JPH063620A - レーザー照射方法およびその装置 - Google Patents

レーザー照射方法およびその装置

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JPH063620A
JPH063620A JP18606092A JP18606092A JPH063620A JP H063620 A JPH063620 A JP H063620A JP 18606092 A JP18606092 A JP 18606092A JP 18606092 A JP18606092 A JP 18606092A JP H063620 A JPH063620 A JP H063620A
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JP
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laser
laser beam
optical path
beams
polarized
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JP18606092A
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English (en)
Inventor
Shinichi Nagata
信一 永田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光点径を小さく保ったまま、焦点深度を増大
することができるレーザー照射方法を提供する。 【構成】 レーザーダイオード1から射出されるレーザ
ービームLを、特殊プリズム2によりP偏光ビームとS
偏光ビームに分離し、両ビーム間に所定の光路差を生ぜ
しめてからfθレンズ5に同軸上に入射させることによ
り、像面上に配置される感光材料6において結像する両
ビームのビームウエストの位置をビームの進む方向に所
定量だけずらす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光点径を小さく維持し
ながら焦点深度を増大させるためのレーザー照射方法お
よびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば製版分野においては、感光材料
(感光フィルム)に画像を記録するために、画像信号に
よって変調されたレーザービームを集光し、このレーザ
ービームを被照射面としての感光材料に照射するレーザ
ー記録装置が用いられている。
【0003】また、半導体製造の分野においては、フォ
トマスクを作成する一工程において、マスク部材の表面
に塗布された感光材料(フォトレジスト)にマスクパタ
ーンに応じて変調されたレーザービームを集光して照射
するマスク描画装置が用いられている。
【0004】レーザー記録装置及びマスク描画装置は、
レーザービームと感光材料とを主走査方向及び副走査方
向に相対的に移動することにより、2次元的画像及びマ
スクパターンを得ている。感光材料の移動に関しては、
感光材料を回転ドラム上に貼付して等速回転する方式、
感光材料を搬送機構により等速搬送またはステップ搬送
する方式、あるいは感光材料をステージ上に載置して1
軸または2軸の位置制御する方式等が行われている。
【0005】感光材料に記録されている画像や描画され
るマスクパターンの解像力を向上するためには、感光材
料に照射されるレーザービームのビーム径をできるだけ
絞って小さな光点にすることが望ましいが、レーザービ
ームの特性により、光点径を小さくしようとすれば、焦
点深度はその二乗に比例して浅くなる。
【0006】このことを具体的に図と数式により示すと
次のようになる。
【0007】図10は、レーザービームBの集光部にお
ける様子を示す図である同図(a)は、レーザービーム
Bの光点径を小さく絞った場合の図であり、その一番絞
られた位置のビームウエストBWにおけるビーム半径
(以下「ビームウエスト半径」という)ω0 とビーム発
散角θの関係は、レーザービームBの波長をλとしたと
きに、一般に次式で表される。
【0008】
【数2】
【0009】また、焦点深度は、通常、ビームウエスト
BWの位置から、ビーム半径ωが、ビームウエスト半径
ω0 の一定倍率(約1.1倍)になるまでの光路方向の
距離で定義されており、この焦点深度をdとすると、次
式で表される。
【0010】
【数3】
【0011】数2の式と数3の式から次式が導かれる。
【0012】
【数4】
【0013】数4の式から、ビームウエスト半径ω0 す
なわち光点径が小さくなればなるほど、その二乗に比例
してレーザービームBの焦点深度が浅くなることが分か
る。
【0014】このことは、図10(b)のようにビーム
ウエスト半径ω1 が大きな場合における焦点深度d1 と
比較しても明らかである。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、解像力
を向上させるためにレーザービームの光点径を小さくす
ると、焦点深度はその光点径の2乗に比例して浅くな
る。
【0016】このことは、解像力を向上させるために
は、レーザービームの光点径を小さくすることはもとよ
り、レーザービームのビームウエスト位置に被照射面を
正確にしかも継続して配置する必要がある、ということ
である。換言すれば、ビームウエスト位置と被照射面と
が照射方向に相対的にずれた場合には、図10(a)か
ら明らかなように、被照射面に照射されるレーザービー
ムの光点径が容易に変動してしまい、解像力がむしろ低
下することになる。
【0017】しかしながら、レーザービームのビームウ
エスト位置は、温度変化に対して変動し易く、特定の位
置に維持させることは困難であり、また感光材料を移動
する手段についても照射方向に対する変動があるので、
同方向に対して特定位置に維持しながら感光材料を移動
することも困難である。従って、光点径は小さくても焦
点深度が浅いレーザービームを用いたのでは、画像やマ
スクパターンの解像力を実際的に向上させることは容易
ではない。
【0018】同様な問題は、上述のようなレーザー記録
装置やマスク描画装置のみならず、レーザーによる精密
加工装置やレーザープリンターなど、レーザービームを
集光して被照射面に照射する装置において共通の課題と
なっている。
【0019】本発明は、上述のような問題点を解消し、
光点径を小さく保ったまま、焦点深度を増大することが
できるレーザー照射方法およびその装置を提供すること
を目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明にかかるレーザー照射方法は、レー
ザービームを集光させて被照射面に照射する方法におい
て、相互に干渉しない複数のレーザービームを各レーザ
ービームの中心軸を一致させ、かつ集光部における各レ
ーザービームのビームウエスト位置を前記中心軸方向に
相互に若干ずらして前記被照射面に照射することを特徴
とする。
【0021】また、請求項2の発明は、請求項1のレー
ザー照射方法において、被照射面に照射される複数のレ
ーザービームが、全エネルギーとビームウエスト半径が
それぞれ等しい2本の第1及び第2レーザービームであ
り、各ビームウエストの離間距離xが次式によって規定
されることを特徴とする。
【0022】
【数5】
【0023】また、請求項3の発明は、請求項2のレー
ザー照射方法において、第1レーザービームは基本レー
ザービームから分離されたP偏光ビーム、第2レーザー
ビームは前記基本レーザービームから分離されたS偏光
ビームであり、前記第1及び第2レーザービームの光路
長を前記離間距離xに対応する長さだけ異ならせること
を特徴とする。
【0024】また、請求項4の発明は、レーザービーム
照射装置に関するものであって、レーザー光源から出射
されるレーザービームを集光光学系によって集光させて
被照射面に照射する装置において、前記レーザー光源か
ら出射されるレーザービームをP偏光ビームとS偏光ビ
ームとに分離するビーム分離手段と、前記P偏光ビーム
の光路長と前記S偏光ビームの光路長とを若干異なら
せ、かつ両ビームの中心軸を一致した合成レーザービー
ムを出射する光路差発生手段とを設け、前記合成レーザ
ービームを前記集光光学系を介して前記被照射面に照射
することを特徴とする。
【0025】
【作用】請求項1記載のレーザー照射方法では、各レー
ザービームのビームウエスト位置が中心軸方向に相互に
若干ずれているので、集光部におけるエネルギー密度分
布は、各レーザービームが合成されたものとなり、両端
のビームウエスト間で中心軸方向に拡大される。
【0026】請求項2記載のレーザー照射方法では、第
1及び第2レーザービームを用い、各ビームウエストの
離間距離xについて数5の式を満足すると、その離間距
離xの範囲全域で特定エネルギー密度(t)以上のエネ
ルギー密度が得られる。
【0027】請求項3記載のレーザー照射方法では、基
本レーザービームから分離したP偏光ビーム及びS偏光
ビームを用いることにより、互いに干渉せず、しかも全
エネルギーとビームウエスト半径が等しい第1及び第2
レーザービームを得ている。そして第1及び第2レーザ
ービームの光路長を異ならせることにより、各ビームウ
エストの位置を離間距離xだけずらしている。
【0028】請求項4記載のレーザー照射装置では、レ
ーザー光源から出射されるレーザービームはビーム分離
手段によりP偏光ビームとS偏光ビームとに分離され、
これらP偏光ビームとS偏光ビームとは、光路差発生手
段により、若干光路長を異ならせ、かつ両ビームの中心
軸が一致した合成レーザービームとされる。そして合成
レーザービームは集光光学系を介して被照射面に照射さ
れる。
【0029】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0030】まず始めに、本発明における焦点深度の考
え方を説明する。
【0031】通常使用されるレーザービームは、その主
光線と一致する中心軸に垂直な平面における中心軸から
の距離rとエネルギー密度Iとの関係が、図6に示すよ
うにガウス分布を構成するため、ガウスビームと呼ばれ
る。
【0032】一般に、中心軸から距離rの位置のエネル
ギー密度Iは、rの関数で表すことができ、この関数I
(r)は、次式で示される。
【0033】
【数6】
【0034】但し、Pは、レーザービームの全エネルギ
ーであり、また、ωは、所定位置におけるビーム半径で
あって、このビーム半径ωは、ビームウエストでのビー
ム半径ω0 、レーザービームの波長λ、中心軸上でのビ
ームウエストからの距離(デフォーカス量)Zによっ
て、次式によって表される。
【0035】
【数7】
【0036】たとえば、レーザービームで感光フィルム
などの感光材料を感光させる場合について考えてみる。
【0037】一般に感光材料を露光していくときに、露
光量が次第に増加し、ある一定の露光量に達すると黒化
を開始する。このときの露光量と黒化量の特性曲線にお
ける傾きをガンマといい、このガンマが大きいほど、黒
化が急激に生じる。
【0038】一般に、レーザー記録装置は2値画像を出
力するので、ガンマの大きな感光材料が好適であり、照
射されるレーザービームのエネルギー密度が一定値t以
上になると一気に黒化する(このエネルギー密度tを、
黒化に必要な最低限のエネルギー密度という意味で、以
下、「感光限界値」という。)。
【0039】仮に図6のエネルギー分布において感光限
界値tの値が、I(0) /2であるとすれば、中心軸から
±r1 の距離まで黒化できることになる。このときのr
1 を感光半径といい、ρで示される。
【0040】一般に、感光半径ρは、数6の式をrにつ
いて展開し、I(r)をtとおくことにより次式で示さ
れる。
【0041】
【数8】
【0042】たとえば、ω0 =15μm、λ=780n
mの場合、数7の式を数8の式に代入し、ρをZの関数
として、各tの値についてグラフに示すと図7のように
なる。
【0043】感光材料に対する焦点深度dは、感光材料
がレーザービームによって感光しなくなるまで、すなわ
ち感光半径ρが“0”になるまでのデフォーカス量Zに
よって決定される。図7のグラフにおいて、たとえば、
感光限界値tが、I(0) /2の場合、感光半径ρが
“0”になるデフォーカス量Zは0.9mmとなり、実際
は−Zの方向にも焦点深度が伸びているから、焦点深度
dの値は、±0.9mmとなる。
【0044】図9(a)は、上述の単一ビームについ
て、デフォーカス量Zとエネルギー密度分布の関係を示
す図である。
【0045】同図から容易に分かるように単一ビームの
場合は、デフォーカス量Zが微少量変化するだけでI
(0) 値が極端に減少し、すぐに感光限界値t以下にな
る。このことは焦点深度dが小さいことを示している。
【0046】しかし、図5に示すように2本のレーザー
ビームを合成し、各ビームのビームウエスト位置の間隔
を所定の条件を満たす量に設定することにより、その焦
点深度を増大することができる。
【0047】図5は、合成された2本のレーザービーム
B1 ,B2 の集光部における重なりの様子を示す図であ
る。同図において第1のレーザービームB1 の中心軸と
第2のレーザビームB2 の中心軸とは一致しており、そ
の中心軸をCA軸にとって、各ビームウエストBW1 、
BW2 の離間距離をxとし、その中点がCA軸の“0”
になるように座標をとる。また例えば、第1のレーザー
ビームB1 はP偏光ビーム、第2のレーザービームB2
はS偏光ビームとなっており、両ビームB1 ,B2 は互
いに干渉しない。
【0048】第1のレーザービームB1 と第2のレーザ
ービームB2 が合成されて合成レーザービームが形成さ
れるが、この合成レーザービームのCA軸に垂直なある
平面におけるエネルギー密度I(r)は、数6の式に基
づいて次式によって与えられる。
【0049】
【数9】
【0050】上述の単一ビームの場合との比較を容易に
するため、ω0 =ω0 ´=15μm、λ=780nm、
P1 =P2 、t=I(0) /2とし、第1のレーザービー
ムB1 のビームウエスト位置がCA=−1.25mm、
第2のレーザービームB2 のビームウエスト位置がCA
=1.25mmにある場合について、デフォーカス量Z
とエネルギー密度分布の関係を示すと図9(b)に示す
ようになる。
【0051】同図における点線b1 は、第1のレーザー
ビームB1 のエネルギー密度曲線、一点鎖線b2 は第2
のレーザービームB2 のエネルギー密度曲線、実線b3
は合成レーザービームのエネルギー密度曲線を示してお
り、この合成レーザービームのエネルギー密度曲線b3
と図9(a)の単一ビームの場合のエネルギー密度曲線
の変化を比較すると、デフォーカス量Zの変化に対して
I(0)の減少が小さく、焦点深度が増大しているのが容
易に理解できる。
【0052】図8は、合成レーザービームにおける感光
限界値t=I(0) /2の場合の感光半径ρとデフォーカ
ス量Zの関係を示すグラフである。
【0053】実線81、実線82は、合成レーザービー
ムにおいてビームウエスト間の距離xをそれぞれ1.5
mm、2.5mmに設定した場合のグラフである。上述
のように焦点深度dは、ρ=0のときのデフォーカス量
Zで決定するから、ビームウエスト間の距離xが1.5
mmのときの焦点深度d=±1.6mm,同じくxが
2.5mmのときの焦点深度d=±2.2mmを得るこ
とができ、単一ビーム(点線83)のときの焦点深度d
=±0.9mmに比較して2倍以上増大している。
【0054】この結果から同じ合成レーザービーム同士
であっても、ビームウエスト間の距離xが大きければ大
きいほど焦点深度dを大きくなることがいえるが、ビー
ムウエスト間距離xが所定以上になると、実線82の凹
部82aに示されるようにビームウエスト間の中央部の
合成エネルギー密度が低下しだす。この中央部における
合成エネルギー密度の最低値は、デフォーカス量Z=0
のときのエネルギー密度I(0) で与えられ、この値をM
in(I)と表わすとすると、感光限界値tに対し、t
<Min(I)となる範囲でビームウエスト間の距離x
が規定される。
【0055】このようなxの範囲を、第1と第2のレー
ザービームB1 、B2 について、両ビームのパワーおよ
びビームウエスト径が等しい場合について求めると次の
ようになる。
【0056】すなわち、数9の式において、r=0,Z
=0,P1 =P2 =P、およびω0=ω0 ´として、ま
ず次式を得る。
【0057】
【数10】
【0058】一方、感光限界値tは、数6の式でr=0
とおいて得られる各ビームの最大エネルギー密度I(0)
に対するS倍として次式で定義されうる。
【0059】
【数11】
【0060】ただし、感光限界値tが、2本のレーザー
ビームの最大エネルギー密度の和より大きければ感光し
ないので、係数Sの大きさは、0<S<2の範囲内で決
定されることになる。
【0061】上述のようにビームウエスト間において感
光するための条件は、t<Min(I)であったから、
この条件式に数10の式および数11の式を代入して、
【0062】
【数12】
【0063】の式を得、これをxについて解けば、
【0064】
【数13】
【0065】を得る。
【0066】但し、係数Sは、数11の式より、
【0067】
【数14】
【0068】で与えられる。
【0069】従って、数13の式による範囲内でビーム
ウエスト離間距離xが設定されることによりビームウエ
スト間におけるエネルギー密度の最大値を常に、感光限
界値t以上に保ちながら焦点深度dを増大することがで
きる。
【0070】なお、上述の実施例においては、2本のレ
ーザービームの場合について述べたが、理論上3本以上
のレーザービームについても、これらのレーザービーム
を合成して得られた合成レーザービームの中心軸と垂直
な平面におけるエネルギー密度の最大値が、各ビームウ
エスト間において所定値以下にならないように、各ビー
ムウエスト間の距離を規定することによって焦点深度を
益々増大させることができる。この場合、各ビームの干
渉によってエネルギー密度が減殺される可能性が2本の
場合よりも大きくなるが、各ビームの波長、使用する集
光光学系の焦点距離、および各ビームウエストの離間距
離を適切に調整することによって結像部分における干渉
の影響を避け得るものである。
【0071】次に、合成レーザービームを用いて感光材
料に画像を記録するレーザー記録装置の実施例について
説明する。
【0072】図1は、レーザー記録装置100の構成を
示す図である。
【0073】レーザーダイオード1から出射されたレー
ザービームLは、ビーム分離手段と光路差発生手段を一
体として形成した偏光ビームスプリッター付き特殊プリ
ズム2に入射されて、P偏光ビームとS偏光ビームに分
離され、所定量の光路差を設けられた後に、中心軸が一
致された合成レーザービームL´として特殊プリズム2
から出射される。
【0074】図2(a)は、当該特殊プリズム2の構成
を示す平面図であり、同図(b)は、その斜視図であ
る。
【0075】特殊プリズム2は、2個のプリズム部材2
1と22を透明接着剤により接合することにより形成さ
れるが、プリズム部材21と22の接合面には蒸着によ
って偏光ビームスプリット面23が形成されている。こ
の偏光ビームスプリット面23は、レーザービームLの
P成分を透過させ、S成分を反射させることにより、レ
ーザービームLを2本のビームLp,Lsに分離する。
【0076】ビームLpは、プリズム部材21の内側面
21aのB点で全反射し、ビームLsは、プリズム部材
22の内側面22aのD点で全反射し、それぞれ偏光ビ
ームスプリット面23のC点で合一して同軸となって特
殊プリズム2からレーザービームL´として出射され
る。
【0077】今、プリズム部材21、22の屈折率をと
もにnとすると、ビームLpとLsの光路差Δlは、
【0078】
【数15】
【0079】と表される。
【0080】レーザービームL´は、図1において、コ
リメートレンズ3を通過して平行光線に変えられ、等角
速度で回転するポリゴンミラー4のミラー面4aで偏向
され、fθレンズ5に入射される。
【0081】このfθレンズ5は、入射角が異なったビ
ームを常に同一平面上に結像させるように形成されたレ
ンズであって、これを通過したレーザービームL´は、
結像面上に配置される感光材料6の表面に結像され、レ
ーザービームL´のビームスポットは、ポリゴンミラー
4の回転に応じて感光材料6の表面を等速移動する。
【0082】今、仮にコリメートレンズ3とfθレンズ
5の焦点距離の比を1対4とすれば、レーザーダイオー
ド1と感光材料6の間の光学的な縦倍率は、その2乗比
の1対16になる。
【0083】また、特殊プリズム2におけるABCの光
路長とADCの光路長の差を0.24mmとし、プリズ
ム部材21、22に屈折率nが1.51のものを用い、
その光路差Δlを数15の式より求めて16倍すれば、
レーザービームL´に含まれる各ビームLp,Lsの結
像位置すなわちビームウエストの位置は、約2.5mm
ずれることになる。
【0084】レーザダイオード1のチップのへき開面を
図1の紙面に対して45°傾くように設定すると、特殊
プリズム2で分離されるビームLp,Lsのビーム強度
比が1対1になってその全エネルギーが等しくなるか
ら、各ビームウエスト半径ω0が15μmになるように
設定すれば、図8のグラフの実線82により、焦点深度
dは±2.2mmとなり、従来の単一ビームの場合にお
ける±0.9mmに比べて2倍以上増加することにな
る。
【0085】なお、感光材料6の表面は、レーザービー
ムL´に含まれるビームLpとビームLsのそれぞれの
ビームウエストの中間の位置に設定するのが望ましい。
【0086】上述の実施例においては、ビーム分離手段
と光路差発生手段が一体として形成された偏光ビームス
プリッター付きの特殊プリズム2を用いて、ビームLp
とビームLs間に光路差を設けるようにしているので、
当該光路差が異なる特殊プリズムを数種用意し簡単に交
換できるようにしておけば、レーザービームの波長や、
結像面における感光材料の種類などに応じて容易にビー
ムウエスト離間距離xを変更できて便利である。
【0087】また、特殊プリズム2と同じ作用は、図
3、図4に示すような変形実施例においても得ることが
できる。
【0088】すなわち、図3においては、2つの偏光ビ
ームスプリッターを7a,7bを対角に配し、偏光ビー
ムスプリッター7aのE点を通過したP偏光ビームLp
は、ミラー8aのF点で反射して偏光ビームスプリッタ
ー7bのG点に入射し、一方、偏光ビームスプリッター
7aのE点で反射したS偏光ビームLsは、ミラー8b
のH点で反射して偏光ビームスプリッター7bのG点で
反射し、P偏光ビームLpと同軸上になって出射され、
三角形EFGと三角形EHGを非対称にすることによっ
て所定の光路差を得ることができる。
【0089】また、図4に示すように、三角形EFGと
三角形EHGを対称にして光路長を等しくしておき、一
方の光路の途中に、幅W、屈折率nの透明な平行平面部
材9を挿入するようにしてもよい。
【0090】同図の場合、S偏光ビームLsの光路長を
P偏光ビームLpより、W/nだけ短くすることができ
ることになる。この挿入する平行平面部材9の幅W、屈
折率nの値を適当に設定することにより容易に光路差を
変更することができて便利である。
【0091】上述のように、レーザービームをP偏光ビ
ームとS偏光ビームに分離し、それらの間に所定の光路
差を設けてから集光光学系に入射させる方式によれば、
両ビームの干渉のおそれがなく、また、各ビームウエス
トの離間距離を容易に調整することができる。
【0092】なお、図1の実施例におけるポリゴンミラ
ー4やfθレンズ5は、必要に応じて、他の集光光学系
を用いてもよく、例えばレーザービームを偏向せずに固
定させておいて、感光材料6の方を移動させるようにし
てもよい。
【0093】また、分離されるP偏光ビームとS偏光ビ
ームの強度比は必ずしも1対1である必要はなく、レー
ザーダイオード1と所定のビーム分離手段との間にλ/
2板を挿入し、当該λ/2板を回転させることにより、
必要に応じて両者の強度比を変更するようにしてもよ
い。
【0094】さらに本実施例においては、レーザー記録
装置について説明しているが、本発明の用途はこれに限
定されるものではなく、レーザーを用いた加工装置や異
物検査装置、またはマスク描画装置など、およそレーザ
ービームを用い、その光点径とエネルギー密度を維持し
ながら一定限度の焦点深度が必要な装置の全てについて
適用できるものである。
【0095】
【発明の効果】上述のように、請求項1記載のレーザー
照射方法によれば、複数のレーザービームの集光部にお
けるエネルギー密度分布を両端のビームウエスト間で中
心軸方向に拡大できるので、レーザービームの光点径を
小さくしても焦点深度を増大することができる。従っ
て、解像力の向上も容易に達成することができる。
【0096】また請求項2記載のレーザー照射方法によ
れば、第1及び第2レーザービームのビームウエストの
離間距離xの範囲全域で特定エネルギー密度(t)以上
のエネルギー密度が得られるので、確実に焦点深度を増
大することができる。
【0097】また請求項3記載のレーザー照射方法によ
れば、基本レーザービームからP偏光ビーム及びS偏光
ビームを分離しているので、互いに干渉せず、しかも全
エネルギーとビームウエスト半径が等しい第1及び第2
レーザービームを容易に得ることができる。そして第1
及び第2レーザービームの光路長を異ならせることによ
り、各ビームウエストの位置を容易に設定することがで
きる。
【0098】請求項4記載のレーザー照射装置によれ
ば、ビーム分離手段と光路差発生手段とを設けるのみで
焦点深度を増大できるので、従来の装置に対して簡単な
構成を付加するのみで実際的に解像力の高いレーザー照
射装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかるレーザー記録装置の構
成を示すブロック図である。
【図2】図1のレーザー記録装置における特殊プリズム
の構成を示す図である。
【図3】光路差発生手段の別の実施例を示す図である。
【図4】光路差発生手段のさらに別の実施例を示す図で
ある。
【図5】合成レーザービームの集光部における重なりの
様子を示す図である。
【図6】単一ビームにおける中心軸からの距離とエネル
ギー密度の関係を示す図である。
【図7】単一ビームにおける感光半径とデフォーカス量
の関係を示す図である。
【図8】合成レーザービームにおける感光半径とデフォ
ーカス量の関係を示す図である。
【図9】単一ビームと合成レーザービームにおける、デ
フォーカス量と、エネルギー密度の分布の関係を示す図
である。
【図10】光点径が異なる2種類の単一ビームのビーム
ウエスト部分の様子を示す図である。
【符号の説明】
1 レーザーダイオード 2 特殊プリズム 3 コリメートレンズ 4 ポリゴンミラー 5 fθレンズ 6 感光材料 7a,7b 偏光ビームスプリッター 8a,8b ミラー 9 平行平面部材 21、22 プリズム部材 23 偏光ビームスプリット面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザービームを集光させて被照射面に
    照射する方法において、 相互に干渉しない複数のレーザービームを各レーザービ
    ームの中心軸を一致させ、かつ集光部における各レーザ
    ービームのビームウエスト位置を前記中心軸方向に相互
    に若干ずらして前記被照射面に照射することを特徴とす
    るレーザー照射方法。
  2. 【請求項2】 前記被照射面に照射される複数のレーザ
    ービームは、全エネルギーとビームウエスト半径がそれ
    ぞれ等しい2本の第1及び第2レーザービームであり、
    各ビームウエストの離間距離xが次式によって規定され
    ることを特徴とする請求項1記載のレーザー照射方法。 【数1】
  3. 【請求項3】 前記第1レーザービームは基本レーザー
    ビームから分離されたP偏光ビーム、前記第2レーザー
    ビームは前記基本レーザービームから分離されたS偏光
    ビームであり、前記第1及び第2レーザービームの光路
    長を前記離間距離xに対応する長さだけ異ならせること
    を特徴とする請求項2記載のレーザー照射方法。
  4. 【請求項4】 レーザー光源から出射されるレーザービ
    ームを集光光学系によって集光させて被照射面に照射す
    る装置において、 前記レーザー光源から出射されるレーザービームをP偏
    光ビームとS偏光ビームとに分離するビーム分離手段
    と、 前記P偏光ビームの光路長と前記S偏光ビームの光路長
    とを若干異ならせ、かつ両ビームの中心軸を一致した合
    成レーザービームを出射する光路差発生手段と、を設
    け、前記合成レーザービームを前記集光光学系を介して
    前記被照射面に照射することを特徴とするレーザー照射
    装置。
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