JPH0661747A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0661747A
JPH0661747A JP4231462A JP23146292A JPH0661747A JP H0661747 A JPH0661747 A JP H0661747A JP 4231462 A JP4231462 A JP 4231462A JP 23146292 A JP23146292 A JP 23146292A JP H0661747 A JPH0661747 A JP H0661747A
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power supply
transistors
resistors
transistor
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Tsutomu Kamifuji
勉 上藤
Takehiko Umeyama
竹彦 梅山
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電源電圧が変動しても、動作範囲が狭くなら
ない半導体集積回路装置を得る。 【構成】 前段の差動増幅回路81と、エミッタフォロ
回路82と、後段の差動増幅回路83とからなる回路
の、前段の差動増幅回路81に、電源電圧の変動に依存
した電流値をとりその電流を前段回路202の出力段か
ら引出す電流源80を用いることで、電源電圧に対応し
た電圧降下を導き、電源電圧依存性を緩和し、結果とし
て後段回路201の動作範囲が狭くなるのを抑えること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にその電源電圧を変動させてもその動作範囲が
狭くならないようにしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来の半導体集積回路装置の一
例である、差動増幅回路を示す。図4において、1およ
び2は初段の差動増幅回路の入力端子(第1,第2の入
力端子)、30,31はこの入力端子1,2からの入力
信号がベースに入力される差動トランジスタ(第4,第
5のトランジスタ)、22,23はこの差動トランジス
タ30,31のエミッタ間に相互に直列に接続された抵
抗(第7,第8の抵抗)、40はこの抵抗22,23の
接続点とグランド間に接続された第1の定電流源、2
0,21は差動トランジスタ30,31のコレクタと電
源電圧Vccを持つ電源10との間にそれぞれ接続され
た第5,第6の抵抗であり、81は以上の回路素子によ
り構成された差動増幅回路である。
【0003】また、32,33はベースが動作確認用の
節点61,62、即ち、抵抗20,21の電源とは反対
側の端子に接続され、コレクタが電源10に直結された
エミッタフォロワトランジスタ(第6,第7のトランジ
スタ)、41,42はこのエミッタフォロワトランジス
タ32,33のエミッタとグランド間にそれぞれ接続さ
れた第2,第3の定電流源であり、以上の回路素子によ
りエミッタフォロワ回路82が構成されており、さらに
このエミッタフォロワ回路82と差動増幅回路81とで
前段回路200が構成されている。
【0004】また、11は任意の電圧値を持つ定電圧
源、34,35はベースが動作確認用の節点63,6
4、即ち、エミッタフォロワトランジスタ32,33の
エミッタに接続された差動トランジスタ(第8,第9の
トランジスタ)、24,25はこの差動トランジスタ3
4,35のエミッタ間に相互に直列に接続された第1
1,第12の抵抗、43はこの抵抗24,25の接続点
とグランド間に接続された第4の定電流源、26,27
は差動トランジスタ34,35のコレクタと定電圧源1
1との間に接続された第9,第10の抵抗、50,51
は差動トランジスタ34,35のコレクタに接続された
第1,第2の出力端子であり、以上の回路素子により後
段回路201、即ち差動増幅回路83が構成されてい
る。なお、抵抗22,23は差動トランジスタ30,3
1のエミッタ抵抗をもこれに含めている。
【0005】次にこの図4の回路の動作について説明す
る。図4の200の部分、即ち、初段の差動増幅回路8
1とそのエミッタフォロワ回路82とからなる部分にお
いて、その電源10の電圧値をVcc、抵抗20〜23
の抵抗値をR20〜R23、定電流源40の電流値をI
40とする。
【0006】入力端子1,2の入力信号の電圧値の差が
0の場合、定電流源40の電流がトランジスタ30,3
1で同じ大きさ(I40/2)に分流されて各トランジ
スタ30,31を流れるため、節点61の電圧V61
は、
【0007】 V61=Vcc−(R20)*(I40/2)…(1)
【0008】となる。
【0009】よって節点63の電圧値V63は、
【0010】V63=V61−VBE…(2)
【0011】となる。ただし、VBEはエミッタフォロ
ワトランジスタ32のベース−エミッタ間電圧である。
【0012】そして、入力端子1に上記の入力電圧より
X〔V〕少ない電圧を、入力端子2にはX〔V〕多い電
圧を加える(但し、Xは数百mVより小さい任意の電圧
値であり、以下、この条件を条件Aと称する)と、この
僅少差の電圧Xは抵抗値R20,R22で決まる初段の
差動増幅回路の増幅率(R20/R22)で増幅される
ため、節点61の電圧値V61は、
【0013】 V61=Vcc−(R20)*(I40/2)−(R20/R22)*X…( 3)
【0014】となり、節点63の電圧値V63は、
【0015】V63=V61−VBE…(4)
【0016】となる。
【0017】電源電位Vccが変動しないとき、節点6
1、63の電圧V61、V63は、一意の値を得る。と
ころが、電源電圧Vccが±数%の変動をみせるとき、
Vccの変動する分の電圧値が(1)〜(4)式より直
接V61,V63に影響してくる。従って、電源電圧の
変動差が後段(図4の201の領域)にも現れるため、
電源変動のないときと比べて同一の動作範囲で駆動させ
ようとすると歪が生じる。そこで、歪を生じないように
動作範囲を設定するとその動作範囲が狭くなってしま
う。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置の一例である差動増幅回路は以上のように構成され
ているので、電源電圧の変動による歪でその動作範囲が
狭くなってしまうという問題点があった。
【0019】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、電源電圧に変動が生じてもその
動作範囲が狭くならない半導体集積回路装置を得ること
を目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、前段に電源電圧に依存した電流を流す電
流源を設け、初段の回路の出力側から電流を引出すこと
により、電源電圧の変動に応じた電圧降下を起こすよう
にしたものである。
【0021】また、この発明に係る半導体集積回路装置
は、初段の差動増幅回路と、この初段の差動増幅回路の
出力を受けるエミッタフォロワ回路と、このエミッタフ
ォロワ回路の出力を受ける次段の差動増幅回路とからな
る回路の初段に、電流源を設け、その電流源をカレント
ミラー回路で構成するようにしたものである。ようにし
たものである。
【0022】また、この発明に係る半導体集積回路装置
は、カレントミラーで構成したその電流源に、ベース電
流補償用のトランジスタを設けるようにしたものであ
る。
【0023】さらに、この発明に係る半導体集積回路装
置は、カレントミラーで構成したその電流源に、電源電
圧変動抑制用のダイオードを設けるようにしたものであ
る。
【0024】
【作用】本発明においては、初段に電源電圧に依存した
電流源を設け、その電流で初段の回路の出力段から電流
を引出すようにしたが、その電流は、電源電圧の変動に
対応して変化するため、次段以降の動作範囲が狭くなる
のを防ぐ。
【0025】また、本発明においては、初段の差動増幅
回路と、この初段の差動増幅回路の出力を受けるエミッ
タフォロワ回路と、このエミッタフォロワ回路の出力を
受ける次段の差動増幅回路とからなる回路に、電流源を
設けるようにしたので、電源電圧が数パーセント変動し
ただけでその出力に影響が現れる差動増幅回路の、その
影響を解消でき、また、その電流源をカレントミラー回
路で構成するようにしたので、電源電圧の変動に応じた
電流を前段回路の出力側から忠実に引き出すことがで
き、簡単な構成で電源電圧の変動による影響を抑制でき
る。
【0026】また、本発明においては、カレントミラー
で構成したその電流源に、ベース電流補償用のトランジ
スタを設けるようにしたので、カレントミラー回路の電
流の誤差を抑えることができ、電源電圧の変動による影
響をより効果的に解消できる。
【0027】さらに、本発明においては、カレントミラ
ーで構成したその電流源に、電源電圧変動を補償するた
めのダイオードを設けるようにしたので、カレントミラ
ー回路の電流の誤差を抑えることができ、電源電圧の変
動による影響をより効果的に解消できる。
【0028】
【実施例】実施例1 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図1
はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置の一例
としての差動増幅回路を示す。
【0029】図1において、1および2は初段の差動増
幅回路の入力端子(第1,第2の入力端子)、30,3
1はこの入力端子1,2からの入力信号がベースに入力
される差動トランジスタ(第4,第5のトランジス
タ)、22,23はこの差動トランジスタ30,31の
エミッタ間に相互に直列に接続された抵抗(第7,第8
の抵抗)、40はこの抵抗22,23の接続点とグラン
ド間に接続された第1の定電流源、20,21は差動ト
ランジスタ30,31のコレクタと電源電圧Vccを持
つ電源10との間にそれぞれ接続された第5,第6の抵
抗であり、以上の回路素子により差動増幅回路81が構
成されている。
【0030】また、32,33はベースが動作確認用の
節点61,62、即ち、抵抗20,21の電源とは反対
側の端子に接続され、コレクタが電源10に直結された
エミッタフォロワトランジスタ(第6,第7のトランジ
スタ)、41,42はこのエミッタフォロワトランジス
タ32,33のエミッタとグランド間にそれぞれ接続さ
れた第2,第3の定電流源であり、以上の回路素子によ
りエミッタフォロワ回路82が構成されている。
【0031】また、11は任意の電圧値を持つ定電圧
源、34,35はベースが動作確認用の節点63,6
4、即ち、エミッタフォロワトランジスタ32,33の
エミッタに接続された差動トランジスタ(第8,第9の
トランジスタ)、24,25はこの差動トランジスタ3
4,35のエミッタ間に相互に直列に接続された第1
1,第12の抵抗、43はこの抵抗24,25の接続点
とグランド間に接続された第4の定電流源、26,27
は差動トランジスタ34,35のコレクタと定電圧源1
1との間に接続された第9,第10の抵抗、50,51
は差動トランジスタ34,35のコレクタに接続された
第1,第2の出力端子であり、以上の回路要素により、
後段回路201、即ち差動増幅回路83が構成されてい
る。なお、抵抗22,23は差動トランジスタ30,3
1のエミッタ抵抗をもこれに含めている。
【0032】以上の回路要素は図4の従来回路と同様の
ものである。101〜103および111〜114は本
実施例において新たに追加した構成要素であり、第1の
トランジスタ101はそのベースおよびコレクタが第1
の抵抗114を介して電源10に接続され、エミッタが
第2の抵抗111を介してグランドに接続されている。
102,103はこの第1のトランジスタ101とベー
スが共通に接続された第2,第3のトランジスタであ
り、コレクタがそれぞれトランジスタ30,31のコレ
クタに接続されエミッタはそれぞれ第3,第4の抵抗1
12,113を介してグランドに接続されている。
【0033】そして、以上の回路要素により電流源80
が構成されており、この電流源80および差動増幅回路
81,エミッタフォロワ回路82により前段回路202
が構成されている。
【0034】次に動作について説明する。入力端子1,
2からの入力電圧差が0の時、抵抗111に流れる電流
をI111とおくと、
【0035】 Vcc=R114・I111+VBE+R111・I111…(9)
【0036】となる。
【0037】この(9)式を変形して、以下の式を得
る。
【0038】 I111=(Vcc−VBE)/(R111+R114)…(10)
【0039】この(10)式が、1段目の差動増幅回路
の出力側から引き出す電流値となる。
【0040】入力端子1,2からの入力電圧差が0の
時、節点61の電圧V61は、
【0041】 V61=Vcc−R20*(I40/2+I111)…(11)
【0042】となる。よって節点63の電圧V63は、
【0043】V63=V61−VBE…(12)
【0044】である。そして、先述の条件Aが成立つと
き、V61は、
【0045】 V61=Vcc−R20*(I40/2+I111)−(R20/R22)* X…(13)
【0046】となり、よってV63は、下式のようにな
る。
【0047】V63=V61−VBE…(14)
【0048】ここで、(10)式ないし(14)式に具
体的な数値を代入することで説明を行なう。
【0049】以下にその一数値例を示す。Vcc=5
V、R114=30KΩ、R111=R112=R11
3=13KΩ、R20=R21=10KΩ、R22=R
23=1KΩ(エミッタ抵抗を含んだ値)、I40=1
00μA、VBE=0.7V、X=50mV。
【0050】(10)式より、I111は、
【0051】 I111=(5−0.7)/(30K+13K)=100μA…(15)
【0052】となる。入力端子1,2からの入力電圧差
が0の時、節点61の電圧V61は(11)式より、
【0053】 V61=5−10K*(100μ/2+100μ)=3.5V…(16)
【0054】である。よって節点63の電圧V63は、
【0055】 V63=V61−0.7=2.8V…(17)
【0056】また、先述の条件Aが成立するとき、V6
1は(13)式より、
【0057】 V61=5−10K*(100μ/2+100μ)−(10K/1K)*50 m=3.0V…(18)
【0058】となり、よってV63は、下式のようにな
る。
【0059】 V63=V71−0.7=2.3 V…(19)
【0060】そして、その一例として、電源電圧が±1
0%変化したときのことを考える。
【0061】(10)式より、I111が、
【0062】 I111=([4.5〜5.5]−0.7)/43(KΩ)=[88〜112 ]μA…(20)
【0063】となる。
【0064】入力端子1,2からの入力電圧の差が0の
時、節点61,63の電圧V61,V63は(11),
(12)式より、
【0065】 V61=[4.5〜5.5]−10K*(50μ+[88〜112]μ)=[ 3.17〜3.88]V…(21)
【0066】 V62=[3.17〜3.88]−0.7=[2.47〜3.17]V…(2 2)
【0067】また、先述の条件Aが成り立つとき、V6
1、V63は(13),(14)式より、
【0068】 V61=[4.5〜5.5]−10K*(50μ+[88〜112]μ)−5 00m=[2.67〜3.38]V…(23)
【0069】 V63=[2.67〜3.38]−0.7=[1.97〜2.68]V…(2 4)
【0070】従って、±10%の電源電圧変動に対し
て、節点63の変動を抑えることができ、結果として図
1のAの領域の動作範囲が狭くなることを防ぐことがで
きる。
【0071】このように、上記実施例1によれば、電源
電圧に依存した電流を発生する電流源を設けたことによ
り、電源電圧が変動を起こしても、それに応じた電流を
前段回路の出力側より引出すことができ、これにより、
その電源電圧依存性を緩和することができ、電源電圧が
変動しても、後段回路の動作範囲が狭くならない回路を
得ることができる。
【0072】また、前段の差動増幅回路と、この前段の
差動増幅回路の出力を受けるエミッタフォロワ回路と、
このエミッタフォロワ回路の出力を受ける後段の差動増
幅回路とからなる回路に適用するようにしたので、電源
電圧が数パーセント変動しただけでその出力に影響が現
れる差動増幅回路の、その影響を解消でき、電流回路を
カレントミラー回路を用いて構成するようにしたので、
電源電圧の変動に応じた電流を前段回路の出力側から忠
実に引き出すことができ、簡単な構成で電源電圧の変動
による影響を抑制できる。
【0073】実施例2.前述の実施例1では、電流回路
の例として、2トランジスタ型のカレントミラー回路を
使用していたが、図2のように、ベース電流補償型のカ
レントミラー回路を使用することにより、差動増幅回路
の双方の引き出し電流のペアリング精度を上げ、より精
度良く目的の回路を得ることができる。
【0074】図2において、104はトランジスタ10
1〜103により構成されたカレントミラー回路のベー
ス電流を補償するための第10のトランジスタであり、
ベースがトランジスタ101のコレクタに、エミッタが
トランジスタ101〜103のベースに、コレクタが電
源10にそれぞれ接続されている。
【0075】実施例3.前述の実施例1のトランジスタ
101と抵抗114との間にダイオードを設けることに
より、電源電圧に対する依存性を更に改善することがで
きる。
【0076】図3において、121,122は抵抗11
4の電源とは反対側の端子と、トランジスタ101のコ
レクタおよびこれに直結されたベースとの間に相互に直
列に接続されたダイオードである。
【0077】この実施例においては、ダイオード12
1,122を設けることにより、電圧一定のトランジス
タ101のコレクタと電源10との間の電圧差の変動を
ダイオード121,122により抑え、カレントミラー
回路の電流の誤差を抑えるようにしたものであり、これ
により、より精度良く目的の回路を得ることができる。
【0078】なお、ダイオードは、電源電圧値に応じて
1個、あるいは複数個配置してもよく、上記実施例と同
様の効果を得られる。
【0079】また、上記図2のトランジスタ104を併
せもってもよいことは言うまでもない。
【0080】さらに、上記実施例では前段回路および後
段回路の増幅器として差動増幅器を用いたものを示した
が、これはオペアンプ等であってもよく、上記各実施例
と同様の効果を奏する。
【0081】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体集積
回路装置によれば、回路の前段に電源電圧に依存した電
流を流す電流回路を設け、その電流を後段の回路に供給
するようにしたので、電源電圧変動に対する依存性を抑
えることができ、動作範囲を狭くしない回路が得られ
る、という効果がある。
【0082】また、本発明に係る半導体集積回路装置に
よれば、初段の差動増幅回路と、この初段の差動増幅回
路の出力を受けるエミッタフォロワ回路と、このエミッ
タフォロワ回路の出力を受ける次段の差動増幅回路とか
らなる回路に、電流回路を設けるようにしたので、電源
電圧の変動の影響を受けやすい差動増幅回路における、
電源電圧の変動の影響を解消できる効果があり、また、
その電流回路をカレントミラー回路で構成するようにし
たので、簡単な構成で、電源電圧の変動による影響を抑
制できる効果がある。
【0083】また、本発明に係る半導体集積回路装置に
よれば、カレントミラーで構成したその電流回路に、ベ
ース電流補償用のトランジスタを設けるようにしたの
で、カレントミラー回路の電流の誤差を抑えることがで
き、電源電圧の変動による影響をより解消できる効果が
ある。
【0084】さらに、本発明に係る半導体集積回路装置
によれば、カレントミラーで構成したその電流回路に、
電源電圧変動を補償するためのダイオードを設けるよう
にしたので、カレントミラー回路の電流の誤差を抑える
ことができ、電源電圧の変動による影響を解消できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体集積回路装置を
示す回路図である。
【図2】本発明の他の実施例による半導体集積回路装置
を示す回路図である。
【図3】本発明のさらに他の実施例による半導体集積回
路装置を示す回路図である。
【図4】従来の半導体集積回路装置を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
1,2 入力端子 10 電源 11 定電圧源 20〜27,111〜114 抵抗 30〜35,101〜104 トランジスタ 40〜43 定電流源 50,51 出力端子 61〜63 電位観察用節点 80,84,85 電流源 81 前段の差動増幅回路 82 エミッタフォロワ回路 83 後段の差動増幅回路 121,122 ダイオード 202 前段回路 201 後段回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月2日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】また、この発明に係る半導体集積回路装置
は、初段の差動増幅回路と、この初段の差動増幅回路の
出力を受けるエミッタフォロワ回路と、このエミッタフ
ォロワ回路の出力を受ける次段の差動増幅回路とからな
る回路の初段に、電流源を設け、その電流源をカレント
ミラー回路で構成するようにしたものである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】さらに、この発明に係る半導体集積回路装
置は、カレントミラーで構成したその電流源に、電流を
作り出す抵抗の温度係数を打消すためのダイオードを設
けるようにしたものである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】また、32,33はベースが動作確認用の
節点61,及び節点62、即ち、抵抗20,21の電源
とは反対側の端子に接続され、コレクタが電源10に直
結されたエミッタフォロワトランジスタ(第6,第7の
トランジスタ)、41,42はこのエミッタフォロワト
ランジスタ32,33のエミッタとグランド間にそれぞ
れ接続された第2,第3の定電流源であり、以上の回路
素子によりエミッタフォロワ回路82が構成されてい
る。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】また、11は任意の電圧値を持つ定電圧
源、34,35はベースが動作確認用の節点63,及び
節点64、即ち、エミッタフォロワトランジスタ32,
33のエミッタに接続された差動トランジスタ(第8,
第9のトランジスタ)、24,25はこの差動トランジ
スタ34,35のエミッタ間に相互に直列に接続された
第11,第12の抵抗、43はこの抵抗24,25の接
続点とグランド間に接続された第4の定電流源、26,
27は差動トランジスタ34,35のコレクタと定電圧
源11との間に接続された第9,第10の抵抗、50,
51は差動トランジスタ34,35のコレクタに接続さ
れた第1,第2の出力端子であり、以上の回路要素によ
り、後段回路201、即ち差動増幅回路83が構成され
ている。なお、抵抗22,23は差動トランジスタ3
0,31のエミッタ抵抗をもこれに含めている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0060
【補正方法】変更
【補正内容】
【0060】そして、変動の一例として、電源電圧が±
10%変化したときのことを考える。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0077
【補正方法】変更
【補正内容】
【0077】この実施例においては、ダイオード12
1,122を設けることにより、正の温度係数を持つ抵
抗20によって作られた電流を、負の温度係数を持つダ
イオード121,122で抵抗20の温度依存性を打消
し、温度に依存しない電流を得ることができる。その結
、カレントミラー回路の電流の誤差が抑えられ、これ
により、より精度良く目的の回路を得ることができる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0078
【補正方法】変更
【補正内容】
【0078】なお、ダイオードは、電源電圧値及び電流
を作り出す抵抗とダイオードとの温度係数のかねあい
応じて1個、あるいは複数個配置してもよく、上記実施
例と同様の効果を得られる。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0084
【補正方法】変更
【補正内容】
【0084】さらに、本発明に係る半導体集積回路装置
によれば、カレントミラーで構成したその電流回路に、
電流を作り出す抵抗の温度係数を打消すためのダイオー
ドを設けるようにしたので、カレントミラー回路の電流
の誤差を抑えることができ、電源電圧の変動による影響
を解消できる効果がある。
【手続補正10】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所要の回路の前段回路に、当該前段回路
    の出力段から電源電圧の変動に応じた電流を引き出し、
    当該前段回路の電源電圧依存性を緩和する電流源を備え
    たことを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記所要の回路が差動増幅回路からな
    り、 前記前段回路が、差動増幅回路と、この差動増幅回路の
    出力を受けるエミッタフォロワ回路とからなり、 前記所要の回路の差動増幅回路は、 第2,第3のトランジスタとコレクタ同士が接続された
    第4,第5のトランジスタと、 第2,第3のトランジスタのコレクタと第1の電源ノー
    ドとの間に接続された第5,第6の抵抗と、 第4,第5のトランジスタのエミッタ間に相互に直列に
    接続された第7,第8の抵抗と、 第7,第8の抵抗の接続点と第2の電源ノードとの間に
    接続された第1の定電流源と、 第4,第5のトランジスタのベースと接続された第1,
    第2の入力端子とを備えたものであり、 前記エミッタフォロワ回路は、 ベースが第4,第5のトランジスタのコレクタに接続さ
    れコレクタが第1の電源ノードに接続された第6,第7
    のトランジスタと、 第6,第7のトランジスタのエミッタと第2の電源ノー
    ドとの間に接続された第2,第3の定電流源とを備えた
    ものであり、 前記前段回路の差動増幅回路は、 ベースが第6,第7のトランジスタのエミッタに接続さ
    れた第8,第9のトランジスタと、 一端が第8,第9のトランジスタのコレクタに接続され
    た第9,第10の抵抗と、 第8,第9のトランジスタのエミッタ間に相互に直列に
    接続された第11,第12の抵抗と、 第9,第10の抵抗の他端同士の接続点と第2の電源ノ
    ードとの間に接続された電圧源と、 第11,第12の抵抗の接続点と第2の電源ノードとの
    間に接続された第4の定電流源と、 第8,第9のトランジスタのコレクタと接続された第
    1,第2の出力端子とを備えたものであり、 前記電流源が、一端が第1の電源ノードに接続された第
    1の抵抗と、 ベースおよびコレクタが第1の抵抗の他端と接続された
    第1のトランジスタと、 第1のトランジスタのエミッタと第2の電源ノードとの
    間に接続された第2の抵抗と、 第1のトランジスタとベース同士が接続された第2,第
    3のトランジスタと、 第2,第3のトランジスタのエミッタと第2の電源ノー
    ドとの間に接続された第3,第4の抵抗とを備えたもの
    であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路
    装置。
  3. 【請求項3】 第1のトランジスタのベースおよびコレ
    クタがエミッタおよびベースにそれぞれ接続されコレク
    タが第1の電源ノードに接続された第10のトランジス
    タを備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体集積
    回路装置。
  4. 【請求項4】 第1の抵抗の他端と第1のトランジスタ
    のコレクタとの間に相互に接続された、1つのダイオー
    ドあるいは相互に直列接続された複数のダイオードを備
    えたことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路装
    置。
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