JPH0645658A - 半導体素子接着基板 - Google Patents
半導体素子接着基板Info
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- JPH0645658A JPH0645658A JP19886192A JP19886192A JPH0645658A JP H0645658 A JPH0645658 A JP H0645658A JP 19886192 A JP19886192 A JP 19886192A JP 19886192 A JP19886192 A JP 19886192A JP H0645658 A JPH0645658 A JP H0645658A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光ダイオードが形成された半導体素子を複数
個列状に基板上に接着した際にも、各発光ダイオードの
光出射面の位置と高さを均一に揃え、素子間の光出力の
ばらつきを極力抑えることができ、印字ドットの大きさ
や印字濃度の均一性の高い、高品質な印字が可能な光プ
リンター光源等を実現することができる半導体素子接着
基板を提供する。 【構成】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発光層
を発光させるための電極とを含む積層構造より成る発光
ダイオード12が形成された半導体素子2を接着する半
導体素子接着基板1であって、半導体素子2との接着部
分に、表面から裏面に通じる孔7が設けられており、そ
の孔7によって素子を接着する際の余分な接着剤3を取
り除き、素子2と基板1との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にしたことを特徴とす
る。
個列状に基板上に接着した際にも、各発光ダイオードの
光出射面の位置と高さを均一に揃え、素子間の光出力の
ばらつきを極力抑えることができ、印字ドットの大きさ
や印字濃度の均一性の高い、高品質な印字が可能な光プ
リンター光源等を実現することができる半導体素子接着
基板を提供する。 【構成】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発光層
を発光させるための電極とを含む積層構造より成る発光
ダイオード12が形成された半導体素子2を接着する半
導体素子接着基板1であって、半導体素子2との接着部
分に、表面から裏面に通じる孔7が設けられており、そ
の孔7によって素子を接着する際の余分な接着剤3を取
り除き、素子2と基板1との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にしたことを特徴とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光プリンター光源等に
用いられる発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する半導体素子接着基板に関する。
用いられる発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する半導体素子接着基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体素子の基板への接着方法と
しては、図12に示すように、(a)基板21上にAg
(又はCu)ペースト等の導電性接着剤23を接着剤供
給装置によりディップして塗布し、(b)その後に半導
体保持装置25で半導体素子22を基板21上に移動さ
せ、(c)半導体素子22を基板21に加圧して接着す
る方法や、図13に示すように、(a)スタンパー34
に接着剤33を付着した後、(b)スタンパー34を基
板31に押しつけて接着剤33を塗布し、(c)その後
に半導体保持装置35で半導体素子32を基板31上に
移動させ、(d)半導体素子32を基板31に加圧して
接着する方法、あるいは、図14に示すように、発光
ダイオード(LED)チップ等の半導体素子の裏面に接
着剤を塗布した後、加圧ツール等の半導体保持装置で
半導体素子を基板上に移動させ、半導体素子を基板31
に加圧して接着する方法(日経マイクロデバイス、19
89年7月)が知られている。
しては、図12に示すように、(a)基板21上にAg
(又はCu)ペースト等の導電性接着剤23を接着剤供
給装置によりディップして塗布し、(b)その後に半導
体保持装置25で半導体素子22を基板21上に移動さ
せ、(c)半導体素子22を基板21に加圧して接着す
る方法や、図13に示すように、(a)スタンパー34
に接着剤33を付着した後、(b)スタンパー34を基
板31に押しつけて接着剤33を塗布し、(c)その後
に半導体保持装置35で半導体素子32を基板31上に
移動させ、(d)半導体素子32を基板31に加圧して
接着する方法、あるいは、図14に示すように、発光
ダイオード(LED)チップ等の半導体素子の裏面に接
着剤を塗布した後、加圧ツール等の半導体保持装置で
半導体素子を基板上に移動させ、半導体素子を基板31
に加圧して接着する方法(日経マイクロデバイス、19
89年7月)が知られている。
【0003】また、後述する問題点解決のために特開昭
61−181177号公報記載のような構造(図15)
を持たせているものもある。すなわち、図15(a),
(b)は、半導体素子41,42のPN接合部より下方
側41の側壁に接着剤這い上がり防止のためのでっぱり
49を設け、そのでっぱり部49により接着時における
接着剤47の這い上がりを防止した構造であり、図15
(c),(d)は、半導体素子41,42のPN接合部
より下方側41の側壁に接着剤這い上がり防止のための
段差50を設け、その段差50により接着時における接
着剤47の這い上がりを防止した構造である。
61−181177号公報記載のような構造(図15)
を持たせているものもある。すなわち、図15(a),
(b)は、半導体素子41,42のPN接合部より下方
側41の側壁に接着剤這い上がり防止のためのでっぱり
49を設け、そのでっぱり部49により接着時における
接着剤47の這い上がりを防止した構造であり、図15
(c),(d)は、半導体素子41,42のPN接合部
より下方側41の側壁に接着剤這い上がり防止のための
段差50を設け、その段差50により接着時における接
着剤47の這い上がりを防止した構造である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体素子の接着方法においては、図16のよう
に、基板58に半導体素子51を接着した際に、余分な
接着剤57が素子の側面に流れ出し、素子のPN接合部
でショートを引き起こしたり、また、図17に示すよう
に、半導体素子61,62が発光ダイオードの場合に
は、特に端面発光型においてその光出射面に接着剤67
が這い上がり発光部63からの出射光を妨げるという問
題がある。また、図18のように、基板81上に複数の
発光ダイオード素子82を一列に並べる場合には、余分
な接着剤83による素子間のショートが起きたり、さら
には、図19のように、発光ダイオード素子82を接着
した際に、素子間での光出射面の高さや位置が揃わず、
光出力にばらつきを生じてしまうという問題ある。この
ため、素子82を接着した基板81を光プリンター光源
として用いた場合には、発光ダイオードの光出力のばら
つきによって印字ドットの大きさや印字濃度に大きな差
がでてしまうという問題点がある。これらの問題点を解
決するために、前述した特開昭61−181177号公
報記載のような構造(図15)を持たせて、余分な接着
剤の這い上がりを防いでいるものもあるが、この場合に
は、素子製作のプロセスが複雑になるという問題点があ
る。
来の半導体素子の接着方法においては、図16のよう
に、基板58に半導体素子51を接着した際に、余分な
接着剤57が素子の側面に流れ出し、素子のPN接合部
でショートを引き起こしたり、また、図17に示すよう
に、半導体素子61,62が発光ダイオードの場合に
は、特に端面発光型においてその光出射面に接着剤67
が這い上がり発光部63からの出射光を妨げるという問
題がある。また、図18のように、基板81上に複数の
発光ダイオード素子82を一列に並べる場合には、余分
な接着剤83による素子間のショートが起きたり、さら
には、図19のように、発光ダイオード素子82を接着
した際に、素子間での光出射面の高さや位置が揃わず、
光出力にばらつきを生じてしまうという問題ある。この
ため、素子82を接着した基板81を光プリンター光源
として用いた場合には、発光ダイオードの光出力のばら
つきによって印字ドットの大きさや印字濃度に大きな差
がでてしまうという問題点がある。これらの問題点を解
決するために、前述した特開昭61−181177号公
報記載のような構造(図15)を持たせて、余分な接着
剤の這い上がりを防いでいるものもあるが、この場合に
は、素子製作のプロセスが複雑になるという問題点があ
る。
【0005】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、上述した従来の問題点を解消し、発光ダイオー
ドが形成された半導体素子を複数個列状に基板上に接着
した際にも、各発光ダイオードの光出射面の位置と高さ
を均一に揃え、素子間の光出力のばらつきを極力抑える
ことができ、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性の
高い、高品質な印字が可能な光プリンター光源等を実現
することができる半導体素子接着基板を提供することを
目的とする。
あって、上述した従来の問題点を解消し、発光ダイオー
ドが形成された半導体素子を複数個列状に基板上に接着
した際にも、各発光ダイオードの光出射面の位置と高さ
を均一に揃え、素子間の光出力のばらつきを極力抑える
ことができ、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性の
高い、高品質な印字が可能な光プリンター光源等を実現
することができる半導体素子接着基板を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、少なくとも発光ダイオードの発
光層と該発光層を発光させるための電極とを含む積層構
造より成る発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する基板であって、半導体素子との接着部分に、表面
から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によって
素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基
板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の高
さを均一にしたことを特徴とする。
め、請求項1の発明は、少なくとも発光ダイオードの発
光層と該発光層を発光させるための電極とを含む積層構
造より成る発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する基板であって、半導体素子との接着部分に、表面
から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によって
素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基
板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の高
さを均一にしたことを特徴とする。
【0007】請求項2の発明は、少なくとも発光ダイオ
ードの発光層と該発光層を発光させるための電極とを含
む積層構造より成る発光ダイオードが形成された半導体
素子を接着する基板であって、基板表面には半導体素子
の形状に合わせた溝が設けられており、その溝に合わせ
て半導体素子を埋め込むことによって素子の位置、すな
わち光出射面の位置を揃え、且つ溝の底部の半導体素子
との接着部分には表面から裏面に通じる孔が設けられて
おり、その孔によって素子を接着する際の余分な接着剤
を取り除き、素子と基板との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にし、光出力を均一化し
たことを特徴とする。
ードの発光層と該発光層を発光させるための電極とを含
む積層構造より成る発光ダイオードが形成された半導体
素子を接着する基板であって、基板表面には半導体素子
の形状に合わせた溝が設けられており、その溝に合わせ
て半導体素子を埋め込むことによって素子の位置、すな
わち光出射面の位置を揃え、且つ溝の底部の半導体素子
との接着部分には表面から裏面に通じる孔が設けられて
おり、その孔によって素子を接着する際の余分な接着剤
を取り除き、素子と基板との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にし、光出力を均一化し
たことを特徴とする。
【0008】すなわち、本発明の要旨とするところは、
請求項1では、半導体素子を接着する基板の、素子との
接着部分に素子の大きさより小さい表面から裏面に通じ
る孔を設け、裏面側より素子を、孔を通して吸着させる
ことにより余分な接着剤を孔に吸い出し、素子と基板と
の密着を均一にして、発光ダイオードの光出射面の高さ
を均一にすることにより、光出力のばらつきを補正する
ことができることを特徴としたことである。
請求項1では、半導体素子を接着する基板の、素子との
接着部分に素子の大きさより小さい表面から裏面に通じ
る孔を設け、裏面側より素子を、孔を通して吸着させる
ことにより余分な接着剤を孔に吸い出し、素子と基板と
の密着を均一にして、発光ダイオードの光出射面の高さ
を均一にすることにより、光出力のばらつきを補正する
ことができることを特徴としたことである。
【0009】また、請求項2では、基板上に、半導体素
子(特に、端面発光型発光ダイオード素子において)の
発光面に平行な側面の形状と発光面に垂直な側面の幅に
合わせた凹状で且つ半導体素子のPN接合部の高さより
浅い溝が設けられており、さらにその溝の底部に請求項
1と同様の孔が設けられていて、半導体素子を溝に合わ
せて埋め込んで接着することにより、素子の位置、つま
り光出射面の位置が均一化される。さらに請求項1と同
様の特徴により、発光ダイオードの光出射面の高さも均
一化される。このため、半導体素子を基板上に複数個並
べる際に、各素子を均一に並べることができ、各発光ダ
イオード間の光出射面の位置と高さのばらつきを補正す
ることができることを特徴したことである。尚、基板の
材質は、シリコン、アルミナ、シリカ等、一般に半導体
素子の接着固定に用いられている材料なら何でも良い。
また、溝及び孔の形成方法は、エッチング、機械加工、
鋳造形成等の方法を用いて形成できる。
子(特に、端面発光型発光ダイオード素子において)の
発光面に平行な側面の形状と発光面に垂直な側面の幅に
合わせた凹状で且つ半導体素子のPN接合部の高さより
浅い溝が設けられており、さらにその溝の底部に請求項
1と同様の孔が設けられていて、半導体素子を溝に合わ
せて埋め込んで接着することにより、素子の位置、つま
り光出射面の位置が均一化される。さらに請求項1と同
様の特徴により、発光ダイオードの光出射面の高さも均
一化される。このため、半導体素子を基板上に複数個並
べる際に、各素子を均一に並べることができ、各発光ダ
イオード間の光出射面の位置と高さのばらつきを補正す
ることができることを特徴したことである。尚、基板の
材質は、シリコン、アルミナ、シリカ等、一般に半導体
素子の接着固定に用いられている材料なら何でも良い。
また、溝及び孔の形成方法は、エッチング、機械加工、
鋳造形成等の方法を用いて形成できる。
【0010】
【作用】請求項1の半導体素子接着基板によれば、半導
体素子を基板に接着する際の余分な接着剤は孔の部分に
流れ込み、素子は常に同じ高さになるので、発光ダイオ
ードの光出射面の高さを均一化することができる。ま
た、請求項2の半導体素子接着基板によれば、複数の半
導体素子を並べる際に、基板の溝に合わせて素子を並べ
ることができ、発光ダイオードの光出射面の位置を均一
化することにより、光出力の均一化が可能となり、さら
に、請求項1と同様に素子は常に同じ高さになるので、
発光ダイオードの光出射面の高さを均一化することがで
きる。このため、特に、発光ダイオードの発光層、該発
光層を発光させるための電極を含む積層構造より成り、
積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオー
ドアレイからなる光プリンター光源に本発明の基板を用
いれば、側面に露出された発光部端面からの光が、側面
に這い上がった接着剤で邪魔されることが無くなるの
で、本発明は非常に有効である。
体素子を基板に接着する際の余分な接着剤は孔の部分に
流れ込み、素子は常に同じ高さになるので、発光ダイオ
ードの光出射面の高さを均一化することができる。ま
た、請求項2の半導体素子接着基板によれば、複数の半
導体素子を並べる際に、基板の溝に合わせて素子を並べ
ることができ、発光ダイオードの光出射面の位置を均一
化することにより、光出力の均一化が可能となり、さら
に、請求項1と同様に素子は常に同じ高さになるので、
発光ダイオードの光出射面の高さを均一化することがで
きる。このため、特に、発光ダイオードの発光層、該発
光層を発光させるための電極を含む積層構造より成り、
積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオー
ドアレイからなる光プリンター光源に本発明の基板を用
いれば、側面に露出された発光部端面からの光が、側面
に這い上がった接着剤で邪魔されることが無くなるの
で、本発明は非常に有効である。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 [実施例1]図1は本発明の請求項1の特徴を持った半
導体素子接着基板に、端面発光型LEDアレーが形成さ
れた半導体素子を接着した時の実施例を示す斜視図であ
る。図1に示す半導体素子接着基板1において、基板上
の素子2との接着部分には表面から裏面に通じる孔7が
形成されている。そして、あらかじめ基板1に接着剤3
をディップもしくはスタンプするか、あるいは半導体素
子2の裏面に接着剤3を塗布し、基板1の孔上に素子2
を接着する。そして、基板1の裏面側から孔7を通して
真空吸着装置によって素子2を基板に吸着させることに
より余分な接着剤3を孔7の部分に吸い出し、素子2と
基板1との密着を均一化することができる。
する。 [実施例1]図1は本発明の請求項1の特徴を持った半
導体素子接着基板に、端面発光型LEDアレーが形成さ
れた半導体素子を接着した時の実施例を示す斜視図であ
る。図1に示す半導体素子接着基板1において、基板上
の素子2との接着部分には表面から裏面に通じる孔7が
形成されている。そして、あらかじめ基板1に接着剤3
をディップもしくはスタンプするか、あるいは半導体素
子2の裏面に接着剤3を塗布し、基板1の孔上に素子2
を接着する。そして、基板1の裏面側から孔7を通して
真空吸着装置によって素子2を基板に吸着させることに
より余分な接着剤3を孔7の部分に吸い出し、素子2と
基板1との密着を均一化することができる。
【0012】ここで図2に上記半導体素子2の一例を示
す。この半導体素子2は、GaAs基板10上に端面発
光型発光ダイオード11を複数個アレイ状に形成した端
面発光型LEDアレーであって、発光ダイオードは、G
aAs基板10上にMOCVD法によって形成したGa
Asバッファー層、Al0.4Ga0.6Asクラッド層、発
光層であるAl0.2Ga0.8As活性層、Al0.4Ga0.6
Asクラッド層、GaAsキャップ層の複数の層からな
る積層構造により形成されており、隣接する発光ダイオ
ード11間は分離溝によって電気的、空間的に分離され
ている。そして、各発光ダイオード11のGaAsキャ
ップ層上からGaAs基板10にかけてはそれぞれ上部
電極13が形成され、GaAs基板10の裏面には共通
電極が設けられており、各発光ダイオード11の端面に
形成された発光部12から光を取り出すようになってい
る。尚、半導体素子としては、図3に示すように発光部
9が一つの単素子を用いることもできる。また、基板1
に形成される孔7の形状としては、図1、図3のような
円形状の他、図10や図11に示すような形状を用いて
も構わない。
す。この半導体素子2は、GaAs基板10上に端面発
光型発光ダイオード11を複数個アレイ状に形成した端
面発光型LEDアレーであって、発光ダイオードは、G
aAs基板10上にMOCVD法によって形成したGa
Asバッファー層、Al0.4Ga0.6Asクラッド層、発
光層であるAl0.2Ga0.8As活性層、Al0.4Ga0.6
Asクラッド層、GaAsキャップ層の複数の層からな
る積層構造により形成されており、隣接する発光ダイオ
ード11間は分離溝によって電気的、空間的に分離され
ている。そして、各発光ダイオード11のGaAsキャ
ップ層上からGaAs基板10にかけてはそれぞれ上部
電極13が形成され、GaAs基板10の裏面には共通
電極が設けられており、各発光ダイオード11の端面に
形成された発光部12から光を取り出すようになってい
る。尚、半導体素子としては、図3に示すように発光部
9が一つの単素子を用いることもできる。また、基板1
に形成される孔7の形状としては、図1、図3のような
円形状の他、図10や図11に示すような形状を用いて
も構わない。
【0013】[実施例2]図4は本発明の請求項2の特
徴を持った半導体素子接着基板に、端面発光型LEDア
レーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示
す斜視図である。図4において、半導体素子接着基板1
の表面には半導体素子2の端面発光型発光ダイオードの
光出射面の高さより浅い凹状の溝6が形成されており、
さらに溝6の底部には孔7が設けられている。そして、
図6のように、(a)あらかじめ基板1に接着剤3を接
着剤供給装置4によりディップもしくはスタンプする
か、あるいは半導体素子2の裏面に接着剤3を塗布し、
(b)半導体素子保持装置5により基板1上の溝6に合
わせて素子2を埋め込み、(c)孔上に素子を接着して
裏面側から孔7を通して真空吸着装置8によって素子2
を基板に吸着させることにより余分な接着剤3を孔7の
部分に吸い出し、素子2と基板1との密着を均一化する
と共に、溝6によって素子の位置を常に一定に揃えるこ
とができる。つまり、半導体素子2の発光ダイオードの
光出射面の高さと位置の規定をすることができる。この
ため光出力を均一化することができる。尚、半導体素子
2は図2に示した実施例1と同じ端面発光型LEDアレ
ーであるが、図5のように単素子の発光ダイオードから
なる素子でも構わない。また、基板1の溝6の底部に形
成される孔7の形状としては、図4、図5のような円形
状の他、図10や図11に示すような形状を用いても構
わない。
徴を持った半導体素子接着基板に、端面発光型LEDア
レーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示
す斜視図である。図4において、半導体素子接着基板1
の表面には半導体素子2の端面発光型発光ダイオードの
光出射面の高さより浅い凹状の溝6が形成されており、
さらに溝6の底部には孔7が設けられている。そして、
図6のように、(a)あらかじめ基板1に接着剤3を接
着剤供給装置4によりディップもしくはスタンプする
か、あるいは半導体素子2の裏面に接着剤3を塗布し、
(b)半導体素子保持装置5により基板1上の溝6に合
わせて素子2を埋め込み、(c)孔上に素子を接着して
裏面側から孔7を通して真空吸着装置8によって素子2
を基板に吸着させることにより余分な接着剤3を孔7の
部分に吸い出し、素子2と基板1との密着を均一化する
と共に、溝6によって素子の位置を常に一定に揃えるこ
とができる。つまり、半導体素子2の発光ダイオードの
光出射面の高さと位置の規定をすることができる。この
ため光出力を均一化することができる。尚、半導体素子
2は図2に示した実施例1と同じ端面発光型LEDアレ
ーであるが、図5のように単素子の発光ダイオードから
なる素子でも構わない。また、基板1の溝6の底部に形
成される孔7の形状としては、図4、図5のような円形
状の他、図10や図11に示すような形状を用いても構
わない。
【0014】[実施例3]図7は本発明の請求項2の特
徴を持った半導体素子接着基板に、面発光型LEDアレ
ーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示す
斜視図であり、図8は面発光型LEDアレーが形成され
た半導体素子の斜視図である。本実施例は、半導体素子
として図7に示すように、実施例2の端面発光型LED
アレーの替わりに図8のような面発光型発光ダイオード
11をアレイ上状に配置した面発光型LEDアレーを用
いたものであるが、面発光型LEDアレーを用いても、
光出射面の高さと位置が規定されるため、光出力を均一
化することができる。尚、半導体素子2としては、前記
実施例と同様、図9のように単素子の面発光型発光ダイ
オードからなる素子を用いても構わない。また、基板1
の溝6の底部に形成される孔7の形状としては、図7、
図9のような円形状の他、図10や図11に示すような
形状を用いても構わない。
徴を持った半導体素子接着基板に、面発光型LEDアレ
ーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示す
斜視図であり、図8は面発光型LEDアレーが形成され
た半導体素子の斜視図である。本実施例は、半導体素子
として図7に示すように、実施例2の端面発光型LED
アレーの替わりに図8のような面発光型発光ダイオード
11をアレイ上状に配置した面発光型LEDアレーを用
いたものであるが、面発光型LEDアレーを用いても、
光出射面の高さと位置が規定されるため、光出力を均一
化することができる。尚、半導体素子2としては、前記
実施例と同様、図9のように単素子の面発光型発光ダイ
オードからなる素子を用いても構わない。また、基板1
の溝6の底部に形成される孔7の形状としては、図7、
図9のような円形状の他、図10や図11に示すような
形状を用いても構わない。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、半導体素子接着基板の素子接着部分に孔を設け
たことにより、半導体素子を基板に接着する際の余分な
接着剤は孔の部分に流れ込み、接着剤の素子側面への這
い上がりを抑えることができるため、素子は常に同じ高
さになるので各チップ間の光出射面の高さを規定するこ
とができ、発光ダイオードの光出射面の高さを均一化す
ることができる。また、請求項2の発明によれば、半導
体素子接着基板の素子接着部分に溝と孔を設けたことに
より、複数の半導体素子を基板上に並べる際に、基板の
溝に合わせて素子を並べることができ、発光ダイオード
の光出射面の位置を均一化することにより、光出力の均
一化が可能となり、さらに、請求項1と同様に素子は常
に同じ高さになるので、発光ダイオードの光出射面の高
さを均一化することができる。従って、光出力のばらつ
きを抑えて、光出力を均一化するという効果を有するこ
とができる。このため、光プリンター光源に本発明の基
板を用いれば、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性
の高い光プリンター光源が得られる。
よれば、半導体素子接着基板の素子接着部分に孔を設け
たことにより、半導体素子を基板に接着する際の余分な
接着剤は孔の部分に流れ込み、接着剤の素子側面への這
い上がりを抑えることができるため、素子は常に同じ高
さになるので各チップ間の光出射面の高さを規定するこ
とができ、発光ダイオードの光出射面の高さを均一化す
ることができる。また、請求項2の発明によれば、半導
体素子接着基板の素子接着部分に溝と孔を設けたことに
より、複数の半導体素子を基板上に並べる際に、基板の
溝に合わせて素子を並べることができ、発光ダイオード
の光出射面の位置を均一化することにより、光出力の均
一化が可能となり、さらに、請求項1と同様に素子は常
に同じ高さになるので、発光ダイオードの光出射面の高
さを均一化することができる。従って、光出力のばらつ
きを抑えて、光出力を均一化するという効果を有するこ
とができる。このため、光プリンター光源に本発明の基
板を用いれば、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性
の高い光プリンター光源が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の請求項1の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型LEDアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型LEDアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図2】端面発光型LEDアレーが形成された半導体素
子の一例を示す斜視図である。
子の一例を示す斜視図である。
【図3】本発明の請求項1の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型LED単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型LED単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図4】本発明の請求項2の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型LEDアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型LEDアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図5】本発明の請求項2の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型LED単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型LED単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図6】本発明の請求項2の基板を用いた時の半導体素
子接着方法の説明図である。
子接着方法の説明図である。
【図7】本発明の請求項2の特徴を持った半導体素子接
着基板に、面発光型LEDアレーが形成された半導体素
子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、面発光型LEDアレーが形成された半導体素
子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図8】面発光型LEDアレーが形成された半導体素子
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図9】本発明の請求項2の特徴を持った半導体素子接
着基板に、面発光型LED単素子からなる半導体素子を
接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、面発光型LED単素子からなる半導体素子を
接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図10】本発明の半導体素子接着基板に形成される孔
の形状例を示す基板の平面図である。
の形状例を示す基板の平面図である。
【図11】本発明の半導体素子接着基板に形成される孔
の別の形状例を示す基板の平面図である。
の別の形状例を示す基板の平面図である。
【図12】基板に接着剤をディップさせることによって
素子を基板に接着する方法の説明図である。
素子を基板に接着する方法の説明図である。
【図13】基板に接着剤をスタンプさせて素子を接着す
る方法の説明図である。
る方法の説明図である。
【図14】素子の裏面に接着剤を塗布して基板に接着す
る方法の説明図である。
る方法の説明図である。
【図15】特開昭61−181177号公報記載の素子
構造、及び接着方法の説明図である。
構造、及び接着方法の説明図である。
【図16】従来の半導体素子接着方法における問題点の
説明図である。
説明図である。
【図17】従来の半導体素子接着方法における問題点の
説明図である。
説明図である。
【図18】基板上に複数個の素子を接着した場合の問題
点の説明図である。
点の説明図である。
【図19】基板上に複数個の素子を接着した場合の問題
点の説明図である。
点の説明図である。
1・・・半導体素子接着基板 2・・・半導体素子 3・・・接着剤 4・・・接着剤供給装置 5・・・半導体素子保持装置 6・・・溝 7・・・孔 8・・・真空吸着装置 9・・・発光部 10・・・GaAs基板 11・・・発光ダイオード(LED) 12・・・発光部 13・・・上部電極 21,31・・・基板 22,32・・・半導体素子 23,33・・・接着剤 24・・・接着剤供給装置 25,35・・・半導体素子保持装置 34・・・スタンパー 41,51,61・・・半導体素子 42,52,62・・・半導体素子の一部 44,54,64・・・上部電極 45,55,65・・・下部電極 47,57,67・・・接着剤 48,58,66・・・基板 49・・・でっぱり部 50・・・段差 63・・・発光部 81・・・基板 82・・・半導体素子 83・・・接着剤
Claims (2)
- 【請求項1】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発
光層を発光させるための電極とを含む積層構造より成る
発光ダイオードが形成された半導体素子を接着する基板
であって、半導体素子との接着部分に、表面から裏面に
通じる孔が設けられており、その孔によって素子を接着
する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基板との密着
を均一にして発光ダイオードの光出射面の高さを均一に
したことを特徴とする半導体素子接着基板。 - 【請求項2】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発
光層を発光させるための電極とを含む積層構造より成る
発光ダイオードが形成された半導体素子を接着する基板
であって、基板表面には半導体素子の形状に合わせた溝
が設けられており、その溝に合わせて半導体素子を埋め
込むことによって素子の位置、すなわち光出射面の位置
を揃え、且つ溝の底部の半導体素子との接着部分には表
面から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によっ
て素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と
基板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の
高さを均一にし、光出力を均一化したことを特徴とする
半導体素子接着基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19886192A JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19886192A JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645658A true JPH0645658A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16398145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19886192A Pending JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0645658A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
JP2015005625A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
DE102016215576A1 (de) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung mit einer LED |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19886192A patent/JPH0645658A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP4600737B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2010-12-15 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
JP2015005625A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
DE102016215576A1 (de) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung mit einer LED |
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