JPH065609A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH065609A JPH065609A JP4183111A JP18311192A JPH065609A JP H065609 A JPH065609 A JP H065609A JP 4183111 A JP4183111 A JP 4183111A JP 18311192 A JP18311192 A JP 18311192A JP H065609 A JPH065609 A JP H065609A
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- JP
- Japan
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- plating
- current density
- bump
- forming method
- bumps
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハー上に多数区画形成された半導体素子
の電極部のみを開口させたレジストパターンの開口部に
湿式メッキによりバンプを形成するメッキ時間を短縮で
きて、生産性を向上でき、またバンプ上部の硬度を低く
して、リード端子とボンディングした際、ボンディング
不良を少なくできるバンプを形成する方法を提供する。 【構成】 予めバンプ形成用のレジストパターンが形成
されたウェハー上に、湿式メッキによりバンプを形成す
るに於いて、初めに高電流密度にてメッキを行い、続い
て電流密度を次第に下げながらメッキを行い、最後に比
較的低い電流密度でメッキを行うことを特徴とするバン
プ形成方法。
の電極部のみを開口させたレジストパターンの開口部に
湿式メッキによりバンプを形成するメッキ時間を短縮で
きて、生産性を向上でき、またバンプ上部の硬度を低く
して、リード端子とボンディングした際、ボンディング
不良を少なくできるバンプを形成する方法を提供する。 【構成】 予めバンプ形成用のレジストパターンが形成
されたウェハー上に、湿式メッキによりバンプを形成す
るに於いて、初めに高電流密度にてメッキを行い、続い
て電流密度を次第に下げながらメッキを行い、最後に比
較的低い電流密度でメッキを行うことを特徴とするバン
プ形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー上に多数区画
形成された半導体素子の電極部上に、素子実装に好適な
バンプを形成する方法に関する。
形成された半導体素子の電極部上に、素子実装に好適な
バンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図12に示すようにウェハー１上に多数形
成された半導体素子２は、切断エリア３で区画され、図
13に示すように電極部４以外には配線保護膜５が形成さ
れている。電極部４上に素子実装の為のバンプを形成す
る従来の方法は、先ず図14に示すように半導体素子２が
多数区画形成されたウェハー１上の全面に、バリアメタ
ル６をスパッタリングにより被着した後、図15に示すよ
うにストレートバンプ用に厚膜の感光性レジスト７を全
面に塗布する。次に電極部４のみを開口させるようにフ
ォトリソグラフにより図16に示すように感光性レジスト
７をパターニングする。次いで図17に示すようにバリア
メタル６をメッキ用電極として湿式メッキ法により開口
部にバンプ８を形成する。次に図18に示すように感光性
レジスト７を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄する。次
いで図19に示すように全面に感光性レジスト９を塗布
し、バンプ８を覆うようにフォトリソグラフにより図20
に示すように感光性レジスト９をパターニングする。次
にバンプ８を変質、溶解させない為にパターニングされ
た感光性レジスト９をマスクに、バリアメタル６を図21
に示すようにエッチングし、個々のバンプ８の電気的短
絡を断つ。次いで図22に示すようにバンプ８を覆ってい
た感光性レジスト９を剥離する。然る後バンプアニール
を行って、バンプ８の形成を完了させる。
成された半導体素子２は、切断エリア３で区画され、図
13に示すように電極部４以外には配線保護膜５が形成さ
れている。電極部４上に素子実装の為のバンプを形成す
る従来の方法は、先ず図14に示すように半導体素子２が
多数区画形成されたウェハー１上の全面に、バリアメタ
ル６をスパッタリングにより被着した後、図15に示すよ
うにストレートバンプ用に厚膜の感光性レジスト７を全
面に塗布する。次に電極部４のみを開口させるようにフ
ォトリソグラフにより図16に示すように感光性レジスト
７をパターニングする。次いで図17に示すようにバリア
メタル６をメッキ用電極として湿式メッキ法により開口
部にバンプ８を形成する。次に図18に示すように感光性
レジスト７を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄する。次
いで図19に示すように全面に感光性レジスト９を塗布
し、バンプ８を覆うようにフォトリソグラフにより図20
に示すように感光性レジスト９をパターニングする。次
にバンプ８を変質、溶解させない為にパターニングされ
た感光性レジスト９をマスクに、バリアメタル６を図21
に示すようにエッチングし、個々のバンプ８の電気的短
絡を断つ。次いで図22に示すようにバンプ８を覆ってい
た感光性レジスト９を剥離する。然る後バンプアニール
を行って、バンプ８の形成を完了させる。
【０００３】ところで、かかる従来のバンプ形成方法で
は、図17に示すように感光性レジスト７をパターニング
して電極部４のみを開口させた開口部に、バリアメタル
６をメッキ用電極として湿式メッキ法によりバンプ８を
形成する際、定電流にて湿式メッキを行っていた為、メ
ッキに要する時間が長くかかり、バンプ形成能率が悪か
った。これは湿式メッキの電流密度を上げると、メッキ
物であるバンプの硬度が上がり、バンプとそれに接合さ
せるリード端子をボンディングした際、ボンディング不
良を起こす為、定電流にて湿式メッキを行わざるを得な
かったからである。
は、図17に示すように感光性レジスト７をパターニング
して電極部４のみを開口させた開口部に、バリアメタル
６をメッキ用電極として湿式メッキ法によりバンプ８を
形成する際、定電流にて湿式メッキを行っていた為、メ
ッキに要する時間が長くかかり、バンプ形成能率が悪か
った。これは湿式メッキの電流密度を上げると、メッキ
物であるバンプの硬度が上がり、バンプとそれに接合さ
せるリード端子をボンディングした際、ボンディング不
良を起こす為、定電流にて湿式メッキを行わざるを得な
かったからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、電極
部のみを開口させたレジストパターンの開口部に湿式メ
ッキによりバンプを形成する際、メッキ時間を短縮し、
且つリード端子とのボンディングに適した硬度を持つメ
ッキ部分をバンプ上部に形成することのできるバンプ形
成方法を提供しようとするものである。
部のみを開口させたレジストパターンの開口部に湿式メ
ッキによりバンプを形成する際、メッキ時間を短縮し、
且つリード端子とのボンディングに適した硬度を持つメ
ッキ部分をバンプ上部に形成することのできるバンプ形
成方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のバンプ形成方法は、予めバンプ形成用のレジ
ストパターンが形成されたウェハー上に、湿式メッキに
よりバンプを形成するに於いて、初めは高電流密度にて
メッキを行い、続いて電流密度を次第に下げながらメッ
キを行い、最後に比較的低い電流密度でメッキを行うこ
とを特徴とするものである。
の本発明のバンプ形成方法は、予めバンプ形成用のレジ
ストパターンが形成されたウェハー上に、湿式メッキに
よりバンプを形成するに於いて、初めは高電流密度にて
メッキを行い、続いて電流密度を次第に下げながらメッ
キを行い、最後に比較的低い電流密度でメッキを行うこ
とを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上記のように本発明のバンプ形成方法では、湿
式メッキにより予めバンプ形成用のレジストパターンが
形成されたウェハー上にバンプを形成するに於いて、初
めに高電流密度にてメッキを行うので、短時間でバンプ
のメッキ高さを得ることができ、また最後に比較的低い
電流密度でメッキを行うので、この時成長するバンプの
硬度は低くなり、バンプとリード端子とのボンディング
の際、ボンディング不良を起こすことが少なくなる。そ
して初めの高電流密度のメッキから最後の比較的低い電
流密度のメッキまでの間、次第に電流密度を下げながら
メッキを行うので、バンプ下部とバンプ上部のストレス
を緩和することができ、リード端子とのボンディングの
際に加わる圧力でバンプが破壊するのを防ぐことができ
る。
式メッキにより予めバンプ形成用のレジストパターンが
形成されたウェハー上にバンプを形成するに於いて、初
めに高電流密度にてメッキを行うので、短時間でバンプ
のメッキ高さを得ることができ、また最後に比較的低い
電流密度でメッキを行うので、この時成長するバンプの
硬度は低くなり、バンプとリード端子とのボンディング
の際、ボンディング不良を起こすことが少なくなる。そ
して初めの高電流密度のメッキから最後の比較的低い電
流密度のメッキまでの間、次第に電流密度を下げながら
メッキを行うので、バンプ下部とバンプ上部のストレス
を緩和することができ、リード端子とのボンディングの
際に加わる圧力でバンプが破壊するのを防ぐことができ
る。
【０００７】
【実施例】本発明のバンプ形成方法の一実施例を図によ
って説明すると、先ず図１に示すように半導体素子２が
多数区画形成されたウェハー１上の全面に、バリアメタ
ル６（下層よりＴｉ1000Å、Ｐｄ3000Å）をスパッタリ
ングにより被着した後、図２に示すようにストレートバ
ンプ用に厚膜（膜厚23μｍ）の感光性レジスト７を全面
に塗布した。次に電極部４のみを開口させるようにフォ
トリソグラフにより図３に示すように感光性レジスト７
をパターニングした。次いで図４に示すようにバリアメ
タル６をメッキ用電極として、メッキ液：ＥＥＪＡミク
ロファブＡｕ 100を用いて最初にメッキ温度60℃、電流
密度0.75Ａ／dm2 、メッキ時間32分の条件で湿式メッキ
法により開口部に高さ15μｍメッキした。引き続き図５
に示すように電流密度を 0.042ｍＡ／dm2 ／分の下降速
度で次第に下げながら６分間で高さ２μｍメッキした。
最後に図６に示すように電流密度 0.4Ａ／dm2 、メッキ
時間12分で高さ３μｍメッキして、高さ20μｍのバンプ
８′を形成した。次に図７に示すように感光性レジスト
７を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄した。次いで図８
に示すように全面に感光性レジスト９を塗布し、バンプ
８′を覆うようにフォトリソグラフにより図９に示すよ
うに感光性レジスト９をパターニングした。次にバンプ
８′を変質、溶解させない為にパターニングされた感光
性レジスト９をマスクに、バリアメタル６を図10に示す
ようにエッチングし、個々のバンプ８′の電気的短絡を
断った。次いで図11に示すようにバンプ８′を覆ってい
た感光性レジスト９を剥離した。然る後 250℃、30分間
バンプアニールを行って、バンプ８′の形成を完了させ
た。
って説明すると、先ず図１に示すように半導体素子２が
多数区画形成されたウェハー１上の全面に、バリアメタ
ル６（下層よりＴｉ1000Å、Ｐｄ3000Å）をスパッタリ
ングにより被着した後、図２に示すようにストレートバ
ンプ用に厚膜（膜厚23μｍ）の感光性レジスト７を全面
に塗布した。次に電極部４のみを開口させるようにフォ
トリソグラフにより図３に示すように感光性レジスト７
をパターニングした。次いで図４に示すようにバリアメ
タル６をメッキ用電極として、メッキ液：ＥＥＪＡミク
ロファブＡｕ 100を用いて最初にメッキ温度60℃、電流
密度0.75Ａ／dm2 、メッキ時間32分の条件で湿式メッキ
法により開口部に高さ15μｍメッキした。引き続き図５
に示すように電流密度を 0.042ｍＡ／dm2 ／分の下降速
度で次第に下げながら６分間で高さ２μｍメッキした。
最後に図６に示すように電流密度 0.4Ａ／dm2 、メッキ
時間12分で高さ３μｍメッキして、高さ20μｍのバンプ
８′を形成した。次に図７に示すように感光性レジスト
７を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄した。次いで図８
に示すように全面に感光性レジスト９を塗布し、バンプ
８′を覆うようにフォトリソグラフにより図９に示すよ
うに感光性レジスト９をパターニングした。次にバンプ
８′を変質、溶解させない為にパターニングされた感光
性レジスト９をマスクに、バリアメタル６を図10に示す
ようにエッチングし、個々のバンプ８′の電気的短絡を
断った。次いで図11に示すようにバンプ８′を覆ってい
た感光性レジスト９を剥離した。然る後 250℃、30分間
バンプアニールを行って、バンプ８′の形成を完了させ
た。
【０００８】一方、従来のバンプ形成方法を図によって
説明すると、図14〜図16までの工程は前記実施例の図１
〜図３までの工程と全く同じである。そして図17に示す
ようにバリアメタル６をメッキ用電極として、実施例と
同じメッキ液：ＥＥＪＡミクロファブＡｕ 100を用いて
メッキ温度60℃、電流密度 0.5Ａ／dm2 、メッキ時間64
分の条件で湿式メッキ法により感光性レジスト７の開口
部に高さ20μｍのバンプ８を形成した。その後図18〜図
22を経て 250℃、30分間バンプアニールを行ってバンプ
８の形成を完了させる工程は前記実施例の図７以降と全
く同じである。
説明すると、図14〜図16までの工程は前記実施例の図１
〜図３までの工程と全く同じである。そして図17に示す
ようにバリアメタル６をメッキ用電極として、実施例と
同じメッキ液：ＥＥＪＡミクロファブＡｕ 100を用いて
メッキ温度60℃、電流密度 0.5Ａ／dm2 、メッキ時間64
分の条件で湿式メッキ法により感光性レジスト７の開口
部に高さ20μｍのバンプ８を形成した。その後図18〜図
22を経て 250℃、30分間バンプアニールを行ってバンプ
８の形成を完了させる工程は前記実施例の図７以降と全
く同じである。
【０００９】上記のようにして形成した実施例及び従来
例のバンプの上部の硬度を測定した処、従来例のバンプ
８はＨＶ85であったのに対し、実施例のバンプ８′はＨ
Ｖ76と低かった。また上記従来例では湿式メッキにより
高さ20μｍのバンプ８を形成するのに64分もかかったの
に対し、実施例では湿式メッキにより高さ20μｍのバン
プ８′を形成するのに50分で済み、バンプ形成時間が短
縮された。然して実施例及び従来例のバンプにリード端
子をボンディングした処、従来例のバンプ８は50,000個
中 125個がボンディング不良を起こしたが、実施例のバ
ンプ８′は50,000個中98個しかボンディング不良を起こ
さなかった。
例のバンプの上部の硬度を測定した処、従来例のバンプ
８はＨＶ85であったのに対し、実施例のバンプ８′はＨ
Ｖ76と低かった。また上記従来例では湿式メッキにより
高さ20μｍのバンプ８を形成するのに64分もかかったの
に対し、実施例では湿式メッキにより高さ20μｍのバン
プ８′を形成するのに50分で済み、バンプ形成時間が短
縮された。然して実施例及び従来例のバンプにリード端
子をボンディングした処、従来例のバンプ８は50,000個
中 125個がボンディング不良を起こしたが、実施例のバ
ンプ８′は50,000個中98個しかボンディング不良を起こ
さなかった。
【００１０】
【発明の効果】以上の通り本発明のバンプ形成方法によ
れば、電極部のみを開口させたレジストパターンの開口
部に湿式メッキによりバンプを形成するメッキ時間を短
縮できるので、生産性が向上する。またバンプ上部の硬
度を低くできるので、リード端子とボンディングした際
ボンディング不良を起こすことが少なくなる。
れば、電極部のみを開口させたレジストパターンの開口
部に湿式メッキによりバンプを形成するメッキ時間を短
縮できるので、生産性が向上する。またバンプ上部の硬
度を低くできるので、リード端子とボンディングした際
ボンディング不良を起こすことが少なくなる。
【図１】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図７】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図８】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図10】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図11】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図12】半導体素子が多数区画形成されたウェハーの上
面図である。
面図である。
【図13】図12のウェハーの上面における半導体素子の電
極部を示す拡大斜視図である。
極部を示す拡大斜視図である。
【図14】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図15】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図16】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図17】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図18】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図19】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図20】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図21】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図22】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
１ ウェハー ４ 電極部 ５ 配線保護膜 ６ バリアメタル ７ 感光性レジスト ８′バンプ ９ 感光性レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 予めバンプ形成用のレジストパターンが
形成されたウェハー上に、湿式メッキによりバンプを形
成するに於いて、初めは高電流密度にてメッキを行い、
続いて電流密度を次第に下げながらメッキを行い、最後
に比較的低い電流密度でメッキを行うことを特徴とする
バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183111A JPH065609A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183111A JPH065609A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065609A true JPH065609A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16129972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183111A Pending JPH065609A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065609A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111043A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気的接続体及びその製造方法 |
| JPWO2019150825A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-02-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| DE112015004884B4 (de) | 2014-10-28 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Wärmetauscher |
| CN114277410A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-05 | 宁波市信泰科技有限公司 | 一种钕铁硼磁铁的电镀工艺 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP4183111A patent/JPH065609A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111043A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気的接続体及びその製造方法 |
| DE112015004884B4 (de) | 2014-10-28 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Wärmetauscher |
| JPWO2019150825A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-02-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US11183615B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-11-23 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device |
| US11417805B2 (en) | 2018-02-01 | 2022-08-16 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device |
| US11742461B2 (en) | 2018-02-01 | 2023-08-29 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device |
| CN114277410A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-05 | 宁波市信泰科技有限公司 | 一种钕铁硼磁铁的电镀工艺 |
| CN114277410B (zh) * | 2022-01-19 | 2023-08-18 | 宁波市信泰科技有限公司 | 一种钕铁硼磁铁的电镀工艺 |
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