JPH0659175B2 - ゲルおよびその製造方法 - Google Patents
ゲルおよびその製造方法Info
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- JPH0659175B2 JPH0659175B2 JP62046487A JP4648787A JPH0659175B2 JP H0659175 B2 JPH0659175 B2 JP H0659175B2 JP 62046487 A JP62046487 A JP 62046487A JP 4648787 A JP4648787 A JP 4648787A JP H0659175 B2 JPH0659175 B2 JP H0659175B2
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- Japan
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- pectin
- gel
- galacturonide
- pectic polysaccharide
- producing
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- Jellies, Jams, And Syrups (AREA)
- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−ガ
ラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、多価
金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラーゼを
作用させることにより得られるゲルおよびその製造方法
に関する。
ラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、多価
金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラーゼを
作用させることにより得られるゲルおよびその製造方法
に関する。
従来の技術とその問題点 ペクチン質多糖類は植物全般に分布しており、工業的に
はリンゴ，柑橘類等の果皮から得られ、ゲル化剤として
利用されてきた。その構造は、ガラクツロン酸残基がα
−１，４−グリコシド結合したポリガラクツロニドであ
る主鎖と、数％ないし20％程度のアラビノースやガラク
トース等の中性糖残基である側鎖とからなり、さらに最
近の研究では、殆どの場合に、ポリガラクツロニドの主
鎖の所々に一個単位のラムノース残基が存在しており、
この部分から側鎖が出ていることが知られている。ガラ
クツロニン酸残基のカルボキシル基は、通常は一部がメ
チルエステル化されている。
はリンゴ，柑橘類等の果皮から得られ、ゲル化剤として
利用されてきた。その構造は、ガラクツロン酸残基がα
−１，４−グリコシド結合したポリガラクツロニドであ
る主鎖と、数％ないし20％程度のアラビノースやガラク
トース等の中性糖残基である側鎖とからなり、さらに最
近の研究では、殆どの場合に、ポリガラクツロニドの主
鎖の所々に一個単位のラムノース残基が存在しており、
この部分から側鎖が出ていることが知られている。ガラ
クツロニン酸残基のカルボキシル基は、通常は一部がメ
チルエステル化されている。
ペクチン質多糖類はその製造方法によって、カルボキシ
ル基のメチルエステル化度の異なるものが得られる。通
常、メチルエステル化度が50％以上のものを高メトキシ
ル気ペクチン、50％未満のものを低メトキシル化ペクチ
ンと称している。ペクチン質多糖類の一般的な製造方法
は下記の通りである。果皮を細断，洗浄後、鉱酸で加熱
抽出する。未溶解残渣を遠心分離，濾過等により分離
し、抽出液を得る。該抽出液を濃縮し、アルコールを加
えるか、またはアルミニウム等の金属塩を添加した後酸
性アルコールで洗浄して、ペクチン質多糖類の沈殿を得
る。
ル基のメチルエステル化度の異なるものが得られる。通
常、メチルエステル化度が50％以上のものを高メトキシ
ル気ペクチン、50％未満のものを低メトキシル化ペクチ
ンと称している。ペクチン質多糖類の一般的な製造方法
は下記の通りである。果皮を細断，洗浄後、鉱酸で加熱
抽出する。未溶解残渣を遠心分離，濾過等により分離
し、抽出液を得る。該抽出液を濃縮し、アルコールを加
えるか、またはアルミニウム等の金属塩を添加した後酸
性アルコールで洗浄して、ペクチン質多糖類の沈殿を得
る。
該沈殿を乾燥，粉砕して高メトキシル化ペクチンを得
る。また、該沈殿を、酸，アンモニア等で脱エステル化
後、乾燥，粉砕して低メトキシル化ペクチンを得る。
る。また、該沈殿を、酸，アンモニア等で脱エステル化
後、乾燥，粉砕して低メトキシル化ペクチンを得る。
ペクチンはエステル化度にかかわらず、その水溶液をゲ
ル化させることができるが、高メトキシル化ペクチンと
低メトキシル化ペクチンとでは、ゲルの製造方法が異な
る。高メトキシル化ペクチンは50％以上の高濃度の糖存
在下で、ｐＨ３．５以下で加熱溶解後、冷却することに
よりゲルを製造する。即ち、高メトキシル化ペクチンか
ら均質なゲルを製造するには、ショ糖，ブドウ糖等の糖
を添加し、クエン酸等の酸を添加し酸性とし、加熱処理
をすることが必要とされる。一方、低メキシル化ペクチ
ンは、多価金属イオンの存在下で加熱溶解後、冷却する
ことによりゲルを製造するが、水溶液に多価金属イオン
のみを添加するような一次処理だけでは部分的な凝集を
起こすので、均質で強固なゲルを製造することはできな
い。
ル化させることができるが、高メトキシル化ペクチンと
低メトキシル化ペクチンとでは、ゲルの製造方法が異な
る。高メトキシル化ペクチンは50％以上の高濃度の糖存
在下で、ｐＨ３．５以下で加熱溶解後、冷却することに
よりゲルを製造する。即ち、高メトキシル化ペクチンか
ら均質なゲルを製造するには、ショ糖，ブドウ糖等の糖
を添加し、クエン酸等の酸を添加し酸性とし、加熱処理
をすることが必要とされる。一方、低メキシル化ペクチ
ンは、多価金属イオンの存在下で加熱溶解後、冷却する
ことによりゲルを製造するが、水溶液に多価金属イオン
のみを添加するような一次処理だけでは部分的な凝集を
起こすので、均質で強固なゲルを製造することはできな
い。
従って、このような欠点のない、糖および酸無添加，常
温の条件下でも、容易に均質で強固なゲルを製造する方
法が求められてきた。
温の条件下でも、容易に均質で強固なゲルを製造する方
法が求められてきた。
発明の概要 本発明者は、高メトキシル化ペクチンに多価金属イオン
の存在下でペクチン・メチルエステラーゼを作用させる
ことにより、均質で強固なゲルを製造できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
の存在下でペクチン・メチルエステラーゼを作用させる
ことにより、均質で強固なゲルを製造できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ
−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、
多価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラー
ゼを作用させることにより得られるゲルおよびその製造
方法に関する。
−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、
多価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラー
ゼを作用させることにより得られるゲルおよびその製造
方法に関する。
本発明で用いられる高メトキシル化鎖状ポリα−１，４
−Ｄ−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類
としては、いかなる植物由来のものでもよく、主鎖の中
にラムノース残基を含んでいたり、側鎖を有するもので
もよい。例えば、リンゴペクチン，シトラスペクチン，
愛玉子ペクチン等が挙げられるが、水への溶解性が高
く、分子量が高いために低濃度でも強固なゲルが得られ
る愛玉子ペクチンが、特に好ましい。
−Ｄ−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類
としては、いかなる植物由来のものでもよく、主鎖の中
にラムノース残基を含んでいたり、側鎖を有するもので
もよい。例えば、リンゴペクチン，シトラスペクチン，
愛玉子ペクチン等が挙げられるが、水への溶解性が高
く、分子量が高いために低濃度でも強固なゲルが得られ
る愛玉子ペクチンが、特に好ましい。
愛玉子ペクチンは、愛玉子（Ficus awkeotsang Makin
o）の種子を加熱してペクチン・メチルエステラーゼを
失活させた後、抽出，分離，精製することにより得ら
れ、高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−ガラクツ
ロニドから構成される。
o）の種子を加熱してペクチン・メチルエステラーゼを
失活させた後、抽出，分離，精製することにより得ら
れ、高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−ガラクツ
ロニドから構成される。
多価金属イオンとしては、カルシウムイオン，マンガン
イオン，マグネシウムイオン等が挙げられ、その塩、例
えば塩化カルシウム・二水和物，硫酸カルシウム等を用
いることができる。
イオン，マグネシウムイオン等が挙げられ、その塩、例
えば塩化カルシウム・二水和物，硫酸カルシウム等を用
いることができる。
ペクチン・メチルエステラーゼとしては、かび，細菌等
の微生物，植物，動物のいずれを起源とするものでもよ
い。例えば、微生物では Coniophera cerebella，Aspergillus， Penicillium，Frwinia，Xanthomonasなどに、植物では
レモン，みかん，グレープフルーツ等の柑橘類，クロー
バ，アルファルファなどに分布している。また、ペクチ
ン・メチルエステラーゼは、ペクチンを解重合させるペ
クチンリアーゼ，ペクチナーゼ等の活性を除いておれ
ば、必ずしも単一に精製したものでなくても良い。
の微生物，植物，動物のいずれを起源とするものでもよ
い。例えば、微生物では Coniophera cerebella，Aspergillus， Penicillium，Frwinia，Xanthomonasなどに、植物では
レモン，みかん，グレープフルーツ等の柑橘類，クロー
バ，アルファルファなどに分布している。また、ペクチ
ン・メチルエステラーゼは、ペクチンを解重合させるペ
クチンリアーゼ，ペクチナーゼ等の活性を除いておれ
ば、必ずしも単一に精製したものでなくても良い。
なお、多価金属イオン濃度，ペクチン・メチルエステラ
ーゼ濃度，反応時間は、ペクチン質多糖類のメチルエス
テル基含有量，目的とするゲル強度等により異なる。ペ
クチン質多糖類のメチルエステル基含有量が低いほど、
また目的とするゲル強度が低いほど、多価金属イオンお
よびペクチン・メチルエステラーゼの濃度は低く、反応
時間は短くてよい。
ーゼ濃度，反応時間は、ペクチン質多糖類のメチルエス
テル基含有量，目的とするゲル強度等により異なる。ペ
クチン質多糖類のメチルエステル基含有量が低いほど、
また目的とするゲル強度が低いほど、多価金属イオンお
よびペクチン・メチルエステラーゼの濃度は低く、反応
時間は短くてよい。
本発明のゲルは常温で製造できるが、特に15〜45℃が好
ましい。
ましい。
本発明の方法によれば、多価金属イオンとペクチン・メ
チルエステラーゼが、高メトキシル化鎖状ポリα−１，
４−Ｄ−ガラクロツニドを主成分とするペクチン質多糖
類に徐々に作用して、均質で強固なゲルが製造される。
しかしながら、低メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ
−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、
多価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラー
ゼを作用させても、多価金属イオンの添加で直ちに局部
的な凝集が起こり、これに引きつづく酵素作用によって
も均質なゲルは製造できない。
チルエステラーゼが、高メトキシル化鎖状ポリα−１，
４−Ｄ−ガラクロツニドを主成分とするペクチン質多糖
類に徐々に作用して、均質で強固なゲルが製造される。
しかしながら、低メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ
−ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、
多価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラー
ゼを作用させても、多価金属イオンの添加で直ちに局部
的な凝集が起こり、これに引きつづく酵素作用によって
も均質なゲルは製造できない。
本発明によれば、ペクチン質多糖類の起源，メチルエス
テル基含有量，多価金属イオン添加量，ペクチン・メチ
ルエステラーゼ添加量，反応時間等を種々に組合わせる
ことにより、任意にしかも容易に、均質で強固なゲルを
製造することができる。得られるゲルは、その利用方法
によっては、糖，酸を添加し、あるいは加熱して加工し
てよい。また、目的物の製造過程において、糖の添加，
酸の添加，ペクチン・メチルエステラーゼが失活しない
程度の加温処理を行ってもよい。本発明は、デザートゼ
リー，ダイエタリー食品を始め広く食品分野全般に、ま
た酵素の固定化，医薬等種々の分野に利用することがで
きる。
テル基含有量，多価金属イオン添加量，ペクチン・メチ
ルエステラーゼ添加量，反応時間等を種々に組合わせる
ことにより、任意にしかも容易に、均質で強固なゲルを
製造することができる。得られるゲルは、その利用方法
によっては、糖，酸を添加し、あるいは加熱して加工し
てよい。また、目的物の製造過程において、糖の添加，
酸の添加，ペクチン・メチルエステラーゼが失活しない
程度の加温処理を行ってもよい。本発明は、デザートゼ
リー，ダイエタリー食品を始め広く食品分野全般に、ま
た酵素の固定化，医薬等種々の分野に利用することがで
きる。
具体例 以下に参考例，実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
［参考例］ 愛玉子ペクチンの製造方法 愛玉子種子を乾燥器中で100 ℃，１時間加熱処理して、
愛玉子種子内在のペクチン・メチルエステラーゼを完全
に失活させた。次に、加熱処理した愛玉子種子100 ｇに
つき１の脱イオン水を加え、常温で撹拌抽出を30分間
行った後、濾過して不溶物を除去した。これに１倍容の
99％エタノールを加え、ペクチン質を凝析させた。これ
を凝集後、エタノール，アセトンで洗浄脱水を行い、乾
燥して愛玉子ペクチンを得た。得られた愛玉子ペクチン
は、殆ど中性糖を含まない、高メトキシル化ポリα−
１，４−Ｄ−ガラクツロニドであり、カルボキシル基の
メチルエステル化度は85％であった。
愛玉子種子内在のペクチン・メチルエステラーゼを完全
に失活させた。次に、加熱処理した愛玉子種子100 ｇに
つき１の脱イオン水を加え、常温で撹拌抽出を30分間
行った後、濾過して不溶物を除去した。これに１倍容の
99％エタノールを加え、ペクチン質を凝析させた。これ
を凝集後、エタノール，アセトンで洗浄脱水を行い、乾
燥して愛玉子ペクチンを得た。得られた愛玉子ペクチン
は、殆ど中性糖を含まない、高メトキシル化ポリα−
１，４−Ｄ−ガラクツロニドであり、カルボキシル基の
メチルエステル化度は85％であった。
［実施例１］ 10 mM リン酸緩衝液（ｐＨ７．２）に愛玉子ペクチンを
溶解し、０．５％愛玉子ペクチン溶液を調製した。これ
に塩化カルシウム・二水和物をＣａイオン濃度が１ｍ
Ｍとなるように加えた。このようにして得た透明な溶液
30mlを直径30mm，深さ50mmのガラス製円筒容器に入れ、
25℃に調温後、レモンのペクチン・メチルエステラーゼ
（シグマ社製）10単位を添加した。充分に撹拌した後、
25℃に静置すると、透明で弾性あるゲルが得られた。得
られたゲルの強度を１時間後に25℃でネオカードメータ
ー（飯尾製）を用いて測定したところ、破断強度は2.39
×104dyne/cm2であった。
溶解し、０．５％愛玉子ペクチン溶液を調製した。これ
に塩化カルシウム・二水和物をＣａイオン濃度が１ｍ
Ｍとなるように加えた。このようにして得た透明な溶液
30mlを直径30mm，深さ50mmのガラス製円筒容器に入れ、
25℃に調温後、レモンのペクチン・メチルエステラーゼ
（シグマ社製）10単位を添加した。充分に撹拌した後、
25℃に静置すると、透明で弾性あるゲルが得られた。得
られたゲルの強度を１時間後に25℃でネオカードメータ
ー（飯尾製）を用いて測定したところ、破断強度は2.39
×104dyne/cm2であった。
［実施例２］ 実施例１と同様の方法で、愛玉子ペクチン溶液濃度，Ｃ
ａイオン濃度，ペクチン・メチルエステラーゼ添加量
が異なる場合のゲル強度を測定した。
ａイオン濃度，ペクチン・メチルエステラーゼ添加量
が異なる場合のゲル強度を測定した。
結果は表１に示す。
［実施例３］ 10 mM リン酸緩衝液（ｐＨ７．２）にカルボキシル基の
メチルエステル化度が75％のリンゴペクチンを溶解し、
１％リンゴペクチン溶液を調製した。これに塩化カルシ
ウム・二水和物をＣａイオン濃度が１，３，５，９mM
となるように加えた。このようにして得た透明な溶液30
mlを直径30mm，深さ50mmのガラス製円筒容器に入れ、25
℃に調温後、レモンのペクチン・メチルエステラーゼ
（シグマ社製）10単位を添加した。充分に撹拌した後、
25℃に静置すると、透明で弾性あるゲルが得られた。得
られたゲルの強度を１時間後に25でネオカードメーター
（飯尾製）を用いて測定した。破断強度を表２に示す。
メチルエステル化度が75％のリンゴペクチンを溶解し、
１％リンゴペクチン溶液を調製した。これに塩化カルシ
ウム・二水和物をＣａイオン濃度が１，３，５，９mM
となるように加えた。このようにして得た透明な溶液30
mlを直径30mm，深さ50mmのガラス製円筒容器に入れ、25
℃に調温後、レモンのペクチン・メチルエステラーゼ
（シグマ社製）10単位を添加した。充分に撹拌した後、
25℃に静置すると、透明で弾性あるゲルが得られた。得
られたゲルの強度を１時間後に25でネオカードメーター
（飯尾製）を用いて測定した。破断強度を表２に示す。
Claims (4)
- 【請求項１】高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−
ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、多
価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラーゼ
を作用させることにより得られるゲル。 - 【請求項２】高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−
ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類が、愛
玉子（Ficus awkeotsang Makino）の種子を加熱後、抽
出して得られるペクチン質多糖類である特許請求の範囲
第１項記載のゲル。 - 【請求項３】高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−
ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類に、多
価金属イオンの存在下でペクチン・メチルエステラーゼ
を作用させることを特徴とするゲルの製造方法。 - 【請求項４】高メトキシル化鎖状ポリα−１，４−Ｄ−
ガラクツロニドを主成分とするペクチン質多糖類が、愛
玉子（Ficus awkeotsang Makino）の種子を加熱後、抽
出して得られるペクチン質多糖類である特許請求の範囲
第３項記載のゲルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046487A JPH0659175B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ゲルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046487A JPH0659175B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ゲルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63209553A JPS63209553A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0659175B2 true JPH0659175B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=12748566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046487A Expired - Lifetime JPH0659175B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ゲルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659175B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2932043B2 (ja) * | 1994-11-17 | 1999-08-09 | 稔 倉田 | 自動車用ジャッキ装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0987953A2 (en) * | 1997-05-23 | 2000-03-29 | Dsm N.V. | A method for fruit processing |
| JP2017153454A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 公立大学法人大阪府立大学 | ペクチン性多糖類の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460236A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Etching method |
| JPS5782474A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Hitachi Ltd | Microwave etching device |
| JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS6159734A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体基板のエツチング処理方法 |
| JPS61267325A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | 有機膜の除去方法 |
| JPS6237934A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62046487A patent/JPH0659175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460236A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Etching method |
| JPS5782474A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Hitachi Ltd | Microwave etching device |
| JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS6159734A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体基板のエツチング処理方法 |
| JPS61267325A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | 有機膜の除去方法 |
| JPS6237934A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2932043B2 (ja) * | 1994-11-17 | 1999-08-09 | 稔 倉田 | 自動車用ジャッキ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63209553A (ja) | 1988-08-31 |
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