JPH0661219A - 多ゾーン・プラズマ処理方法 - Google Patents
多ゾーン・プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH0661219A JPH0661219A JP5152458A JP15245893A JPH0661219A JP H0661219 A JPH0661219 A JP H0661219A JP 5152458 A JP5152458 A JP 5152458A JP 15245893 A JP15245893 A JP 15245893A JP H0661219 A JPH0661219 A JP H0661219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- cleaning
- electrode
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
において、堆積膜のストレスと堆積速度と膜の均一性を
柔軟に制御し、また処理室のクリーニングを効率的に行
なうことのできる装置と方法を提案する。 【構成】 プラズマ堆積またはエッチングガスを処理室
(10)に断続モードで流し、少なくとも1つのプラズ
マ電極(24または52)を1つまたは複数の無線周波
数電源を用いて時分割多重で断続的に活性化してプロセ
ス・プラズマ媒体を発生し、プラズマ強化堆積またはエ
ッチングを行なう。更にプロセスガス流が止まっている
間に少なくとも1つのプラズマ電極を断続的に活性化し
てクリーニング・プラズマを生成し、処理室(10)の
クリーニングを行なう。これにより、半導体ウエーハ
(22)に近接するプラズマ濃度と均一性およびイオン
・エネルギーを制御する。
Description
払い済みのライセンスと、MMSTプログラムで米国空
軍との間に締結した契約条件に規定されている妥当な条
件の下にこの特許の所有者が他者にライセンスすること
を限られた情況で要求する権利を有する。
スに関し、より詳しくは、半導体装置製作応用における
優れたプロセス・パラメータ制御のための多ゾーン・プ
ラズマ処理方法に関する。
技術を用いて半導体装置を製作する。応用範囲の広い
(例えば堆積、エッチング、クリーニング、アニーリン
グ)1つの方法は、「プラズマ援助」または「プラズマ
強化」処理と呼ばれる。
高周波(例えば13.56MHz)放電により生成され
るイオン化ガスが活性化した準安定の中性およびイオン
化ガスを発生し、これが化学的または物理的に反応し
て、製作反応器内で半導体基板上に薄い材料層を堆積
し、または材料層をエッチングする。
の各種の応用に含まれるのは、例えばポリシリコン、金
属、酸化物、窒化物、ポリイミドの薄膜の高速反応イオ
ン・エッチング(RIE)や、ホトレジスト層の乾式現
像や、誘電体、シリコン、アルミニウム、銅、その他の
材料のプラズマ強化化学気相堆積(PECVD)や、バ
イアスしたスパッタリングなどのプロセスを含むプレー
ナ化したレベル間誘電体形成や、低温エピタキシャル半
導体成長プロセスなどである。
またはローカル発生のプラズマを用いてよい。リモート
・プラズマ媒体は、プラズマ発生エネルギー源が処理室
の外で生成するプラズマである。プラズマはリモート・
プラズマ源から反応器の処理室に導かれ、半導体ウエー
ハと作用して所望の装置製作プロセスを行なう。
電電極がプラズマを発生できるプロセスガス媒体から処
理室内で形成するプラズマである。エッチングおよび堆
積用のプラズマ処理装置の従来の設計は、通常13.5
6MHz電源や2.5GHzマイクロウエーブ源やこれ
らのエネルギー源の組み合わせを用いる。
無線周波数電源を、ウエーハ・サセプタまたはチャック
と呼ぶ導電性のウエーハ保持装置に電気的に接続する。
無線周波数エネルギー源により、チャックおよびウエー
ハはウエーハの表面近くに無線周波数のプラズマを生成
する。プラズマは半導体ウエーハの表面と作用する。
クに対向しまたは平行にシャワーヘッド組立体があり、
プラズマ発生ガスを反応器室内に注入する。チャックと
シャワーヘッドの表面が平行であるため、これは平行面
構成と呼ばれる。一般にシャワーヘッドは電気接地に接
続する。
立体をプラズマを発生する無線周波数電源に接続し、チ
ャックおよび半導体ウエーハを電気接地に接続してよい
(すなわち、反応器の金属壁と同じポテンシャルにする
ために)。また別の構成では、ローカルおよびリモート
・プラズマの組み合わせを用いてよい。これらの既知の
構成では、すべてプラズマ・プロセスの柔軟性と能力を
制限する厳しい制約がある。
を用いる方法は、その場で行なわれる室クリーニングの
効率が低く、またプロセス制御の柔軟性が余り望ましく
ないという制約がある。詳しくいうと平行板構成では、
プラズマ・プロセスの均一性やイオン衝突エネルギーの
制御や調整をうまく行なうことができない。
均一性を十分に制御することができない。例えば、堆積
膜のストレスのプラズマ・プロセス・パラメータを変化
させると、堆積速度や均一性に悪い影響を与える。また
その逆もある。更にこの型のシステムでは、エッチング
速度、エッチング選択性、またはプラズマ強化RIEプ
ロセスの非等方性を柔軟に制御することができない。
その場で行なわれる室クリーニングの効率を高め、プラ
ズマ強化製作プロセスを適切に制御できるようなプラズ
マ製作プロセスが必要である。
御を行なうことのできる、プラズマ強化装置の製作のた
めの方法および装置が必要である。詳しくいうと、プラ
ズマ処理の均一性とプラズマの分布の制御や調整を改善
するプラズマ強化装置製作の方法とシステムが必要であ
る。
十分にかつ柔軟に制御できるようなプラズマ製作の方法
および装置が必要である。
やプラズマ強化エッチング・プロセスの非等方性を独立
に制御できる方法およびシステムが必要である。
体ウエーハの堆積またはエッチング・プロセス中または
後に、プラズマ処理およびその場での製作反応器処理室
のクリーニングを柔軟に行なうことができ、また従来の
プラズマ処理の方法およびシステムに付随する欠点また
は制約を克服しまたは減少するような、多ゾーン・プラ
ズマ処理方法を提供する。
理方法であって、プラズマ堆積またはエッチングガスを
製作反応器処理室に、断続すなわち時分割多重モードで
流す段階を含む。更にこの方法は、プラズマ・クリーニ
ングガス(またはガス混合)を処理室に断続すなわち時
分割多重モードで流すことを含む。
スを処理室に流すときはその場で行なわれるプラズマ・
クリーニング用のガスは流さず、またはその逆を行なう
ということである。プラズマ堆積またはエッチングガス
を流している間、第1プラズマ電極(またはプラズマ電
極の組み合わせ)は活性化して処理室内にプロセス・プ
ラズマを発生する。
堆積プロセスが行なわれる。その場で行なわれるプラズ
マ・クリーニング用のガスを処理室に流すときは、効果
的なその場でのクリーニングを行なうために、この方法
はプラズマ電極の予め指定した組み合わせの1つまたは
複数の無線周波数電源に電気的に接続する。
ッチングおよびその場でのプラズマ・クリーニングが時
分割多重すなわち断続モードで行なわれ、プロセスの均
一性や繰返し性やプラズマ・プロセス・パラメータ制御
の柔軟性を実質的に高める。
グ・プロセスの各種の可能な方法を提供する。均一な処
理と効果的なその場でのクリーニングを行なうための所
定のプロセス中に、1つまたは複数の電極の電気的接続
構成を行なうことができる。
室内で、その場で行なわれる室クリーニングとプラズマ
・プロセスの均一性および再現性とを共に著しく促進す
ることである。例えばこの発明により、その場での室ク
リーニングとプラズマ・エッチングまたは堆積プロセス
を間欠的に行なうことができる。
セスは、ハイブリッドのリモートおよびローカル・プラ
ズマ処理、無線周波数マグネトロンおよび無線周波数非
マグネトロンの混合プラズマ処理、多ゾーン多周波数プ
ラズマ処理を含む。
ズマ・プロセス・パラメータの実時間制御能力を増すこ
とである。これらのパラメータには、プラズマ・プロセ
スの均一性、プラズマ強化化学気相堆積で起こるような
膜のストレス、プラズマ・エッチング処理中の側壁角す
なわち非等方性の制御の等級などが含まれる。
ッチング)およびその場でのプラズマ・クリーニング・
サイクルを非分割多重で行なうプラズマ・プロセスにも
用いることができる。更にこの発明は、プロセスおよび
装置のクリーニング・パラメータを最適化するために、
プラズマ電極接続を実時間で操作することができる。
に接続することは実時間で制御できるので、主室壁の効
果的なその場でのクリーニングとエッチングまたは堆積
プロセスを断続または連続モードで均一にかつ繰り返し
行なうことができる。
るとよく理解される。各図の同じおよび対応する部分に
は同じ番号を用いる。
助装置の製作が可能になるが、望ましい実施態様の多電
極構成を用いれば多ウエーハ製作も行なうことができ
る。化学気相堆積(CVD)やエッチングなどのプロセ
スは、処理室の各部および内面に副成物や堆積を残し勝
ちである。
って生じる1つの問題は、プロセスの均一性や再現性や
粒子汚染への悪影響である。従来のプラズマ処理では、
クリーニング・プロセス・パラメータ制御の高度の柔軟
性を持って、その場で室のクリーニングを行なうことが
できない。
マの均一性の制御とプラズマのパラメータ調整とがハー
ドウエアおよびプロセスの能力、プラズマプロセッサの
能力と機能を増すように柔軟に実時間で行なうことがで
きない。
ッチング・プロセス中または後で効果的なその場での室
のクリーニングを行なうことができれば極めて都合がよ
い。望ましい実施態様は、このような効果的な本来のク
リーニング・プロセスと、優れたプラズマ処理能力を持
つ。
は、13.56MHz電源が2枚の平行板の間にプラズ
マ放電を発生する。一方の板は、一般に半導体ウエーハ
を保持する無線周波数チャックである。他方は、プラズ
マ生成ガスを処理室へ送る金属シャワーヘッド組立体で
ある。
チャックに通電し、シャワーヘッド組立体を電気接地に
接続する。また別の設計では、シャワーヘッド組立体に
通電し、チャックを接地する。これらの設計が持つ制約
は、効果的なその場での室のクリーニングを行なうこと
ができないことと、プラズマ・プロセスの均一性の制御
が一般に非効率であるかまたはできないということであ
る。
ない主な理由は、プラズマ処理中の各種のパラメータが
相互に関係があるためと、プロセス制御パラメータに柔
軟性がないためである。例えば従来のシステムでは、プ
ラズマ・プロセスの均一性を調整する唯一の方法は、R
F電力やガスの流量や圧力などプラズマに影響を与える
プロセス・パラメータを変えることである。
積やエッチング速度やプラズマによって起こる損傷など
の他のプロセス・パラメータに悪い影響を与える可能性
がある。この発明では、他の重要なプラズマ・プロセス
・パラメータに悪い影響を与えずにプラズマ・プロセス
の均一性を柔軟に調整することができる。
室のクリーニングと柔軟な制御ができるので、プロセス
の再現性と均一性が増し、同時にプロセスの清潔さが増
す。
れらの目的をどのようにして達成するかを説明する。
分的に切り欠いた略図で、処理室蓋14の上にはマグネ
トロン・モジュール12も含まれる。処理室蓋14はウ
エーハ温度を検知するための熱電対接続16、20など
のコネクタ用貫通穴をいくつか備える。
ーハ22の温度を検知することができる。処理室蓋14
を貫通してチャック24に向かう他の貫通穴は、チャッ
ク電極線26(以下に電極線E3 と記す)と、冷媒の入
口28と出口30を含む。
Moslehi)により1990年8月10日に出願され、テキ
サス・インスツルメント社に譲渡された米国特許出願番
号07/565,765には、チャック24が更に詳細
に記述されているので、参照文献としてここに引用す
る。
領域34で接合する。また蓋14は、接触シール40で
プラズマ室継ぎ輪(collar)38に乗っている支持体36
を含む。また支持体36は、囲いモジュール44を支持
してチャック24を保持する棚42を含む。
ハ22と接触する。熱容量の低いピン48、50は半導
体ウエーハ22を支えてチャック24と接触させる。熱
容量の低いピン 48、50は、シャワーヘッド注入器
54を含むシャワーヘッド組立体52で支持されてい
る。
マ生成ガスはガス通路60を通り、更に穿孔板56を通
って、シャワーヘッド注入器54に流入することができ
る。更にリモート発生プラズマはプラズマ発生モジュー
ル(図示せず)から処理環境62に入り、処理を更に活
性化する。
すなわちスクリーン66がシャワーヘッド組立体52を
囲む。穿孔された円筒形電極すなわちスクリーン66
は、絶縁基体部68と導電スクリーン部70を含む。更
に多極永久磁石モジュール72を用いて室継ぎ輪38を
囲み、処理環境62内のマグネトロンを強化してもよ
い。
66を含むプラズマ処理環境のハードウエア構成は、無
線周波数エネルギー源または電気接地に接続する3本の
電極線を含む。これらは、穿孔された円筒形電極すなわ
ちスクリーン66への番号74で示す電極線E1 と、シ
ャワーヘッド組立体52への番号76で示す電極線E 2
と、チャック24に接続する、以前番号26で示した電
極線E3 とを含む。
示す詳細図で、テキサス・インスツルメント自動真空プ
ロセッサ(AVP)などの単一ウエーハ製作反応器プラ
ズマ処理室内の実際の設計を示す。図2の番号で示す要
素は、図1に説明した要素と同じ働きをし、相互接続を
する。
筒形すなわちスクリーン電極66を更に詳細に示す。円
筒形電極すなわちスクリーン66は、テフロンやセラミ
ック材料などの電気絶縁材料で製作した基体68と、表
面を陽極酸化したアルミニウムなどの導電材料で製作し
た上部すなわちスクリーン70を含む。
孔すなわち通路があり、プラズマは処理室壁に入って効
果的な本来のクリーニングを行なうことができる。
シャワーヘッド52を囲む程度に大きく、かつプラズマ
処理室継ぎ輪38の直径内に収まる程度に小さくなけれ
ばならない。絶縁(テフロン)基体68はスクリーン電
極70を支持できるだけの強さがなければならず、プラ
ズマ処理室10内の他の電極導電要素からスクリーン電
極70を電気的に絶縁できる絶縁材料でなければならな
い。
立体52とプラズマ・チャック24との間のプラズマ処
理環境62の高さを完全に覆う高さを持つ穿孔された円
筒である。電極線E1 74は絶縁基体68を貫通して、
スクリーン電極70を無線周波数電源または電気接地に
接続する。
リーン電極70はウエーハ処理およびその場で行なわれ
る室のクリーニングのためのプラズマ発生の各種のモー
ドに重要な働きをする。
70に、E2 76をシャワーヘッド52に、E3 26を
チャック24に接続した多電極/多周波数電気接続を示
す。望ましい実施態様には他の周波数源を用いてもよい
が、図4の電気回路図により基本的な概念を示すことが
できる。
転可能なコネクタ84を含み、コネクタ84は浮遊線接
点86、高周波(すなわち13.56MHzのRF源)
接点88、低周波(すなわち100kHz源)接点9
0、電気接地接点92に係合できる。
ード線94に接続し、スクリーン70は外部と電気的に
接続しないので、処理室10内のプラズマに与える影響
は最小である。接点88は、電極線E1 74を高周波R
Fチューナー96に接続する。高周波RFチューナー9
6は制御入力98を受け、電源100から13.56M
Hz電力信号を伝送する。
0は13.56MHzプラズマを発生する。接点90は
線102を通してE1 74を低周波RFチューナー10
4に接続する。低周波RFチューナー104は制御入力
106と100kHz電力入力108を受ける。
04に接続することにより、円筒形スクリーン電極70
は処理室10内に100kHzプラズマを発生する。接
点92は電極線E1 74を電気接地110に接続し、円
筒形電極66に近接するプラズマエネルギーを接地す
る。
線E2 76用のスイッチ112と、チャック24につな
がる電極線E3 26用のスイッチ114も、スイッチ8
2と同様に接続する。
な接点116は、電極線E2 76を接点118を通して
電気接地110に、接点120を通して低周波チューナ
ー104に、接点124を通して高周波チューナー12
2に、接点128を通して浮遊線126に接続する。高
周波チューナー122は、本質的に高周波チューナー9
6と同じ動作をし、制御入力130と13.56MHz
電力入力132とを含む。
34を含み、低周波RFチューナー104からの低周波
RFエネルギーのための接点136と、高周波RFチュ
ーナー122からの入力のための接点138と、接点1
42を通して接地140への接続と、接点144を通し
て浮遊線146への接続とを行なう。
により、多ゾーン・プラズマ処理が実質的に柔軟にな
り、また可能になる。2つの高周波源100、132と
100kHz低周波RF源108とを用いることによ
り、プラズマ処理およびその場で行なわれるクリーニン
グの多くの組み合わせができる。
遊リード線、高周波RF源、低周波RF源、接地に、選
択的に接続してよい。以下に、望ましい実施態様の多電
極構成により実施できるプロセスの各種の接続を説明す
る。
択スイッチ84により接点86に接続して浮遊線94に
接続する。電極線E2 76をスイッチ116により接点
118で接地110に、また電極線E3 26をスイッチ
134により接点138を経由して高周波RFチューナ
ー122に接続する。
VD)の従来のモードで、浮遊電極線E1 により円筒形
スクリーン電極E1 の処理室10内での影響は最小にな
る。
88に回転して電極線E1 を高周波RFチューナー96
に、スイッチ116を接点118に回転して電極線E2
を接地に、スイッチ134を接点138に回転して電極
線E3 を高周波RFチューナー122に接続する。この
接続により、処理室10内で2重ゾーン・プラズマ処理
ができる。
6および電極線E3 からのチャック24の無線周波数電
力は、プラズマ・プロセスの均一性が最適になりおよび
/または膜のストレスが最小になるように調整する。こ
のプロセスは、図9に示す別の実施態様のガスシャワー
ヘッド184などのように2つより大きいプラズマゾー
ンで実施してよい。
RFチューナー104に、電極線E 2 を接地に、電極線
E3 を高周波RFチューナー122に接続する。この場
合は、円筒形スクリーン電極66は低周波プラズマを生
成する100kHz電力を受け、無線周波数チャック2
4は13.56MHz電力信号を受けて均一性および/
またはストレスを調節することによりPECVD処理を
強化する。
ーン電極66は処理室10内全体に拡散する濃い100
kHzプラズマを発生する。チャック24のRF周波数
は、ウエーハに衝突するイオンエネルギーを調節する。
つまり、イオンエネルギーを調整することによって層の
ストレスを制御することができる。
より堆積やエッチング速度を独立に制御し、またチャッ
ク24が受ける電力により層のストレスおよび/または
プロセスの均一性を制御することができる。
地に、電極線E2 76を高周波RFチューナー122
に、電極線E3 を接地に接続する。これにより、ウエー
ハ上のイオン・エネルギーを減少して堆積またはエッチ
ングを行なうことのできるプラズマ・プロセス環境を作
る。
シャワーヘッド組立体52に与え、また円筒形スクリー
ン電極66とチャック24は接地されるので、イオン・
エネルギーは減少し、従ってウエーハ22の表面へのイ
オンの衝突は柔らかくなる。
周波RFチューナー96に、電極線E2 76を接地に、
電極線E3 26を低周波RFチューナー104に接続す
る。このPECVDプロセスでは、円筒形スクリーン電
極66がプロセス・プラズマを発生し、チャック24が
イオン・エネルギーと発生した層のストレスを制御す
る。
様であるが、プロセス方法3では円筒形スクリーン電極
66が100kHz信号プラズマを受け、RFチャック
24が13.56MHz信号を受けてPECVD処理を
強化しストレスを制御する点が異なる。このプロセス方
法5は本質的にプロセス方法3の接続を逆にしたもので
ある。
へのイオンの衝突を増加する低周波出力を生成する。プ
ラズマ・プロセスによっては、強化したイオン衝突の方
がむしろ望ましい。この場合には、プロセス方法5の方
がプロセス方法3より望ましい。
RFチューナー96に、電極線E276を接地に、電極
線E3 26を浮遊状態にする。これにより円筒形スクリ
ーン電極66はRFメガトロン・プラズマを発生する。
このプロセスでは、ほとんどイオンエネルギーを持たな
いリモート・マイクロウエーブ・プラズマを半導体ウエ
ーハ22に向けてよい。
地に、電極線E2 76を低周波RFチューナー104
に、電極線E3 26を高周波RFチューナー122に接
続する。この方法のPECVD処理は、シャワーヘッド
組立体52および円筒形スクリーン電極66に連続的イ
オン衝突効果を与える。シャワーヘッド組立体52およ
び電極66へのイオン衝突が最小なので、このプロセス
は処理室の堆積を妨げるのに役に立つ。
地に、電極線E2 76を浮遊線126に、電極線E3 を
高周波RFチューナー122に接続する。この方法のP
ECVDプロセスでは、プラズマ・プロセスの均一性と
イオン・エネルギーを変えることができる。
望ましい実施態様がプラズマ強化半導体装置製作中にプ
ラズマ・プロセスの均一性と速度制御と層のストレス制
御を最適にする著しい柔軟性を与えることを示す。
6からそれぞれスイッチ82、112、114を通して
接地や浮遊や電源に実時間で接続できるので、プロセス
・パラメータ制御の一層の柔軟性が得られる。
他のウエーハ製作プロセスに柔軟性が得られるだけでな
く、この望ましい実施態様はその場で行なわれる室のク
リーニングの柔軟性を著しく増す。詳しくいうと、望ま
しい実施態様により、ウエーハのエッチングおよび堆積
プロセスと共に実時間の効果的なその場での室のクリー
ニングができる。
その場で行なわれるクリーニングは、二酸化珪素や窒化
珪素やアモルファス珪素の堆積などの各PECVDプロ
セスの後に行なってよく、処理室10の内表面の残存堆
積物を全て除去する。シャワーヘッド組立体52および
室継ぎ輪38が、除去を必要とする残存堆積物または汚
染を保持する。
リーニング剤はアルゴンとCF4 、アルゴンとNF3 、
アルゴンとSF6 の組み合わせなどのプラズマを含んで
よい。望ましい実施態様におけるその場で行なわれるク
リーニングの各種の方法は、以下の電極接続を用いてよ
い。
1 74を接地に、電極線E2 76を低周波RFチューナ
ー104に、電極線E3 26を接地に接続する。この構
成により、プラズマが発生してシャワーヘッド組立体5
2の表面に高エネルギーのエッチング・イオンが衝突し
て、シャワーヘッド組立体52をクリーニングする。
1 74を低周波RFチューナー104に、電極線E2 7
6および電極線E3 26を接地に接続する。この接続に
より、スクリーン電極66を経て処理室10内の処理室
継ぎ輪38をクリーニングするプラズマ環境が得られ
る。
1 74とE2 76を接地に、電極線E3 26を低周波R
Fチューナー104に接続する。この接続により、RF
チャック24に残存堆積物があれば全てクリーニングす
る。
1 74を接地に、電極線E2 76を低周波RFチューナ
ー104に、電極線E3 を高周波RFチューナー122
に接続する。この構成により、シャワーヘッド組立体5
2をクリーニングするプラズマ・エネルギーが強化され
る。
で用いられるマグネトロン永久磁石組立体72の側面図
および頂面図を示す。マグネトロン永久磁石組立体72
の高さ150は、処理室10内のプロセス環境62の高
さを十分覆う高さである。
外径152は、組立体72が反応器の容器壁32内に収
まる程度に小さく、その内径154は2つの磁石例えば
磁石158と159の幅156を加えても永久磁石組立
体72が処理室継ぎ輪38の周りに容易にはまる程度に
大きい。
施態様における磁石例えば磁石158は放射状に30゜
離して設けられ、北極と南極がマグネトロンの外壁16
0に交互に接触する。すなわち、例えば磁石158の北
極が壁160に接触しその南極がマグネトロン72の内
部に向いていれば、磁石158に隣接する磁石162の
南極は外壁160に接触しその北極はマグネトロン72
の中心に向いている。
8と162を30゜離し、北極と南極を交互に外壁16
0に接触させることにより、外壁160の内径に沿って
磁石を12個設けることができる。
い実施態様で用いてよい、別のマグネトロン永久磁石組
立体164の側面図と頂面図である。図7においては、
磁石例えば磁石166は垂直方向に設けられ、北極(ま
たは南極)168は壁169の上部にあり、南極(また
は北極)170は壁169の底部にあってこのマグネト
ロン永久磁石組立体164の基体172に接触する。
べた図5と図6のマグネトロン組立体72と同様に空間
的に制限される。従ってその外径174は反応器の容器
壁32内に収まる程度に小さくなければならず、その内
径176は処理室継ぎ輪38の周りにはまる程度に大き
くなければならない。
南極が交互になっていたのとは異なり、マグネトロン1
64では全ての磁石は垂直に同じ方向に磁化されてい
る。また磁石例えば磁石166の北極168にまたはそ
の上には柔らかい鉄輪178があり、磁石166から磁
界が伝播しないように制限する。
7と図8のマグネトロン組立体164との一般的な違い
は、それぞれの方向づけによって生じる磁束分布であ
る。例えば、図5と図6のマグネトロン組立体72は処
理室継ぎ輪38の内部に多極磁界を形成する。
164の垂直に方向づけられた磁石が作る上端から下端
への磁束分布を示す。マグネトロン永久磁石組立体72
または164を使うと望ましい実施態様のスクリーン電
極プラズマ濃度は強化されるが、この発明の本質的な目
的からすると、これらを使うかどうかは任意である。
シャワーヘッド電極ゾーンを作るシャワーヘッド組立体
52の別の構成を示す。図9において、別のシャワーヘ
ッド組立体184は同心円状のプラズマ電極輪、例えば
外部同心輪186、中央同心輪188、内部ディスク1
90を含み、それぞれ外部シャワーヘッド電極線E2′
192、中央電極線E3 ′194、内部電極線E4 ′1
96に接続する。
8、190を分離するのは、マコル(macor) 、テフロ
ン、セラミック、その他の電気絶縁材料で製作した絶縁
材料198と200である。
接続186、188、190の他にスクリーン電極66
とチャック24があることに注意していただきたい。多
ゾーン・プラズマ処理用のプラズマ電極は全部で5つあ
る。シャワーヘッド電極への相対的な無線周波数電力を
調整すれば、プラズマ・プロセスの均一性を最適にする
ことができる。
施態様を用いて、クリーニングおよびPECVD処理を
実時間で時分割多重化する動作を示す。例えば線202
は、t0 でゼロレベル204で始まるジエチルシラン
(DES)ガスの流量を表わす。時刻t1 で、流量は増
加して流量高レベル206になる。また線208は、時
刻t0 で高レベル210で始まるNF3 クリーニングガ
スの流量を表わす。
ロ)レベル212に落ちる。所定の時間DESガスが流
れた後、時刻t2 でDESガスの流量は低すなわちゼロ
レベル204に再び落ち、NF3 クリーニングガスは高
レベル210に戻る。この時点で室クリーニング・プロ
セスが始まり、時刻t3 でクリーニングガスNF3 の流
量が低またはゼロレベル212に下がり、DESは高レ
ベル206に戻る。
Fチャック24への電極線E3 を高周波RFチューナー
122に接続し、シャワーヘッド52への電極線E2 7
6を低周波RFチューナー104に接続し、円筒形スク
リーン電極66への電極線E 1 を接地110に接続して
いる間である。
で、TEOSまたはDESと酸素とアルゴンの組み合わ
せと共に、NF3 と酸素とアルゴンを組み合わせたクリ
ーニングガスを用いて時分割多重化または断続モードで
PECVD二酸化珪素堆積を行なう例を示す。
TEOSガスの流量を表わし、線216はアルゴンガス
の流量を表わし、線218は酸素の流量を表わし、線2
20はNF3 ガスの流量を表わす。線222は処理ガス
が流れた結果生じる処理室10内の全圧力を表わす。ガ
ス流量が変化するのに対応して、線224、226、2
28はそれぞれ電極線E3 、E2 、E1 への無線周波数
信号の変化を示す。
レベル230から高レベル232に上がり、アルゴンガ
スはゼロレベル233から高レベル234に上がり、酸
素ガス流量はゼロレベル235から高レベル236に上
がり、NF3 ガスレベルは変わらずにゼロレベル238
のままである。処理室10にガスが流れると、処理室圧
力を示す圧力線222はレベル240に上がる。
して述べると、RFチャック24への電極線E3 はレベ
ル242で表わす13.56MHz信号を受け、シャワ
ーヘッド52への電極線E2 は接地に接続し、電極線E
1 はレベル246で表わすように高周波RFチューナー
96からの13.56MHz信号を受ける。この例示の
プロセスのこの段階中、処理室10の環境62内にある
ウエーハ表面22には二酸化珪素が堆積してよい。
パラメータが変化する。DES流量はゼロレベル230
に戻り、電極線E3 は接地に接続して信号はゼロレベル
248に落ち、電極線E1 は接地に接続してゼロレベル
250へ落ちる。ガス流量が変化すると、圧力線222
は一時的に小さな圧力低下252を示した後、急速に以
前の圧力レベル 240に戻る(閉回路圧力制御器によ
り)。
10内でクリーニングが始まる。NF3 ガス流量は低す
なわちゼロレベル238から高レベル254に上がる。
円筒形スクリーン電極66への電極線E1 は、低周波R
Fチューナー104から100kHz信号を受ける。線
228がレベル246へ上がったのはこの変化を表わ
す。この時、処理室10内の圧力はレベル258への増
加で示す小さな増加または上昇を示した後、急速に定常
レベル240に戻る。
の100kHz信号、電極E1 の電力がゼロレベルに戻
ると、クリーニングは終わる。この時、圧力は一時的に
レベル252に落ちた後、レベル240に戻る。
ルが始まる。このプロセスでは、DESガス線214は
ゼロレベル230から高レベル232に上がり、電極線
E3は高周波RFチューナー122に接続し、電極線E
1 は高周波RFチューナー96に接続する。他のプロセ
ス・パラメータは全て変わらない。ガス流量のこの変化
により、圧力は一時的に上昇258を示す。
電極線E3 とE1 が接地に接続して13.56MHz信
号が止まるとこの第2堆積は終わる。圧力は再び低レベ
ル252に落ちた後、定常状態レベル240に戻る。
38から高レベル254に上がり、電極線E2 が低周波
RFチューナー104からの100kHz信号に接続す
ると、第2クリーニング処理サイクルが始まる。時刻t
7 で、NF3 ガス流量がゼロレベル238に戻り、電極
線E2 電圧が接地110に戻ると、このその場で行なわ
れるクリーニング処理は終わる。NF3 ガスのれが止ま
ると、処理室10内の圧力は一時的にレベル252に落
ちる。
が始まる。この第3堆積プロセスは、DESガスがレベ
ル232に上がり、電極線E3 が高周波RFチューナー
122に接続して13.56MHz信号を受け、電極線
E1 が高周波RFチューナー96に接続して同じく1
3.56MHz信号を受けると始まる。
時的にレベル258に上がる。この第3堆積プロセスが
続いて時刻t9 になると、DESガス流量はゼロレベル
230に戻り、電極線E3 は接地レベル248に戻り、
電極線E1 は接地レベル250に戻る。この変化も、一
時的な圧力低下252を起こす。
4に上がり、電極線E1 が低周波RFチューナー104
に接続して100kHz信号を受けると、第3のその場
で行なわれるクリーニング・プロセスが処理室10内で
起こる。一時的な圧力上昇258が起こるので、プラズ
マガスの流量が変化したことが分かる。時刻t11で、N
F3 ガスが低レベル238に戻り、電極線E1 が接地ポ
テンシャル250に戻ると、クリーニング・プロセスは
終わる。時刻t11での圧力低下252は、NF 3 ガスの
流量のこの変化の結果である。
2になり、電極線E3 が高周波RFチューナー122か
ら13.56MHz信号を受け、電極線E1 が高周波R
Fチューナー96から13.56MHz信号を受ける
と、第4で最終の堆積プロセス・サイクルが始まる。こ
のプロセス・サイクルは時刻t13で終わる。時刻t13で
は、PECVD二酸化珪素堆積もクリーニング処理も終
わる。
り、アルゴンガス流量216はレベル233に落ち、酸
素ガス流量218はレベル235に落ち、NF3 ガス流
量はレベル238のままであり、圧力はプロセス前の真
空レベル239に落ち、電極E 3 (線224)は接地ポ
テンシャル248に落ち、電極E2 は接地レベル244
を保ち、電極E1 線ポテンシャルは接地レベル250に
落ちる。
述べたプロセスは、時分割多重化PECVDプロセスと
多電極プラズマ・プロセスによるその場で行なわれるク
リーニングの例を示す。
しい実施態様を用いて得られる150mmウエーハ上の
結果を示す。詳しくいうと図12と図13は、2つの異
なるプロセス・パラメータの組を用いて生じたプロセス
のPECVD・DES酸化物堆積の均一性を測定した例
を示す。図12は、500標準cm3 /分(SCCM)
のアルゴンと、100SCCMの酸素と、25SCCM
のDESを400Pa(3Torr)の圧力でプラズマ
処理室内に流した結果を示す。
経て接地に接続し、シャワーヘッド電極52は電極線E
2 を経て低周波RFチューナー104から10ワットの
100kHz信号を受け、無線周波数チャック24は電
極線E3 を経て高周波RFチューナー122などからの
50ワットの13.56MHz電力に接続する。次の表
は、図12に示すウエーハの測定結果に表われる統計的
変動を示す。
ンと、100SCCMの酸素と、25SCCMのDES
ガス流量を用いて133.3Pa(1Torr)の圧力
で行なったPECVDプロセスの後に得た測定値を示
す。図13のプロセスでは、円筒形スクリーン電極66
は浮遊状態であり、RFチャック24はRFチューナー
122から50ワットの13.56MHz信号を受け、
シャワーヘッド電極52は接地に接続する。表IIはこ
のプロセスで得られた統計的結果を示す。
つの異なる圧力で、多ゾーン、多電極プラズマ・プロセ
スを用いて得られた堆積速度の例示的結果をオングスト
ローム/分で示す。表に示すように、PECVDプロセ
ス圧力が高いほど堆積速度も高くなる。
の多ゾーン・プラズマ処理装置を用いて得られるPEC
VD酸化物の厚さの均一性制御を示す。図14のプロセ
スは、500SCCMのアルゴンと、100SCCMの
酸素と、25SCCMのDESを400 Pa(3To
rr)の圧力で用いたものである。
し、シャワーヘッド組立体52は接地に接続し、RFチ
ャック24は50ワットの13.56MHz電源を受け
る。表IVはこのプロセスの統計的結果を示す。
ンと、100SCCMの酸素と、25SCCMのDES
を400Pa(3Torr)の圧力で用いたプロセスの
結果を示す。電極線E1 74はRFチューナー104な
どの15ワットの100kHz低周波電源に接続し、電
極線E2 76は接地に接続し、電極線E3 26はRFチ
ューナー122などから50ワットの13.56MHz
電源を受ける。表Vは、この処理の統計的結果を示す。
発生を用いたPECVDプロセスを行なうと、表IVの
単一ゾーン・プラズマ堆積プロセスに比べて酸化物の厚
さの均一性が改善される。多電極プラズマ構成により、
全体のプロセスの均一性を最適にするための相対的なゾ
ーン・プラズマ濃度の調整ができる。PECVD処理は
全て約400゜Cで行なわれたことに注意していただき
たい。
ーン・プラズマ処理方法および装置によって得られる装
置の電気的結果を示す。詳しくいうと図16は、望まし
い実施態様においてPECVD酸化物ゲート誘電体を備
えたアルミニウム・ゲート金属酸化物半導体(MOS)
コンデンサの電気絶縁破壊の測定値を示す。図16にお
いて、縦軸300には0%から100%までの百分率絶
縁破壊を示す。
界の測定値をメガボルト/cm単位で0MV/cmから
14MV/cmの範囲で示す。この例のコンデンサのプ
ロセス要件仕様は、平均絶縁破壊が4MV/cmより上
でなければならないということである。図16に示すよ
うに、133.3Pa(1Torr)の圧力で形成した
コンデンサの絶縁破壊電界は、一般に6から10MV/
cmの範囲である。
成したコンデンサの絶縁破壊電界は、約4から7MV/
cmの間である。一般に全ての絶縁破壊は、4MV/c
mという要件より上で起こっている。これらの結果か
ら、望ましい実施態様の方法および装置から得られるP
ECVD酸化物層の電気的品質は基準を満たすことを示
す。
連して説明したが、この説明は制限的な意味に解釈して
はならない。開示した実施態様の各種の変形やこの発明
の別の実施態様が可能なことは、この説明を読めば、こ
の技術に精通した人には明かである。従って特許請求の
範囲は、この発明の真の範囲に含まれる各種の変形を含
むものと見なす。
る。 (1) プラズマ堆積またはエッチング・プロセス中
に、均一なプラズマ処理と効果的なその場での製作反応
器処理室のクリーニングを行なうための多ゾーン、多電
極プラズマ処理方法であって、プラズマ・プロセスガス
を前記処理室に流し、前記プラズマ・プロセスガス流の
前記流れの間に、前記プラズマ・プロセスガスからプロ
セス・プラズマを発生して半導体ウエーハ上にプラズマ
強化プロセスを行なうためにプラズマ電極を活性化し、
前記処理室内にその場で行なわれるクリーニング用のガ
スを流し、前記クリーニングガスの前記流れの間に、前
記クリーニングガスからクリーニング・プラズマを発生
してその場でのプラズマ援助室クリーニング・プロセス
を行なうためにプラズマ電極を活性化する、段階を含む
プラズマ処理方法。
の場で行なわれるプラズマ援助室クリーニング段階は、
連続的にかつ順次に行なわれる、第1項記載の方法。 (3) 前記プラズマ・プロセスおよびその場で行なわ
れるプラズマ援助室クリーニング段階は時分割多重形式
で行なわれる、第1項記載の方法。 (4) 前記プラズマ強化プロセス中に行なわれる前記
半導体ウエーハに近接する前記プロセス・プラズマ密度
を制御するための前記プラズマ電極活性化段階を可変制
御する段階を更に含み、前記プロセス・プラズマ濃度調
節はプラズマ・プロセス・パラメータを柔軟に調整する
ことができる、第1項記載の方法。
援助室クリーニング・プロセス段階中に行なわれる前記
露出した処理室壁に近接する前記クリーニング・プラズ
マ密度を制御するための前記プラズマ電極活性化を可変
制御する段階を更に含み、前記クリーニング・プラズマ
濃度調節は処理室壁を柔軟にクリーニングすることがで
きる、第1項記載の方法。 (6) 前記半導体ウエーハに近接するプロセス・プラ
ズマ濃度および均一性を制御するための多重プラズマ電
極を適切に配列する段階を更に含み、前記制御はプラズ
マ・プロセス・パラメータを柔軟に最適化することがで
きる、第1項記載の方法。
ング・プラズマ密度および分布を制御するための多重プ
ラズマ電極を所定の構成にする段階を更に含み、前記制
御は処理室壁のその場でのクリーニングを柔軟に行なう
ことができる、第1項記載の方法。 (8) 複数の非プラズマ・プロセスガスを処理室に流
して前記プラズマガスまたは前記クリーニングガスと混
合する段階を更に含む、第1項記載の方法。 (9) 第1プラズマ電極としてチャックを用いる段階
を更に含む、第1項記載の方法。
ャワーヘッドを用いる段階を更に含む、第1項記載の方
法。 (11) 第3プラズマ電極として周辺スクリーンを用
いる段階を更に含む、第1項記載の方法。 (12) 前記周辺スクリーン第3電極は円筒形の穿孔
された電極である、第11項記載の方法。
一なプラズマ処理とその場での製作反応器処理室壁のク
リーニングを行なうためのシステムであって、プラズマ
・プロセスガスから堆積プロセス・プラズマを発生する
ための第1プラズマ電極と、その場で行なわれるクリー
ニング用のガスからクリーニング・プロセス・プラズマ
を発生するための第2プラズマ電極と、前記プラズマ・
プロセスガスと前記その場で行なわれるクリーニング用
のガスを断続モードで前記処理室に選択的に流すための
制御可能なガス流れ装置と、前記プラズマ・プロセス堆
積ガスが流れ始めると前記第1プラズマ電極を活性化し
て、前記プラズマ・プロセスガスからプラズマを発生す
るための第1回路と、前記その場で行なわれるクリーニ
ング用のガスが流れ始めると前記第2プラズマ電極を活
性化して、前記プラズマ・クリーニングガスを用いてそ
の場でのプラズマ援助室クリーニングを行なうための第
2回路と、を含むシステム。
ズマ電極を連続的にかつ順次に活性化する、第13項記
載のシステム。 (15) 前記第2回路は、前記第2プラズマ電極を連
続的にかつ順次に活性化する、第13項記載のシステ
ム。 (16) 前記第1プラズマ電極を可変制御して前記半
導体ウエーハに近接する前記プロセス・プラズマ濃度を
可変制御するための回路を更に含み、前記第1プラズマ
電極に関連する前記プロセス・プラズマ濃度制御回路
は、プラズマ・プロセス・パラメータの調整を十分柔軟
に行なうことのできる柔軟なプラズマ濃度制御を行な
う、第13項記載のシステム。
助室クリーニング・プロセス中に前記第2プラズマ電極
活性化回路を可変制御して、前記反応器処理室壁に近接
する前記その場で行なわれるクリーニング用のプラズマ
濃度を制御するための回路を更に含み、前記第2プラズ
マ電極に関連する前記クリーニング・プラズマ濃度制御
回路はその場で行なわれるクリーニング用のガス流量の
変動とは独立にその場で行なわれるクリーニング用のプ
ラズマ濃度を制御する、第13項記載のシステム。 (18) 前記反応器処理室壁に近接するプラズマ・プ
ロセス濃度を制御するための第3プラズマ電極を更に含
む、第13項記載のシステム。
を間欠的に活性化して、前記反応器処理室壁に近接する
クリーニング・プラズマ濃度および分布を制御するため
の回路を更に含む、第13項記載のシステム。 (20) 前記多重プラズマ電極活性化回路を可変制御
して、前記反応器処理室壁に近接する前記クリーニング
・プラズマ濃度を制御するための回路を更に含み、前記
第2プラズマ電極に関連する前記クリーニング・プラズ
マ濃度制御回路は、前記その場で行なわれるクリーニン
グ用のガスの流量の変動とは独立にプラズマ濃度を制御
する、第19項記載のシステム。
・プロセス中に、均一なプラズマ処理および効果的なそ
の場での製作反応器処理室(10)クリーニングを行な
うための多ゾーン、多電極プラズマ処理方法であって、
先ずプラズマ堆積またはエッチングガスを処理室(1
0)に断続または連続モード(線214)で流し、次に
プラズマ・クリーニングガスを処理室(10)に断続モ
ード(220)または連続モードで流す段階を含む。プ
ラズマ処理ガスが流れ始めると、少なくとも1つのプラ
ズマ電極(24または52)を断続的に活性化する(2
24)ことによって、この方法はプロセス・プラズマ媒
体を発生してプラズマ強化堆積またはエッチングプロセ
スを行なう。更にプロセスガス流が止まっている間に、
同じまたは異なる構成のプラズマ電極(66)を断続的
に活性化し、その場で行なわれるクリーニング用のプラ
ズマを生成してプラズマ援助室クリーニングプロセスを
行なう。この発明の多ゾーンプロセス処理方法により、
1つまたは複数の無線周波数電源を用いて多重プラズマ
電極を時分割多重または連続的に活性化し、半導体ウエ
ーハ(22)、処理室壁(38)、ガスシャワーヘッド
(52)に近接するプラズマ濃度と均一性およびイオン
・エネルギーを制御することができる。
次の図面と共に参照すれば最もよく理解できる。
的な半導体ウエーハ処理反応器プラズマ処理室の簡単な
略図である。
ましい実施態様を含む製作反応器処理室の詳細図であ
る。
ーン電極の等角図である。
波数無線周波数接続を示す図。
実施態様の動作を強化する第1永久磁石モジュールの側
面図である。
実施態様の動作を強化する第1永久磁石モジュールの頂
面図である。
実施態様で用いることのできる第2永久磁石モジュール
の側面図である。
実施態様で用いることのできる第2永久磁石モジュール
の頂面図である。
よび/または多周波数プラズマ処理のためのシャワーヘ
ッド組立体を切断した図である。
CVDおよびその場で行なわれるクリーニング・プロセ
スのためのプラズマ時分割多重化を示す図。
VD二酸化珪素堆積とその場で行なわれるプラズマ・ク
リーニングのための代表的な時分割多重化(TDM)動
作を示す図。
示す図。
示す図。
堆積と2ゾーン・プラズマの均一化形状を示す図。
堆積と2ゾーン・プラズマの均一化形状を示す図。
化物誘電体を備えるアルミニウム・ゲートMOSコンデ
ンサで行なったテスト結果を示す図。
Claims (2)
- 【請求項1】 プラズマ堆積またはエッチング・プロセ
ス中に、均一なプラズマ処理と効果的な製作反応器(fab
rication reactor) 処理室(process chamberまたはproc
essing chamber) のその場での(in-situ) クリーニング
を行なうための多ゾーン、多電極プラズマ処理方法であ
って、 プラズマ・プロセスガスを前記処理室に流し、 前記プラズマ・プロセスガス流の前記流れの間に、前記
プラズマ・プロセスガスからプロセス・プラズマを発生
して半導体ウエーハ上にプラズマ強化プロセスを行なう
ためにプラズマ電極を活性化し、 前記処理室内にその場で行なわれるクリーニング用のガ
スを流し、 前記クリーニングガスの前記流れの間に、前記クリーニ
ングガスからクリーニング・プラズマを発生してその場
でプラズマ援助(plasma assisted) 室クリーニング・プ
ロセスを行なうためにプラズマ電極を活性化する、 段階を含むプラズマ処理方法。 - 【請求項2】 プラズマ製作プロセス中に、均一なプラ
ズマ処理とその場での製作反応器処理室壁のクリーニン
グを行なうためのシステムであって、 プラズマ・プロセスガスから堆積プロセス・プラズマを
発生するための第1プラズマ電極と、 その場で行なわれるクリーニング用のガスからクリーニ
ング・プロセス・プラズマを発生するための第2プラズ
マ電極と、 前記プラズマ・プロセスガスと前記その場で行なわれる
クリーニング用のガスを断続モードで前記処理室に選択
的に流すための制御可能なガス流れ装置と、 前記プラズマ・プロセス堆積ガスが流れ始めると前記第
1プラズマ電極を活性化して、前記プラズマ・プロセス
ガスからプラズマを発生するための第1回路と、 前記その場で行なわれるクリーニング用のガスが流れ始
めると前記第2プラズマ電極を活性化し、前記プラズマ
・クリーニングガスを用いてその場でプラズマ援助室ク
リーニングを行なうための第2回路と、 を含むシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/903,621 US5252178A (en) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
US903621 | 1992-06-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0661219A true JPH0661219A (ja) | 1994-03-04 |
JP3555966B2 JP3555966B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=25417800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15245893A Expired - Fee Related JP3555966B2 (ja) | 1992-06-24 | 1993-06-23 | 多ゾーン・プラズマ処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5252178A (ja) |
EP (1) | EP0578010B1 (ja) |
JP (1) | JP3555966B2 (ja) |
DE (1) | DE69320557T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527941A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-09-15 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) | ある体積内にプラズマを閉じ込める装置 |
JP2007500783A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-18 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空プラズマ処理された加工物を製造する方法および加工物を真空プラズマ処理するためのシステム |
CN113061859A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 成都齐兴真空镀膜技术有限公司 | 一种用于x射线管阳极靶的金属涂层及其制备方法 |
CN114063479A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-18 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及*** |
Families Citing this family (320)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2644912B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
DE4118973C2 (de) * | 1991-06-08 | 1999-02-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten und Verwendung dieser Vorrichtung |
US5391855A (en) * | 1991-08-01 | 1995-02-21 | Komoto Tech, Inc. | Apparatus for atmospheric plasma treatment of a sheet-like structure |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
US5686050A (en) * | 1992-10-09 | 1997-11-11 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for the electrostatic charging of a web or film |
US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
US5662770A (en) * | 1993-04-16 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks |
US5938854A (en) * | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
US5565036A (en) * | 1994-01-19 | 1996-10-15 | Tel America, Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
EP0664347A3 (en) * | 1994-01-25 | 1997-05-14 | Applied Materials Inc | Plant for the deposition of a uniform layer of a material on a substrate. |
JP3372647B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
DE69506619T2 (de) * | 1994-06-02 | 1999-07-15 | Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif. | Induktiv gekoppelter Plasmareaktor mit einer Elektrode zur Erleichterung der Plasmazündung |
US5624592A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Cerberus Institute For Research And Development, Inc. | Microwave facilitated atmospheric energy projection system |
US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
US5523261A (en) * | 1995-02-28 | 1996-06-04 | Micron Technology, Inc. | Method of cleaning high density inductively coupled plasma chamber using capacitive coupling |
US5955174A (en) * | 1995-03-28 | 1999-09-21 | The University Of Tennessee Research Corporation | Composite of pleated and nonwoven webs |
AU715719B2 (en) * | 1995-06-19 | 2000-02-10 | University Of Tennessee Research Corporation, The | Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith |
US6060397A (en) * | 1995-07-14 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus |
US5653811A (en) | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
US5597438A (en) * | 1995-09-14 | 1997-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Etch chamber having three independently controlled electrodes |
JP2737720B2 (ja) * | 1995-10-12 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
US5611426A (en) * | 1995-10-12 | 1997-03-18 | Point Group Corporation | Packaging assembly for compact discs |
EP0777258A3 (en) * | 1995-11-29 | 1997-09-17 | Applied Materials Inc | Self-cleaning plasma processing reactor |
US5817534A (en) * | 1995-12-04 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
US6116185A (en) * | 1996-05-01 | 2000-09-12 | Rietzel; James G. | Gas injector for plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6048435A (en) | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
US6500314B1 (en) * | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
US5976261A (en) * | 1996-07-11 | 1999-11-02 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone gas injection apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment |
US6110540A (en) * | 1996-07-12 | 2000-08-29 | The Boc Group, Inc. | Plasma apparatus and method |
US5917285A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-29 | Georgia Tech Research Corporation | Apparatus and method for reducing operating voltage in gas discharge devices |
US6113731A (en) * | 1997-01-02 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field |
US5904800A (en) * | 1997-02-03 | 1999-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer processing chamber for reducing particles deposited onto the semiconductor wafer |
US5945354A (en) * | 1997-02-03 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Method for reducing particles deposited onto a semiconductor wafer during plasma processing |
US6054694A (en) * | 1997-04-16 | 2000-04-25 | Cerberus Institute For Research And Development, Inc. | Microwave facilitated atmospheric energy projection system |
JP3801730B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2006-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマcvd装置及びそれを用いた薄膜形成方法 |
US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6048411A (en) | 1997-05-12 | 2000-04-11 | Silicon Genesis Corporation | Silicon-on-silicon hybrid wafer assembly |
US6291313B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for controlled cleaving process |
US20070122997A1 (en) | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
US6079426A (en) * | 1997-07-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process |
US6548382B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
US6103599A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-15 | Silicon Genesis Corporation | Planarizing technique for multilayered substrates |
US6074488A (en) * | 1997-09-16 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring |
JP3398027B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2003-04-21 | 株式会社荏原製作所 | 気相成長装置及びその洗浄方法 |
US6228176B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-05-08 | Silicon Genesis Corporation | Contoured platen design for plasma immerson ion implantation |
US6287990B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6051073A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-18 | Silicon Genesis Corporation | Perforated shield for plasma immersion ion implantation |
US6274459B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-08-14 | Silicon Genesis Corporation | Method for non mass selected ion implant profile control |
US20030010453A1 (en) * | 1998-03-18 | 2003-01-16 | Jyunichi Tanaka | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US6111237A (en) * | 1998-04-24 | 2000-08-29 | Cerberus Institute For Research And Development, Inc. | Microwave facilitated atmospheric energy projection system |
JP3646968B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2005-05-11 | 信越化学工業株式会社 | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
US6395640B2 (en) | 1999-12-17 | 2002-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for selectivity restricting process fluid flow in semiconductor processing |
US20020053694A1 (en) | 1998-06-10 | 2002-05-09 | Sutcliffe Victor C. | Method of forming a memory cell with self-aligned contacts |
US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
US6095085A (en) * | 1998-08-20 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted remote plasma apparatus and method |
DE10022384B4 (de) * | 1998-11-09 | 2004-07-22 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zur Passivierung einer schnellen Leistungsdiode |
US6186154B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Find end point of CLF3 clean by pressure change |
US6458723B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-10-01 | Silicon Genesis Corporation | High temperature implant apparatus |
WO2001011930A2 (en) | 1999-08-10 | 2001-02-15 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
US6281146B1 (en) * | 1999-09-15 | 2001-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method for forming microelectronic layer with enhanced film thickness uniformity |
US6291358B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma deposition tool operating method |
US8114245B2 (en) * | 1999-11-26 | 2012-02-14 | Tadahiro Ohmi | Plasma etching device |
US6537420B2 (en) | 1999-12-17 | 2003-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for restricting process fluid flow within a showerhead assembly |
US20030079983A1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-05-01 | Maolin Long | Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources |
US6502530B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-01-07 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor |
JP2001338912A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
US6494958B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-12-17 | Applied Materials Inc. | Plasma chamber support with coupled electrode |
US6632322B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-10-14 | Lam Research Corporation | Switched uniformity control |
US6412437B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
TW511398B (en) * | 2000-09-12 | 2002-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss |
US6471830B1 (en) | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
AUPR179500A0 (en) | 2000-11-30 | 2000-12-21 | Saintech Pty Limited | Ion source |
US6576564B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted remote plasma apparatus and method |
US6930041B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted method for semiconductor fabrication |
US6598610B2 (en) | 2001-02-05 | 2003-07-29 | Dalsa Semiconductor Inc. | Method of depositing a thick dielectric film |
US6602381B1 (en) | 2001-04-30 | 2003-08-05 | Lam Research Corporation | Plasma confinement by use of preferred RF return path |
US6596654B1 (en) | 2001-08-24 | 2003-07-22 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
US6846745B1 (en) * | 2001-08-03 | 2005-01-25 | Novellus Systems, Inc. | High-density plasma process for filling high aspect ratio structures |
JP2003068705A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US7067440B1 (en) | 2001-08-24 | 2006-06-27 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
JP3886424B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-02-28 | 鹿児島日本電気株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
JP3971603B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-09-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法 |
US6828241B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source |
US6869880B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
JP4109468B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2008-07-02 | 住友ゴム工業株式会社 | 自動二輪車用ラジアルタイヤ |
JP3703780B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2005-10-05 | 株式会社シマノ | 自転車用ハブブレーキ装置 |
US6767836B2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-07-27 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning a CVD reaction chamber using an active oxygen species |
US8187377B2 (en) | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
US7122485B1 (en) | 2002-12-09 | 2006-10-17 | Novellus Systems, Inc. | Deposition profile modification through process chemistry |
US7037376B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
DE10317208A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Plasmadepositionsverfahren |
KR20050004995A (ko) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용하는 기판 가공 장치 |
US6829056B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-12-07 | Michael Barnes | Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates |
US7163896B1 (en) | 2003-12-10 | 2007-01-16 | Novellus Systems, Inc. | Biased H2 etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
US7344996B1 (en) | 2005-06-22 | 2008-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Helium-based etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
US7476621B1 (en) | 2003-12-10 | 2009-01-13 | Novellus Systems, Inc. | Halogen-free noble gas assisted H2 plasma etch process in deposition-etch-deposition gap fill |
US20050187374A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-08-25 | Bin Chen | Polyester synthesis with enhanced titanium catalyst composition |
US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
US7244474B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
US7291360B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7217658B1 (en) | 2004-09-07 | 2007-05-15 | Novellus Systems, Inc. | Process modulation to prevent structure erosion during gap fill |
US7176039B1 (en) | 2004-09-21 | 2007-02-13 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic modification of gap fill process characteristics |
US7381451B1 (en) | 2004-11-17 | 2008-06-03 | Novellus Systems, Inc. | Strain engineering—HDP thin film with tensile stress for FEOL and other applications |
US7632375B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Electrically enhancing the confinement of plasma |
US7211525B1 (en) | 2005-03-16 | 2007-05-01 | Novellus Systems, Inc. | Hydrogen treatment enhanced gap fill |
US20070029193A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Limited | Segmented biased peripheral electrode in plasma processing method and apparatus |
US7524750B2 (en) | 2006-04-17 | 2009-04-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD |
US20070281106A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US7482245B1 (en) | 2006-06-20 | 2009-01-27 | Novellus Systems, Inc. | Stress profile modulation in STI gap fill |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
US7811900B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
US7939422B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
US7758718B1 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-20 | Lam Research Corporation | Reduced electric field arrangement for managing plasma confinement |
JP2008187062A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US7964040B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multi-port pumping system for substrate processing chambers |
US20090120368A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Applied Materials, Inc. | Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity |
TWI488547B (zh) * | 2007-12-25 | 2015-06-11 | Applied Materials Inc | 電漿室裝置 |
WO2010044895A2 (en) * | 2008-01-31 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc | Multiple phase rf power for electrode of plasma chamber |
US8192806B1 (en) * | 2008-02-19 | 2012-06-05 | Novellus Systems, Inc. | Plasma particle extraction process for PECVD |
US20090277587A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US8133797B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Protective layer to enable damage free gap fill |
US8330126B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
US20100098875A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Andreas Fischer | Pre-coating and wafer-less auto-cleaning system and method |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8992723B2 (en) * | 2009-02-13 | 2015-03-31 | Applied Material, Inc. | RF bus and RF return bus for plasma chamber electrode |
US8312839B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Mixing frequency at multiple feeding points |
US8329557B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
US9545360B2 (en) | 2009-05-13 | 2017-01-17 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
KR20120042748A (ko) | 2009-05-13 | 2012-05-03 | 씨브이 홀딩스 엘엘씨 | 코팅된 표면 검사를 위한 가스제거 방법 |
US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
US9039864B2 (en) * | 2009-09-29 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Off-center ground return for RF-powered showerhead |
JP5397215B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
WO2011137371A2 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Vertical inline cvd system |
US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
CN103348776B (zh) | 2011-02-15 | 2017-06-09 | 应用材料公司 | 多区等离子体生成的方法和设备 |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
US8497211B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-07-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation for PSG gapfill |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
US10189603B2 (en) | 2011-11-11 | 2019-01-29 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
US8808561B2 (en) * | 2011-11-15 | 2014-08-19 | Lam Research Coporation | Inert-dominant pulsing in plasma processing systems |
US8883028B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
CA2890066C (en) | 2012-11-01 | 2021-11-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
EP2920567B1 (en) | 2012-11-16 | 2020-08-19 | SiO2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
WO2014085346A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Hollow body with inside coating |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
EP2961858B1 (en) | 2013-03-01 | 2022-09-07 | Si02 Medical Products, Inc. | Coated syringe. |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
WO2015148471A1 (en) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
FR3035665A1 (fr) * | 2015-04-28 | 2016-11-04 | Yvon Sampeur | Procede d’utilisation d’un dispositif pecvd pour la mise en oeuvre d’une phase de nettoyage par plasma et/ou d’une phase de depot par plasma, et dispositif epcvd correspondant |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
CN116982977A (zh) | 2015-08-18 | 2023-11-03 | Sio2医药产品公司 | 具有低氧气传输速率的药物和其他包装 |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
US20210381107A1 (en) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | Micron Technology, Inc. | Material deposition systems, and related methods and microelectronic devices |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
JPH029115A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US5084125A (en) * | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
-
1992
- 1992-06-24 US US07/903,621 patent/US5252178A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-15 DE DE69320557T patent/DE69320557T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-15 EP EP93109529A patent/EP0578010B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-23 JP JP15245893A patent/JP3555966B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527941A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-09-15 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) | ある体積内にプラズマを閉じ込める装置 |
JP2007500783A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-18 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空プラズマ処理された加工物を製造する方法および加工物を真空プラズマ処理するためのシステム |
CN113061859A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 成都齐兴真空镀膜技术有限公司 | 一种用于x射线管阳极靶的金属涂层及其制备方法 |
CN114063479A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-18 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及*** |
CN114063479B (zh) * | 2021-11-12 | 2024-01-23 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69320557D1 (de) | 1998-10-01 |
JP3555966B2 (ja) | 2004-08-18 |
EP0578010B1 (en) | 1998-08-26 |
EP0578010A1 (en) | 1994-01-12 |
DE69320557T2 (de) | 1999-04-01 |
US5252178A (en) | 1993-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3555966B2 (ja) | 多ゾーン・プラズマ処理方法 | |
JPH0684812A (ja) | 多電極プラズマ処理装置 | |
US6364995B1 (en) | Dome-shaped inductive coupling wall having a plurality of radii for an inductively coupled plasma reactor | |
KR100201121B1 (ko) | 플라즈마 반응로 및 플라즈마 처리방법 | |
JP3701390B2 (ja) | プラズマ強化化学処理反応装置 | |
US6991701B2 (en) | Plasma treatment method and apparatus | |
JP3141929B2 (ja) | 基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法 | |
US20030129106A1 (en) | Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source | |
US20030155079A1 (en) | Plasma processing system with dynamic gas distribution control | |
JP2011253821A (ja) | ワークピース製造装置 | |
WO2003096400A1 (fr) | Equipement et dispositif de traitement de plasma | |
US7153387B1 (en) | Plasma processing apparatus and method of plasma processing | |
TW201546934A (zh) | 電漿處理裝置及成膜方法 | |
JP2001517373A (ja) | プラズマ処理チャンバの内面上への堆積物の堆積を制御する方法及び装置 | |
JPH0773997A (ja) | プラズマcvd装置と該装置を用いたcvd処理方法及び該装置内の洗浄方法 | |
JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JP3181473B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3814176B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI787239B (zh) | 有機材料的蝕刻方法及設備 | |
JPH1140544A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP2003224114A (ja) | プラズマ処理システム | |
KR20050049169A (ko) | 유도 결합형 플라즈마 발생 장치와 그 유도전기장 발생을위한 안테나 코일 구조 | |
JPH10106796A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100404723B1 (ko) | 낮은 종횡비를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치 | |
JP2003133398A (ja) | プラズマ支援ウェハー処理装置の二重電極ウェハーホルダ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |