JPH0643219A

JPH0643219A - 半導体装置およびその検査方法

Info

Publication number: JPH0643219A
Application number: JP4125644A
Authority: JP
Inventors: Toshikazu Yoshimizu; 敏和吉水; Hideo Azumai; 秀夫東井
Original assignee: MegaChips Corp
Current assignee: MegaChips Corp
Priority date: 1992-04-16
Filing date: 1992-04-16
Publication date: 1994-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の一種であるところの、マルチチ
ップ・モジュールのベース基板の配線を、パッケージと
の接続用ボンディングパッドのみにプローブカードを接
触することにより検査可能とする。【構成】マルチチップ・モジュールのベース基板のＩ
Ｃ用ボンディングパッド２０に隣接して接続した位置に
ダイオード２１を設けるようにしたので、パッケージと
の接続用ボンディングパッド１９のみにプローブカード
を接触することにより検査が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、マルチチップ・モジ
ュール（Multichip Module：ＭＣＭ）と呼ばれる半導体
装置における、ＩＣを搭載する配線基板（以下、ベース
基板と称す）の改良に関し、特に、その検査の簡略化を
達成できるようにしたもの、およびその検査方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】マルチチップ・モジュールは同一のパッ
ケージの中にベアチップ、即ちパッケージングしない状
態のＩＣチップをリードフレーム（プラスチックパッケ
ージの場合）やベース基板（セラミックパッケージの場
合）に複数搭載して直接実装するものであり、チップ自
体のパッケージが不要となるためインダクタンスとキャ
パシタンスが低減する。同時にその実装密度も向上する
ので、チップ間の配線が短くなり信号の伝搬遅延時間も
短くなる。従って、マルチチップ・モジュールを使用す
ることにより、ＣＰＵモジュールではボード実装方式で
は不可能であった１００ＭＨｚ程度での動作も可能にな
るといわれている。

【０００３】なお、ワークステーションのＣＰＵモジュ
ール等、高信頼性が要求されたり発熱対策を施す必要が
ある分野では、セラミックパッケージを使用するのが一
般的であり、低価格を意図した分野ではプラスチックパ
ッケージを使用するのが一般的である。

【０００４】図１１はセラミックパッケージを使用する
マルチチップ・モジュールの一般的な構成を示す図であ
る。

【０００５】この図１１に示すように、マルチチップ・
モジュールは複数のＩＣチップ３とこれを搭載する配線
基板であるベース基板２およびこのベース基板をそのキ
ャビティ部（凹部）１ａに収容するパッケージ１より構
成されている。ＩＣチップ３とベース基板２間の接続に
はＡｌワイヤ４等によるワイヤーボンディングやフリッ
プチップ等の実装方式が用いられる。

【０００６】図１２はベース基板５のパターンの一例を
示す。このベース基板のパターンは、ベース基板２とパ
ッケージ１間の接続用ボンディングパッド６と、ＩＣ３
とベース基板２との間の接続用ボンディングパッド８
と、これらのパッド間を接続する配線パターン９とで構
成されている。

【０００７】ベース基板２の配線は、図１２にその一例
を示すようにベース基板２の基板５上に、ベース基板２
−パッケージ１間用ボンディングパッド（以下、Ａパッ
ドと称す）６とベース基板２−ＩＣ３間用ボンディング
パッド（以下、Ｂパッドと称す）８との間の配線がなさ
れている。また、この図１２に１０としてその例を示す
ように、Ａパッド間，Ｂパッド間および各々複数パッド
間等の配線もある。

【０００８】そしてそのＩＣ３の搭載位置を図１２に破
線７にて示している。ワイヤーボンディング方式による
実装を行った場合、ボンディングパッド６とパッケージ
１のインナーリード，ボンディングパッド８とＩＣ３の
ボンディングパッドとが各々接続される。

【０００９】次に、このベース基板２の断面構造の一例
を図１３に示す。ベース基板はシリコン、セラミック等
からなる基板本体１１上にＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，ポリ
イミド等をその材質とする絶縁膜１２を形成し、その上
に配線膜およびパターン形成を行い、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ
等の第１配線層１３を形成する。さらに、ポリイミドや
ＳｉＯ₂等からなる層間絶縁膜１４の形成をコンタクト
ホールとともに行い、以下同様にして、配線層，層間絶
縁膜を交互に複数層形成し、最後に保護層１８の形成を
ボンディングパッドの開口とともに行う。

【００１０】そして完成したベース基板５を検査する
際、従来は、図１４に示すように、各配線の断線、およ
び配線間のショートを検出するために、ベース基板−パ
ッケージ間接続用ボンディングパッド（以下、Ａパッド
と称す）４１およびベース基板−ＩＣチップ接続間用ボ
ンディングパッド（以下、Ｂパッドと称す）４２の両者
にプローブカードの針４３，４４等を接触させ、電気検
査を行っていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来のマルチチップ・
モジュールのベース基板は以上のように構成されてお
り、ベース基板内の配線の検査を行う際、ベース基板−
パッケージ間接続用ボンディングパッド（Ａパッド）お
よびベース基板−ＩＣチップ間接続用ボンディングパッ
ド（Ｂパッド）の両者にプローブカードの針を接触させ
て電気検査を行う必要があった。

【００１２】これにより、プローブカードは多ピンとな
り、非常に高価なものとなっていた。また、検査の際、
ボンディングパッドに異物が付着している等によりプロ
ーブカードとボンディングパッド間の接触不良の問題の
発生確率が、多ピンであるがゆえに高くなるという問題
があった。

【００１３】また、プローブカードが単に多ピンである
というだけではなく、基板の外周部のＡパッドのみなら
ず基板の内側にもＢパッドが存在するため、プローブカ
ードの作成が困難となっており、この点もプローブカー
ドの価格を押し上げる原因となっていた。

【００１４】この発明は、上記のような従来のものの問
題点を解決するためになされたもので、ベース基板２の
電気検査の際、プローブカードのピン数を減少でき、こ
れにより、プローブカードとボンディングパッド間の接
触不良の確率をできるだけ小さくすることができ、しか
もプローブカードを安価に提供可能なマルチチップ・モ
ジュールのベース基板およびその検査方法を得ることを
目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明に係るマルチチ
ップ・モジュールのベース基板は、ベース基板上に形成
されるＩＣ搭載用のパッドと所定電位との間に接続され
るダイオードを設けるようにしたものである。

【００１６】また、この発明に係るマルチチップ・モジ
ュールのベース基板は、上記ダイオードを当該ベース基
板に作り込むようにしたものである。

【００１７】また、この発明に係るマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法によれば、導通検査用の
ダイオードが設けられたベース基板上に形成されるＩＣ
搭載用のパッドのみにプローブカードを当接させ、単数
もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を測定
し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を決
定するようにしたものである。

【００１８】さらにこの発明に係るマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法によれば、導通検査用の
ダイオードが作り込まれたベース基板上に形成されるＩ
Ｃ搭載用のパッドのみにプローブカードを当接させ、単
数もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を測
定し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を
決定するようにしたものである。

【００１９】

【作用】この発明においては、上述のように装置を構成
したことにより、ベース基板をパッケージに接続するた
めのパッドとＩＣ搭載用のパッドとの配線を検査する際
に、ダイオードがＩＣ搭載用のパッドに所定電位を供給
するので、ＩＣ搭載用のパッドにプローブカードの針を
接触させる必要がなくなる。従って、プローブカードの
針を基板外周部のパッドに接触するもののみとすること
ができる。

【００２０】また、この発明においては、上述のように
装置を構成したので、検査機能の付加によるベース基板
の製造コストの上昇を抑えることができる。

【００２１】また、この発明においては、上述のような
方法により、導通検査用のダイオードが設けられたベー
ス基板の検査を行なうので、プローブカードの針を基板
外周部のパッドに接触するもののみとすることができ、
ダイオードに流れる電流の測定結果により、ベース基板
の配線の不良の有無およびその種類を判定できる。

【００２２】さらに、この発明においては、上述のよう
な方法により、導通検査用のダイオードが作り込まれた
ベース基板の検査を行なうので、プローブカードの針を
基板外周部のパッドに接触するもののみとすることがで
き、ダイオードに流れる電流の測定結果により、ベース
基板の配線の不良の有無およびその種類を判定できる。

【００２３】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例によるマルチチップ・
モジュールのベース基板におけるパッドと配線の様子を
模式的に示したものである。図１(a) において、１９は
ベース基板の外周部に形成された、ベース基板２とパッ
ケージ１間を接続するためのボンディングパッド（Ａパ
ッド）、２０はベース基板の内側に形成された、ベース
基板２とＩＣ３間を接続するためのボンディングパッド
（Ｂパッド）、２１はこのＢパッド２０に隣接してこれ
に接続されるようにベース基板２に作り込まれたダイオ
ードであり、他端は接地２２されている。

【００２４】また図１(b) は、Ａパッド２３に複数のＢ
パッド２４，２５が接続されている場合における、ダイ
オードの配設状態を示すもので、この場合、ダイオード
２６，２７を各々Ｂパッドに接続し、ダイオードの他端
は接地２８，２９されている

【００２５】また、図１(c) は、Ｂパッド間同士の配線
におけるダイオードの配設状態を示すもので、この場
合、Ｂパッド３０，３１に各々ダイオード３２，３３を
接続し、他端を接地３４，３５し、さらに検査用にＡパ
ッド３６を設ける。

【００２６】さらに、図１(d) は、Ｂパッド間同士の配
線におけるダイオードの配設状態の他の例を示すもの
で、この場合、複数のＢパッド３７，３８の一つのパッ
ドを検査用パッド３７とし、他のパッドにはダイオード
３９を設け、他端を接地４０している。

【００２７】この発明に係るマルチチップ・モジュール
のベース基板２の配線パターンは図１２に示すものと同
様である。

【００２８】本発明の配線の実施例は図１(a) 〜図１
(d) に示す通りである。また、図９に示すように、接地
ではなく、電源１０２にダイオード７０を接続すること
によっても同様の効果を得ることができる。

【００２９】以下、このダイオードをベース基板に作り
込む例を説明する。

【００３０】（例１）Ｐ形Ｓｉウエハをベース基板と
し、図１(a) に相当する図６に示す回路を付加した場合
の断面図を図７に示す。そのプロセスフローは以下の通
りである。まず、Ｐ形Ｓｉウエハ上に酸化膜を形成し、
その上にレジストを塗布し、これを露光し、現像して、
Ｎ⁺領域に相当する部分に開口を形成し、その底面の酸
化膜をエッチングし、ＰまたはＡｓによるＮ型イオン注
入を行なって、レジストを剥離し、拡散を行なうことに
よりＮ⁺領域を形成できる。

【００３１】そしてこれ以降は既述の通常のベース基板
のプロセスフローと同様となる。この場合、図６におけ
る接地１００は基板裏面となる。

【００３２】（例２）Ｎ形Ｓｉウエハをベース基板と
し、図６に示す回路を付加した場合の断面図を図８に示
す。そのプロセスフローは以下の通りである。

【００３３】まず、Ｎ形Ｓｉウエハに酸化膜を形成し、
その上にレジストを塗布し、これを露光し、現像して、
Ｐ型領域に相当する部分に開口を形成し、その底面の酸
化膜をエッチングし、ボロンによるＰ型不純物を注入
し、レジストを剥離して拡散を行ない、Ｐ型領域上に酸
化膜を同時に形成する。次に、その上にレジストを塗布
し、これを露光し、現像して、Ｎ⁺領域に相当する部分
に開口を形成し、その底面の酸化膜をエッチングし、Ｎ
⁺領域を形成すべくＰまたはＡｓによるＮ型のイオン注
入を行なう。その後、レジスト剥離を行ない、再度レジ
スト塗布を行なって、露光，現像し、Ｐ⁺領域に相当す
る部分に開口を形成し、その底面の酸化膜をエッチング
し、Ｐ⁺領域を形成すべくボロンによるＰ型イオンを注
入し、レジストを剥離し、拡散を行なってＮ⁺領域およ
びＰ⁺領域を同時に形成する。その後、酸化膜を形成
し、レジストを塗布し、露光，現像を行なってＮ⁺領域
およびＰ⁺領域上の酸化膜をエッチング除去し、レジス
トの剥離を行なう。

【００３４】これ以降は通常のベース基板のプロセスフ
ローと同様である。この場合、図６における接地１００
は図８における１０１となる。

【００３５】（例３）Ｎ形Ｓｉウエハをベース基板と
し、図９に示す回路を付加した場合の断面図を図１０に
示す。そのプロセスフローは以下の通りである。

【００３６】Ｎ形Ｓｉウエハ上に酸化膜を形成し、その
上にレジストを塗布し、これを露光し、現像して、Ｐ⁺
領域に相当する部分に開口を形成し、その底面の酸化膜
をエッチングし、Ｐ⁺領域を形成すべくボロンによるＰ
型イオン注入を行ない、レジストを剥離し、拡散を行な
うことによりＰ⁺領域を形成できる。

【００３７】これ以降は通常のベース基板のプロセスフ
ローと同様である。この場合、図９における電源１０２
は基板裏面になる。

【００３８】そして、このように、形成されたベース基
板の検査方法としては、図１(a) に相当する図２の場
合、接地４４に正電位を与えＡパッド４５に接触したプ
ローブ４７をＧＮＤ（０Ｖ）としてこれに流れる電流を
測定する。仮りにこの配線にオープン不良がある場合、
電流が流れないため不良を検出することができる。ま
た、これはＢパッド間のみに配線が形成された図１(d)
の場合も同様である。

【００３９】また、図１(b) に相当する図３の場合、接
地５５，５６に正電位を与え、Ａパッド５０に接触した
プローブ５７をＧＮＤ（０Ｖ）としてこれに流れる電流
を測定する。この場合、ダイオードがパラレルに２個入
ることになり、ダイオードのＯＮ抵抗を考慮すると、図
２のようなＡパッド−Ｂパッドが各１個の場合に比べて
電流値が増加し、ＡパッドにおいてＢパッドが複数であ
ることを検出することが可能である。また、これはＢパ
ッド間のみに配線が形成された図１(c) の場合も同様で
ある。

【００４０】また、図７のようにＡパッド５９にＢパッ
ド６１が接続されるところにショート不良５８が発生し
ている場合、検査時に接地６５と６６が共に正電位が与
えられダイオード６３と６４を通してプローブ６７に電
流が流れ込み、ショート不良が発生しない場合に比して
電流が多くなることより、ショート不良についてもその
検出が可能となる。

【００４１】さらに、上述のような導通検査用のダイオ
ードを搭載したベース基板を用いてマルチチップ・モジ
ュールを製品化した場合、Ａパッドはパッケージに、Ｂ
パッドはＩＣチップに接続されるが、通常、Ａ、Ｂパッ
ドにはＩＣを駆動させる電圧、つまりロジックＩＣの場
合、０Ｖ、５Ｖが与えられ、この電圧の範囲にあればダ
イオードの作用により、Ｂパッドと接地部とは電気的に
分離されるため、上記各実施例における基板検査機能
は、マルチチップ・モジュールの動作に悪影響をおよぼ
すことはない。

【００４２】このように、上記各実施例によれば、ベー
ス基板の内側に形成された、ベース基板とＩＣ間を接続
するためのボンディングパッドに隣接して、これに一端
が接続され他端が接地または電源電位に接続された、基
板検査用のダイオードを当該ベース基板に搭載するよう
にしたので、プローブカードの針を、基板外周部に設け
られた、ベース基板２とパッケージ１間を接続するため
のボンディングパッドに当てるだけで、ベース基板の検
査が可能となり、プローブカードにベース基板とＩＣ間
を接続するためのボンディングパッドと当接する針を設
ける必要がなくなり、プローブカードを安価に構成でき
る。

【００４３】しかも、その針の本数が減少することか
ら、プローブカードとボンディングパッド間の接触不良
の確率を大幅に低下することが可能となる。

【００４４】また、上記各実施例では、ベース基板の製
造工程において、導通試験用のダイオードを作り込むよ
うにしたので、検査機能の付与による基板のコストアッ
プを極力少なくすることができる。

【００４５】なお、上記図１(d) の実施例のように、余
分な配線を行なうことなく、ベース基板とＩＣ間を接続
するためのボンディングパッド同士を接続する配線の導
通試験を行なう場合は、プローブカードにプローブカー
ドにベース基板とＩＣ間を接続するためのボンディング
パッドと当接する針のみを設ければよく、ベース基板と
パッケージ間を接続するためのボンディングパッドに当
接する針が不要となり、この場合も上記図１(a) 〜図１
(c) の実施例と同様の効果を奏する。

【００４６】また、図１(b) 〜図１(d) の場合も図５の
場合と同様、ダイオードの他端を電源電位等の所定電位
に接続してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
但し、この電位は上述のように、通常のロジックＩＣの
動作電圧範囲に収まっている必要がある。

【００４７】また、上記各実施例では、導通試験用のダ
イオードをベース基板に作り込む場合についてのみ説明
したが、これを個別部品により搭載してもよいことは言
うまでもない。但し、この場合、このダイオードを搭載
するためのパッドやその配線の試験を別途行なう必要が
ある。

【００４８】さらに、上記各実施例では、ＩＣチップの
みをベース基板に搭載する場合についてのみ説明した
が、それ以外の電子部品を搭載する場合にも適用でき、
上記各実施例と同様の効果を奏する。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、この発明に係るマルチチ
ップ・モジュールのベース基板によれば、半導体集積回
路チップを搭載するベース基板に、半導体集積回路チッ
プと当該基板との接続用端子に一端が接続され、他端が
所定電位に接続されたダイオードを設けるようにしたの
で、ベース基板とパッケージとの接続用のパッドのみに
プローブを接触させることによりベース基板の検査が可
能となり、プローブカードのピン数を削減でき、安価な
プローブカードが実現可能となり、併せてプローブと検
査パッド間の接触不良の確率を低減できる効果がある。

【００５０】また、この発明に係るマルチチップ・モジ
ュールのベース基板によれば、上述のダイオードをベー
ス基板に作り込むようにしたので、ベース基板の製造工
程でこのダイオードを付与でき、検査機能の付与による
コストアップを極力少なくすることができる。

【００５１】また、この発明に係るマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法によれば、導通検査用の
ダイオードが設けられたベース基板上に形成されるＩＣ
搭載用のパッドのみにプローブカードを当接させ、単数
もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を測定
し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を判
定するようにしたので、導通検査用のダイオードが設け
られたベース基板の検査を、プローブカードの針を基板
外周部のパッドに接触するもののみとして行なうことが
でき、ダイオードに流れる電流の測定結果により、ベー
ス基板の配線の不良の有無およびその種類を判定できる
効果がある。

【００５２】さらに、この発明に係るマルチチップ・モ
ジュールのベース基板の検査方法によれば、導通検査用
のダイオードが設けられたベース基板上に形成されるＩ
Ｃ搭載用のパッドのみにプローブカードを当接させ、単
数もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を測
定し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を
判定するようにしたので、導通検査用のダイオードが設
けられたベース基板の検査を、プローブカードの針を基
板外周部のパッドに接触するもののみとして行なうこと
ができ、ダイオードに流れる電流の測定結果により、ベ
ース基板の配線の不良の有無およびその種類を判定でき
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の配線およびパッドの一例を示す模
式図である。

【図２】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法における配線およびパッ
ドの一例を示す模式図である。

【図３】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法における配線およびパッ
ドの一例を示す模式図である。

【図４】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法における配線およびパッ
ドの一例を示す模式図である。

【図５】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の検査方法における配線およびパッ
ドの一例を示す模式図である。

【図６】この発明の他の実施例によるマルチチップ・モ
ジュールのベース基板の配線およびパッドの一例を示す
模式図である。

【図７】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板のダイオードの構造を示す断面図で
ある。

【図８】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板のダイオードの構造を示す断面図で
ある。

【図９】この発明のさらに他の実施例によるマルチチッ
プ・モジュールのベース基板の配線およびパッドの一例
を示す模式図である。

【図１０】この発明の一実施例によるマルチチップ・モ
ジュールのベース基板のダイオードの構造を示す断面図
である。

【図１１】マルチチップ・モジュールの一般的な構成を
示す断面図である。

【図１２】マルチチップ・モジュールのベース基板の一
般的な配線やパッドのパターン例を示す平面図である。

【図１３】マルチチップ・モジュールのベース基板の一
般的な配線構造を示す断面図である。

【図１４】マルチチップ・モジュールのベース基板の従
来の検査方法を示す模式図である。

【符号の説明】

１９，２３，３６パッド２０，２４，２５，３０，３１，３７，３８パッド２１，２６，２７，３２，３３，３７，３８ダイオー
ド２２，２８，２９，３４，３５，４０接地

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年５月２１日

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】半導体装置およびその検査方法

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、マルチチップ・モジ
ュール（Multichip Module：ＭＣＭ）と呼ばれる半導体
装置において、ＩＣを搭載する配線基板（以下、ベース
基板と称す）であるところの半導体装置の改良に関し、
特に、その検査の簡略化を達成できるようにしたもの、
およびその検査方法に関するものである。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、ベース基板上に形成されるＩＣ搭載用のパッドと
所定電位との間に接続されるダイオードを設けるように
したものである。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】また、この発明に係る半導体装置は、上記
ダイオードを当該ベース基板に作り込むようにしたもの
である。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】また、この発明に係る半導体装置の検査方
法によれば、導通検査用のダイオードが設けられたベー
ス基板上に形成されるＩＣ搭載用のパッドのみにプロー
ブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイオ
ードに流れる電流値を測定し、当該測定値をもとにベー
ス基板内の配線の良否を決定するようにしたものであ
る。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】さらにこの発明に係る半導体装置の検査方
法によれば、導通検査用のダイオードが作り込まれたベ
ース基板上に形成されるＩＣ搭載用のパッドのみにプロ
ーブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイ
オードに流れる電流値を測定し、当該測定値をもとにベ
ース基板内の配線の良否を決定するようにしたものであ
る。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による半導体装置であ
るところのマルチチップ・モジュールのベース基板にお
けるパッドと配線の様子を模式的に示したものである。
図１(a) において、１９はベース基板の外周部に形成さ
れた、ベース基板２とパッケージ１間を接続するための
ボンディングパッド（Ａパッド）、２０はベース基板の
内側に形成された、ベース基板２とＩＣ３間を接続する
ためのボンディングパッド（Ｂパッド）、２１はこのＢ
パッド２０に隣接してこれに接続されるようにベース基
板２に作り込まれたダイオードであり、他端は接地２２
されている。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４９】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置によれば、半導体集積回路チップを搭載するベース基
板に、半導体集積回路チップと当該基板との接続用端子
に一端が接続され、他端が所定電位に接続されたダイオ
ードを設けるようにしたので、ベース基板とパッケージ
との接続用のパッドのみにプローブを接触させることに
よりベース基板の検査が可能となり、プローブカードの
ピン数を削減でき、安価なプローブカードが実現可能と
なり、併せてプローブと検査パッド間の接触不良の確率
を低減できる効果がある。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５０】また、この発明に係る半導体装置によれ
ば、上述のダイオードをベース基板に作り込むようにし
たので、ベース基板の製造工程でこのダイオードを付与
でき、検査機能の付与によるコストアップを極力少なく
することができる。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５１】また、この発明に係る半導体装置の検査方
法によれば、導通検査用のダイオードが設けられたベー
ス基板上に形成されるＩＣ搭載用のパッドのみにプロー
ブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイオ
ードに流れる電流値を測定し、当該測定値をもとにベー
ス基板内の配線の良否を判定するようにしたので、導通
検査用のダイオードが設けられたベース基板の検査を、
プローブカードの針を基板外周部のパッドに接触するも
ののみとして行なうことができ、ダイオードに流れる電
流の測定結果により、ベース基板の配線の不良の有無お
よびその種類を判定できる効果がある。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５２】さらに、この発明に係る半導体装置の検査
方法によれば、導通検査用のダイオードが設けられたベ
ース基板上に形成されるＩＣ搭載用のパッドのみにプロ
ーブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイ
オードに流れる電流値を測定し、当該測定値をもとにベ
ース基板内の配線の良否を判定するようにしたので、導
通検査用のダイオードが設けられたベース基板の検査
を、プローブカードの針を基板外周部のパッドに接触す
るもののみとして行なうことができ、ダイオードに流れ
る電流の測定結果により、ベース基板の配線の不良の有
無およびその種類を判定できる効果がある。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の配線お
よびパッドの一例を示す模式図である。

【図２】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の検査方
法における配線およびパッドの一例を示す模式図であ
る。

【図３】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の検査方
法における配線およびパッドの一例を示す模式図であ
る。

【図４】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の検査方
法における配線およびパッドの一例を示す模式図であ
る。

【図５】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の検査方
法における配線およびパッドの一例を示す模式図であ
る。

【図６】この発明の他の実施例による半導体装置である
ところのマルチチップ・モジュールのベース基板の配線
およびパッドの一例を示す模式図である。

【図７】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板のダイオ
ードの構造を示す断面図である。

【図８】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板のダイオ
ードの構造を示す断面図である。

【図９】この発明のさらに他の実施例による半導体装置
であるところのマルチチップ・モジュールのベース基板
の配線およびパッドの一例を示す模式図である。

【図１０】この発明の一実施例による半導体装置である
ところのマルチチップ・モジュールのベース基板のダイ
オードの構造を示す断面図である。

【符号の説明】１９，２３，３６パッド２０，２４，２５，３０，３１，３７，３８パッド２１，２６，２７，３２，３３，３７，３８ダイオー
ド２２，２８，２９，３４，３５，４０接地 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年６月３０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 23/12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージに封入しない状態の複数の半
導体集積回路チップ（以下、ＩＣチップと称す）を同一
パッケージ内に搭載してなるマルチチップ・モジュール
の、ＩＣチップを搭載するベース基板において、上記ベース基板に、ＩＣチップと当該基板との接続用の
端子に一端が接続され、他端が所定電位に接続されたダ
イオードを設けてなることを特徴とするマルチチップ・
モジュールのベース基板。
【請求項２】パッケージに封入しない状態の複数の半導
体集積回路チップ（以下、ＩＣチップと称す）を同一パ
ッケージ内に搭載してなるマルチチップ・モジュール
の、ＩＣチップを搭載するベース基板において、上記ベース基板に、ＩＣチップと当該基板との接続用の
端子に一端が接続され、他端が所定電位に接続されたダ
イオードを基板内に作り込んでなることを特徴とするマ
ルチチップ・モジュールのベース基板。
【請求項３】パッケージに封入しない状態の複数の半導
体集積回路チップ（以下、ＩＣチップと称す）を同一パ
ッケージ内に搭載し、ＩＣチップと当該基板との接続用
の端子に一端が接続され、他端が所定電位に接続された
ダイオードを設けてなるマルチチップ・モジュールの、
ＩＣチップを搭載するベース基板の検査方法において、上記ベース基板のＩＣチップと当該基板との接続用の端
子のみにプローブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を
測定し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を決定す
るようにしたことを特徴とするマルチチップ・モジュー
ルのベース基板の検査方法。
【請求項４】パッケージに封入しない状態の複数の半導
体集積回路チップ（以下、ＩＣチッ５と称す）を同一パ
ッケージ内に搭載し、ＩＣチップと当該基板との接続用
の端子に一端が接続され、他端が所定電位に接続された
ダイオードを作り込んでなるマルチチップ・モジュール
の、ＩＣチップを搭載するベース基板の検査方法におい
て、上記ベース基板のＩＣチップと当該基板との接続用の端
子のみにプローブカードを当接させ、単数もしくは複数個の上記ダイオードに流れる電流値を
測定し、当該測定値をもとにベース基板内の配線の良否を決定す
るようにしたことを特徴とするマルチチップ・モジュー
ルのベース基板の検査方法。