JPH0643951B2 - 堆積物検出装置 - Google Patents
堆積物検出装置Info
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- JPH0643951B2 JPH0643951B2 JP61098068A JP9806886A JPH0643951B2 JP H0643951 B2 JPH0643951 B2 JP H0643951B2 JP 61098068 A JP61098068 A JP 61098068A JP 9806886 A JP9806886 A JP 9806886A JP H0643951 B2 JPH0643951 B2 JP H0643951B2
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、雰囲気中に粒子や粉塵等の物質が存在するか
否かを堆積によって検出する堆積物検出装置に関するも
のであって、更に詳細には、雰囲気を局所的に加熱させ
て、雰囲気中に存在する炭化物等の物質を熱分解させて
2次生成物を発生させこの2次生成物の堆積を検出する
堆積物検出手段に関するものである。特に、粉塵検出
器、煤煙検出器、窓ガラスの曇り度合検出器、油膜検出
器、等に使用するのに適した堆積物検出器に関するもの
である。
否かを堆積によって検出する堆積物検出装置に関するも
のであって、更に詳細には、雰囲気を局所的に加熱させ
て、雰囲気中に存在する炭化物等の物質を熱分解させて
2次生成物を発生させこの2次生成物の堆積を検出する
堆積物検出手段に関するものである。特に、粉塵検出
器、煤煙検出器、窓ガラスの曇り度合検出器、油膜検出
器、等に使用するのに適した堆積物検出器に関するもの
である。
従来技術 従来の粉塵検出器や、煤煙検出器は、雰囲気中に存在す
る物質の存在を直接的に測定するものが殆どであり、そ
の装置は大型で複雑なものが多く、使用方法が困難であ
るとか、コストが高い等の問題が多かった。
る物質の存在を直接的に測定するものが殆どであり、そ
の装置は大型で複雑なものが多く、使用方法が困難であ
るとか、コストが高い等の問題が多かった。
目的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、新規な原理に基づい
て雰囲気中の物質の存在を検出することが可能な検出装
置を提供することを目的とする。
した如き従来技術の欠点を解消し、新規な原理に基づい
て雰囲気中の物質の存在を検出することが可能な検出装
置を提供することを目的とする。
構成 本発明に拠れば、雰囲気を局所的に加熱させて、雰囲気
中に存在する物質を堆積させ、その堆積状態を監視する
ことによって雰囲気中に物質が存在することを検出す
る。特に、本発明の好適実施形態においては、雰囲気中
に存在する炭素化合物を検出するものであって、この炭
素化合物を加熱して熱分解させ、その2次生成物を所定
の個所に堆積させることによって炭素化合物の存在を検
出する。即ち、本発明においては、空気中等の雰囲気中
に炭素化合物の気体やミストが存在している場合、ヒー
タにより加熱することによって熱分解されてヒータの周
辺に分解物質が堆積される。本発明は、この様な現象に
着目してなされたものであって、空気中等の雰囲気中に
浮遊している炭素化合物の存在を簡単に確認することが
可能であり、且つ堆積状態から雰囲気中に包含される炭
化物の含有量を測定することも可能である。
中に存在する物質を堆積させ、その堆積状態を監視する
ことによって雰囲気中に物質が存在することを検出す
る。特に、本発明の好適実施形態においては、雰囲気中
に存在する炭素化合物を検出するものであって、この炭
素化合物を加熱して熱分解させ、その2次生成物を所定
の個所に堆積させることによって炭素化合物の存在を検
出する。即ち、本発明においては、空気中等の雰囲気中
に炭素化合物の気体やミストが存在している場合、ヒー
タにより加熱することによって熱分解されてヒータの周
辺に分解物質が堆積される。本発明は、この様な現象に
着目してなされたものであって、空気中等の雰囲気中に
浮遊している炭素化合物の存在を簡単に確認することが
可能であり、且つ堆積状態から雰囲気中に包含される炭
化物の含有量を測定することも可能である。
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。
に付いて詳細に説明する。
第1図は、本発明の1実施例に基づいて構成された堆積
物検出装置を示しており、それは所定の物質、例えばシ
リコンからなる基板1を有しており、その上表面には絶
縁層として二酸化シリコン層2が付着形成されている。
公知のホトリソグラフィ技術を使用してこの絶縁層2を
所望の形状にパターン形成し、更にパターン化した絶縁
層2をマスクとして基板1を選択的にエッチングして、
基板1内に凹所1aを画定すると共に架橋構造2aを形
成してある。尚、本実施例においては、架橋構造2aは
パターン化された絶縁層2の一部から形成されている。
従って、架橋構造2aは空中に張り出した形状であり、
その熱容量は著しく小さい。又、基板1のエッチングは
等方性エッチングと異方性エッチングとの組合せでも、
又異方性エッチングのみであっても良い。
物検出装置を示しており、それは所定の物質、例えばシ
リコンからなる基板1を有しており、その上表面には絶
縁層として二酸化シリコン層2が付着形成されている。
公知のホトリソグラフィ技術を使用してこの絶縁層2を
所望の形状にパターン形成し、更にパターン化した絶縁
層2をマスクとして基板1を選択的にエッチングして、
基板1内に凹所1aを画定すると共に架橋構造2aを形
成してある。尚、本実施例においては、架橋構造2aは
パターン化された絶縁層2の一部から形成されている。
従って、架橋構造2aは空中に張り出した形状であり、
その熱容量は著しく小さい。又、基板1のエッチングは
等方性エッチングと異方性エッチングとの組合せでも、
又異方性エッチングのみであっても良い。
架橋構造2aは凹所1aによって所定の長さ空中を延在
しており、その上には、加熱部としてのヒータ3が付着
形成されている。このヒータ3は、例えばPt等の所望
の物質を付着させることによって形成することが可能で
あり、本実施例においては、ヒータ3に電流を流すこと
によってジュール発熱を起させ、その熱によって周囲の
雰囲気を加熱する。尚、ヒータ3は二酸化シリコン等の
絶縁物質でその周囲を取り囲む構成とすることも可能で
ある。又、ヒータ3へ印加する電流は継続的なものであ
っても良いが、パルス電流として印加することが好適で
ある。
しており、その上には、加熱部としてのヒータ3が付着
形成されている。このヒータ3は、例えばPt等の所望
の物質を付着させることによって形成することが可能で
あり、本実施例においては、ヒータ3に電流を流すこと
によってジュール発熱を起させ、その熱によって周囲の
雰囲気を加熱する。尚、ヒータ3は二酸化シリコン等の
絶縁物質でその周囲を取り囲む構成とすることも可能で
ある。又、ヒータ3へ印加する電流は継続的なものであ
っても良いが、パルス電流として印加することが好適で
ある。
上述した如き構成において、ヒータ3に電流を印加させ
ると、ヒータ3が発熱して周囲の雰囲気を加熱し、その
結果、雰囲気中に存在する物質も加熱されて熱分解を起
して2次生成物を生成し、ヒータ3の周りの基板1乃至
は絶縁層2の表面上に堆積物5として堆積させる。この
場合に、ヒータ3は高温状態にあるので堆積物5は殆ど
堆積されないが、ヒータ3は架橋構造2a上に形成され
ており、その熱容量が小さいので、ヒータ3の周囲の絶
縁層2及び基板1への幅射熱の影響はかなり小さく、ヒ
ータ3の周囲の絶縁層2及び基板1はヒータ3及び架橋
構造2aと比較して、かなりの低温状態に維持される。
従って、ヒータ3によって局所的に加熱された雰囲気中
の物質は堆積物5としてヒータ3の周りの絶縁層2及び
基板1の表面上に堆積される。そこで、本実施例におい
ては、光源(不図示)からの光を堆積物5で反射させ、
その反射光をモニタすることによって堆積物5が堆積さ
れたことを検知している。この場合に、堆積物5の堆積
量は反射光の強度に関係しており、従って、この反射光
から堆積物5の量、及び雰囲気中の含有量等を測定する
ことが可能である。
ると、ヒータ3が発熱して周囲の雰囲気を加熱し、その
結果、雰囲気中に存在する物質も加熱されて熱分解を起
して2次生成物を生成し、ヒータ3の周りの基板1乃至
は絶縁層2の表面上に堆積物5として堆積させる。この
場合に、ヒータ3は高温状態にあるので堆積物5は殆ど
堆積されないが、ヒータ3は架橋構造2a上に形成され
ており、その熱容量が小さいので、ヒータ3の周囲の絶
縁層2及び基板1への幅射熱の影響はかなり小さく、ヒ
ータ3の周囲の絶縁層2及び基板1はヒータ3及び架橋
構造2aと比較して、かなりの低温状態に維持される。
従って、ヒータ3によって局所的に加熱された雰囲気中
の物質は堆積物5としてヒータ3の周りの絶縁層2及び
基板1の表面上に堆積される。そこで、本実施例におい
ては、光源(不図示)からの光を堆積物5で反射させ、
その反射光をモニタすることによって堆積物5が堆積さ
れたことを検知している。この場合に、堆積物5の堆積
量は反射光の強度に関係しており、従って、この反射光
から堆積物5の量、及び雰囲気中の含有量等を測定する
ことが可能である。
第2図は、本発明の別の実施例に基づいて構成された堆
積物検出装置を示している。本実施例も基本的には前述
した第1図の装置と同一の構成を有しているので、同一
の要素には同一の番号を付してある。即ち、第2図の装
置も、シリコン等の物質からなる基板1を有しており、
その上表面上には二酸化シリコン等からなら絶縁層2が
形成されている。本実施例においては、基板1の選択部
分をその底部から絶縁層2に到達する迄エッチングを行
い除去部1bを形成している。この除去部1bを設ける
ことによって、絶縁層2の一部に架橋構造2aを画定し
ている。架橋構造2aの上には、少なくとも部分的にヒ
ータ3が形成されており、従ってヒータ3の熱容量は可
及的に最小とされている。尚、第1図の場合と同様に、
ヒータ3は所望の物質から形成されており、それに電流
を流すことによってジュール発熱させる構成となってい
る。又、所望により、ヒータ3の周囲を二酸化シリコン
等の絶縁物質で取り囲む構成とすることも可能である。
積物検出装置を示している。本実施例も基本的には前述
した第1図の装置と同一の構成を有しているので、同一
の要素には同一の番号を付してある。即ち、第2図の装
置も、シリコン等の物質からなる基板1を有しており、
その上表面上には二酸化シリコン等からなら絶縁層2が
形成されている。本実施例においては、基板1の選択部
分をその底部から絶縁層2に到達する迄エッチングを行
い除去部1bを形成している。この除去部1bを設ける
ことによって、絶縁層2の一部に架橋構造2aを画定し
ている。架橋構造2aの上には、少なくとも部分的にヒ
ータ3が形成されており、従ってヒータ3の熱容量は可
及的に最小とされている。尚、第1図の場合と同様に、
ヒータ3は所望の物質から形成されており、それに電流
を流すことによってジュール発熱させる構成となってい
る。又、所望により、ヒータ3の周囲を二酸化シリコン
等の絶縁物質で取り囲む構成とすることも可能である。
第2図の構成においては、ヒータ3が雰囲気を局所的に
加熱することによって、雰囲気中に存在する物質から堆
積物5がヒータ3の近傍で絶縁層2上に堆積される。従
って、光源(不図示)からの検知用光ビーム8を絶縁層
2の架橋構造2a下側から照射させ、該ビームの堆積物
5を介しての透過率に基づいて耐性物5が存在すること
及び、所望により、その量を検出する。この様に、第2
図の実施例は光透過型であり、絶縁層2の架橋構造2a
を光が透過されるので、絶縁層2は、少なくともその架
橋構造2aの部分が透明であることが望ましい。
加熱することによって、雰囲気中に存在する物質から堆
積物5がヒータ3の近傍で絶縁層2上に堆積される。従
って、光源(不図示)からの検知用光ビーム8を絶縁層
2の架橋構造2a下側から照射させ、該ビームの堆積物
5を介しての透過率に基づいて耐性物5が存在すること
及び、所望により、その量を検出する。この様に、第2
図の実施例は光透過型であり、絶縁層2の架橋構造2a
を光が透過されるので、絶縁層2は、少なくともその架
橋構造2aの部分が透明であることが望ましい。
第2図は、本発明に適用可能な反射型の検出装置10を
示しており、この検出装置10は、発光ダイオード等か
らなる光源11と、ホトトランジスタ又はCdS等の受
光素子12を有しており、光源11から射出された光を
絶縁層2で反射させ、その反射光を受光素子12で受光
して、絶縁層2上に堆積物が堆積されていることを検出
する。一方、第4図は、透過型の検出装置10を示して
おり、この場合も、光源11と受光素子11とを有する
ものであるが、堆積物は光源11から受光素子12への
光路内に位置され、堆積物を介して通過する光量を測定
して堆積状態を検出するものである。
示しており、この検出装置10は、発光ダイオード等か
らなる光源11と、ホトトランジスタ又はCdS等の受
光素子12を有しており、光源11から射出された光を
絶縁層2で反射させ、その反射光を受光素子12で受光
して、絶縁層2上に堆積物が堆積されていることを検出
する。一方、第4図は、透過型の検出装置10を示して
おり、この場合も、光源11と受光素子11とを有する
ものであるが、堆積物は光源11から受光素子12への
光路内に位置され、堆積物を介して通過する光量を測定
して堆積状態を検出するものである。
第5図は、本発明の反射型の具体的構成例を示したもの
であって、基台15上の中央に堆積物検出チップ13が
配置されており、基台15の底部から一対の支柱16,
16が延在している。基台15の上表面には、更に、保
持フレーム17が装着されており、光源11と受光素子
12とを互いに離隔し並置させて保持している。更に、
保護ネット18が略その全体を包囲して設けられてい
る。この構成においては、光源11から射出される光が
チップ13の堆積部で反射されて、その反射光が受光素
子12に入射される構成となっている。又、チップ13
としては、第1図に示した如き構成のものを使用するこ
とが可能であり、即ち、加熱部としてのヒータ3及び、
堆積物5を堆積させる絶縁層2等で構成される堆積部を
有している。従って、受光素子12で受光される反射光
によってこの様な堆積部上に堆積される堆積物の有無及
びその量を検出することが可能である。
であって、基台15上の中央に堆積物検出チップ13が
配置されており、基台15の底部から一対の支柱16,
16が延在している。基台15の上表面には、更に、保
持フレーム17が装着されており、光源11と受光素子
12とを互いに離隔し並置させて保持している。更に、
保護ネット18が略その全体を包囲して設けられてい
る。この構成においては、光源11から射出される光が
チップ13の堆積部で反射されて、その反射光が受光素
子12に入射される構成となっている。又、チップ13
としては、第1図に示した如き構成のものを使用するこ
とが可能であり、即ち、加熱部としてのヒータ3及び、
堆積物5を堆積させる絶縁層2等で構成される堆積部を
有している。従って、受光素子12で受光される反射光
によってこの様な堆積部上に堆積される堆積物の有無及
びその量を検出することが可能である。
第6図は、同じく、本発明の透過型の具体的構成例を示
したものであって、基本的には、第5図の反射型のもの
と同じ構成を有している。従って、同一の構成要素には
同一の参照番号を付してある。本例の場合には、光源1
1が基台15の中央部に配置されており、チップ13は
この光源11の上に設けられている。更に、受光素子1
2は受光素子11の垂直上方に位置された保持フレーム
17に保持されている。チップ13は、前述した如く、
加熱部とそれに隣接する堆積部とを具備している。この
構成においては、光源11からの光はチップ13の堆積
部を通過して受光素子12内に入射される。
したものであって、基本的には、第5図の反射型のもの
と同じ構成を有している。従って、同一の構成要素には
同一の参照番号を付してある。本例の場合には、光源1
1が基台15の中央部に配置されており、チップ13は
この光源11の上に設けられている。更に、受光素子1
2は受光素子11の垂直上方に位置された保持フレーム
17に保持されている。チップ13は、前述した如く、
加熱部とそれに隣接する堆積部とを具備している。この
構成においては、光源11からの光はチップ13の堆積
部を通過して受光素子12内に入射される。
第7図及び第8図は、本発明の透過型装置の別の実施例
を示しており、第8図は第7図中に示したx−x線に沿
っての概略断面図である。本装置においても、シリコン
等の物質からなる基板1を有しており、その上表面上に
は二酸化シリコン等の絶縁層2が被着形成されている。
絶縁層2は所定の形状にパターン形成されて、開口が形
成されると共に片持梁状の張出し部2bのパターンが形
成されている。この開口から基板1を選択的にエッチン
グして、凹所1aを形成しており、従って絶縁層2の一
部で形成される張出し部2bは空中に張り出す構成とさ
れている。張出し部2bを包含して絶縁層2の上に、ヒ
ータ3が所定の物質から被着形成されており、ヒータ3
は、張出し部2b上に形成される発熱部3aとそれから
延在しており絶縁層2上に形成される一対のヒータ電極
部3b,3bとを有している。発熱部3aは、ヒータ3
の他の部分と比較して幅狭に形成されており、その部分
での抵抗値を大きくして通電した場合にジュール発熱す
る構成とされている。又、本実施例においては、発熱部
3aは蛇行形状に形成してあり、単位面積当りの発熱量
をかせいでいる。この様な構成とする場合には、ヒータ
3を同一の物質から形成することが可能であるので、製
造上有利である。
を示しており、第8図は第7図中に示したx−x線に沿
っての概略断面図である。本装置においても、シリコン
等の物質からなる基板1を有しており、その上表面上に
は二酸化シリコン等の絶縁層2が被着形成されている。
絶縁層2は所定の形状にパターン形成されて、開口が形
成されると共に片持梁状の張出し部2bのパターンが形
成されている。この開口から基板1を選択的にエッチン
グして、凹所1aを形成しており、従って絶縁層2の一
部で形成される張出し部2bは空中に張り出す構成とさ
れている。張出し部2bを包含して絶縁層2の上に、ヒ
ータ3が所定の物質から被着形成されており、ヒータ3
は、張出し部2b上に形成される発熱部3aとそれから
延在しており絶縁層2上に形成される一対のヒータ電極
部3b,3bとを有している。発熱部3aは、ヒータ3
の他の部分と比較して幅狭に形成されており、その部分
での抵抗値を大きくして通電した場合にジュール発熱す
る構成とされている。又、本実施例においては、発熱部
3aは蛇行形状に形成してあり、単位面積当りの発熱量
をかせいでいる。この様な構成とする場合には、ヒータ
3を同一の物質から形成することが可能であるので、製
造上有利である。
絶縁層2上で、凹所1aの周囲の所定個所には感光性物
質からなる受光素子層22が形成されている。本例で
は、この層22はCdSから構成してある。この場合、
CdSを塗布し、次いでそれを焼結処理する。受光素子
層22の両端に夫々接続されて一対の出力電極21a,
21bが設けられており、出力電極21bの他端にはボ
ンディングワイヤ23が接続されている。一方、第8図
に示した如く、受光素子層22の上方には発光ダイオー
ド等の光源11を配設する。尚、これらの出力電極21
a,21bはヒータ3と同じ材料で形成すると良い。
尚、受光素子層22は、後述する如く、堆積部として機
能する。
質からなる受光素子層22が形成されている。本例で
は、この層22はCdSから構成してある。この場合、
CdSを塗布し、次いでそれを焼結処理する。受光素子
層22の両端に夫々接続されて一対の出力電極21a,
21bが設けられており、出力電極21bの他端にはボ
ンディングワイヤ23が接続されている。一方、第8図
に示した如く、受光素子層22の上方には発光ダイオー
ド等の光源11を配設する。尚、これらの出力電極21
a,21bはヒータ3と同じ材料で形成すると良い。
尚、受光素子層22は、後述する如く、堆積部として機
能する。
この様な構成においては、ヒータ3に電流を通電させる
ことによって、周囲の雰囲気が局所的に加熱される。こ
の場合に、ヒータ3の発熱部3a及びそれを担持する張
出し部2bは高温状態とされるが、これらの熱容量は小
さく、幅射熱も小さいので、それら以外の部分は比較的
低温状態に維持される。従って、受光素子層22も比較
的低温状態に維持され、その結果、ヒータ3によって局
所的に加熱された雰囲気中の物質、特に炭素化合物、が
熱分解されて生成される2次生成物はこの受光素子層2
2上に堆積される。従って、受光素子層22は堆積部と
して作用し、その表面上に堆積物を堆積させる。この様
に、受光素子層22上に堆積物が堆積されると、光源1
1からの受光量が変化するので、それにより、堆積物の
有無及びその量、延いては雰囲気中に存在している炭素
化合物等の物質を検出することが可能である。
ことによって、周囲の雰囲気が局所的に加熱される。こ
の場合に、ヒータ3の発熱部3a及びそれを担持する張
出し部2bは高温状態とされるが、これらの熱容量は小
さく、幅射熱も小さいので、それら以外の部分は比較的
低温状態に維持される。従って、受光素子層22も比較
的低温状態に維持され、その結果、ヒータ3によって局
所的に加熱された雰囲気中の物質、特に炭素化合物、が
熱分解されて生成される2次生成物はこの受光素子層2
2上に堆積される。従って、受光素子層22は堆積部と
して作用し、その表面上に堆積物を堆積させる。この様
に、受光素子層22上に堆積物が堆積されると、光源1
1からの受光量が変化するので、それにより、堆積物の
有無及びその量、延いては雰囲気中に存在している炭素
化合物等の物質を検出することが可能である。
第9図は、本発明装置のシステムの1例を示しており、
透過型の堆積物検出装置31は、光源11と受光素子1
2との間に介在されている。装置31は前述した如きマ
イクロヒータ形状の加熱部と、雰囲気への加熱により堆
積される堆積物を堆積させる堆積部とを有しており、光
源11からの光は堆積部を透過して受光素子12へ入射
される。光源11は抵抗Rを介して電源33へ接続され
ており、タイミング回路34からの所定のタイミングに
基づいて、駆動電流が光源11へ供給される。装置31
のヒータにパルス電流を印加する為のヒータ電源35が
設けられており、これはタイミング回路36に接続され
ている。従って、ヒータ電源35からは所定のタイミン
グでパルス電流が装置31のヒータへ印加される。受光
素子12からの出力は増幅器32によって増幅され、信
号発生器37へ供給される。
透過型の堆積物検出装置31は、光源11と受光素子1
2との間に介在されている。装置31は前述した如きマ
イクロヒータ形状の加熱部と、雰囲気への加熱により堆
積される堆積物を堆積させる堆積部とを有しており、光
源11からの光は堆積部を透過して受光素子12へ入射
される。光源11は抵抗Rを介して電源33へ接続され
ており、タイミング回路34からの所定のタイミングに
基づいて、駆動電流が光源11へ供給される。装置31
のヒータにパルス電流を印加する為のヒータ電源35が
設けられており、これはタイミング回路36に接続され
ている。従って、ヒータ電源35からは所定のタイミン
グでパルス電流が装置31のヒータへ印加される。受光
素子12からの出力は増幅器32によって増幅され、信
号発生器37へ供給される。
本発明に拠れば、雰囲気中に含有される微量の成分を短
時間で検出することが可能であり、又第10図に示した
如く、検出出力Voutはその濃度に依存性があるので、
その成分の含有量を算出することが可能である。第10
図に、実線で示した如く、ヒータを駆動しない場合に
は、検出出力であるVoutは殆ど経時的変化を示さない
が、ヒータを駆動すると、検出出力Voutは、雰囲気中
の炭素化合物の含有濃度が1ppmであるか、10pp
mであるか、100ppmであるかに応じて、夫々点
線、一点鎖線、二点鎖線で夫々示した如く変化する。従
って、出力Voutからその濃度を算出することが可能で
あることが分かる。
時間で検出することが可能であり、又第10図に示した
如く、検出出力Voutはその濃度に依存性があるので、
その成分の含有量を算出することが可能である。第10
図に、実線で示した如く、ヒータを駆動しない場合に
は、検出出力であるVoutは殆ど経時的変化を示さない
が、ヒータを駆動すると、検出出力Voutは、雰囲気中
の炭素化合物の含有濃度が1ppmであるか、10pp
mであるか、100ppmであるかに応じて、夫々点
線、一点鎖線、二点鎖線で夫々示した如く変化する。従
って、出力Voutからその濃度を算出することが可能で
あることが分かる。
効果 以上、詳説した如く、本発明に拠れば、堆積物の有無及
びその量を検出することが可能である。又、雰囲気中に
存在する物質、特に炭素化合物、を検出することが可能
である。本装置に拠れば、高精度で且つ高速に堆積物の
検出を行うことが可能である。
びその量を検出することが可能である。又、雰囲気中に
存在する物質、特に炭素化合物、を検出することが可能
である。本装置に拠れば、高精度で且つ高速に堆積物の
検出を行うことが可能である。
以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。
第1図は本発明の1実施例に基づいて構成された反射型
の検出装置を示した概略断面図、第2図は本発明の別の
実施例に基づいて構成された透過型の検出装置を示した
概略断面図、第3図及び第4図は夫々反射型及び透過型
の検出光学系を示した各説明図、第5図は本発明の反射
型検出装置の1例を示した概略図、第6図は本発明の透
過型検出装置の1例を示した概略図、第7図は透過型検
出装置で受光素子を一体的に組み込んだ場合の実施例を
示した概略平面図、第8図は第7図中に示したx−x線
に沿っての断面及び光源11との位置関係を示した概略
図、第9図は本発明の透過型検出装置のシステムの1例
を示した説明図、第10図は本発明の検出特性を示した
グラフ図、である。 (符号の説明) 1:基板 2:絶縁層 2a:架橋構造 2b:張出し部 3:ヒータ 5:堆積物 10:検出光学系
の検出装置を示した概略断面図、第2図は本発明の別の
実施例に基づいて構成された透過型の検出装置を示した
概略断面図、第3図及び第4図は夫々反射型及び透過型
の検出光学系を示した各説明図、第5図は本発明の反射
型検出装置の1例を示した概略図、第6図は本発明の透
過型検出装置の1例を示した概略図、第7図は透過型検
出装置で受光素子を一体的に組み込んだ場合の実施例を
示した概略平面図、第8図は第7図中に示したx−x線
に沿っての断面及び光源11との位置関係を示した概略
図、第9図は本発明の透過型検出装置のシステムの1例
を示した説明図、第10図は本発明の検出特性を示した
グラフ図、である。 (符号の説明) 1:基板 2:絶縁層 2a:架橋構造 2b:張出し部 3:ヒータ 5:堆積物 10:検出光学系
Claims (8)
- 【請求項1】雰囲気を加熱する加熱部と、前記加熱部の
近傍に位置されており前記加熱部による加熱によって前
記雰囲気中に存在する物質が堆積される堆積部と、前記
堆積部上に堆積物が堆積したか否かを検出する検出手段
とを有することを特徴とする堆積物検出装置。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記検出
手段が光学的検出手段であることを特徴とする装置。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項におい
て、前記加熱部は、基板の一部に架橋構造を形成してあ
り、少なくとも前記架橋構造上に付着形成されているこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項4】特許請求の範囲第3項において、前記基板
上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状にパター
ン形成すると共に、前記基板を選択的にエッチングする
ことによって前記架橋構造が形成されていることを特徴
とする装置。 - 【請求項5】特許請求の範囲第3項において、前記基板
の1表面上に絶縁層を形成すると共に、その反対表面か
ら前記基板を選択的にエッチングして前記架橋構造を形
成していることを特徴とする装置。 - 【請求項6】特許請求の範囲第3項において、前記堆積
部も前記基板上に設定されていることを特徴とする装
置。 - 【請求項7】特許請求の範囲第2項において、前記光学
的検出手段が反射型であり、前記堆積部上での光の反射
の程度によって堆積の度合を検出することを特徴とする
装置。 - 【請求項8】特許請求の範囲第2項において、前記光学
的検出手段が透過型であり、光が前記堆積部に堆積され
る堆積物を透過する程度によって堆積の度合を検出する
ことを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61098068A JPH0643951B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 堆積物検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61098068A JPH0643951B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 堆積物検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62255852A JPS62255852A (ja) | 1987-11-07 |
JPH0643951B2 true JPH0643951B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=14210018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61098068A Expired - Fee Related JPH0643951B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 堆積物検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0643951B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3415917A4 (en) | 2016-02-09 | 2019-09-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | DEVICE FOR INSPECTION, INSPECTION DEVICE AND INSPECTION PROCEDURES |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61098068A patent/JPH0643951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62255852A (ja) | 1987-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |