JPH065522A - 高周波プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
高周波プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH065522A JPH065522A JP15830792A JP15830792A JPH065522A JP H065522 A JPH065522 A JP H065522A JP 15830792 A JP15830792 A JP 15830792A JP 15830792 A JP15830792 A JP 15830792A JP H065522 A JPH065522 A JP H065522A
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- high frequency
- plasma cvd
- reaction gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大面積の基板上に均一に膜質の良好な薄膜を形
成できる高周波プラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】反応容器１６内に、カソード電極１１と、カソ
ード電極１１の側面および裏面を囲うアースシールド１
３と、カソード電極１１に対向して設けられ基板１４が
設置されるヒーター内蔵アノード電極１３とを有すると
ともに、反応ガス供給管１５および反応ガス排気管２
０、２１とを有し、高周波電源からインピーダンス整合
器を介して電極間に高周波電力を供給することにより反
応容器１６内でプラズマを発生させる高周波プラズマＣ
ＶＤ装置において、カソード電極１１の表面に波状の凹
凸１０１を設けた構成を有する。
成できる高周波プラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】反応容器１６内に、カソード電極１１と、カソ
ード電極１１の側面および裏面を囲うアースシールド１
３と、カソード電極１１に対向して設けられ基板１４が
設置されるヒーター内蔵アノード電極１３とを有すると
ともに、反応ガス供給管１５および反応ガス排気管２
０、２１とを有し、高周波電源からインピーダンス整合
器を介して電極間に高周波電力を供給することにより反
応容器１６内でプラズマを発生させる高周波プラズマＣ
ＶＤ装置において、カソード電極１１の表面に波状の凹
凸１０１を設けた構成を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はａ−Ｓｉ薄膜、ＳｉＮx
（窒化シリコン）薄膜などの半導体膜や絶縁膜などを形
成する化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下ＣＶＤという）型薄膜形成に用
いられる高周波プラズマＣＶＤ装置に関する。
（窒化シリコン）薄膜などの半導体膜や絶縁膜などを形
成する化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下ＣＶＤという）型薄膜形成に用
いられる高周波プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の平行平板型高周波（ＲＦ）
プラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。反応容器
１６内には、カソード電極１１、カソード電極１１と対
向する位置にアノード電極１２、カソード電極１１のア
ノード電極１２と対向しない部分にアースシールド１３
が配置されている。カソード電極１１は中空になってお
り、アノード電極１２に対向した部分に直径０．１〜
０．５ｍｍ程度の多数の穴１７が設けられている。カソ
ード電極１１にはガス供給管１５が接続されている。ま
た、アノード電極１２上に基板１４が設置される。
プラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。反応容器
１６内には、カソード電極１１、カソード電極１１と対
向する位置にアノード電極１２、カソード電極１１のア
ノード電極１２と対向しない部分にアースシールド１３
が配置されている。カソード電極１１は中空になってお
り、アノード電極１２に対向した部分に直径０．１〜
０．５ｍｍ程度の多数の穴１７が設けられている。カソ
ード電極１１にはガス供給管１５が接続されている。ま
た、アノード電極１２上に基板１４が設置される。
【０００３】この装置により例えばアモルファスシリコ
ン薄膜（以下ａ−Ｓｉ薄膜という）を形成する場合につ
いて説明する。反応容器１６内は真空ポンプ（図示省
略）により薄膜形成に必要な所定の真空度に真空引きさ
れる。ＳｉＨ4 などの反応ガスはガス供給管１５よりカ
ソード電極１１の中空部に供給され、アノード電極１２
側に設けられた微小な穴１７よりシャワー状に放出さ
れ、アノード電極１２上に設置された基板１４の表面に
均一に供給される。通常、この方式はシャワー方式と呼
ばれ、大面積の基板表面にも均一にガスを供給できると
いう特徴をもっている。高周波電源（図示省略）より１
３．５６ＭＨｚの高周波電力がインピーダンス整合器
（図示省略）を介してカソード電極１１に供給される。
カソード電極１１のアノード電極１２と対向しない部分
はアースシールド１３で囲われているので、この部分で
はプラズマは発生しない。つまり、前述の高周波電力に
より、カソード電極１１とアノード電極１２との間でグ
ロー放電プラズマが発生する。カソード電極１１の穴１
７よりシャワー状に供給される反応ガス（ＳｉＨ4 ）は
プラズマにより解離され、基板１４表面にａ−Ｓｉ薄膜
が堆積する。
ン薄膜（以下ａ−Ｓｉ薄膜という）を形成する場合につ
いて説明する。反応容器１６内は真空ポンプ（図示省
略）により薄膜形成に必要な所定の真空度に真空引きさ
れる。ＳｉＨ4 などの反応ガスはガス供給管１５よりカ
ソード電極１１の中空部に供給され、アノード電極１２
側に設けられた微小な穴１７よりシャワー状に放出さ
れ、アノード電極１２上に設置された基板１４の表面に
均一に供給される。通常、この方式はシャワー方式と呼
ばれ、大面積の基板表面にも均一にガスを供給できると
いう特徴をもっている。高周波電源（図示省略）より１
３．５６ＭＨｚの高周波電力がインピーダンス整合器
（図示省略）を介してカソード電極１１に供給される。
カソード電極１１のアノード電極１２と対向しない部分
はアースシールド１３で囲われているので、この部分で
はプラズマは発生しない。つまり、前述の高周波電力に
より、カソード電極１１とアノード電極１２との間でグ
ロー放電プラズマが発生する。カソード電極１１の穴１
７よりシャワー状に供給される反応ガス（ＳｉＨ4 ）は
プラズマにより解離され、基板１４表面にａ−Ｓｉ薄膜
が堆積する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置では、基板
の大きさが５００ｍｍ×５００ｍｍ以上の場合には、次
のような問題が生じる。
の大きさが５００ｍｍ×５００ｍｍ以上の場合には、次
のような問題が生じる。
【０００５】カソード電極とアノード電極との間隔およ
び反応容器内のガス圧力などに依存するが、図７および
図８に示すように電極間の中央部または周辺部に偏って
プラズマが発生する。その結果、図９および図１０に示
すように、基板に堆積されるアモルファスシリコンなど
の膜厚は、基板中央部で厚くなったり、逆に基板周辺部
で厚くなったりする。このような現象は、基板の大きさ
が５００ｍｍ×５００ｍｍ以上になると顕著に現れる
が、基板の全面にわたって膜厚分布を一様にすることは
実際上極めて困難である。したがって、従来の装置は、
大面積基板を対象とする場合は実用性に欠けていた。こ
れらの問題の原因としては、電力密度の不均一、および
反応ガスの流量や流速の不均一などが考えられる。
び反応容器内のガス圧力などに依存するが、図７および
図８に示すように電極間の中央部または周辺部に偏って
プラズマが発生する。その結果、図９および図１０に示
すように、基板に堆積されるアモルファスシリコンなど
の膜厚は、基板中央部で厚くなったり、逆に基板周辺部
で厚くなったりする。このような現象は、基板の大きさ
が５００ｍｍ×５００ｍｍ以上になると顕著に現れる
が、基板の全面にわたって膜厚分布を一様にすることは
実際上極めて困難である。したがって、従来の装置は、
大面積基板を対象とする場合は実用性に欠けていた。こ
れらの問題の原因としては、電力密度の不均一、および
反応ガスの流量や流速の不均一などが考えられる。
【０００６】本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたものであり、大面積の基板上に均一に膜質の良好な
薄膜を形成できる高周波プラズマＣＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
れたものであり、大面積の基板上に均一に膜質の良好な
薄膜を形成できる高周波プラズマＣＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波プラズマ
ＣＶＤ装置は、反応容器内に、カソード電極と、前記カ
ソード電極の側面および裏面を囲うアースシールドと、
前記カソード電極に対向して設けられ基板が設置される
ヒーター内蔵アノード電極とを有するとともに、反応ガ
ス供給管および反応ガス排気管とを有し、高周波電源か
らインピーダンス整合器を介して前記電極間に高周波電
力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発
生させる高周波プラズマＣＶＤ装置において、前記カソ
ード電極の表面に波状の凹凸を設けたことを特徴とする
ものである。
ＣＶＤ装置は、反応容器内に、カソード電極と、前記カ
ソード電極の側面および裏面を囲うアースシールドと、
前記カソード電極に対向して設けられ基板が設置される
ヒーター内蔵アノード電極とを有するとともに、反応ガ
ス供給管および反応ガス排気管とを有し、高周波電源か
らインピーダンス整合器を介して前記電極間に高周波電
力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発
生させる高周波プラズマＣＶＤ装置において、前記カソ
ード電極の表面に波状の凹凸を設けたことを特徴とする
ものである。
【０００８】
【作用】成膜時の条件としては、反応ガスを多量に流
し、かつ電極間の電力密度分布を一様にすることが好ま
しい。すなわち図３に示すように、一般的に、反応ガス
流量が多量であれば、成膜速度は電力に比例する関係が
ある。したがって、電極間の電力密度を制御すれば、膜
厚分布を一様にできる。
し、かつ電極間の電力密度分布を一様にすることが好ま
しい。すなわち図３に示すように、一般的に、反応ガス
流量が多量であれば、成膜速度は電力に比例する関係が
ある。したがって、電極間の電力密度を制御すれば、膜
厚分布を一様にできる。
【０００９】この条件を実現するために、本発明の装置
では、カソード電極の表面に凹凸の溝を設けて表面積の
増加させている。このような構成を採用すれば、凹凸の
溝を設けた部分では、カソード電極とアノード電極間の
静電容量（コンダクタンス）が局所的に大きくなり、高
周波に対する局所的共振周波数が小さくなるので、高周
波電力の強さを弱めることができる。したがって、図４
に示すように、電極間の全面にわたってプラズマを一様
の強さで発生させることができる。これは、従来の装置
のようにカソード電極とアノード電極とが平板である場
合に、図７または図８に示すように電極間の中央部また
は周辺部でプラズマが強く発生するのとは対照的であ
る。本発明において、カソード電極中央部に設けられる
凹凸の形状は、深さ３〜６ｍｍ、ピッチ４〜１０ｍｍ程
度の丸みのある波状が好ましい。
では、カソード電極の表面に凹凸の溝を設けて表面積の
増加させている。このような構成を採用すれば、凹凸の
溝を設けた部分では、カソード電極とアノード電極間の
静電容量（コンダクタンス）が局所的に大きくなり、高
周波に対する局所的共振周波数が小さくなるので、高周
波電力の強さを弱めることができる。したがって、図４
に示すように、電極間の全面にわたってプラズマを一様
の強さで発生させることができる。これは、従来の装置
のようにカソード電極とアノード電極とが平板である場
合に、図７または図８に示すように電極間の中央部また
は周辺部でプラズマが強く発生するのとは対照的であ
る。本発明において、カソード電極中央部に設けられる
凹凸の形状は、深さ３〜６ｍｍ、ピッチ４〜１０ｍｍ程
度の丸みのある波状が好ましい。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る高周波プラズマＣＶＤ装置の
概略構成図である。なお、図６に示す従来の装置と同一
の部材には同一の符号を付している。
する。図１は本発明に係る高周波プラズマＣＶＤ装置の
概略構成図である。なお、図６に示す従来の装置と同一
の部材には同一の符号を付している。
【００１１】図１において、反応容器１６内には、グロ
ー放電プラズマを発生させるためのカソード電極１１と
アノード電極１２とが互いに平行に配置されている。カ
ソード電極１１は絶縁物１９を介して反応容器１６に固
着されている。アノード電極１２は図示しない支持台に
より反応容器１６に固着され、かつ電気的にも導通状態
になっている。
ー放電プラズマを発生させるためのカソード電極１１と
アノード電極１２とが互いに平行に配置されている。カ
ソード電極１１は絶縁物１９を介して反応容器１６に固
着されている。アノード電極１２は図示しない支持台に
より反応容器１６に固着され、かつ電気的にも導通状態
になっている。
【００１２】カソード電極面１００の中央部には深さ３
〜６ｍｍ、ピッチ４〜１０ｍｍの正弦波状の溝１０１が
設けられている。図２に示すように、カソード電極面１
００の中央部とは、カソード電極１１の直径（円形の場
合）または一辺の長さ（四角形の場合）をＤとして、カ
ソード電極１１中央の直径または一辺の長さがＤ／２程
度の範囲の部分をいう。カソード電極１１は中空になっ
ており、反応ガスを電極間に均一に放出するために、ア
ノード電極１２に対向する部分に直径０．１〜０．５ｍ
ｍ程度の微小な反応ガス噴出孔１７が多数設けられてい
る。カソード電極１１には反応ガス供給管１５が接続さ
れている。図示しない反応ガス供給装置より供給された
反応ガスは、反応ガス供給管１５を介して反応ガス噴出
孔１７から噴出する。カソード電極１１のアノード電極
１２と対向しない部分には、異常放電を抑制するために
アースシールド１３が配置されている。
〜６ｍｍ、ピッチ４〜１０ｍｍの正弦波状の溝１０１が
設けられている。図２に示すように、カソード電極面１
００の中央部とは、カソード電極１１の直径（円形の場
合）または一辺の長さ（四角形の場合）をＤとして、カ
ソード電極１１中央の直径または一辺の長さがＤ／２程
度の範囲の部分をいう。カソード電極１１は中空になっ
ており、反応ガスを電極間に均一に放出するために、ア
ノード電極１２に対向する部分に直径０．１〜０．５ｍ
ｍ程度の微小な反応ガス噴出孔１７が多数設けられてい
る。カソード電極１１には反応ガス供給管１５が接続さ
れている。図示しない反応ガス供給装置より供給された
反応ガスは、反応ガス供給管１５を介して反応ガス噴出
孔１７から噴出する。カソード電極１１のアノード電極
１２と対向しない部分には、異常放電を抑制するために
アースシールド１３が配置されている。
【００１３】アノード電極１２上には図示しない基板ホ
ルダにより基板１４が設置される。アノード電極１２は
図示しないヒータを内蔵しており、基板１４の温度を４
００℃以下の任意の値に設定できる。
ルダにより基板１４が設置される。アノード電極１２は
図示しないヒータを内蔵しており、基板１４の温度を４
００℃以下の任意の値に設定できる。
【００１４】反応容器１６内のガスは、排気孔２０、２
１より排気される。カソード電極１１およびアノード電
極１２には、図示しないインピーダンス整合器付き高周
波電源より電力供給線１８および反応容器１６を介して
電力が供給される。
１より排気される。カソード電極１１およびアノード電
極１２には、図示しないインピーダンス整合器付き高周
波電源より電力供給線１８および反応容器１６を介して
電力が供給される。
【００１５】この装置によりａ−Ｓｉ薄膜を形成する場
合について以下に説明する。図示しない真空ポンプを稼
動して、反応容器１６内を排気する。例えば１×１０-7
Ｔｏｒｒの圧力になった後、図示しない反応ガス供給装
置より反応ガス供給管１５を通してモノシランガスを５
０〜１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で供給し、反応容器１６
内の圧力を０．１〜０．５Ｔｏｒｒに保つ。次いで、図
示しないインピーダンス整合器付き高周波電源より電力
供給線１８および反応容器１６を介してカソード電極１
１およびアノード電極１２間に電力を供給する。こうし
て、電極間にモノシランガスのグロー放電プラズマが発
生する。
合について以下に説明する。図示しない真空ポンプを稼
動して、反応容器１６内を排気する。例えば１×１０-7
Ｔｏｒｒの圧力になった後、図示しない反応ガス供給装
置より反応ガス供給管１５を通してモノシランガスを５
０〜１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で供給し、反応容器１６
内の圧力を０．１〜０．５Ｔｏｒｒに保つ。次いで、図
示しないインピーダンス整合器付き高周波電源より電力
供給線１８および反応容器１６を介してカソード電極１
１およびアノード電極１２間に電力を供給する。こうし
て、電極間にモノシランガスのグロー放電プラズマが発
生する。
【００１６】本発明の装置では、カソード電極１１の表
面の正弦波状の溝１０１が設けられている中央部では、
溝が設けられていない部分よりも、局所的静電容量が大
きくなる。このため、その部分では共振周波数が小さく
なるので、インピーダンス整合器付き高周波電源より供
給される電力が小さくなる。したがって、従来の装置に
おいて図７に示すように電極間の中央部で強いプラズマ
が発生していたのが抑制されて、図４に示すように電極
間の全面にわたってプラズマを一様の強さで発生させる
ことができる。
面の正弦波状の溝１０１が設けられている中央部では、
溝が設けられていない部分よりも、局所的静電容量が大
きくなる。このため、その部分では共振周波数が小さく
なるので、インピーダンス整合器付き高周波電源より供
給される電力が小さくなる。したがって、従来の装置に
おいて図７に示すように電極間の中央部で強いプラズマ
が発生していたのが抑制されて、図４に示すように電極
間の全面にわたってプラズマを一様の強さで発生させる
ことができる。
【００１７】実際に本発明の装置を用い、基板表面にａ
−Ｓｉ薄膜を堆積させた。実験は、電極の大きさ１２０
０ｍｍ×１２００ｍｍ、ガラス基板の大きさ１０００ｍ
ｍ×１０００ｍｍ、反応ガス流量５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧
力０．３Ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗという条件で実
施した。その結果、図５に示すように、一様な膜厚分布
を示すａ−Ｓｉ薄膜が得られた。
−Ｓｉ薄膜を堆積させた。実験は、電極の大きさ１２０
０ｍｍ×１２００ｍｍ、ガラス基板の大きさ１０００ｍ
ｍ×１０００ｍｍ、反応ガス流量５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧
力０．３Ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗという条件で実
施した。その結果、図５に示すように、一様な膜厚分布
を示すａ−Ｓｉ薄膜が得られた。
【００１８】また、図１１にアノード電極面において隣
接する溝（深さ５ｍｍ）の間隔を変化させた場合のａ−
Ｓｉ薄膜の膜厚分布を示す。縦軸は膜厚のばらつきを％
で表したものであり、小さい値であるほど膜厚が均一で
あることを示す。図１１から明らかなように、隣接する
溝のピッチが４〜１０ｍｍの場合に膜厚分布が非常に良
好である。
接する溝（深さ５ｍｍ）の間隔を変化させた場合のａ−
Ｓｉ薄膜の膜厚分布を示す。縦軸は膜厚のばらつきを％
で表したものであり、小さい値であるほど膜厚が均一で
あることを示す。図１１から明らかなように、隣接する
溝のピッチが４〜１０ｍｍの場合に膜厚分布が非常に良
好である。
【００１９】なお、前記実施例ではアモルファスシリコ
ン薄膜を成膜したが、本発明の装置は、反応ガスを変え
るだけで窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）やシリカ（ＳｉＯ
2 ）などの成膜にも容易に適用できることはいうまでも
ない。
ン薄膜を成膜したが、本発明の装置は、反応ガスを変え
るだけで窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）やシリカ（ＳｉＯ
2 ）などの成膜にも容易に適用できることはいうまでも
ない。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の高周波プラ
ズマＣＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上に薄膜を均
一に成膜できる。したがって、太陽電池や液晶ディスプ
レイの分野では、大面積化によるコスト低減および性能
向上が達成でき、工業上の価値が著しく大きい。
ズマＣＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上に薄膜を均
一に成膜できる。したがって、太陽電池や液晶ディスプ
レイの分野では、大面積化によるコスト低減および性能
向上が達成でき、工業上の価値が著しく大きい。
【図１】本発明の一実施例における高周波プラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成図。
Ｄ装置の概略構成図。
【図２】同装置のカソード電極に設けられる凹凸を示す
断面図。
断面図。
【図３】プラズマ発生電力と成膜速度との関係を反応ガ
ス流量をパラメータとして示す図。
ス流量をパラメータとして示す図。
【図４】本発明の一実施例の高周波プラズマＣＶＤ装置
でのプラズマの発生状況を示す説明図。
でのプラズマの発生状況を示す説明図。
【図５】本発明の一実施例の高周波プラズマＣＶＤ装置
で成膜されるアモルファスシリコンの膜厚分布の一例を
示す図。
で成膜されるアモルファスシリコンの膜厚分布の一例を
示す図。
【図６】従来の高周波プラズマＣＶＤ装置の概略構成
図。
図。
【図７】従来の高周波プラズマＣＶＤ装置でのプラズマ
の発生状況の一例を示す説明図。
の発生状況の一例を示す説明図。
【図８】従来の高周波プラズマＣＶＤ装置でのプラズマ
の発生状況の他の例を示す説明図。
の発生状況の他の例を示す説明図。
【図９】従来の高周波プラズマＣＶＤ装置で成膜される
アモルファスシリコンの膜厚分布の一例を示す図。
アモルファスシリコンの膜厚分布の一例を示す図。
【図１０】従来の高周波プラズマＣＶＤ装置で成膜され
るアモルファスシリコンの膜厚分布の他の例を示す図。
るアモルファスシリコンの膜厚分布の他の例を示す図。
【図１１】本発明の一実施例の高周波プラズマＣＶＤ装
置において、カソード電極に設けられる凹凸の間隔とア
モルファスシリコンの膜厚分布との関係を示す図。
置において、カソード電極に設けられる凹凸の間隔とア
モルファスシリコンの膜厚分布との関係を示す図。
１１…カソード電極、１２…アノード電極、１４…基
板、１５…ガス供給管、１６…反応容器、１７…噴出
孔、２０、２１…排気孔、１００…カソード電極面、１
０１…溝。
板、１５…ガス供給管、１６…反応容器、１７…噴出
孔、２０、２１…排気孔、１００…カソード電極面、１
０１…溝。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内に、カソード電極と、前記カ
ソード電極の側面および裏面を囲うアースシールドと、
前記カソード電極に対向して設けられ基板が設置される
ヒーター内蔵アノード電極とを有するとともに、反応ガ
ス供給管および反応ガス排気管とを有し、高周波電源か
らインピーダンス整合器を介して前記電極間に高周波電
力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発
生させる高周波プラズマＣＶＤ装置において、前記カソ
ード電極の表面に波状の凹凸を設けたことを特徴とする
高周波プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15830792A JPH065522A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 高周波プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15830792A JPH065522A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 高周波プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065522A true JPH065522A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15668774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15830792A Withdrawn JPH065522A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 高周波プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065522A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032154A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled rf-plasma reactor |
| EP0887836A2 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device fabrication apparatus |
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