JPH06232042A - Formation of si-ge thin film - Google Patents
Formation of si-ge thin filmInfo
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- JPH06232042A JPH06232042A JP1346593A JP1346593A JPH06232042A JP H06232042 A JPH06232042 A JP H06232042A JP 1346593 A JP1346593 A JP 1346593A JP 1346593 A JP1346593 A JP 1346593A JP H06232042 A JPH06232042 A JP H06232042A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の形
成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a Si-Ge thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、Ｓｉ系高速バイポーラ素子、マイ
クロ波素子、あるいは超格子素子への応用を目的とし
て、ＩＶ族系半導体薄膜、特にシリコン−ゲルマニウム
（Ｓｉ−Ｇｅ）薄膜が注目されている。そして、このＳ
ｉ−Ｇｅ薄膜の実用化を図るために、Ｓｉ系下地として
の例えばシリコン基板上に、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜をエピタキ
シャル成長させる方法が種々検討されている。2. Description of the Related Art In recent years, Group IV semiconductor thin films, particularly silicon-germanium (Si-Ge) thin films, have been attracting attention for the purpose of application to Si-based high-speed bipolar devices, microwave devices, or superlattice devices. And this S
In order to put the i-Ge thin film into practical use, various methods for epitaxially growing the Si-Ge thin film on, for example, a silicon substrate as a Si-based underlayer have been studied.
【０００３】例えばこの出願に係る出願人も、シリコン
基板を入れた反応炉内にシリコンを含むＩＶ族水素系ガ
ス（例えばＳｉＨ4 ）とゲルマニウムを含むＩＶ族水素
系ガス（例えばＧｅＨ4 ）とを導入し、かつ、このシリ
コン基板に加熱処理を行いながら、このシリコン基板上
にＳｉ−Ｇｅ薄膜を形成する方法を提案していた（例え
ば文献Ｉ：アプライド サーフィス サイエンス(Appli
ed Surface Science),60/61(1992)pp.597-601 ）。For example, the applicant of the present application also has a group IV hydrogen-based gas containing silicon (eg SiH 4 ) and a group IV hydrogen-based gas containing germanium (eg GeH 4 ) in a reaction furnace containing a silicon substrate. A method of forming a Si-Ge thin film on the silicon substrate while introducing and performing heat treatment on the silicon substrate has been proposed (for example, Document I: Applied Surface Science (Appli).
ed Surface Science), 60/61 (1992) pp.597-601).
【０００４】Ｓｉ−Ｇｅ薄膜を形成するための他の方法
として知られているＭＢＥ法では固体ソースを用いるた
め原料容器容量に限界があり目的の薄膜を迅速に成長で
きない、Ｓｉ−Ｇｅ膜中に高濃度に不純物を導入させる
ことが困難などの欠点があったのに対し、シリコンを含
むＩＶ族水素系ガス及びゲルマニウムを含むＩＶ族水素
系ガスを用いる方法は基本的に化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）法であるため、ＭＢＥ法での欠点を除去できた。The MBE method, which is known as another method for forming a Si-Ge thin film, uses a solid source and therefore has a limited capacity of a raw material container and cannot grow a target thin film rapidly. While there are drawbacks such as difficulty in introducing impurities to a high concentration, the method using a group IV hydrogen-based gas containing silicon and a group IV hydrogen-based gas containing germanium is basically a chemical vapor deposition ( CV
Since it is the method D), the defects of the MBE method can be eliminated.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
法によるＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成方法といえど、シリコン
基板上にシリコンの格子定数より大きな格子定数を有す
るゲルマニウムを含むＳｉ−Ｇｅ薄膜を成長させるの
で、シリコンを含むＩＶ族水素系ガス及びゲルマニウム
を含むＩＶ族水素系ガスのみを用いる方法では、Ｓｉ基
板とＳｉ−Ｇｅ薄膜との間で格子不整合は依然生じ、こ
のため、以下に説明するような(イ)、 (ロ)及び(ハ) などの
問題点が生じることがこの出願に係る発明者の研究によ
り明らかになってきた。[Problems to be Solved by the Invention] However, CVD
Even if the Si-Ge thin film is formed by the method, since a Si-Ge thin film containing germanium having a lattice constant larger than that of silicon is grown on a silicon substrate, a group IV hydrogen-containing gas containing silicon and germanium are contained. In the method using only the group IV hydrogen-based gas, the lattice mismatch still occurs between the Si substrate and the Si-Ge thin film, and therefore (a), (b) and (c) as described below It has become clear from the research conducted by the inventor of this application that the above problems occur.
【０００６】(イ) 得られたＳｉ−Ｇｅ薄膜の表面のモホ
ロジが満足の行くものではないという問題点。例えば、
膜厚１００ｎｍのＳｉ−Ｇｅ薄膜を形成した場合その表
面には１０ｎｍ以上の凹凸が生じてしまうことが判って
いる（後述の比較例参照）。(A) The problem that the morphology of the surface of the obtained Si-Ge thin film is not satisfactory. For example,
It is known that when a Si-Ge thin film having a film thickness of 100 nm is formed, unevenness of 10 nm or more is generated on the surface (see Comparative Example described later).
【０００７】(ロ) 得られたＳｉ−Ｇｅ薄膜の結晶性はホ
モエピタキシャル層（シリコ基板上へのシリコン層やゲ
ルマニウム基板上へのゲルマニウム層）に比べ悪くなり
易いという問題点。(B) The crystallinity of the obtained Si-Ge thin film tends to be worse than that of a homoepitaxial layer (a silicon layer on a silicon substrate or a germanium layer on a germanium substrate).
【０００８】このような(イ) 凹凸発生や、(ロ) 結晶性悪
化は、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の特性を十分に生かせない原因に
なるので、これらを軽減できる方法が望まれる。Since the occurrence of (a) unevenness and (b) deterioration of crystallinity cause the characteristics of the Si-Ge thin film not to be fully utilized, a method capable of reducing these is desired.
【０００９】(ハ) また、実用に耐えるＳｉ−Ｇｅ薄膜は
歪成長の臨界膜厚以下の範囲のものであるが、シリコン
を含むＩＶ族水素系ガス及びゲルマニウムを含むＩＶ族
水素系ガスのみを用いる場合の歪成長の臨界膜厚は薄い
という問題点。例えば、Ｇｅ組成が１５原子％になる条
件で形成したＳｉ−Ｇｅ薄膜の場合の歪成長の臨界膜厚
は約１００ｎｍであることが判っている。ＣＶＤ法によ
るＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成法の場合、該薄膜の成長速度
（換言すれば膜厚制御）は原料ガスの供給量により主に
制御されることを考えると、歪成長の臨界膜厚が薄い程
所望の薄膜を得にくいので臨界膜厚を厚くできる方法が
望まれる。(C) Further, the Si-Ge thin film that can be used practically has a thickness within the range of the critical film thickness for strain growth, but only the group IV hydrogen-based gas containing silicon and the group IV hydrogen-based gas containing germanium are used. The problem is that the critical thickness for strain growth when used is thin. For example, it has been found that the critical film thickness for strain growth is about 100 nm in the case of a Si—Ge thin film formed under the condition that the Ge composition is 15 atomic%. In the case of forming a Si-Ge thin film by the CVD method, considering that the growth rate of the thin film (in other words, film thickness control) is mainly controlled by the supply amount of the source gas, the critical film thickness for strain growth is The thinner the film, the harder it is to obtain a desired thin film, and therefore a method capable of increasing the critical film thickness is desired.
【００１０】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的は、シリコンを含むＩ
Ｖ族水素系ガス及びゲルマニウムを含むＩＶ族水素系ガ
スを用いかつＳｉ系下地を加熱処理をしながらこの下地
上にＳｉ−Ｇｅ薄膜を形成する方法であって、従来に比
べＳｉ−Ｇｅ薄膜の表面モホロジ及び結晶性を改善で
き、かつ、歪成長の臨界膜厚を増加させることができる
方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and therefore, an object of the present invention is to contain silicon containing silicon.
A method for forming a Si-Ge thin film on a Si-Ge underlayer while heat-treating the Si-based underlayer using a group-V hydrogen-based gas and a group IV hydrogen-based gas containing germanium. It is an object of the present invention to provide a method capable of improving surface morphology and crystallinity and increasing the critical film thickness for strain growth.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、反応炉内にシリコン（Ｓｉ）系
下地を入れ、該反応炉内にシリコンを含むＩＶ族水素系
ガスとゲルマニウムを含むＩＶ族水素系ガスを導入し、
かつ、前述の下地に加熱処理を行ないながら、前述の下
地上にＳｉ−Ｇｅ薄膜を形成する方法において、形成さ
れるＳｉ−Ｇｅ薄膜中に該薄膜とシリコン下地との格子
不整合を緩和するためのホウ素を添加するために、反応
炉内に、シリコンを含むＩＶ族水素系ガス及びゲルマニ
ウムを含むＩＶ族水素系ガスと共に、ホウ素を含む水素
系ガスを導入することを特徴とする。In order to achieve this object, according to the present invention, a silicon (Si) based underlayer is placed in a reaction furnace, and a group IV hydrogen based gas containing silicon is placed in the reaction furnace. Introducing a group IV hydrogen-containing gas containing germanium,
And, in the method of forming the Si-Ge thin film on the lower surface while performing the heat treatment on the above-mentioned underlayer, in order to alleviate the lattice mismatch between the thin film and the silicon underlayer in the formed Si-Ge thin film. In order to add boron, the hydrogen-containing gas containing boron is introduced into the reaction furnace together with the group-IV hydrogen containing gas containing silicon and the group IV hydrogen-containing gas containing germanium.
【００１２】なお、この発明でいうＳｉ系下地は、Ｓｉ
基板そのものである場合は勿論のこと、Ｓｉ基板上にＳ
ｉ系のエピタキシャル層が形成されたもの、Ｓｉ基板以
外の基板にＳｉ系のエピタキシャル層が形成されたも
の、これらのものに素子が作り込まれた中間体（いわゆ
るウエハ）など、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜を形成させたいシリコ
ンの下地を広く意味している。The Si-based substrate referred to in the present invention is made of Si.
Not only the substrate itself, but also S on the Si substrate
Si-Ge thin films such as those having an i-type epitaxial layer formed thereon, those having a Si-type epitaxial layer formed on a substrate other than the Si substrate, and intermediates (so-called wafers) in which elements are formed in these. It broadly means the base of silicon on which to form.
【００１３】また、シリコンを含むＩＶ族水素系ガスと
しては、例えば、ＳｉＨ4 （シラン）、Ｓｉ2 Ｈ6 （ジ
シラン）、Ｓｉ3 Ｈ8 （トリシラン）などの各種のもの
を挙げることができる。必要に応じては、２種以上のガ
スを用いても良い。また、ゲルマニウムを含む水素系ガ
スとしては、ＧｅＨ4 （ゲルマン）、ＧｅＨ3 Ｆ（フル
オロゲルマン）などの各種のものを挙げることができ
る。必要に応じては、２種以上のガスを用いても良い。
また、ホウ素を含む水素系ガスとしては例えばＢ2 Ｈ6
（ジボラン）を挙げることができる。もちろん、ホウ素
を含む水素系ガスはジボランに限られず他の好適なもの
でも良く、また、この場合も必要に応じては、２種以上
のガスを用いても良い。Examples of the group IV hydrogen-containing gas containing silicon include various gases such as SiH 4 (silane), Si 2 H 6 (disilane), and Si 3 H 8 (trisilane). If necessary, two or more kinds of gas may be used. As the hydrogen-containing gas containing germanium, various gases such as GeH 4 (germane) and GeH 3 F (fluorogermane) can be cited. If necessary, two or more kinds of gas may be used.
The hydrogen-containing gas containing boron is, for example, B 2 H 6
(Diborane) can be mentioned. Of course, the hydrogen-containing gas containing boron is not limited to diborane, and other suitable gas may be used. Also in this case, two or more kinds of gas may be used as required.
【００１４】また、シリコンを含むＩＶ族水素系ガス、
ゲルマニウムを含む水素系ガス及びホウ素を含む水素系
ガスそれぞれの導入量であるが、ゲルマニウムを含む水
素系ガスの導入量については、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の設計に
応じ（即ち要求されるＧｅ組成に応じ）決定する。ま
た、ホウ素を含むガスの導入量については、Ｓｉ系下地
とＳｉ−Ｇｅ薄膜との格子不整合をどの程度緩和したい
か（即ち、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の表面モホロジ、結晶性及び
歪成長の臨界膜厚をどの程度改善したいか）という点
と、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜に要求されるｐ型不純物濃度値とを
比較考慮して決定するのが良い。例えば、形成されるＳ
ｉ−Ｇｅ薄膜中のホウ素濃度が該形成される薄膜の歪成
長の臨界膜厚を所望の値とし得る濃度に少なくともなる
ように、前記ホウ素を含む水素系ガスの導入量を制御す
るのが好適である。所望の臨界膜厚が得られるように所
定濃度でホウ素が添加されたＳｉ−Ｇｅ薄膜ではホウ素
を添加しない場合に比べ格子不整合の緩和及び結晶性の
向上のいずれも図れるからである（実施例参照）。な
お、ここで所望の臨界膜厚とは、実際に形成するＳｉ−
Ｇｅ薄膜の膜厚や該薄膜の使用目的に応じ決定されるも
のであるが、少なくとも実際に形成するＳｉ−Ｇｅ薄膜
の膜厚よりは厚い膜厚である。A Group IV hydrogen-containing gas containing silicon,
Regarding the introduction amounts of the hydrogen-containing gas containing germanium and the hydrogen-containing gas containing boron, the introduction amount of the hydrogen-containing gas containing germanium depends on the design of the Si—Ge thin film (that is, depending on the required Ge composition). )decide. Regarding the introduction amount of the gas containing boron, how much the lattice mismatch between the Si-based underlayer and the Si-Ge thin film should be relaxed (that is, the surface morphology, crystallinity and strain growth critical film of the Si-Ge thin film). It is preferable to determine it by comparing the point of "how much thickness should be improved" with the p-type impurity concentration value required for the Si-Ge thin film. For example, S formed
It is preferable to control the introduction amount of the hydrogen-containing gas containing boron so that the concentration of boron in the i-Ge thin film is at least a concentration at which the critical film thickness for strain growth of the formed thin film can be a desired value. Is. This is because the Si-Ge thin film to which boron is added at a predetermined concentration so as to obtain a desired critical film thickness can alleviate lattice mismatch and improve crystallinity as compared with the case where boron is not added (Examples). reference). Note that the desired critical film thickness here means the actually formed Si-
The thickness is determined according to the film thickness of the Ge thin film and the purpose of use of the thin film, but it is at least larger than the film thickness of the Si-Ge thin film actually formed.
【００１５】また、Ｓｉ系下地を加熱処理する際のＳｉ
系下地の加熱方法は、基本的には、電気炉による方法、
ランプによる方法など種々の方法で行なうことができ
る。しかし、膜質の向上や膜厚の制御性などを考える
と、ランプを用いる加熱方法が好ましい。ランプを用い
る方法の場合、下地を所望温度に素早く加熱でき、ま
た、下地の冷却も素早く行なえるからである。ランプと
しては、赤外線ランプがシリコン加熱に有効な波長の光
を発するので好ましい。具体的な赤外線光源としては、
タングステン−ハロゲンランプまたはキセノン−アーク
ランプなどを挙げることができる。In addition, when heat-treating a Si-based substrate, Si
The heating method of the system base is basically a method using an electric furnace,
Various methods such as a lamp method can be used. However, a heating method using a lamp is preferable in consideration of improvement of film quality and controllability of film thickness. This is because in the case of using the lamp, the base can be quickly heated to a desired temperature and the base can be cooled quickly. As the lamp, an infrared lamp is preferable because it emits light having a wavelength effective for heating silicon. As a specific infrared light source,
Mention may be made of tungsten-halogen lamps or xenon-arc lamps.
【００１６】[0016]
【作用】この発明の構成によれば、形成されるＳｉ−Ｇ
ｅ薄膜中にはホウ素が取り込まれる。ホウ素の原子半径
は０．０８８ｎｍであり、シリコンのそれ（０．１１７
ｎｍ）より小さいので、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜においてＳｉよ
り大きな原子半径（０．１２２ｎｍ）を有するゲルマニ
ウムに起因して生じるＳｉ−Ｇｅ薄膜とＳｉ系下地との
格子不整合の程度を、このホウ素が緩和すると考えられ
る。また、このホウ素はＳｉ−Ｇｅ薄膜をｐ型のものと
する場合のｐ型不純物としても使用できる。According to the structure of the present invention, the Si-G formed
e Boron is incorporated into the thin film. The atomic radius of boron is 0.088 nm and that of silicon (0.117 nm).
nm), the boron relaxes the degree of lattice mismatch between the Si-Ge thin film and the Si-based underlayer caused by germanium having an atomic radius (0.122 nm) larger than Si in the Si-Ge thin film. It is thought that. Also, this boron can be used as a p-type impurity when the Si-Ge thin film is made to be p-type.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明のＳｉ−Ｇ
ｅ薄膜の形成方法の実施例について説明する。なお、説
明に用いる各図は、この発明が理解できる程度に、各構
成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示して
あるにすぎない。また、以下の説明では、特定の材料及
び特定の数値的条件を挙げて説明するが、これら材料及
び条件は単なる好適例にすぎず、従って、この発明はこ
れらに限定されるものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The Si-G of the present invention will be described below with reference to the drawings.
An example of a method of forming a thin film will be described. It should be noted that the drawings used for the description merely schematically show the shapes, sizes, and arrangement relationships of the respective constituent components to the extent that the present invention can be understood. Further, in the following description, specific materials and specific numerical conditions will be described, but these materials and conditions are merely preferable examples, and thus the present invention is not limited thereto.
【００１８】１．薄膜形成装置の説明 先ず、この発明の方法を実施するために好適な装置例に
ついて説明する。1. Description of Thin Film Forming Apparatus First, an example of an apparatus suitable for carrying out the method of the present invention will be described.
【００１９】図２は、この装置の全体構成を概略的に示
す図である。なお、図２では反応炉１１内にシリコン系
下地として、この場合、シリコン基板１５（以下、「基
板」と略称することもある。）を配置した状態を示して
ある。FIG. 2 is a diagram schematically showing the overall structure of this apparatus. In this case, FIG. 2 shows a state in which a silicon substrate 15 (hereinafter sometimes abbreviated as “substrate”) is arranged as a silicon-based base in the reaction furnace 11.
【００２０】この装置は例えば石英製の反応炉（チャン
バー）１１を具えている、この反応炉１１は内部の基板
支持体１３の上に基板１５を出し入れ自在に載置できる
構造となっている。This apparatus is provided with a reaction furnace (chamber) 11 made of, for example, quartz. The reaction furnace 11 has a structure in which a substrate 15 can be freely placed on and placed on a substrate support 13 inside.
【００２１】さらに、この反応炉１１の外部には加熱部
１２を設けてある。この加熱部１２は任意好適な構成の
赤外線照射手段例えば赤外線ランプをもって構成する。
赤外線ランプ１２としてはタングステン−ハロゲンラン
プその他の任意好適なランプを用いる。好ましくは複数
個の赤外線ランプ１２を反応炉１１内の加熱を均一に行
なえるように配置する。また、基板１５の近傍位置に基
板１５の表面温度を測定するための温度測定手段１４例
えば熱電対を設けてある。Further, a heating section 12 is provided outside the reaction furnace 11. The heating unit 12 is composed of an infrared irradiating means of any suitable structure such as an infrared lamp.
As the infrared lamp 12, a tungsten-halogen lamp or any other suitable lamp is used. Preferably, a plurality of infrared lamps 12 are arranged so that the inside of the reaction furnace 11 can be heated uniformly. Further, a temperature measuring means 14 for measuring the surface temperature of the substrate 15, such as a thermocouple, is provided near the substrate 15.
【００２２】さらにこの装置では、反応炉１１に、該反
応炉１１内を排気するための排気手段２１及び２２を、
排気管２３及びバルブ２４、２５、２６、２７、２８、
２９、３０を介し接続してある。これらバルブをそれぞ
れ任意好適に開閉することによって反応炉１１内の圧力
を任意好適な圧力に制御でき反応炉１１内に低真空排気
状態及び高真空排気状態を形成することが可能となって
いる。この真空度は真空計３４で測定できる。Further, in this apparatus, the reaction furnace 11 is provided with exhaust means 21 and 22 for exhausting the inside of the reaction furnace 11.
Exhaust pipe 23 and valves 24, 25, 26, 27, 28,
It is connected via 29 and 30. By appropriately opening and closing these valves, the pressure in the reaction furnace 11 can be controlled to any suitable pressure, and a low vacuum exhaust state and a high vacuum exhaust state can be formed in the reaction furnace 11. This degree of vacuum can be measured by a vacuum gauge 34.
【００２３】さらに、この装置にはレリーフバルブ３１
を設けてある。このレリーフバルブ３１は反応炉１１内
の圧力が大気圧例えば７６０Ｔｏｒｒを超えた場合に自
動的に開放する。排気手段２２は、このレリーフバルブ
３１の開放によってガス供給源（後述する。）から反応
炉１１内へ供給されたガスを排気する。尚、上述した排
気手段２１、２２は、例えば拡散ポンプ２１とこのポン
プ２１に接続されたロータリーポンプ２２とをもって構
成できる。なお、図２において、３２、３３は排気管２
３に連通させて設けた真空計（或いは圧力ゲージ）であ
る。Furthermore, this device has a relief valve 31.
Is provided. The relief valve 31 is automatically opened when the pressure inside the reaction furnace 11 exceeds atmospheric pressure, for example, 760 Torr. The exhaust means 22 exhausts the gas supplied from the gas supply source (described later) into the reaction furnace 11 by opening the relief valve 31. The exhaust means 21 and 22 described above can be configured by, for example, the diffusion pump 21 and the rotary pump 22 connected to the pump 21. In FIG. 2, 32 and 33 are exhaust pipes 2.
3 is a vacuum gauge (or pressure gauge) provided so as to communicate with 3.
【００２４】次に、ガス供給系につき説明する。この実
施例では、ガス供給系を図示のように配設した供給管５
８及びこの供給管５８の適所に設けた自動開閉バルブ５
１、５２、５３、５４、５６、バルブ５７、流量コント
ローラ４６、４７、４８、４９、５０で構成してある。
各流量コントローラの、反応炉１１とは反対側の原料ガ
ス源用接続部（以下、「接続部」）４１〜４５に原料ガ
ス源（図示せず）を接続する。この実施例では接続部４
１に水素ガスを、接続部４２にシリコンを含むＩＶ族系
水素系ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）を１０体積％の濃
度で含む水素希釈ＳｉＨ4 ガスを、接続部４３にゲルマ
ニウムを含むＩＶ族水素系ガスとしてゲルマン（ＧｅＨ
4 ）を１体積％の濃度で含む水素希釈ＧｅＨ4 ガスを、
接続部４４にホウ素を含む水素系ガスとしてジボラン
（Ｂ2 Ｈ6 ）を１００ｐｐｍの濃度で含む水素希釈Ｂ2
Ｈ6 ガスを、また、接続部４５に不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2 ）ガスを、それぞれ供給する構成としてある。そ
して、これらガスの流量制御はバルブ５１〜５６をそれ
ぞれ任意好適に開閉することによって行なえ、また、水
素希釈ＳｉＨ4 ガスと水素希釈ＧｅＨ4 ガスと水素希釈
Ｂ2 Ｈ6 ガスの混合比もバルブ５３，５３，５４をそれ
ぞれ任意好適に開閉することによって制御できる。Next, the gas supply system will be described. In this embodiment, a supply pipe 5 having a gas supply system arranged as shown in the drawing.
8 and an automatic opening / closing valve 5 provided at an appropriate position on the supply pipe 58
1, 52, 53, 54, 56, a valve 57, and flow rate controllers 46, 47, 48, 49, 50.
A raw material gas source (not shown) is connected to the raw material gas source connecting portions (hereinafter, “connecting portion”) 41 to 45 on the side opposite to the reaction furnace 11 of each flow rate controller. In this embodiment, the connecting portion 4
1 is hydrogen gas, the connecting portion 42 is hydrogen-diluted SiH 4 gas containing silane (SiH 4 ) at a concentration of 10% by volume as a group IV hydrogen-containing gas containing silicon, and the connecting portion 43 is group IV hydrogen containing germanium. Germane as a system gas (GeH
4 ) GeH 4 gas diluted with hydrogen at a concentration of 1% by volume,
Hydrogen dilution B 2 containing diborane (B 2 H 6 ) at a concentration of 100 ppm as a hydrogen-containing gas containing boron in the connection portion 44
The H 6 gas and the inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas are supplied to the connecting portion 45, respectively. The flow rate of these gases can be controlled by appropriately opening and closing the valves 51 to 56, and the mixing ratio of the hydrogen-diluted SiH 4 gas, the hydrogen-diluted GeH 4 gas, and the hydrogen-diluted B 2 H 6 gas can also be controlled by the valve 53. , 53, 54 can be controlled by arbitrarily opening and closing.
【００２５】２．Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の形成例 次に、この発明のＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成方法の実施例に
ついて比較例と併せて説明する。図１、図３、図４及び
図５はその説明に供する図である。特に、図１は、この
実施例の方法実施中の、反応炉１１への各ガスの導入条
件及びシリコン基板１５に対する加熱処理条件の説明図
であり、横軸に時間をとり縦軸に温度をとって示したも
のである。また、図３はシリコン基板１５とこの上にこ
の実施例の方法で形成されたＳｉ−Ｇｅ薄膜６１とで構
成される試料の断面図である。図４はシリコン基板１５
とこの上に比較例（後述する）の方法で形成されたＳｉ
−Ｇｅ薄膜６３とで構成される試料の断面図である。な
お、図４において、６５は表面に生じた凹凸を示し、６
７は薄膜６３中の欠陥を示す。また、図５はＳｉ−Ｇｅ
薄膜の歪成長の臨界膜厚が該Ｓｉ−Ｇｅ薄膜中のホウ素
濃度にどのように依存するかについてこの出願に係る発
明者が調べた結果を示した特性図である。2. Example of forming Si-Ge thin film Next, an example of the method of forming the Si-Ge thin film of the present invention will be described together with a comparative example. 1, 3, 4, and 5 are diagrams used for the description. In particular, FIG. 1 is an explanatory diagram of the conditions for introducing each gas into the reaction furnace 11 and the heat treatment conditions for the silicon substrate 15 during the execution of the method of this embodiment, in which the horizontal axis represents time and the vertical axis represents temperature. It has been shown. FIG. 3 is a cross-sectional view of a sample composed of the silicon substrate 15 and the Si-Ge thin film 61 formed thereon by the method of this embodiment. FIG. 4 shows a silicon substrate 15
And Si formed thereon by the method of the comparative example (described later)
FIG. 6 is a cross-sectional view of a sample including a —Ge thin film 63. In FIG. 4, reference numeral 65 denotes unevenness generated on the surface, and 6
Reference numeral 7 indicates a defect in the thin film 63. Further, FIG. 5 shows Si-Ge.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing the results of an investigation conducted by the inventor of the present application as to how the critical film thickness for strain growth of a thin film depends on the boron concentration in the Si—Ge thin film.
【００２６】２−１．Ｓｉ系下地の前処理 この実施例では、より良好なＳｉ−Ｇｅ薄膜を得るため
に、Ｓｉ系下地として用いるシリコン基板１５に対し、
これを反応炉１１に入れる前に、次のような前処理を行
なう。2-1. Pretreatment of Si-based underlayer In this example, in order to obtain a better Si-Ge thin film, the silicon substrate 15 used as the Si-based underlayer was
Before putting this in the reaction furnace 11, the following pretreatment is performed.
【００２７】先ず、シリコン基板１５を、１２０℃の温
度に加熱した硫酸−過酸化水素水溶液中に、例えば１５
分間浸漬する。これにより、シリコン基板１５表面に約
１ｎｍの酸化膜が形成される。次に、このシリコン基板
を直ちに１％フッ酸（ＨＦ）水溶液中に約３０秒間浸漬
後、そこから取り出し純水で洗浄し、その後、乾燥させ
る。このフッ酸による処理により上記酸化膜が除去され
ると共にシリコン基板表面を汚染している物質も除去さ
れる。First, the silicon substrate 15 is immersed in a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution heated to a temperature of 120 ° C., for example, 15
Soak for a minute. As a result, an oxide film of about 1 nm is formed on the surface of the silicon substrate 15. Next, this silicon substrate is immediately immersed in a 1% hydrofluoric acid (HF) aqueous solution for about 30 seconds, taken out from there, washed with pure water, and then dried. By this treatment with hydrofluoric acid, the oxide film is removed and the substance contaminating the surface of the silicon substrate is also removed.
【００２８】前処理の終了したシリコン基板を直ちに反
応炉１１内の基板支持体１３上に固定する。なお、反応
炉１１内には、反応炉内１１内で基板１５に自然酸化膜
が形成されるのを防止するため、パージ用の不活性ガス
この場合窒素ガスを予め導入しておくのが良い。これ
は、バルブ５１、５２、５３、５４、５５を閉じてお
き、バルブ５６および５７を開くことにより行なえる。The pretreated silicon substrate is immediately fixed on the substrate support 13 in the reaction furnace 11. In order to prevent a natural oxide film from being formed on the substrate 15 in the reaction furnace 11, an inert gas for purging, in this case, nitrogen gas, should be introduced in advance in the reaction furnace 11. . This can be done by closing valves 51, 52, 53, 54 and 55 and opening valves 56 and 57.
【００２９】 ２−２．Ｓｉ−Ｇｅ単結晶薄膜の形成（その１） 次に、このシリコン基板１５上Ｓｉ−Ｇｅ薄膜を以下に
説明するように形成する。2-2. Formation of Si-Ge Single Crystal Thin Film (No. 1) Next, the Si-Ge thin film on the silicon substrate 15 is formed as described below.
【００３０】はじめに、排気手段２１，２２を用い反応
炉１１内をその真空度が例えば１×１０-6Ｔｏｒｒにな
るまで排気する。これにより反応炉１１内の清浄化をお
こなう。次に、バルブ２７を閉じ、かつ、バルブ２８、
５５、５２、５３及び５４をそれぞれ開いて、反応炉１
１内に、上記水素希釈ＳｉＨ4 ガス、水素希釈ＧｅＨ4
ガス及び水素希釈Ｂ2 Ｈ6 ガスをそれぞれ導入する（図
１の時刻Ｔ1 ）。この際、水素希釈ＳｉＨ4 ガスの流量
を５０ｓｃｃｍ、水素希釈ＧｅＨ4 の流量を３０ｓｃｃ
ｍ、水素希釈Ｂ2 Ｈ6 の流量を７０ｓｃｃｍにそれぞれ
制御すると共に、反応炉１１内の真空度が１０Ｔｏｒｒ
程度になるように、排気手段２１、２２の排気速度を制
御する。First, the inside of the reaction furnace 11 is evacuated by using the evacuation means 21 and 22 until the degree of vacuum thereof becomes, for example, 1 × 10 -6 Torr. Thereby, the inside of the reaction furnace 11 is cleaned. Next, the valve 27 is closed and the valve 28,
55, 52, 53, and 54 are opened, and the reactor 1
1 in the above, hydrogen diluted SiH 4 gas, hydrogen diluted GeH 4
Gas and hydrogen diluted B 2 H 6 gas are introduced respectively (time T 1 in FIG. 1 ). At this time, the flow rate of hydrogen-diluted SiH 4 gas is 50 sccm, and the flow rate of hydrogen-diluted GeH 4 is 30 sccc.
m, the flow rate of hydrogen diluted B 2 H 6 is controlled to 70 sccm, and the degree of vacuum in the reaction furnace 11 is 10 Torr.
The exhausting speed of the exhausting means 21, 22 is controlled so that the exhaust gas is exhausted.
【００３１】次に、加熱装置１２としての赤外線ランプ
によりシリコン基板１５の加熱を開始する（図１の時刻
Ｔ2 ）。この加熱はシリコン基板１５の表面温度を温度
測定手段１４で測定しながら、基板温度が例えば２５℃
／秒〜１００℃／秒の間の適当な割合で上昇するような
条件で行なう。そして、基板表面温度が約７００〜９０
０℃の間の好適な温度（この場合は８５０℃とする。）
となったら（図１の時刻Ｔ3 ）、例えば３０秒間その温
度の状態を保持できるように基板１５の加熱を制御する
（図１の期間Ａ）。そして、３０秒間が経過したとき
（図１のＴ4 ）、加熱手段１２の動作を停止し、およ
び、バルブ５２、５３、５４をそれぞれ閉じて水素希釈
ＳｉＨ4 ガス、水素希釈ＧｅＨ4 ガス及び水素希釈Ｂ2
Ｈ6 ガスの供給を停止すると共に、試料を急速冷却する
ためにバルブ５１を開けて反応炉１１内に水素ガスを供
給する。Next, heating of the silicon substrate 15 is started by an infrared lamp as the heating device 12 (time T 2 in FIG. 1). For this heating, while the surface temperature of the silicon substrate 15 is measured by the temperature measuring means 14, the substrate temperature is, for example, 25 ° C.
/ Sec to 100 ° C / sec under the condition that the temperature rises at an appropriate rate. The substrate surface temperature is about 700 to 90.
Suitable temperature between 0 ° C (850 ° C in this case)
When it becomes (time T 3 in FIG. 1), the heating of the substrate 15 is controlled so that the temperature can be maintained for 30 seconds (period A in FIG. 1). Then, when 30 seconds have elapsed (T 4 in FIG. 1), the operation of the heating means 12 is stopped, and the valves 52, 53, 54 are closed to close the hydrogen diluted SiH 4 gas, the hydrogen diluted GeH 4 gas and the hydrogen. Dilution B 2
While the supply of H 6 gas is stopped, the valve 51 is opened to rapidly cool the sample, and hydrogen gas is supplied into the reaction furnace 11.
【００３２】上記加熱処理期間Ａにおいて、シリコン基
板１５上には、基板１５の面方位と同一の面方位のＳｉ
−Ｇｅ単結晶膜６１が約１００ｎｍの膜厚で成長する
（図３参照）。そして、この実施例の成長条件（水素希
釈ＳｉＨ4 ガスなどの流量比や基板温度などの条件）で
は、得られるＳｉ−Ｇｅ薄膜６１は、Ｇｅを１０原子％
含み、かつ、ホウ素を１×１０20／ｃｍ3 の濃度で含む
ものとなる。なお、Ｇｅ組成及びホウ素濃度は、供給律
速であるのでそれぞれ水素希釈ＧｅＨ4 ガスの流量、水
素希釈Ｂ2 Ｈ6 ガスの流量に比例して変化させることが
できる。During the heat treatment period A, Si having the same plane orientation as that of the substrate 15 is formed on the silicon substrate 15.
The -Ge single crystal film 61 grows to a film thickness of about 100 nm (see FIG. 3). Then, under the growth conditions of this embodiment (conditions such as the flow rate ratio of hydrogen-diluted SiH 4 gas and the substrate temperature), the obtained Si-Ge thin film 61 contains 10 atomic% Ge.
It also contains boron at a concentration of 1 × 10 20 / cm 3 . Since the Ge composition and the boron concentration are rate-controlling, they can be changed in proportion to the flow rate of hydrogen-diluted GeH 4 gas and the flow rate of hydrogen-diluted B 2 H 6 gas, respectively.
【００３３】次に、シリコン基板１５の温度が例えば１
００℃より低い温度例えばほぼ室温となったら、バルブ
５１，５５を閉じ水素ガスの供給を停止する。その後、
反応炉１１内に原料ガスが残存することを防止するため
に、反応炉１１内をその真空度が０．００３Ｔｏｒｒ程
度になるまで排気する。その後、バルブ５６、５７を開
けて反応炉１１内に反応炉内の圧力が大気圧になるまで
不活性ガスを導入する。その後、反応炉１１内から試料
（Ｓｉ−Ｇｅ薄膜形成済みのシリコン基板）を取り出
す。Next, the temperature of the silicon substrate 15 is, for example, 1
When the temperature becomes lower than 00 ° C., for example, almost room temperature, the valves 51 and 55 are closed and the supply of hydrogen gas is stopped. afterwards,
In order to prevent the raw material gas from remaining in the reaction furnace 11, the inside of the reaction furnace 11 is evacuated until the degree of vacuum reaches about 0.003 Torr. After that, the valves 56 and 57 are opened and the inert gas is introduced into the reaction furnace 11 until the pressure inside the reaction furnace becomes atmospheric pressure. Then, the sample (silicon substrate on which the Si—Ge thin film has been formed) is taken out from the reaction furnace 11.
【００３４】この実施例の方法で形成されたＳｉ−Ｇｅ
薄膜６１とシリコン基板１５との格子不整合はホウ素を
用いない場合に比べ理論的にいって約９割になる（約１
割緩和される。）。また、形成されたＳｉ−Ｇｅ薄膜６
１の表面のモホロジを観察したところ、凹凸（図示せ
ず）は最大でも２ｎｍ程度であることが判った。Si-Ge formed by the method of this embodiment
The lattice mismatch between the thin film 61 and the silicon substrate 15 is theoretically about 90% as compared with the case where boron is not used (about 1).
It is relatively eased. ). In addition, the formed Si-Ge thin film 6
The morphology of the surface of No. 1 was observed, and it was found that the unevenness (not shown) was about 2 nm at the maximum.
【００３５】一方、比較例として、水素希釈Ｂ2 Ｈ6 を
用いないこと以外は上記実施例と同様な手順でＳｉ−Ｇ
ｅ薄膜を形成する。この比較例の試料のＳｉ−Ｇｅ薄膜
６３（図４参照）の表面のモホロジを観察したところ、
１０ｎｍ以上の凹凸６５が生じていることが判った。On the other hand, as a comparative example, Si-G was prepared by the same procedure as in the above-mentioned example except that hydrogen-diluted B 2 H 6 was not used.
e Form a thin film. When the morphology of the surface of the Si-Ge thin film 63 (see FIG. 4) of the sample of this comparative example was observed,
It was found that the unevenness 65 of 10 nm or more was generated.
【００３６】これら実施例及び比較例から明らかなよう
にこの発明のＳｉ−Ｇｅ薄膜形成方法はＳｉ−Ｇｅ薄膜
の表面モホロジの改善に有効なことが理解できる。As is clear from these examples and comparative examples, it can be understood that the Si-Ge thin film forming method of the present invention is effective in improving the surface morphology of the Si-Ge thin film.
【００３７】また、実施例の試料及び比較例の試料各々
のＳｉ−Ｇｅ薄膜６１，６３の結晶欠陥についてそれぞ
れ観察したところ、比較例の薄膜６３では欠陥６５（図
４参照）が実施例のものより多いことが判った。このこ
とから、この発明のＳｉ−Ｇｅ薄膜形成方法はＳｉ−Ｇ
ｅ薄膜の結晶性改善にも有効なことが理解できる。Further, when the crystal defects of the Si-Ge thin films 61 and 63 of the sample of the example and the sample of the comparative example were observed, respectively, the defect 65 (see FIG. 4) in the thin film 63 of the comparative example was that of the example. Turned out to be more. From this, the Si-Ge thin film forming method of the present invention is
It can be understood that it is also effective for improving the crystallinity of the e thin film.
【００３８】 ２−３．Ｓｉ−Ｇｅ単結晶薄膜の形成（その２） 次に、この発明の方法により歪成長の臨界膜厚がどの程
度改善されるか（増加するか）を調べるために、形成す
るＳｉ−Ｇｅ薄膜６１の膜厚を種々に設定し、かつ、水
素希釈Ｂ2 Ｈ6 ガスの流量を２−１項のときのほぼ５倍
（約３５０ｓｃｃｍ）としたこと以外は、２−１項での
形成条件でそれぞれ複数の試料を作製する。2-3. Formation of Si-Ge Single Crystal Thin Film (Part 2) Next, in order to investigate how much the critical film thickness of strain growth is improved (increased) by the method of the present invention, the Si-Ge thin film 61 to be formed is formed. Under various conditions, except that the film thickness of B was set to various values and the flow rate of the hydrogen-diluted B 2 H 6 gas was set to approximately 5 times (about 350 sccm) as in the case of 2-1. Multiple samples are prepared for each.
【００３９】得られた各試料のＳｉ−Ｇｅ薄膜でのＧｅ
組成は上記２−１項のものと同じであるがホウ素濃度は
５×１０20／ｃｍ3 となっていることが判った。また、
各試料の観察結果より、上記条件の場合（Ｇｅ組成が１
０原子％でかつホウ素濃度が５×１０20／ｃｍ3 である
Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の場合）、歪成長の臨界膜厚が約４００
ｎｍとなることが判った。Ge in the Si-Ge thin film of each obtained sample
It was found that the composition was the same as that of the above-mentioned item 2-1, but the boron concentration was 5 × 10 20 / cm 3 . Also,
From the observation result of each sample, in the case of the above conditions (Ge composition is 1
In the case of a Si—Ge thin film having 0 atomic% and a boron concentration of 5 × 10 20 / cm 3 ), the critical film thickness for strain growth is about 400.
It was found to be nm.
【００４０】一方、比較例として、水素希釈Ｂ2 Ｈ6 ガ
スを用いないこと以外はこの２−３項の実施例の方法と
同様な方法で複数の試料を作製する。そして、比較例の
場合の歪成長の臨界膜厚を調べたところ、約２００ｍで
あることが判った。On the other hand, as a comparative example, a plurality of samples are prepared in the same manner as in the method of the embodiment of the paragraph 2-3, except that the B 2 H 6 gas diluted with hydrogen is not used. When the critical film thickness for strain growth in the comparative example was examined, it was found to be about 200 m.
【００４１】このことから、この発明の方法によれば、
同じＧｅ組成のＳｉ−Ｇｅ薄膜を得る場合の歪成長の臨
界膜厚を従来より向上（この実施例の例でいえば２倍に
まで向上）させ得ることが理解できる。このため、この
発明の方法は薄膜の格子不整合の緩和及び結晶性の向上
が図れるばかりでなく、膜厚制御の点でも有利といえ
る。From this, according to the method of the present invention,
It can be understood that the critical film thickness for strain growth in the case of obtaining a Si-Ge thin film having the same Ge composition can be improved (doubled in the example of this embodiment) as compared with the conventional case. Therefore, the method of the present invention can not only alleviate the lattice mismatch of the thin film and improve the crystallinity but also can be said to be advantageous from the viewpoint of controlling the film thickness.
【００４２】また、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の歪成長の臨界膜厚
が該Ｓｉ−Ｇｅ薄膜中のホウ素濃度にどのように依存す
るかについて、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜のＧｅ組成が１０原子％
となる場合について調べたところ、図５のような関係と
なることが判った。このことから、シリコンを含むＩＶ
族水素系ガスとゲルマニウムを含むＩＶ族水素系ガスに
対するホウ素を含む水素系ガスの混合量を制御してＳｉ
−Ｇｅ薄膜に添加されるホウ素の量を制御することで、
臨界膜厚の制御ができることが理解できる。Further, regarding how the critical film thickness of strain growth of the Si-Ge thin film depends on the boron concentration in the Si-Ge thin film, the Ge composition of the Si-Ge thin film is 10 atomic%.
As a result of investigating the case, the relationship is as shown in FIG. From this, IV containing silicon
Si by controlling the mixing amount of the hydrogen-containing gas containing boron with respect to the group IV hydrogen-containing gas containing germanium and germanium
-By controlling the amount of boron added to the Ge thin film,
It can be understood that the critical film thickness can be controlled.
【００４３】[0043]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成方法によれば、Ｓｉを含
むＩＶ族系水素ガス、Ｇｅを含むＩＶ族系水素ガス及び
ホウ素を含む水素系ガスの混合ガス雰囲気中でＳｉ系下
地に加熱処理を行なってこの下地にＳｉ−Ｇｅ薄膜を形
成するので、Ｓｉを含むＩＶ族系水素ガス及びＧｅを含
むＩＶ族系水素ガスのみを用いていた従来方法に比べ、
Ｓｉ−Ｇｅ薄膜の表面モホロジ及び結晶性の改善がそれ
ぞれでき、さらに、歪成長の臨界膜厚を増加させること
ができる。このため、Ｓｉ−Ｇｅ薄膜が有する本来の特
性を生かし易くなると考えられる。As is apparent from the above description, according to the method of forming a Si-Ge thin film of the present invention, a group IV hydrogen gas containing Si, a group IV hydrogen gas containing Ge and boron are contained. Since a Si-based underlayer is heat-treated in a mixed gas atmosphere of hydrogen-based gas to form a Si-Ge thin film on this underlayer, only a group IV-based hydrogen gas containing Si and a group IV-based hydrogen gas containing Ge are used. Compared with the conventional method,
The surface morphology and crystallinity of the Si-Ge thin film can be improved, and the critical film thickness for strain growth can be increased. Therefore, it is considered that the original characteristics of the Si-Ge thin film can be easily utilized.
【図１】実施例のＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成条件の説明に供
する図であり、ガス供給条件および基板加熱条件を示し
た図である。FIG. 1 is a diagram for explaining conditions for forming a Si—Ge thin film of an example, showing gas supply conditions and substrate heating conditions.
【図２】この発明の方法を実施するための成膜装置構成
例を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of the structure of a film forming apparatus for carrying out the method of the present invention.
【図３】実施例の説明に供する図であり、実施例の薄膜
形成条件で形成した試料の断面図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an example, and is a cross-sectional view of a sample formed under the thin film forming conditions of the example.
【図４】比較例の説明に供する図であり、比較例の薄膜
形成条件で形成した試料の断面図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a comparative example, and is a cross-sectional view of a sample formed under the thin film forming conditions of the comparative example.
【図５】実施例の説明に供する図であり、Ｓｉ−Ｇｅ薄
膜の歪成長の臨界膜厚が該Ｓｉ−Ｇｅ薄膜中のホウ素濃
度にどのように依存するかを示した図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an example, showing how the critical film thickness of strain growth of a Si—Ge thin film depends on the boron concentration in the Si—Ge thin film.
１５：シリコン系下地（例えばシリコン基板） ６１：実施例の方法で得たＳｉＧｅ薄膜 15: Silicon-based underlayer (eg, silicon substrate) 61: SiGe thin film obtained by the method of the example
Claims (2)
れ、該反応炉内にシリコンを含むＩＶ族水素系ガスとゲ
ルマニウムを含むＩＶ族水素系ガスを導入し、かつ、前
記下地に加熱処理を行ないながら、前記下地上にＳｉ−
Ｇｅ薄膜を形成する方法において、 形成されるＳｉ−Ｇｅ薄膜中に該薄膜とシリコン系下地
との格子不整合を緩和するためのホウ素を添加するため
に、反応炉内に、シリコンを含むＩＶ族水素系ガス及び
ゲルマニウムを含むＩＶ族水素系ガスと共に、ホウ素を
含む水素系ガスを導入することを特徴とするＳｉ−Ｇｅ
薄膜の形成方法。1. A silicon (Si) -based substrate is placed in a reaction furnace, a group IV hydrogen-based gas containing silicon and a group IV hydrogen-based gas containing germanium are introduced into the reaction furnace, and the substrate is heated. While processing, Si-
In a method for forming a Ge thin film, in order to add boron for relaxing lattice mismatch between the Si-Ge thin film to be formed and the silicon-based underlayer, a group IV containing silicon is added in a reaction furnace. Si-Ge characterized in that a hydrogen-containing gas containing boron is introduced together with a group IV hydrogen-containing gas containing hydrogen-containing gas and germanium.
Method of forming thin film.
方法において、 形成されるＳｉ−Ｇｅ薄膜中のホウ素濃度が該形成され
る薄膜の歪成長の臨界膜厚を所望の値とし得る濃度に少
なくともなるように、前記ホウ素を含む水素系ガスの導
入量を制御することを特徴とするＳｉ−Ｇｅ薄膜の形成
方法。2. The method for forming a Si—Ge thin film according to claim 1, wherein the boron concentration in the formed Si—Ge thin film can set a critical film thickness for strain growth of the formed thin film to a desired value. A method for forming a Si-Ge thin film, which comprises controlling the introduction amount of the hydrogen-containing gas containing boron so as to be at least the concentration.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1346593A JPH06232042A (en) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Formation of si-ge thin film |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP1346593A JPH06232042A (en) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Formation of si-ge thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232042A true JPH06232042A (en) | 1994-08-19 |
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ID=11833896
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232042A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH09129558A (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
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-
1993
- 1993-01-29 JP JP1346593A patent/JPH06232042A/en not_active Withdrawn
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