JPH1140544A - 反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
反応性イオンエッチング装置Info
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- JPH1140544A JPH1140544A JP9193951A JP19395197A JPH1140544A JP H1140544 A JPH1140544 A JP H1140544A JP 9193951 A JP9193951 A JP 9193951A JP 19395197 A JP19395197 A JP 19395197A JP H1140544 A JPH1140544 A JP H1140544A
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- vacuum chamber
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高い均一性のプラズマを形成することができ、
それにより高均一なエッチングを可能とする反応性イオ
ンエッチング装置を提供する。 【解決手段】本発明による反応性イオンエッチング装置
は、アンテナを並列に配置し、各アンテナへの電力導入
出力部を中心対称に設けると共に、電力導入部までの位
相を制御するため分岐部の位置調整ができるようにし
て、並列に配置したアンテナに高周波電力を印加するよ
うに構成される。
それにより高均一なエッチングを可能とする反応性イオ
ンエッチング装置を提供する。 【解決手段】本発明による反応性イオンエッチング装置
は、アンテナを並列に配置し、各アンテナへの電力導入
出力部を中心対称に設けると共に、電力導入部までの位
相を制御するため分岐部の位置調整ができるようにし
て、並列に配置したアンテナに高周波電力を印加するよ
うに構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て、半導体上或いは電子部品、その他の基板上の物質を
エッチングするエッチング装置に関するものである。
て、半導体上或いは電子部品、その他の基板上の物質を
エッチングするエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術において用いられてきた誘導結
合放電エッチング装置は、図５に示すように、真空チャ
ンバーＡ内に放電プラズマを発生するための１重のコイ
ルからなるアンテナＢを真空チャンバーＡの側壁A1の外
側に設け、この高周波アンテナＢにプラズマ発生用高周
波電源Ｃから高周波電力を印加し、ハロゲン系のガスを
主体とするエッチングガスが流量制御器を通して上部天
板A2付近の周囲より導入され、気体を真空チャンバーＡ
内に導入し、低圧でプラズマを形成すると共に導入気体
を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積
極的に利用し、プラズマに接する基板電極Ｄに高周波電
源Ｅから高周波電場を印加して基板電極Ｄ上に載置され
た基板をエッチングするように構成されている。
合放電エッチング装置は、図５に示すように、真空チャ
ンバーＡ内に放電プラズマを発生するための１重のコイ
ルからなるアンテナＢを真空チャンバーＡの側壁A1の外
側に設け、この高周波アンテナＢにプラズマ発生用高周
波電源Ｃから高周波電力を印加し、ハロゲン系のガスを
主体とするエッチングガスが流量制御器を通して上部天
板A2付近の周囲より導入され、気体を真空チャンバーＡ
内に導入し、低圧でプラズマを形成すると共に導入気体
を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積
極的に利用し、プラズマに接する基板電極Ｄに高周波電
源Ｅから高周波電場を印加して基板電極Ｄ上に載置され
た基板をエッチングするように構成されている。
【０００３】また、図６には、本願発明者らが、先に特
開平７−263192号において提案した磁気中性線放電エッ
チング装置を示す。この先に提案した装置は、真空チャ
ンバーＡの上部の誘電体円筒壁A1の外側に載置された３
つの磁場コイルＦ、Ｇ、Ｈによって真空チャンバーＡ内
部に磁気中性線Ｉが形成され、この磁気中性線Ｉに沿っ
て、中間の磁場コイルＧの内側に配置された１重のアン
テナＢにアンテナ用高周波電源Ｃから高周波電場を印加
することによりリング状のプラズマが形成されるように
構成されている。また、エッチングガスは流量制御器を
通して上部天板A2付近の周囲より導入され、コングクタ
ンスバルブの開口率によって圧力が制御される。真空チ
ャンバーＡの下部の基板電極Ｄにはバイアス用高周波電
源Ｅから高周波電力が印加される。
開平７−263192号において提案した磁気中性線放電エッ
チング装置を示す。この先に提案した装置は、真空チャ
ンバーＡの上部の誘電体円筒壁A1の外側に載置された３
つの磁場コイルＦ、Ｇ、Ｈによって真空チャンバーＡ内
部に磁気中性線Ｉが形成され、この磁気中性線Ｉに沿っ
て、中間の磁場コイルＧの内側に配置された１重のアン
テナＢにアンテナ用高周波電源Ｃから高周波電場を印加
することによりリング状のプラズマが形成されるように
構成されている。また、エッチングガスは流量制御器を
通して上部天板A2付近の周囲より導入され、コングクタ
ンスバルブの開口率によって圧力が制御される。真空チ
ャンバーＡの下部の基板電極Ｄにはバイアス用高周波電
源Ｅから高周波電力が印加される。
【０００４】このような構成した図６に示される磁気中
性線放電エッチング装置について説明する。エッチング
ガスは真空チャンバーＡの上部フランジ付近から導入さ
れ、誘電体円筒壁A1の外側と中間の磁場コイルＧとの間
に配置された１重のアンテナＢに高周波電力を印加する
ことによりプラズマが形成されて導入ガスが分解され
る。真空チャンバーＡの下部の基板電極Ｄにはバイアス
用高周波電源Ｅからバイアス用の高周波電力が印加され
る。ブロッキングコンデンサーによって浮遊状態になっ
ている基板電極Ｄは負のセルフバイアス電位となり、プ
ラズマ中の正イオンが引き込まれて基板上の物質をエッ
チングする。
性線放電エッチング装置について説明する。エッチング
ガスは真空チャンバーＡの上部フランジ付近から導入さ
れ、誘電体円筒壁A1の外側と中間の磁場コイルＧとの間
に配置された１重のアンテナＢに高周波電力を印加する
ことによりプラズマが形成されて導入ガスが分解され
る。真空チャンバーＡの下部の基板電極Ｄにはバイアス
用高周波電源Ｅからバイアス用の高周波電力が印加され
る。ブロッキングコンデンサーによって浮遊状態になっ
ている基板電極Ｄは負のセルフバイアス電位となり、プ
ラズマ中の正イオンが引き込まれて基板上の物質をエッ
チングする。
【０００５】この場合、高周波アンテナコイルＢとして
は１重巻きのものが一般に用いられる。径が300φより
小さければ２重巻きも可能であるが、基板電極が８イン
チより大きくなるとエッチング均一性を得るためにプラ
ズマソース部も大きくなる。高周波アンテナコイルＢの
径が300φより大きくなると、高周波アンテナコイルＢ
のインダクタンスが大きくなるため１重のアンテナにし
ないとマッチング条件が得られない。そのため、3OOφ
より大きな誘電体隔壁を備えた誘導結合放電装置におい
ては１重のアンテナが用いられているのである。
は１重巻きのものが一般に用いられる。径が300φより
小さければ２重巻きも可能であるが、基板電極が８イン
チより大きくなるとエッチング均一性を得るためにプラ
ズマソース部も大きくなる。高周波アンテナコイルＢの
径が300φより大きくなると、高周波アンテナコイルＢ
のインダクタンスが大きくなるため１重のアンテナにし
ないとマッチング条件が得られない。そのため、3OOφ
より大きな誘電体隔壁を備えた誘導結合放電装置におい
ては１重のアンテナが用いられているのである。
【０００６】磁気中性線放電では、真空中にリング状に
形成される磁気中性線Ｉの部分に密度の高いプラズマを
形成するため、リング状磁気中性線Ｈに沿って形成され
る誘導電場を有効利用するものでる。この方法によっ
て、容易に1011cm-3の荷電粒子密度を持つプラズマが形
成される。
形成される磁気中性線Ｉの部分に密度の高いプラズマを
形成するため、リング状磁気中性線Ｈに沿って形成され
る誘導電場を有効利用するものでる。この方法によっ
て、容易に1011cm-3の荷電粒子密度を持つプラズマが形
成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】アンテナ径が300φよ
り大きくなると、アンテナのインダクタンスが大きくな
るため多重シリアルアンテナではマッチング条件が得ら
れない。そのため、300φより大きな誘電体隔壁を備え
た誘導結合放電装置においては一般に１重のアンテナが
用いられている。１重のアンテナが用いられたとき、ア
ンテナへの電力導入出力部におけるプラズマ均一性ひい
ては基板エッチング均一性が問題となる。アンテナに電
力が印加されたときのプラズマの密度分布は、電力入出
力部に隙間があるため、電力入出力部において低くなる
ことがこれまでの実験で判明している。また、プラズマ
シミュレーシヨンによつても指摘されている（田所、沖
川、鍋田、伊藤、中野、Petrovic、真壁；第44回応用物
理学会関係連合講演会講演予稿、30p-N-7、（1997)参
照）。
り大きくなると、アンテナのインダクタンスが大きくな
るため多重シリアルアンテナではマッチング条件が得ら
れない。そのため、300φより大きな誘電体隔壁を備え
た誘導結合放電装置においては一般に１重のアンテナが
用いられている。１重のアンテナが用いられたとき、ア
ンテナへの電力導入出力部におけるプラズマ均一性ひい
ては基板エッチング均一性が問題となる。アンテナに電
力が印加されたときのプラズマの密度分布は、電力入出
力部に隙間があるため、電力入出力部において低くなる
ことがこれまでの実験で判明している。また、プラズマ
シミュレーシヨンによつても指摘されている（田所、沖
川、鍋田、伊藤、中野、Petrovic、真壁；第44回応用物
理学会関係連合講演会講演予稿、30p-N-7、（1997)参
照）。
【０００８】そこで、本発明は、上記の問題を解決して
高い均一性のプラズマを形成することができ、それによ
り高均一なエッチングを可能とする反応性イオンエッチ
ング装置を提供することを目的としている。
高い均一性のプラズマを形成することができ、それによ
り高均一なエッチングを可能とする反応性イオンエッチ
ング装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による反応性イオンエッチング装置において
は、アンテナを並列に配置し、各アンテナへの電力導入
出力部を中心対称に設けると共に、電力導入部までの位
相を制御するため分岐部の位置調整ができるようにし
て、並列に配置したアンテナに高周波電力を印加するよ
うに構成される。
に、本発明による反応性イオンエッチング装置において
は、アンテナを並列に配置し、各アンテナへの電力導入
出力部を中心対称に設けると共に、電力導入部までの位
相を制御するため分岐部の位置調整ができるようにし
て、並列に配置したアンテナに高周波電力を印加するよ
うに構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一つの実施の形態によれ
ば、真空チャンバー内に放電プラズマを発生するための
高周波コイルを備えたプラズマ発生装置を有し、ハロゲ
ン系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入
し、低庄でプラズマを形成するとともに導入気体を分解
し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に
利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高
周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチン
グする反応性イオンエッチング装置において、プラズマ
発生装置の設けられる真空チャンバー部分の壁部を円筒
状の誘電体で構成し、この円筒状の誘電体からなる真空
チャンバー部分の下部に高周波バイアスを印加する基板
電極を設け、円筒状の誘電体からなる真空チャンバー部
分の真空壁外側に、プラズマを発生するための高周波コ
イルを並列に配置し、高周波コイルに対するそれぞれの
高周波電力導入・導出部を中心対称の位置に設け、位相
制御結合部を通して高周波電力を印加することを特徴と
している。
ば、真空チャンバー内に放電プラズマを発生するための
高周波コイルを備えたプラズマ発生装置を有し、ハロゲ
ン系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入
し、低庄でプラズマを形成するとともに導入気体を分解
し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に
利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高
周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチン
グする反応性イオンエッチング装置において、プラズマ
発生装置の設けられる真空チャンバー部分の壁部を円筒
状の誘電体で構成し、この円筒状の誘電体からなる真空
チャンバー部分の下部に高周波バイアスを印加する基板
電極を設け、円筒状の誘電体からなる真空チャンバー部
分の真空壁外側に、プラズマを発生するための高周波コ
イルを並列に配置し、高周波コイルに対するそれぞれの
高周波電力導入・導出部を中心対称の位置に設け、位相
制御結合部を通して高周波電力を印加することを特徴と
している。
【００１１】本発明の別の実施の形態によれば、真空チ
ャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環
状磁気中性線を形成するための磁場発生手段と、この磁
気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放
電プラズマを発生するための高周波コイルとを備えたプ
ラズマ発生装置を有し、ハロゲン系のガスを主体とする
気体を真空チャンバー内に導入し、低圧でプラズマを形
成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分
子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接
する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して電
極上に載置された基板をエッチングする反応性イオンエ
ッチング装置において、プラズマ発生装置の設けられる
真空チャンバー部分の壁部を円筒状の誘電体で構成して
誘電体の外部に複数の磁場コイルを配置して真空チャン
バー内に環状磁気中性線を形成し、また円筒状の誘電体
からなる真空チャンバー部分の下部に高周波バイアスを
印加する基板電極を設け、さらに磁気中性線と同一面内
であって誘電体真空壁と磁場コイルの間にプラズマを発
生するための高周波コイルを並列に配置し、それぞれの
高周波電力導入・出部を中心対称の位置に設け、位相制
御結合部を通して高周波電力を印加することを特徴とし
ている。
ャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環
状磁気中性線を形成するための磁場発生手段と、この磁
気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放
電プラズマを発生するための高周波コイルとを備えたプ
ラズマ発生装置を有し、ハロゲン系のガスを主体とする
気体を真空チャンバー内に導入し、低圧でプラズマを形
成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分
子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接
する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して電
極上に載置された基板をエッチングする反応性イオンエ
ッチング装置において、プラズマ発生装置の設けられる
真空チャンバー部分の壁部を円筒状の誘電体で構成して
誘電体の外部に複数の磁場コイルを配置して真空チャン
バー内に環状磁気中性線を形成し、また円筒状の誘電体
からなる真空チャンバー部分の下部に高周波バイアスを
印加する基板電極を設け、さらに磁気中性線と同一面内
であって誘電体真空壁と磁場コイルの間にプラズマを発
生するための高周波コイルを並列に配置し、それぞれの
高周波電力導入・出部を中心対称の位置に設け、位相制
御結合部を通して高周波電力を印加することを特徴とし
ている。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面の図１〜図４を参照して本発
明の実施例について説明する。図１には本発明の反応性
イオンエッチング装置の一実施例を示し、誘導結合型と
して構成されている。図示エッチング装置において、１
は真空チャンバーで、上部のプラズマ発生部1aと基板電
極部1bとを備え、基板電極部1bには排気口1cが設けられ
ている。プラズマ発生部1aは円筒形の側壁２を備え、こ
の側壁２の外側には、真空チャンバ−１内にプラズマを
発生させる高周波アンテナ３が配置され、各高周波アン
テナ３は並列対称配置され、そして位相制御結合部４を
介してプラズマ発生用高周波電源５に接続され、真空チ
ャンバー１の上部のプラズマ発生部1a内に放電プラズマ
を発生するようにしている。真空チャンバー１の上部の
プラズマ発生部1aの天板６は側壁２の上部フランジに密
封固着され、またこの天板６の周囲部には真空チャンバ
−１内へエッチングガスを導入するガス導入口７が設け
られ、このガス導入口７は図示してないガス供給通路及
びエッチングガスの流量を制御するガス流量制御装置を
介してエッチングガス供給源に接続される。また真空チ
ャンバ−１のプラズマ発生部1aの下部の基板電極部1b内
には基板電極８が絶縁体部材９を介して設けられ、この
基板電極８はRFバイアスを印加する高周波電源10に接続
されている。
明の実施例について説明する。図１には本発明の反応性
イオンエッチング装置の一実施例を示し、誘導結合型と
して構成されている。図示エッチング装置において、１
は真空チャンバーで、上部のプラズマ発生部1aと基板電
極部1bとを備え、基板電極部1bには排気口1cが設けられ
ている。プラズマ発生部1aは円筒形の側壁２を備え、こ
の側壁２の外側には、真空チャンバ−１内にプラズマを
発生させる高周波アンテナ３が配置され、各高周波アン
テナ３は並列対称配置され、そして位相制御結合部４を
介してプラズマ発生用高周波電源５に接続され、真空チ
ャンバー１の上部のプラズマ発生部1a内に放電プラズマ
を発生するようにしている。真空チャンバー１の上部の
プラズマ発生部1aの天板６は側壁２の上部フランジに密
封固着され、またこの天板６の周囲部には真空チャンバ
−１内へエッチングガスを導入するガス導入口７が設け
られ、このガス導入口７は図示してないガス供給通路及
びエッチングガスの流量を制御するガス流量制御装置を
介してエッチングガス供給源に接続される。また真空チ
ャンバ−１のプラズマ発生部1aの下部の基板電極部1b内
には基板電極８が絶縁体部材９を介して設けられ、この
基板電極８はRFバイアスを印加する高周波電源10に接続
されている。
【００１３】図２には本発明の反応性イオンエッチング
装置の別の実施例を示し、この場合には磁気中性線放電
型として構成されている。図１の装置と対応した部分は
同じ符号で示す。この実施例では、真空チャンバー１の
上部のプラズマ発生部1aの円筒形の側壁２は誘電体で構
成され、この側壁２の外側でしかも並列対称配置された
高周波アンテナ３の外側には、真空チャンバ−１内に磁
気中性線を形成するための磁場発生手段を構成している
三つの磁場コイル11、12、13が設けられ、真空チャンバ
ー１の上部のプラズマ発生部1a内に磁気中性線14を形成
する。プラズマ発生用の高周波アンテナ３は、三つの磁
場コイル11〜13によって真空チャンバー１の上部のプラ
ズマ発生部1a内に形成された磁気中性線14に沿って交番
電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生する
ようにしている。
装置の別の実施例を示し、この場合には磁気中性線放電
型として構成されている。図１の装置と対応した部分は
同じ符号で示す。この実施例では、真空チャンバー１の
上部のプラズマ発生部1aの円筒形の側壁２は誘電体で構
成され、この側壁２の外側でしかも並列対称配置された
高周波アンテナ３の外側には、真空チャンバ−１内に磁
気中性線を形成するための磁場発生手段を構成している
三つの磁場コイル11、12、13が設けられ、真空チャンバ
ー１の上部のプラズマ発生部1a内に磁気中性線14を形成
する。プラズマ発生用の高周波アンテナ３は、三つの磁
場コイル11〜13によって真空チャンバー１の上部のプラ
ズマ発生部1a内に形成された磁気中性線14に沿って交番
電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生する
ようにしている。
【００１４】図３には並列対称配置アンテナ３を断面拡
大図で示し、図４には電力導入の摸式図を示す。１重ア
ンテナを用いたときには、電力入出力部に間隙があるた
め、その部におけるプラズマへの電力投入が弱くプラズ
マ密度が低くなる。しかし、図３に示すように２本のア
ンテナに互いに反対の位置から高周波電力を投入するこ
とによってそれぞれの電力入出力部におけるプラズマ密
度の低下を補うことができる。この時、重要なのは、２
本のアンテナ３間に位相のズレを発生させないように位
相制御することである。位相制御の最も簡単な方法は高
周波電源からアンテナまでの配線長を同じにすることで
ある。しかし、現実問題として浮遊容量等があるため配
線長を同じにしても配線におけるインピーダンスを同じ
にすることは難しい。そのため、分岐部すなわち位相制
御結合部４においてコンデンサー及びインダクタンスコ
イルによって各アンテナ部のインピーダンスマッチング
調整を行えるようにした。この結果、従来の１重巻きア
ンテナの時に比べて、プラズマ密度の均一性が向上す
る。
大図で示し、図４には電力導入の摸式図を示す。１重ア
ンテナを用いたときには、電力入出力部に間隙があるた
め、その部におけるプラズマへの電力投入が弱くプラズ
マ密度が低くなる。しかし、図３に示すように２本のア
ンテナに互いに反対の位置から高周波電力を投入するこ
とによってそれぞれの電力入出力部におけるプラズマ密
度の低下を補うことができる。この時、重要なのは、２
本のアンテナ３間に位相のズレを発生させないように位
相制御することである。位相制御の最も簡単な方法は高
周波電源からアンテナまでの配線長を同じにすることで
ある。しかし、現実問題として浮遊容量等があるため配
線長を同じにしても配線におけるインピーダンスを同じ
にすることは難しい。そのため、分岐部すなわち位相制
御結合部４においてコンデンサー及びインダクタンスコ
イルによって各アンテナ部のインピーダンスマッチング
調整を行えるようにした。この結果、従来の１重巻きア
ンテナの時に比べて、プラズマ密度の均一性が向上す
る。
【００１５】このように構成した図２に示す装置におい
て、プラズマ発生用高周波電源５（13.56MHz）の電力を
2.OkW、基板バイアス高周波電源10（800kHz）の電力を6
00Ｗ、Ａｒ90sccm（85％）、Ｃ4Ｆ810sccm（15％）を導
入し、３mTorrの圧力下でエッチングしたところ、750nm
/minのエッチング速度が得られ、±２％と言う非常に均
一なエッチング分布になっていることが判った。１重の
アンテナを用いたときには、同条件下で560nm/min±５
％であつた。エッチ速度が増加したのは、並列対称配置
した２本のアンテナ３に電力が印加されることによっ
て、インピーダンスが減少して高周波電力が増加し、効
率よく誘導電場が形成されたためと思われる。
て、プラズマ発生用高周波電源５（13.56MHz）の電力を
2.OkW、基板バイアス高周波電源10（800kHz）の電力を6
00Ｗ、Ａｒ90sccm（85％）、Ｃ4Ｆ810sccm（15％）を導
入し、３mTorrの圧力下でエッチングしたところ、750nm
/minのエッチング速度が得られ、±２％と言う非常に均
一なエッチング分布になっていることが判った。１重の
アンテナを用いたときには、同条件下で560nm/min±５
％であつた。エッチ速度が増加したのは、並列対称配置
した２本のアンテナ３に電力が印加されることによっ
て、インピーダンスが減少して高周波電力が増加し、効
率よく誘導電場が形成されたためと思われる。
【００１６】図示実施例ではエッチング装置に適用した
例を述べたが、同様な効果はプラズマＣＶＤ装置を用い
たときでも期待できることは言うまでもない。
例を述べたが、同様な効果はプラズマＣＶＤ装置を用い
たときでも期待できることは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
反応性イオンエッチング装置においては、プラズマを発
生するための高周波コイルを並列に配置し、高周波コイ
ルに対するそれぞれの高周波電力導入・導出部を中心対
称の位置に設け、位相制御結合部を通して高周波電力を
印加するように構成しているので、並列対称配置アンテ
ナに高周波電力を印加しアンテナ間の位相を制御して、
適当な電力領域でエッチングすることにより高い均一性
のプラズマを形成することができ、高均一なエッチング
が出来る。従って、半導体や電子部品加工に用いられて
いる反応性イオンエッチングプロセスに大きく貢献でき
る装置が提供される。
反応性イオンエッチング装置においては、プラズマを発
生するための高周波コイルを並列に配置し、高周波コイ
ルに対するそれぞれの高周波電力導入・導出部を中心対
称の位置に設け、位相制御結合部を通して高周波電力を
印加するように構成しているので、並列対称配置アンテ
ナに高周波電力を印加しアンテナ間の位相を制御して、
適当な電力領域でエッチングすることにより高い均一性
のプラズマを形成することができ、高均一なエッチング
が出来る。従って、半導体や電子部品加工に用いられて
いる反応性イオンエッチングプロセスに大きく貢献でき
る装置が提供される。
【図１】 本発明の一実施例を示す概略線図。
【図２】 本発明の別の実施例を示す概略線図。
【図３】 本発明によるエッチング装置の要部の構成を
示す拡大部分図。
示す拡大部分図。
【図４】 本発明によるエッチング装置における並列対
称配置アンテナへの電力導入の仕方を示す模式図。
称配置アンテナへの電力導入の仕方を示す模式図。
【図５】 従来の誘導結合放電型エッチング装置を示す
概略線図。
概略線図。
【図６】 従来の磁気中性線放電型エッチング装置を示
す概略線図。
す概略線図。
１：真空チャンバー ２：円筒形の側壁 ３：二重巻高周波アンテナ ４：位相制御結合部 ５：プラズマ発生用高周波電源 ６：天板 ７：ガス導入口 ８：基板電極 ９：絶縁体部材 10：高周波電源 11〜13：磁場コイル
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバー内に放電プラズマを発生
するための高周波コイルを備えたプラズマ発生装置を有
し、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空チャンバ
ー内に導入し、低庄でプラズマを形成するとともに導入
気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオン
を積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電
場或いは高周波電場を印加して電極上に載置された基板
をエッチングする反応性イオンエッチング装置におい
て、プラズマ発生装置の設けられる真空チャンバー部分
の壁部を円筒状の誘電体で構成し、この円筒状の誘電体
からなる真空チャンバー部分の下部に高周波バイアスを
印加する基板電極を設け、円筒状の誘電体からなる真空
チャンバー部分の真空壁外側に、プラズマを発生するた
めの高周波コイルを並列に配置し、高周波コイルに対す
るそれぞれの高周波電力導入・導出部を中心対称の位置
に設け、位相制御結合部を通して高周波電力を印加する
ことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。 - 【請求項２】 真空チャンバー内に連続して存在する磁
場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁
場発生手段と、この磁気中性線に沿って交番電場を加え
てこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための高周
波コイルとを備えたプラズマ発生装置を有し、ハロゲン
系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入
し、低圧でプラズマを形成するとともに導入気体を分解
し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に
利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高
周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチン
グする反応性イオンエッチング装置において、プラズマ
発生装置の設けられる真空チャンバー部分の壁部を円筒
状の誘電体で構成して誘電体の外部に複数の磁場コイル
を配置して真空チャンバー内に環状磁気中性線を形成
し、また円筒状の誘電体からなる真空チャンバー部分の
下部に高周波バイアスを印加する基板電極を設け、さら
に磁気中性線と同一面内であって誘電体真空壁と磁場コ
イルの間にプラズマを発生するための高周波コイルを並
列に配置し、それぞれの高周波電力導入・出部を中心対
称の位置に設け、位相制御結合部を通して高周波電力を
印加することを特徴とする反応性イオンエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19395197A JP3832934B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19395197A JP3832934B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 反応性イオンエッチング装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140544A true JPH1140544A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3832934B2 JP3832934B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=16316479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19395197A Expired - Lifetime JP3832934B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3832934B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-07-18 JP JP19395197A patent/JP3832934B2/ja not_active Expired - Lifetime
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