JPH06506984A - 炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法及び当該方法での銅含有溶液の使用法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法及び当該方法での銅含有溶液 の使用法 本発明は、炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法、及び当該方法に おける銅含有溶液の使用法に関する。

不導体の直接的金属化は、プリント基板の業界でユニ１０年、非常に重要性を増 してきている。この関連において、ポリピロール及び炭素粒子、即ちグラファイ ト及び／又はカーボンブラックを用いた直接電気メツキ法が挙げられている。

不導体に炭素粒子を塗布することで直接的に電気メッキする方法は、例えば米国 特許第４６１９７４１号公報、米国特許第４６２２１０７号公報、米国特許第４ ６２２１０８号公報、米国特許第１１６３１１１７号公報及び米国特許第４６８ ４５６０号公報に記載されている。技術水準の範囲における共通で中心的特徴は 、炭素粒子（好適には粒子サイズが３　ｐ　ｍより大きい酸性カーボンブランク ）をアルカリ性界面活性剤溶液中に分散させて含んでいる浸漬溶液である。不導 体（基体）を浸す際、炭素フィルムはその表面に付着したままである。

その際、後に改めて除去されなければならない比較的厚い層とそれに対応する大 量の炭素は、例えばプリント基板の銅表面に析出する。

銅表面としては、プリント基板の外側鋼重いのみならず、多層の場合に露出する 穿孔された内側層も属する。当該内側層は後に電気的に塗布されるべき銅スリー ブに介して内側層結合する。

大量の炭素量が、特に精密な穿孔の場合に非常に不利に影響し、これを詰まらせ る。それに加えて、余剰の炭素は循環溶液において銅面から除去されなければな らない。不導体表面、例えばエポキシド樹脂、ガラス、ポリテトラフルオルエタ ン、ポリイミド、グルテン及びプリント基板製造の際に用いられる他の材料上の 炭素を除去しないために、５　Ｉｉ　ｍになるまで銅を取り除き、しかも銅表面 が殆ど炭素をもたない銅エツチングプロ七スが推奨される。

これによって、しかしながら、不導体上の炭素に対する電気的接触が妨げられる 。ガルヴァーニ溶液において、例えば多層の場合に内側層が内側層結合するよう に前方方向銅層成長（Ｆ＋ｏｎ１ｗａｃｈ−Ｉ　ｕｍ）を介して銅層を先ず上述 の５　ノＪｍの値とする。しかしながら多層は多数の重なりからなり８〜１６重 ねが技術的に普通なので、ポーリング孔において粗悪品となるか少なくとも著し い方法の欠点の１つを呈することとなる銅層の著しい層厚変動が生じるような現 象が各層に見られる。この不十分さは、この好ましい技術の使用を制限している 。

技術水準の範囲での当該方法の別の欠点は、炭素コーテイング後の乾燥プロセス である。ここでは、垂直処理技術の場合、孔、特に０．４ｍｍ径未満の孔におい て、非常に多くの分散炭素が残っている。そのために面倒なポーリング孔の乾燥 すべき表面と並はずれて強い炭素被覆が、ひどく問題のある別の処理を生じる。

本発明の課題は、銅面、例えばプリント基板上で炭素がごく僅かに析出するだけ で、不導体表面上での炭素粒子の付着が増す選択的方法を提供することである。

この課題の解決は、不導体をａ）銅含有の溶液で、ｂ）ポリ電解溶液、特にゼラ チン又はポリアクリル酸塩の水溶液で処理し、Ｃ）場合によっては次いで、水で 洗浄し、ｄ）不導体表面を炭素、湿潤剤及びイオノゲン金属化合物を含有する分 散体と接触させ、ｅ）引き続いて場合によっては改めて水で洗浄することで達成 される。更に課題の解決は、当該方法で銅含有溶液を使用することを内容として いる。

従属クレームの範囲内で、好ましい実施形態が示される。

本発明に従う方法は銅表面の処理に基づいており、その際、■、銅表面が僅かに 付着する炭素粒子で被覆されるが、全く覆われず、一方、不導体面、即ちガラス 繊維や樹脂に炭素が付着することは変わりなく高度に維持され、 ２、本発明の方法に従い穏やかなエツチング溶液のみが用いられるので、内側層 のエッチバックが回避されるが、少なくとも著しく減少する。

二の課題は本発明に従い、以下のように更に、即ち、プリント基板の銅面上に、 微細分布した炭素又は他の導電性材料の吸着を妨げるか困難にする銅化合物が生 じ、その結果、引き続いて非常・に穏やかなプロセスが、その下にある銅層をよ り激しく腐食することなく、この銅化合物と付着する炭素を除去することによっ て解決される。

そのように処理された基板は、ポーリング孔においてガルヴァーニ銅の優れた層 厚分布を有し、内側層の銅層スリーブとの緊密な結合によって、ハンダ衝撃試験 （Ｌｏｌｓｃｈｏｃｋｔｅｓｌ）の際に２８８℃で１０秒間要求されるような熱 的プロセスに耐える。

驚くべきことに、金属銅の２価の銅化合物との不均衡反応によって生じる銅（＋ ）化合物が、ゼラチン及び炭素の吸着を困難にすることが判明した。

直接的方法で得られない１価の銅の化合物は、陰イオンの交換反応によって製造 される。

銅化合物として、ハロゲン化物、プソイドハロゲン化物、カルコゲン化物、硫酸 塩、水酸化物及び特にリン酸塩が考慮の対象となる。

本発明に従う方法の他のステップ、即ちゼラチン水溶液で不導体を処理すること は、０．０１％〜５．００％、好ましくは０゜２％のゼラチンを含有する溶液で 達成されうる。このゼラチン水溶液を製造するために、現在提供される市販のゼ ラチン品質物すべてが適する。ゼラチン溶液の代わりに、第１の方法ステップを 、ポリアクリル酸塩水溶液でも行うことができる。ここでも、商業ヘースで購入 しうるアクリル酸塩を基礎とするポリマー分散体又はポリアクリル酸塩を含有す る混合物すべてが適する。

ゼラチン乃至ポリアクリル酸塩溶液を用いたこの処理の後、不導体は水で、好ま しくは蒸留水で洗浄される。

引き続いて、そのように処理された不導体表面に、炭素（例えばグラファイト及 び／又はカーボンブランクでの炭素粒子）、湿潤剤及びイオノゲン金属化合物（ 例えば、アルカリ−、アンモニウム−又はアルカリ土類ハロゲン化物）を含有す る分散体を接触させることが行われる。

添加される湿潤剤として、特に相転移触媒、例えば臭化ヘキサデシルトリメチル アンモニウムが適する。更に、購入可能な第四窒素原子を含有する相転移触媒す べてが適する。更に湿潤剤として、例えばＡｅｒｏｓｏｌ　ＯＴ　（シアンアミ ド）又はＣａｔｈｏｄｉｐ　（商標）が適する。

添加される分散体のイオノゲン金属化合物として、リチウム、ナトリウム、カリ ウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、アンモニウム又 は銅のフッ化物、塩化物、臭化物又はヨウ化物が有利であることが証明された。

コーティング方法の方法原理は、炭素分散体が覆われるべき基体がなくて安定す るように調整されることに依拠している。しかしながら、この分散体が不導体の 表面に付着するゼラチン乃至ボリアクリル酸塩層と接触する場合、この炭素分散 体は不安定となる。この不安定さの結果として、凝固し、炭素粒子が相境界に固 体状に／液体状にくっついて析出する。この凝固の調整は、分散体中に含有され るイオノゲン金属化合物（電解質）を通して行われる。

現時点で、基体表面のオリゴマーのイオノホアの役割は未だ特定されておらず、 しかしながらこれによって、得られた凝固の原因であるイオンの表面濃度が高く なると推測される。この凝固は、凝固層が洗浄に対して耐性があるので、オリゴ マーのイオノホアがかかわって生じる。

本発明に従う方法は、不導体の直接的ガルヴァーニ金属化に特に有利に用いられ る。この関連において、不導体として、セラミック、ガラス又は、例えば填料を 備え繊維強化された又は強化されない合成物質、エポキシド、フェノール樹脂、 シアン酸エステル、ポリエーテルイミド、ポリイミド、フッ素含有のポリマー（ ＰＴＦＥ）又は類似の材料のような他のポリマー材料を挙げることができる。そ の上、ＡＢＳ合成物質の被覆のために、ポリフェニレンスルフィド、ポリエステ ル、ポリアクリル酸塩及びエポキシド樹脂を用いることができる。

当該方法は、上述のポリマー材料上に導体線又は構造を生じるために用いること にも同様に適する。プリント基板でのポーリング孔の処理と電磁的な保護層とプ リント基板の製造への適用とが特に強調されうる。

本発明に従う方法は、電気メツキ技術の製造の範囲で連続的に運転される垂直乃 至水平式循環装置で使用するのに適する。

本発明に従う方法で、プリント基板、電極、発熱体、チップ担体、電子パッケー ジ、マルチチップモジュール、例えばボタン、アーマチュア又は自動車部品のよ うな金属化された合成物質部品を有利に製造することができる。

実施例 以下の実施例で本発明に従う方法を説明する。

方法経過 １、清浄剤：アルカリ性及び酸性 ２、洗浄 ３、溶液Ａ中での処理 ４、洗浄 ５、溶液Ｂ中での処理 ６、洗浄 ７、水溶性ポリマー ８、洗浄 ９、炭素分散（グラファイト／カーボンブラック）１０、洗浄 Ｊｌ、薄い腐食液での銅（Ｉ）化合物の除去１２、洗浄 １３．５０℃での空気乾燥 １４、酸性溶液中での銅面の活性化 １５、洗浄 １６、ガルヴァーニ銅、０．５〜４Ａ／ｄｍ２（適用次第で）例　１ ポーリング孔を備えたプリント基板が、前記方法経過に従い処理される。溶液Ａ ＝２００ｇ塩化銅（ＩＩ）／！Ｊットルであり、溶液Ｂは省かれる。

当該基板はスプレー式ジェット洗浄できれいに洗浄され、その結果、胴外面と内 側層とは炭素（グラファイト）が取り除かれた。

４Ａ／ｄｍ２での酸性の銅電解液中で５分間の電気メッキの後、孔は緊密に銅メ ッキされた。

例　２ ポーリング孔を備えたプリント基板が、前記方法経過に従い処理された。溶液Ａ ＝２００ｇ塩化銅（■）／リットルであり、溶液Ｂ＝５０ｇリン酸三ナトリウム ／リットルである。例１でのように、グラファイトが容易に除去され、電気メッ キの結果が同様に良好であった。

例　３ ポーリング孔を備えたプリント基板が、前記方法経過に従い処理された。溶液は 、溶液Ａ＝２００ｇ塩化銅／リットルであり、溶液Ｂ＝５０ｇリン酸二水素カリ ウム／リットルである。薄い腐食液中での数秒間の処理（方法経過のステップ１ １）の後すぐに、銅表面には炭素がなかった。酸性銅溶液での５分間の電気メッ キの後、孔は緊密に銅メッキされた。透過光試験で、もはや自由領域のないこと が認識された。

例　４ ポーリング孔を備えたプリント基板が、前記方法経過に従い処理された。溶液は 、溶液Ａ＝５０ｇ臭化銅（■）／リットルであり、溶液Ｂ＝５０ｇ！Ｊン酸水素 二カリ酸水素ジカリウム／リットル間の後、銅面はグラファイトが取り除かれ、 銅（Ｉ）層が除去された。

ポーリング孔の中央で３５μｍの銅を析出後、多層は衝撃試験を受け（２８８℃ 、１０秒）、カット横断で検査された。内側層結合はとぎれず、ポーリング孔ス リーブは文句なく、ポーリング孔入口からポーリング孔中央まで測られ、層厚分 布は８５％であり／こ。

例　５ 例３のように前処理されたプリント基板が、ｐＨＨＯ２０，２％ｋｉｏｖｉｏｌ 　（Ｈｏｅｃｈｓｔ社）からなるコンディショニング溶液（水溶性ポリマー）で 処理され、更に方法経過に従い処理された。炭素の除去は同様にすばやくなされ 、所定の銅メツキ時間の後、貫通孔メッキは完全であった。

例　６ 例３のように前処理されたプリント基板が、ｐＨＨＯ２０，２％ゼラチンからな るコンディショニング溶液で処理され、更に方法経過に従い処理された。炭素の 除去は問題なく早く、所定の銅メツキ時間の後、貫通孔メッキは完全であった。

透過光試験において、５１１ｍの銅層厚で欠陥のないことが実証された。

３５μｍ銅まで強化されたプリント基板は、衝撃試験を受け（上記参照）、申し 分ないと判断された。

例　７ 導電性カーボンブランクを備えた不導体表面の吸着被覆は、ガラス繊維で強化さ れたエポキシド樹脂−合成物質を基礎とし２段階に銅覆いされたプリント基板の 貫通孔メッキに適する。

１％のＡｒｋｏｐａｌ（商標）Ｎ　１５０　（Ｈｏｅｃｈｓ　を社）／希釈Ｈ２ ＳＯ４中で超音波で洗浄された基板は、まず１５秒間、０．２％のゼラチン水溶 液中で水平運動しながら前処理される。

溶液調整のために、１０分間水につけてふくらませたゼラチンはまず温めて溶解 され、次いで１０℃で５時間そのままにしておき、その後２０℃に温められる。

消イオンされた水で基板を洗浄した後、１％水分散体からなるＳｉｇｒｉ社の黒 鉛化されたカーボンブランクで吸着被覆することが行われる。この分散は、超音 波を使って行われる。当該分散体は、２．５Ｘ１０−”　ｍｏ　ｌ／Ｑの臭化ヘ キサデシルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）で陽イオン状に安定し、これは 更に０．０７ｍ、ｏ　ｌ／ＱのＫＣＩを含有する。コーティングは、３０℃の溶 液温度で水平運動しながら行われ（ストローク：４ｃｍ、振動数：　７５ｍ　ｉ 　ｎ−’）　、コーティング時間は５分である。

消イオンされた水で洗浄した後、圧縮空気で乾燥する。結果として生じたカーボ ンブランクの厚みは、１ｍより小さく、抵抗は、平方に関連して、１０４Ωにな る。銅覆いからカーボンブラック被覆を除去するたメニ、０．５ｍｏ　Ｉ／　Ｑ のＣｕ５０４／Ｈ２ＳＯ４中で、ＩＡ／ｄｍ２、陽極で、５分間、エツチングし 、更に洗浄する。その後、通常のやり方で電気メッキする。

例　８ プリント基板を貫通孔メッキするためにカーボンブラックで被覆することが例１ に相応して行われが、カーボンブラック分散体はＡｅｒｏｓｏｌ　ＯＴ　（商標 ）　（シアンアミド）で陰イオン状に安定化する。ＥＣ−カーホンブラック　Ｐ ｒ　１ｎｔｅｘ　（商Ｗ）Ｌ　６　（Ｄｅｇｕｓｓａ社）の１％分散体は、３． ４Ｘ１０”３ｍ　ｏ　］　／　ＱのＡｅｒｏｓｏｌＯＴと０．０４ｍｏ　１／Ｑ のＫＣＩを含有する。

例　９ ２段階に銅覆いされたプリント基板の貫通孔メッキが例１に相応して行われるが 、ここではグラファイトでの被覆を介する。用いられた水性のグラファイト分散 体（粒子サイズ０．４〜０．６１ｚ　ｍ　）は、名称「Ａｑｕａｄａｇ（商標） 」を有したＡｃｈｅｓｏｎ社の製品であり、１：６の希釈度で用いられる。

コーティングの時間は、水平運動（ストローク：４ｃｍ、振動数。

５０ｍ　ｉ　ｎ−’）、２５℃の溶液温度の場合で５分である。カーボンブラン ク層に対して著しく高いグラファイト被覆の抵抗（約１０６０／平方）にも拘ら ず、グラファイト上での電気メッキの銅析出は良好になる。

例　】　Ｏ 貫通孔メッキが例３のようにグラファイトでのカバーを介して行われる。当該カ バーはしかしながら、Ｂａ５ｏｐｌａｓｔ　（商標）２８０　Ｄ　（ＢＡＳＦ社 ）に浸漬することでプリント基板を前処理した後に達成される。Ｂａ５ｏｐｌａ ｓｔ　２８０　Ｄは、アクリル酸塩を基礎とし陽イオン状に安定した水性のポリ マー分散体であり、１：５の希釈度で用いられる。浸漬プロセスは、室温で１５ 秒間、ストローク運動しながら行われる。消イオンされた水で洗浄した後、グラ ファイトコーティングが実施される。ゼラチンでの前処理に対して、実際、もつ と少ない被覆（Ｒ約１０７Ω／平方）が生じるが、電気メッキはそれにも拘らず 問題なく可能である。

例　１１ グラファイトを用いて繰り返しコーティングすることにより、エポキシド樹脂基 板は、平たく電気メッキされる。例３に相応してゼラチン溶液に浸漬し洗浄した 後、エポキシド基板（幅：２ｃｍ、高さ：２ｃｍ）がグラファイトで被覆され、 コーティング時間はしかし２分である。洗浄後、コーティングされた基板は更に ゼラチン溶液に浸漬され、洗浄され、同様に２度目のグラファイトで被覆される 。このようなコーティングは、更に２度繰り返され、その後、圧縮空気で乾燥さ れる。

電気メッキの際、グラファイト層に対する接触は溶液中に浸漬され、銅析出はグ ラファイト層にわたる接触の始めで広がる。

例　１２ 例５に相応して、ガラスも平たく電気メッキされ、その際、材料の形態は任意で ある。金属化の付着性はもちろんエポキシド樹脂でのそれよりも小さい。

例　１３ 予熱されたガラス基板（幅×高さ：２ｃｍＸ２ｃｍ）は５分間、閉鎖容器で、蒸 気状のフン化水素酸に室温でさらされる。その際、表面に均一なけば立てが起こ る。生成品の洗い流しの後、基板は、例５に記載されたように、金属化される。

金属メッキされた銅被膜の付着性は、未処理のガラス基板に対して、明らかに改 善されエポキシド乃至ガラス基板は、例５〜８でのように、グラファイトでコー ティングされる。最後の洗浄の後、基板はしかしながら、１５分、炉で乾燥乃至 温められる。エポキシド基板で温度は１２０℃になり、ガラスで２００℃になる 。この処理によって、グラファイト層の導電率は高まり、その結果、ガルヴァー ニ銅析出は、すばやく先行する。これによって、主としてガラスからなる大量の 材料も電気メッキすることが可能となる。

例　１５ ガラス基板（幅×高さ：　２　ｃｍＸ２ｃｍ）はポリマー層を備える。ポリマー として、電気泳動によるエナメル引きのための結合剤、ＢＡＳＦ社のｒＣａｔｈ ｏｄｉｐ　（商標）」が用いられ、これは水で希釈可能な分散体として存在する （製品番号ＦＴ８３−０２７０）。分散体の塗布は、希釈されたポリマー分散体 の半分に基板を浸漬し、引き続いて８０℃で５分間、乾燥することで行われる。

透明な付着層は耐水性で疎水特性を呈する。そして、例５に記載されるように、 グラファイトコーティングの後、ガルヴァーニ銅が析出する。金属化はポリマー コーティングしないガラスでよりも良好な付着性を示す。付着性の一層の増加は 、電気メッキに引き続いてポリマーを交差結合することで達成される。

それは１５分間にわたり１８０℃の焼き温度で行われる。

例　１６ ガラス基板（幅×高さ２ｃｍＸ２ｃｍ）は水不溶性のゼラチン層を備える。コー ティングは、０，５％のホルムアルデヒドを含有する０、５％ゼラチン溶液から 、当該溶液（Ｔ＝２０℃）に基板を短時間浸漬し、次いで圧縮空気で乾燥するこ とによって行われる。別の前処理なしに、例３で用いられた分散体からなるグラ ファイトで吸着コーティングされ、しがも２５℃の温度で２分の間である（運動 ）。これは洗浄され、圧縮空気で乾燥される。

その後２度、更に２分間、グラファイト分散体中に浸漬され、再び乾燥される。

このやり方は更に２度繰り返される。引き続いて、従来のやり方で電気的に銅メ ッキされる。

例　１７ 両面に銅覆いされたプリント基板の貫通孔メッキは、グラファイトでのコーティ ングを介して実現する。このために、例３に記載されたグラファイト分散体が用 いられるが、希釈度は１：４である。更に、Ａｒｋｏｐｏｎ（商標）ＴＰ］ｖ、 即ちＨｏｅｃｈｓｔ社の陰イオン界面活性剤が７０ｐｐｍの濃度で添加される。

例１のように清浄された基板のコーティングは、分散体中に短時間だけ浸漬し、 ポーリング孔に圧縮空気を拘束なく送風し、８０℃で５分、乾燥することで行わ れる。例１に相応してエツチングし、次いで電気的に銅メッキする。

例　１８ プリント基板の貫通孔メッキ°ポーリング孔（径＜１ｍｍ）を備えるエポキシド 樹脂−多層は、０．５％のＡ　ｒ　ｋ　ｏ　ｐ　ｏ　ｎＮ１５０　（ＨＯＥＣ） （ＳＴ社）と５％の硫酸を含有する水溶液で清浄される。清浄時間は、超音波を 同時に用いて２分である。

水道水での洗浄（３０秒）後、基板は室温で１分の間、１００ｇ／Ｑの硫酸過酸 化ナトリウムと２０　ｇ／Ｑの硫酸とを含有する水溶液に浸漬され、更に洗浄さ れる。引き続いて当該基板は１分間、４０℃の温度で２００　ｇ／Ｑの塩化銅の 塩酸溶液（ｐＨ１，８）で処理される。水道水での洗浄後、基板をゼラチン溶液 に浸漬し、更に洗浄し、その後、例１のように、カーボンブランクでの被覆がな されるが、２分間である。

基板は洗浄され、次いで室温で２分間、５０　ｇ　／　Ｑの硫酸過酸化ナトリウ ムと５０　ｇ／Ｑの硫酸を含有する水溶液に浸漬される。

激しい噴射での洗浄後、基板は１１０’Ｉｃの熱風で乾燥される。

最後に基板は、４　Ａ　／　ｄ　ｍ　２の電流密度で室温において４０分の間、 Ｃｕｐｒａｃ　ｉｄ　ＧＳ　（Ｓｃｈｅｒ　ｉｎｇ社）で電気的に銅メッキされ る。

例　１９ プリント基板の貫通孔メッキ：ポーリング孔（径＜１ｍｍ）を備えるエポキシド 樹脂−多層（Ｓ　ｔ　ａ　ｒ　ｒ−Ｆ　Ｉ　ｅ　ｘ）は、例１８に相応して清浄 される。水道水で洗浄（３０秒）後、基板は室温で１分の間、１００．ｇ／Ｑの 硫酸過酸化ナトリウムと２０　ｇ／Ｑの硫酸とを含有する水溶液に浸漬され、更 に洗浄される。引き続いて当該基板は１分間、４０℃の温度で２００ｇ／Ｑの塩 化銅の塩酸溶液（ｐＨ１，８）中で処理され、改めて洗浄後、同様に４０℃でリ ン酸二水素カリウムの１０％溶液で処理される。

水道水での洗浄後、基板は例１８に相応してゼラチン溶液に浸漬され、更に洗浄 されて、その後、例１７に相応してグラファイトでの被覆がなされるが、２分間 である。

基板は洗浄され、次いで室温で１分間、５０　ｇ／Ｑの硫酸過酸化ナトリウムと ５０　ｇ／Ｒの硫酸とを含有する水溶液に浸漬される。激しい噴射での洗浄後、 基板は１１０’Ｃの熱風で乾燥される。

最後に基板は、例１８のように電気的に銅メッキされる。

補正書の写しく翻訳文）提出書（特許法第１８４条の８）平成　５年１０月２２ 日 １、国際出願番号 ＰＣＴ／ＤＥ９２１００３１５ ２、発明の名称 炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法及び当該方法での銅含有溶液 の使用法 ３、特許出願人 住　所　ドイツ連邦共和国　デー・１０５５３　ベルリンエラスムスシュトラー セ　２０−２４ 名称　アトーテヒ　ドイッチュラント　ゲゼルシャフト　ミント　ベシュレンク テル　ハフラング 国籍　ドイツ連邦共和国 ５、補正書の提出年月日 １９９３年　４月１６日 ６、添付書類の目録 請求の範囲 １６　基体が次の方法ステップ、即ち ａ、銅含有溶液で処理すること、 ｂ、０．０１〜５．００％のゼラチン乃至ポリアクリル酸塩の水溶液で不導体を 被覆すること、 Ｃ１場合によっては水で洗浄すること、ｄ、炭素、湿潤剤及びイオノゲン金属化 合物を含有する分散体と接触させること、及び ｅ、場合によっては水で洗浄すること を受ける、炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法。

２、　炭素粒子として、グラファイト及び／又はカーボンブラックを用いること を特徴とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。

３、湿潤剤として、陰イオン又は陽イオンの界面活性剤又は相転移−触媒を用い ることを特徴とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。

４、銅含有溶液として、銅（１）及び／又は銅（ＩＩ）溶液を用いることを特徴 とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。

５、銅（１）含有溶液が、陰イオン又は陰イオンの混合物として、炭酸塩、塩化 物、クロム酸塩、クエン酸塩、水酸化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硫化物、 リン酸塩又はチオシアン酸塩を含有することを特徴とするクレーム４の方法。

６、銅の濃度が０．５〜１００．０ｇ／Ｑであることを特徴とするクレーム４の 方法。

７、銅溶液のｐＨ値が酸性領域、好ましくはｐＨ１〜４の間であることを特徴と するクレーム４の方法。

８、　イオノゲン金属化合物として、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネ シウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、アンモニウム又は銅のフン化 物、塩化物、臭化物又はヨウ化物を用いることを特徴とするクレーム１の炭素粒 子で不導体をコーティングする方法。

９、炭素粒子として、平均粒径５０μｍ未満のグラファイト及び／又は平均粒径 ５ｐｍ未満のカーボンブラックを用いることを特徴とするクレーム１又は２の方 法。

１０、　ポリマー、七ラミック又はガラスのコーティング、特に直接的ガルヴァ ーニ金属化のためのクレーム１〜１２の少なくとも１つの方法の使用法。

１１、　ポリマー材料上に導体線又は構造を生じるためのクレーム１〜１２の少 なくとも１つの方法の使用法。

１２、　プリント基板のポーリング孔の直接的ガルヴァーニ金属化のためのクレ ーム１〜１２の少なくとも１つの方法の使用法。

１３、　プリント基板の製造のためのクレーム１〜１２の少なくとも１つの方法 の使用法。

１４、水平に連続的に運転される循環装置におけるクレーム１〜１２の少なくと も１つの方法の使用法。

１５、炭素粒子でコーティングする前に不導体の前処理のために銅（１）及び／ 又は銅（旧含有溶液を使用する方法。

フロントページの続き （８１）指定回　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、　ＳＥ）、　ＣＡ、 ＪＰ、　ＫＲ，ＵＳ（７２）発明者　ガウスマン　ハンス　ベータードイツ連邦 共和国　デー・４４００　ミュシスター　シュタットローンヴエーク　３３（７ ２）発明者　マールコ　ハルトムードドイツ連邦共和国　デー・１０００　ベル リン４１　ハンジェリーシュトラーセ　８５

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. １．方法ステップ ａ．銅含有溶液で処理すること、 ｂ．０．０１〜５．００％のゼラチン乃至ポリアクリル酸塩の水溶液で不導体を 被覆すること、 ｃ．場合によっては水で洗浄すること、ｄ．炭素、湿潤剤及びイオノゲン金属化 合物を含有する分散体と接触させること、及び ｅ．場合によっては水で洗浄すること を特徴とする、炭素粒子で不導体を選択的にコーティングする方法。
2. ２．炭素粒子として、グラファイト及び／又はカーボンブラックを用いることを 特徴とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。
3. ３．湿潤剤として、陰イオン又は陽イオンの界面活性剤又は相転移−触媒を用い ることを特徴とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。
4. ４．銅含有溶液として、銅（Ｉ）及び／又は銅（ＩＩ）溶液を用いることを特徴 とするクレーム１の炭素粒子で不導体をコーティングする方法。
5. ５．銅（Ｉ）含有溶液が、陰イオンとして、炭酸塩、塩化物、クロム酸塩，クエ ン酸塩、水酸化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硫化物、リン酸塩、チオシアン 酸塩又は陰イオン混合物を含有することを特徴とするクレーム４の方法。
6. ６．第１ステップでハロゲン化銅（Ｉ）が形成され、これが第２ステップで別の 銅（Ｉ）化合物に変えられることを特徴とするクレーム４の方法。
7. ７．銅表面が、銅（Ｉ）化合物を生じるように、銅（ＩＩ）塩の溶液で処理され ることを特徴とするクレーム４の方法。
8. ８．銅の濃度が０．５〜１００．０ｇ／ｌになることを特徴とするクレーム４の 方法。
9. ９．銅溶液のＰＨ値が酸性領域、好ましくはｐＨ１〜４の間であることを特徴と するクレーム４の方法。
10. １０．銅表面に先ず形成された銅（Ｉ）化合物が、炭酸塩、塩化物、クロム酸塩 、クエン酸塩、水酸化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硫化物、リン酸塩、チオ シアン酸塩又は挙げられたものの混合物の溶液を１〜１００ｇ／ｌの濃度で含有 する水溶液中での処理に従い、変えられることを特徴とするクレーム７の方法。
11. １１．イオノゲン金属化合物として、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネ シウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、アンモニウム又は銅のフッ化 物、塩化物、臭化物又はヨウ化物を用いることを特徴とするクレーム１の炭素粒 子で不導体をコーティングする方法。
12. １２．炭素粒子として、平均粒径５０μｍ未満のグラファイト及び／又は平均粒 径５μｍ未満のカーボンブラックを用いることを特徴とするクレーム１又は２の 方法。
13. １３．ポリマー、セラミック又はガラスのコーティング、特に直接的ガルヴァー ニ金属化のためのクレーム１〜１２の少なくとも１つの方法。
14. １４．ポリマー材料上に、導体線又は構造を生じるために用いられることを特徴 とするクレーム１〜１２の少なくとも１つの方法。
15. １５．プリント基板のボーリング孔の直接的ガルヴァーニ金属化のために用いら れることを特徴とするクレーム１〜１２の少なくとも１つの方法。
16. １６．プリント基板の製造のために用いられることを特徴とするクレーム１〜１ ２の少なくとも１つの方法。
17. １７．水平に運転される連続的循環装置におけるクレーム１〜１２の少なくとも １つの方法。
18. １８．不導体を炭素粒子でコーティングするために銅（Ｉ）及び／又は銅（ＩＩ ）含有の溶液を使用する方法。