JPH0634909A - 光ビーム走査装置 - Google Patents
光ビーム走査装置Info
- Publication number
- JPH0634909A JPH0634909A JP18840892A JP18840892A JPH0634909A JP H0634909 A JPH0634909 A JP H0634909A JP 18840892 A JP18840892 A JP 18840892A JP 18840892 A JP18840892 A JP 18840892A JP H0634909 A JPH0634909 A JP H0634909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- scanning
- optical path
- light
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査光学系の収差等による焦点位置ずれによ
る画像品質の劣化を生じさせることなく、被照射体に光
ビームが適正に集光させる。 【構成】 半導体レーザ34とポリゴンミラーとの間で
偏光ビームスプリッタにより分岐された光路上にコリメ
ータレンズ36Bを配設し、レンズ36Bの結像点付近
にピエゾ素子44に張り付けられた反射鏡を配設する。
被照射体と同一面上のセンサからの信号に基づいてピエ
ゾ素子44を光軸に沿って移動させて光路長を変更す
る。これによって、ポリゴンミラーで走査するときの結
像位置は、平面になり、像面湾曲が生じない。
る画像品質の劣化を生じさせることなく、被照射体に光
ビームが適正に集光させる。 【構成】 半導体レーザ34とポリゴンミラーとの間で
偏光ビームスプリッタにより分岐された光路上にコリメ
ータレンズ36Bを配設し、レンズ36Bの結像点付近
にピエゾ素子44に張り付けられた反射鏡を配設する。
被照射体と同一面上のセンサからの信号に基づいてピエ
ゾ素子44を光軸に沿って移動させて光路長を変更す
る。これによって、ポリゴンミラーで走査するときの結
像位置は、平面になり、像面湾曲が生じない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビーム走査装置にか
かり、特に、光ビームを走査光学系により被照射体へ走
査する走査光学系において生じる像面湾曲等の収差を、
補正する光ビーム走査装置に関する。
かり、特に、光ビームを走査光学系により被照射体へ走
査する走査光学系において生じる像面湾曲等の収差を、
補正する光ビーム走査装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光ビー
ムによって文字、画像等を記録材料に記録する装置とし
て、例えばコンピュータ出力情報に基づいてレーザビー
ムを走査してマイクロフィルム等の記録材料に文字等の
情報を直接記録するレーザコンピュータアウトプットマ
イクロフィルマー(レーザCOM)が知られている(特
開昭55-67722号公報)。このような光ビーム記録装置で
は、光ビームを回転多面鏡(ポリゴンミラー)及びガル
バノミラー等等の偏向手段によって偏向させた後に走査
レンズによって記録材料の記録面上に結像させ、記録材
料に情報を記録するようにしている。
ムによって文字、画像等を記録材料に記録する装置とし
て、例えばコンピュータ出力情報に基づいてレーザビー
ムを走査してマイクロフィルム等の記録材料に文字等の
情報を直接記録するレーザコンピュータアウトプットマ
イクロフィルマー(レーザCOM)が知られている(特
開昭55-67722号公報)。このような光ビーム記録装置で
は、光ビームを回転多面鏡(ポリゴンミラー)及びガル
バノミラー等等の偏向手段によって偏向させた後に走査
レンズによって記録材料の記録面上に結像させ、記録材
料に情報を記録するようにしている。
【0003】上記では、走査レンズとして次の(1)式
に示す結像関係を有するf・θレンズを用い、このf・
θレンズの焦点面(以下、像面という)に記録材料を位
置させる。
に示す結像関係を有するf・θレンズを用い、このf・
θレンズの焦点面(以下、像面という)に記録材料を位
置させる。
【0004】 s=f・tanθ …(1) 但し、s:結像点の光軸からの距離 f:f・θレンズの焦点距離 θ:光軸に対する光ビームの入射角、である ところで、f・θレンズの内部の結晶が一様でない等の
理由により、偏向手段によって偏向されf・θレンズを
透過した光ビームは像面が平面とならない。例として図
8に示すように、半導体レーザ100から射出されコリ
メータレンズ102で平行光とされたレーザビームを、
ポリゴンミラー104によって走査方向(図8矢印C方
向)に沿って偏向させた後にf・θレンズ106によっ
てドラム108に巻付けられた記録材料の記録面上に結
像させると、偏向角によってはレーザビームの焦点位置
(ビームウェスト位置)が記録面からずれ、像面が破線
110で図示するように湾曲する(以下、これを像面湾
曲面110という)。
理由により、偏向手段によって偏向されf・θレンズを
透過した光ビームは像面が平面とならない。例として図
8に示すように、半導体レーザ100から射出されコリ
メータレンズ102で平行光とされたレーザビームを、
ポリゴンミラー104によって走査方向(図8矢印C方
向)に沿って偏向させた後にf・θレンズ106によっ
てドラム108に巻付けられた記録材料の記録面上に結
像させると、偏向角によってはレーザビームの焦点位置
(ビームウェスト位置)が記録面からずれ、像面が破線
110で図示するように湾曲する(以下、これを像面湾
曲面110という)。
【0005】図8でレーザビームのビームウェスト位置
が記録面からずれている部分(特に像面湾曲面110の
端部近傍)では、記録面に照射される光ビームのビーム
径がビームウェスト位置におけるビーム径と比較して大
きくなり、記録面に照射される単位面積当りの光ビーム
のエネルギーが小さくなるので、記録面に記録される文
字、画像等が部分的に不鮮明になる等の不都合が生じ
る。近年、より大きいサイズの画像を記録できる光ビー
ム記録装置に対する要求が高まってきており、記録画像
の大サイズ化に伴って上記現象による画質低下が大きな
問題となっている。
が記録面からずれている部分(特に像面湾曲面110の
端部近傍)では、記録面に照射される光ビームのビーム
径がビームウェスト位置におけるビーム径と比較して大
きくなり、記録面に照射される単位面積当りの光ビーム
のエネルギーが小さくなるので、記録面に記録される文
字、画像等が部分的に不鮮明になる等の不都合が生じ
る。近年、より大きいサイズの画像を記録できる光ビー
ム記録装置に対する要求が高まってきており、記録画像
の大サイズ化に伴って上記現象による画質低下が大きな
問題となっている。
【0006】これを解決するために、PLZT電気光学
セラミック等を用い光ビームのビームウェスト位置を電
気的に任意に制御することが可能な電気光学レンズによ
り、像面湾曲面が平面となるように補正することが考え
られる。しかし、PLZT電気光学レンズは光透過率が
低く、かつ散乱が大きいので、光ビームのパワーを有効
に利用することができず、サイズの大きな画像を記録す
るには不向きである。また、電気光学レンズは高価であ
り、光ビーム記録装置のコストが上昇するという問題も
ある。
セラミック等を用い光ビームのビームウェスト位置を電
気的に任意に制御することが可能な電気光学レンズによ
り、像面湾曲面が平面となるように補正することが考え
られる。しかし、PLZT電気光学レンズは光透過率が
低く、かつ散乱が大きいので、光ビームのパワーを有効
に利用することができず、サイズの大きな画像を記録す
るには不向きである。また、電気光学レンズは高価であ
り、光ビーム記録装置のコストが上昇するという問題も
ある。
【0007】また、特開平3-17610 号公報では、くさび
型のプリズムを光ビームの光路上における偏向手段の前
段に配置し、このプリズムを偏向手段による偏向と同期
するように移動させるようにした走査光学装置が提案さ
れている。くさび型プリズムはプリズム上の光ビーム透
過位置を変化させると、光ビームの光路長に変化を与え
ることができ、これに伴って光ビームのビームウェスト
位置が変化する。従って、像面の湾曲を補正して平面と
なるようにプリズムを移動させれば、光ビームのビーム
ウェスト位置を記録面と一致させることが可能となる。
型のプリズムを光ビームの光路上における偏向手段の前
段に配置し、このプリズムを偏向手段による偏向と同期
するように移動させるようにした走査光学装置が提案さ
れている。くさび型プリズムはプリズム上の光ビーム透
過位置を変化させると、光ビームの光路長に変化を与え
ることができ、これに伴って光ビームのビームウェスト
位置が変化する。従って、像面の湾曲を補正して平面と
なるようにプリズムを移動させれば、光ビームのビーム
ウェスト位置を記録面と一致させることが可能となる。
【0008】しかし、像面湾曲面は一定の曲率で湾曲し
ているような単純な曲面であることは少なく(図8参
照)、上記走査光学装置によって像面を平面とするため
には1回の光ビームの走査でプリズムを複数回複雑に往
復移動させる必要があり、光ビームの走査速度を速くす
るとプリズムの慣性等が影響してプリズムを正確に移動
できず、画像等を高速に記録することは困難であった。
また、プリズムの移動が光ビームの走査速度に追従でき
たとしても、くさび型のプリズムの移動に伴って光ビー
ムの頂角が変化するので、画素の間隔が変化し画像に歪
みが生ずるという問題もあった。
ているような単純な曲面であることは少なく(図8参
照)、上記走査光学装置によって像面を平面とするため
には1回の光ビームの走査でプリズムを複数回複雑に往
復移動させる必要があり、光ビームの走査速度を速くす
るとプリズムの慣性等が影響してプリズムを正確に移動
できず、画像等を高速に記録することは困難であった。
また、プリズムの移動が光ビームの走査速度に追従でき
たとしても、くさび型のプリズムの移動に伴って光ビー
ムの頂角が変化するので、画素の間隔が変化し画像に歪
みが生ずるという問題もあった。
【0009】本発明は上記事実を考慮して成されたもの
で、走査光学系の収差等による焦点位置ずれによる画像
品質の劣化を生じさせることなく、被照射体に光ビーム
が適正に集光させることができる光ビーム走査装置を得
ることが目的である。
で、走査光学系の収差等による焦点位置ずれによる画像
品質の劣化を生じさせることなく、被照射体に光ビーム
が適正に集光させることができる光ビーム走査装置を得
ることが目的である。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載の発明は、光ビームを射出する光ビー
ム射出手段と、前記光ビームを集光しながら被照射体へ
走査する走査レンズを備えた走査光学系と、前記光ビー
ム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上に配設さ
れ、かつ入射される光ビームを集光する集光手段と、反
射面を有すると共に該反射面が前記集光手段によって集
光された光ビームの集光位置近傍に配設され、かつ光軸
方向に移動可能で移動によって光路長を変更する光路長
変更手段と、前記走査光学系から被照射体方向へ照射さ
れた光ビームの集光される位置が被照射体の位置と一致
するように前記光路長変更手段を制御する制御手段と、
を備えている。
に請求項1に記載の発明は、光ビームを射出する光ビー
ム射出手段と、前記光ビームを集光しながら被照射体へ
走査する走査レンズを備えた走査光学系と、前記光ビー
ム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上に配設さ
れ、かつ入射される光ビームを集光する集光手段と、反
射面を有すると共に該反射面が前記集光手段によって集
光された光ビームの集光位置近傍に配設され、かつ光軸
方向に移動可能で移動によって光路長を変更する光路長
変更手段と、前記走査光学系から被照射体方向へ照射さ
れた光ビームの集光される位置が被照射体の位置と一致
するように前記光路長変更手段を制御する制御手段と、
を備えている。
【0011】請求項2に記載の発明は、光ビームを射出
する光ビーム射出手段と、前記光ビームを集光しながら
被照射体へ走査する走査レンズを備えた走査光学系と、
前記光ビーム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上
に配設され、かつ入射される光ビームを光軸と交差する
方向に集光する第1の集光手段と、前記光ビーム射出手
段と前記走査レンズとの間の光路上に配設され、かつ前
記第1の集光手段が集光する方向と交差する方向に光ビ
ームを集光する第2の集光手段と、前記第1の集光手段
が集光する光を反射する第1反射面を有すると共に、該
第1反射面が前記第1の集光手段によって集光された光
ビームの集光位置近傍に配設され、かつ光軸方向に移動
可能で移動によって光路長を変更する第1の光路長変更
手段と、前記第2の集光手段が集光する光を反射する第
2反射面を有すると共に、該第2反射面が前記第2の集
光手段によって集光された光ビームの集光位置近傍に配
設され、かつ光軸方向に移動可能で移動によって光路長
を変更する第2の光路長変更手段と、前記走査光学系か
ら被照射体方向へ照射された光ビームの集光される位置
が被照射体の位置と一致するように前記第1の光路長変
更手段及び前記第2の光路長変更手段を制御する制御手
段と、を備えている。
する光ビーム射出手段と、前記光ビームを集光しながら
被照射体へ走査する走査レンズを備えた走査光学系と、
前記光ビーム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上
に配設され、かつ入射される光ビームを光軸と交差する
方向に集光する第1の集光手段と、前記光ビーム射出手
段と前記走査レンズとの間の光路上に配設され、かつ前
記第1の集光手段が集光する方向と交差する方向に光ビ
ームを集光する第2の集光手段と、前記第1の集光手段
が集光する光を反射する第1反射面を有すると共に、該
第1反射面が前記第1の集光手段によって集光された光
ビームの集光位置近傍に配設され、かつ光軸方向に移動
可能で移動によって光路長を変更する第1の光路長変更
手段と、前記第2の集光手段が集光する光を反射する第
2反射面を有すると共に、該第2反射面が前記第2の集
光手段によって集光された光ビームの集光位置近傍に配
設され、かつ光軸方向に移動可能で移動によって光路長
を変更する第2の光路長変更手段と、前記走査光学系か
ら被照射体方向へ照射された光ビームの集光される位置
が被照射体の位置と一致するように前記第1の光路長変
更手段及び前記第2の光路長変更手段を制御する制御手
段と、を備えている。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の光ビーム走査装置において、前記光路長変更
手段は、蒸着面によって形成された反射面を有するピエ
ゾ素子であることを特徴としている。
2に記載の光ビーム走査装置において、前記光路長変更
手段は、蒸着面によって形成された反射面を有するピエ
ゾ素子であることを特徴としている。
【0013】請求項4に記載の発明は、請求項1、2ま
たは3に記載の光ビーム走査装置において、前記走査レ
ンズは、走査方向の倍率が所定値以上であることを特徴
としている。
たは3に記載の光ビーム走査装置において、前記走査レ
ンズは、走査方向の倍率が所定値以上であることを特徴
としている。
【0014】
【作用】先ず、本発明の基となる原理について説明す
る。平行光な光ビームを、ポリゴンミラー等の偏向手段
によって、偏向させた後にf・θレンズ等の走査レンズ
で集光しながら走査する場合に、この走査レンズの像面
湾曲等の収差のために、被照射体へ照射される光ビーム
の集光位置が平面にならないことは上記で既に述べた。
る。平行光な光ビームを、ポリゴンミラー等の偏向手段
によって、偏向させた後にf・θレンズ等の走査レンズ
で集光しながら走査する場合に、この走査レンズの像面
湾曲等の収差のために、被照射体へ照射される光ビーム
の集光位置が平面にならないことは上記で既に述べた。
【0015】走査レンズによる像面の湾曲を補正するた
めの光路長の変化は次のようにして求めることができ
る。例えば、図5示すように、半導体レーザ14の射出
側に、焦点距離f1 のコリメータレンズ16a、ビーム
スプリッタ18を順に配列し、ビームスプリッタ18の
反射側に、コリメータレンズ16aと同一焦点距離f1
のコリメータレンズ16b、半導体レーザ1と等価な位
置で反射ミラー20を順に配列する。反射ミラー20に
よって反射されたレーザビームのビームスプリッタ18
の射出側には、走査レンズとしての焦点距離f2 のf・
θレンズ22を配置し、f・θレンズ22によって結像
されるレーザビームの焦点位置(ビームウエスト)にド
ラム24を配置する。コリメータレンズ20とf・θレ
ンズ22との間に図示しない偏向手段を配置する。
めの光路長の変化は次のようにして求めることができ
る。例えば、図5示すように、半導体レーザ14の射出
側に、焦点距離f1 のコリメータレンズ16a、ビーム
スプリッタ18を順に配列し、ビームスプリッタ18の
反射側に、コリメータレンズ16aと同一焦点距離f1
のコリメータレンズ16b、半導体レーザ1と等価な位
置で反射ミラー20を順に配列する。反射ミラー20に
よって反射されたレーザビームのビームスプリッタ18
の射出側には、走査レンズとしての焦点距離f2 のf・
θレンズ22を配置し、f・θレンズ22によって結像
されるレーザビームの焦点位置(ビームウエスト)にド
ラム24を配置する。コリメータレンズ20とf・θレ
ンズ22との間に図示しない偏向手段を配置する。
【0016】ここで、レーザビームを特定の偏向角とな
るように偏向したときの像面湾曲量をα(ドラム24の
表面からレーザビームのビームウェスト位置までの距
離)とすると、湾曲量αを補正するための変位量D
C (=移動焦点距離)は次の(2)式によって求められ
る。
るように偏向したときの像面湾曲量をα(ドラム24の
表面からレーザビームのビームウェスト位置までの距
離)とすると、湾曲量αを補正するための変位量D
C (=移動焦点距離)は次の(2)式によって求められ
る。
【0017】
【数1】
【0018】例えば、焦点距離f1 が10mm、焦点距離f
2 が500mm 、像面湾曲量が500 μmの場合には、(2)
式より変位量DC =0.2 μmが得られる。従って、この
変位量DC だけ半導体レーザ1と等価な位置に配設され
た反射ミラー20を変位させる光路長変化で、f・θレ
ンズ22による焦点位置がドラム24の表面に一致させ
ることができる。
2 が500mm 、像面湾曲量が500 μmの場合には、(2)
式より変位量DC =0.2 μmが得られる。従って、この
変位量DC だけ半導体レーザ1と等価な位置に配設され
た反射ミラー20を変位させる光路長変化で、f・θレ
ンズ22による焦点位置がドラム24の表面に一致させ
ることができる。
【0019】請求項1に記載の光ビーム走査装置は、光
ビーム射出手段が射出した光ビームを、走査光学系の走
査レンズによって集光しながら被照射体へ走査する。光
ビーム射出手段と走査レンズとの間の光路上には、集光
手段が配設され、集光手段は入射される光ビームを集光
する。この集光手段によって集光された光ビームの集光
位置近傍に光路長変更手段の反射面を配置する。この反
射面は光軸方向に移動可能であり、光路長変更手段は反
射面の光軸方向の移動によって光路長を変更する。制御
手段は、走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビ
ームの集光される位置が被照射体の位置と一致するよう
に光路長変更手段を制御する。従って、被照射体に照射
される光ビームは、走査レンズによって集光されながら
走査されることになるが、この集光される位置は、被照
射体の位置と一致するため、走査レンズによって集光さ
れる位置が被照射体からずれることはない。
ビーム射出手段が射出した光ビームを、走査光学系の走
査レンズによって集光しながら被照射体へ走査する。光
ビーム射出手段と走査レンズとの間の光路上には、集光
手段が配設され、集光手段は入射される光ビームを集光
する。この集光手段によって集光された光ビームの集光
位置近傍に光路長変更手段の反射面を配置する。この反
射面は光軸方向に移動可能であり、光路長変更手段は反
射面の光軸方向の移動によって光路長を変更する。制御
手段は、走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビ
ームの集光される位置が被照射体の位置と一致するよう
に光路長変更手段を制御する。従って、被照射体に照射
される光ビームは、走査レンズによって集光されながら
走査されることになるが、この集光される位置は、被照
射体の位置と一致するため、走査レンズによって集光さ
れる位置が被照射体からずれることはない。
【0020】また、請求項2に記載の光ビーム走査装置
によれば、第1の集光手段によって入射される光ビーム
が光軸と交差する方向に集光され、第2の集光手段によ
ってはこの第1の集光手段が集光する方向と交差する方
向に光ビームが集光される。各集光された光ビームの集
光位置近傍には、光軸方向に移動可能な第1反射面及び
第2反射面が対応して配設され、第1及び第2の光路長
変更手段が第1反射面及び第2反射面を移動させること
によって、対応する光路長が変更される。制御手段は、
走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビームの集
光される位置が被照射体の位置と一致するように第1の
光路長変更手段及び第2の光路長変更手段を制御する。
これによって、光ビームの集光される位置は、光軸と交
差する何れの方向であっても、被照射体の位置と一致す
るため、被照射体に照射される光ビームの形状(ビーム
径)が歪むことがなく、光ビームの密度も変化すること
はない。
によれば、第1の集光手段によって入射される光ビーム
が光軸と交差する方向に集光され、第2の集光手段によ
ってはこの第1の集光手段が集光する方向と交差する方
向に光ビームが集光される。各集光された光ビームの集
光位置近傍には、光軸方向に移動可能な第1反射面及び
第2反射面が対応して配設され、第1及び第2の光路長
変更手段が第1反射面及び第2反射面を移動させること
によって、対応する光路長が変更される。制御手段は、
走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビームの集
光される位置が被照射体の位置と一致するように第1の
光路長変更手段及び第2の光路長変更手段を制御する。
これによって、光ビームの集光される位置は、光軸と交
差する何れの方向であっても、被照射体の位置と一致す
るため、被照射体に照射される光ビームの形状(ビーム
径)が歪むことがなく、光ビームの密度も変化すること
はない。
【0021】上記光路長変更手段は、蒸着面によって形
成された反射面を有するピエゾ素子を用いれば、小型か
つ容易に制御することができる。
成された反射面を有するピエゾ素子を用いれば、小型か
つ容易に制御することができる。
【0022】また、走査方向の倍率、例えば横倍率が所
定値以上である走査レンズを備えた光ビーム走査装置に
あっては、広い範囲に亘って光ビームの照射が必要であ
る。このような光ビーム走査装置で、例えば、画像記録
を行うときには、僅かな被照射体からの集光位置のずれ
が、画像形成に大きく影響する。このため、上記のよう
に被照射体の位置と光ビームの集光位置とを一致させる
ことによって、高い画像品質の記録装置を提供できる。
定値以上である走査レンズを備えた光ビーム走査装置に
あっては、広い範囲に亘って光ビームの照射が必要であ
る。このような光ビーム走査装置で、例えば、画像記録
を行うときには、僅かな被照射体からの集光位置のずれ
が、画像形成に大きく影響する。このため、上記のよう
に被照射体の位置と光ビームの集光位置とを一致させる
ことによって、高い画像品質の記録装置を提供できる。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【0024】〔第1実施例〕図3には本発明の光ビーム
走査装置が利用可能なレーザビーム記録装置30が示さ
れている。
走査装置が利用可能なレーザビーム記録装置30が示さ
れている。
【0025】レーザビーム記録装置30は、詳細は後述
するが略平行な光束のレーザビームを射出するレーザビ
ーム射出装置32を備えている。このレーザビーム射出
装置32は、半導体レーザを有して半導体レーザを直接
変調する場合と、ガスレーザ(例えば、Arレーザ、H
e−Neレーザ等)及び変調器(AOM、EOM等)で
構成される変調手段を有しガスレーザから射出されるレ
ーザビームを変調手段によって変調する場合とがある。
このレーザビーム射出装置32の射出側にはレーザビー
ムが入射されるようにポリゴンミラー46が配設されて
いる。ポリゴンミラー46は、後述するリニアエンコー
ダ58の出力信号に基づいて回転が制御され、このポリ
ゴンミラー46の回転角度を表す信号が、駆動制御回路
47へ出力される。
するが略平行な光束のレーザビームを射出するレーザビ
ーム射出装置32を備えている。このレーザビーム射出
装置32は、半導体レーザを有して半導体レーザを直接
変調する場合と、ガスレーザ(例えば、Arレーザ、H
e−Neレーザ等)及び変調器(AOM、EOM等)で
構成される変調手段を有しガスレーザから射出されるレ
ーザビームを変調手段によって変調する場合とがある。
このレーザビーム射出装置32の射出側にはレーザビー
ムが入射されるようにポリゴンミラー46が配設されて
いる。ポリゴンミラー46は、後述するリニアエンコー
ダ58の出力信号に基づいて回転が制御され、このポリ
ゴンミラー46の回転角度を表す信号が、駆動制御回路
47へ出力される。
【0026】このポリゴンミラー46の近傍には、同期
用のレーザビームを射出する同期用半導体レーザ48が
配置されている。なお、この同期用半導体レーザ48を
用いることなく、以下の方法で同期用のレーザビームを
射出することができる。すなわち、レーザビーム射出装
置32の射出側に、またはレーザビーム射出装置32の
内部に、AOMを配設し、このAOMによって同期用の
レーザビームを分割形成することができる。この場合、
光源は、レーザビーム射出装置32に使用する単一の光
源で良いことになる。
用のレーザビームを射出する同期用半導体レーザ48が
配置されている。なお、この同期用半導体レーザ48を
用いることなく、以下の方法で同期用のレーザビームを
射出することができる。すなわち、レーザビーム射出装
置32の射出側に、またはレーザビーム射出装置32の
内部に、AOMを配設し、このAOMによって同期用の
レーザビームを分割形成することができる。この場合、
光源は、レーザビーム射出装置32に使用する単一の光
源で良いことになる。
【0027】同期用半導体レーザ48のレーザビーム射
出側にはコリメータレンズ50が配置されており、同期
用半導体レーザ48から射出されたレーザビームは、コ
リメータレンズ50で平行光束とされた後、ポリゴンミ
ラー46に入射される。レーザビーム射出装置32から
射出されたレーザビームと、コリメータレンズ50から
射出されたレーザビームと、はポリゴンミラー46のほ
ぼ同じ部位に照射され、ポリゴンミラー46の回転に伴
って同じように偏向されてポリゴンミラー46のレーザ
ビーム射出側に配置されたf・θレンズ52に入射され
る。
出側にはコリメータレンズ50が配置されており、同期
用半導体レーザ48から射出されたレーザビームは、コ
リメータレンズ50で平行光束とされた後、ポリゴンミ
ラー46に入射される。レーザビーム射出装置32から
射出されたレーザビームと、コリメータレンズ50から
射出されたレーザビームと、はポリゴンミラー46のほ
ぼ同じ部位に照射され、ポリゴンミラー46の回転に伴
って同じように偏向されてポリゴンミラー46のレーザ
ビーム射出側に配置されたf・θレンズ52に入射され
る。
【0028】レーザビーム射出装置32から射出されf
・θレンズ52を透過したレーザビームの光路上には、
前記レーザビームの走査方向に沿って感光ドラム54が
配置されている。感光ドラム54は図示しない感光材料
が巻付けられて回転するようになっている。前記レーザ
ビームはポリゴンミラー46によって図3に破線で示す
範囲を走査するように偏向され、感光材料の記録面上に
照射される。
・θレンズ52を透過したレーザビームの光路上には、
前記レーザビームの走査方向に沿って感光ドラム54が
配置されている。感光ドラム54は図示しない感光材料
が巻付けられて回転するようになっている。前記レーザ
ビームはポリゴンミラー46によって図3に破線で示す
範囲を走査するように偏向され、感光材料の記録面上に
照射される。
【0029】一方、同期用半導体レーザ48から射出さ
れf・θレンズ52を透過したレーザビームの光路上に
は、前記レーザビームの走査方向に沿って反射ミラー5
6が配置されており、反射ミラー56のレーザビーム射
出側にはリニアエンコーダ58が配設されている。前記
レーザビームはポリゴンミラー46によって図3に一点
鎖線で示す範囲を走査するように偏向される。リニアエ
ンコーダ58は、不透明な板材に一定幅で透明な帯状の
透明部が一定ピッチで多数形成されて構成されている。
れf・θレンズ52を透過したレーザビームの光路上に
は、前記レーザビームの走査方向に沿って反射ミラー5
6が配置されており、反射ミラー56のレーザビーム射
出側にはリニアエンコーダ58が配設されている。前記
レーザビームはポリゴンミラー46によって図3に一点
鎖線で示す範囲を走査するように偏向される。リニアエ
ンコーダ58は、不透明な板材に一定幅で透明な帯状の
透明部が一定ピッチで多数形成されて構成されている。
【0030】リニアエンコーダ58のレーザビーム射出
側には、図示しない光電変換器が配置されており、レー
ザビームがリニアエンコーダ58上を走査すると、透明
部を透過したレーザビームが前記光電変換器で受光さ
れ、パルス信号が出力される。このパルス信号は図示し
ない制御手段に入力され、パルス信号のパルス間隔が一
定となるようにポリゴンミラー46が制御される。これ
により、レーザビームは記録面を一定の走査速度で走査
するように偏向されることになり、感光材料に記録され
る画像の画素間隔は一定とされる。
側には、図示しない光電変換器が配置されており、レー
ザビームがリニアエンコーダ58上を走査すると、透明
部を透過したレーザビームが前記光電変換器で受光さ
れ、パルス信号が出力される。このパルス信号は図示し
ない制御手段に入力され、パルス信号のパルス間隔が一
定となるようにポリゴンミラー46が制御される。これ
により、レーザビームは記録面を一定の走査速度で走査
するように偏向されることになり、感光材料に記録され
る画像の画素間隔は一定とされる。
【0031】また、感光ドラム54の近傍には、位置セ
ンサ60が配設されている。位置センサ60は透明な板
材に一定幅で帯状の不透明部が一定ピッチで多数形成さ
れたフィルタと、フィルタのレーザビーム射出側に配置
された図示しない光電変換器と、で構成され、フィルタ
の受光面が感光ドラム54に巻付けられた感光材料の記
録面と同一面となるように配置されている。
ンサ60が配設されている。位置センサ60は透明な板
材に一定幅で帯状の不透明部が一定ピッチで多数形成さ
れたフィルタと、フィルタのレーザビーム射出側に配置
された図示しない光電変換器と、で構成され、フィルタ
の受光面が感光ドラム54に巻付けられた感光材料の記
録面と同一面となるように配置されている。
【0032】フィルタに設けられた不透明部の幅及びピ
ッチはリニアエンコーダ58よりも狭く、レーザビーム
のビーム径と同程度とされている。レーザビームが位置
センサ60のフィルタ上を走査すると、前記光電変換器
にはフィルタの透明部分を透過した光のみが受光され、
光電変換器からはレベルが正弦波状に変動する直流信号
が出力される。
ッチはリニアエンコーダ58よりも狭く、レーザビーム
のビーム径と同程度とされている。レーザビームが位置
センサ60のフィルタ上を走査すると、前記光電変換器
にはフィルタの透明部分を透過した光のみが受光され、
光電変換器からはレベルが正弦波状に変動する直流信号
が出力される。
【0033】なお、上記位置センサ60を新規に配設す
ることなく、リニアエンコーダ58からの出力信号を利
用するようにしてもよい。この場合、リニアエンコーダ
58のピッチをレーザビームのビーム径と同程度にすれ
ば、リニアエンコーダ58の出力信号を走査幅(記録
幅)全域に亘って位置センサが配設されたと同等の信号
として利用することができる。
ることなく、リニアエンコーダ58からの出力信号を利
用するようにしてもよい。この場合、リニアエンコーダ
58のピッチをレーザビームのビーム径と同程度にすれ
ば、リニアエンコーダ58の出力信号を走査幅(記録
幅)全域に亘って位置センサが配設されたと同等の信号
として利用することができる。
【0034】位置センサ60は焦点位置制御装置62
(図2)に接続されており、焦点位置制御装置62へ前
記信号を出力する。焦点位置制御装置62は、入力され
た信号に応じてレーザビーム射出装置32から射出され
るレーザビームを発散光束、収束光束及び平行光束の何
れかに光路長を変更することにより変更する。従って、
f・θレンズ52を介して感光ドラム54上に照射され
るレーザビームの焦点(ビームウエスト)位置が光軸方
向に沿って移動することができる。
(図2)に接続されており、焦点位置制御装置62へ前
記信号を出力する。焦点位置制御装置62は、入力され
た信号に応じてレーザビーム射出装置32から射出され
るレーザビームを発散光束、収束光束及び平行光束の何
れかに光路長を変更することにより変更する。従って、
f・θレンズ52を介して感光ドラム54上に照射され
るレーザビームの焦点(ビームウエスト)位置が光軸方
向に沿って移動することができる。
【0035】次に、上記レーザビーム射出装置32を詳
細に説明する。図1に示すように、レーザビーム射出装
置32は、半導体レーザ34を備えており、この半導体
レーザ34の射出側には、第1のコリメータレンズ36
Aが配設されている。この第1のコリメータレンズ34
のレーザビーム射出側に偏光ビームスプリッタ38が配
置されている。第1のコリメータレンズ36Aから射出
されたレーザビームは、偏光ビームスプリッタ38の反
射面38aで反射され、偏光ビームスプリッタ38の表
面に張り付けられた1/4波長板40を透過して射出さ
れる。
細に説明する。図1に示すように、レーザビーム射出装
置32は、半導体レーザ34を備えており、この半導体
レーザ34の射出側には、第1のコリメータレンズ36
Aが配設されている。この第1のコリメータレンズ34
のレーザビーム射出側に偏光ビームスプリッタ38が配
置されている。第1のコリメータレンズ36Aから射出
されたレーザビームは、偏光ビームスプリッタ38の反
射面38aで反射され、偏光ビームスプリッタ38の表
面に張り付けられた1/4波長板40を透過して射出さ
れる。
【0036】1/4波長板84の近傍には第2のコリメ
ータレンズ36B及び反射鏡42が順に配置されてい
る。1/4波長板40から射出されたレーザビームは第
2のコリメータレンズ36Bで収束され、反射鏡42で
反射されて光路が180°変更される。反射鏡42で反
射されたレーザビームは、再度、第2のコリメータレン
ズ36B、及び1/4波長板40を透過して偏光ビーム
スプリッタ38に入射される。偏光ビームスプリッタ3
8に入射されたレーザビームは1/4波長板40を2回
透過することによって偏光角が90°回転されるので、
反射面38aを透過して射出される。この反射面38a
を透過したレーザビームは、ポリゴンミラー46に入射
される(図3)。
ータレンズ36B及び反射鏡42が順に配置されてい
る。1/4波長板40から射出されたレーザビームは第
2のコリメータレンズ36Bで収束され、反射鏡42で
反射されて光路が180°変更される。反射鏡42で反
射されたレーザビームは、再度、第2のコリメータレン
ズ36B、及び1/4波長板40を透過して偏光ビーム
スプリッタ38に入射される。偏光ビームスプリッタ3
8に入射されたレーザビームは1/4波長板40を2回
透過することによって偏光角が90°回転されるので、
反射面38aを透過して射出される。この反射面38a
を透過したレーザビームは、ポリゴンミラー46に入射
される(図3)。
【0037】また、位置センサ60には焦点位置制御装
置62を介してピエゾ素子44が接続されている。焦点
位置制御装置62は、位置センサ60から出力された信
号のレベル変動の大きさが最大となるようにピエゾ素子
44に電圧を印加する。ピエゾ素子44の表面には前述
の反射鏡42が貼付されている。ピエゾ素子44は電圧
が印加されると電圧の大きさに応じて内部に歪みが生
じ、偏光ビームスプリッタ38に接近離間する方向(図
1矢印A方向)に沿って変位する。この変位に伴って反
射鏡42も図1矢印A方向に沿って移動する。
置62を介してピエゾ素子44が接続されている。焦点
位置制御装置62は、位置センサ60から出力された信
号のレベル変動の大きさが最大となるようにピエゾ素子
44に電圧を印加する。ピエゾ素子44の表面には前述
の反射鏡42が貼付されている。ピエゾ素子44は電圧
が印加されると電圧の大きさに応じて内部に歪みが生
じ、偏光ビームスプリッタ38に接近離間する方向(図
1矢印A方向)に沿って変位する。この変位に伴って反
射鏡42も図1矢印A方向に沿って移動する。
【0038】反射鏡42が予め定められた原位置に位置
されていた場合、反射鏡42で反射されたレーザビーム
は図1に実線で示す光束(ビーム幅)で偏光ビームスプ
リッタ38から射出される。反射鏡42が偏光ビームス
プリッタ38に接近する位置へ移動された場合にはレー
ザビームの光路長が短くなり、反射鏡42で反射された
レーザビームは図1に一点鎖線で示すビーム幅で射出さ
れ、反射鏡42が原位置に位置している場合と比較して
ビーム幅が若干広げられることになる。従って、f・θ
レンズ52によって結像されるレーザビームのビームウ
ェスト位置は感光ドラム54に接近するように移動され
る。
されていた場合、反射鏡42で反射されたレーザビーム
は図1に実線で示す光束(ビーム幅)で偏光ビームスプ
リッタ38から射出される。反射鏡42が偏光ビームス
プリッタ38に接近する位置へ移動された場合にはレー
ザビームの光路長が短くなり、反射鏡42で反射された
レーザビームは図1に一点鎖線で示すビーム幅で射出さ
れ、反射鏡42が原位置に位置している場合と比較して
ビーム幅が若干広げられることになる。従って、f・θ
レンズ52によって結像されるレーザビームのビームウ
ェスト位置は感光ドラム54に接近するように移動され
る。
【0039】また、反射鏡42が偏光ビームスプリッタ
38から離間する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が長くなり、反射鏡42で反射されたレーザ
ビームは図1に破線で示すビーム幅で射出され、反射鏡
42が原位置に位置している場合と比較してビーム幅が
若干絞られることになる。従って、f・θレンズ52に
よって結像されるレーザビームのビームウェスト位置は
感光ドラム54から離間するように移動される。
38から離間する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が長くなり、反射鏡42で反射されたレーザ
ビームは図1に破線で示すビーム幅で射出され、反射鏡
42が原位置に位置している場合と比較してビーム幅が
若干絞られることになる。従って、f・θレンズ52に
よって結像されるレーザビームのビームウェスト位置は
感光ドラム54から離間するように移動される。
【0040】位置センサ60は焦点位置制御装置62
(図2)に接続されており、焦点位置制御装置62へ前
記信号を出力する。焦点位置制御装置62は、入力され
た信号に応じてレーザビーム射出装置32から射出され
るレーザビームを発散光束、収束光束及び平行光束の何
れかに光路長を変更することにより変更する。従って、
f・θレンズ52を介して感光ドラム54上に照射され
るレーザビームの焦点(ビームウエスト)位置が光軸方
向に沿って移動することができる。
(図2)に接続されており、焦点位置制御装置62へ前
記信号を出力する。焦点位置制御装置62は、入力され
た信号に応じてレーザビーム射出装置32から射出され
るレーザビームを発散光束、収束光束及び平行光束の何
れかに光路長を変更することにより変更する。従って、
f・θレンズ52を介して感光ドラム54上に照射され
るレーザビームの焦点(ビームウエスト)位置が光軸方
向に沿って移動することができる。
【0041】図2には、位置センサ60から出力される
信号に基づいてピエゾ素子44を変形させるための流れ
がブロック図として示されている。
信号に基づいてピエゾ素子44を変形させるための流れ
がブロック図として示されている。
【0042】位置センサ60から出力される信号は、ピ
ークホールド回路64へ入力され、ピークホールド回路
64は最大最小の値をアナログ値として保持する。保持
された最大最小の値のアナログ信号は、アナログデジタ
ル変換器66によってデジタル値に変換されて制御部6
8へ入力される。
ークホールド回路64へ入力され、ピークホールド回路
64は最大最小の値をアナログ値として保持する。保持
された最大最小の値のアナログ信号は、アナログデジタ
ル変換器66によってデジタル値に変換されて制御部6
8へ入力される。
【0043】制御部68は、CPU、RAM及びROM
等がバス等で接続されるマイクロコンピユータによって
構成されている。またこの制御部68には、予め測定さ
れた基準位置(f・θレンズ52から所定距離Lの被照
射体の位置)におけるf・θレンズ52によるレーザビ
ームの射出方向と基準位置からの像面湾曲量のオフセッ
ト値とが対応されたテーブル、すなわち像面湾曲曲線
(図4)が記憶された記憶装置70が接続されている。
従って、制御部68は、入力された信号、すなわち基準
位置における信号から、テーブルを参照してレーザビー
ムの射出位置に対応して生じる像面湾曲に応じたオフセ
ット量を出力する。
等がバス等で接続されるマイクロコンピユータによって
構成されている。またこの制御部68には、予め測定さ
れた基準位置(f・θレンズ52から所定距離Lの被照
射体の位置)におけるf・θレンズ52によるレーザビ
ームの射出方向と基準位置からの像面湾曲量のオフセッ
ト値とが対応されたテーブル、すなわち像面湾曲曲線
(図4)が記憶された記憶装置70が接続されている。
従って、制御部68は、入力された信号、すなわち基準
位置における信号から、テーブルを参照してレーザビー
ムの射出位置に対応して生じる像面湾曲に応じたオフセ
ット量を出力する。
【0044】この制御部68から出力されたオフセット
量は、デジタルアナログ変換器72によってアナログ値
に変換され、増幅回路74を介して高圧駆動回路76へ
出力される。この介して1ライン分のデータを記憶する
ラインバッファ182へ出力する。この高圧駆動回路7
6は、入力されたアナルグ信号に応じた高電圧をピエゾ
素子44に印加する。これによって、ピエゾ素子44
は、変形され、上記光路長を変更することができる。
量は、デジタルアナログ変換器72によってアナログ値
に変換され、増幅回路74を介して高圧駆動回路76へ
出力される。この介して1ライン分のデータを記憶する
ラインバッファ182へ出力する。この高圧駆動回路7
6は、入力されたアナルグ信号に応じた高電圧をピエゾ
素子44に印加する。これによって、ピエゾ素子44
は、変形され、上記光路長を変更することができる。
【0045】また、制御部48には、上記駆動制御回路
47からのポリゴンミラー46の回転角度を表す信号が
入力され、制御部48は、入力された信号に基づいてポ
リゴンミラー46の回転と同期して、すなわちポリゴン
ミラー46の回転によるレーザビームの1走査中に、ピ
エゾ素子44が制御されるように信号を出力する。
47からのポリゴンミラー46の回転角度を表す信号が
入力され、制御部48は、入力された信号に基づいてポ
リゴンミラー46の回転と同期して、すなわちポリゴン
ミラー46の回転によるレーザビームの1走査中に、ピ
エゾ素子44が制御されるように信号を出力する。
【0046】次に、本第1実施例の作用を説明する。半
導体レーザ44から射出され反射鏡42で反射されて偏
光ビームスプリッタ38を透過したレーザビームは、ポ
リゴンミラー46によって偏向されて位置センサ60の
受光面及び感光材料の記録面を走査される。この走査に
より、位置センサ62からはレベルが正弦波状に変動す
る直流信号が出力される。この信号のレベル変動の大き
さ(最大値と最小値との差)は、フィルタに照射される
レーザビームのフィルタ上におけるビーム径によって変
化する。すなわち、ビーム径が小さい場合にはフィルタ
の不透明部でレーザビームの透過が遮られる光量が増加
しかつ透明部でレーザビームの透過量が増加するために
変動が大きく、ビーム径が大きくなるとフィルタの単位
面積当りのエネルギーが小さく平均化されるので変動が
小さくなる。
導体レーザ44から射出され反射鏡42で反射されて偏
光ビームスプリッタ38を透過したレーザビームは、ポ
リゴンミラー46によって偏向されて位置センサ60の
受光面及び感光材料の記録面を走査される。この走査に
より、位置センサ62からはレベルが正弦波状に変動す
る直流信号が出力される。この信号のレベル変動の大き
さ(最大値と最小値との差)は、フィルタに照射される
レーザビームのフィルタ上におけるビーム径によって変
化する。すなわち、ビーム径が小さい場合にはフィルタ
の不透明部でレーザビームの透過が遮られる光量が増加
しかつ透明部でレーザビームの透過量が増加するために
変動が大きく、ビーム径が大きくなるとフィルタの単位
面積当りのエネルギーが小さく平均化されるので変動が
小さくなる。
【0047】この位置センサ60から出力された信号
は、焦点位置制御回路62に入力され、ピークホールド
回路64に値が保持されると共にアナログデジタル変換
器66を介してマイクロコンピュータ68に一時的に記
憶される。次に、ピエゾ素子44への高圧を変化させ僅
かに変形させたときの位置センサ60から出力された信
号を読み取り、前回の値と比較して比較値が増加した場
合同一方向へ減少した場合逆方向へピエゾ素子44を変
形させる。この処理を、信号のレベル変動の大きさが最
大になるまで繰り返す(最大最小演算処理)。これによ
って、位置センサ60に照射されるレーザビームのビー
ム径(ビームウエスト)が最小となり、位置センサ60
にレーザビームを照射する偏向方向に対応するピエゾ素
子44の変形量が定まる。
は、焦点位置制御回路62に入力され、ピークホールド
回路64に値が保持されると共にアナログデジタル変換
器66を介してマイクロコンピュータ68に一時的に記
憶される。次に、ピエゾ素子44への高圧を変化させ僅
かに変形させたときの位置センサ60から出力された信
号を読み取り、前回の値と比較して比較値が増加した場
合同一方向へ減少した場合逆方向へピエゾ素子44を変
形させる。この処理を、信号のレベル変動の大きさが最
大になるまで繰り返す(最大最小演算処理)。これによ
って、位置センサ60に照射されるレーザビームのビー
ム径(ビームウエスト)が最小となり、位置センサ60
にレーザビームを照射する偏向方向に対応するピエゾ素
子44の変形量が定まる。
【0048】ここで、マイクロコンピュータ68には、
基準位置における像面湾曲曲線のテーブルが記憶されて
いる(図4)。従って、上記最大最小演算処理によって
求めた値に、テーブルの位置センサ60に対応する基準
値のオフセット量を反映させることによって、全ての偏
向方向に対して、レーザビームのビーム径が最小である
状態を維持しつつ感光ドラム54を走査することができ
るピエゾ素子44の変形量に対応する値を求めることが
できる。
基準位置における像面湾曲曲線のテーブルが記憶されて
いる(図4)。従って、上記最大最小演算処理によって
求めた値に、テーブルの位置センサ60に対応する基準
値のオフセット量を反映させることによって、全ての偏
向方向に対して、レーザビームのビーム径が最小である
状態を維持しつつ感光ドラム54を走査することができ
るピエゾ素子44の変形量に対応する値を求めることが
できる。
【0049】従って、焦点位置制御回路62では、位置
センサ60から出力される信号に基づきテーブルを参照
してピエゾ素子44を制御する。このために、f・θレ
ンズ52によって結像されるレーザビームの像面の湾曲
は補正され、像面の位置は感光材料の記録面からずれる
ことなく、像面の位置が感光材料の記録面に一致するよ
うに補正されて走査記録される。
センサ60から出力される信号に基づきテーブルを参照
してピエゾ素子44を制御する。このために、f・θレ
ンズ52によって結像されるレーザビームの像面の湾曲
は補正され、像面の位置は感光材料の記録面からずれる
ことなく、像面の位置が感光材料の記録面に一致するよ
うに補正されて走査記録される。
【0050】このように、f・θレンズ52に入射され
たレーザビームは、ピエゾ素子44の変形による光路長
の変更によってビームウェスト位置が変化され、この変
化によってf・θレンズ52による像面の湾曲がキャン
セルされるので、レーザビームは走査方向の一端から他
端に亘って常に感光材料の記録面上に結像されることに
なる。従って、感光材料に記録される画像が部分的に不
鮮明になる等の不都合が生ずることはなく、高品質の画
像が得られる。
たレーザビームは、ピエゾ素子44の変形による光路長
の変更によってビームウェスト位置が変化され、この変
化によってf・θレンズ52による像面の湾曲がキャン
セルされるので、レーザビームは走査方向の一端から他
端に亘って常に感光材料の記録面上に結像されることに
なる。従って、感光材料に記録される画像が部分的に不
鮮明になる等の不都合が生ずることはなく、高品質の画
像が得られる。
【0051】〔第2実施例〕次に、本発明の第2実施例
を説明する。第2実施例は、感光ドラムへ照射するレー
ザビームの焦点位置を、光軸と直交しかつ、各々直交す
る方向(所謂、サジタル及びメリジオナル方向)のレー
ザビームについて別個に制御するものであり、上記第1
実施例と略同様の構成のため、異なる部分についてのみ
説明する。
を説明する。第2実施例は、感光ドラムへ照射するレー
ザビームの焦点位置を、光軸と直交しかつ、各々直交す
る方向(所謂、サジタル及びメリジオナル方向)のレー
ザビームについて別個に制御するものであり、上記第1
実施例と略同様の構成のため、異なる部分についてのみ
説明する。
【0052】図6に示すように、第2実施例のレーザビ
ーム射出装置32は、半導体レーザ34を備えており、
この半導体レーザ34の射出側には、コリメータレンズ
80が配設されている。このコリメータレンズ80のレ
ーザビーム射出側に第1の偏光ビームスプリッタ82が
配置されている。なお、このコリメータレンズ80は、
第1の偏光ビームスプリッタ82の表面に張り付けられ
ている。コリメータレンズ80から射出されたレーザビ
ームは、第1の偏光ビームスプリッタ82の反射面82
aで反射され、第1の偏光ビームスプリッタ82の表面
に張り付けられた1/4波長板40を透過しかつ、この
1/4波長板40の表面に張り付けられた第1のシリン
ドリカルレンズ84を透過して射出される。この第1の
シリンドリカルレンズ84の射出側には表面に反射膜8
6が蒸着された第1のピエゾ素子88が配置されてい
る。
ーム射出装置32は、半導体レーザ34を備えており、
この半導体レーザ34の射出側には、コリメータレンズ
80が配設されている。このコリメータレンズ80のレ
ーザビーム射出側に第1の偏光ビームスプリッタ82が
配置されている。なお、このコリメータレンズ80は、
第1の偏光ビームスプリッタ82の表面に張り付けられ
ている。コリメータレンズ80から射出されたレーザビ
ームは、第1の偏光ビームスプリッタ82の反射面82
aで反射され、第1の偏光ビームスプリッタ82の表面
に張り付けられた1/4波長板40を透過しかつ、この
1/4波長板40の表面に張り付けられた第1のシリン
ドリカルレンズ84を透過して射出される。この第1の
シリンドリカルレンズ84の射出側には表面に反射膜8
6が蒸着された第1のピエゾ素子88が配置されてい
る。
【0053】1/4波長板40から射出されたレーザビ
ームは第1のシリンドリカルレンズ84で一方が収束さ
れ、反射膜86で反射されて光路が180°変更され
る。反射膜86で反射されたレーザビームは、再度、第
1のシリンドリカルレンズ84、及び1/4波長板40
を透過して第1の偏光ビームスプリッタ82に入射され
る。第1の偏光ビームスプリッタ82に入射されたレー
ザビームは1/4波長板40を2回透過することによっ
て偏光角が90°回転されるので、反射面82aを透過
して射出される。この反射面82aを透過したレーザビ
ームは、第1の偏光ビームスプリッタ82に張り付けら
れた第2の偏光ビームスプリッタ90に入射される。
ームは第1のシリンドリカルレンズ84で一方が収束さ
れ、反射膜86で反射されて光路が180°変更され
る。反射膜86で反射されたレーザビームは、再度、第
1のシリンドリカルレンズ84、及び1/4波長板40
を透過して第1の偏光ビームスプリッタ82に入射され
る。第1の偏光ビームスプリッタ82に入射されたレー
ザビームは1/4波長板40を2回透過することによっ
て偏光角が90°回転されるので、反射面82aを透過
して射出される。この反射面82aを透過したレーザビ
ームは、第1の偏光ビームスプリッタ82に張り付けら
れた第2の偏光ビームスプリッタ90に入射される。
【0054】この第1及び第2の偏光ビームスプリッタ
82、90は、偏光角度が同一とされ、反射面82aを
透過したレーザビームは、第2の偏光ビームスプリッタ
90の反射面90aも透過する。この反射面90aを透
過したレーザビームは、第2の偏光ビームスプリッタ9
0の表面に張り付けられた1/4波長板40を透過し、
かつ1/4波長板40の表面に張り付けられた第2のシ
リンドリカルレンズ92を透過して射出される。この第
2のシリンドリカルレンズ92の射出側には表面に反射
膜94が蒸着された第2のピエゾ素子94が配置されて
いる。
82、90は、偏光角度が同一とされ、反射面82aを
透過したレーザビームは、第2の偏光ビームスプリッタ
90の反射面90aも透過する。この反射面90aを透
過したレーザビームは、第2の偏光ビームスプリッタ9
0の表面に張り付けられた1/4波長板40を透過し、
かつ1/4波長板40の表面に張り付けられた第2のシ
リンドリカルレンズ92を透過して射出される。この第
2のシリンドリカルレンズ92の射出側には表面に反射
膜94が蒸着された第2のピエゾ素子94が配置されて
いる。
【0055】反射面90aを透過したレーザビームは第
2のシリンドリカルレンズ92で上記第1のシリンドリ
カルレンズ84で収束される方向と直交する他方が収束
され、反射膜94で反射されて光路が180°変更され
る。反射膜94で反射されたレーザビームは、再度、第
2のシリンドリカルレンズ92、及び1/4波長板40
を透過して第2の偏光ビームスプリッタ90に入射され
る。第2の偏光ビームスプリッタ90に入射されたレー
ザビームは上記と同様に偏光角が90°回転されるの
で、反射面90aで反射されて光路が90°偏光されて
射出される。この反射面90aで反射されたレーザビー
ムは、ポリゴンミラー46に入射される(図3)。
2のシリンドリカルレンズ92で上記第1のシリンドリ
カルレンズ84で収束される方向と直交する他方が収束
され、反射膜94で反射されて光路が180°変更され
る。反射膜94で反射されたレーザビームは、再度、第
2のシリンドリカルレンズ92、及び1/4波長板40
を透過して第2の偏光ビームスプリッタ90に入射され
る。第2の偏光ビームスプリッタ90に入射されたレー
ザビームは上記と同様に偏光角が90°回転されるの
で、反射面90aで反射されて光路が90°偏光されて
射出される。この反射面90aで反射されたレーザビー
ムは、ポリゴンミラー46に入射される(図3)。
【0056】次に、第2実施例の作用を説明する。半導
体レーザ34から射出され反射膜86で反射されて偏光
ビームスプリッタ82を透過して反射膜94で反射され
て偏光ビームスプリッタ90を反射したレーザビーム
は、ポリゴンミラー46によって偏向されて位置センサ
60の受光面及び感光材料の記録面を走査する。f・θ
レンズ52によって結像されるレーザビームの像面の湾
曲は、光軸と交差する平面における方向によって異なる
場合がある。例えば、半導体レーザ34は、一般に非点
収差を有しており、接合面の沿う方向と接合面と直交す
る方向とではレーザビームの射出角度が異なる。このた
め、同一パワー、すなわち回転対称の球面レンズによっ
てコリメートしたのでは、焦点(ビームウエスト)位置
が異なる。従って、球面レンズによるコリメート光をf
・θレンズで収束すると、結像されるレーザビームの像
面の湾曲は、レーザビームの光軸と交差する方向と角度
で異なることになる。
体レーザ34から射出され反射膜86で反射されて偏光
ビームスプリッタ82を透過して反射膜94で反射され
て偏光ビームスプリッタ90を反射したレーザビーム
は、ポリゴンミラー46によって偏向されて位置センサ
60の受光面及び感光材料の記録面を走査する。f・θ
レンズ52によって結像されるレーザビームの像面の湾
曲は、光軸と交差する平面における方向によって異なる
場合がある。例えば、半導体レーザ34は、一般に非点
収差を有しており、接合面の沿う方向と接合面と直交す
る方向とではレーザビームの射出角度が異なる。このた
め、同一パワー、すなわち回転対称の球面レンズによっ
てコリメートしたのでは、焦点(ビームウエスト)位置
が異なる。従って、球面レンズによるコリメート光をf
・θレンズで収束すると、結像されるレーザビームの像
面の湾曲は、レーザビームの光軸と交差する方向と角度
で異なることになる。
【0057】そこで、第2実施例では、光軸と交差しか
つ各々が交差する方向のレーザビームの焦点位置調整を
別個に行っている。すなわち、上記各ピエゾ素子88、
96には焦点位置制御装置62が接続されており、焦点
位置制御装置62は、位置センサ60から出力された信
号のレベル変動の大きさが最大となるように各ピエゾ素
子88、96に同一または異なる電圧を印加する。
つ各々が交差する方向のレーザビームの焦点位置調整を
別個に行っている。すなわち、上記各ピエゾ素子88、
96には焦点位置制御装置62が接続されており、焦点
位置制御装置62は、位置センサ60から出力された信
号のレベル変動の大きさが最大となるように各ピエゾ素
子88、96に同一または異なる電圧を印加する。
【0058】反射膜86、94の各々が予め定められた
原位置において、各々の反射膜86、94で反射された
レーザビームが図6に実線で示す平行光束(ビーム幅)
で偏光ビームスプリッタ82、90の各々で入射及び射
出されるものとした場合、各ピエゾ素子88、96は以
下のように作動する。
原位置において、各々の反射膜86、94で反射された
レーザビームが図6に実線で示す平行光束(ビーム幅)
で偏光ビームスプリッタ82、90の各々で入射及び射
出されるものとした場合、各ピエゾ素子88、96は以
下のように作動する。
【0059】ピエゾ素子88は電圧が印加されると電圧
の大きさに応じて、偏光ビームスプリッタ82に接近離
間する方向(図6矢印B方向)に沿って変位する。この
変位に伴って反射膜86も図6矢印B方向に沿って移動
する。
の大きさに応じて、偏光ビームスプリッタ82に接近離
間する方向(図6矢印B方向)に沿って変位する。この
変位に伴って反射膜86も図6矢印B方向に沿って移動
する。
【0060】反射膜86が偏光ビームスプリッタ82に
接近する位置へ移動された場合には、第1のシリンドリ
カルレンズ84の集光方向(図6の光路Hに沿って紙面
水平方向)のレーザビームの光路長のみが短くなり、反
射膜86で反射されたレーザビームは、反射膜86が原
位置に位置している場合と比較してビーム幅が若干広げ
られて偏光ビームスプリッタ82から射出されることに
なる。従って、f・θレンズ52によって結像されるレ
ーザビームのビームウェスト位置W1は、図7に示した
ように、感光ドラム54に接近するように移動される。
接近する位置へ移動された場合には、第1のシリンドリ
カルレンズ84の集光方向(図6の光路Hに沿って紙面
水平方向)のレーザビームの光路長のみが短くなり、反
射膜86で反射されたレーザビームは、反射膜86が原
位置に位置している場合と比較してビーム幅が若干広げ
られて偏光ビームスプリッタ82から射出されることに
なる。従って、f・θレンズ52によって結像されるレ
ーザビームのビームウェスト位置W1は、図7に示した
ように、感光ドラム54に接近するように移動される。
【0061】また、反射膜86が偏光ビームスプリッタ
82から離間する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が長くなり、反射膜86で反射されたレーザ
ビームは、反射膜86が原位置に位置している場合と比
較してビーム幅が若干絞られて偏光ビームスプリッタ8
2から射出されることになる。従って、f・θレンズ5
2によって結像されるレーザビームのビームウェスト位
置は感光ドラム54から離間するように移動される(図
7反矢印P方向)。
82から離間する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が長くなり、反射膜86で反射されたレーザ
ビームは、反射膜86が原位置に位置している場合と比
較してビーム幅が若干絞られて偏光ビームスプリッタ8
2から射出されることになる。従って、f・θレンズ5
2によって結像されるレーザビームのビームウェスト位
置は感光ドラム54から離間するように移動される(図
7反矢印P方向)。
【0062】同様に、ピエゾ素子96は電圧が印加され
ると電圧の大きさに応じて、偏光ビームスプリッタ90
に接近離間する方向(図6矢印C方向)に沿って変位す
る。この変位に伴って反射膜94も図6矢印C方向に沿
って移動する。
ると電圧の大きさに応じて、偏光ビームスプリッタ90
に接近離間する方向(図6矢印C方向)に沿って変位す
る。この変位に伴って反射膜94も図6矢印C方向に沿
って移動する。
【0063】反射膜94が偏光ビームスプリッタ90に
離間する位置へ移動された場合には、第2のシリンドリ
カルレンズ92の集光方向(図6の光路Hに沿って紙面
垂直方向)のレーザビームの光路長のみが長くなり、反
射膜94で反射されたレーザビームは、反射膜94が原
位置に位置している場合と比較してビーム幅が若干絞ら
れて偏光ビームスプリッタ90から射出されることにな
る。従って、f・θレンズ52によって結像されるレー
ザビームのビームウェスト位置W2は、図7に示したよ
うに、感光ドラム54から離間するように移動される。
離間する位置へ移動された場合には、第2のシリンドリ
カルレンズ92の集光方向(図6の光路Hに沿って紙面
垂直方向)のレーザビームの光路長のみが長くなり、反
射膜94で反射されたレーザビームは、反射膜94が原
位置に位置している場合と比較してビーム幅が若干絞ら
れて偏光ビームスプリッタ90から射出されることにな
る。従って、f・θレンズ52によって結像されるレー
ザビームのビームウェスト位置W2は、図7に示したよ
うに、感光ドラム54から離間するように移動される。
【0064】また、反射膜94が偏光ビームスプリッタ
90から接近する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が短くなり、反射膜90で反射されたレーザ
ビームは、反射膜86が原位置に位置している場合と比
較してビーム幅が若干広げられて偏光ビームスプリッタ
82から射出されることになる。従って、f・θレンズ
52によって結像されるレーザビームのビームウェスト
位置は感光ドラム54に接近するように移動される(図
7矢印P方向)。
90から接近する位置へ移動された場合にはレーザビー
ムの光路長が短くなり、反射膜90で反射されたレーザ
ビームは、反射膜86が原位置に位置している場合と比
較してビーム幅が若干広げられて偏光ビームスプリッタ
82から射出されることになる。従って、f・θレンズ
52によって結像されるレーザビームのビームウェスト
位置は感光ドラム54に接近するように移動される(図
7矢印P方向)。
【0065】従って、像面の位置が、光軸と交差する平
面における方向によって異なって、感光材料の記録面か
らずれても、位置センサ60から出力される信号のレベ
ル変動の大きさの低下として検出され、焦点位置制御装
置62は位置センサ60から出力される信号のレベル変
動の大きさが最大となるようにピエゾ素子88、96の
各々に印加する電圧を変化させ、これに伴って反射膜8
6、94の各々の位置が移動される。このため、像面の
位置が感光材料の記録面に一致するように補正され、周
囲環境の変動に拘わらず高品質で画像を記録することが
できる。
面における方向によって異なって、感光材料の記録面か
らずれても、位置センサ60から出力される信号のレベ
ル変動の大きさの低下として検出され、焦点位置制御装
置62は位置センサ60から出力される信号のレベル変
動の大きさが最大となるようにピエゾ素子88、96の
各々に印加する電圧を変化させ、これに伴って反射膜8
6、94の各々の位置が移動される。このため、像面の
位置が感光材料の記録面に一致するように補正され、周
囲環境の変動に拘わらず高品質で画像を記録することが
できる。
【0066】上記第2実施例では、光路長を変更するた
めにピエゾ素子へ反射膜を形成しているので、ピエゾ素
子上に反射鏡を張り付けて駆動するような負荷が生じる
ことなく、ピエゾ素子単体で駆動するための制御を行う
のみでよく、安定かつ信頼性が高い駆動を行うことがで
きる。
めにピエゾ素子へ反射膜を形成しているので、ピエゾ素
子上に反射鏡を張り付けて駆動するような負荷が生じる
ことなく、ピエゾ素子単体で駆動するための制御を行う
のみでよく、安定かつ信頼性が高い駆動を行うことがで
きる。
【0067】また、上記第2実施例では、偏光ビームス
プリッタへコリメータレンズを張り付けると共に、1/
4波長板を張り付けさらにシリンドリカルレンズを張り
付けている。この張り付けるためのレンズには、グレー
ティングレンズやフレネルレンズ等の中心肉厚が薄くか
つ高パワーのレンズを用いることができる。このような
レンズは、大量生産及び組み付けが容易である。従っ
て、第2実施例のように、交差する方向のレーザビーム
の像面湾曲等の焦点位置ずれを独立して調整する装置を
形成するに際しても、容易に形成することができる。
プリッタへコリメータレンズを張り付けると共に、1/
4波長板を張り付けさらにシリンドリカルレンズを張り
付けている。この張り付けるためのレンズには、グレー
ティングレンズやフレネルレンズ等の中心肉厚が薄くか
つ高パワーのレンズを用いることができる。このような
レンズは、大量生産及び組み付けが容易である。従っ
て、第2実施例のように、交差する方向のレーザビーム
の像面湾曲等の焦点位置ずれを独立して調整する装置を
形成するに際しても、容易に形成することができる。
【0068】更に、上記シリンドリカルレンズは、屈折
率分布型レンズ、例えばセルフォックレンズ(商品名)
やグリーンレンズを用いることができる。この屈折率分
布型レンズは板状に形成されかつレンズパワーを有する
ため、レンズの肉厚は一定となり、1/4波長板と同様
に張り付けは容易である。従って、大量生産及び組み付
けは更に容易となる。
率分布型レンズ、例えばセルフォックレンズ(商品名)
やグリーンレンズを用いることができる。この屈折率分
布型レンズは板状に形成されかつレンズパワーを有する
ため、レンズの肉厚は一定となり、1/4波長板と同様
に張り付けは容易である。従って、大量生産及び組み付
けは更に容易となる。
【0069】なお、上記実施例では、感光ドラムと同一
面上に配設された位置センサによって得られる信号に基
づいてピエゾ素子を制御するようにしたが、このように
新規に位置センサを設けることなく、リニアエンコーダ
の出力信号を利用してもよい。また、このようなセンサ
を用いることなく、予め設定された焦点位置を含む平面
上で像面の湾曲の補正制御をするようにしてもよい。
面上に配設された位置センサによって得られる信号に基
づいてピエゾ素子を制御するようにしたが、このように
新規に位置センサを設けることなく、リニアエンコーダ
の出力信号を利用してもよい。また、このようなセンサ
を用いることなく、予め設定された焦点位置を含む平面
上で像面の湾曲の補正制御をするようにしてもよい。
【0070】また、上記実施例では、光ビームとして半
導体レーザから射出されたレーザビームを用いた例につ
いて説明したが、本発明これに限定されるものではな
く、気体レーザ、固体レーザ及び色素レーザ等のレーザ
装置から射出されるレーザビームを用いてもよく、ま
た、LED等の発光素子から射出される光ビームを用い
てもよい。
導体レーザから射出されたレーザビームを用いた例につ
いて説明したが、本発明これに限定されるものではな
く、気体レーザ、固体レーザ及び色素レーザ等のレーザ
装置から射出されるレーザビームを用いてもよく、ま
た、LED等の発光素子から射出される光ビームを用い
てもよい。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように請求項1に記載した
発明によれば、光ビームを集光する集光手段の集光され
た光ビーム位置近傍に配設された反射面を光軸方向に移
動することによって光路長を変更しているため、被照射
体上へ集光される光ビームの集光位置を容易に変更する
ことができる、という効果がある。
発明によれば、光ビームを集光する集光手段の集光され
た光ビーム位置近傍に配設された反射面を光軸方向に移
動することによって光路長を変更しているため、被照射
体上へ集光される光ビームの集光位置を容易に変更する
ことができる、という効果がある。
【0072】請求項2に記載した発明によれば、入射さ
れる光ビームを各々光軸と交差する方向について別個に
光路長を変更するようにしたので、縦倍率が光束の位置
によって異なる光ビームの焦点位置調整が容易に行うこ
とができる、という効果がある。
れる光ビームを各々光軸と交差する方向について別個に
光路長を変更するようにしたので、縦倍率が光束の位置
によって異なる光ビームの焦点位置調整が容易に行うこ
とができる、という効果がある。
【図1】第1実施例に係るレーザビーム射出装置の概略
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図2】第1実施例に係る焦点位置制御装置の概略構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図3】本発明が適用可能なレーザビーム記録装置の概
略構成を示す斜視図である。
略構成を示す斜視図である。
【図4】記憶装置に記憶された像面湾曲量を示す概念図
である。
である。
【図5】像面の湾曲を補正するための光路長の変化を説
明するための概念図である。
明するための概念図である。
【図6】第2実施例に係るレーザビーム射出装置の概略
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図7】第2実施例のレーザビーム射出装置におけるレ
ーザビームの収束状態を説明するための概念図である。
ーザビームの収束状態を説明するための概念図である。
【図8】従来のレーザビーム記録装置の概略構成及び像
面の湾曲を説明する説明図である。
面の湾曲を説明する説明図である。
32 レーザビーム射出装置 34 半導体レーザ 36A 第1のコリメータレンズ 36B 第2のコリメータレンズ 38 偏光ビームスプリッタ 40 1/4波長板 42 反射鏡 44 ピエゾ素子 46 ポリゴンミラー 52 f・θレンズ
Claims (4)
- 【請求項1】 光ビームを射出する光ビーム射出手段
と、 前記光ビームを集光しながら被照射体へ走査する走査レ
ンズを備えた走査光学系と、 前記光ビーム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上
に配設され、かつ入射される光ビームを集光する集光手
段と、 反射面を有すると共に該反射面が前記集光手段によって
集光された光ビームの集光位置近傍に配設され、かつ光
軸方向に移動可能で移動によって光路長を変更する光路
長変更手段と、 前記走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビーム
の集光される位置が被照射体の位置と一致するように前
記光路長変更手段を制御する制御手段と、 を備えた光ビーム走査装置。 - 【請求項2】 光ビームを射出する光ビーム射出手段
と、 前記光ビームを集光しながら被照射体へ走査する走査レ
ンズを備えた走査光学系と、 前記光ビーム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上
に配設され、かつ入射される光ビームを光軸と交差する
方向に集光する第1の集光手段と、 前記光ビーム射出手段と前記走査レンズとの間の光路上
に配設され、かつ前記第1の集光手段が集光する方向と
交差する方向に光ビームを集光する第2の集光手段と、 前記第1の集光手段が集光する光を反射する第1反射面
を有すると共に、該第1反射面が前記第1の集光手段に
よって集光された光ビームの集光位置近傍に配設され、
かつ光軸方向に移動可能で移動によって光路長を変更す
る第1の光路長変更手段と、 前記第2の集光手段が集光する光を反射する第2反射面
を有すると共に、該第2反射面が前記第2の集光手段に
よって集光された光ビームの集光位置近傍に配設され、
かつ光軸方向に移動可能で移動によって光路長を変更す
る第2の光路長変更手段と、 前記走査光学系から被照射体方向へ照射された光ビーム
の集光される位置が被照射体の位置と一致するように前
記第1の光路長変更手段及び前記第2の光路長変更手段
を制御する制御手段と、 を備えた光ビーム走査装置。 - 【請求項3】 前記光路長変更手段は、蒸着面によって
形成された反射面を有するピエゾ素子であることを特徴
とする請求項1または2に記載の光ビーム走査装置。 - 【請求項4】 前記走査レンズは、走査方向の倍率が所
定値以上であることを特徴とする請求項1、2または3
に記載の光ビーム走査装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18840892A JPH0634909A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 光ビーム走査装置 |
US08/091,007 US5475523A (en) | 1992-07-15 | 1993-07-14 | Disk for light beam recording device and light beam recording device |
EP96101539A EP0710864B1 (en) | 1992-07-15 | 1993-07-15 | Light beam recording device with optical path changing means |
EP93111396A EP0580080B1 (en) | 1992-07-15 | 1993-07-15 | Disk for light beam recording device and light beam recording device |
DE69330286T DE69330286T2 (de) | 1992-07-15 | 1993-07-15 | Lichtstrahlaufzeichnungsgerät mit Änderung der optischen Weglänge |
DE69316942T DE69316942T2 (de) | 1992-07-15 | 1993-07-15 | Lichtstrahlaufzeichnungsgerät und Scheibe für das Gerät |
US08/279,430 US5461601A (en) | 1992-07-15 | 1994-07-25 | Light beam recording device having a reflecting mirror movable a long an optical axis to compensate an un-focused point on the surface of a recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18840892A JPH0634909A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 光ビーム走査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0634909A true JPH0634909A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16223134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18840892A Pending JPH0634909A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 光ビーム走査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0634909A (ja) |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18840892A patent/JPH0634909A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS588B2 (ja) | ヒカリビ−ムソウサソウチ | |
JPH0617948B2 (ja) | 光ビ−ム走査装置 | |
JP2584224B2 (ja) | 光ビ−ム記録装置 | |
JP3442845B2 (ja) | 焦点位置可変光学系及び光ビーム走査装置 | |
EP0580080B1 (en) | Disk for light beam recording device and light beam recording device | |
JP3104618B2 (ja) | 光学走査装置及び光学レンズ | |
EP1571824B1 (en) | Method and apparatus for inner face scanning with multi beams | |
US7274498B2 (en) | Post-objective scanning device | |
JPH10133135A (ja) | 光ビーム偏向装置 | |
JPH08190070A (ja) | 光走査装置 | |
JPH0634909A (ja) | 光ビーム走査装置 | |
JPH063610A (ja) | 走査光学装置 | |
JPS62278521A (ja) | 光ビ−ム走査装置 | |
JP3504680B2 (ja) | 光学素子及び光ビーム走査装置 | |
JP2747608B2 (ja) | 光走査装置 | |
JP3093877B2 (ja) | 光ビーム記録装置用ディスク及び光ビーム記録装置 | |
JPH02254409A (ja) | 走査光学系とそれを用いたレーザービームプリンタ | |
JP2682684B2 (ja) | 光走査方法 | |
JPH0980331A (ja) | 複数ビーム走査装置 | |
JP2565944B2 (ja) | 光走査装置 | |
JP2757311B2 (ja) | 走査光学装置 | |
JP2817454B2 (ja) | 走査光学装置 | |
JPH05134198A (ja) | 光走査装置 | |
JPH0343708A (ja) | 光走査装置 | |
JPH06214185A (ja) | 光ビーム走査装置 |