
チユーブ先端との間を含めて上記イオン感応基体とチユ
ーブとの間に充填する工程と、この充填されたゾル状イ
オンキヤリヤ膜組成物をゲル化させる工程と、前記チユ
ーブの先端を前記イオン感応基体先端と前記チユーブの
先端が所望の距離になるように切り取ることにより、前
記イオン感応基体先端のゲル状イオンキヤリヤ膜の膜厚
を決定する工程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チユーブがセラミツク、硬質プラスチツク、
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様；である。
および軟質プラスチツクから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキヤリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキヤリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシ、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選ば
れるものである態様； 第５にイオン感応基体が酸化還元膜被覆カーボン電極、
銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニツケル電
極、半導体電極などから選ばれるものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度80〜200℃でおこなうものである態様；である。
III.発明の具体的説明 第１図に示す如く、底面（イオン感応部）11を除いて、
表面に絶縁塗料12を塗布した直径1mmの白金線からなる
イオン感応基体13を予め用意し、これを内径1.5mm、長
さ50mmのチユーブ（たとえばテフロンチユーブ）14内に
所望の位置関係を以って保持させる。なお、イオン感応
基体13の上端にはリード線（たとえば銅線）15が導電性
接着剤（または半田）16を介して固着されている。
表面に絶縁塗料12を塗布した直径1mmの白金線からなる
イオン感応基体13を予め用意し、これを内径1.5mm、長
さ50mmのチユーブ（たとえばテフロンチユーブ）14内に
所望の位置関係を以って保持させる。なお、イオン感応
基体13の上端にはリード線（たとえば銅線）15が導電性
接着剤（または半田）16を介して固着されている。
次に、このような位置関係を保持した状態でゾル状のイ
オンキヤリヤ組成物17をチユーブ14の下部とイオン感応
基体13の下部との間の空隙に注入、充填する。ついで加
熱下たとえば80〜200℃でイオンキヤリヤ組成物をゲル
化させる。
オンキヤリヤ組成物17をチユーブ14の下部とイオン感応
基体13の下部との間の空隙に注入、充填する。ついで加
熱下たとえば80〜200℃でイオンキヤリヤ組成物をゲル
化させる。
次に必要に応じ、イオン感応基体13の上部とチユーブ14
の上部との間隙に絶縁性接着剤18を充填し硬化させてイ
オンセンサが作製される。
の上部との間隙に絶縁性接着剤18を充填し硬化させてイ
オンセンサが作製される。
この方法によれば、イオン感応基体13の底面（感応部）
11上の膜厚“D"はチユーブ14の開口端とイオン感応基体
13の底面とのずれ距離“d"を任意に調節することで一定
に制御することができる。又、イオン感応基体13側面の
水平方向の膜厚“L"はチユーブ14の内径とイオン感応基
体13の外径との差“l"を任意に調節することにより一定
に制御することができる。
11上の膜厚“D"はチユーブ14の開口端とイオン感応基体
13の底面とのずれ距離“d"を任意に調節することで一定
に制御することができる。又、イオン感応基体13側面の
水平方向の膜厚“L"はチユーブ14の内径とイオン感応基
体13の外径との差“l"を任意に調節することにより一定
に制御することができる。
なお、上記チユーブ14の材質は用途に応じ無機のもの、
たとえばセラミツク、あるいは有機質のもの、たとえば
硬質プラスチツク、軟質プラスチツク等を適宜選択する
ことができる。イオンキヤリヤ膜組成物としてはイオン
キヤリヤ、電解質およびこれらを分散、担持し得るペー
スト・レジンを含むものを任意に選択し得る。又、可塑
材その他の添加剤を発明の目的を損わない限り含めるこ
ともできる。上記ペースト・レジンは経時変化が少な
く、非発泡性のものが好ましい。上記イオンキヤリヤは
測定すべきイオンの種類に応じ適宜選択し得る。たとえ
ばテトラドデシルアミン、バリノマイシン、クラウン化
合物、リン酸エステル等を用いることができる。
たとえばセラミツク、あるいは有機質のもの、たとえば
硬質プラスチツク、軟質プラスチツク等を適宜選択する
ことができる。イオンキヤリヤ膜組成物としてはイオン
キヤリヤ、電解質およびこれらを分散、担持し得るペー
スト・レジンを含むものを任意に選択し得る。又、可塑
材その他の添加剤を発明の目的を損わない限り含めるこ
ともできる。上記ペースト・レジンは経時変化が少な
く、非発泡性のものが好ましい。上記イオンキヤリヤは
測定すべきイオンの種類に応じ適宜選択し得る。たとえ
ばテトラドデシルアミン、バリノマイシン、クラウン化
合物、リン酸エステル等を用いることができる。
イオン感応基体13としては特に制限はなく、酸化還元膜
被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、
パラジウム電極、銅電極、ニツケル電極、半導体電極な
ど適宜選択することができる。イオン感応基体13の感応
部17の膜厚“D"は一般には50μｍないし3mmの範囲で適
宜選択される。
被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、
パラジウム電極、銅電極、ニツケル電極、半導体電極な
ど適宜選択することができる。イオン感応基体13の感応
部17の膜厚“D"は一般には50μｍないし3mmの範囲で適
宜選択される。
第３図（ａ）〜（ｃ）に第１例のイオンセンサの製造方
法説明図を示す。第４図（ａ），（ｂ）の第１例のイオ
ンセンサの製造方法のフローチヤートに従って、具体的
に第１例の製造方法を説明する。
法説明図を示す。第４図（ａ），（ｂ）の第１例のイオ
ンセンサの製造方法のフローチヤートに従って、具体的
に第１例の製造方法を説明する。
まずステツプS41で第３図（ａ）の左図に示すように、
感応部17の膜厚“D"の厚みを持つたスペーサ19を絶縁チ
ユーブ14にセツトする。尚、スペーサ19の中央部にはイ
オン感応基体13を容易にセツト出来るように窪が作られ
ている。ステツプS42で第３図（ａ）の中央図に示すよ
うに、イオン感応基体13をチユーブ14に挿入セツトす
る。ステツプS43−44で第３図（ａ）の右図のように、
イオン感応基体13を絶縁性接着剤18でチユーブ14に固定
する。次に、ステツプS45で第３図（ｂ）の左図のよう
に絶縁チユーブ14の先端を上にして、ステツプS46で第
３図（ｂ）の右図のようにゾル状イオンキヤリヤ膜組成
物17aをチユーブ14の先端部に充填する。ステツプS47−
48で第３図（ｃ）に示すように、80〜200℃で加熱し、
ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物17aをゲル状イオンキヤ
リヤ膜組成物17bに変えて、イオンセンサ20の製造が完
了する。
感応部17の膜厚“D"の厚みを持つたスペーサ19を絶縁チ
ユーブ14にセツトする。尚、スペーサ19の中央部にはイ
オン感応基体13を容易にセツト出来るように窪が作られ
ている。ステツプS42で第３図（ａ）の中央図に示すよ
うに、イオン感応基体13をチユーブ14に挿入セツトす
る。ステツプS43−44で第３図（ａ）の右図のように、
イオン感応基体13を絶縁性接着剤18でチユーブ14に固定
する。次に、ステツプS45で第３図（ｂ）の左図のよう
に絶縁チユーブ14の先端を上にして、ステツプS46で第
３図（ｂ）の右図のようにゾル状イオンキヤリヤ膜組成
物17aをチユーブ14の先端部に充填する。ステツプS47−
48で第３図（ｃ）に示すように、80〜200℃で加熱し、
ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物17aをゲル状イオンキヤ
リヤ膜組成物17bに変えて、イオンセンサ20の製造が完
了する。
第５図に第２例のイオンセンサの製造方法説明図を示
す。尚、第５図には第３図（ａ）〜（ｃ）と共通する工
程は図示されていない。第６図（ａ），（ｂ）の第２例
のイオンセンサの製造方法のフローチヤートに従つて、
具体的に第２例の製造方法を説明する。
す。尚、第５図には第３図（ａ）〜（ｃ）と共通する工
程は図示されていない。第６図（ａ），（ｂ）の第２例
のイオンセンサの製造方法のフローチヤートに従つて、
具体的に第２例の製造方法を説明する。
まずステツプS61で、イオン感応基体13を充分な距離
“X"だけチユーブ14から引込めて、チユーブ14に挿入セ
ツトする。ステツプS62−63で、イオン感応基体13を絶
縁性接着剤18でチユーブ14に固定する。次に、ステツプ
S64でチユーブ14の先端を上にして、ステツプS65でゾル
状イオンキヤリヤ膜組成物17aをチユーブ14の先端部に
充填する。ステツプS66−67では80〜200℃で加熱し、ゾ
ル状イオンキヤリヤ膜組成物17aをゲル状イオンキヤリ
ヤ膜組成物17bに変える。最後に、ステツプS68で第５図
に示すように、チユーブ14の先端を感応部17の膜厚が
“D"の厚みを持つように切り取つて、イオンセンサ20の
製造が完了する。
“X"だけチユーブ14から引込めて、チユーブ14に挿入セ
ツトする。ステツプS62−63で、イオン感応基体13を絶
縁性接着剤18でチユーブ14に固定する。次に、ステツプ
S64でチユーブ14の先端を上にして、ステツプS65でゾル
状イオンキヤリヤ膜組成物17aをチユーブ14の先端部に
充填する。ステツプS66−67では80〜200℃で加熱し、ゾ
ル状イオンキヤリヤ膜組成物17aをゲル状イオンキヤリ
ヤ膜組成物17bに変える。最後に、ステツプS68で第５図
に示すように、チユーブ14の先端を感応部17の膜厚が
“D"の厚みを持つように切り取つて、イオンセンサ20の
製造が完了する。
尚、第２例の製造方法において、チユーブ14の先端の切
り取りは、ステツプS63のイオン感応基体13を絶縁性接
着剤18でチユーブ14に固定した直後に行つてもよい。
又、イオン感応基体13をチユーブ14に挿入セツトする手
法は本例に限らない。
り取りは、ステツプS63のイオン感応基体13を絶縁性接
着剤18でチユーブ14に固定した直後に行つてもよい。
又、イオン感応基体13をチユーブ14に挿入セツトする手
法は本例に限らない。
この発明のイオンセンサの製造方法によれば、イオン感
応基体にイオンキヤリヤ膜を被覆する方法として、チユ
ーブを用い、これにイオン感応基体を挿入し、その位置
関係を任意に調節するとともに、プラスチゾル状イオン
キヤリヤ膜組成物をその間隙に充填し、ゲル化するよう
にしたから被膜工程が簡素化され、処理時間の短縮が図
れるとともに、膜厚の制御が容易となり一定厚のイオン
キヤリヤ膜を再現性よく形成することができる。また、
任意の形状の内部電極のイオンセンサを製造する場合に
も極めて有利となる。更に、イオンキヤリア膜の膜厚を
使用者が自由に決定できる方法をも示した。
応基体にイオンキヤリヤ膜を被覆する方法として、チユ
ーブを用い、これにイオン感応基体を挿入し、その位置
関係を任意に調節するとともに、プラスチゾル状イオン
キヤリヤ膜組成物をその間隙に充填し、ゲル化するよう
にしたから被膜工程が簡素化され、処理時間の短縮が図
れるとともに、膜厚の制御が容易となり一定厚のイオン
キヤリヤ膜を再現性よく形成することができる。また、
任意の形状の内部電極のイオンセンサを製造する場合に
も極めて有利となる。更に、イオンキヤリア膜の膜厚を
使用者が自由に決定できる方法をも示した。
次に、本発明によるイオンセンサの具体例を数例挙げ
る。
る。
（実施例１） 第１図は本発明の一実施例に係わるイオンセンサを示す
ものであつて、図中13は周面に絶縁塗料12をコートした
直径1mmの白金線からなるイオン感応基体である。この
イオン感応基体13のチユーブ開口部側の下端面11（イオ
ン感応部位）には２〜3mmの厚みを持つて、又、下部周
面には1mmの厚みを持つてイオンキヤリヤ膜17が直接被
覆されている。さらにイオンキヤリヤ膜17の外表面には
下面を除き、周面にチユーブ、たとえばテフロンチユー
ブ14（内径1.5mm、長さ50mm）が密着して設けられてい
る。このイオン感応基体１の上部とテフロンチユーブ14
上部との間には絶縁性接着剤（たとえばスリーボンドTB
−2067）18が充填されている。なお、図中15は上記基体
13の上端に接続したリード線（たとえば銅線）である。
ものであつて、図中13は周面に絶縁塗料12をコートした
直径1mmの白金線からなるイオン感応基体である。この
イオン感応基体13のチユーブ開口部側の下端面11（イオ
ン感応部位）には２〜3mmの厚みを持つて、又、下部周
面には1mmの厚みを持つてイオンキヤリヤ膜17が直接被
覆されている。さらにイオンキヤリヤ膜17の外表面には
下面を除き、周面にチユーブ、たとえばテフロンチユー
ブ14（内径1.5mm、長さ50mm）が密着して設けられてい
る。このイオン感応基体１の上部とテフロンチユーブ14
上部との間には絶縁性接着剤（たとえばスリーボンドTB
−2067）18が充填されている。なお、図中15は上記基体
13の上端に接続したリード線（たとえば銅線）である。
イオンキヤリヤ組成物の具体例として、カリウムイオン
濃度測定用のものとしては下記の組成のものが用いられ
る。
濃度測定用のものとしては下記の組成のものが用いられ
る。
（カリウムイオンキヤリヤ組成物） ポリ塩化ビニル、ペーストレンジ （平均重合度:1050） 200重量部 バリノマイシン 10〃 ジオクチルセバシン酸 400〃 0 -ニトロフエニルオクチルエーテル 400〃 バリノマイシンを0-ニトロヘニルオクチルエーテルに溶
解したのちジオクチルセバシン酸を加え、次にポリ塩化
ビニル・ペーストレジンを加えて十分に撹拌したのち、
10-2mmHg以下の減圧下で５時間以上撹拌しながら脱泡す
ることによりプラスチゾル状のイオンキヤリヤ組成物を
得た。
解したのちジオクチルセバシン酸を加え、次にポリ塩化
ビニル・ペーストレジンを加えて十分に撹拌したのち、
10-2mmHg以下の減圧下で５時間以上撹拌しながら脱泡す
ることによりプラスチゾル状のイオンキヤリヤ組成物を
得た。
このプラスチゾルを電極先端部17に充填したのち、すば
やくオーブンを用いて140℃に加熱することにより２−
５分間でゲル化することができる。
やくオーブンを用いて140℃に加熱することにより２−
５分間でゲル化することができる。
次に第２図に示す如く、このイオンセンサ20を用い、基
準電極（飽和ナトリウムカロメル電極）21との間の電位
差を測定することにより試料液22中のカリウム濃度を測
定した。なお、この測定は本発明のイオンセンサの安定
性を検討するため濃度10-4M／lKCl溶液50mlの試料液中
で10時間連続しておこなつた。その結果第７図に示す如
く、一定電位差（300±5mV）（25.0℃±0.1℃）が得ら
れた。
準電極（飽和ナトリウムカロメル電極）21との間の電位
差を測定することにより試料液22中のカリウム濃度を測
定した。なお、この測定は本発明のイオンセンサの安定
性を検討するため濃度10-4M／lKCl溶液50mlの試料液中
で10時間連続しておこなつた。その結果第７図に示す如
く、一定電位差（300±5mV）（25.0℃±0.1℃）が得ら
れた。
さらに、試料液中のカリウムイオン濃度を7.5×10-3M／
,7.5×10-2M／,7.5×10-1M／と変化させ、それぞ
れについての平衡電位値を測定したところ、第８図のよ
うに、245mV,305mV,360mVとなり、これらの相関関係か
らネルンスト式を満足する直線が得られ、その勾配から
58mV／log（［K+］／mol・dm-3）を得た。この時の応答
速度は60秒以内であつた。
,7.5×10-2M／,7.5×10-1M／と変化させ、それぞ
れについての平衡電位値を測定したところ、第８図のよ
うに、245mV,305mV,360mVとなり、これらの相関関係か
らネルンスト式を満足する直線が得られ、その勾配から
58mV／log（［K+］／mol・dm-3）を得た。この時の応答
速度は60秒以内であつた。
（実施例２） 上記実施例１における白金線の代わりに直径1mmの銀線
を用いた以外は上記実施例１と同様にしてイオンセンサ
をつくり、これを用いて同様のカリウムイオン濃度測定
をおこなつた。その結果を第７図および第８図に示す。
なお、この場合において第７図に示す結果は1.5×10-4M
／KCl溶液50ml中で10時間連続測定した場合、第８図
は試料液中のカリウムイオン濃度を２×10-4M／〜９
×10-2M／に変化させたときのものである。この第８
図に示す直線の勾配から30mV／log（［K+］／mol・d
m-3）を得た。
を用いた以外は上記実施例１と同様にしてイオンセンサ
をつくり、これを用いて同様のカリウムイオン濃度測定
をおこなつた。その結果を第７図および第８図に示す。
なお、この場合において第７図に示す結果は1.5×10-4M
／KCl溶液50ml中で10時間連続測定した場合、第８図
は試料液中のカリウムイオン濃度を２×10-4M／〜９
×10-2M／に変化させたときのものである。この第８
図に示す直線の勾配から30mV／log（［K+］／mol・d
m-3）を得た。
（実施例３） 実施例２と同様に直径1mmの銀線を用い、カリウムイオ
ンキヤリヤ膜の代わりにペースト状ポリ塩化ビニルをベ
ースポリマーとするナトリウムイオンキヤリヤ膜を被覆
したナトリウムイオンセンサを作成し、実施例２と同様
にして試料液中のナトリウムイオン濃度の測定をおこな
つた。その測定結果を第９図に示す。なお、この場合、
試料液中のナトリウムイオン濃度を1M／〜103M／に
変化させた。この得られた直線勾配から20mV／decade
［Na+］（25℃±0.1℃）が得られた。
ンキヤリヤ膜の代わりにペースト状ポリ塩化ビニルをベ
ースポリマーとするナトリウムイオンキヤリヤ膜を被覆
したナトリウムイオンセンサを作成し、実施例２と同様
にして試料液中のナトリウムイオン濃度の測定をおこな
つた。その測定結果を第９図に示す。なお、この場合、
試料液中のナトリウムイオン濃度を1M／〜103M／に
変化させた。この得られた直線勾配から20mV／decade
［Na+］（25℃±0.1℃）が得られた。
この実施例におけるナトリウムイオンキヤリヤ膜の組成
は以下のものであつた。
は以下のものであつた。
（ナトリウムイオンキヤリヤ組成物） ペースト状ポリ塩化ビニル （平均重合度:1050） 200重量部 ベンゾ15−クラウン５ 10〃 ジオクチルセバシン酸 400〃 ニトロベンゼン 400〃 （実施例４） 上記実施例１における白金線の代わりに直径1.3mmのベ
ーサル・プレーン・ピロリテイツク・グラフアイト（BP
G）を用い、カリウムイオンキヤリヤ組成物として ビス［（ベンゾ−15−クラウン−５） −４′−メチル］ピメレート（同仁化学研究所）（また
はビス（ベンゾ−15−クラウン−５）） 10重量部 ジオクチルセバシン酸 200重量部 ポリ塩化ビニル・ペーストレジン （平均重合度:800） 100〃 を用い、このプラスチゾルを140℃で５分間加熱してゲ
ル化することにより膜厚1mmの塩化ビニル膜を形成し
た。なおBPGの一端は、予め導電性接着剤（アミンＣ−8
50−６）を用いてリード線を接着しておいた。
ーサル・プレーン・ピロリテイツク・グラフアイト（BP
G）を用い、カリウムイオンキヤリヤ組成物として ビス［（ベンゾ−15−クラウン−５） −４′−メチル］ピメレート（同仁化学研究所）（また
はビス（ベンゾ−15−クラウン−５）） 10重量部 ジオクチルセバシン酸 200重量部 ポリ塩化ビニル・ペーストレジン （平均重合度:800） 100〃 を用い、このプラスチゾルを140℃で５分間加熱してゲ
ル化することにより膜厚1mmの塩化ビニル膜を形成し
た。なおBPGの一端は、予め導電性接着剤（アミンＣ−8
50−６）を用いてリード線を接着しておいた。
このようにして作成したセンサ起電力を試料溶液中のカ
リウムイオン濃度を５×10-4から1mol／まで変えて温
度37℃で測定した。１×10-3から10-1M／の範囲の濃
度では起電力は、第10図に示すようによい直線関係を示
し、その直線の勾配は、57mV／log［K+］であつた。こ
のときの95％応答に要する時間は、10-3〜100M／の範
囲では１分以内であつた。
リウムイオン濃度を５×10-4から1mol／まで変えて温
度37℃で測定した。１×10-3から10-1M／の範囲の濃
度では起電力は、第10図に示すようによい直線関係を示
し、その直線の勾配は、57mV／log［K+］であつた。こ
のときの95％応答に要する時間は、10-3〜100M／の範
囲では１分以内であつた。
（実施例５）（ナトリウムイオンセンサの例） 実施例４と同様にしてBPG電極の表面に、ナトリウムイ
オンキヤリヤ膜として、 ビス［（12−クラウン−４）メチル］メチルドデシルマ
ロネート（同仁化学研究所） 10重量部 ジオクチルセバシン酸 200〃 ポリ塩化ビニル・ペーストレジン （平均重合度:800） 100〃 組成のプラスチゾルを実施例４と同じ条件下で、膜厚1m
mに形成した。
オンキヤリヤ膜として、 ビス［（12−クラウン−４）メチル］メチルドデシルマ
ロネート（同仁化学研究所） 10重量部 ジオクチルセバシン酸 200〃 ポリ塩化ビニル・ペーストレジン （平均重合度:800） 100〃 組成のプラスチゾルを実施例４と同じ条件下で、膜厚1m
mに形成した。
この電極を温度37℃でナトリウムイオン濃度を1mM／
〜1M／のNaCl溶液を用いて変化させて起電力を測定し
た結果、起電力とナトリウムイオン濃度との間には良い
直線関係が成立し、その直線の勾配は、57mV／log［N
a+］／mol・dm-3）であつた。また応答速度は90％応答
は１分以内であつた。
〜1M／のNaCl溶液を用いて変化させて起電力を測定し
た結果、起電力とナトリウムイオン濃度との間には良い
直線関係が成立し、その直線の勾配は、57mV／log［N
a+］／mol・dm-3）であつた。また応答速度は90％応答
は１分以内であつた。
なお、上記実施例において、イオン感応基体の感応部位
のイオンキヤリヤ膜厚として２〜3mmの場合について述
べたが、この膜厚は一般に50μｍないし3mmの範囲で適
宜選択することができる。又、イオン感応基体は上述の
ものに限らず、銀／塩化銀、又はパラジウムからなるも
の、あるいはこれらの物質を表面に被覆したカーボン電
極、または、半導体（SnO2.In2O3.SiCなど）およびカー
ボン電極を用いることもできる。
のイオンキヤリヤ膜厚として２〜3mmの場合について述
べたが、この膜厚は一般に50μｍないし3mmの範囲で適
宜選択することができる。又、イオン感応基体は上述の
ものに限らず、銀／塩化銀、又はパラジウムからなるも
の、あるいはこれらの物質を表面に被覆したカーボン電
極、または、半導体（SnO2.In2O3.SiCなど）およびカー
ボン電極を用いることもできる。
測定されるイオンもカリウム、ナトリウムに限らず、他
のイオンキヤリヤ膜を適宜選択することにより他のイオ
ンの濃度を測定することもできる。
のイオンキヤリヤ膜を適宜選択することにより他のイオ
ンの濃度を測定することもできる。
又、イオンキヤリヤ膜を被覆するチユーブ（第１図中1
4）はイオンセンサの耐久性、安定性の向上を図るうえ
で好ましいが、場合によつてはこれを省略しても差支え
ない。
4）はイオンセンサの耐久性、安定性の向上を図るうえ
で好ましいが、場合によつてはこれを省略しても差支え
ない。
IV.発明の具体的効果 本発明により、応答速度が早く、かつ試料液中の共存イ
オンの影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化
を図ることが可能なイオンセンサであつて、イオン感応
基体（内部電極）に任意の厚みのイオンキヤリヤ膜を簡
単に再現性良く被覆することができるイオンセンサの製
造方法を提供できる。
オンの影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化
を図ることが可能なイオンセンサであつて、イオン感応
基体（内部電極）に任意の厚みのイオンキヤリヤ膜を簡
単に再現性良く被覆することができるイオンセンサの製
造方法を提供できる。
又、イオンセンサの製造後に使用者がイオン感応基体
（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオンセンサの
製造方法を提供できる。
（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオンセンサの
製造方法を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係わるイオンセンサの一部
断面図、 第２図は第１図に示すイオンセンサの使用例を示す模式
図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は第１例のイオンセンサの製造方
法説明図、 第４図（ａ），（ｂ）は第１例のイオンセンサの製造方
法のフローチヤート、 第５図は第２例のイオンセンサの製造方法説明図、 第６図（ａ），（ｂ）は第２例のイオンセンサの製造方
法のフローチヤート、 第７図〜第10図は本実施例のイオンセンサを用いて電位
を測定した場合の結果を示す線図である。 図中、11……イオン感応基体底面、12……絶縁塗料、13
……イオン感応基体、14……チユーブ、15……リード
線、16……導電性接着剤、17……イオンキヤリア組成
物、17a……ゾル状イオンキヤリア組成物、17b……ゲル
状イオンキヤリア組成物、18……絶縁性接着剤、19……
スペーサ、20……イオンセンサ、21……基準電極、22…
…試料溶液である。
断面図、 第２図は第１図に示すイオンセンサの使用例を示す模式
図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は第１例のイオンセンサの製造方
法説明図、 第４図（ａ），（ｂ）は第１例のイオンセンサの製造方
法のフローチヤート、 第５図は第２例のイオンセンサの製造方法説明図、 第６図（ａ），（ｂ）は第２例のイオンセンサの製造方
法のフローチヤート、 第７図〜第10図は本実施例のイオンセンサを用いて電位
を測定した場合の結果を示す線図である。 図中、11……イオン感応基体底面、12……絶縁塗料、13
……イオン感応基体、14……チユーブ、15……リード
線、16……導電性接着剤、17……イオンキヤリア組成
物、17a……ゾル状イオンキヤリア組成物、17b……ゲル
状イオンキヤリア組成物、18……絶縁性接着剤、19……
スペーサ、20……イオンセンサ、21……基準電極、22…
…試料溶液である。
Claims (15)
- 【請求項１】イオン感応電極を有するイオンセンサの製
造方法であつて、 該イオン感応電極の製造工程が、 イオン感応基体を挿入し得る所定内径を有するチユーブ
の先端に所定の厚みのスペーサを挿入した後、該イオン
感応基体を先端が該チユーブの先端より内方に引込んだ
位置に来るように挿入保持せしめ、前記スペーサを取り
外すことにより、イオンキヤリヤ膜の膜厚を決定する工
程と、 その状態でイオンキヤリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチユーブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチユーブとの間に充填する工程と、 この充填されたゾル状イオンキヤリヤ膜組成物をゲル化
させる工程とを具備してなることを特徴とするイオンセ
ンサの製造方法。 - 【請求項２】チユーブは、セラミツク，硬質プラスチツ
ク，および軟質プラスチツクのグループから選ばれるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イオンセンサの製造方法。 - 【請求項３】イオンキヤリヤは、テトラドデシルアミ
ン、バリノマイシ、クラウン化合物、リン酸エステルの
グループから選ばれるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のイオンセンサの製造方法。 - 【請求項４】イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カーボ
ン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニ
ツケル電極、半導体電極のグループから選ばれるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオ
ンセンサの製造方法。 - 【請求項５】ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化工
程を温度80〜200℃でおこなうものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイオンセンサの製造方
法。 - 【請求項６】イオン感応電極を有するイオンセンサの製
造方法であって、 該イオン感応電極の製造工程が、 イオン感応基体を該イオン感応基体を挿入し得る所定内
径を有するチユーブ内に挿入保持せしめ、該イオン感応
基体を先端がチユーブの先端から所望の距離だけ引っ込
んだ位置に来るように切り取ることにより該イオン感応
基体の先端と該チユーブの先端との相対的位置関係を調
整して、イオンキヤリヤ膜の膜厚を決定する工程と、 その状態でイオンキヤリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチユーブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチユーブとの間に充填する工程と、 この充填されたゾル状イオンキヤリヤ膜組成物をゲル化
させる工程とを具備してなることを特徴とするイオンセ
ンサの製造方法。 - 【請求項７】チユーブは、セラミツク、硬質プラスチツ
ク、および軟質プラスチツクのグループから選ばれるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
イオンセンサの製造方法。 - 【請求項８】イオンキヤリヤは、テトラドデシルアミ
ン、バリノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステル
のグループから選ばれるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載のイオンセンサの製造方法。 - 【請求項９】イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カーボ
ン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニ
ツケル電極、半導体電極のグループから選ばれるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のイオ
ンセンサの製造方法。 - 【請求項１０】ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化
工程を温度80〜200℃でおこなうものであることを特徴
とする特許請求の範囲第６項記載のイオンセンサの製造
方法。 - 【請求項１１】イオン感応電極を有するイオンセンサの
製造方法であつて、 該イオン感応電極の製造工程が、 イオン感応基体を、該イオン感応基体を挿入し得る所定
内径を有するチユーブ内に、該イオン感応基体の先端が
該チユーブの先端より内方に引込んだ位置に挿入保持せ
しめる工程と、 その状態でイオンキヤリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキヤリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチユーブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチユーブとの間に充填する工程と、 この充填されたゾル状イオンキヤリヤ膜組成物をゲル化
させる工程と、 前記チユーブの先端を前記イオン感応基体先端と前記チ
ユーブの先端が所望の距離になるように切り取ることに
より、前記イオン感応基体先端のゲル状イオンキヤリヤ
膜の膜厚を決定する工程とを具備してなることを特徴と
するイオンセンサの製造方法。 - 【請求項１２】チユーブは、セラミツク、硬質プラスチ
ツク、および軟質プラスチツクのグループから選ばれる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第11記載の
イオンセンサの製造方法。 - 【請求項１３】イオンキヤリヤは、テトラドデシルアミ
ン、バリノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステル
のグループから選ばれるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第11項記載のイオンセンサの製造方法。 - 【請求項１４】イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カー
ボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、
ニツケル電極、半導体電極のグループから選ばれるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第11項記載のイ
オンセンサの製造方法。 - 【請求項１５】ゾル状イオンキヤリヤ膜組成物のゲル化
工程を温度80〜200℃でおこなうものであることを特徴
とする特許請求の範囲第11項記載のイオンセンサの製造
方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11366785 | 1985-05-27 | ||
| JP60-125665 | 1985-06-10 | ||
| JP60-113667 | 1985-06-10 | ||
| JP12566585 | 1985-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290531A JPS6290531A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0668478B2 true JPH0668478B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=26452611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120179A Expired - Fee Related JPH0668478B2 (ja) | 1985-05-27 | 1986-05-27 | イオンセンサの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4753719A (ja) |
| EP (1) | EP0203864B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0668478B2 (ja) |
| KR (1) | KR900008847B1 (ja) |
| DE (1) | DE3671530D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6396453U (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-22 | ||
| KR900005480B1 (ko) * | 1986-07-10 | 1990-07-30 | 데루모 가부시끼가이샤 | 기준전극 |
| JPS63131056A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Terumo Corp | Ｆｅｔ電極 |
| CA1315927C (en) * | 1986-12-10 | 1993-04-13 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ion carrier membrane, and ion sensor having same |
| US5156728A (en) * | 1987-02-12 | 1992-10-20 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ion sensor |
| JPS63238547A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Terumo Corp | イオンセンサ |
| US5047563A (en) * | 1987-09-10 | 1991-09-10 | Miles Inc. | Chiral crown ethers |
| JP2672561B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-11-05 | テルモ株式会社 | 膜被履センサ |
| JPH01272957A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-10-31 | Terumo Corp | イオン感応膜、その製造方法及びイオンセンサ |
| US5213675A (en) * | 1988-10-27 | 1993-05-25 | Terumo Kabushiki Kaisha | Reference electrode, ion sensor and method of manufacturing the same |
| DK532589A (da) * | 1988-10-27 | 1990-04-30 | Terumo Corp | Referenceelektrode |
| US5401377A (en) * | 1993-08-06 | 1995-03-28 | Biomedix, Inc. | Ion-selective sensor with polymeric membrane having phospholipid dispersed therein |
| GB9402661D0 (en) * | 1994-02-11 | 1994-04-06 | Ecossensors Ltd | Improvements in and relating to detection of lead in blood |
| WO1996024840A1 (en) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Ecossensors Limited | Measuring metal ions in a solution |
| US5626331A (en) * | 1996-01-03 | 1997-05-06 | Erwin Industries, Inc. | Composite spindle |
| FR2752380B1 (fr) * | 1996-08-14 | 1998-10-30 | Dow Corning Sa | Procede de fabrication d'un dispositif a liberation controlee |
| US7695601B2 (en) * | 2006-05-09 | 2010-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Electrochemical test apparatus and method for its use |
| GB2441784A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | Rtc North Ltd | Device for obtaining and analysing a biological fluid |
| US20120223457A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | General Electric Company | Method to manufacture a sensor |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3926764A (en) * | 1971-05-19 | 1975-12-16 | Radiometer As | Electrode for potentiometric measurements |
| US3957612A (en) * | 1974-07-24 | 1976-05-18 | General Electric Company | In vivo specific ion sensor |
| US3957613A (en) * | 1974-11-01 | 1976-05-18 | General Electric Company | Miniature probe having multifunctional electrodes for sensing ions and gases |
| US4052285A (en) * | 1975-03-20 | 1977-10-04 | National Research Development Corporation | Ion selective electrodes |
| US4214968A (en) * | 1978-04-05 | 1980-07-29 | Eastman Kodak Company | Ion-selective electrode |
| JPS57142356U (ja) * | 1981-02-28 | 1982-09-07 | ||
| JPS57196146A (en) * | 1981-05-27 | 1982-12-02 | Shimadzu Corp | Ion-selective electrode |
| JPS57196116A (en) * | 1981-05-27 | 1982-12-02 | Kamachiyou Seikou Kk | Measuring device |
| US4563263A (en) * | 1982-01-15 | 1986-01-07 | Terumo Corporation | Selectively permeable film and ion sensor |
| JPS599550A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-18 | Toshiba Corp | イオン選択性電極 |
| JPS5916987A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Olympus Optical Co Ltd | クロ−ルイオン選択性電極の製造方法 |
| JPS5957156A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-02 | Toshiba Corp | イオン選択性電極 |
| JPS607357A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Tokuyama Soda Co Ltd | 電極用膜 |
| US4549951A (en) * | 1984-09-11 | 1985-10-29 | Sentech Medical Corporation | Ion selective electrode |
| DE3585915T2 (de) * | 1984-12-28 | 1993-04-15 | Terumo Corp | Ionensensor. |
| EP1186210A1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-03-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switched dimming ballast |
-
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