JP3419108B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜太陽電池の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、非晶質シリコンを始めとする
薄膜太陽電池は、絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜
半導体層、裏面電極層を順次積層して形成され、絶縁性
透明基板側から入射される光によって薄膜半導体層内に
発生した電子正孔対を、ｐｎ接合の内部電界を用いて透
明電極層側と裏面電極層側にそれぞれ取り出すことによ
って発電電力を得るものである。このような薄膜太陽電
池においては、少しでも薄膜半導体層内に入射する光量
を増加させるため、これまでに種々の改良がなされてい
る。例えば絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体
層としてｐ−ｉ−ｎ接合を有する非晶質シリコン層、裏
面電極層を順次積層し、裏面電極層に有効波長域での反
射率の高い銀電極を用い、入射光を裏面電極層と透明電
極層との間で反射させることで、薄膜半導体層に到達す
る光量を増加させることなどが図られている。これは裏
面電極の反射率を高くすることで薄膜半導体層内部を通
過した長波長の光を有効に利用し、もって光電流を向上
させることが狙いである。そして前述のように、反射率
の高い裏面電極材料としては銀（Ａｇ）が最も一般的に
用いられている。
薄膜太陽電池は、絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜
半導体層、裏面電極層を順次積層して形成され、絶縁性
透明基板側から入射される光によって薄膜半導体層内に
発生した電子正孔対を、ｐｎ接合の内部電界を用いて透
明電極層側と裏面電極層側にそれぞれ取り出すことによ
って発電電力を得るものである。このような薄膜太陽電
池においては、少しでも薄膜半導体層内に入射する光量
を増加させるため、これまでに種々の改良がなされてい
る。例えば絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体
層としてｐ−ｉ−ｎ接合を有する非晶質シリコン層、裏
面電極層を順次積層し、裏面電極層に有効波長域での反
射率の高い銀電極を用い、入射光を裏面電極層と透明電
極層との間で反射させることで、薄膜半導体層に到達す
る光量を増加させることなどが図られている。これは裏
面電極の反射率を高くすることで薄膜半導体層内部を通
過した長波長の光を有効に利用し、もって光電流を向上
させることが狙いである。そして前述のように、反射率
の高い裏面電極材料としては銀（Ａｇ）が最も一般的に
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀は薄
膜半導体やセラミックなどに対する接着強度が劣ってお
り、薄膜太陽電池の裏面電極として実用レベルの接着強
度を得るために熱処理などによってシンタリングした
り、敢えて不純物を添加したりする方法が採られてき
た。しかしながら熱処理による高温暴露は、金属成分の
拡散速度の点で薄膜半導体には適さないこと、さらに不
純物を添加すると銀の反射率は著しく低下し、前述の長
波長光の有効利用が図れないことなどから、これまで実
用レベルでは銀単体は薄膜太陽電池の裏面電極として使
用できないと言う点が問題であった。一方酸化インジウ
ム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの透明導
電性金属化合物上に、銀またはアルミニウム等の高反射
率金属を積層した高反射率の裏面電極構造も提案されて
いる。しかしながらアルミニウムについては、それ単体
を薄膜半導体上に直接積層する場合よりも接着強度は低
下し、また銀については若干単体の場合よりも接着強度
は向上するものの、到底実用レベルで利用できる水準で
はなかった。そしてこれらの裏面電極構造については、
学会発表用のトップデータを出すためにしか使われてい
なかったのが現状である。
膜半導体やセラミックなどに対する接着強度が劣ってお
り、薄膜太陽電池の裏面電極として実用レベルの接着強
度を得るために熱処理などによってシンタリングした
り、敢えて不純物を添加したりする方法が採られてき
た。しかしながら熱処理による高温暴露は、金属成分の
拡散速度の点で薄膜半導体には適さないこと、さらに不
純物を添加すると銀の反射率は著しく低下し、前述の長
波長光の有効利用が図れないことなどから、これまで実
用レベルでは銀単体は薄膜太陽電池の裏面電極として使
用できないと言う点が問題であった。一方酸化インジウ
ム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの透明導
電性金属化合物上に、銀またはアルミニウム等の高反射
率金属を積層した高反射率の裏面電極構造も提案されて
いる。しかしながらアルミニウムについては、それ単体
を薄膜半導体上に直接積層する場合よりも接着強度は低
下し、また銀については若干単体の場合よりも接着強度
は向上するものの、到底実用レベルで利用できる水準で
はなかった。そしてこれらの裏面電極構造については、
学会発表用のトップデータを出すためにしか使われてい
なかったのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの問題点
を解決し、薄膜半導体層との接着強度と高い反射率を両
立した裏面電極構造を有する薄膜太陽電池の製造方法を
提供するものである。このような本発明は、絶縁性透明
基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次
積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記薄膜半
導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を積層した
後、透明導電性金属化合物によるプラズマ領域と銀又は
アルミニウム単体によるプラズマ領域のそれぞれの一部
を互いに重なり合わせてなる反応室内を、前記プラズマ
領域を構成する活性種が混在する領域で、前記透明導電
性金属化合物側から前記銀又はアルミニウム単体側に向
かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層した基
板を移動させ、前記第１の透明導電性金属化合物層上に
第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単
体層を積層させることにより、前記薄膜半導体層上に前
記第１の透明導電性金属化合物層と第２の透明導電性金
属化合物層と銀又はアルミニウム単体層よりなる裏面電
極層を積層する薄膜太陽電池の製造方法である。そして
スパッタリングターゲットに電圧を印加することによっ
て前記複数のプラズマ領域を形成すること；前記透明導
電性金属化合物によるプラズマ領域を形成する放電パワ
ー密度を前記銀又はアルミニウム単体によるプラズマ領
域を形成する放電パワー密度の１０％以下とすること；
前記プラズマ領域を形成するために用いる透明導電性金
属化合物に、前記第１の透明導電性金属化合物層と同一
材料を用いること；前記第１の透明導電性金属化合物
に、酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミ
ウムのいずれかを用いること、を組み合わせて採用して
もよい。
を解決し、薄膜半導体層との接着強度と高い反射率を両
立した裏面電極構造を有する薄膜太陽電池の製造方法を
提供するものである。このような本発明は、絶縁性透明
基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次
積層する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記薄膜半
導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を積層した
後、透明導電性金属化合物によるプラズマ領域と銀又は
アルミニウム単体によるプラズマ領域のそれぞれの一部
を互いに重なり合わせてなる反応室内を、前記プラズマ
領域を構成する活性種が混在する領域で、前記透明導電
性金属化合物側から前記銀又はアルミニウム単体側に向
かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層した基
板を移動させ、前記第１の透明導電性金属化合物層上に
第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単
体層を積層させることにより、前記薄膜半導体層上に前
記第１の透明導電性金属化合物層と第２の透明導電性金
属化合物層と銀又はアルミニウム単体層よりなる裏面電
極層を積層する薄膜太陽電池の製造方法である。そして
スパッタリングターゲットに電圧を印加することによっ
て前記複数のプラズマ領域を形成すること；前記透明導
電性金属化合物によるプラズマ領域を形成する放電パワ
ー密度を前記銀又はアルミニウム単体によるプラズマ領
域を形成する放電パワー密度の１０％以下とすること；
前記プラズマ領域を形成するために用いる透明導電性金
属化合物に、前記第１の透明導電性金属化合物層と同一
材料を用いること；前記第１の透明導電性金属化合物
に、酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミ
ウムのいずれかを用いること、を組み合わせて採用して
もよい。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜太陽電池の製造方法では、以下の
作用によって裏面電極の接着強度が向上する。まずガラ
ス等の絶縁性透明基板上に酸化インジウム錫（以下単に
ＩＴＯと記す）、酸化錫（以下単にＳｎＯ２ と記
す）、酸化亜鉛（以下単にＺｎＯと記す）等の透明電極
層、非晶質シリコン等の薄膜半導体層を順次積層する。
このとき薄膜半導体層をｐ型、ｉ型、ｎ型の積層体とし
ておく。次いで、この薄膜半導体層上に第１の透明導電
性金属化合物層を積層する。この薄膜半導体層と第１の
透明導電性金属化合物層との間の接着強度は、充分実用
レベルのものが得られる。そしてこれに続いて、反応室
内において形成した透明導電性金属化合物と銀又はアル
ミニウム単体による隣設する複数のプラズマ領域中を、
透明導電性金属化合物側から銀又はアルミニウム単体側
に向かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た基板を移動させ、第１の透明導電性金属化合物層上に
第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単
体層を順次積層する。このようにして薄膜半導体層上に
積層された、第１の透明導電性金属化合物層と第２の透
明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単体層とに
よる積層体が裏面電極となる。従来では、ここで言う第
１の透明導電性金属化合物層の上に直接銀（以下単にＡ
ｇと記す）やアルミニウム（以下単にＡｌと記す）を積
層するが、この場合には異種材料同士の接触となり、前
述のように接着強度の低下を来してしまう。しかしなが
ら本発明における上記方法では、この第１の透明導電性
金属化合物層上に第２の透明導電性金属化合物層と銀又
はアルミニウム単体層とを積層する際に透明導電性金属
化合物と銀又はアルミニウム単体による隣設する複数の
プラズマ領域を形成することにより、第２の透明導電性
金属化合物層の組成を、第１の透明導電性金属化合物層
との界面側から銀又はアルミニウム単体層との界面側に
向かうにつれて、第２の透明導電性金属化合物層中に含
まれる銀又はアルミニウム単体層の構成成分の含有比率
を連続的に増加させることが可能となる。従って、上記
両界面において従来のような異種材料同士の接触作用と
ならないことから接着強度の向上が図れる。このような
第２の透明導電性金属化合物層内における銀又はアルミ
ニウム単体層構成成分の含有比率の傾斜は、前記複数の
プラズマ領域を隣設することによりそれぞれのプラズマ
を構成している活性種が反応室内における低圧下で拡散
する結果、両者が互いに混在する領域が存在するためで
ある。すなわち、第２の透明導電性金属化合物および銀
又はアルミニウム単体層の対象となるそれぞれのプラズ
マ領域では各成分の活性種の存在確率の方が高い為、こ
の複数のプラズマ領域内に第１の透明導電性金属化合物
層を形成した上記基板を移動させることによって、上記
成分の勾配を形成することができることになる。
作用によって裏面電極の接着強度が向上する。まずガラ
ス等の絶縁性透明基板上に酸化インジウム錫（以下単に
ＩＴＯと記す）、酸化錫（以下単にＳｎＯ２ と記
す）、酸化亜鉛（以下単にＺｎＯと記す）等の透明電極
層、非晶質シリコン等の薄膜半導体層を順次積層する。
このとき薄膜半導体層をｐ型、ｉ型、ｎ型の積層体とし
ておく。次いで、この薄膜半導体層上に第１の透明導電
性金属化合物層を積層する。この薄膜半導体層と第１の
透明導電性金属化合物層との間の接着強度は、充分実用
レベルのものが得られる。そしてこれに続いて、反応室
内において形成した透明導電性金属化合物と銀又はアル
ミニウム単体による隣設する複数のプラズマ領域中を、
透明導電性金属化合物側から銀又はアルミニウム単体側
に向かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た基板を移動させ、第１の透明導電性金属化合物層上に
第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単
体層を順次積層する。このようにして薄膜半導体層上に
積層された、第１の透明導電性金属化合物層と第２の透
明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単体層とに
よる積層体が裏面電極となる。従来では、ここで言う第
１の透明導電性金属化合物層の上に直接銀（以下単にＡ
ｇと記す）やアルミニウム（以下単にＡｌと記す）を積
層するが、この場合には異種材料同士の接触となり、前
述のように接着強度の低下を来してしまう。しかしなが
ら本発明における上記方法では、この第１の透明導電性
金属化合物層上に第２の透明導電性金属化合物層と銀又
はアルミニウム単体層とを積層する際に透明導電性金属
化合物と銀又はアルミニウム単体による隣設する複数の
プラズマ領域を形成することにより、第２の透明導電性
金属化合物層の組成を、第１の透明導電性金属化合物層
との界面側から銀又はアルミニウム単体層との界面側に
向かうにつれて、第２の透明導電性金属化合物層中に含
まれる銀又はアルミニウム単体層の構成成分の含有比率
を連続的に増加させることが可能となる。従って、上記
両界面において従来のような異種材料同士の接触作用と
ならないことから接着強度の向上が図れる。このような
第２の透明導電性金属化合物層内における銀又はアルミ
ニウム単体層構成成分の含有比率の傾斜は、前記複数の
プラズマ領域を隣設することによりそれぞれのプラズマ
を構成している活性種が反応室内における低圧下で拡散
する結果、両者が互いに混在する領域が存在するためで
ある。すなわち、第２の透明導電性金属化合物および銀
又はアルミニウム単体層の対象となるそれぞれのプラズ
マ領域では各成分の活性種の存在確率の方が高い為、こ
の複数のプラズマ領域内に第１の透明導電性金属化合物
層を形成した上記基板を移動させることによって、上記
成分の勾配を形成することができることになる。
【０００６】上記のような作用であるため、スパッタリ
ングターゲットに電圧を印加することによって前記複数
のプラズマ領域を形成することは、より安定的なプラズ
マ領域を簡便な方法で得ることにつながるとともに、再
現性よく複数のプラズマ領域のそれぞれ一部を互いに重
なり合わせることが可能となり、上記勾配を再現性よく
得るための効果的作用が得られる。また、複数のプラズ
マ領域を形成する際の放電パワー密度において、第２の
透明導電性金属化合物の放電パワー密度を金属の放電パ
ワー密度の１０％以下とすることは、第２の透明導電性
金属化合物層をできるだけ薄くすることを可能とする。
すなわち、この第２の透明導電性金属化合物層は、あく
まで第１の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウ
ム単体層との間の充分な接着強度を確保するために設け
られるものであるので、できるだけ薄い方が望ましいか
らである。ここで第２の透明導電性金属化合物の放電パ
ワー密度が、銀又はアルミニウム単体の放電パワー密度
の１０％を越えると、第２の透明導電性金属化合物層中
の銀又はアルミニウム単体含有率が低くなり、第２の透
明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単体層との
間が異種材料同士の接触となり、本発明の目的とする接
着強度の向上が図れないので望ましくない。複数のプラ
ズマ領域のうちの一方を形成するために用いる透明導電
性金属化合物に第１の透明導電性金属化合物層と同一材
料を用いると、第１および第２の透明導電性金属化合物
層間の接触が同じ材料同士の接触となり、接着強度をよ
り向上させるように働く。第１の透明導電性金属化合物
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ、硫化カドミウム（以
下単にＣｄＳと記す）のいずれかを用いることからは、
薄膜半導体に対してより高い安定性を得る作用が得られ
る。
ングターゲットに電圧を印加することによって前記複数
のプラズマ領域を形成することは、より安定的なプラズ
マ領域を簡便な方法で得ることにつながるとともに、再
現性よく複数のプラズマ領域のそれぞれ一部を互いに重
なり合わせることが可能となり、上記勾配を再現性よく
得るための効果的作用が得られる。また、複数のプラズ
マ領域を形成する際の放電パワー密度において、第２の
透明導電性金属化合物の放電パワー密度を金属の放電パ
ワー密度の１０％以下とすることは、第２の透明導電性
金属化合物層をできるだけ薄くすることを可能とする。
すなわち、この第２の透明導電性金属化合物層は、あく
まで第１の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウ
ム単体層との間の充分な接着強度を確保するために設け
られるものであるので、できるだけ薄い方が望ましいか
らである。ここで第２の透明導電性金属化合物の放電パ
ワー密度が、銀又はアルミニウム単体の放電パワー密度
の１０％を越えると、第２の透明導電性金属化合物層中
の銀又はアルミニウム単体含有率が低くなり、第２の透
明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単体層との
間が異種材料同士の接触となり、本発明の目的とする接
着強度の向上が図れないので望ましくない。複数のプラ
ズマ領域のうちの一方を形成するために用いる透明導電
性金属化合物に第１の透明導電性金属化合物層と同一材
料を用いると、第１および第２の透明導電性金属化合物
層間の接触が同じ材料同士の接触となり、接着強度をよ
り向上させるように働く。第１の透明導電性金属化合物
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ、硫化カドミウム（以
下単にＣｄＳと記す）のいずれかを用いることからは、
薄膜半導体に対してより高い安定性を得る作用が得られ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。先
ず絶縁性透明基板として、ガラス基板上に５００Åの膜
厚で酸化珪素（以下単にＳｉＯ２ と記す）をコートし
たものを用い、これにフッ素を添加したＳｎＯ２ を約
８０００Åの膜厚で形成して透明電極層を形成した。こ
の時ＳｎＯ２ の表面には、反射による損失を低減する
目的で微小凹凸を形成している。次いでこの透明電極層
を形成した基板上にプラズマＣＶＤ装置にてｐ型の水素
化非晶質炭化珪素（以下単にａ−ＳｉＣ：Ｈと記す）を
１５０Åの膜厚で、ｉ型の水素化非晶質シリコン（以下
単にａ−Ｓｉ：Ｈと記す）を４０００Åの膜厚で、ｎ型
の水素化微結晶シリコン（以下単にμｃ−Ｓｉ：Ｈと記
す）を５００Åの膜厚でそれぞれ順に積層し薄膜半導体
層を得た。続いて図１に示すように、マグネトロン式の
インラインスパッタリング装置１の反応室３内に、上記
薄膜半導体層までを積層した基板５をセッティング（基
板位置Ａ）し、反応室３を真空ポンプ６によって６×１
０−６ｔｏｒｒまで排気後、アルゴンガス（以下単にＡ
ｒと記す）をガス系４から導入して内圧を３×１０−３
ｔｏｒｒに維持し、０．８Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密
度で基板５を移動しながらＺｎＯターゲット７をスパッ
タし、８００Åの第１の透明導電性金属化合物層を前記
薄膜半導体層上に積層した（基板位置Ｂ）。なおＺｎＯ
ターゲット７には、酸化アルミニウム（以下単にＡｌ２
Ｏ３ と記す）の形で５％のＡｌが添加されている。ま
たＺｎＯターゲット７と基板５との間隔は約５ｃｍであ
る。ここで図１に示すように、本スパッタリング装置１
には、ＺｎＯターゲット７に隣設してＡｇターゲット９
が設けられているが、この第１の透明導電性金属化合物
層を積層する際には、Ａｇターゲット９は放電させてい
ない。
ず絶縁性透明基板として、ガラス基板上に５００Åの膜
厚で酸化珪素（以下単にＳｉＯ２ と記す）をコートし
たものを用い、これにフッ素を添加したＳｎＯ２ を約
８０００Åの膜厚で形成して透明電極層を形成した。こ
の時ＳｎＯ２ の表面には、反射による損失を低減する
目的で微小凹凸を形成している。次いでこの透明電極層
を形成した基板上にプラズマＣＶＤ装置にてｐ型の水素
化非晶質炭化珪素（以下単にａ−ＳｉＣ：Ｈと記す）を
１５０Åの膜厚で、ｉ型の水素化非晶質シリコン（以下
単にａ−Ｓｉ：Ｈと記す）を４０００Åの膜厚で、ｎ型
の水素化微結晶シリコン（以下単にμｃ−Ｓｉ：Ｈと記
す）を５００Åの膜厚でそれぞれ順に積層し薄膜半導体
層を得た。続いて図１に示すように、マグネトロン式の
インラインスパッタリング装置１の反応室３内に、上記
薄膜半導体層までを積層した基板５をセッティング（基
板位置Ａ）し、反応室３を真空ポンプ６によって６×１
０−６ｔｏｒｒまで排気後、アルゴンガス（以下単にＡ
ｒと記す）をガス系４から導入して内圧を３×１０−３
ｔｏｒｒに維持し、０．８Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密
度で基板５を移動しながらＺｎＯターゲット７をスパッ
タし、８００Åの第１の透明導電性金属化合物層を前記
薄膜半導体層上に積層した（基板位置Ｂ）。なおＺｎＯ
ターゲット７には、酸化アルミニウム（以下単にＡｌ２
Ｏ３ と記す）の形で５％のＡｌが添加されている。ま
たＺｎＯターゲット７と基板５との間隔は約５ｃｍであ
る。ここで図１に示すように、本スパッタリング装置１
には、ＺｎＯターゲット７に隣設してＡｇターゲット９
が設けられているが、この第１の透明導電性金属化合物
層を積層する際には、Ａｇターゲット９は放電させてい
ない。
【０００８】次に、第１の透明導電性金属化合物層が積
層された基板５を基板位置Ａまで戻し、Ａｇターゲット
９を０．８Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密度で、ＺｎＯタ
ーゲット７を０．０５Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密度で
それぞれ放電させる。すると図２に示すように、ＺｎＯ
ターゲット７上とＡｇターゲット９上に複数のプラズマ
領域Ｐｚ、Ｐａが形成されるとともに、複数のプラズマ
領域Ｐｚ、Ｐａの間には上記複数のプラズマ領域の一部
が重ね合わさった部分、すなわち２つのプラズマによる
活性種が混在する極微弱なプラズマ領域Ｐｚａが形成さ
れる。このような放電状態において、前述の第１の透明
導電性金属化合物層を積層した基板５ａを、基板位置Ａ
から基板位置Ｃまで移動させながら第２の透明導電性金
属化合物層と、Ａｇよりなる金属層を連続的に積層し
た。この時ＺｎＯターゲット９の放電パワー密度はＡｇ
ターゲット７の放電パワー密度の１０％以下程度の微弱
なものであるので、ＺｎＯターゲット９の近傍（基板位
置Ｄ）ではごく僅かのＺｎＯが積層され始めると同時
に、基板５ａの移動に伴ってプラズマ領域Ｐｚａに存在
するＡｇ活性種が積層し始めることになる。これは、ス
パッタリングにおける成膜速度は、放電パワー密度が１
０％以下になると１桁から数桁のオーダーで低下するた
めである。そして、基板５ａは引き続きプラズマ領域Ｐ
ｚａ→プラズマ領域Ｐａへと移動して行くので、堆積に
寄与する活性種に占めるＡｇの割合が次第に多くなって
いく。そして基板５ａがＡｇターゲット７の近傍（基板
位置Ｅ）に差しかかると、Ａｇターゲット７には充分な
放電パワー密度が与えられているので、殆ど１００％Ａ
ｇの金属層が積層されていく。
層された基板５を基板位置Ａまで戻し、Ａｇターゲット
９を０．８Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密度で、ＺｎＯタ
ーゲット７を０．０５Ｗ／ｃｍ２ のＲＦパワー密度で
それぞれ放電させる。すると図２に示すように、ＺｎＯ
ターゲット７上とＡｇターゲット９上に複数のプラズマ
領域Ｐｚ、Ｐａが形成されるとともに、複数のプラズマ
領域Ｐｚ、Ｐａの間には上記複数のプラズマ領域の一部
が重ね合わさった部分、すなわち２つのプラズマによる
活性種が混在する極微弱なプラズマ領域Ｐｚａが形成さ
れる。このような放電状態において、前述の第１の透明
導電性金属化合物層を積層した基板５ａを、基板位置Ａ
から基板位置Ｃまで移動させながら第２の透明導電性金
属化合物層と、Ａｇよりなる金属層を連続的に積層し
た。この時ＺｎＯターゲット９の放電パワー密度はＡｇ
ターゲット７の放電パワー密度の１０％以下程度の微弱
なものであるので、ＺｎＯターゲット９の近傍（基板位
置Ｄ）ではごく僅かのＺｎＯが積層され始めると同時
に、基板５ａの移動に伴ってプラズマ領域Ｐｚａに存在
するＡｇ活性種が積層し始めることになる。これは、ス
パッタリングにおける成膜速度は、放電パワー密度が１
０％以下になると１桁から数桁のオーダーで低下するた
めである。そして、基板５ａは引き続きプラズマ領域Ｐ
ｚａ→プラズマ領域Ｐａへと移動して行くので、堆積に
寄与する活性種に占めるＡｇの割合が次第に多くなって
いく。そして基板５ａがＡｇターゲット７の近傍（基板
位置Ｅ）に差しかかると、Ａｇターゲット７には充分な
放電パワー密度が与えられているので、殆ど１００％Ａ
ｇの金属層が積層されていく。
【０００９】従って本実施例においては、基板５がおお
むね基板位置Ｄから基板位置Ｅに差しかかるまでの間で
第２の透明導電性金属化合物層が積層され、それに続い
て基板位置Ｅに差しかかった後にＡｇが積層されること
になり、先に積層してある第１の透明導電性金属化合物
層と合わせて３層構造の裏面電極が構成される。
むね基板位置Ｄから基板位置Ｅに差しかかるまでの間で
第２の透明導電性金属化合物層が積層され、それに続い
て基板位置Ｅに差しかかった後にＡｇが積層されること
になり、先に積層してある第１の透明導電性金属化合物
層と合わせて３層構造の裏面電極が構成される。
【００１０】ここで用いたＡｇは裏面電極層として高反
射率が得られる材料であるが、反射率でこれに次ぐもの
としてＡｌが用いられる。いずれも厚みとしては１００
０Åが太陽電池の特性を出すために必要な厚みである
が、機械的な強度維持や集積構造などにおける接続段差
部のカバレージ等、種々目的によって１μｍ程度の厚み
までの範囲で適宜設定される。また反射率の確保のため
に第２の透明導電性金属化合物層上にＡｇを積層し、機
械的な強度確保のためにさらにその上にＡｌを積層する
こともできる。
射率が得られる材料であるが、反射率でこれに次ぐもの
としてＡｌが用いられる。いずれも厚みとしては１００
０Åが太陽電池の特性を出すために必要な厚みである
が、機械的な強度維持や集積構造などにおける接続段差
部のカバレージ等、種々目的によって１μｍ程度の厚み
までの範囲で適宜設定される。また反射率の確保のため
に第２の透明導電性金属化合物層上にＡｇを積層し、機
械的な強度確保のためにさらにその上にＡｌを積層する
こともできる。
【００１１】また、参照した図面はあくまで本発明の内
容を具体的に説明する為のものであって、厳密に第２の
透明導電性金属化合物層およびＡｇが積層される領域を
それぞれ規定して表しているものではなく、またプラズ
マ領域Ｐｚ、Ｐａ、Ｐｚａも、図例の位置に限定的に現
れるものではない。
容を具体的に説明する為のものであって、厳密に第２の
透明導電性金属化合物層およびＡｇが積層される領域を
それぞれ規定して表しているものではなく、またプラズ
マ領域Ｐｚ、Ｐａ、Ｐｚａも、図例の位置に限定的に現
れるものではない。
【００１２】こうして作製した本発明の薄膜太陽電池に
対して、従来の製造方法によって比較例１としてＡｇの
みで裏面電極を構成したもの、比較例２としてＺｎＯと
Ａｇの２層構造の裏面電極のものをそれぞれ作製し、両
者の裏面電極の接着強度と発電特性を調べた。ここで、
裏面電極の接着強度については住友スリーエム社製の
「貼って剥がせるテープ」と「スコッチテープ」を用い
た引き剥がしテストで、発電特性についてはＡＭ１．５
−１００ｍＷ／ｃｍ２ の光強度に於ける短絡電流密度
でそれぞれ評価した。なお上記テープの接着力の大小関
係は、「貼って剥がせるテープ」＜「スコッチテープ」
である。その結果、比較例１では「貼って剥がせるテー
プ」で容易に剥離し、比較例２では「スコッチテープ」
で裏面電極の大部分が剥がれ、基板の周辺で僅かにＡｇ
が残るのみであった。そしてこの剥離している部分を観
察するとＺｎＯが残り、Ａｇ／ＺｎＯの界面で剥がれる
ことが判明した。一方、本発明の裏面電極は「貼って剥
がせるテープ」と「スコッチテープ」のいずれでも全く
剥離せず、さらにガムテープで引き剥がしテストを行っ
たところ、裏面電極の剥離は発生せず代わりにガラス基
板の方が割れてしまうという結果となった。以上のよう
に本発明により、薄膜太陽電池において裏面電極材料に
Ａｇを用いながらシンタリング等の特別な熱処理を行う
ことなく、裏面電極の接着強度を飛躍的に向上させるこ
とができる。
対して、従来の製造方法によって比較例１としてＡｇの
みで裏面電極を構成したもの、比較例２としてＺｎＯと
Ａｇの２層構造の裏面電極のものをそれぞれ作製し、両
者の裏面電極の接着強度と発電特性を調べた。ここで、
裏面電極の接着強度については住友スリーエム社製の
「貼って剥がせるテープ」と「スコッチテープ」を用い
た引き剥がしテストで、発電特性についてはＡＭ１．５
−１００ｍＷ／ｃｍ２ の光強度に於ける短絡電流密度
でそれぞれ評価した。なお上記テープの接着力の大小関
係は、「貼って剥がせるテープ」＜「スコッチテープ」
である。その結果、比較例１では「貼って剥がせるテー
プ」で容易に剥離し、比較例２では「スコッチテープ」
で裏面電極の大部分が剥がれ、基板の周辺で僅かにＡｇ
が残るのみであった。そしてこの剥離している部分を観
察するとＺｎＯが残り、Ａｇ／ＺｎＯの界面で剥がれる
ことが判明した。一方、本発明の裏面電極は「貼って剥
がせるテープ」と「スコッチテープ」のいずれでも全く
剥離せず、さらにガムテープで引き剥がしテストを行っ
たところ、裏面電極の剥離は発生せず代わりにガラス基
板の方が割れてしまうという結果となった。以上のよう
に本発明により、薄膜太陽電池において裏面電極材料に
Ａｇを用いながらシンタリング等の特別な熱処理を行う
ことなく、裏面電極の接着強度を飛躍的に向上させるこ
とができる。
【００１３】次に発電特性については、比較例１および
比較例２ともに１７ｍＡ／ｃｍ２の短絡電流密度であっ
たのに対し、本発明では１８ｍＡ／ｃｍ２ となり、裏
面電極層での反射率も向上していることが判明した。こ
の原因は、各比較例における接着強度の低い界面はミク
ロ的に見て不連続な面となっており、これにより効率的
な反射が行われていないことが一つの要因になっている
ものと推察できる。
比較例２ともに１７ｍＡ／ｃｍ２の短絡電流密度であっ
たのに対し、本発明では１８ｍＡ／ｃｍ２ となり、裏
面電極層での反射率も向上していることが判明した。こ
の原因は、各比較例における接着強度の低い界面はミク
ロ的に見て不連続な面となっており、これにより効率的
な反射が行われていないことが一つの要因になっている
ものと推察できる。
【００１４】また上記例以外にも本発明では、絶縁性透
明基板としてガラスにイオンバリヤー膜としてＳｉＯ２
をコートしたものや、近年に於いて注目されているＰ
ＥＴやポリイミド等の耐熱性の透明樹脂フィルムも用い
ることができる。このような透明樹脂フィルムを用いる
と、太陽電池のフレキシブル化が可能となる。さらに透
明電極層としては、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ２ な
ども使用可能であり、上述したように表面に凹凸の形状
を設けて、薄膜半導体層の内部で長波長の光が閉じこめ
られる構造が好ましい。また第１の透明導電性金属化合
物層としても、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ２ などが
使用可能であり、より高い接着強度を得るためにも裏面
電極層内において同一材料同士を接触させること、すな
わち第１の透明導電性金属化合物層と第２の透明導電性
金属化合物層とを同一材料にて構成することが望まし
い。薄膜半導体層としては、上記実施例に記載したよう
なアモルファスシリコン系半導体による一つのｐ−ｉ−
ｎ接合を有するもの以外にも、それを複数積層したタン
デムタイプのものや、他にも薄膜多結晶シリコン、セレ
ン化銅インジウム（以下単にＣｕＩｎＳｅ２ と記す）
系半導体およびそれらの複合膜を用いることもできる。
そしてこのＣｕＩｎＳｅ２ を用いる場合には、透明電
極層および第１、第２の透明導電性金属化合物層にＣｄ
Ｓを用いることが望ましい。
明基板としてガラスにイオンバリヤー膜としてＳｉＯ２
をコートしたものや、近年に於いて注目されているＰ
ＥＴやポリイミド等の耐熱性の透明樹脂フィルムも用い
ることができる。このような透明樹脂フィルムを用いる
と、太陽電池のフレキシブル化が可能となる。さらに透
明電極層としては、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ２ な
ども使用可能であり、上述したように表面に凹凸の形状
を設けて、薄膜半導体層の内部で長波長の光が閉じこめ
られる構造が好ましい。また第１の透明導電性金属化合
物層としても、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ２ などが
使用可能であり、より高い接着強度を得るためにも裏面
電極層内において同一材料同士を接触させること、すな
わち第１の透明導電性金属化合物層と第２の透明導電性
金属化合物層とを同一材料にて構成することが望まし
い。薄膜半導体層としては、上記実施例に記載したよう
なアモルファスシリコン系半導体による一つのｐ−ｉ−
ｎ接合を有するもの以外にも、それを複数積層したタン
デムタイプのものや、他にも薄膜多結晶シリコン、セレ
ン化銅インジウム（以下単にＣｕＩｎＳｅ２ と記す）
系半導体およびそれらの複合膜を用いることもできる。
そしてこのＣｕＩｎＳｅ２ を用いる場合には、透明電
極層および第１、第２の透明導電性金属化合物層にＣｄ
Ｓを用いることが望ましい。
【００１５】また裏面電極層の形成方法として、上記実
施例以外にも以下の方法も可能である。すなわち図２に
おいて、基板５が基板位置Ｄに来るまではＺｎＯターゲ
ット７に通常の放電パワー密度を供給しておき、基板位
置Ｄに来た時点でＡｇターゲット９に放電パワーを供給
してプラズマ領域Ｐａを形成すると同時に、ＺｎＯター
ゲット７の放電パワー密度をＡｇターゲット９の放電パ
ワー密度の１０％以下に落としてプラズマ領域Ｐｚ、Ｐ
ｚａを形成し、基板５を引き続き移動させながら、およ
そ基板位置Ｄ〜基板位置Ｅの間に第２の透明導電性金属
化合物層を、そして基板位置Ｅから先でＡｇ電極層を積
層させてもよい。この方法は上記実施例で説明したよう
に、第１の透明導電性金属化合物層の積層後に一旦基板
５を逆方向に移動させることなく、基板５を連続的に移
動させながら第１および第２の透明導電性金属化合物層
とＡｇ層を積層させるものである。しかしながら、積層
した薄膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を
積層した後、反応室３内において形成した透明導電性金
属化合物とＡｇによる隣設した複数のプラズマ領域Ｐ
ｚ、Ｐｚａ、Ｐａ中を、ＺｎＯターゲット７側からＡｇ
ターゲット９側に向かって前記第１の透明導電性金属化
合物層を積層した基板５を移動させることによって、薄
膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層と第２の
透明導電性金属化合物層とＡｇ層よりなる裏面電極層を
積層することには変わりはない。またスパッタリング装
置内に第１の透明導電性金属化合物層用、第２の透明導
電性金属化合物層用およびＡｇ層用の３つのターゲット
を設置したものを用いてもよい。さらには第１の透明導
電性金属化合物層を別の成膜装置で薄膜半導体層上に積
層した後、図１、２に示したスパッタリング装置を用い
て第２の透明導電性金属化合物層とＡｇ層を積層しても
よい。但しこの場合において、第１の透明導電性金属化
合物層と第２の透明導電性金属化合物層との間の吸着不
純物が懸念されるならば、第２の透明導電性金属化合物
層の形成前に、スパッタリング装置内でのＡｒボンバー
ト処理等を行って、表面の吸着不純物を除去しておけば
よい。
施例以外にも以下の方法も可能である。すなわち図２に
おいて、基板５が基板位置Ｄに来るまではＺｎＯターゲ
ット７に通常の放電パワー密度を供給しておき、基板位
置Ｄに来た時点でＡｇターゲット９に放電パワーを供給
してプラズマ領域Ｐａを形成すると同時に、ＺｎＯター
ゲット７の放電パワー密度をＡｇターゲット９の放電パ
ワー密度の１０％以下に落としてプラズマ領域Ｐｚ、Ｐ
ｚａを形成し、基板５を引き続き移動させながら、およ
そ基板位置Ｄ〜基板位置Ｅの間に第２の透明導電性金属
化合物層を、そして基板位置Ｅから先でＡｇ電極層を積
層させてもよい。この方法は上記実施例で説明したよう
に、第１の透明導電性金属化合物層の積層後に一旦基板
５を逆方向に移動させることなく、基板５を連続的に移
動させながら第１および第２の透明導電性金属化合物層
とＡｇ層を積層させるものである。しかしながら、積層
した薄膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を
積層した後、反応室３内において形成した透明導電性金
属化合物とＡｇによる隣設した複数のプラズマ領域Ｐ
ｚ、Ｐｚａ、Ｐａ中を、ＺｎＯターゲット７側からＡｇ
ターゲット９側に向かって前記第１の透明導電性金属化
合物層を積層した基板５を移動させることによって、薄
膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層と第２の
透明導電性金属化合物層とＡｇ層よりなる裏面電極層を
積層することには変わりはない。またスパッタリング装
置内に第１の透明導電性金属化合物層用、第２の透明導
電性金属化合物層用およびＡｇ層用の３つのターゲット
を設置したものを用いてもよい。さらには第１の透明導
電性金属化合物層を別の成膜装置で薄膜半導体層上に積
層した後、図１、２に示したスパッタリング装置を用い
て第２の透明導電性金属化合物層とＡｇ層を積層しても
よい。但しこの場合において、第１の透明導電性金属化
合物層と第２の透明導電性金属化合物層との間の吸着不
純物が懸念されるならば、第２の透明導電性金属化合物
層の形成前に、スパッタリング装置内でのＡｒボンバー
ト処理等を行って、表面の吸着不純物を除去しておけば
よい。
【００１６】そして、このような本発明の製造方法によ
って作製された薄膜太陽電池の断面構造を図３に示す。
図のように、裏面電極１１が第１の透明導電性金属化合
物層１３と第２の透明導電性金属化合物層１５、そして
Ａｇ層１７の３層構造となっており、しかも第２の透明
導電性金属化合物層１５内においては連続的に組成が変
化しているので、第２の透明導電性金属化合物層１５の
上下の両界面では、従来のように異種材料同士の接触と
はならず、その結果高い接着強度が得られる。そして第
２の透明導電性金属化合物層１５の膜厚は、約２０Å程
度の極薄いものであっても充分な接着強度の向上が確認
できた。なお図において１９は絶縁性透明基板、２０は
ＳｉＯ２ コート層、２１は透明電極層、２３はｐ型ａ
−ＳｉＣ：Ｈ２３ｐ、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ２３ｉ、ｎ型μ
ｃ−Ｓｉ：Ｈ２３ｎからなる薄膜半導体層をそれぞれ表
している。
って作製された薄膜太陽電池の断面構造を図３に示す。
図のように、裏面電極１１が第１の透明導電性金属化合
物層１３と第２の透明導電性金属化合物層１５、そして
Ａｇ層１７の３層構造となっており、しかも第２の透明
導電性金属化合物層１５内においては連続的に組成が変
化しているので、第２の透明導電性金属化合物層１５の
上下の両界面では、従来のように異種材料同士の接触と
はならず、その結果高い接着強度が得られる。そして第
２の透明導電性金属化合物層１５の膜厚は、約２０Å程
度の極薄いものであっても充分な接着強度の向上が確認
できた。なお図において１９は絶縁性透明基板、２０は
ＳｉＯ２ コート層、２１は透明電極層、２３はｐ型ａ
−ＳｉＣ：Ｈ２３ｐ、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ２３ｉ、ｎ型μ
ｃ−Ｓｉ：Ｈ２３ｎからなる薄膜半導体層をそれぞれ表
している。
【００１７】
【発明の効果】本発明は上記作用の項で説明したところ
により、以下の優れた効果を得ることができる。絶縁性
透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を
順次積層する薄膜太陽電池の製造方法において、前記薄
膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た後に、透明導電性金属化合物によるプラズマ領域と銀
又はアルミニウム単体によるプラズマ領域のそれぞれの
一部を互いに重なり合わせてなる反応室内を、前記プラ
ズマ領域を構成する活性種が混在する領域で、前記透明
導電性金属化合物側から前記銀又はアルミニウム単体側
に向かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た基板を移動させ、前記第１の透明導電性金属化合物層
上に第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウ
ム単体層を順次積層することによって、第２の透明導電
性金属化合物層の組成を、第１の透明導電性金属化合物
層との界面側から銀又はアルミニウム単体層との界面側
に向かうにつれて第２の透明導電性金属化合物層中に含
まれる銀又はアルミニウム単体層の構成成分の含有比率
が連続的に増加する分布となるので、上記両界面におい
て従来のような異種材料同士の接触作用とならないこと
から裏面電極の接着強度が大幅に向上する。そしてこの
接着強度の向上度合いは、充分実用レベルに耐えうるも
のである。
により、以下の優れた効果を得ることができる。絶縁性
透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を
順次積層する薄膜太陽電池の製造方法において、前記薄
膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た後に、透明導電性金属化合物によるプラズマ領域と銀
又はアルミニウム単体によるプラズマ領域のそれぞれの
一部を互いに重なり合わせてなる反応室内を、前記プラ
ズマ領域を構成する活性種が混在する領域で、前記透明
導電性金属化合物側から前記銀又はアルミニウム単体側
に向かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積層し
た基板を移動させ、前記第１の透明導電性金属化合物層
上に第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミニウ
ム単体層を順次積層することによって、第２の透明導電
性金属化合物層の組成を、第１の透明導電性金属化合物
層との界面側から銀又はアルミニウム単体層との界面側
に向かうにつれて第２の透明導電性金属化合物層中に含
まれる銀又はアルミニウム単体層の構成成分の含有比率
が連続的に増加する分布となるので、上記両界面におい
て従来のような異種材料同士の接触作用とならないこと
から裏面電極の接着強度が大幅に向上する。そしてこの
接着強度の向上度合いは、充分実用レベルに耐えうるも
のである。
【００１８】このような第２の透明導電性金属化合物層
内における銀又はアルミニウム単体層構成成分の含有比
率の傾斜は、前記複数のプラズマ領域を隣設することに
よりそれぞれのプラズマを構成している活性種が反応室
内における低圧下で拡散する結果、両者が互いに混在す
る領域が存在するためであり、第２の透明導電性金属化
合物および銀又はアルミニウム単体層の対象となるそれ
ぞれのプラズマ領域では各成分の活性種の存在確率の方
が高くなる。従って、この複数のプラズマ領域内に第１
の透明導電性金属化合物層を形成した上記基板を移動さ
せることにより、上記成分の勾配を形成することができ
るので、特別に複雑な機構を有する装置を用いることな
く優れた上記効果を得ることができる。
内における銀又はアルミニウム単体層構成成分の含有比
率の傾斜は、前記複数のプラズマ領域を隣設することに
よりそれぞれのプラズマを構成している活性種が反応室
内における低圧下で拡散する結果、両者が互いに混在す
る領域が存在するためであり、第２の透明導電性金属化
合物および銀又はアルミニウム単体層の対象となるそれ
ぞれのプラズマ領域では各成分の活性種の存在確率の方
が高くなる。従って、この複数のプラズマ領域内に第１
の透明導電性金属化合物層を形成した上記基板を移動さ
せることにより、上記成分の勾配を形成することができ
るので、特別に複雑な機構を有する装置を用いることな
く優れた上記効果を得ることができる。
【００１９】さらに短絡電流密度を向上させることもで
き、本発明の製造方法は電極の接着強度のみならず発電
特性の向上手法としても有効な手段であると言える。
き、本発明の製造方法は電極の接着強度のみならず発電
特性の向上手法としても有効な手段であると言える。
【図１】本発明の製造方法に用いるスパッタリング装置
の説明図
の説明図
【図２】本発明の製造方法に用いるスパッタリング装置
内におけるプラズマ領域を表す説明図
内におけるプラズマ領域を表す説明図
【図３】本発明の製造方法によって得られる薄膜太陽電
池の構造説明図
池の構造説明図
１ スパッタリング装置 Ｐｚ、Ｐａ、Ｐｚａ
複数のプラズマ領域 ３ 反応室 ４ ガス系 ５、５ａ 基板 ６ 真空ポンプ ７ ＺｎＯターゲット ９ Ａｇターゲット １１ 裏面電極 １３ 第１の透明導電性金属化合物層 １５ 第２の透明導電性金属化合物層 １７ Ａｇ層 １９ 絶縁性透明基板 ２０ ＳｉＯ２ コート層 ２１ 透明電極層 ２３ 薄膜半導体層 ２３ｐ ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ ２３ｉ ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ ２３ｎ ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ
複数のプラズマ領域 ３ 反応室 ４ ガス系 ５、５ａ 基板 ６ 真空ポンプ ７ ＺｎＯターゲット ９ Ａｇターゲット １１ 裏面電極 １３ 第１の透明導電性金属化合物層 １５ 第２の透明導電性金属化合物層 １７ Ａｇ層 １９ 絶縁性透明基板 ２０ ＳｉＯ２ コート層 ２１ 透明電極層 ２３ 薄膜半導体層 ２３ｐ ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ ２３ｉ ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ ２３ｎ ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−102503（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−241617（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−73967（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−10809（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導
体層、裏面電極層を順次積層する薄膜太陽電池の製造方
法であって、前記 薄膜半導体層上に第１の透明導電性金属化合物層を
積層した後、透明導電性金属化合物によるプラズマ領域
と銀又はアルミニウム単体によるプラズマ領域のそれぞ
れの一部を互いに重なり合わせてなる反応室内を、前記
プラズマ領域を構成する活性種が混在する領域で、前記
透明導電性金属化合物側から前記銀又はアルミニウム単
体側に向かって前記第１の透明導電性金属化合物層を積
層した基板を移動させ、前記第１の透明導電性金属化合
物層上に第２の透明導電性金属化合物層と銀又はアルミ
ニウム単体層を積層させることにより、前記薄膜半導体
層上に前記第１の透明導電性金属化合物層と第２の透明
導電性金属化合物層と銀又はアルミニウム単体層よりな
る裏面電極層を積層する薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】スパッタリングターゲットに電圧を印加す
ることによって前記複数のプラズマ領域を形成する請求
項１記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】前記透明導電性金属化合物によるプラズマ
領域を形成する放電パワー密度を前記銀又はアルミニウ
ム単体によるプラズマ領域を形成する放電パワー密度の
１０％以下とする請求項１または２記載の薄膜太陽電池
の製造方法。 - 【請求項４】前記プラズマ領域を形成するために用いる
透明導電性金属化合物に、前記第１の透明導電性金属化
合物層と同一材料を用いる請求項１〜３のいずれか１項
に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】前記第１の透明導電性金属化合物に、酸化
インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミウムのい
ずれかを用いる請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄
膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24250894A JP3419108B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| PCT/JP1995/002030 WO1996011500A1 (en) | 1994-10-06 | 1995-10-04 | Thin film solar cell |
| CN95191011A CN1096119C (zh) | 1994-10-06 | 1995-10-04 | 薄膜太阳能电池 |
| EP95933612A EP0734075B1 (en) | 1994-10-06 | 1995-10-04 | Thin film solar cell |
| DE69535967T DE69535967D1 (de) | 1994-10-06 | 1995-10-04 | Dünnschicht-solarzelle |
| TW084112557A TW304309B (ja) | 1994-10-06 | 1995-11-24 | |
| US08/859,687 US5828117A (en) | 1994-10-06 | 1997-05-21 | Thin-film solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24250894A JP3419108B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107225A JPH08107225A (ja) | 1996-04-23 |
| JP3419108B2 true JP3419108B2 (ja) | 2003-06-23 |
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ID=17090153
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3419108B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8173474B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-05-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing solar battery |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096577B9 (en) | 1999-10-27 | 2016-06-01 | Kaneka Corporation | Method of producing a thin-film photovoltaic device |
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