JPH06334081A - 半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法 - Google Patents
半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06334081A JPH06334081A JP5119622A JP11962293A JPH06334081A JP H06334081 A JPH06334081 A JP H06334081A JP 5119622 A JP5119622 A JP 5119622A JP 11962293 A JP11962293 A JP 11962293A JP H06334081 A JPH06334081 A JP H06334081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- semiconductor
- electrode
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ペレットをリードフレームに導電接続
する際のスループットの向上を図り、且つ、配線構造を
強くして歩留り向上を図る。 【構成】 ペレット１の２つの面１Ａ，１Ｂにはブロッ
ク状の金属部材３Ａ，３Ｂの一方の接合面３Ａ1，３Ｂ1
が接着され、他の接合面３Ａ2，３Ｂ2がリードフレーム
の２つの電極部２Ａ，２Ｂに接続されて、ペレット上の
２つの電極とリードフレームとが導電接続される。ペレ
ット１と金属部材３Ａ，３Ｂとを接合させる工程、該金
属部材３Ａ，３Ｂとリードフレーム２とを接続させる工
程を、多数のペレットに対して同時に行うことができる
ため（バッチ処理）、スループットが向上する。又、ペ
レットとリードとの接続にブロック状の金属部材３Ａ，
３Ｂが用いられているため、モールドの配線構造が外力
に強いものとなり歩留りが向上する。
する際のスループットの向上を図り、且つ、配線構造を
強くして歩留り向上を図る。 【構成】 ペレット１の２つの面１Ａ，１Ｂにはブロッ
ク状の金属部材３Ａ，３Ｂの一方の接合面３Ａ1，３Ｂ1
が接着され、他の接合面３Ａ2，３Ｂ2がリードフレーム
の２つの電極部２Ａ，２Ｂに接続されて、ペレット上の
２つの電極とリードフレームとが導電接続される。ペレ
ット１と金属部材３Ａ，３Ｂとを接合させる工程、該金
属部材３Ａ，３Ｂとリードフレーム２とを接続させる工
程を、多数のペレットに対して同時に行うことができる
ため（バッチ処理）、スループットが向上する。又、ペ
レットとリードとの接続にブロック状の金属部材３Ａ，
３Ｂが用いられているため、モールドの配線構造が外力
に強いものとなり歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の封止技術
さらにはリードフレームを用いた半導体ペレットの樹脂
モールドによる封止に適用して特に有効な技術に関し、
例えばダイオード等の２つの電極を有する半導体ペレッ
トの封止に利用して有用な技術に関する。
さらにはリードフレームを用いた半導体ペレットの樹脂
モールドによる封止に適用して特に有効な技術に関し、
例えばダイオード等の２つの電極を有する半導体ペレッ
トの封止に利用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード等、２つの電極が上面と下面
に夫々形成された半導体ペレットを、リードフレーム上
に搭載し、これを樹脂モールドにて封止する構造として
は、例えば図７に示す、リードマウント形パッケージ構
造が公知である。このリードマウント形パッケージ構造
では、半導体ペレット１の上面１Ａ及び下面１Ｂに夫々
形成された２つの電極のうち、一方の電極（１Ａ側）を
リードフレーム２２の一方の電極部（ポスト部）２２Ａ
に接合させ、他方の電極（１Ｂ側）を、細い金線からな
るボンディングワイヤ２３を用いてリードフレームの他
方の電極部（タブ部）２２Ｂに導電接続させており、そ
の外側より樹脂モールド２４にて封止されるようになっ
ている。
に夫々形成された半導体ペレットを、リードフレーム上
に搭載し、これを樹脂モールドにて封止する構造として
は、例えば図７に示す、リードマウント形パッケージ構
造が公知である。このリードマウント形パッケージ構造
では、半導体ペレット１の上面１Ａ及び下面１Ｂに夫々
形成された２つの電極のうち、一方の電極（１Ａ側）を
リードフレーム２２の一方の電極部（ポスト部）２２Ａ
に接合させ、他方の電極（１Ｂ側）を、細い金線からな
るボンディングワイヤ２３を用いてリードフレームの他
方の電極部（タブ部）２２Ｂに導電接続させており、そ
の外側より樹脂モールド２４にて封止されるようになっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかにされた。即ち、上記リードマウント形
パッケージ構造を得るためには、上記ポスト部２２Ａに
半導体ペレット１を取り付けるペレット付け工程、ボン
ディングワイヤ２３をペレットの電極とタブ部２２Ｂ間
に形成するワイヤボンディング工程等が必要である。と
ころで、これらの工程は、１つのペレット毎にその処理
を行わなければならない。このため、複数の製品に対し
て一括してその処理を行なう所謂「バッチ処理」が適用
できず、半導体製造工程のスループットが向上しないと
云う不具合がある。又、上記ボンディング工程に用いら
れる細い金線からなるボンディングワイヤ２３はその強
度が弱く、ボンディング工程後に外力がかかると、ワイ
ヤ変形等の不良が発生しがちであった。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかにされた。即ち、上記リードマウント形
パッケージ構造を得るためには、上記ポスト部２２Ａに
半導体ペレット１を取り付けるペレット付け工程、ボン
ディングワイヤ２３をペレットの電極とタブ部２２Ｂ間
に形成するワイヤボンディング工程等が必要である。と
ころで、これらの工程は、１つのペレット毎にその処理
を行わなければならない。このため、複数の製品に対し
て一括してその処理を行なう所謂「バッチ処理」が適用
できず、半導体製造工程のスループットが向上しないと
云う不具合がある。又、上記ボンディング工程に用いら
れる細い金線からなるボンディングワイヤ２３はその強
度が弱く、ボンディング工程後に外力がかかると、ワイ
ヤ変形等の不良が発生しがちであった。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、半導体ペレットを樹脂モールド等にて封止するに
当たり、複数のペレットに対する処理を一括して行なう
所謂「バッチ処理」を可能としてスループットの向上を
図り、且つ、外力に強い配線構造として歩留り向上を図
るようにした半導体ペレットのモールド構造及びその製
造方法を提供することをその目的とする。この発明の前
記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本
明細書の記述および添附図面から明らかになるであろ
う。
ので、半導体ペレットを樹脂モールド等にて封止するに
当たり、複数のペレットに対する処理を一括して行なう
所謂「バッチ処理」を可能としてスループットの向上を
図り、且つ、外力に強い配線構造として歩留り向上を図
るようにした半導体ペレットのモールド構造及びその製
造方法を提供することをその目的とする。この発明の前
記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本
明細書の記述および添附図面から明らかになるであろ
う。
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明のモールド構造では、半導体
ペレットの互いに平行な２つの面に夫々形成された２つ
の電極を、リードフレームの２つの電極部に夫々導電接
続させるに当り、上記ペレットの２つの面に、少なくと
も２つの接合面を有するブロック状の２つの電極部材の
一方の接合面を、夫々接合させ、且つ、上記２つの電極
部材の他方の接合面を、リードフレームの２つの電極部
に夫々導電接続させるようにしている。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明のモールド構造では、半導体
ペレットの互いに平行な２つの面に夫々形成された２つ
の電極を、リードフレームの２つの電極部に夫々導電接
続させるに当り、上記ペレットの２つの面に、少なくと
も２つの接合面を有するブロック状の２つの電極部材の
一方の接合面を、夫々接合させ、且つ、上記２つの電極
部材の他方の接合面を、リードフレームの２つの電極部
に夫々導電接続させるようにしている。
【０００５】
【作用】半導体ペレットの２つの電極と上記２つの電極
部材とを接続させる工程、該電極部材とリードフレーム
の電極部とを接続させる工程を行うに当り、複数のペレ
ットに対して一括してその処理を行うことができる（バ
ッチ処理）。又、ペレットとリードとの接続にボンディ
ング用金線が用いられないため、モールド構造が外力に
強いものとなる。
部材とを接続させる工程、該電極部材とリードフレーム
の電極部とを接続させる工程を行うに当り、複数のペレ
ットに対して一括してその処理を行うことができる（バ
ッチ処理）。又、ペレットとリードとの接続にボンディ
ング用金線が用いられないため、モールド構造が外力に
強いものとなる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
て説明する。図１は本実施例の半導体ペレットのモール
ド構造を示す縦断面図である。このモールド構造では、
ペレット（ダイオード）１の一方の面１Ａ及び他方の面
１Ｂが、電極部材（金属部材）３Ａ，３Ｂに接合され、
更に、この電極部材３Ａ，３Ｂがリードフレーム２の２
つの電極部２Ａ，２Ｂに夫々接続され、これが樹脂モー
ルド４にて封入されている。
て説明する。図１は本実施例の半導体ペレットのモール
ド構造を示す縦断面図である。このモールド構造では、
ペレット（ダイオード）１の一方の面１Ａ及び他方の面
１Ｂが、電極部材（金属部材）３Ａ，３Ｂに接合され、
更に、この電極部材３Ａ，３Ｂがリードフレーム２の２
つの電極部２Ａ，２Ｂに夫々接続され、これが樹脂モー
ルド４にて封入されている。
【０００７】即ち、半導体ダイオード１の一方の面１Ａ
及び他方の面１Ｂではダイオードの２つの電極（図には
現れていない）がその表面に露出されており、この面１
Ａ，１Ｂの表面に長方体の金属部材３Ａ，３Ｂが銀（Ａ
ｇ）ペースト等の導電性接着剤５によって接着されてい
る。このときダイオード１の２つの電極と金属部材３
Ａ，３Ｂが夫々導電接続される。尚、上記ダイオード１
に２つの金属部材３Ａ，３Ｂが接合された構造を「チッ
プ」１０と称する。ところで、上記金属部材３Ａ，３Ｂ
は、ダイオード１との接合面３Ａ1，３Ｂ1の形状が、該
ダイオード１の表面形状と同一であり、又、所定の横幅
ｄ（例えば０．５mm）となっている。しかして、金属部
材３Ａ，３Ｂは、その一側面３Ａ2，３Ｂ2がクリーム半
田等の導電性接着剤６によって、リードフレームの電極
部２Ａ，２Ｂに導電接続される。このようにダイオード
１，金属部材３Ａ，３Ｂ、リード２は、互いに導電接続
された状態で、樹脂モールド４によって封止され、パッ
ケージされた半導体装置が形成される。
及び他方の面１Ｂではダイオードの２つの電極（図には
現れていない）がその表面に露出されており、この面１
Ａ，１Ｂの表面に長方体の金属部材３Ａ，３Ｂが銀（Ａ
ｇ）ペースト等の導電性接着剤５によって接着されてい
る。このときダイオード１の２つの電極と金属部材３
Ａ，３Ｂが夫々導電接続される。尚、上記ダイオード１
に２つの金属部材３Ａ，３Ｂが接合された構造を「チッ
プ」１０と称する。ところで、上記金属部材３Ａ，３Ｂ
は、ダイオード１との接合面３Ａ1，３Ｂ1の形状が、該
ダイオード１の表面形状と同一であり、又、所定の横幅
ｄ（例えば０．５mm）となっている。しかして、金属部
材３Ａ，３Ｂは、その一側面３Ａ2，３Ｂ2がクリーム半
田等の導電性接着剤６によって、リードフレームの電極
部２Ａ，２Ｂに導電接続される。このようにダイオード
１，金属部材３Ａ，３Ｂ、リード２は、互いに導電接続
された状態で、樹脂モールド４によって封止され、パッ
ケージされた半導体装置が形成される。
【０００８】次に、上記したモールド構造を形成する手
順について、製造フロー説明図（図２）を用いて説明す
る。先ず、ダイオード等の半導体素子が形成された半導
体ウェハ１１（前工程終了時点のウェハ）の、上面及び
下面に、これと略同一半径で厚さがｄ（０．５mm）の銅
板１３Ａ，１３Ｂが、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接
着剤５にて貼り合わされる（貼合せ工程）。ところで上
記ウェハ１１に形成されたダイオードは、２つの電極
（アノード，カソード）が、当該ウェハの上面及び下面
に露出されるようになっており、このとき、上記２つの
電極は、銅板１３Ａ，１３Ｂに導電接続される。
順について、製造フロー説明図（図２）を用いて説明す
る。先ず、ダイオード等の半導体素子が形成された半導
体ウェハ１１（前工程終了時点のウェハ）の、上面及び
下面に、これと略同一半径で厚さがｄ（０．５mm）の銅
板１３Ａ，１３Ｂが、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接
着剤５にて貼り合わされる（貼合せ工程）。ところで上
記ウェハ１１に形成されたダイオードは、２つの電極
（アノード，カソード）が、当該ウェハの上面及び下面
に露出されるようになっており、このとき、上記２つの
電極は、銅板１３Ａ，１３Ｂに導電接続される。
【０００９】次いで、銅板１３Ａ，１３Ｂが両面に接続
された半導体ウェハ１１に対してダイシング工程が行わ
れる。このダイシングによって得られた製品チップ１０
は、半導体ペレット１の両側（１Ａ，１Ｂ）に２つの銅
板（金属部材３Ａ，３Ｂ）が接続された構造となる（図
３）。
された半導体ウェハ１１に対してダイシング工程が行わ
れる。このダイシングによって得られた製品チップ１０
は、半導体ペレット１の両側（１Ａ，１Ｂ）に２つの銅
板（金属部材３Ａ，３Ｂ）が接続された構造となる（図
３）。
【００１０】かかる構造の製品チップ１０が得られる
と、多数のチップ１０が、一括してペレット整列用部材
３０の凹部３１に収納される（チップ収納）。このペレ
ット整列用部材３０は、金属製リボン１２のリードフレ
ームパターンが繰り返されるピッチと、同一間隔にて複
数の凹部３１，３１…が設けられた、金属製又はセラミ
ック製の治具である。図３は図２のIII−III線に沿った
断面図である。この図に示すように、上記凹部３１は唯
１つのチップ１０が収納可能な大きさで、且つ、チップ
の上面１０Ａが整列用部材の上面３０Ａより若干突出す
る深さとなっている。
と、多数のチップ１０が、一括してペレット整列用部材
３０の凹部３１に収納される（チップ収納）。このペレ
ット整列用部材３０は、金属製リボン１２のリードフレ
ームパターンが繰り返されるピッチと、同一間隔にて複
数の凹部３１，３１…が設けられた、金属製又はセラミ
ック製の治具である。図３は図２のIII−III線に沿った
断面図である。この図に示すように、上記凹部３１は唯
１つのチップ１０が収納可能な大きさで、且つ、チップ
の上面１０Ａが整列用部材の上面３０Ａより若干突出す
る深さとなっている。
【００１１】このように複数の製品チップ１０が、整列
用部材の凹部３１に一括して収納されると、金属製リボ
ン１２がその上面から覆いかぶされる。ところで、上記
金属製リボン１２のリードフレームの電極部１２ａ，１
２ａ…には、クリーム半田等の導電性接着剤６（図には
現れていない）が塗布される。そして、上記ペレット整
列用部材３０と金属製リボン１２との位置合わせは、上
記整列された製品チップ１０の２つの金属部材３Ａ，３
Ｂの一側部３Ａ2，３Ｂ2が、上記リボン側のリードフレ
ームの電極部１２ａ，１２ａ…と当接するように行われ
る（図４）。この結果、クリーム半田６によって、リー
ドフレームの電極部１２ａ，１２ａ…と上記金属部材３
Ａ，３Ｂとが導電接続され、ダイオード１の電極（図示
省略）が上記リードフレーム側に引き出されることとな
る。この状態で樹脂モールド４による封止が行われ、そ
の後の切離し工程によって、図１に示した構造の半導体
装置を得る。尚、上記金属部材３Ａ，３Ｂの横幅ｄ（銅
板の厚さｄ）は、樹脂モールドによる封止時にリードフ
レーム２と、当該金属部材３Ａ，３Ｂとの接続強度が充
分に得られる幅に設定されている。
用部材の凹部３１に一括して収納されると、金属製リボ
ン１２がその上面から覆いかぶされる。ところで、上記
金属製リボン１２のリードフレームの電極部１２ａ，１
２ａ…には、クリーム半田等の導電性接着剤６（図には
現れていない）が塗布される。そして、上記ペレット整
列用部材３０と金属製リボン１２との位置合わせは、上
記整列された製品チップ１０の２つの金属部材３Ａ，３
Ｂの一側部３Ａ2，３Ｂ2が、上記リボン側のリードフレ
ームの電極部１２ａ，１２ａ…と当接するように行われ
る（図４）。この結果、クリーム半田６によって、リー
ドフレームの電極部１２ａ，１２ａ…と上記金属部材３
Ａ，３Ｂとが導電接続され、ダイオード１の電極（図示
省略）が上記リードフレーム側に引き出されることとな
る。この状態で樹脂モールド４による封止が行われ、そ
の後の切離し工程によって、図１に示した構造の半導体
装置を得る。尚、上記金属部材３Ａ，３Ｂの横幅ｄ（銅
板の厚さｄ）は、樹脂モールドによる封止時にリードフ
レーム２と、当該金属部材３Ａ，３Ｂとの接続強度が充
分に得られる幅に設定されている。
【００１２】以上説明したように本実施例の半導体ペレ
ットのモールド構造によれば、ペレットの２つの面１
Ａ，１Ｂに夫々金属部材３Ａ，３Ｂを接着させ、更に金
属部材３Ａ，３Ｂをリードフレームの２つの電極部２
Ａ，２Ｂに導電接続させて、ペレットの２つの電極とリ
ードフレームとの導電接続を図る構造となっているた
め、ペレットと上記２つの金属部材３Ａ，３Ｂとを接続
させる工程、該金属部材３Ａ，３Ｂとリードフレーム２
とを接続させる工程を、複数のペレットに対して一括し
て行うことができ（バッチ処理）、スループットの向上
が図られる。又、ペレットとリードとの接続に、細い金
線からなるボンディングワイヤが用いられていないた
め、モールド構造が外力に強いものとなり歩留りが向上
する。又、ペレットと金属部材との接着が、ダイシング
前に行われるため、当該導電性接着剤が、製品チップの
不要な部分に付着する虞がなく品質の向上が図られる。
ットのモールド構造によれば、ペレットの２つの面１
Ａ，１Ｂに夫々金属部材３Ａ，３Ｂを接着させ、更に金
属部材３Ａ，３Ｂをリードフレームの２つの電極部２
Ａ，２Ｂに導電接続させて、ペレットの２つの電極とリ
ードフレームとの導電接続を図る構造となっているた
め、ペレットと上記２つの金属部材３Ａ，３Ｂとを接続
させる工程、該金属部材３Ａ，３Ｂとリードフレーム２
とを接続させる工程を、複数のペレットに対して一括し
て行うことができ（バッチ処理）、スループットの向上
が図られる。又、ペレットとリードとの接続に、細い金
線からなるボンディングワイヤが用いられていないた
め、モールド構造が外力に強いものとなり歩留りが向上
する。又、ペレットと金属部材との接着が、ダイシング
前に行われるため、当該導電性接着剤が、製品チップの
不要な部分に付着する虞がなく品質の向上が図られる。
【００１３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例では、半導体ペレット１と金属部材３Ａ，３Ｂ
とを接合させるに当たり、素子が形成されたウェハ１１
と当該金属板１３との間の全面に銀ペーストを塗布して
これらを貼り合わせるようにしているが、例えば、ウェ
ハ上のダイオードの電極に相当する領域に、半田バンプ
を夫々設けておき、当該ウェハに上記金属板を合わせた
状態でこれらを互いに接続させてもよい。かかる手法に
よれば、図５に示すように、金属部材３Ａ（３Ｂ）とペ
レット１の電極とが導電接続する部分が、製品チップの
表面に露出しないため、金属部材３Ａ，３Ｂ間のショー
トや、リードフレームに搭載時のショート等が防止され
る。又、上記ショートの発生を防止するために、半導体
ペレットの電極の周辺に、図６に示すように、予め絶縁
部を設けるようにしてもよい。又、本実施例では、導電
性接着剤としてクリーム半田、銀ペーストを用いる例を
示し、電極部材として金属部材（銅板）を例示したが、
これに限定されるものではなく、他の導電性接着剤、他
の導電性部材を用いてもよい。以上の説明では主として
本発明者によってなされた発明をその背景となった利用
分野である半導体ダイオードの樹脂モールドによる封止
技術に適用した場合について説明したが、この発明はそ
れに限定されるものでなく、２つの電極がペレットの上
面／下面に夫々形成された半導体装置の封止技術一般に
利用することができる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例では、半導体ペレット１と金属部材３Ａ，３Ｂ
とを接合させるに当たり、素子が形成されたウェハ１１
と当該金属板１３との間の全面に銀ペーストを塗布して
これらを貼り合わせるようにしているが、例えば、ウェ
ハ上のダイオードの電極に相当する領域に、半田バンプ
を夫々設けておき、当該ウェハに上記金属板を合わせた
状態でこれらを互いに接続させてもよい。かかる手法に
よれば、図５に示すように、金属部材３Ａ（３Ｂ）とペ
レット１の電極とが導電接続する部分が、製品チップの
表面に露出しないため、金属部材３Ａ，３Ｂ間のショー
トや、リードフレームに搭載時のショート等が防止され
る。又、上記ショートの発生を防止するために、半導体
ペレットの電極の周辺に、図６に示すように、予め絶縁
部を設けるようにしてもよい。又、本実施例では、導電
性接着剤としてクリーム半田、銀ペーストを用いる例を
示し、電極部材として金属部材（銅板）を例示したが、
これに限定されるものではなく、他の導電性接着剤、他
の導電性部材を用いてもよい。以上の説明では主として
本発明者によってなされた発明をその背景となった利用
分野である半導体ダイオードの樹脂モールドによる封止
技術に適用した場合について説明したが、この発明はそ
れに限定されるものでなく、２つの電極がペレットの上
面／下面に夫々形成された半導体装置の封止技術一般に
利用することができる。
【００１４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、半導体ペレットを封止する
に当たり、複数のペレットのパッケージングを一括して
行なう所謂「バッチ処理」が可能となってスループット
の向上が図られ、更に、配線構造が外力に強くなった分
歩留りが向上する。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、半導体ペレットを封止する
に当たり、複数のペレットのパッケージングを一括して
行なう所謂「バッチ処理」が可能となってスループット
の向上が図られ、更に、配線構造が外力に強くなった分
歩留りが向上する。
【図１】本実施例の半導体ペレットのモールド構造を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】樹脂モールド構造を形成する手順を示す製造フ
ローの説明図である。
ローの説明図である。
【図３】ダイシングして得られた製品チップがペレット
整列用部材の凹部に収納された状態を示す、図２のIII
−III線に沿った断面図である。
整列用部材の凹部に収納された状態を示す、図２のIII
−III線に沿った断面図である。
【図４】製品チップをリードフレームに搭載した状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】ウェハと２枚の金属板との間に半田バンプを設
けてこれらを互いに接続し、その後ダイシングして製品
チップを形成する変形例を示す断面図である。
けてこれらを互いに接続し、その後ダイシングして製品
チップを形成する変形例を示す断面図である。
【図６】半導体ペレットの電極を囲むように絶縁膜を設
けて、当該電極部材をその両面に接合させた変形例を示
す断面図である。
けて、当該電極部材をその両面に接合させた変形例を示
す断面図である。
【図７】半導体ペレットをリードフレーム上に搭載しこ
れを樹脂モールドにて封止する従来のモールド構造を示
す断面図である。
れを樹脂モールドにて封止する従来のモールド構造を示
す断面図である。
１ ペレット ２ リードフレーム ２Ａ，２Ｂ 電極部 ３Ａ，３Ｂ 金属部材（電極部材） ３Ａ1，３Ｂ1 ダイオードとの接合面 ３Ａ2，３Ｂ2 リードフレームとの接合面 ４ 樹脂モールド ３０ ペレット整列用部材
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ペレットの互いに平行な２つの面
に夫々形成された２つの電極が、リードフレームの２つ
の電極部に夫々導電接続されている半導体ペレットのモ
ールド構造において、 上記半導体ペレットの２つの面には、少なくとも２つの
接合面を有するブロック状の２つの電極部材が、該電極
部材の一方の接合面がペレットの２つの面に夫々接合さ
れて、上記２つの電極と上記２つの電極部材とが夫々導
電接続され、 且つ、上記２つの電極部材の他方の接合面が、リードフ
レームの２つの電極部に夫々導電接続されていることを
特徴とする半導体ペレットのモールド構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電極部材を上記半導体
ペレットの互いに平行な２つの面に接合させるに当り、 素子が形成された半導体ウェハの上面及び下面に、該ウ
ェハと略同一の形状の金属板を、導電性接着剤を用いて
接合させ、 上記半導体ウェハと、これを両面より挟む２枚の金属板
とを、互いに接合させた状態で所定形状にダイシングす
るようにしたことを特徴とする半導体ペレットのモール
ド構造の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の、２つの電極部材が２
つの面に接合された半導体ペレットを、リードフレーム
に装着するに当り、 多数のリードフレームが連なる金属製リボンと、 該金属製リボンのリードフレームのピッチと同一間隔
で、複数の凹部が設けられたペレット整列用部材とを用
意し、 上記ペレット整列用部材の複数の凹部に複数の上記半導
体ペレットを収納し、 上記ペレット整列用部材にて整列された上記複数の半導
体ペレットの夫々の電極部材に、導電性接着剤が塗布さ
れたリード電極部が当接するように上記金属製リボンを
配置し、 上記リード電極部と上記電極部材とを導電接続させるよ
うにしたことを特徴とする請求項２に記載の半導体ペレ
ットのモールド構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119622A JPH06334081A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119622A JPH06334081A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334081A true JPH06334081A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14766001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5119622A Pending JPH06334081A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334081A (ja) |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP5119622A patent/JPH06334081A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841414B1 (en) | Saw and etch singulation method for a chip package | |
| US6777265B2 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| CN100380614C (zh) | 部分构图的引线框架及其制造方法以及在半导体封装中的使用 | |
| US7129116B2 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| KR100369393B1 (ko) | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법 | |
| TW409375B (en) | Method of producing semiconductor device and configuration thereof, and lead frame used in said method | |
| US20070052076A1 (en) | Partially Patterned Lead Frames and Methods of Making and Using the Same in Semiconductor Packaging | |
| US20030143776A1 (en) | Method of manufacturing an encapsulated integrated circuit package | |
| JP2002076228A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2003273279A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6199743B1 (en) | Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies | |
| KR20010014945A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH06334081A (ja) | 半導体ペレットのモールド構造及びその製造方法 | |
| US6281043B1 (en) | Fabrication of hybrid semiconductor devices | |
| JP4570797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001185567A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003188332A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR101688079B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 | |
| JPH08250545A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100370480B1 (ko) | 반도체 패키지용 리드 프레임 | |
| KR100345163B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| KR200179421Y1 (ko) | 적층형 반도체 패캐이지 | |
| JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JP2002305267A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11111742A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |