JPH0645257A - Method for forming semiconductor thin film - Google Patents
Method for forming semiconductor thin filmInfo
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- JPH0645257A JPH0645257A JP19400292A JP19400292A JPH0645257A JP H0645257 A JPH0645257 A JP H0645257A JP 19400292 A JP19400292 A JP 19400292A JP 19400292 A JP19400292 A JP 19400292A JP H0645257 A JPH0645257 A JP H0645257A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＶ族半導体エピタ
キシャル薄膜形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a group IV semiconductor epitaxial thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン（Ｓｉ）基板上にシリコン・ゲ
ルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）薄膜を形成する方法としてエ
ピタキシャル成長技術がある。2. Description of the Related Art There is an epitaxial growth technique as a method for forming a silicon-germanium (Si-Ge) thin film on a silicon (Si) substrate.
【０００３】薄膜形成技術は、一般に分子線エピタキシ
ャル法（ＭＢＥ法とも呼ばれる。）と化学的気相成長法
（ＣＶＤ法とも呼ばれる。）が用いられている。As a thin film forming technique, a molecular beam epitaxial method (also called MBE method) and a chemical vapor deposition method (also called CVD method) are generally used.
【０００４】ＭＢＥ法は、低温で結晶成長させることが
できるため形成した薄膜の不純物分布を乱すことがない
という利点が得られる。また、ＭＢＥ法では、原料とし
て固体ソースを用いて分子線を発生させ、成膜室内の基
板に分子線を当て結晶成長させる方法である。成膜室内
は、超高真空（１０-9〜１０-10 Ｔｏｒｒ）に維持され
るため、ビーム状になって基板に到達した成分元素のう
ち基板に捕らえられない分子は真空系によって運び去ら
れ基板表面は常に新鮮な分子線だけが基板に到達する。
しかし、ＭＢＥ法では、電子銃蒸発器のソース容量に限
界があって成長速度が遅く、１０００Ａ°（オングスト
ローム）程度の単結晶膜成長を迅速に行うことは困難で
あった。The MBE method has the advantage of not disturbing the impurity distribution of the formed thin film because the crystal can be grown at a low temperature. The MBE method is a method in which a solid source is used as a raw material to generate a molecular beam and the molecular beam is applied to a substrate in a film forming chamber to grow crystals. Since the film formation chamber is maintained in an ultrahigh vacuum (10 −9 to 10 −10 Torr), molecules that cannot be captured by the substrate among the component elements that reach the substrate in the form of a beam are carried away by the vacuum system. Only fresh molecular beams reach the substrate surface at all times.
However, in the MBE method, the source capacity of the electron gun evaporator is limited and the growth rate is slow, and it has been difficult to rapidly grow a single crystal film of about 1000 A ° (angstrom).
【０００５】一方、ガスソースを用いるＣＶＤ法は、Ｓ
ｉ−Ｇｅの薄膜形成にも用いらている。この方法は高温
での化学反応で酸化膜、窒化膜および結晶膜などの薄膜
をウエハー上に堆積させる方法である。通常、常圧ＣＶ
Ｄ法と減圧ＣＶＤ法と呼ばれる２つの方法がある。後者
の減圧ＣＶＤ法は、Ｓｉ−Ｇｅの薄膜形成にも用いら
れ、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガ
スの雰囲気中で、また、減圧した雰囲気中で加熱処理す
ることによって熱分解、Ｈ2 還元、および置換等の反応
を利用して基板上に結晶を成長させる方法である。常圧
のＣＶＤ法では、大気中の成長であるためガス分子の数
が多く結晶成長の速度は速い。しかし、減圧ＣＶＤに比
べ膜厚の均一性に欠ける。On the other hand, the CVD method using a gas source uses S
It is also used for forming a thin film of i-Ge. This method is a method of depositing thin films such as an oxide film, a nitride film and a crystal film on a wafer by a chemical reaction at high temperature. Normal pressure CV
There are two methods called the D method and the low pressure CVD method. The latter low pressure CVD method is also used for forming a Si-Ge thin film, and is thermally decomposed by heat treatment in a silane (SiH 4 ) gas or germane (GeH 4 ) gas atmosphere or in a reduced pressure atmosphere. , H 2 reduction, substitution and other reactions are used to grow crystals on the substrate. In the atmospheric pressure CVD method, since the growth is performed in the atmosphere, the number of gas molecules is large and the crystal growth rate is high. However, the film thickness lacks uniformity as compared with the low pressure CVD.
【０００６】このため、比較的ＳｉーＧｅの薄膜が均一
の膜厚で形成しやすい減圧ＣＶＤ法を用いて半導体薄膜
を形成するのが有利である。For this reason, it is advantageous to form the semiconductor thin film by the low pressure CVD method in which the Si-Ge thin film is relatively easy to form with a uniform thickness.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この減
圧ＣＶＤ法では、ガスの切り換えによる雰囲気の制御が
難しいので、下記のような問題がある。例えば、従来の
減圧ＣＶＤ法を用い、かつ、本出願人が既に提案してい
る方法に従ってＳｉ基板上に先ず、Ｓｉの単結晶を成長
させ、続いてＳｉ−Ｇｅ成長させて得られた膜の不純物
濃度を調べた。その結果を図４の（Ａ）に示す。尚、図
４の（Ａ）において、横軸はＳｉ−Ｇｅ単結晶膜の表面
から基板側への深さをＡ°単位でとってあり、また、縦
軸は不純物濃度を原子（ａｔｏｍ）／ｃｍ3 の単位で示
してある。However, this low pressure CVD method has the following problems because it is difficult to control the atmosphere by switching the gas. For example, using a conventional low pressure CVD method and according to the method already proposed by the present applicant, a single crystal of Si is first grown on a Si substrate, and then a film obtained by Si-Ge growth is performed. The impurity concentration was investigated. The result is shown in FIG. Note that in FIG. 4A, the horizontal axis represents the depth from the surface of the Si—Ge single crystal film to the substrate side in A ° units, and the vertical axis represents the impurity concentration in atoms / atoms. It is shown in units of cm 3 .
【０００８】従来のＣＶＤ法によれば、ロータリーポン
プを用いて排気する過程において、ロータリーポンプの
油（オイル）によって膜面が汚染されることが避けられ
なかった。不純物を抑えるため反応ガスの供給を停止
し、直ちに不活性ガスに切り換える方法によって排気の
みのときに比べ、１／２程度に不純物の付着を抑えられ
る。しかし、一旦基板表面に付着した不純物を除去する
ことは困難であった。このため、図中に示した炭素濃度
分布曲線Ｉおよび酸素濃度曲線ＩＩからも理解できるよ
うに、成膜表面から約３０００Ａ°（オングストロー
ム）の深さ（Ｓｉ−ＧｅとＳｉの界面部分）における炭
素及び酸素濃度はいずれも約１０19原子（ａｔｏｍ）／
ｃｍ3 の値を示している。従って、薄膜中に酸素（Ｏ）
を約１０19原子ａｔｏｍ／ｃｍ3 程度含有してしまい、
また、薄膜中には、酸素ばかりでなく炭素（Ｃ）の含有
（約１０19原子ａｔｏｍ／ｃｍ3 ）も避けられず、Ｓｉ
−Ｇｅ薄膜を結晶成長させる間薄膜に付着する炭素
（Ｃ）および酸素（Ｏ）を除去することが難しいという
問題があった。According to the conventional CVD method, it is unavoidable that the film surface is contaminated by the oil of the rotary pump in the process of exhausting using the rotary pump. In order to suppress the impurities, the method of stopping the supply of the reaction gas and immediately switching to the inert gas can suppress the adhesion of the impurities to about 1/2 as compared with the case of only exhausting. However, it was difficult to remove impurities once attached to the substrate surface. Therefore, as can be understood from the carbon concentration distribution curve I and the oxygen concentration curve II shown in the figure, carbon at a depth of about 3000 A ° (angstrom) from the film formation surface (interface portion between Si-Ge and Si). And the oxygen concentration are both about 10 19 atoms /
The value in cm 3 is shown. Therefore, oxygen (O) is contained in the thin film.
Containing about 10 19 atoms atom / cm 3 ,
In addition, not only oxygen but also carbon (C) (about 10 19 atoms atom / cm 3 ) is unavoidable in the thin film.
There was a problem that it was difficult to remove carbon (C) and oxygen (O) attached to the thin film during crystal growth of the Ge thin film.
【０００９】従って、この発明は、上述した問題点に鑑
み行われたものであり、この発明の目的は、基板面上に
膜厚を均一に成長させ、しかも、成膜中にＳｉ−Ｇｅと
Ｓｉ間の界面に付着した不純物を除去することによって
薄膜の膜質を向上させるための半導体薄膜形成方法を提
供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to uniformly grow a film thickness on the surface of a substrate and to form Si-Ge during film formation. It is an object of the present invention to provide a semiconductor thin film forming method for improving the film quality of a thin film by removing impurities attached to the interface between Si.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、反応炉内で、加熱処理を行ってシリコン基板上にＩ
Ｖ族半導体結晶薄膜を形成する方法において、（ａ）シ
リコン（Ｓｉ）を含有するＩＶ族系水素ガス雰囲気中で
シリコン単結晶層を形成する工程と、（ｂ）塩化水素
（ＨＣｌ）を含む不活性ガスを供給しながら加熱温度を
３００℃〜５００℃に保持する工程と、（ｃ）この工程
（ｂ）に続いて、シリコン及びゲルマニウムを含有する
ＩＶ族系水素ガスを混合した雰囲気中でシリコン・ゲル
マニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）単結晶のＩＶ族半導体薄膜を形
成する工程とを含み前記各工程（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）を連続的に行うことを特徴とする。In order to achieve this object, a heat treatment is carried out in a reaction furnace to form an I on a silicon substrate.
In the method of forming a group V semiconductor crystal thin film, (a) a step of forming a silicon single crystal layer in a group IV hydrogen gas atmosphere containing silicon (Si), and (b) a step of forming a silicon single crystal layer containing hydrogen chloride (HCl). A step of maintaining the heating temperature at 300 ° C. to 500 ° C. while supplying an active gas, and (c) following this step (b), silicon is added in an atmosphere in which a group IV hydrogen gas containing silicon and germanium is mixed. And a step of forming a group IV semiconductor thin film of germanium (Si-Ge) single crystal, the above steps (a), (b) and (c) are continuously performed.
【００１１】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、シリコン基板の成膜面を（１００）、（１１０）お
よび（１１１）面のうちのひとつまたは複数の組み合わ
せ面を有するのが良い。Further, in carrying out the present invention, it is preferable that the film forming surface of the silicon substrate has one or a plurality of combined surfaces of (100), (110) and (111) surfaces.
【００１２】また、この発明の好適実施例によれば、加
熱処理を行う工程において、前記シリコン・ゲルマニウ
ム（Ｓｉ−Ｇｅ）およびＳｉ単結晶層薄膜形成時のシリ
コン基板の加熱処理を、このシリコン基板に赤外線を照
射して行うのが好適である。According to a preferred embodiment of the present invention, in the step of performing the heat treatment, the heat treatment of the silicon substrate at the time of forming the silicon-germanium (Si-Ge) and Si single crystal layer thin film is performed by the silicon substrate. It is suitable to irradiate infrared rays to the.
【００１３】[0013]
【作用】上述したこの発明の半導体薄膜形成方法によれ
ば、シリコン基板上にシリコン（Ｓｉ）を含有するＩＶ
族系水素ガス雰囲気中でＳｉ単結晶層を形成する。この
ため、基板の結晶面と同様な主面をもった膜質が均一な
薄膜としてシリコン基板上に形成できる。また、塩化水
素（ＨＣｌ）を含む不活性ガス雰囲気中にしながら、基
板の加熱温度を３００℃〜５００℃に保持することによ
って成膜中に付着した酸素（Ｏ）および炭素（Ｃ）等の
不純物を、膜特性に悪影響を及ぼさない程度にまで除去
できる。また、反応炉内の加熱手段に赤外線照射を用い
て行うため炉内温度の立ち上げ、立ち下げを短時間で行
えるので、膜厚の制御を精度良く行え、従って、前述の
不純物の除去と相まって膜質の向上にも寄与する。According to the above-described method for forming a semiconductor thin film of the present invention, IV containing silicon (Si) on a silicon substrate is used.
A Si single crystal layer is formed in a group hydrogen gas atmosphere. Therefore, a thin film having a principal surface similar to the crystal plane of the substrate and having uniform film quality can be formed on the silicon substrate. In addition, impurities such as oxygen (O) and carbon (C) adhered during film formation are maintained by maintaining the substrate heating temperature at 300 ° C. to 500 ° C. in an inert gas atmosphere containing hydrogen chloride (HCl). Can be removed to the extent that the film characteristics are not adversely affected. In addition, since infrared irradiation is used as the heating means in the reaction furnace, the temperature inside the furnace can be raised and lowered in a short time, so that the film thickness can be controlled accurately, and therefore, in combination with the above-mentioned removal of impurities. It also contributes to the improvement of film quality.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。尚、各図は、これらの発明が理解できる
程度に、各構成成分の寸法、形状および配置関係を概略
的に示してあるにすぎない。また、以下の説明では、特
定の材料および条件をもちいて説明するがこれらの材料
および条件は、一つの好適例にすぎず、従って、何らこ
れに限定されるものではない。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. It should be noted that each of the drawings merely schematically shows the dimensions, shapes, and positional relationships of the respective constituent components to the extent that these inventions can be understood. Further, in the following description, specific materials and conditions are used for description, but these materials and conditions are merely one preferred example, and thus the present invention is not limited thereto.
【００１５】まず、この発明の実施例におけるＳｉ−Ｇ
ｅ単結晶薄膜の形成装置につき説明する。First, Si-G in the embodiment of the present invention.
A description will be given of an apparatus for forming a single crystal thin film.
【００１６】図２は、この発明の実施例を説明するため
の装置の全体構成を概略的に示す図である。この薄膜形
成装置は、石英製の反応炉１１（チャンバとも称す
る。）を具えており、反応炉１１内の基板支持体１３上
にある基板１５を出し入れできる構造になっている。更
に、反応炉１１の外部には、加熱部１２が反応炉の周囲
を取り巻くようにして設けられている。この加熱部１２
は任意好適な構成手段、例えば 赤外線ランプ等を用い
て構成する。FIG. 2 is a diagram schematically showing the overall construction of an apparatus for explaining the embodiment of the present invention. This thin film forming apparatus includes a reaction furnace 11 (also referred to as a chamber) made of quartz, and has a structure in which a substrate 15 on a substrate support 13 in the reaction furnace 11 can be taken in and out. Further, a heating unit 12 is provided outside the reaction furnace 11 so as to surround the periphery of the reaction furnace. This heating unit 12
Is configured using any suitable configuration means such as an infrared lamp.
【００１７】また、このときの加熱部１２は、好ましく
は複数個からなるランプを用いて基板１５を均一に加熱
できるように設置しておく。The heating unit 12 at this time is preferably installed using a plurality of lamps so that the substrate 15 can be heated uniformly.
【００１８】また、基板１５の近傍には、基板の表面温
度を測定するための温度測定手段１４、例えば、熱電対
を設けてある。Further, in the vicinity of the substrate 15, temperature measuring means 14 for measuring the surface temperature of the substrate, for example, a thermocouple is provided.
【００１９】次に、この反応炉１１内を真空排気するた
めの排気手段につき説明する。Exhaust means for evacuating the inside of the reaction furnace 11 will be described below.
【００２０】この反応炉１１は、真空排気するための排
気手段２１及び２２を具えており、自動開閉バルブ２
４、２５、２６、２７、２８、２９および３０を介して
反応炉１１と接続されている。この自動開閉バルブ２４
〜３０を任意好適に開閉操作することによって反応炉１
１内の圧力を任意好適に圧力制御できるようになってい
る。従って、反応炉１１内を低真空排気状態および高真
空排気状態に任意好適に保持できる。また、このときの
真空度を測定するための真空計３４を具えている。The reaction furnace 11 is equipped with exhaust means 21 and 22 for exhausting vacuum, and the automatic opening / closing valve 2
It is connected to the reaction furnace 11 via 4, 25, 26, 27, 28, 29 and 30. This automatic open / close valve 24
To 30 by arbitrarily opening and closing the reactor 1
The pressure within 1 can be controlled in any suitable manner. Therefore, the inside of the reaction furnace 11 can be arbitrarily and suitably maintained in a low vacuum exhaust state and a high vacuum exhaust state. Further, a vacuum gauge 34 for measuring the degree of vacuum at this time is provided.
【００２１】更に、この装置には、レリーフバルブ３１
を設けてある。このバルブ３１は、反応炉１１内の圧力
が大気圧、例えば、７６０Ｔｏｒｒを越えた場合に自動
的に開放する。排気手段２２は、このバルブ３１の開放
によってガス供給源（後述する）から反応炉１１内へ供
給されたガスを排気する。尚、上述した排気手段２１、
２２を例えば拡散ポンプ２１とこのポンプ２１に接続さ
れたロータリーポンプ２２とをもって構成する。このと
き排気経路として排気管２３を通して排気しても良い。
更に、圧力測定および圧力制御を行うためのゲージは、
真空度に応じて任意好適なもの、例えば、圧力制御用コ
ンダクタンスバルブ等を用いる。Further, this device includes a relief valve 31.
Is provided. The valve 31 is automatically opened when the pressure inside the reaction furnace 11 exceeds atmospheric pressure, for example, 760 Torr. The exhaust means 22 exhausts the gas supplied from the gas supply source (described later) into the reaction furnace 11 by opening the valve 31. The exhaust means 21 described above,
22 is composed of, for example, a diffusion pump 21 and a rotary pump 22 connected to this pump 21. At this time, the gas may be exhausted through the exhaust pipe 23 as an exhaust path.
In addition, the gauges for pressure measurement and control are
Any suitable one is used depending on the degree of vacuum, for example, a pressure control conductance valve or the like.
【００２２】次に、ガス供給系につき説明する。Next, the gas supply system will be described.
【００２３】この実施例では、ガス供給系を図示のよう
に配設備したガス供給管５８、自動開閉バルブ５１、５
２、５３、５４、５５、５６および５７、自動ガス流量
コントローラ４６、４７、４８、４９および５０で構成
してある。各流量コントローラと反応炉１１との反対側
には、ガス供給源（以下、接続部と呼ぶ。）４１、４
２、４３、４４および４５を設けてある。各流量コント
ローラと各ガス供給部とは接続されている。従って、バ
ルブ５１〜５６をそれぞれ任意好適に選択することによ
って所望のガスを単独に、または、任意のガス混合比に
調整して反応炉１１に供給することができるように構成
してある。この実施例では、接続部４１には水素ガス
（Ｈ2 ）、接続部４２には水素希釈１０体積％シラン
（ＳｉＨ4 ）ガス、接続部４３には水素希釈１体積％ゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガス、接続部４４には１０体積％ア
ルゴン（Ａｒ）希釈のＨＣｌガスをそれぞれ供給できる
構成としてある。In this embodiment, the gas supply system is provided with a gas supply pipe 58 and automatic opening / closing valves 51, 5 as shown in FIG.
2, 53, 54, 55, 56 and 57, and automatic gas flow controllers 46, 47, 48, 49 and 50. Gas supply sources (hereinafter, referred to as connecting portions) 41 and 4 are provided on the opposite side of the flow rate controllers and the reaction furnace 11.
2, 43, 44 and 45 are provided. Each flow rate controller and each gas supply unit are connected. Therefore, the valves 51 to 56 are arbitrarily and appropriately selected so that a desired gas can be supplied to the reaction furnace 11 independently or adjusted to an arbitrary gas mixing ratio. In this embodiment, the connecting portion 41 is hydrogen gas (H 2 ), the connecting portion 42 is hydrogen diluted 10 volume% silane (SiH 4 ) gas, and the connecting portion 43 is hydrogen diluted 1 volume% germane (GeH 4 ) gas. The connection portion 44 is configured to be capable of supplying HCl gas diluted with 10% by volume of argon (Ar).
【００２４】次に、Ｓｉ−Ｇｅ単結晶薄膜形成方法の実
施例につき説明する。Next, an example of a method of forming a Si-Ge single crystal thin film will be described.
【００２５】図１は、この実施例の説明に供するための
加熱サイクルを示す図であり、横軸に時間（秒）をと
り、縦軸に温度（℃）をとって示してある。FIG. 1 is a diagram showing a heating cycle for explaining this embodiment, in which the horizontal axis represents time (sec) and the vertical axis represents temperature (° C.).
【００２６】この実施例では、原料ガスとしてシラン
（ＳｉＨ4 ）およびゲルマン（ＧｅＨ4 ）を用い、シリ
コン下地としてシリコン基板を用いる。シリコン基板と
しては主面が（１００）、（１１０）および（１１１）
面であるもののうち、一種類の面または複数の面の組み
合わさったものを用いるのが良い。現在広く使われてい
る基板であり、また、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜のエピタキシャル
成長に好適な基板だからである。In this embodiment, silane (SiH 4 ) and germane (GeH 4 ) are used as source gases, and a silicon substrate is used as a silicon underlayer. The main surface of the silicon substrate is (100), (110) and (111)
Among the surfaces, it is preferable to use one kind of surface or a combination of a plurality of surfaces. This is because the substrate is widely used at present and is also suitable for the epitaxial growth of Si-Ge thin films.
【００２７】図３の（Ａ）〜（Ｄ）は、この実施例の半
導体基板の形成方法の説明に供する工程図である。いず
れの図も工程中でのウエハをシリコン基板１５の厚み方
向に切って示した断面図である。以下の説明は、図１〜
図３を適宜参照して行なう。FIGS. 3A to 3D are process drawings for explaining the method for forming the semiconductor substrate of this embodiment. Both figures are cross-sectional views showing the wafer in the process cut along the thickness direction of the silicon substrate 15. The following description is from FIG.
Refer to FIG. 3 as needed.
【００２８】この実施例では、半導体薄膜形成前に半導
体薄膜を形成する基板の清浄化を行なう。この清浄化
は、エピタキシャル成長させる際に通常行なわれている
清浄処理を行なって自然酸化膜を除去すれば良いが、こ
の実施例では、以下に説明する清浄化方法を用いて行な
う。In this embodiment, the substrate on which the semiconductor thin film is formed is cleaned before the semiconductor thin film is formed. This cleaning may be performed by performing a cleaning process that is usually performed during epitaxial growth to remove the natural oxide film. In this embodiment, the cleaning method described below is used.
【００２９】先ず、従来から行なわれている如く化学薬
品および純水等を用いて基板１５の前洗浄を行なう。First, the substrate 15 is pre-cleaned using chemicals, pure water, etc., as is conventionally done.
【００３０】次に、基板１５に自然酸化膜が形成される
のを防止するために、好ましくは、反応炉１１内に不活
性ガス源（図示せず）からガス供給部を介し例えばパー
ジ用ガスとして不活性ガス例えば窒素ガスを予め導入し
ておく。ここでは、後述の還元性ガス、シラン系ガスお
よびゲルマン系ガスは未だ導入しない。このため、バル
ブ５６及び５７を開き、バルブ５１、５２、５３、５
４、５５を閉じておく。Next, in order to prevent a natural oxide film from being formed on the substrate 15, it is preferable to use, for example, a purging gas from an inert gas source (not shown) in the reaction furnace 11 via a gas supply unit. As an inert gas, for example, nitrogen gas is introduced in advance. Here, the reducing gas, the silane-based gas, and the germane-based gas described below are not yet introduced. Therefore, the valves 56 and 57 are opened and the valves 51, 52, 53 and 5 are opened.
Keep 4, 55 closed.
【００３１】次に、反応炉内に基板１５を設置する。基
板１５は基板支持体１３上に固定する。Next, the substrate 15 is placed in the reaction furnace. The substrate 15 is fixed on the substrate support 13.
【００３２】このような注意をはらっても基板１５の表
面（被成膜面）には、自然酸化膜６０ができてしまって
いる（図３の（Ａ））。そこで、この自然酸化膜６０を
除去するために前処理の済んだ基板に対し、還元性ガス
雰囲気中での加熱処理を以下のように行なう。Even if such attention is paid, a natural oxide film 60 is formed on the surface (deposition surface) of the substrate 15 (FIG. 3A). Therefore, the heat treatment in the reducing gas atmosphere is performed on the substrate that has been pretreated to remove the natural oxide film 60 as follows.
【００３３】排気手段２１及び２２を用いて、反応炉１
１内を、例えば、１×１０-6Ｔｏｒｒの高真空に排気し
て、炉内を洗浄化する。尚、この真空排気のため、バル
ブ３０、２４を閉じておいてバルブ２７を開きさらにバ
ルブ２５はロータリーポンプ２２と反応炉１１とが接続
されるように操作する。そして、ロータリーポンプ２２
を動作させ、反応炉１１内の圧力を真空計３４でモニタ
（監視）しながら反応炉１１内を排気する。さらに、反
応炉１１内が例えば、１×１０-3Ｔｏｒｒの圧力となっ
た後、ロータリ−ポンプ２２を拡散ポンプ２１側に接続
されるようにバルブ２５を操作しさらにバルブ２４を開
く。Using the exhaust means 21 and 22, the reaction furnace 1
The inside of 1 is evacuated to a high vacuum of, for example, 1 × 10 −6 Torr to clean the inside of the furnace. For this vacuum exhaust, the valves 30 and 24 are closed, the valve 27 is opened, and the valve 25 is operated so that the rotary pump 22 and the reaction furnace 11 are connected. And the rotary pump 22
Is operated to exhaust the inside of the reaction furnace 11 while monitoring the pressure inside the reaction furnace 11 with the vacuum gauge 34. Further, after the pressure inside the reaction furnace 11 reaches, for example, 1 × 10 −3 Torr, the valve 25 is operated so that the rotary pump 22 is connected to the diffusion pump 21 side, and the valve 24 is further opened.
【００３４】次に、反応炉１１内に還元性ガス例えば水
素ガス（Ｈ2 ガス）を導入する（図１にＩで示すＨ2 フ
ロー）。これは、自動ガス流量コントローラ４６〜５０
中の一つ例えば、自動ガス流量コントローラ４６を開け
ることにより行なえば良い。Next, a reducing gas such as hydrogen gas (H 2 gas) is introduced into the reaction furnace 11 (H 2 flow indicated by I in FIG. 1). This is an automatic gas flow controller 46-50
One of them, for example, may be performed by opening the automatic gas flow controller 46.
【００３５】このとき、反応炉１１内の圧力が例えば、
１００〜１×１０-2Ｔｏｒｒの範囲になるように調整す
る。At this time, the pressure in the reaction furnace 11 is, for example,
Adjust to be in the range of 100 to 1 × 10 -2 Torr.
【００３６】次に、加熱部１２によって自然酸化膜６０
の除去のための加熱処理を行なう（図１のＨ１期間）。
この加熱処理によって還元性雰囲気中で基板１５を加熱
して基板１５上の自然酸化膜６０を還元し、自然酸化膜
６０を除去した基板１５を得る。Next, the natural oxide film 60 is heated by the heating unit 12.
The heat treatment for removing is performed (H1 period in FIG. 1).
By this heat treatment, the substrate 15 is heated in a reducing atmosphere to reduce the natural oxide film 60 on the substrate 15, and the substrate 15 from which the natural oxide film 60 is removed is obtained.
【００３７】ここで、加熱処理は、加熱部１２を構成す
る赤外線ランプによって行なう。基板１５の表面を５０
〜２００℃／秒の間の適当な割合で、好ましくは約１０
０℃／秒で温度を上昇させ、約１０００℃程度の好適な
処理温度で約１０〜３０秒間その温度を保持するように
基板１５の加熱を制御する。その後、加熱部１２による
基板１５の加熱を停止して保持温度Ｔ0 を、例えば、１
００℃まで急冷する。このときの急冷処理は、水素ガス
中で行う。尚、このような処理によって基板１５上の自
然酸化膜６０は、除去される（図３の（Ｂ））。Here, the heat treatment is performed by an infrared lamp which constitutes the heating unit 12. 50 on the surface of the substrate 15
~ 200 ° C / sec at a suitable rate, preferably about 10
The temperature is increased at 0 ° C./second, and heating of the substrate 15 is controlled so as to maintain the temperature at a suitable processing temperature of about 1000 ° C. for about 10 to 30 seconds. After that, the heating of the substrate 15 by the heating unit 12 is stopped and the holding temperature T 0 is set to, for example, 1
Quench to 00 ° C. The quenching process at this time is performed in hydrogen gas. The natural oxide film 60 on the substrate 15 is removed by such processing ((B) of FIG. 3).
【００３８】次に、バルブ５５、水素ライン系のバルブ
５１及びバルブ２８を閉じ、排気系バルブ２７を開け反
応炉１１内を、例えば１×１０-6Ｔｏｒｒの高真空に排
気する。Next, the valve 55, the hydrogen line system valve 51 and the valve 28 are closed, and the exhaust system valve 27 is opened to exhaust the inside of the reaction furnace 11 to a high vacuum of, for example, 1 × 10 -6 Torr.
【００３９】次に、この実施例では、まずバルブ２７を
閉じバルブ２８、５５および５２を開いておき、シリコ
ン（Ｓｉ）を含むＩＶ族系水素ガス、例えば水素希釈１
０体積％シラン（ＳｉＨ4 ）を反応炉１１内に供給する
（図１のＩＩで示すＳｉＨ4フロー）。この場合、反応
炉内の圧力が、例えば、１０Ｔｏｒｒ程度の減圧状態に
なるようにＳｉＨ4 の流量をあらかじめ調整する。その
後、上述したと同様な赤外線ランプを用いて、急速な加
熱処理を行なってシリコン（Ｓｉ）単結晶層６２を基板
１５上に形成する（図３の（Ｃ））。尚、この急速な加
熱処理を行うときは、基板１５の表面温度を温度手段１
４で測定しながら、例えば、５０℃／秒〜２００℃／秒
の間で、好ましくは１００℃／秒の適当な速度で温度上
昇させ、約１０００℃程度の好適な成膜温度Ｔs で約１
秒〜１０秒間その温度を保持する（図１のＨ２期間）。
この成膜処理により基板１５上には、基板方位と同一の
シリコン単結晶層６２が約４００Ａ°〜６００Ａ°（オ
ングストローム）成長する。尚、このときのシリコン単
結晶層６２は、下地基板１５の面方位、例えば主面が
（１００）、（１１０）および（１１１）面のいずれか
の面を形成する。Next, in this embodiment, first, the valve 27 is closed and the valves 28, 55 and 52 are opened, and a group IV hydrogen gas containing silicon (Si), for example, hydrogen dilution 1 is used.
0 volume% silane (SiH 4 ) is supplied into the reaction furnace 11 (SiH 4 flow indicated by II in FIG. 1). In this case, the flow rate of SiH 4 is adjusted in advance so that the pressure inside the reaction furnace becomes a reduced pressure state of, for example, about 10 Torr. Then, using the same infrared lamp as described above, a rapid heat treatment is performed to form the silicon (Si) single crystal layer 62 on the substrate 15 ((C) of FIG. 3). When performing this rapid heat treatment, the surface temperature of the substrate 15 is set to the temperature means 1.
4, the temperature is raised at a suitable rate of, for example, 50 ° C./sec to 200 ° C./sec, preferably 100 ° C./sec, and a suitable film forming temperature T s of about 1000 ° C. is applied. 1
The temperature is maintained for 10 seconds to 10 seconds (H2 period in FIG. 1).
By this film forming process, the silicon single crystal layer 62 having the same substrate orientation is grown on the substrate 15 by about 400 A ° to 600 A ° (angstrom). At this time, the silicon single crystal layer 62 forms the plane orientation of the base substrate 15, for example, the principal plane is any of the (100), (110), and (111) planes.
【００４０】次に、このシリコン単結晶層６２を形成し
た後、ＨＣｌ（塩化水素）を含む不活性ガス、例えば、
アルゴン（Ａｒ）を用いて反応炉内を急冷する（図１の
ＩＩＩで示すＨＣｌフロー）。Next, after forming the silicon single crystal layer 62, an inert gas containing HCl (hydrogen chloride), for example,
The inside of the reaction furnace is rapidly cooled using argon (Ar) (HCl flow indicated by III in FIG. 1).
【００４１】この実施例では、急冷過程に入ると同時に
バルブ５２を閉じ、バルブ５４を開いて、塩化水素ガス
を含む不活性ガス、例えば、１０体積％アルゴン希釈の
ＨＣｌ（塩化水素）ガスを反応炉１１内に導入する。こ
のとき、予め反応炉１１内の圧力が１０Ｔｏｒｒ程度に
なるように調整する。また、このときの基板加熱温度
は、３００℃〜５００℃の間で、好ましくは４００℃で
保持するのが良い。このときの保持温度Ｔ1 の保持時間
は、約３分間程度とする（図１のＨ３期間）。尚、上述
したような３００℃〜５００℃間の適当な温度とするこ
とにより、Ｓｉ単結晶層６２の成長とＳｉ−Ｇｅ単結晶
膜６４の成長との間に不純物、例えば酸素や炭素が膜に
付着するのを有効的に妨げる。In this embodiment, the valve 52 is closed and the valve 54 is opened at the same time when the rapid cooling process is started, and an inert gas containing hydrogen chloride gas, for example, HCl (hydrogen chloride) gas diluted with 10 vol% argon is reacted. It is introduced into the furnace 11. At this time, the pressure in the reaction furnace 11 is adjusted in advance to about 10 Torr. In addition, the substrate heating temperature at this time is kept between 300 ° C. and 500 ° C., preferably 400 ° C. The holding time of the holding temperature T 1 at this time is about 3 minutes (H3 period in FIG. 1). By setting an appropriate temperature between 300 ° C. and 500 ° C. as described above, impurities such as oxygen and carbon are deposited between the growth of the Si single crystal layer 62 and the growth of the Si—Ge single crystal film 64. Effectively prevents it from adhering to.
【００４２】次に、バルブ５４を閉じ、バルブ５２およ
び５３を開いてシランおよびゲルマンの混合ガス、例え
ば、水素希釈１０体積％シラン（ＳｉＨ4 ）＋水素希釈
１体積％ゲルマン（ＧｅＨ4 ）を反応炉１１内に供給す
る（図１のＩＶで示すＳｉＨ4 ＋ＧｅＨ4 フロー）。
尚、このとき、シラン（ＳｉＨ4 ）およびゲルマン（Ｇ
ｅＨ4 ）の流量比が１０：１、反応炉１１内の圧力が、
例えば、１０Ｔｏｒｒ程度の減圧となるように予め調整
しておく。このときの加熱方法は、図１のＩＩのときと
同様にして昇温速度５０℃／秒〜２００℃／秒で、好ま
しくは１００℃／秒で行ない、８００℃〜９００℃の好
適な成膜温度で約６０秒間保持する（図１のＨ４期
間）。Next, the valve 54 is closed and the valves 52 and 53 are opened to react a mixed gas of silane and germane, for example, 10% by volume hydrogen diluted silane (SiH 4 ) + 1% hydrogen diluted germanium (GeH 4 ). It is supplied into the furnace 11 (SiH 4 + GeH 4 flow indicated by IV in FIG. 1).
At this time, silane (SiH 4 ) and germane (G
The flow rate ratio of eH 4 ) is 10: 1, the pressure in the reaction furnace 11 is
For example, the pressure is adjusted in advance so that the pressure is reduced to about 10 Torr. The heating method at this time is the same as in the case of II in FIG. 1 at a temperature rising rate of 50 ° C./sec to 200 ° C./sec, preferably 100 ° C./sec, and a suitable film formation of 800 ° C. to 900 ° C. Hold at temperature for about 60 seconds (H4 period in Figure 1).
【００４３】この成膜処理によって予めシリコン単結晶
上に形成された基板１５と同じ主面例えば主面が（１０
０）、（１１０）および（１１１）面のいずれかの面の
Ｓｉ−Ｇｅの単結晶膜が形成される。この実施例では、
Ｓｉ1-x Ｇｅx 単結晶膜が約３０００Ａ°の厚さに形成
される（図３の（Ｄ））。但し、Ｘは、組成比を表す値
であって０．２を越えない値であれば良い。この範囲内
であれば膜質の均一性が得られるからである。このよう
にしてＳｉ単結晶層とＳｉ−Ｇｅ単結晶膜からなる半導
体薄膜７０を得ることができる（図３の（Ｄ））。By the film forming process, the same main surface as the substrate 15 previously formed on the silicon single crystal, for example, the main surface is (10
A Si-Ge single crystal film on any of the (0), (110), and (111) planes is formed. In this example,
A Si 1-x Ge x single crystal film is formed to a thickness of about 3000 A ° (FIG. 3D). However, X is a value representing the composition ratio and may be a value not exceeding 0.2. This is because the uniformity of the film quality can be obtained within this range. Thus, the semiconductor thin film 70 including the Si single crystal layer and the Si—Ge single crystal film can be obtained ((D) of FIG. 3).
【００４４】次に、加熱部１２による基板１５の加熱を
停止すると共に、バルブ５２及び５３を閉じ、バルブ５
１を開いて水素（Ｈ2 ）ガスを反応炉１１内に供給して
基板１５を急冷し、室温、例えば２５℃になった後バル
ブ５１および５５を閉じて反応炉１１内からバルブ２７
および２５を開いて反応炉１１内を０．００３Ｔｏｒｒ
まで排気する。その後、反応炉１１内を１気圧（７６０
Ｔｏｒｒ）まで不活性ガスを導入する。この不活性ガス
の導入は、バルブ５６を開けて行なう。Next, the heating of the substrate 15 by the heating unit 12 is stopped, the valves 52 and 53 are closed, and the valve 5 is closed.
1 is opened and hydrogen (H 2 ) gas is supplied into the reaction furnace 11 to rapidly cool the substrate 15, and after reaching room temperature, for example, 25 ° C., the valves 51 and 55 are closed to remove the valve 27 from the inside of the reaction furnace 11.
And 25 are opened and the inside of the reaction furnace 11 is 0.003 Torr.
Exhaust to. After that, the pressure in the reaction furnace 11 is reduced to 1 atm (760
Inert gas is introduced up to Torr). This inert gas is introduced by opening the valve 56.
【００４５】反応炉１１内が室温、例えば２５℃になっ
た後、結晶成長済の基板を反応炉１１から取り出す。After the temperature inside the reaction furnace 11 reaches room temperature, for example, 25 ° C., the crystal-grown substrate is taken out from the reaction furnace 11.
【００４６】図４の（Ｂ）は、この発明に従って形成し
た半導体薄膜の、シリコン（Ｓｉ）単結晶層とＳｉ−Ｇ
ｅ単結晶膜の界面部分に付着した炭素および酸素の濃度
分布をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）を用いて測定
した結果を示している。FIG. 4B shows a silicon (Si) single crystal layer and Si-G of a semiconductor thin film formed according to the present invention.
The results of measuring the concentration distribution of carbon and oxygen attached to the interface of the e single crystal film by SIMS (secondary ion mass spectrometry) are shown.
【００４７】図において、横軸には、Ｓｉ−Ｇｅ単結晶
膜の表面からＳｉ単結晶層への成膜深さ（Ａ°（オング
ストローム））をとり、縦軸には炭素および酸素の濃度
（原子（ａｔｏｍ）／ｃｍ3 ）をそれぞれとって示して
ある。また、図中で、曲線Ｉは、炭素濃度分布を示し、
曲線ＩＩは酸素濃度分布を示している。尚、基板上に成
膜したＳｉ−Ｇｅ単結晶膜から基板方向にむかって約３
０００Ａ°程度の深さにＳｉ−Ｇｅ単結晶膜とＳｉ単結
晶層の界面があり、また、約３５００Ａ°程度の深さに
Ｓｉ単結晶と基板との界面がある。In the figure, the horizontal axis represents the film-forming depth (A ° (angstrom)) from the surface of the Si-Ge single crystal film to the Si single crystal layer, and the vertical axis represents the concentration of carbon and oxygen ( Atoms / cm 3 ) are shown respectively. Further, in the figure, the curve I shows the carbon concentration distribution,
Curve II shows the oxygen concentration distribution. It should be noted that about 3 from the Si-Ge single crystal film formed on the substrate toward the substrate.
The interface between the Si—Ge single crystal film and the Si single crystal layer is at a depth of about 000 A °, and the interface between the Si single crystal and the substrate is at a depth of about 3500 A °.
【００４８】この発明の実施例では、図４の（Ｂ）に示
すように３０００Ａ°の深さにおける炭素および酸素濃
度はそれぞれ約１０17原子（ａｔｏｍ）／ｃｍ3 および
１０17原子（ａｔｏｍ）／ｃｍ3 〜１０18原子（ａｔｏ
ｍ）／ｃｍ3 であることがわかる。In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4B, the carbon and oxygen concentrations at a depth of 3000 A ° are about 10 17 atoms / cm 3 and 10 17 atoms / atom / cm 3, respectively. cm 3 to 10 18 atoms (ato
It can be seen that m) / cm 3 .
【００４９】この結果と、既に説明した図４の（Ａ）に
示した従来方法により形成した半導体薄膜の場合とを比
べると明らかなように、Ｓｉ単結晶層とＳｉ−Ｇｅ単結
晶膜との界面付近での不純物濃度が本発明の方法によっ
て形成した半導体薄膜の方が著しく低いことがわかる。
このように上述した測定データから明らかなように従来
例に比べ、この発明の実施例では、Ｓｉ−Ｇｅ単結晶膜
とＳｉ単結晶層に付着する炭素及び酸素濃度のピーク値
は低く抑えることができる。As is clear from comparison between this result and the case of the semiconductor thin film formed by the conventional method shown in FIG. 4A, the Si single crystal layer and the Si--Ge single crystal film are clearly shown. It can be seen that the impurity concentration near the interface is significantly lower in the semiconductor thin film formed by the method of the present invention.
Thus, as is apparent from the above-mentioned measurement data, the peak values of the carbon and oxygen concentrations attached to the Si—Ge single crystal film and the Si single crystal layer can be suppressed to be low in the embodiment of the present invention as compared with the conventional example. it can.
【００５０】[0050]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の半導体薄膜の形成方法によれば、Ｓｉ単結晶層
及びＳｉ−Ｇｅ単結晶膜の形成を化学的な反応により行
える。このため、下地となるシリコン基板の結晶方位の
主面を、成膜を形成する際にそのまま生かせるため結晶
面の均一な成膜が得られる。As is apparent from the above description, according to the method for forming a semiconductor thin film of the present invention, the Si single crystal layer and the Si-Ge single crystal film can be formed by a chemical reaction. For this reason, since the main surface of the crystal orientation of the underlying silicon substrate is used as it is when forming a film, a film having a uniform crystal surface can be obtained.
【００５１】また、ＨＣｌを含む不活性ガス雰囲気にし
ながら反応炉内を加熱処理することによって、Ｓｉ単結
晶膜に付着した不純物をＨＣｌガスの還元作用を利用し
て除去することができるのでＳｉ単結晶層とＳｉ−Ｇｅ
単結晶膜との界面での不純物を低く抑えることができ
る。従って、膜質の良い半導体薄膜が得られる。By heating the inside of the reaction furnace in an inert gas atmosphere containing HCl, impurities adhering to the Si single crystal film can be removed by utilizing the reducing action of HCl gas. Crystal layer and Si-Ge
Impurities at the interface with the single crystal film can be suppressed low. Therefore, a semiconductor thin film having good film quality can be obtained.
【００５２】また、Ｓｉ単結晶およびＳｉ−Ｇｅ単結晶
膜各々の形成に際し加熱手段として赤外線照射を用いる
構成では、下地の加熱及び冷却を短時間で行えるため他
の加熱手段、例えば電気炉に比べ、Ｓｉ単結晶層及びＳ
ｉ−Ｇｅ単結晶膜の膜厚制御を精度良く行え、かつ膜質
の向上にも寄与する。Further, in the structure in which infrared irradiation is used as the heating means for forming each of the Si single crystal and the Si-Ge single crystal film, the heating and cooling of the base can be performed in a short time, so that compared with other heating means such as an electric furnace. , Si single crystal layer and S
The film thickness of the i-Ge single crystal film can be accurately controlled, and the film quality can be improved.
【図１】この実施例の薄膜形成方法を説明するための時
間−温度曲線である。FIG. 1 is a time-temperature curve for explaining the thin film forming method of this example.
【図２】この薄膜形成装置を説明するための構成図であ
る。FIG. 2 is a configuration diagram for explaining the thin film forming apparatus.
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の実施例の説明に
供する製造工程図である。3 (A) to 3 (D) are manufacturing process diagrams for explaining an embodiment of the present invention.
【図４】（Ａ）は、従来の方法によって形成した半導体
薄膜中での不純物濃度分布を示す実験デ−タであり、
（Ｂ）はこの発明の方法に従って形成した半導体薄膜中
での不純物濃度分布を示す実験デ−タである。FIG. 4A is experimental data showing an impurity concentration distribution in a semiconductor thin film formed by a conventional method,
(B) is experimental data showing the impurity concentration distribution in the semiconductor thin film formed according to the method of the present invention.
１５：シリコン基板 ６０：自然酸化膜 ６２：Ｓｉ単結晶層 ６４：Ｓｉ−Ｇｅ単結晶膜 ７０：半導体薄膜 Ｉ：Ｈ2 フロ− ＩＩ：Ｓｉフロ− ＩＩＩ：ＨＣｌフロ− ＩＶ：ＳｉＨ4 ＋ＧｅＨ4 フロ− Ｖ：Ｈ2 フロ− Ｈ１〜Ｈ４：加熱期間15: Silicon substrate 60: Natural oxide film 62: Si single crystal layer 64: Si-Ge single crystal film 70: Semiconductor thin film I: H 2 flow- II: Si flow- III: HCl flow- IV: SiH 4 + GeH 4 flow - V: H 2 flow - H1~H4: heating period
Claims (3)
基板上にＩＶ族系半導体結晶薄膜を形成する方法におい
て、 （ａ）シリコンを含有するＩＶ族系水素ガス雰囲気中で
シリコン（Ｓｉ）単結晶層を形成する工程と、 （ｂ）塩化水素（ＨＣｌ）を含む不活性ガスを前記反応
炉内に供給しながら、加熱温度を３００℃〜５００℃に
保持する工程と、 （ｃ）シリコン及びゲルマニウムを含有するＩＶ族系水
素ガスを混合した雰囲気中でシリコン・ゲルマニウム
（Ｓｉ−Ｇｅ）単結晶のＩＶ族半導体薄膜を形成する工
程とを含み、前記各工程（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を
連続的に行うことを特徴とする半導体薄膜形成方法。1. A method for forming a group IV semiconductor crystal thin film on a silicon substrate by performing heat treatment in a reaction furnace, comprising: (a) silicon (Si) in a group IV hydrogen gas atmosphere containing silicon. A step of forming a single crystal layer; (b) a step of maintaining the heating temperature at 300 ° C to 500 ° C while supplying an inert gas containing hydrogen chloride (HCl) into the reaction furnace; and (c) silicon. And a step of forming a silicon-germanium (Si-Ge) single crystal group IV semiconductor thin film in an atmosphere in which a group IV hydrogen gas containing germanium is mixed, the steps (a), (b) and A method for forming a semiconductor thin film, characterized in that (c) is continuously performed.
おいて、 前記のシリコン基板の成膜面を（１００）、（１１０）
および（１１１）面のうちのひとつまたは複数の組み合
わせ面を有することを特徴とする半導体薄膜形成方法。2. The method for forming a semiconductor thin film according to claim 1, wherein the film formation surface of the silicon substrate is (100), (110).
And a method for forming a semiconductor thin film, which comprises one or a plurality of combined surfaces of (111) planes.
おいて、 前記Ｓｉ−ＧｅおよびＳｉ単結晶層薄膜形成時の前記シ
リコン基板の加熱処理を、該シリコン基板に赤外線を照
射して行うことを特徴とする半導体薄膜形成方法。3. The step of performing the heat treatment according to claim 1, wherein the heat treatment of the silicon substrate at the time of forming the Si—Ge and Si single crystal layer thin film is performed by irradiating the silicon substrate with infrared rays. A method for forming a semiconductor thin film, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19400292A JPH0645257A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Method for forming semiconductor thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19400292A JPH0645257A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Method for forming semiconductor thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645257A true JPH0645257A (en) | 1994-02-18 |
Family
ID=16317340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19400292A Withdrawn JPH0645257A (en) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Method for forming semiconductor thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645257A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150701A (en) * | 2003-10-20 | 2005-06-09 | Tokyo Electron Ltd | Deposition system and deposition method |
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-
1992
- 1992-07-21 JP JP19400292A patent/JPH0645257A/en not_active Withdrawn
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