JPH06343269A - 半導体電力変換装置 - Google Patents
半導体電力変換装置Info
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- JPH06343269A JPH06343269A JP5127634A JP12763493A JPH06343269A JP H06343269 A JPH06343269 A JP H06343269A JP 5127634 A JP5127634 A JP 5127634A JP 12763493 A JP12763493 A JP 12763493A JP H06343269 A JPH06343269 A JP H06343269A
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- igbts
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- igbt
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Abstract
(57)【要約】
【目的】並列接続された各スイッチング素子に流れる電
流の不平衡を防ぐ。 【構成】ヒートシンク２の表面に第１アームの４個のＩ
ＧＢＴ１Ａのエミッタ端子をヒートシンク２の中心に向
けて放射状に90°間隔で配置する。これらのＩＧＢＴ１
Ａの間にコレクタ端子を中心に向けて放射状に配置す
る。ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子とＩＧＢＴ１Ｂのコレ
クタ端子を八角形の交流導体５で接続する。ＩＧＢＴ１
Ａのコレクタ端子を八角形の環状の正極側直流導体３で
接続する。ＩＧＢＴ１Ｂのエミッタ端子も正極側直流導
体３と外形が同一の負極側直流導体４で接続する。
流の不平衡を防ぐ。 【構成】ヒートシンク２の表面に第１アームの４個のＩ
ＧＢＴ１Ａのエミッタ端子をヒートシンク２の中心に向
けて放射状に90°間隔で配置する。これらのＩＧＢＴ１
Ａの間にコレクタ端子を中心に向けて放射状に配置す
る。ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子とＩＧＢＴ１Ｂのコレ
クタ端子を八角形の交流導体５で接続する。ＩＧＢＴ１
Ａのコレクタ端子を八角形の環状の正極側直流導体３で
接続する。ＩＧＢＴ１Ｂのエミッタ端子も正極側直流導
体３と外形が同一の負極側直流導体４で接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体電力変換装置に
係り、特に、スイッチング素子を接続する導体による、
各スイッチング素子の電流の不平衡を減らした半導体電
力変換装置に関する。
係り、特に、スイッチング素子を接続する導体による、
各スイッチング素子の電流の不平衡を減らした半導体電
力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体電力変換装置のなかの逆変換装置
の主回路接続図を図５に示す。図５においては、一相の
みを示し、４個の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
（以下、ＩＧＢＴと表わす）ＩＡのコレクタ端子が正極
側直流導体13で並列に接続されている。同じく４個のＩ
ＧＢＴ１Ｂのエミッタ端子が負極側直流導体14で並列に
接続され、各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子と各ＩＧＢＴ
１Ｂのコレクタ端子は、交流導体15で並列に接続されて
いる。
の主回路接続図を図５に示す。図５においては、一相の
みを示し、４個の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
（以下、ＩＧＢＴと表わす）ＩＡのコレクタ端子が正極
側直流導体13で並列に接続されている。同じく４個のＩ
ＧＢＴ１Ｂのエミッタ端子が負極側直流導体14で並列に
接続され、各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子と各ＩＧＢＴ
１Ｂのコレクタ端子は、交流導体15で並列に接続されて
いる。
【０００３】正極側直流導体13の一端には、端子部13ａ
が形成され、同じく、負極側直流導体14の一端には、端
子部14ａが形成されている。また交流導体15には、端子
部13ａ，14ａの反対側に端子部15ａが形成されている。
が形成され、同じく、負極側直流導体14の一端には、端
子部14ａが形成されている。また交流導体15には、端子
部13ａ，14ａの反対側に端子部15ａが形成されている。
【０００４】端子部13ａ，14ａ間には、図示しない順変
換装置の出力側の直流電圧が印加され、端子部15ａはこ
の逆変換装置の負荷となる、例えば、三相誘導電動機が
接続されている。
換装置の出力側の直流電圧が印加され、端子部15ａはこ
の逆変換装置の負荷となる、例えば、三相誘導電動機が
接続されている。
【０００５】図６は、図５で示した接続図のＩＧＢＴ１
Ａ，１Ｂが冷却用のヒートシンク12に取り付けられた状
態を示す正面図である。図６において、内部に図示しな
い冷却用のフィンが設けられた正方形の板状のヒートシ
ンク12の正面には、上部に、図５と同様に、ＩＧＢＴ１
Ａが４個横にコレクタ端子を上側にして取り付けられて
いる。同じく、ＩＧＢＴ１Ｂが４個下側にコレクタ端子
を上側にして取り付けられている。
Ａ，１Ｂが冷却用のヒートシンク12に取り付けられた状
態を示す正面図である。図６において、内部に図示しな
い冷却用のフィンが設けられた正方形の板状のヒートシ
ンク12の正面には、上部に、図５と同様に、ＩＧＢＴ１
Ａが４個横にコレクタ端子を上側にして取り付けられて
いる。同じく、ＩＧＢＴ１Ｂが４個下側にコレクタ端子
を上側にして取り付けられている。
【０００６】このうち、上段のＩＧＢＴ１Ａのコレクタ
端子は、右端に端子部13ａが設けられた帯板状の正極側
直流導体13でそれぞれ接続され、下段のＩＧＢＴ１Ｂの
エミッタ端子も、正極側直流導体13と同一品の負極側直
流導体14でそれぞれ接続されている。一方、ＩＧＢＴ１
Ａのエミッタ端子とＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子は、幅
の広い帯板状の交流導体15でそれぞれ接続され、この交
流導体15の左端には、端子部15ａが形成されている。
端子は、右端に端子部13ａが設けられた帯板状の正極側
直流導体13でそれぞれ接続され、下段のＩＧＢＴ１Ｂの
エミッタ端子も、正極側直流導体13と同一品の負極側直
流導体14でそれぞれ接続されている。一方、ＩＧＢＴ１
Ａのエミッタ端子とＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子は、幅
の広い帯板状の交流導体15でそれぞれ接続され、この交
流導体15の左端には、端子部15ａが形成されている。
【０００７】このように構成された半導体電力変換装置
において、ＩＧＢＴ１Ａがオンしたときには、正極側直
流導体13の端子部13ａから矢印Ｇ１に示すように流入し
た電流は、各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子から交流導体
15に流入して、矢印Ｇ２に示すように負荷に流出する。
また、ＩＧＢＴ１Ｂがオンしたときにも、矢印Ｈ１に示
すように交流導体15に流入した電流は、各ＩＧＢＴ１Ｂ
のエミッタ端子から矢印Ｈ２に示すように電源側に流出
する。
において、ＩＧＢＴ１Ａがオンしたときには、正極側直
流導体13の端子部13ａから矢印Ｇ１に示すように流入し
た電流は、各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子から交流導体
15に流入して、矢印Ｇ２に示すように負荷に流出する。
また、ＩＧＢＴ１Ｂがオンしたときにも、矢印Ｈ１に示
すように交流導体15に流入した電流は、各ＩＧＢＴ１Ｂ
のエミッタ端子から矢印Ｈ２に示すように電源側に流出
する。
【０００８】このように正極側直流導体13の右端から流
入した交流導体15に流れた電流を、この交流導体15の左
端から外部に供給することで、各ＩＧＢＴ１Ａの流出入
の電路の長さを等しくして、各ＩＧＢＴ１Ａに流れる電
流が平衡するように考慮されている。交流導体15が負極
側導体14に流れるときも同様である。
入した交流導体15に流れた電流を、この交流導体15の左
端から外部に供給することで、各ＩＧＢＴ１Ａの流出入
の電路の長さを等しくして、各ＩＧＢＴ１Ａに流れる電
流が平衡するように考慮されている。交流導体15が負極
側導体14に流れるときも同様である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
構成された半導体電力変換装置においては、各ＩＧＢＴ
１Ａ，１Ｂに流出入する電路の長さは確かに等しいが、
図６において、例えば、右端と左端のＩＧＢＴでは、電
路の電圧降下が同一ではないので、各ＩＧＢＴに流れる
電流に差が生じる。
構成された半導体電力変換装置においては、各ＩＧＢＴ
１Ａ，１Ｂに流出入する電路の長さは確かに等しいが、
図６において、例えば、右端と左端のＩＧＢＴでは、電
路の電圧降下が同一ではないので、各ＩＧＢＴに流れる
電流に差が生じる。
【００１０】すなわち、端子部13ａから矢印Ｇ１に示す
ように流入した電流による電圧降下は、右端のＩＧＢＴ
１Ａでは、少ないが、左になるほど増え、左端のＩＧＢ
Ｔ１Ａが最大となる。各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子か
ら交流導体15を経て端子部15ａに流れる電路の電圧降下
は、右端のＩＧＢＴ１Ａが最大であるが、交流導体15の
単位長さ当りの抵抗値は、正極側直流導体13と比べて少
ないので、各ＩＧＢＴ１Ａに流れる電路の電圧降下の大
小は、正極側直流導体13の電路の長さで決ってくる。
ように流入した電流による電圧降下は、右端のＩＧＢＴ
１Ａでは、少ないが、左になるほど増え、左端のＩＧＢ
Ｔ１Ａが最大となる。各ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子か
ら交流導体15を経て端子部15ａに流れる電路の電圧降下
は、右端のＩＧＢＴ１Ａが最大であるが、交流導体15の
単位長さ当りの抵抗値は、正極側直流導体13と比べて少
ないので、各ＩＧＢＴ１Ａに流れる電路の電圧降下の大
小は、正極側直流導体13の電路の長さで決ってくる。
【００１１】そのため、交流導体15を図６において前後
に二分割し、これらの左端を短い接続導体で接続する方
法も考えられるが、すると、導体の数が増えるので組立
時間も増すだけでなく、二分割によって抵抗も増えるの
で、各導体の温度上昇も増加するおそれもある。そこ
で、本発明の目的は、各スイッチング素子に流れる電流
の不平衡を解消し、組立時間の増加も防ぐことのできる
半導体電力変換装置を得ることである。
に二分割し、これらの左端を短い接続導体で接続する方
法も考えられるが、すると、導体の数が増えるので組立
時間も増すだけでなく、二分割によって抵抗も増えるの
で、各導体の温度上昇も増加するおそれもある。そこ
で、本発明の目的は、各スイッチング素子に流れる電流
の不平衡を解消し、組立時間の増加も防ぐことのできる
半導体電力変換装置を得ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、冷却体の片面に第１アームの複数のスイッチング素
子と第２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性
を逆にして放射状に配列し、スイッチング素子の内側の
端子を接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一
極性の端子を接続する一対の環状の導体を設けたことを
特徴とする。
は、冷却体の片面に第１アームの複数のスイッチング素
子と第２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性
を逆にして放射状に配列し、スイッチング素子の内側の
端子を接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一
極性の端子を接続する一対の環状の導体を設けたことを
特徴とする。
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、冷却体の
両面に第１アームの複数のスイッチング素子と第２アー
ムの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆にして放
射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子を接続す
る導体と、スイッチング素子の外側の同一極性の端子を
接続する一対の環状の導体を設けたことを特徴とする。
両面に第１アームの複数のスイッチング素子と第２アー
ムの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆にして放
射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子を接続す
る導体と、スイッチング素子の外側の同一極性の端子を
接続する一対の環状の導体を設けたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】環状の導体からスイッチング素子を経てこのス
イッチング素子の内側の端子を接続する導体に流れる電
流は、環状の片側の導体を分流し、スイッチング素子の
内側の端子を接続する導体からスイッチング素子を経て
環状の他側の導体に流れる電流は、環状の他側の導体を
分流する。
イッチング素子の内側の端子を接続する導体に流れる電
流は、環状の片側の導体を分流し、スイッチング素子の
内側の端子を接続する導体からスイッチング素子を経て
環状の他側の導体に流れる電流は、環状の他側の導体を
分流する。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の半導体電力変換装置を示す
正面図で、従来の技術で示した図６に対応する図、図２
は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１及び図２におい
て、図６で示したヒートシンク12と同形の正方形のヒー
トシンク２の正面には、ＩＧＢＴ１Ａがエミッタ端子を
内側にして90°間隔に放射状に取り付けられている。こ
れらのＩＧＢＴ１Ａの間には、ＩＧＢＴ１Ｂがコレクタ
端子を内側にして放射状に等間隔に取り付けられてい
る。
正面図で、従来の技術で示した図６に対応する図、図２
は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１及び図２におい
て、図６で示したヒートシンク12と同形の正方形のヒー
トシンク２の正面には、ＩＧＢＴ１Ａがエミッタ端子を
内側にして90°間隔に放射状に取り付けられている。こ
れらのＩＧＢＴ１Ａの間には、ＩＧＢＴ１Ｂがコレクタ
端子を内側にして放射状に等間隔に取り付けられてい
る。
【００１６】このうち、ＩＧＢＴ１Ａのエミッタ端子と
ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子は、銅板で製作された正八
角形の交流導体５で並列に接続され、この交流導体５の
中心部には、端子部５ａが形成されている。
ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子は、銅板で製作された正八
角形の交流導体５で並列に接続され、この交流導体５の
中心部には、端子部５ａが形成されている。
【００１７】各ＩＧＢＴ１Ａのコレクタ端子の上面に
は、外形が交流導体５と比べて僅かに大きい図３（ａ）
で示す正八角形の環状の正極側直流導体３が載置され、
この正極側直流導体３は、図１のＢ−Ｂ断面拡大詳細図
を示す図４（ａ）に示すように、小ねじ９で各コレクタ
端子に締め付けられている。
は、外形が交流導体５と比べて僅かに大きい図３（ａ）
で示す正八角形の環状の正極側直流導体３が載置され、
この正極側直流導体３は、図１のＢ−Ｂ断面拡大詳細図
を示す図４（ａ）に示すように、小ねじ９で各コレクタ
端子に締め付けられている。
【００１８】この正極側直流導体３には、図３（ａ）に
示すように、図１及び図３（ａ）において後方に突き出
た端子部３ｃが形成され、この端子部３ｃの後端には、
端子穴３ａが設けられている。正極側直流導体３には、
図３（ａ）において前後左右に小径の端子穴７Ａが設け
られ、これらの端子穴７Ａの間には、大径の貫通穴８が
形成されている。
示すように、図１及び図３（ａ）において後方に突き出
た端子部３ｃが形成され、この端子部３ｃの後端には、
端子穴３ａが設けられている。正極側直流導体３には、
図３（ａ）において前後左右に小径の端子穴７Ａが設け
られ、これらの端子穴７Ａの間には、大径の貫通穴８が
形成されている。
【００１９】この貫通穴８には、図１のＣ−Ｃ断面拡大
詳細図を示す図４（ｂ）に示すように、絶縁カラー10が
挿入され、この絶縁カラー10の後端は、ＩＧＢＴ１Ｂの
上面に当接している。
詳細図を示す図４（ｂ）に示すように、絶縁カラー10が
挿入され、この絶縁カラー10の後端は、ＩＧＢＴ１Ｂの
上面に当接している。
【００２０】この絶縁カラー10の上面には、図３（ｂ）
に示すように、外形が正極直流導体３と同一の負極側直
流導体４が載置され、この負極側直流導体４は、この負
極側直流導体４に設けられた端子穴７Ｂに挿入された小
ねじ９で、各ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子に締め付けら
れている。
に示すように、外形が正極直流導体３と同一の負極側直
流導体４が載置され、この負極側直流導体４は、この負
極側直流導体４に設けられた端子穴７Ｂに挿入された小
ねじ９で、各ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子に締め付けら
れている。
【００２１】この負極側直流導体４の、外周には、エポ
キシ樹脂の注型成形による絶縁層６があらかじめ形成さ
れ、この絶縁層６には、図３（ａ）で示した正極側直流
導体３の端子穴７Ａに対向する部分に、図４（ａ）で示
す凹部６ａが形成されている。また、図３（ｂ）に示す
負極側直流導体４の端子穴７Ａに対応する部分には、図
４（ｂ）に示すように負極側直流導体４に達する凹部６
ｂが形成されている。
キシ樹脂の注型成形による絶縁層６があらかじめ形成さ
れ、この絶縁層６には、図３（ａ）で示した正極側直流
導体３の端子穴７Ａに対向する部分に、図４（ａ）で示
す凹部６ａが形成されている。また、図３（ｂ）に示す
負極側直流導体４の端子穴７Ａに対応する部分には、図
４（ｂ）に示すように負極側直流導体４に達する凹部６
ｂが形成されている。
【００２２】このように構成された半導体電力変換装置
においては、図１において端子部３ｃから流入した電流
の一部は、後端のＩＧＢＴ１Ａのコレクタ端子を経て中
央の交流導体５に流入し、この交流導体５の中央部に形
成された端子部５ａから図示しない負荷に流出する。
においては、図１において端子部３ｃから流入した電流
の一部は、後端のＩＧＢＴ１Ａのコレクタ端子を経て中
央の交流導体５に流入し、この交流導体５の中央部に形
成された端子部５ａから図示しない負荷に流出する。
【００２３】また、端子部３ｃに流入した電流の他の一
部は、図３（ａ）で示す矢印Ｅ１，Ｅ２に示すように、
左右に分流して左右のＩＧＢＴ１Ａに流入し、更に他の
一部は、図３（ａ）の矢印Ｅ３，Ｅ４に示すように前方
のＩＧＢＴ１Ａに流入する。したがって、この分流によ
って、左右及び前方のＩＧＢＴ１Ａに流入する電路の電
圧降下を減らすことができる。
部は、図３（ａ）で示す矢印Ｅ１，Ｅ２に示すように、
左右に分流して左右のＩＧＢＴ１Ａに流入し、更に他の
一部は、図３（ａ）の矢印Ｅ３，Ｅ４に示すように前方
のＩＧＢＴ１Ａに流入する。したがって、この分流によ
って、左右及び前方のＩＧＢＴ１Ａに流入する電路の電
圧降下を減らすことができる。
【００２４】また、図１において、交流導体５の端子部
５ａから、図１の矢印Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４に示すよ
うに、各ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子とエミッタ端子を
経て負極側直流導体４に流入した電流は、図３（ｂ）で
示す矢印Ｇ１，Ｇ２のように、左右から端子部４ｃに向
って流れる。したがって、この場合においても、左右の
ＩＧＢＴ１Ｂに流入する電路の電圧降下を減らすことが
できる。
５ａから、図１の矢印Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４に示すよ
うに、各ＩＧＢＴ１Ｂのコレクタ端子とエミッタ端子を
経て負極側直流導体４に流入した電流は、図３（ｂ）で
示す矢印Ｇ１，Ｇ２のように、左右から端子部４ｃに向
って流れる。したがって、この場合においても、左右の
ＩＧＢＴ１Ｂに流入する電路の電圧降下を減らすことが
できる。
【００２５】なお、上記実施例において、交流導体５と
各ＩＧＢＴ１Ａ及び各ＩＧＢＴ１Ｂとの接続端子部及び
正極側直流導体３の端子穴７Ａと負極側直流導体４の端
子穴７Ａは、それぞれ正八角形の直線部の中央に設けた
例で説明したが、各角部に設けてもよい。その場合に
は、図１において各ＩＧＢＴ１Ａ，ＩＧＢＴ１Ｂの位置
を45°変えてもよく、逆に、正極側直流導体３及び負極
側直流導体４を図１において45°回転させてもよい。
各ＩＧＢＴ１Ａ及び各ＩＧＢＴ１Ｂとの接続端子部及び
正極側直流導体３の端子穴７Ａと負極側直流導体４の端
子穴７Ａは、それぞれ正八角形の直線部の中央に設けた
例で説明したが、各角部に設けてもよい。その場合に
は、図１において各ＩＧＢＴ１Ａ，ＩＧＢＴ１Ｂの位置
を45°変えてもよく、逆に、正極側直流導体３及び負極
側直流導体４を図１において45°回転させてもよい。
【００２６】さらに、図１，図３において、正極側直流
導体３と負極側直流導体４は、正八角形のときで説明し
たが、いずれも円形としてもよい。この場合には、電路
が短縮されるので、電圧降下が更に減少する利点がある
だけでなく、製作が容易となる利点もある。
導体３と負極側直流導体４は、正八角形のときで説明し
たが、いずれも円形としてもよい。この場合には、電路
が短縮されるので、電圧降下が更に減少する利点がある
だけでなく、製作が容易となる利点もある。
【００２７】さらに、上記実施例では、負極側直流導体
４は、外周をエポキシ樹脂で注型成形したときで説明し
たが、絶縁カラー10の長さを増やしたときや、正極側直
流導体３との間に印加される電圧が低いときには、省い
てもよい。
４は、外周をエポキシ樹脂で注型成形したときで説明し
たが、絶縁カラー10の長さを増やしたときや、正極側直
流導体３との間に印加される電圧が低いときには、省い
てもよい。
【００２８】また、上記実施例においては、各ＩＧＢＴ
１Ａ，１Ｂは、ヒートシンク２の片面に取り付けた例で
説明したが、両面に取り付け、交流導体５及び正極側直
流導体３と負極側直流導体も両面に取り付けることで実
装密度を上げ、半導体電力変換装置全体の小形化を図っ
てもよい。
１Ａ，１Ｂは、ヒートシンク２の片面に取り付けた例で
説明したが、両面に取り付け、交流導体５及び正極側直
流導体３と負極側直流導体も両面に取り付けることで実
装密度を上げ、半導体電力変換装置全体の小形化を図っ
てもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上、請求項１に記載の発明によれば、
冷却体の片面に第１アームの複数のスイッチング素子と
第２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆
にして放射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子
を接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一極性
の端子を接続する一対の環状の導体を設けることで、環
状の導体からスイッチング素子を経てこのスイッチング
素子の内側の端子を接続する導体に流れる電流は、環状
の片側の導体で分流させ、スイッチング素子の内側の端
子を接続する導体からスイッチング素子を経て環状の他
側の導体に流れる電流は、環状の他側の導体で分流させ
たので、各スイッチング素子に流れる電流の不平衡を解
消し、組立時間の増加も防ぐことのできる半導体電力変
換装置を得ることができる。
冷却体の片面に第１アームの複数のスイッチング素子と
第２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆
にして放射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子
を接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一極性
の端子を接続する一対の環状の導体を設けることで、環
状の導体からスイッチング素子を経てこのスイッチング
素子の内側の端子を接続する導体に流れる電流は、環状
の片側の導体で分流させ、スイッチング素子の内側の端
子を接続する導体からスイッチング素子を経て環状の他
側の導体に流れる電流は、環状の他側の導体で分流させ
たので、各スイッチング素子に流れる電流の不平衡を解
消し、組立時間の増加も防ぐことのできる半導体電力変
換装置を得ることができる。
【００３０】また、請求項２に記載の発明によれば、冷
却体の両面に第１アームの複数のスイッチング素子と第
２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆に
して放射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子を
接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一極性の
端子を接続する一対の環状の導体を設けることで、環状
の導体からスイッチング素子を経てこのスイッチング素
子の内側の端子を接続する導体に流れる電流は、環状の
片側の導体で分流させ、スイッチング素子の内側の端子
を接続する導体からスイッチング素子を経て環状の他側
の導体に流れる電流は、環状の他側の導体で分流させた
ので、各スイッチング素子に流れる電流の不平衡を解消
し、組立時間の増加も防ぐことのできる半導体電力変換
装置を得ることができる。
却体の両面に第１アームの複数のスイッチング素子と第
２アームの複数のスイッチング素子を交互に極性を逆に
して放射状に配列し、スイッチング素子の内側の端子を
接続する導体と、スイッチング素子の外側の同一極性の
端子を接続する一対の環状の導体を設けることで、環状
の導体からスイッチング素子を経てこのスイッチング素
子の内側の端子を接続する導体に流れる電流は、環状の
片側の導体で分流させ、スイッチング素子の内側の端子
を接続する導体からスイッチング素子を経て環状の他側
の導体に流れる電流は、環状の他側の導体で分流させた
ので、各スイッチング素子に流れる電流の不平衡を解消
し、組立時間の増加も防ぐことのできる半導体電力変換
装置を得ることができる。
【図１】本発明の半導体電力変換装置の一実施例を示す
正面図。
正面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】（ａ）は、図１の部分詳細図。（ｂ）は、図３
（ａ）と異なる部分詳細図。
（ａ）と異なる部分詳細図。
【図４】（ａ）は、図１のＢ−Ｂ断面拡大詳細図。
（ｂ）は、図１のＣ−Ｃ断面拡大詳細図。
（ｂ）は、図１のＣ−Ｃ断面拡大詳細図。
【図５】従来の半導体電力変換装置の一例を示す主回路
接続図。
接続図。
【図６】従来の半導体電力変換装置の一例を示す正面
図。
図。
１Ａ…絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）、２…ヒートシンク、３…正極側直流導体、４…負
極側直流導体、５…交流導体、６…絶縁層、７Ａ，７Ｂ
…端子穴、８…貫通穴、10…絶縁カラー。
Ｔ）、２…ヒートシンク、３…正極側直流導体、４…負
極側直流導体、５…交流導体、６…絶縁層、７Ａ，７Ｂ
…端子穴、８…貫通穴、10…絶縁カラー。
Claims (2)
- 【請求項１】 冷却体の片面に第１アームの複数のスイ
ッチング素子と第２アームの複数のスイッチング素子を
交互に極性を逆にして放射状に配列し、前記スイッチン
グ素子の内側の端子を接続する導体と、前記スイッチン
グ素子の外側の同一極性の端子を接続する一対の環状の
導体を設けたことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 【請求項２】 冷却体の両面に第１アームの複数のスイ
ッチング素子と第２アームの複数のスイッチング素子を
交互に極性を逆にして放射状に配列し、前記スイッチン
グ素子の内側の端子を接続する導体と、前記スイッチン
グ素子の外側の同一極性の端子を接続する一対の環状の
導体を設けたことを特徴とする半導体電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127634A JPH06343269A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127634A JPH06343269A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06343269A true JPH06343269A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=14964951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127634A Pending JPH06343269A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06343269A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000350475A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
| JP2013055781A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Daihen Corp | 電力変換装置のスイッチモジュール |
| JP2013055783A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Daihen Corp | 整流回路モジュール |
| CN105074920A (zh) * | 2013-04-09 | 2015-11-18 | Abb技术有限公司 | 功率半导体模块 |
| CN105552037A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 国网智能电网研究院 | 一种新型压接式igbt模块 |
| JP6390807B1 (ja) * | 2018-03-02 | 2018-09-19 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN108615724A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-02 | 西安交通大学 | 一种微感型igbt并联均流结构 |
| WO2024129430A1 (en) * | 2022-12-16 | 2024-06-20 | Bae Systems Controls Inc. | Ac busbar for current sharing between parallelly connected semiconductor switching pairs |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5127634A patent/JPH06343269A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000350475A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
| JP2013055781A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Daihen Corp | 電力変換装置のスイッチモジュール |
| JP2013055783A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Daihen Corp | 整流回路モジュール |
| CN105074920A (zh) * | 2013-04-09 | 2015-11-18 | Abb技术有限公司 | 功率半导体模块 |
| CN105552037A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 国网智能电网研究院 | 一种新型压接式igbt模块 |
| CN105552037B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-04-24 | 国网智能电网研究院 | 一种压接式igbt模块 |
| JP6390807B1 (ja) * | 2018-03-02 | 2018-09-19 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2019154148A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN108615724A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-02 | 西安交通大学 | 一种微感型igbt并联均流结构 |
| WO2024129430A1 (en) * | 2022-12-16 | 2024-06-20 | Bae Systems Controls Inc. | Ac busbar for current sharing between parallelly connected semiconductor switching pairs |
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