JPH06350379A - 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造 - Google Patents

弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造

Info

Publication number
JPH06350379A
JPH06350379A JP5133532A JP13353293A JPH06350379A JP H06350379 A JPH06350379 A JP H06350379A JP 5133532 A JP5133532 A JP 5133532A JP 13353293 A JP13353293 A JP 13353293A JP H06350379 A JPH06350379 A JP H06350379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrode pad
lead wire
acoustic wave
surface acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5133532A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Tooike
健一 遠池
Ranko Hatsuda
蘭子 初田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP5133532A priority Critical patent/JPH06350379A/ja
Publication of JPH06350379A publication Critical patent/JPH06350379A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05073Single internal layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05556Shape in side view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48491Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 十分な接合強度を有する弾性表面波素子リー
ドワイヤ取付部構造を得る。 【構成】 圧電体基板上に形成されたすだれ状電極と一
体に形成された電極パッド部上に形成された電極パッド
部と同種の金属からなる嵩上げ部を有し、嵩上げ部にリ
ードワイヤがワイヤボンディングにより接続される弾性
表面波素子リードワイヤ接続構造の電極パッド部と嵩上
げ部との間にさらに電極パッド部及び嵩上げ部とは異な
る金属からなる中間層が形成されている。異種金属であ
る中間層としては5nm厚のチタンが使用可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電性基板上に複数の
弾性表面波変換器を同一伝搬路上に配置して構成される
弾性表面波素子電極の引き出し線取付構造に係るもので
ある。
【0002】
【従来の技術】情報化時代といわれる今日、自動車に取
り付けた自動車電話等の移動体通信装置特に携帯用電話
器の普及には、目覚しいものがある。この携帯用電話器
はその普及にともないその小型・低損失化に対する要求
がますます大きくなり、この携帯電話器において使用さ
れる個々の部品に対しても小型・低損失化の要求が高ま
っており、主要な構成部品である発振器あるいは高周波
フィルタにこの要求に応えるものとして弾性表面波(Su
rface Acoustic Wave=SAW)素子が用いられてい
る。
【0003】初めに弾性表面波素子の代表的なものであ
るSAWフィルタの一般的な構造を説明する。SAWフ
ィルタは、図1(a)に示すように圧電体単結晶基板1
と、この圧電体単結晶基板1の表面に各々間隔を置いて
配置された送信側すだれ状電極2と受信側すだれ状電極
3によって構成されており、高周波電流源4から送信側
すだれ状電極2に供給された高周波は送信側すだれ状電
極2により弾性表面波に変換されて送信され、送信され
た弾性表面波は圧電体単結晶基板1の表面を伝搬して受
信側すだれ状電極3で受信され、受信側すだれ状電極3
において再び高周波電圧に変換されて、負荷5に供給さ
れる。
【0004】この送信側すだれ状電極2と受信側すだれ
状電極3とはほぼ同様な構造を有しているので、送信側
すだれ状電極2の具体的な構造について説明する。送信
側すだれ状電極2は対向して配置された第1電極6及び
第2電極7から構成されており、第1電極6は弾性表面
波の伝搬する方向に対して直角方向に延在して表面波の
伝搬方向に沿って間隔をおいて配置された第1電極素子
8,8・・・及びこの第1電極8,8・・・同士を電気
的に接続する第1電極接続部9から構成され、第2電極
7は同様に第2電極素子10,10・・・及び第2電極
接続部11から構成されている。第1電極と第2電極と
は対向して配置されており、第1電極素子と第2電極素
子とは弾性表面波の進行方向に対して交互に配置されて
いる。第1電極接続部9と第2接続電極部11とは高周
波電圧を供給するための電極パッド部にもなっている。
【0005】圧電体単結晶基板1の表面に形成された各
電極は、厚さ0.1〜0.2μm程度のアルミニウムによ
って構成され、所定のパターン形状は蒸着及びホトエッ
チングによって形成される。図2に電極パッド部(第1
電極接続部)9の拡大断面図を示す。図2(a)に示す
ように、圧電体基板1の上に形成された電極パッド9に
高周波電圧を供給するためのリードワイヤ12が圧接
(ワイヤボンド)法によってワイヤボンド部13に接続
されている。このようにして構成されているワイヤボン
ド部13は電極パッド部9のアルミニウム層が厚さ0.
1〜0.2μm程度と薄いため、ワイヤボンド部13に
十分な強度を得ることができない。そのため製造工程に
おいて接続されているリードワイヤ12に、図2(b)
に示すように外力が付加されると、強度が低下している
電極パッド部9に応力が集中し、その結果電極パッド部
9が破壊されることがある。
【0006】この問題をさけるために、図3(a)に示
すように電極部全体をアルミニウムにより厚さ0.1〜
0.2μm程度に形成した後、電極パッド部9のみに蒸
着又はスパッタによりさらに厚さ1μm程度のアルミニ
ウムを形成した嵩上げ部14を設け、この嵩上げ部14
にリードワイヤ12をワイヤーボンド法により接続する
方法がある。しかし、このような嵩上げ部を設けた構成
を採っても図3(b)に示すように嵩上げ部14そのも
のが電極パッド部9から剥離してしまう現象が生じるこ
とが観察された。
【0007】また、この他に電極パッド部9の表面をエ
ッチングにより清浄にしてそこに嵩上げ部14を形成す
る方法がありこの方法による場合は一定の効果はあるが
エッチングという別の工程が必要になるため製造工程が
複雑になるばかりでなく、エッチング処理を行った電極
パッド9が嵩上げ工程が行われるまでの間に再び酸化さ
れてしまい、接合強度が不十分になることがある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本願においては、複雑
な製造工程によらなくても十分な接合強度を有する接合
構造を得ることを発明の課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らはその原因について種々検討した結果、
電極パッド部を構成するアルミニウムの表面に存在する
酸化アルミニウムによって嵩上げ部のアルミニウムの電
極パッド部のアルミニウムに対する接合が不十分である
ことがあるためであるという結論に達した。そこで、本
発明者らは鋭意研究を行った結果アルミニウムで構成さ
れる電極パッド部と、同様にアルミニウムで構成される
嵩上げ部との間にチタン(Ti)等の異種金属からなる
中間層を設けることによりアルミニウム同士の接合強度
が高くなることを見いだしたものであり、このことを利
用して電極パッド部と嵩上げ部の強固な接合部構造を創
作したものであり、すなわち本願においては「圧電体基
板上に形成されたすだれ状電極と一体に形成された電極
パッド部、該電極パッド部上に形成された該電極パッド
部と同種の金属からなる嵩上げ部からなり、該嵩上げ部
にリードワイヤがワイヤボンディングにより接続される
弾性表面波素子リードワイヤ接続構造であって、該弾性
表面波素子リードワイヤ接続構造は電極パッド部と嵩上
げ部との間にさらに電極パッド部及び嵩上げ部とは異な
る金属からなる中間層が形成されていることを特徴とす
る弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造」であること
を構成とする発明を提供する。
【0010】
【作用】上記構成を有する本願発明においては、アルミ
ニウムで構成された電極パッド部と同様にアルミニウム
で構成された嵩上げ部との間に存在する異種金属により
強固な接合部が構成される。
【0011】
【実施例】本発明の実施例を説明する。図4に示す本発
明実施例の接合部には図3(a)に示したように、厚さ
0.1〜0.2μm程度のアルミニウムにより形成された
電極パッド部9と、厚さ1μm程度のアルミニウムによ
り形成された嵩上げ部14との間に厚さ5nmのTi膜
からなる中間層15が設けられている。
【0012】このTi膜により、電極パッド部9と嵩上
げ部14との間の密着強度は十分なものとなり、その強
度は圧電体基板1と電極パッド9との密着強度より大き
い。そのため、リードワイヤ12に外力が加わった場合
には嵩上げ部14と電極パッド9の接合部が破壊される
ことはなく、電極パッド部9が圧電体基板1から剥離し
てしまう。表1に本願発明の接合構造を採用した弾性表
面波素子と従来の接合構造を採用した弾性表面波素子の
リードワイヤ引っ張り強度試験の結果を示す。この表に
おいて、本願発明実施例は、厚さ5nmのTi層を介して
1μ厚の嵩上げ部を設けたものであり、第1番目の従来
例は嵩上げをしていないもの、第2番目の従来例は嵩上
げのみを行ったもの、第3番目の従来例は電極パッド部
の表面をエッチングにより清浄にしてそこに嵩上げを行
ったものであり、各々5個の試料について引っ張り試験
を行った結果である。
【表1】
【0013】
【発明の効果】第1表に示されているように、本願発明
の5nmのチタンを介在させたものはこの層を介在させて
いない従来例のものに対して引っ張り強度試験結果いい
かえれば電極パッド部の接合強度は飛躍的に向上してい
るということができる。以上説明した実施例において
は、厚さ5nmのチタン膜を介在させたが、金属膜の厚さ
は適当な接合強度が得られるならば他の適当な厚さにす
ることが可能である。また、チタン以外の金属であって
もアルミニウムと良好な接合を得ることができる金属な
らば他の金属(例えばニッケル)を使用することも可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】SAWフィルタの構造図。
【図2】図1のSAWフィルタの電極パッド部の拡大断
面図。
【図3】従来の電極パッド部の拡大断面図。
【図4】本発明実施例の電極パッド部の拡大断面図。
【符号の説明】
1 圧電体単結晶基板 2 送信側すだれ状電極 3 受信側すだれ状電極 4 高周波電流源 5 負荷 6 第1電極 7 第2電極 8 第1電極素子 9 第1電極接続部 10 第2電極素子 11 第2電極接続部 12 リードワイヤ 13 ワイヤボンド部 14 嵩上げ部 15 中間層
【手続補正書】
【提出日】平成5年7月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】 初めに弾性表面波素子の代表的なもので
あるSAWフィルタの一般的な構造を説明する。SAW
フィルタは、図1に示すように圧電体単結晶基板1と、
この圧電体単結晶基板1の表面に各々間隔を置いて配置
された送信側すだれ状電極2と受信側すだれ状電極3に
よって構成されており、高周波電源4から送信側すだれ
状電極2に供給された電気信号は送信側すだれ状電極2
により弾性表面波に変換されて送信され、送信された弾
性表面波は圧電体単結晶基板1の表面を伝搬して受信側
すだれ状電極3で受信され、受信側すだれ状電極3にお
いて再び電気信号に変換されて、負荷5に供給される。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】 この送信側すだれ状電極2と受信側すだ
れ状電極3とはほぼ同様な構造を有しているので、送信
側すだれ状電極2の具体的な構造について説明する。送
信側すだれ状電極2は対向して配置された第1電極6及
び第2電極7から構成されており、第1電極6は弾性表
面波の伝搬する方向に対して直角方向に延在して表面波
の伝搬方向に沿って間隔をおいて配置された第1電極素
子8,8・・・及びこの第1電極8,8・・・同士を電
気的に接続する第1電極接続部9から構成され、第2電
極7は同様に第2電極素子10,10・・・及び第2電
極接続部11から構成されている。第1電極と第2電極
とは対向して配置されており、第1電極素子と第2電極
素子とは弾性表面波の進行方向に対して交互に配置され
ている。第1電極接続部9と第2接続電極部11とは高
周波電源を供給するための電極パッド部にもなってい
る。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】 圧電体単結晶基板1の表面に形成された
各電極は、厚さ0. 1〜0. 2μm程度のアルミニウム
によって構成され、所定のパターン形状は蒸着及びホト
エッチングによって形成される。図2に電極パッド部
(第1電極接続部)9の拡大断面図を示す。図2(a)
に示すように、圧電体基板1の上に形成された電極パッ
ド9に高周波電源を供給するためのリードワイヤ12が
圧接(ワイヤボンド)法によってワイヤボンド部13に
接続されている。このようにして構成されているワイヤ
ボンド部13は電極パッド部9のアルミニウム層が厚さ
0. 1〜0. 2μm程度と薄いため、ワイヤボンド部1
3に十分な強度を得ることができない。そのため製造工
程において接続されているリードワイヤ12に、図2
(b)に示すように外力が付加されると、強度が低下し
ている電極パッド部9に応力が集中し、その結果電極パ
ッド部9が破壊されることがある。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 1 圧電体単結晶基板 2 送信側すだれ状電極 3 受信側すだれ状電極 4 高周波電源 5 負荷 6 第1電極 7 第2電極 8 第1電極素子 9 第1電極接続部 10 第2電極素子 11 第2電極接続部 12 リードワイヤ 13 ワイヤボンド部 14 嵩上げ部 15 中間層
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電体基板上に形成されたすだれ状電極
    と一体に形成された電極パッド部、該電極パッド部上に
    形成された該電極パッド部と同種の金属からなる嵩上げ
    部からなり、該嵩上げ部にリードワイヤがワイヤボンデ
    ィングにより接続される弾性表面波素子リードワイヤ接
    続構造であって、該弾性表面波素子リードワイヤ接続構
    造は電極パッド部と嵩上げ部との間にさらに電極パッド
    部及び嵩上げ部とは異なる金属からなる中間層が形成さ
    れていることを特徴とする弾性表面波素子リードワイヤ
    取付部構造。
  2. 【請求項2】 中間層を形成する異なる金属がチタンで
    あることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子リ
    ードワイヤ取付部構造。
JP5133532A 1993-06-03 1993-06-03 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造 Pending JPH06350379A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133532A JPH06350379A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133532A JPH06350379A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06350379A true JPH06350379A (ja) 1994-12-22

Family

ID=15107008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5133532A Pending JPH06350379A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06350379A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803919A1 (de) * 1996-04-25 1997-10-29 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verfahren zum Herstellen einer Metallisierung auf piezoelektrischen Substraten
US6377138B1 (en) * 1997-07-28 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device with a layered conductive film and method of producing the same
WO2012073302A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803919A1 (de) * 1996-04-25 1997-10-29 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verfahren zum Herstellen einer Metallisierung auf piezoelektrischen Substraten
US6377138B1 (en) * 1997-07-28 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device with a layered conductive film and method of producing the same
WO2012073302A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JPWO2012073302A1 (ja) * 2010-11-29 2014-05-19 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100927843B1 (ko) 압전발음체
US6825593B2 (en) Piezoelectric type electric acoustic converter
JP3308759B2 (ja) 弾性表面波装置
WO2006046545A1 (ja) 弾性表面波素子及び通信装置
CN1223083C (zh) 声表面波元件及其制造方法
KR20000076671A (ko) 표면 탄성파 장치 및 이의 제조방법
JPH06350379A (ja) 弾性表面波素子リードワイヤ取付部構造
CN115622530B (zh) 滤波装置及滤波装置的形成方法
JP2001313305A (ja) 電子部品素子、電子部品装置および通信機装置
JPH09162693A (ja) 弾性表面波素子
JP2006300784A (ja) Saw圧力センサ
JPH09162691A (ja) 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法
JP2003198311A (ja) 圧電デバイスと圧電振動片の接合方法、及び圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器
JP3389530B2 (ja) 半導体装置
JPH09153758A (ja) 弾性表面波デバイス
JP3894284B2 (ja) 圧電デバイス
JPH088677A (ja) 圧電部品
US20220271728A1 (en) Piezoelectric element
JP2000040935A (ja) 圧電デバイス
JP2001292495A (ja) 超音波探触子とその製造方法
JP2000165993A (ja) 圧電発音体素子
JPH09247781A (ja) 圧電レシーバ
JPH04135019U (ja) 弾性表面波フイルタ
JPH05335880A (ja) 多重モード水晶振動子
JP2023173311A (ja) 弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、および弾性波デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011120