JPH064832A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH064832A JPH064832A JP4158263A JP15826392A JPH064832A JP H064832 A JPH064832 A JP H064832A JP 4158263 A JP4158263 A JP 4158263A JP 15826392 A JP15826392 A JP 15826392A JP H064832 A JPH064832 A JP H064832A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２ギャップ型構成のＭＲ／誘導型一体構成の
複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録磁界漏れ
を防いで記録トラック幅を制御して再生時のＳＮ比の向
上を図ると共に、高トラック密度化即ち高記録密度化を
はかる。 【構成】 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４を有して成
る薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドと
が積層されて、それぞれ再生ギャップｇ1 と記録ギャッ
プｇ2 が独別に形成されて成る複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて、記録ギャップｇ2 に近接して記録トラック幅規
制用磁性層８を設けて構成する。
複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録磁界漏れ
を防いで記録トラック幅を制御して再生時のＳＮ比の向
上を図ると共に、高トラック密度化即ち高記録密度化を
はかる。 【構成】 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４を有して成
る薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドと
が積層されて、それぞれ再生ギャップｇ1 と記録ギャッ
プｇ2 が独別に形成されて成る複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて、記録ギャップｇ2 に近接して記録トラック幅規
制用磁性層８を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複合型薄膜磁気ヘッド、
特に薄膜磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドと誘導型（Ｉｎ
ｄ）記録ヘッドが積層され、それぞれ再生ギャップと記
録ギャップとが独別に形成されて成るいわゆる２ギャッ
プ構成の複合型薄膜磁気ヘッドに係わる。
特に薄膜磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドと誘導型（Ｉｎ
ｄ）記録ヘッドが積層され、それぞれ再生ギャップと記
録ギャップとが独別に形成されて成るいわゆる２ギャッ
プ構成の複合型薄膜磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】各種の磁気ヘッド、例えばハードディス
クドライブの磁気記録再生ヘッドの再生ヘッドとして、
短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる方向
にあり、記録を従来の誘導型ヘッドを用いて行い、再生
をＭＲ型ヘッドで行う一体型のヘッドが種々提案されて
いる。
クドライブの磁気記録再生ヘッドの再生ヘッドとして、
短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる方向
にあり、記録を従来の誘導型ヘッドを用いて行い、再生
をＭＲ型ヘッドで行う一体型のヘッドが種々提案されて
いる。
【０００３】このようなハードディスクドライブ装置搭
載用の薄膜磁気ヘッドの一例を、その製造工程を示す図
４Ａ〜Ｄを参照して説明する。先ず図４Ａに示すよう
に、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃ等の焼結体からなる基板２１を用意
し、この基板２１上に図４Ｂに示すように、スパッタリ
ング、メッキ及びフォトリソグラフィ等の薄膜製造工程
により薄膜ヘッド２２を形成する。そしてこの後図４Ｃ
に示すように各ヘッド毎に基板２１を切断してスライダ
ー２３を加工形成し、図４Ｄに示すように、スライダー
２３上の薄膜ヘッド（図示せず）の端子電極からリード
線２７を導出すると共にこのスライダー２３をサスペン
ション機構２４に取り付けて、例えばこのサスペンショ
ン機構２４を磁気記録媒体の表面に沿って移動するアー
ム機構に固定することによって、磁気ヘッドが磁気記録
媒体上の所定位置上に移動自在に設けられるようになさ
れている。
載用の薄膜磁気ヘッドの一例を、その製造工程を示す図
４Ａ〜Ｄを参照して説明する。先ず図４Ａに示すよう
に、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃ等の焼結体からなる基板２１を用意
し、この基板２１上に図４Ｂに示すように、スパッタリ
ング、メッキ及びフォトリソグラフィ等の薄膜製造工程
により薄膜ヘッド２２を形成する。そしてこの後図４Ｃ
に示すように各ヘッド毎に基板２１を切断してスライダ
ー２３を加工形成し、図４Ｄに示すように、スライダー
２３上の薄膜ヘッド（図示せず）の端子電極からリード
線２７を導出すると共にこのスライダー２３をサスペン
ション機構２４に取り付けて、例えばこのサスペンショ
ン機構２４を磁気記録媒体の表面に沿って移動するアー
ム機構に固定することによって、磁気ヘッドが磁気記録
媒体上の所定位置上に移動自在に設けられるようになさ
れている。
【０００４】上述したようなＭＲ／Ｉｎｄ一体型の薄膜
磁気ヘッドの上部からみた平面図、磁気記録媒体との対
向面と直交する方向の拡大断面図を図５及び図６に示
す。この場合Ｉｎｄ型記録ギャップとＭＲ型再生ギャッ
プとが独別に設けられる２ギャップ型の例で、図６に示
すように、基体１上に第１の磁性層２が被着され、その
上に薄い絶縁層３を介して磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）４が被着形成される。
磁気ヘッドの上部からみた平面図、磁気記録媒体との対
向面と直交する方向の拡大断面図を図５及び図６に示
す。この場合Ｉｎｄ型記録ギャップとＭＲ型再生ギャッ
プとが独別に設けられる２ギャップ型の例で、図６に示
すように、基体１上に第１の磁性層２が被着され、その
上に薄い絶縁層３を介して磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）４が被着形成される。
【０００５】このＭＲ素子４は、その一端が磁気記録媒
体との対向面１３に臨むようになされ且つ図５に示すよ
うにこの対向面１３に対し垂直な方向に延長するパター
ンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形成され
る。このＭＲ素子４の対向面１３側の一端と他端とには
センス電流印加用の電極５が被着形成される。
体との対向面１３に臨むようになされ且つ図５に示すよ
うにこの対向面１３に対し垂直な方向に延長するパター
ンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形成され
る。このＭＲ素子４の対向面１３側の一端と他端とには
センス電流印加用の電極５が被着形成される。
【０００６】そしてこの上に同様に絶縁層３を介してＭ
Ｒ素子４にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体
６が、例えば図５に示すように、ＭＲ素子４の延長方向
とは直交する方向に延長するパターンとして形成され、
絶縁層３を介してこの上を覆うように全面的に第２の磁
性層７が被着され、第１及び第２の磁性層２及び７によ
って再生すべき情報以外の信号磁界を遮蔽するためのシ
ールドコアが構成されて、ＭＲ型再生ヘッドが構成され
る。
Ｒ素子４にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体
６が、例えば図５に示すように、ＭＲ素子４の延長方向
とは直交する方向に延長するパターンとして形成され、
絶縁層３を介してこの上を覆うように全面的に第２の磁
性層７が被着され、第１及び第２の磁性層２及び７によ
って再生すべき情報以外の信号磁界を遮蔽するためのシ
ールドコアが構成されて、ＭＲ型再生ヘッドが構成され
る。
【０００７】そして更にこの上に絶縁層９を介して導電
性層より成るヘッド巻線１０が、図５に示すように渦巻
状パターンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形
成される。そしてこの上を覆うように絶縁層９を介して
第３の磁性層１１が形成されて成る。この場合、その磁
気記録媒体との対向面１３に臨む前方端部に向かって絶
縁層９の厚さが徐々に小とされて、対向面１３において
所要のギャップ幅をもって第２及び第３の磁性層７及び
１１が接近するようになされ、対向面１３から離間した
後方端部においては第３の磁性層１１の一部が絶縁層９
を横切る深さに設けられた開口を通じて第２の磁性層７
の一部に接続されて第２及び第３の磁性層７及び１１に
よって閉磁路が構成され、上述のヘッド巻線１０がこの
接続部を取り巻くようになされて誘導型の記録ヘッドが
構成される。ｇ1 は再生ギャップ、ｇ2 は記録ギャッ
プ、１２は保護膜を示す。
性層より成るヘッド巻線１０が、図５に示すように渦巻
状パターンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形
成される。そしてこの上を覆うように絶縁層９を介して
第３の磁性層１１が形成されて成る。この場合、その磁
気記録媒体との対向面１３に臨む前方端部に向かって絶
縁層９の厚さが徐々に小とされて、対向面１３において
所要のギャップ幅をもって第２及び第３の磁性層７及び
１１が接近するようになされ、対向面１３から離間した
後方端部においては第３の磁性層１１の一部が絶縁層９
を横切る深さに設けられた開口を通じて第２の磁性層７
の一部に接続されて第２及び第３の磁性層７及び１１に
よって閉磁路が構成され、上述のヘッド巻線１０がこの
接続部を取り巻くようになされて誘導型の記録ヘッドが
構成される。ｇ1 は再生ギャップ、ｇ2 は記録ギャッ
プ、１２は保護膜を示す。
【０００８】このようなヘッドでハードディスクメディ
ア等の磁気記録媒体に記録する場合は、上述のヘッド巻
線１０に誘導電流を印加して、薄膜磁気コアを構成する
第３の磁性層１１及び第２の磁性層７の間の記録ギャッ
プｇ2 から誘導磁界を発生させて磁気記録媒体に情報を
書き込むようにしている。このときの記録トラック幅
は、図６のＡＡ線上の略線的拡大断面図を図７に示すよ
うに、記録コアを構成する第２及び第３の磁性層７及び
１１の幅、即ち矢印Ｄで示す磁気記録媒体との相対的移
行方向に対して垂直方向（以下トラック方向と呼ぶ）の
幅を比較して、より幅狭とされた磁性層この場合第３の
磁性層１１の幅ＷT によって規制される。
ア等の磁気記録媒体に記録する場合は、上述のヘッド巻
線１０に誘導電流を印加して、薄膜磁気コアを構成する
第３の磁性層１１及び第２の磁性層７の間の記録ギャッ
プｇ2 から誘導磁界を発生させて磁気記録媒体に情報を
書き込むようにしている。このときの記録トラック幅
は、図６のＡＡ線上の略線的拡大断面図を図７に示すよ
うに、記録コアを構成する第２及び第３の磁性層７及び
１１の幅、即ち矢印Ｄで示す磁気記録媒体との相対的移
行方向に対して垂直方向（以下トラック方向と呼ぶ）の
幅を比較して、より幅狭とされた磁性層この場合第３の
磁性層１１の幅ＷT によって規制される。
【０００９】一方でこのようなヘッドによって記録され
た情報の再生は、ＭＲ素子４の抵抗変化を電極５を通じ
て流しているセンス電流の変化として検出している。
た情報の再生は、ＭＲ素子４の抵抗変化を電極５を通じ
て流しているセンス電流の変化として検出している。
【００１０】上述したように第１の磁性層２及び第２の
磁性層７は、ハードディスクメディア等の磁気記録媒体
に記録されている再生すべき情報以外の情報を遮蔽する
ためのいわゆるシールドコアの役割を有している。ここ
で記録トラック幅と同様に、トラック方向の情報を再生
する有効な幅即ち再生トラック幅は、図７に示すように
ハードディスクメディアとの対向面に露出しているＭＲ
素子４の幅ＲT で決定される。
磁性層７は、ハードディスクメディア等の磁気記録媒体
に記録されている再生すべき情報以外の情報を遮蔽する
ためのいわゆるシールドコアの役割を有している。ここ
で記録トラック幅と同様に、トラック方向の情報を再生
する有効な幅即ち再生トラック幅は、図７に示すように
ハードディスクメディアとの対向面に露出しているＭＲ
素子４の幅ＲT で決定される。
【００１１】このように２ギャップ型ＭＲ／Ｉｎｄヘッ
ドは記録トラック幅と再生トラック幅とを別個に設けて
いるため、記録トラック幅ＷT と再生トラック幅ＲT と
を、ＷT ≧ＲT とすることで再生時の高ＳＮ比（信号対
ノイズ比）とハードディスクドライブ装置におけるヘッ
ドとハードディスクメディアの機械的位置合せ誤差によ
る再生エラーが生じにくいという利点を得ている。
ドは記録トラック幅と再生トラック幅とを別個に設けて
いるため、記録トラック幅ＷT と再生トラック幅ＲT と
を、ＷT ≧ＲT とすることで再生時の高ＳＮ比（信号対
ノイズ比）とハードディスクドライブ装置におけるヘッ
ドとハードディスクメディアの機械的位置合せ誤差によ
る再生エラーが生じにくいという利点を得ている。
【００１２】ところでこのような再生シールド効果を確
実にもたせるためには、第１及び第２の磁性層２及び７
のトラック方向の長さを充分大とする必要があるため、
図７に示すように第２の磁性層７と第３の磁性層１１と
のトラック方向の長さの違いが大きくなってしまう。従
って、図８にその模式図を示すように、記録時の誘導磁
界は上述の第２及び第３の磁性層７及び１１のそれぞれ
のトラック方向の外側端を結ぶように拡大されてしま
い、記録用トラック幅は上述の第２の磁性層１１のトラ
ック方向の幅ＷT よりも広がってしまう。この結果、磁
気記録媒体に記録する１トラック分の情報の幅がトラッ
ク方向の磁界漏れ分を含んで広くなってしまうという問
題が生じている。
実にもたせるためには、第１及び第２の磁性層２及び７
のトラック方向の長さを充分大とする必要があるため、
図７に示すように第２の磁性層７と第３の磁性層１１と
のトラック方向の長さの違いが大きくなってしまう。従
って、図８にその模式図を示すように、記録時の誘導磁
界は上述の第２及び第３の磁性層７及び１１のそれぞれ
のトラック方向の外側端を結ぶように拡大されてしま
い、記録用トラック幅は上述の第２の磁性層１１のトラ
ック方向の幅ＷT よりも広がってしまう。この結果、磁
気記録媒体に記録する１トラック分の情報の幅がトラッ
ク方向の磁界漏れ分を含んで広くなってしまうという問
題が生じている。
【００１３】ハードディスクドライブ装置の記録密度を
向上させるためには、ハードディスクメディア上にでき
るだけ多くのトラック数をとる必要があるが、上述しよ
うな構造では１トラック分の情報の幅を狭くとることに
制約があるため、トラック密度の向上をはかり難いとい
う問題点を抱えている。
向上させるためには、ハードディスクメディア上にでき
るだけ多くのトラック数をとる必要があるが、上述しよ
うな構造では１トラック分の情報の幅を狭くとることに
制約があるため、トラック密度の向上をはかり難いとい
う問題点を抱えている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな２ギャップ型構成のＭＲ／Ｉｎｄ一体型の複合型薄
膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録磁界漏れを防いで
記録トラック幅を制御することにより再生時のＳＮ比の
向上を図ると共に、高トラック密度化によりハードディ
スクドライブ装置等の磁気ヘッド装置における高記録密
度化を可能にする。
うな２ギャップ型構成のＭＲ／Ｉｎｄ一体型の複合型薄
膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録磁界漏れを防いで
記録トラック幅を制御することにより再生時のＳＮ比の
向上を図ると共に、高トラック密度化によりハードディ
スクドライブ装置等の磁気ヘッド装置における高記録密
度化を可能にする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、その一例の要
部の略線的拡大断面図を図１に示すように、磁気抵抗効
果素子（ＭＲ素子）４を有して成る薄膜磁気抵抗効果型
再生ヘッドと誘導型記録ヘッドとが積層されて、それぞ
れ再生ギャップｇ1 と記録ギャップｇ2 が独別に形成さ
れて成る複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ギャップ
ｇ2 に近接して記録トラック幅規制用磁性層８を設けて
構成する。
部の略線的拡大断面図を図１に示すように、磁気抵抗効
果素子（ＭＲ素子）４を有して成る薄膜磁気抵抗効果型
再生ヘッドと誘導型記録ヘッドとが積層されて、それぞ
れ再生ギャップｇ1 と記録ギャップｇ2 が独別に形成さ
れて成る複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ギャップ
ｇ2 に近接して記録トラック幅規制用磁性層８を設けて
構成する。
【００１６】また本発明は、上述の複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、ＭＲ素子４を、磁気記録媒体との対向面１
３に対し垂直な方向に延在するように設ける。
ドにおいて、ＭＲ素子４を、磁気記録媒体との対向面１
３に対し垂直な方向に延在するように設ける。
【００１７】更にまた本発明は、上述の複合型薄膜磁気
ヘッドにおいて、ＭＲ素子４を、非磁性中間層を介して
少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層を積層し
た２層膜構成とする。
ヘッドにおいて、ＭＲ素子４を、非磁性中間層を介して
少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層を積層し
た２層膜構成とする。
【００１８】
【作用】上述したように本発明によれば、記録ギャップ
ｇ2 に近接して記録トラック幅規制用磁性層８を設ける
ことにより、図１におけるＢＢ線上の断面図を図２に示
すように、この記録トラック幅規制用溝８と、記録コア
を構成する磁性層のうち一方の磁性層、この例において
は第３の磁性層１１とによって、記録時の不必要な磁界
漏れを確実に防いで、記録トラック幅を制御することに
より再生時のＳＮ比の向上を図ると共に、高トラック密
度化によるハードディスクドライブ装置の高記録密度化
を可能にする。
ｇ2 に近接して記録トラック幅規制用磁性層８を設ける
ことにより、図１におけるＢＢ線上の断面図を図２に示
すように、この記録トラック幅規制用溝８と、記録コア
を構成する磁性層のうち一方の磁性層、この例において
は第３の磁性層１１とによって、記録時の不必要な磁界
漏れを確実に防いで、記録トラック幅を制御することに
より再生時のＳＮ比の向上を図ると共に、高トラック密
度化によるハードディスクドライブ装置の高記録密度化
を可能にする。
【００１９】また本発明は、上述の複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、ＭＲ素子４を、磁気記録媒体との対向面１
３に対し垂直な方向に延在して設けて構成することか
ら、このＭＲ素子４の一方の電極のみが磁気記録媒体と
の対向面に露出するようになすことができ、これによっ
て例えば磁気記録媒体の表面にＭＲ素子４の両端の電極
が接触してこの電極間の抵抗値が変化することを確実に
回避することができて、ノイズの発生を抑制することが
できる。
ドにおいて、ＭＲ素子４を、磁気記録媒体との対向面１
３に対し垂直な方向に延在して設けて構成することか
ら、このＭＲ素子４の一方の電極のみが磁気記録媒体と
の対向面に露出するようになすことができ、これによっ
て例えば磁気記録媒体の表面にＭＲ素子４の両端の電極
が接触してこの電極間の抵抗値が変化することを確実に
回避することができて、ノイズの発生を抑制することが
できる。
【００２０】更にまた本発明は、上述の複合型薄膜磁気
ヘッドにおいて、ＭＲ素子４を、非磁性中間層を介して
少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層が積層さ
れた２層膜構成とすることによって、各磁性層の磁化状
態が互いに反平行となるときに磁気エネルギー的に安定
となることから、これら磁性層に磁壁を生じさせること
がなく、磁区の発生を回避できて、バルクハウゼンノイ
ズの発生を低減化することができる。
ヘッドにおいて、ＭＲ素子４を、非磁性中間層を介して
少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層が積層さ
れた２層膜構成とすることによって、各磁性層の磁化状
態が互いに反平行となるときに磁気エネルギー的に安定
となることから、これら磁性層に磁壁を生じさせること
がなく、磁区の発生を回避できて、バルクハウゼンノイ
ズの発生を低減化することができる。
【００２１】
【実施例】以下本発明複合型薄膜磁気ヘッドの一例を図
面を参照して詳細に説明する。この例においては、ハー
ドディスクドライブ装置搭載用の薄膜磁気ヘッドの一例
を示し、以下の図１〜図２においては、前述の図５〜図
７に対応する部分には同一符号を付して示す。
面を参照して詳細に説明する。この例においては、ハー
ドディスクドライブ装置搭載用の薄膜磁気ヘッドの一例
を示し、以下の図１〜図２においては、前述の図５〜図
７に対応する部分には同一符号を付して示す。
【００２２】先ず図１に示すように、基体１上に第１の
磁性層２が被着され、その上に薄い絶縁層３を介して磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４が被着形成される。この
ＭＲ素子４は、その一端が磁気記録媒体との対向面１３
に臨むようになされ且つ図５において説明した例と同様
に、この対向面１３に対し垂直な方向に延長するパター
ンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形成され
る。このＭＲ素子４の対向面１３側の一端と他端とには
センス電流印加用の電極５が被着形成される。そしてこ
の上に同様に絶縁層３を介してＭＲ素子４にバイアス磁
界を印加するためのバイアス導体６が、例えばＭＲ素子
４の延長方向とは直交する方向に延長するパターンとし
て形成され、絶縁層３を介してこの上を覆うように全面
的に第２の磁性層７が被着され、第１及び第２の磁性層
２及び７によって再生すべき情報以外の信号磁界を遮蔽
するためのシールドコアが構成されて、ＭＲ型再生ヘッ
ドが構成される。
磁性層２が被着され、その上に薄い絶縁層３を介して磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４が被着形成される。この
ＭＲ素子４は、その一端が磁気記録媒体との対向面１３
に臨むようになされ且つ図５において説明した例と同様
に、この対向面１３に対し垂直な方向に延長するパター
ンとしてフォトリソグラフィ等の適用により形成され
る。このＭＲ素子４の対向面１３側の一端と他端とには
センス電流印加用の電極５が被着形成される。そしてこ
の上に同様に絶縁層３を介してＭＲ素子４にバイアス磁
界を印加するためのバイアス導体６が、例えばＭＲ素子
４の延長方向とは直交する方向に延長するパターンとし
て形成され、絶縁層３を介してこの上を覆うように全面
的に第２の磁性層７が被着され、第１及び第２の磁性層
２及び７によって再生すべき情報以外の信号磁界を遮蔽
するためのシールドコアが構成されて、ＭＲ型再生ヘッ
ドが構成される。
【００２３】そして本発明においてはこの第２の磁性層
７の上部の磁気記録媒体との対向面１３に臨むように、
記録トラック幅規制用磁性層８が他の磁性層と同様にス
パッタリング又はメッキ等により被着され、フォトリソ
グラフィ等の適用によってパターニング形成される。そ
して更にこの上に絶縁層９を介して導電性層より成るヘ
ッド巻線１０が渦巻状パターンとしてフォトリソグラフ
ィ等の適用により形成される。そしてこの上を覆うよう
に絶縁層９を介して第３の磁性層１１が形成されて成
る。この場合、その磁気記録媒体との対向面１３に臨む
前方端部に向かって絶縁層９の厚さが徐々に小とされ
て、対向面１３において所要のギャップ幅をもって上述
の記録トラック幅規制用磁性層８と第３の磁性層１１と
が接近するようになされ、対向面１３から離間した後方
端部においては第３の磁性層１１の一部が絶縁層９を横
切る深さに設けられた開口を通じて第２の磁性層７の後
端部に接続されて記録トラック幅規制用磁性層８と第２
及び第３の磁性層７及び１１によって閉磁路が構成さ
れ、上述のヘッド巻線１０がこの接続部を取り巻くよう
になされて誘導型の記録ヘッドが構成される。ｇ1 は再
生ギャップ、ｇ2 は記録ギャップ、１２は保護膜を示
す。
７の上部の磁気記録媒体との対向面１３に臨むように、
記録トラック幅規制用磁性層８が他の磁性層と同様にス
パッタリング又はメッキ等により被着され、フォトリソ
グラフィ等の適用によってパターニング形成される。そ
して更にこの上に絶縁層９を介して導電性層より成るヘ
ッド巻線１０が渦巻状パターンとしてフォトリソグラフ
ィ等の適用により形成される。そしてこの上を覆うよう
に絶縁層９を介して第３の磁性層１１が形成されて成
る。この場合、その磁気記録媒体との対向面１３に臨む
前方端部に向かって絶縁層９の厚さが徐々に小とされ
て、対向面１３において所要のギャップ幅をもって上述
の記録トラック幅規制用磁性層８と第３の磁性層１１と
が接近するようになされ、対向面１３から離間した後方
端部においては第３の磁性層１１の一部が絶縁層９を横
切る深さに設けられた開口を通じて第２の磁性層７の後
端部に接続されて記録トラック幅規制用磁性層８と第２
及び第３の磁性層７及び１１によって閉磁路が構成さ
れ、上述のヘッド巻線１０がこの接続部を取り巻くよう
になされて誘導型の記録ヘッドが構成される。ｇ1 は再
生ギャップ、ｇ2 は記録ギャップ、１２は保護膜を示
す。
【００２４】この複合型薄膜磁気ヘッドにおいて磁気記
録媒体に記録する場合は上述のヘッド巻線１０に誘導電
流を印加して、薄膜磁気コアを構成する第３の磁性層１
１及び記録トラック幅規制用磁性層８の間の記録ギャッ
プｇ2 から誘導磁界を発生させて磁気記録媒体に情報が
書き込まれる。このとき記録トラック幅規制用磁性層８
のトラック方向の幅を、図２に図１のＢＢ線上の略線的
拡大断面図を示すように、例えば第３の磁性層１１の幅
とほぼ同じＷT とすることによって、図３にその記録時
の誘導磁界発生態様を模式的に示すように、誘導磁界の
漏れ量を低減化することができる。この場合上述したよ
うに記録トラック幅規制用磁性層８の幅と第３の磁性層
１１の幅とをほぼ同一とするときに磁界漏れ量を最小と
することができるが、その成膜プロセスのパターンの位
置合わせ精度を考慮して、両者の幅の違いを最適化する
ことが望ましい。
録媒体に記録する場合は上述のヘッド巻線１０に誘導電
流を印加して、薄膜磁気コアを構成する第３の磁性層１
１及び記録トラック幅規制用磁性層８の間の記録ギャッ
プｇ2 から誘導磁界を発生させて磁気記録媒体に情報が
書き込まれる。このとき記録トラック幅規制用磁性層８
のトラック方向の幅を、図２に図１のＢＢ線上の略線的
拡大断面図を示すように、例えば第３の磁性層１１の幅
とほぼ同じＷT とすることによって、図３にその記録時
の誘導磁界発生態様を模式的に示すように、誘導磁界の
漏れ量を低減化することができる。この場合上述したよ
うに記録トラック幅規制用磁性層８の幅と第３の磁性層
１１の幅とをほぼ同一とするときに磁界漏れ量を最小と
することができるが、その成膜プロセスのパターンの位
置合わせ精度を考慮して、両者の幅の違いを最適化する
ことが望ましい。
【００２５】またこのとき、図２に示すようにＭＲ素子
４のトラック方向の幅ＲT を記録トラック幅ＷT に比し
小として構成することによって、上述の図５〜図７にお
いて説明した例と同様に、再生時の高ＳＮ比とハードデ
ィスクドライブ装置におけるヘッドとハードディスクメ
ディアの機械的位置合せ誤差による再生エラーを生じに
くくすることができる。
４のトラック方向の幅ＲT を記録トラック幅ＷT に比し
小として構成することによって、上述の図５〜図７にお
いて説明した例と同様に、再生時の高ＳＮ比とハードデ
ィスクドライブ装置におけるヘッドとハードディスクメ
ディアの機械的位置合せ誤差による再生エラーを生じに
くくすることができる。
【００２６】そしてＭＲ型再生ヘッドの再生シールド効
果を充分大とするために、第１の磁性層２及び第２の磁
性層７のトラック方向の長さを大としても、上述したよ
うに記録トラック幅は記録トラック幅規制用磁性層８に
よって確実に幅ＷT をもって規制されるため、記録時の
誘導磁界の広がりを確実に防ぐことができる。
果を充分大とするために、第１の磁性層２及び第２の磁
性層７のトラック方向の長さを大としても、上述したよ
うに記録トラック幅は記録トラック幅規制用磁性層８に
よって確実に幅ＷT をもって規制されるため、記録時の
誘導磁界の広がりを確実に防ぐことができる。
【００２７】このように本発明によれば不必要な記録磁
界漏れを防いで記録トラック幅を精度良く制御すること
ができるため、再生時のＳＮ比の向上をはかることがで
き、また高トラック密度化による例えばハードディスク
ドライブ装置の高記録密度化をはかることができる。
界漏れを防いで記録トラック幅を精度良く制御すること
ができるため、再生時のＳＮ比の向上をはかることがで
き、また高トラック密度化による例えばハードディスク
ドライブ装置の高記録密度化をはかることができる。
【００２８】また上述の実施例においては、ＭＲ素子４
を、磁気記録媒体との対向面１３に対し垂直な方向に延
在して設けて構成したことから、このＭＲ素子４の一方
の電極のみが磁気記録媒体との対向面に露出するように
なすことができ、これによって例えばハードディスクメ
ディア等磁気記録媒体の表面にＭＲ素子４の両端の電極
が接触してこの電極間の抵抗値が変化することを確実に
回避することができて、ノイズの発生を抑制することが
できる。
を、磁気記録媒体との対向面１３に対し垂直な方向に延
在して設けて構成したことから、このＭＲ素子４の一方
の電極のみが磁気記録媒体との対向面に露出するように
なすことができ、これによって例えばハードディスクメ
ディア等磁気記録媒体の表面にＭＲ素子４の両端の電極
が接触してこの電極間の抵抗値が変化することを確実に
回避することができて、ノイズの発生を抑制することが
できる。
【００２９】更に、上述の実施例においてＭＲ素子４
を、非磁性中間層を介して少なくとも一方が磁気抵抗効
果を有する磁性層が積層された２層膜構成とすることに
よって、各磁性層の磁化状態が互いに反平行となるとき
に磁気エネルギー的に安定となることから、これら磁性
層に磁壁を生じさせることがなく、磁区の発生を回避で
きて、バルクハウゼンノイズの発生を低減化することが
できる。
を、非磁性中間層を介して少なくとも一方が磁気抵抗効
果を有する磁性層が積層された２層膜構成とすることに
よって、各磁性層の磁化状態が互いに反平行となるとき
に磁気エネルギー的に安定となることから、これら磁性
層に磁壁を生じさせることがなく、磁区の発生を回避で
きて、バルクハウゼンノイズの発生を低減化することが
できる。
【００３０】またこのときこのＭＲ素子４の磁化容易軸
を信号磁界と直交する方向に選定して構成することによ
って、これに対し磁化困難軸方向に信号磁界を印加した
ときに面内方向に磁化が変化することとなって、つまり
磁化困難軸を磁束の伝搬方向とすることによって磁壁移
動に起因するバルクハウゼンノイズの発生を確実に回避
することができる。
を信号磁界と直交する方向に選定して構成することによ
って、これに対し磁化困難軸方向に信号磁界を印加した
ときに面内方向に磁化が変化することとなって、つまり
磁化困難軸を磁束の伝搬方向とすることによって磁壁移
動に起因するバルクハウゼンノイズの発生を確実に回避
することができる。
【００３１】尚、上述の例においては本発明をハードデ
ィスクドライブ装置搭載用の複合型薄膜磁気ヘッドに適
用した場合を示すが、その他種々の磁気ヘッドに本発明
を適用し得ることはもちろんである。また、本発明は上
述の実施例における構成に限ることなく、その材料構成
等種々の変形変更をなし得ることはいうまでもない。
ィスクドライブ装置搭載用の複合型薄膜磁気ヘッドに適
用した場合を示すが、その他種々の磁気ヘッドに本発明
を適用し得ることはもちろんである。また、本発明は上
述の実施例における構成に限ることなく、その材料構成
等種々の変形変更をなし得ることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば２ギャ
ップ型の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録
磁界漏れを防いで記録トラック幅を精度良く制御するこ
とができるため、再生時のＳＮ比の向上をはかることが
でき、また高トラック密度化による例えばハードディス
クドライブ装置の高記録密度化をはかることができる。
ップ型の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、不必要な記録
磁界漏れを防いで記録トラック幅を精度良く制御するこ
とができるため、再生時のＳＮ比の向上をはかることが
でき、また高トラック密度化による例えばハードディス
クドライブ装置の高記録密度化をはかることができる。
【００３３】また、ＭＲ素子４を磁気記録媒体との対向
面１３に対し直交する方向に延在するパターンとして構
成することによって、電極間の抵抗値が変化することを
確実に回避することができて、ノイズの発生を抑制する
ことができる。
面１３に対し直交する方向に延在するパターンとして構
成することによって、電極間の抵抗値が変化することを
確実に回避することができて、ノイズの発生を抑制する
ことができる。
【００３４】更にまたＭＲ素子４を、非磁性中間層を介
して少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層が積
層された２層膜構成とすることによって、磁区の発生を
回避できて、バルクハウゼンノイズの発生を低減化する
ことができる。
して少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層が積
層された２層膜構成とすることによって、磁区の発生を
回避できて、バルクハウゼンノイズの発生を低減化する
ことができる。
【図１】本発明複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要部の略
線的拡大断面図である。
線的拡大断面図である。
【図２】本発明複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要部の略
線的拡大断面図である。
線的拡大断面図である。
【図３】本発明複合型薄膜磁気ヘッドの記録用誘導磁界
発生態様の模式図である。
発生態様の模式図である。
【図４】薄膜ヘッドの一例の製造工程図である。
【図５】複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要部の略線的拡
大平面図である。
大平面図である。
【図６】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要部の略
線的拡大断面図である。
線的拡大断面図である。
【図７】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要部の略
線的拡大断面図である。
線的拡大断面図である。
【図８】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録用誘導磁界
発生態様の模式図である。
発生態様の模式図である。
１ 基体 ２ 第１の磁性層 ３ 絶縁層 ４ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） ５ 電極 ６ バイアス導体 ７ 第２の磁性層 ８ 記録トラック規制用磁性層 ９ 絶縁層 １０ ヘッド巻線 １１ 第３の磁性層 １２ 保護膜 １３ 対向面
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を有して成る薄膜磁気
抵抗効果型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドとが積層され
て、それぞれ再生ギャップと記録ギャップが独別に形成
されて成る複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記記録ギャップに近接して記録トラック幅規制用磁性
層が設けられて成ることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子が、磁気記録媒体との対向面に対
し垂直な方向に延在するように設けられて成ることを特
徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子が、非磁性中間層を介して少なく
とも一方が磁気抵抗効果を有する磁性層が積層されて成
ることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158263A JPH064832A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| KR1019930009465A KR940001050A (ko) | 1992-06-17 | 1993-05-31 | 복합형 박막자기헤드 |
| EP19930109625 EP0574896A3 (en) | 1992-06-17 | 1993-06-16 | Composite type thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158263A JPH064832A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064832A true JPH064832A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15667798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4158263A Pending JPH064832A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0574896A3 (ja) |
| JP (1) | JPH064832A (ja) |
| KR (1) | KR940001050A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6276856B1 (en) | 1999-01-12 | 2001-08-21 | The Procter & Gamble Company | Self cleaning dip-in package for liquids |
| CN102563838A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-07-11 | 刘艳妮 | 一种便携式热水器 |
| US10031633B2 (en) | 2013-11-15 | 2018-07-24 | Fujitsu Component Limited | Touch panel device and method for controlling touch panel device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06162450A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
| DE69418551T2 (de) * | 1993-08-27 | 1999-09-16 | Read-Rite Corp., Milpitas | Magnetkopfzusammenbau mit Schreibpol-/Abschirmstruktur |
| DE69516442T2 (de) * | 1994-03-03 | 2000-08-10 | Seagate Technology International, Georgetown | Magnetoresistiver Kopf und Herstellungsverfahren |
| US5668689A (en) * | 1994-03-03 | 1997-09-16 | Seagate Technology, Inc. | Inverted magnetoresistive head |
| US5640753A (en) * | 1994-03-03 | 1997-06-24 | Seagate Technology, Inc. | Method of fabricating an inverted magnetoresistive head |
| US5867350A (en) * | 1995-03-29 | 1999-02-02 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803580A (en) * | 1987-02-17 | 1989-02-07 | Magnetic Peripherals Inc. | Double-gap magnetoresistive head having an elongated central write/shield pole completely shielding the magnetoresistive sensor strip in the read gap |
| DE68924334T2 (de) * | 1988-12-02 | 1996-05-30 | Hitachi Ltd | Magnetisches Aufzeichnungs- und Abspielgerät sowie magnetoresistiver Kopf zum Einsatz darin. |
| JP2728487B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 録再分離複合型磁気ヘッド |
| JPH0421916A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
| JP2830559B2 (ja) * | 1991-11-20 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP4158263A patent/JPH064832A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-31 KR KR1019930009465A patent/KR940001050A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-06-16 EP EP19930109625 patent/EP0574896A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6276856B1 (en) | 1999-01-12 | 2001-08-21 | The Procter & Gamble Company | Self cleaning dip-in package for liquids |
| CN102563838A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-07-11 | 刘艳妮 | 一种便携式热水器 |
| US10031633B2 (en) | 2013-11-15 | 2018-07-24 | Fujitsu Component Limited | Touch panel device and method for controlling touch panel device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940001050A (ko) | 1994-01-10 |
| EP0574896A3 (en) | 1994-07-13 |
| EP0574896A2 (en) | 1993-12-22 |
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