JPH0656883B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0656883B2 JPH0656883B2 JP61047122A JP4712286A JPH0656883B2 JP H0656883 B2 JPH0656883 B2 JP H0656883B2 JP 61047122 A JP61047122 A JP 61047122A JP 4712286 A JP4712286 A JP 4712286A JP H0656883 B2 JPH0656883 B2 JP H0656883B2
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置に関する。さらに詳しくは、耐熱性
を向上させる金属電極材料を用いた半導体装置に関す
る。
を向上させる金属電極材料を用いた半導体装置に関す
る。
［従来の技術・発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体装置、たとえば非晶質シリコン太陽電池や
pin フォトセンサーなどは、ガラスやプラスチックフィ
ルムなどの透光性基板上に、スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法、熱CVD 法あるいはスプレー法などによっ
て、ITO 、ITO ／SnO2、SnO2、In2O3 、CdXSnOy（ｘ＝
0.5 〜２、y＝２〜４）、IrZO1-z（ｚ＝0.33〜0.5 ）な
どからなる透明導電薄膜を形成したのち、この上にpin
構造の非晶質シリコン層を形成し、ついでマスクなどを
用いて、たとえばAl、Ag、Niなどを金属電極として抵抗
加熱蒸着法あるいは電子ビーム蒸着法などにより設ける
ことにより製造されている。
pin フォトセンサーなどは、ガラスやプラスチックフィ
ルムなどの透光性基板上に、スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法、熱CVD 法あるいはスプレー法などによっ
て、ITO 、ITO ／SnO2、SnO2、In2O3 、CdXSnOy（ｘ＝
0.5 〜２、y＝２〜４）、IrZO1-z（ｚ＝0.33〜0.5 ）な
どからなる透明導電薄膜を形成したのち、この上にpin
構造の非晶質シリコン層を形成し、ついでマスクなどを
用いて、たとえばAl、Ag、Niなどを金属電極として抵抗
加熱蒸着法あるいは電子ビーム蒸着法などにより設ける
ことにより製造されている。
前記金属電極として必要な条件は、 (1)薄膜であっても電気抵抗値の小さいこと (2)半導体層との間で電位障壁を形成することなく、い
わゆるオーミック性が良好であること (3)半導体層と金属電極の付着強度が強いこと (4)半導体装置が太陽電池やフォトセンサーであるばあ
いには、反射率の高い金属であること (5)熱的に安定な金属で半導体層中に拡散しにくいこと などがあげられ、これらの条件が半導体装置の特性、寿
命に大きく影響する。
わゆるオーミック性が良好であること (3)半導体層と金属電極の付着強度が強いこと (4)半導体装置が太陽電池やフォトセンサーであるばあ
いには、反射率の高い金属であること (5)熱的に安定な金属で半導体層中に拡散しにくいこと などがあげられ、これらの条件が半導体装置の特性、寿
命に大きく影響する。
従来の金属電極材料として、一般にAl、Ag、Niなどが用
いられている。そのうちAlは(1)〜(4)に関して単一金属
材料の中では優れた性質を有する材料であるが、たとえ
ば半導体に非晶質シリコンなどを用いたばあいには、高
温になるとAlが半導体中に拡散しやすいという欠点があ
る。従ってAl電極を設けた微結晶質を含んでいてもよい
非晶質半導体を製造する際に、Al電極を形成した素子が
比較的高温にさらされたばあいや半導体装置の使用中に
温度が上昇したばあいなどには、Alが容易に半導体中に
拡散して半導体特性が低下しやすいため、半導体装置の
製造工程が著しく制限されたり、半導体の寿命が著しく
短かくなる原因となる。たとえば屋外に設置される非晶
質シリコン系太陽電池の裏面電極としてAlを用いたばあ
いには、太陽光が照射されるとき約80℃にもなり、Alの
拡散による太陽電池性能の低下がおこる。
いられている。そのうちAlは(1)〜(4)に関して単一金属
材料の中では優れた性質を有する材料であるが、たとえ
ば半導体に非晶質シリコンなどを用いたばあいには、高
温になるとAlが半導体中に拡散しやすいという欠点があ
る。従ってAl電極を設けた微結晶質を含んでいてもよい
非晶質半導体を製造する際に、Al電極を形成した素子が
比較的高温にさらされたばあいや半導体装置の使用中に
温度が上昇したばあいなどには、Alが容易に半導体中に
拡散して半導体特性が低下しやすいため、半導体装置の
製造工程が著しく制限されたり、半導体の寿命が著しく
短かくなる原因となる。たとえば屋外に設置される非晶
質シリコン系太陽電池の裏面電極としてAlを用いたばあ
いには、太陽光が照射されるとき約80℃にもなり、Alの
拡散による太陽電池性能の低下がおこる。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、Al電極を設けた微結晶質を含んでいてもよい
非晶質半導体装置を製造するとき、Al電極を形成後製造
工程において素子が比較的高温にさらされたばあい、あ
るいは半導体装置の使用中に温度が上昇するばあいなど
に生ずるAlの半導体中への拡散による半導体装置の特性
の低下を防ぐためになされたものであり、微結晶質を含
んでいてもよい非晶質半導体に電気的に接続する金属電
極の第１成分がAlから構成されている半導体装置であっ
て、前記金属電極の他成分としてAgを0.1 〜90atm%含有
することを特徴とする半導体装置に関する。
非晶質半導体装置を製造するとき、Al電極を形成後製造
工程において素子が比較的高温にさらされたばあい、あ
るいは半導体装置の使用中に温度が上昇するばあいなど
に生ずるAlの半導体中への拡散による半導体装置の特性
の低下を防ぐためになされたものであり、微結晶質を含
んでいてもよい非晶質半導体に電気的に接続する金属電
極の第１成分がAlから構成されている半導体装置であっ
て、前記金属電極の他成分としてAgを0.1 〜90atm%含有
することを特徴とする半導体装置に関する。
［実施例］ 本発明に用いる微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導
体としては、シリコン系の非晶質半導体または微結晶質
を含む非晶質半導体であればとくに限定はない。このよ
うな半導体の具体例としては、a-Si：Ｈ、a-Si：Ｆ：
Ｈ、a-Si：Ｎ：Ｆ：Ｈ、a-SiC ：Ｈ、：a-SiC ：Ｆ：
Ｈ、a-SiO ：Ｈ、a-SiO ：Ｆ：Ｈ、a-SiN ：Ｈ、μｃ−
Si：Ｈ、μｃ−Si：Ｆ：Ｈなどがあげられる。前記半導
体は、ｐ型、ｎ型、真性のいずれであってもよい。
体としては、シリコン系の非晶質半導体または微結晶質
を含む非晶質半導体であればとくに限定はない。このよ
うな半導体の具体例としては、a-Si：Ｈ、a-Si：Ｆ：
Ｈ、a-Si：Ｎ：Ｆ：Ｈ、a-SiC ：Ｈ、：a-SiC ：Ｆ：
Ｈ、a-SiO ：Ｈ、a-SiO ：Ｆ：Ｈ、a-SiN ：Ｈ、μｃ−
Si：Ｈ、μｃ−Si：Ｆ：Ｈなどがあげられる。前記半導
体は、ｐ型、ｎ型、真性のいずれであってもよい。
本発明に用いる微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導
体と電気的に接続される金属電極を形成する材料として
は、Alを第１成分とし、他成分として、固相においてAl
中に一部あるいは完全に固溶し、Siと完全共晶形状態図
を作る元素であるAgが、耐熱性の向上の点から好まし
い。
体と電気的に接続される金属電極を形成する材料として
は、Alを第１成分とし、他成分として、固相においてAl
中に一部あるいは完全に固溶し、Siと完全共晶形状態図
を作る元素であるAgが、耐熱性の向上の点から好まし
い。
前記Agの金属電極を形成する材料中にしめる割合として
は、0.1 〜90tam%、好ましくは0.1 〜25atm%、さらに好
ましくは0.1 〜10atm%である。
は、0.1 〜90tam%、好ましくは0.1 〜25atm%、さらに好
ましくは0.1 〜10atm%である。
Agを金属電極の他成分として使用するため、反射率の低
下あるいは電気抵抗の増加をおこすことなく、かつ耐熱
性を向上させることができる 金属電極の厚さは20〜100000Åが好ましく、40〜5000Å
であることがさらに好ましい。金属電極層の厚さは蒸着
時の振動子モニター値を用いて測定してもよいし、SIMS
などの表面分析から求めた厚さに基づく検量線を利用し
て測定してもよい。
下あるいは電気抵抗の増加をおこすことなく、かつ耐熱
性を向上させることができる 金属電極の厚さは20〜100000Åが好ましく、40〜5000Å
であることがさらに好ましい。金属電極層の厚さは蒸着
時の振動子モニター値を用いて測定してもよいし、SIMS
などの表面分析から求めた厚さに基づく検量線を利用し
て測定してもよい。
前記金属電極は、通常ｐ型半導体層、ｎ型半導体層ある
いはｐ型、ｎ型両半導体層と電気的に接続するように設
けられる。
いはｐ型、ｎ型両半導体層と電気的に接続するように設
けられる。
前記金属電極と半導体をはさんで反対側に電極を形成す
るばあいには、たとえばITO 、ITO ／SiO2、In2O3 、Cd
XSnOy（ｘ＝0.5 〜２、ｙ＝２〜４）、IrZO1-Z（ｚ＝0.
33〜0.5 ）などからなるなる金属化合物などの電極が代
表例としてあげられるが、これらに限定されるものでは
ない。
るばあいには、たとえばITO 、ITO ／SiO2、In2O3 、Cd
XSnOy（ｘ＝0.5 〜２、ｙ＝２〜４）、IrZO1-Z（ｚ＝0.
33〜0.5 ）などからなるなる金属化合物などの電極が代
表例としてあげられるが、これらに限定されるものでは
ない。
なお本明細書にいう半導体装置とは、0.01〜100 μｍの
厚さを有する微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体
層を有する、たとえば太陽電池、フォトセンサー、感光
ドラム、薄膜トランジスター、エレクトロルミネッセン
ス素子などで代表される半導体装置を意味する。
厚さを有する微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体
層を有する、たとえば太陽電池、フォトセンサー、感光
ドラム、薄膜トランジスター、エレクトロルミネッセン
ス素子などで代表される半導体装置を意味する。
つぎに本発明の半導体装置の製法を光入射側から順にｐ
型、ｉ型、ｎ型の半導体を設けた太陽電池を例にとり説
明する。
型、ｉ型、ｎ型の半導体を設けた太陽電池を例にとり説
明する。
まず透明電極を設けた透光性基板上にプラズマCVD 法に
より、たとえばｐ型a-SiC：Ｈ、ｉ型a-Si：Ｈ、ｎ型μ
ｃ−Si：Ｈ層を形成し、そののち電子ビーム蒸着法によ
り所定の厚さに金属電極を形成する。蒸着源に蒸着物が
所定の組成になる様なAl合金を用いてもよいし、多元電
子ビームによりAlおよびAgの蒸着源を所定の組成になる
ようにビームを交互に照射しながら蒸着してもよい。ま
たスパッタリングにより所定の組成になるようなAl合金
ターゲットをスパッターして設けてもよいし、AlとAgを
コスパッターし、Al合金層を設けてもよい。もちろん抵
抗加熱蒸着法により、Al合金蒸着源を用いて形成しても
よいし、多元蒸着を行なってAl合金層を設けてもよい。
このとき、ｐ層、ｉ層、ｎ層を形成した基板の温度は室
温〜300 ℃、好ましくは室温〜200 とである。
より、たとえばｐ型a-SiC：Ｈ、ｉ型a-Si：Ｈ、ｎ型μ
ｃ−Si：Ｈ層を形成し、そののち電子ビーム蒸着法によ
り所定の厚さに金属電極を形成する。蒸着源に蒸着物が
所定の組成になる様なAl合金を用いてもよいし、多元電
子ビームによりAlおよびAgの蒸着源を所定の組成になる
ようにビームを交互に照射しながら蒸着してもよい。ま
たスパッタリングにより所定の組成になるようなAl合金
ターゲットをスパッターして設けてもよいし、AlとAgを
コスパッターし、Al合金層を設けてもよい。もちろん抵
抗加熱蒸着法により、Al合金蒸着源を用いて形成しても
よいし、多元蒸着を行なってAl合金層を設けてもよい。
このとき、ｐ層、ｉ層、ｎ層を形成した基板の温度は室
温〜300 ℃、好ましくは室温〜200 とである。
上記説明ではpin 型太陽電池について説明したが、pi
型、pn型の太陽電池や、これらの半導体の１種以上を積
層してタンデム構造にした太陽電池、あるいは他の半導
体装置についても同様である。また太陽電池はヘテロ接
合の太陽電池について説明したが、もちろんホモ接合の
太陽電池であってもよい。
型、pn型の太陽電池や、これらの半導体の１種以上を積
層してタンデム構造にした太陽電池、あるいは他の半導
体装置についても同様である。また太陽電池はヘテロ接
合の太陽電池について説明したが、もちろんホモ接合の
太陽電池であってもよい。
このようにして製造される本発明の半導体装置は、高い
初期性能を維持し、Al電極を設けた半導体装置にみられ
るような金属電極を構成する元素の半導体中への拡散が
防止され、金属電極形成後130 ℃以上の温度、とくに15
0 ℃以上の温度で半導体装置が製造される、あるいは使
用中に長期間80℃以上になるような用途に使用される太
陽電池やフォトセンサーなどに好適に使用される。
初期性能を維持し、Al電極を設けた半導体装置にみられ
るような金属電極を構成する元素の半導体中への拡散が
防止され、金属電極形成後130 ℃以上の温度、とくに15
0 ℃以上の温度で半導体装置が製造される、あるいは使
用中に長期間80℃以上になるような用途に使用される太
陽電池やフォトセンサーなどに好適に使用される。
つぎに本発明の半導体装置を実施例に基き説明する。
実施例１ 厚さ1.1 mmのガラス基板上に厚さ4500Åのフッ素ドープ
SnO2透明電極を堆積させ、その上に基板温度約200 ℃、
圧力0.5 〜1.0Torr にてSiH4、CH4 、 B2H6 からなる混
合ガス、SiH4、H2からなる混合ガス、SiH4、PH3 、H2か
らなる混合ガスをこの順に用いてグロー放電分解法にて
それぞれｐ型非晶質半導体層を150 Å、ｉ型非晶質半導
体層を7000Å、ｎ型微結晶質半導体層を300 Åの厚さに
なるように堆積させた。そののちAlとAgとの合金で各々
の割合が97atm ％、３atm ％の金属電極を5000Åの厚さ
になるように基板温度150 ℃にて電子ビーム蒸着法で堆
積させた。
SnO2透明電極を堆積させ、その上に基板温度約200 ℃、
圧力0.5 〜1.0Torr にてSiH4、CH4 、 B2H6 からなる混
合ガス、SiH4、H2からなる混合ガス、SiH4、PH3 、H2か
らなる混合ガスをこの順に用いてグロー放電分解法にて
それぞれｐ型非晶質半導体層を150 Å、ｉ型非晶質半導
体層を7000Å、ｎ型微結晶質半導体層を300 Åの厚さに
なるように堆積させた。そののちAlとAgとの合金で各々
の割合が97atm ％、３atm ％の金属電極を5000Åの厚さ
になるように基板温度150 ℃にて電子ビーム蒸着法で堆
積させた。
えられた太陽電池50個の平均特性および230 ℃、６時間
加熱したのちの50個の平均特性をしらべた。結果を第１
表に示す。
加熱したのちの50個の平均特性をしらべた。結果を第１
表に示す。
太陽電池特性は、AM-1、100mW ／cm2のソーラシミュレ
ーターを用いて測定した。
ーターを用いて測定した。
実施例２ AlとAgとの合金で各々の割合が97atm ％、３atm ％の金
属電極のかわりに、AlとAgとの合金で各々の割合が75at
m ％、25atm ％の金属電極を用いた他は実施例１と同様
にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均
特性および230 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特
性を評価した。結果を第１表に示す。
属電極のかわりに、AlとAgとの合金で各々の割合が75at
m ％、25atm ％の金属電極を用いた他は実施例１と同様
にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均
特性および230 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特
性を評価した。結果を第１表に示す。
比較例１ AlとAgとの合金で各々の割合が97atm ％、３atm ％の金
属電極のかわりに、AlとMgとの合金で各々の割合が99at
m ％、１atm ％の金属電極を用いた他は実施例１と同様
にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均
特性および200 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特
性を評価した。結果を第１表に示す。
属電極のかわりに、AlとMgとの合金で各々の割合が99at
m ％、１atm ％の金属電極を用いた他は実施例１と同様
にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均
特性および200 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特
性を評価した。結果を第１表に示す。
比較例２ AlとAgとの合金で各々の割合で97atm ％、３atm ％の金
属電極のかわりに、Alのみの電極を用いた他は実施例１
と同様にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個
の平均特性および200 ℃、６時間加熱したのちの50個の
平均特性を評価した。結果を第１表に示す。
属電極のかわりに、Alのみの電極を用いた他は実施例１
と同様にして太陽電池を作製し、えられた太陽電池50個
の平均特性および200 ℃、６時間加熱したのちの50個の
平均特性を評価した。結果を第１表に示す。
比較例３ 実施例１で用いたAl合金のかわりに、Al（98atm%）−Au
（２atm%）、Al（95atm%）−Zn（５atm%）、Al（97atm
%）−Ni（３atm%）およびAl（98atm%）−Si（２atm%）
の各合金を用いた他は同様の条件で太陽電池を作製し
た。
（２atm%）、Al（95atm%）−Zn（５atm%）、Al（97atm
%）−Ni（３atm%）およびAl（98atm%）−Si（２atm%）
の各合金を用いた他は同様の条件で太陽電池を作製し
た。
えられた太陽電池各２個について実施例１と同様にして
加熱試験を行なったところ、いずれも加熱前の変換効率
を80% 以上保有していたが、Al-Ag 合金のばあいよりも
劣っていた。
加熱試験を行なったところ、いずれも加熱前の変換効率
を80% 以上保有していたが、Al-Ag 合金のばあいよりも
劣っていた。
実施例３〜４および比較例４〜５ AlとAgとの合金で各々の割合が97atm%と３atm%との金属
電極のかわりに、AlとAgとの合金で各々の割合が99atm%
と１atm%（実施例３）、13atm%と87atm%（実施例４）、
７atm%と93atm%（比較例４）、０atm%と100atm% （比較
例５）の金属電極を用いた他は実施例１と同様にして太
陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均特性およ
び230 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特性を評価
した。また、裏面電極の付着性をスコッチテープテスト
により評価した。結果を第２表に示す。
電極のかわりに、AlとAgとの合金で各々の割合が99atm%
と１atm%（実施例３）、13atm%と87atm%（実施例４）、
７atm%と93atm%（比較例４）、０atm%と100atm% （比較
例５）の金属電極を用いた他は実施例１と同様にして太
陽電池を作製し、えられた太陽電池50個の平均特性およ
び230 ℃、６時間加熱したのちの50個の平均特性を評価
した。また、裏面電極の付着性をスコッチテープテスト
により評価した。結果を第２表に示す。
なお、スコッチテープテストは、裏面電極上に市販のス
コッチテープ（スリーエム（３Ｍ）社製）を強くはりつ
けてひきはがしたばあいに、a-Si／裏面電極界面で剥離
するか調べた。その結果、テープに裏面電極が付着しな
い、すなわち、a-Si／裏面電極界面で剥離しないばあい
を良、テープに裏面電極が付着する、すなわち、a-Si／
裏面電極界面で剥離したばあいを不良として評価した。
コッチテープ（スリーエム（３Ｍ）社製）を強くはりつ
けてひきはがしたばあいに、a-Si／裏面電極界面で剥離
するか調べた。その結果、テープに裏面電極が付着しな
い、すなわち、a-Si／裏面電極界面で剥離しないばあい
を良、テープに裏面電極が付着する、すなわち、a-Si／
裏面電極界面で剥離したばあいを不良として評価した。
比較例６〜７ AlとAgとの合金で各々の割合が97atm%と３atm%との金属
電極のかわりに、AlとSiとの合金で各々の割合が95atm%
と５atm%との金属電極（比較例６）、AlとCuとの合金で
各々の割合が98.7atm%と1.3atm% との金属電極（比較例
７）を用いた他は実施例３と同様にして太陽電池を作製
し、評価した。結果を第２表に示す。
電極のかわりに、AlとSiとの合金で各々の割合が95atm%
と５atm%との金属電極（比較例６）、AlとCuとの合金で
各々の割合が98.7atm%と1.3atm% との金属電極（比較例
７）を用いた他は実施例３と同様にして太陽電池を作製
し、評価した。結果を第２表に示す。
［発明の効果］ 以上説明したように、半導体装置を製造するばあいに微
結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体の電気的接続用
の金属電極として、第１成分がAlであり、他成分がAgか
らなる金属電極を設けることにより、たとえば半導体装
置を製造する際あるいは半導体装置の使用中のように、
金属電極形成後に素子が比較的高温にさらされたばあい
などに、金属電極を構成する金属の半導体中への拡散を
防ぎ、半導体装置の特性の低下を少なくすることができ
る。さらには製品の歩留を向上させ、また製品の寿命を
大きくのばすことができる。
結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体の電気的接続用
の金属電極として、第１成分がAlであり、他成分がAgか
らなる金属電極を設けることにより、たとえば半導体装
置を製造する際あるいは半導体装置の使用中のように、
金属電極形成後に素子が比較的高温にさらされたばあい
などに、金属電極を構成する金属の半導体中への拡散を
防ぎ、半導体装置の特性の低下を少なくすることができ
る。さらには製品の歩留を向上させ、また製品の寿命を
大きくのばすことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−39072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−98985（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−104184（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体
に電気的に接続する金属電極の第１成分がAlから構成さ
れている半導体装置であって、前記金属電極の他成分と
してAgを0.1 〜90atm%含有することを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】前記金属電極の他成分であるAgの含量が0.
10〜25atm%である特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 - 【請求項３】前記金属電極の厚さが20〜100000Åである
特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置。 - 【請求項４】微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体
が厚さ0.01〜100 μｍの半導体である特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 - 【請求項５】微結晶質を含んでいてもよい非晶質半導体
が、pin 型、pi型、pn型あるいはこれらpin 型、pi型、
pn型の１種以上を積層させた構造である特許請求の範囲
第１項または第４項記載の半導体装置。 - 【請求項６】前記金属電極がｐ型半導体層、ｎ型半導体
層あるいはｐ型、ｎ型両半導体層と電気的に接続する電
極である特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記
載の半導体装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP61047122A JPH0656883B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
| AU69298/87A AU600472B2 (en) | 1986-03-03 | 1987-02-26 | Semiconductor device |
| DE8787102929T DE3773957D1 (de) | 1986-03-03 | 1987-03-02 | Halbleitervorrichtung. |
| EP87102929A EP0235785B1 (en) | 1986-03-03 | 1987-03-02 | Semiconductor device |
| US07/298,279 US4941032A (en) | 1986-03-03 | 1989-01-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047122A JPH0656883B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
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| JPS62203369A JPS62203369A (ja) | 1987-09-08 |
| JPH0656883B2 true JPH0656883B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=12766350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047122A Expired - Lifetime JPH0656883B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0235785B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0656883B2 (ja) |
| AU (1) | AU600472B2 (ja) |
| DE (1) | DE3773957D1 (ja) |
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| DE4023495A1 (de) * | 1990-07-24 | 1992-01-30 | Nukem Gmbh | Elektronisches bauelement |
| US5500301A (en) * | 1991-03-07 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| JP3061654B2 (ja) * | 1991-04-23 | 2000-07-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料 |
| DE69218102T2 (de) * | 1991-10-22 | 1997-10-09 | Canon Kk | Photovoltaisches Bauelement |
| JP2837302B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1998-12-16 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
| JP2733006B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-03-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP3792281B2 (ja) * | 1995-01-09 | 2006-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池 |
| EP0855451A4 (en) | 1995-10-12 | 1999-10-06 | Toshiba Kk | WIRING FILM, ION BOMBING SPRAYING TARGET FOR FORMING THIS FILM AND ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING THIS FILM |
| USRE45481E1 (en) * | 1995-10-12 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
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| US6124205A (en) | 1998-09-03 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Contact/via force fill process |
| US6949464B1 (en) * | 1998-09-03 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Contact/via force fill techniques |
| FR2805395B1 (fr) * | 2000-02-23 | 2002-05-10 | Centre Nat Rech Scient | Transistor mos pour circuits a haute densite d'integration |
| JP4117001B2 (ja) | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
| JP4948778B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-06-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 太陽電池およびその色調整方法 |
| US20090022982A1 (en) * | 2006-03-06 | 2009-01-22 | Tosoh Smd, Inc. | Electronic Device, Method of Manufacture of Same and Sputtering Target |
| CN101395296B (zh) * | 2006-03-06 | 2012-03-28 | 陶斯摩有限公司 | 溅射靶 |
| EP2077585A4 (en) * | 2006-09-28 | 2017-04-26 | Kyocera Corporation | Solar battery element and method for manufacturing the same |
| KR20080069448A (ko) * | 2007-01-23 | 2008-07-28 | 엘지전자 주식회사 | 측면결정화 공정을 이용한 고효율 광기전력 변환소자 모듈및 그의 제조방법 |
| CN114335197B (zh) * | 2022-03-11 | 2022-08-19 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 太阳能电池的导电接触结构、组件及发电*** |
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| JPS57104184A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Nippon Electric Co | Position display system |
| US4471376A (en) * | 1981-01-14 | 1984-09-11 | Harris Corporation | Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication |
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| JPS58178573A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質半導体装置 |
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-
1986
- 1986-03-03 JP JP61047122A patent/JPH0656883B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-26 AU AU69298/87A patent/AU600472B2/en not_active Ceased
- 1987-03-02 DE DE8787102929T patent/DE3773957D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-02 EP EP87102929A patent/EP0235785B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-13 US US07/298,279 patent/US4941032A/en not_active Expired - Lifetime
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