JPH06325364A - 光ディスク記録装置 - Google Patents
光ディスク記録装置Info
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- JPH06325364A JPH06325364A JP5113369A JP11336993A JPH06325364A JP H06325364 A JPH06325364 A JP H06325364A JP 5113369 A JP5113369 A JP 5113369A JP 11336993 A JP11336993 A JP 11336993A JP H06325364 A JPH06325364 A JP H06325364A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な回路構成により、ZCAVディスクの
各バンドにおいて良好な記録を行うために必要なパルス
幅の記録パルスを得る。 【構成】 光ディスク記録装置の記録パルス生成回路
は、原発振器1からの原発振クロックを分周する分周器
2を有しており、ZCAVディスクの各バンドにおける
チャネルクロックを生成する。データ発生回路5は、C
PU3から送られる記録データに応じて各バンドにおけ
るチャネルクロック幅のパルス幅のレーザダイオード発
光パルス6を送出する。また、ディレイライン7、フリ
ップフロップ9によりディレイライン7の遅延量に相当
する最内周バンドのチャネルクロック幅より短い固定パ
ルス幅のレーザダイオード発光パルス10を生成する。
そして、スイッチ回路11によって前記いずれかのレー
ザダイオード発光パルスをバンド毎に選択し、レーザド
ライバ回路12によってレーザダイオード13のパルス
発光を行う。
各バンドにおいて良好な記録を行うために必要なパルス
幅の記録パルスを得る。 【構成】 光ディスク記録装置の記録パルス生成回路
は、原発振器1からの原発振クロックを分周する分周器
2を有しており、ZCAVディスクの各バンドにおける
チャネルクロックを生成する。データ発生回路5は、C
PU3から送られる記録データに応じて各バンドにおけ
るチャネルクロック幅のパルス幅のレーザダイオード発
光パルス6を送出する。また、ディレイライン7、フリ
ップフロップ9によりディレイライン7の遅延量に相当
する最内周バンドのチャネルクロック幅より短い固定パ
ルス幅のレーザダイオード発光パルス10を生成する。
そして、スイッチ回路11によって前記いずれかのレー
ザダイオード発光パルスをバンド毎に選択し、レーザド
ライバ回路12によってレーザダイオード13のパルス
発光を行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスク状の記録媒体
にレーザ光を照射して情報の記録を行う光ディスク記録
装置に関する。
にレーザ光を照射して情報の記録を行う光ディスク記録
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光学的に情報を記録再生する装置とし
て、記録媒体に光磁気ディスクを用い、光磁気方式によ
って記録を行う装置が近年種々提案されている。このよ
うな光磁気ディスクを用いた光ディスク記録装置では、
磁性薄膜上に集光したレーザ光を外部磁場印加の下でパ
ルス変調することにより、磁化反転ドメインを書き込む
ことによって信号の記録がなされる。
て、記録媒体に光磁気ディスクを用い、光磁気方式によ
って記録を行う装置が近年種々提案されている。このよ
うな光磁気ディスクを用いた光ディスク記録装置では、
磁性薄膜上に集光したレーザ光を外部磁場印加の下でパ
ルス変調することにより、磁化反転ドメインを書き込む
ことによって信号の記録がなされる。
【0003】図8に光磁気ディスクにおける信号記録の
概念図を示す。光磁気ディスクは、透明基板21の上に
成膜された垂直磁気異方性をもった磁性薄膜22が設け
られている。磁性薄膜22は、初期的に下向きに磁化さ
れており、この磁性薄膜22に上向きの外部磁場23を
印加し、磁性薄膜22にパルス状で高いパワーのレーザ
光24を集光することにより、レーザ照射により昇温し
た部分のみが外部磁場23の方向に磁化方向を変え、磁
化反転ドメインが形成される。ここで、レーザ光24を
記録するデータに応じてパルス状に点灯しつつディスク
を回転することにより、磁性薄膜22上に次々と磁化反
転ドメイン25が形成され、これによりデータの記録が
なされる。
概念図を示す。光磁気ディスクは、透明基板21の上に
成膜された垂直磁気異方性をもった磁性薄膜22が設け
られている。磁性薄膜22は、初期的に下向きに磁化さ
れており、この磁性薄膜22に上向きの外部磁場23を
印加し、磁性薄膜22にパルス状で高いパワーのレーザ
光24を集光することにより、レーザ照射により昇温し
た部分のみが外部磁場23の方向に磁化方向を変え、磁
化反転ドメインが形成される。ここで、レーザ光24を
記録するデータに応じてパルス状に点灯しつつディスク
を回転することにより、磁性薄膜22上に次々と磁化反
転ドメイン25が形成され、これによりデータの記録が
なされる。
【0004】このように、光磁気記録は磁性薄膜の昇温
によってなされるため、記録を良好に行うためには、光
磁気ディスクに照射するレーザ光を発光する半導体レー
ザにおいて、パルス発光時のレーザパワー及びパルス幅
が適正に設定されている必要がある。
によってなされるため、記録を良好に行うためには、光
磁気ディスクに照射するレーザ光を発光する半導体レー
ザにおいて、パルス発光時のレーザパワー及びパルス幅
が適正に設定されている必要がある。
【0005】現在、130mmのISO規格対応(ISO
/IEC10089)の光磁気ディスクを用いて、デー
タを記録再生する装置が市場に投入されている。
/IEC10089)の光磁気ディスクを用いて、デー
タを記録再生する装置が市場に投入されている。
【0006】図9は、前記ISO規格に準拠したディス
クの最内周にディスク回転数1800rpm で数種のパル
ス幅で信号を記録した際のエラーレイトの記録パワー依
存性を示したものである。図中の1T等は半導体レーザ
に供給する信号のパルス幅を示したもので、1Tはちょ
うど記録再生の基準信号、いわゆる発振器から発生され
るチャネルクロックの周期に等しいパルス幅を示してい
る。0.75T及び0.5Tはそれぞれ1Tの3/4及
び1/2のパルス幅を意味している。
クの最内周にディスク回転数1800rpm で数種のパル
ス幅で信号を記録した際のエラーレイトの記録パワー依
存性を示したものである。図中の1T等は半導体レーザ
に供給する信号のパルス幅を示したもので、1Tはちょ
うど記録再生の基準信号、いわゆる発振器から発生され
るチャネルクロックの周期に等しいパルス幅を示してい
る。0.75T及び0.5Tはそれぞれ1Tの3/4及
び1/2のパルス幅を意味している。
【0007】記録を行う際には、ディスク上にピットを
形成するのに所定のエネルギーを加える必要であるた
め、図9から分かるように、パルス幅が短くなるに従
い、必要なレーザ光の記録パワーは高くなるが、1Tの
ような長いパルス幅では、エラーレイトの低い記録パワ
ー領域が狭くまた最良のエラーレイト値自体も高くなっ
てしまう結果となる。これは、過大なパルス幅で記録し
た場合、記録ピットの径が大きくなりすぎてしまい、ピ
ット間の分離が十分にできなくなるために起こる現象で
ある。また、0.5Tの場合のように高い記録パワーを
発生するためには、高価な半導体レーザを使用する必要
がある。
形成するのに所定のエネルギーを加える必要であるた
め、図9から分かるように、パルス幅が短くなるに従
い、必要なレーザ光の記録パワーは高くなるが、1Tの
ような長いパルス幅では、エラーレイトの低い記録パワ
ー領域が狭くまた最良のエラーレイト値自体も高くなっ
てしまう結果となる。これは、過大なパルス幅で記録し
た場合、記録ピットの径が大きくなりすぎてしまい、ピ
ット間の分離が十分にできなくなるために起こる現象で
ある。また、0.5Tの場合のように高い記録パワーを
発生するためには、高価な半導体レーザを使用する必要
がある。
【0008】したがって、ディスクの最内周において
は、記録時に半導体レーザに供給する信号(以下、記録
パルスと記す)のパルス幅は0.75Tぐらいが適正で
ある。
は、記録時に半導体レーザに供給する信号(以下、記録
パルスと記す)のパルス幅は0.75Tぐらいが適正で
ある。
【0009】一方、図10は図9と同様の測定をディス
クの最外周で行った結果である。ディスクの半径方向位
置が遠いことに伴い、ディスクの周速(すなわち記録ト
ラックにおける線速度)が速くなっているので、図9と
比較して必要な記録パワーが高パワー側に移動している
ことが分かる。これと共に、1Tのような長いパルス幅
で記録した場合においても最良のエラーレイト値が十分
低くなっていることが分かる。これは、前記ISO規格
がディスク全面にわたって記録周波数が一定のいわゆる
CAV記録であるため、外周においても最近接ピットの
間隔が十分離れていることによっている。
クの最外周で行った結果である。ディスクの半径方向位
置が遠いことに伴い、ディスクの周速(すなわち記録ト
ラックにおける線速度)が速くなっているので、図9と
比較して必要な記録パワーが高パワー側に移動している
ことが分かる。これと共に、1Tのような長いパルス幅
で記録した場合においても最良のエラーレイト値が十分
低くなっていることが分かる。これは、前記ISO規格
がディスク全面にわたって記録周波数が一定のいわゆる
CAV記録であるため、外周においても最近接ピットの
間隔が十分離れていることによっている。
【0010】したがって、ディスクの最外周において
は、1Tのパルス幅の記録パルスを用いた場合において
も十分に良好な記録を行うことができる。
は、1Tのパルス幅の記録パルスを用いた場合において
も十分に良好な記録を行うことができる。
【0011】このように、CAV記録においては、最内
周以外は0.75T程度の短いパルス幅の記録パルスを
使用する必要がなく、むしろ外周で周速が速くなること
に伴って高い記録パワーが必要になることを避けるため
に、一般には図11に示すように半径位置に応じて数段
階にパルス幅を切り換えることが行われる。
周以外は0.75T程度の短いパルス幅の記録パルスを
使用する必要がなく、むしろ外周で周速が速くなること
に伴って高い記録パワーが必要になることを避けるため
に、一般には図11に示すように半径位置に応じて数段
階にパルス幅を切り換えることが行われる。
【0012】このような記録方式を用いることにより、
ディスク全面にわたって良好な信号の記録がなされる。
CAV記録において半径位置によりパルス幅を変える技
術は特開昭59−24452号公報に示されている。こ
の公報の例はMFM記録の例であるが、周速の大きい外
周で記録ピットが記録パワー不足から小さくなることを
防止する技術として、前記ISO規格の場合においても
同様の効果をもたらす。
ディスク全面にわたって良好な信号の記録がなされる。
CAV記録において半径位置によりパルス幅を変える技
術は特開昭59−24452号公報に示されている。こ
の公報の例はMFM記録の例であるが、周速の大きい外
周で記録ピットが記録パワー不足から小さくなることを
防止する技術として、前記ISO規格の場合においても
同様の効果をもたらす。
【0013】近年、このようなCAV記録に対して、デ
ィスク全面でピット間隔をほぼ等しくすることによって
高密度記録を達成するZCAV記録が実用化されようと
している。ZCAV記録においては、ディスク半径位置
によって複数のドーナツ状の領域(ゾーン)に分割し、
それぞれのゾーンでピット間隔が物理的限界(集光レー
ザビームの回折限界で決まるスポット径程度)となるよ
うにゾーン毎に記録周波数を切り換えるようにする。
ィスク全面でピット間隔をほぼ等しくすることによって
高密度記録を達成するZCAV記録が実用化されようと
している。ZCAV記録においては、ディスク半径位置
によって複数のドーナツ状の領域(ゾーン)に分割し、
それぞれのゾーンでピット間隔が物理的限界(集光レー
ザビームの回折限界で決まるスポット径程度)となるよ
うにゾーン毎に記録周波数を切り換えるようにする。
【0014】図3に130mmディスクのZCAV規格の
例として、ECMA/TC31/92/91のディスク
回転数1800rpm での各ゾーン(以下、バンドとも称
する)におけるチャネルクロック周波数、及び1T,
0.5T,0.75Tのパルス幅を示す。この例のよう
に、各バンドで記録周波数(チャネルクロック周波数)
を切り換え、外周にいくに従って周波数を上げることに
より、ディスク全面でピット間隔をほぼ一定にでき、記
録密度を上げ高容量の記録を達成することができる。
例として、ECMA/TC31/92/91のディスク
回転数1800rpm での各ゾーン(以下、バンドとも称
する)におけるチャネルクロック周波数、及び1T,
0.5T,0.75Tのパルス幅を示す。この例のよう
に、各バンドで記録周波数(チャネルクロック周波数)
を切り換え、外周にいくに従って周波数を上げることに
より、ディスク全面でピット間隔をほぼ一定にでき、記
録密度を上げ高容量の記録を達成することができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】前述したZCAV記録
においては、全てのバンドにおいて図9に示したCAV
ディスクの最内周の場合と同様に記録ピット密度がレー
ザビームの回折限界に近い記録となっているため、図9
と同様なエラーレイトの記録パワー依存性を示す。した
がって、良好なエラーレイトを得るためには各バンドに
おいてそれぞれの記録周波数の0.75T程度以下のパ
ルス幅の記録パルスを使用する必要があると考えられ
る。
においては、全てのバンドにおいて図9に示したCAV
ディスクの最内周の場合と同様に記録ピット密度がレー
ザビームの回折限界に近い記録となっているため、図9
と同様なエラーレイトの記録パワー依存性を示す。した
がって、良好なエラーレイトを得るためには各バンドに
おいてそれぞれの記録周波数の0.75T程度以下のパ
ルス幅の記録パルスを使用する必要があると考えられ
る。
【0016】しかしながら、ZCAV記録においては、
記録パルスのパルス幅の設定については特に提案がなさ
れていない。
記録パルスのパルス幅の設定については特に提案がなさ
れていない。
【0017】ZCAV記録の場合は各バンドで記録周波
数が異なっているため、各バンドにおいて0.75Tの
パルス幅を用いて記録を行うのが理想的である。しか
し、ディスク半径位置に応じて、各バンド毎に記録パル
ス幅を用意しておき、各バンドでパルス幅を切り換えて
記録を行うためには、複雑な回路構成が必要となる。
数が異なっているため、各バンドにおいて0.75Tの
パルス幅を用いて記録を行うのが理想的である。しか
し、ディスク半径位置に応じて、各バンド毎に記録パル
ス幅を用意しておき、各バンドでパルス幅を切り換えて
記録を行うためには、複雑な回路構成が必要となる。
【0018】このため、装置のコストが上昇したり回路
規模や回路の実装面積が大きくなってしまう問題点があ
り、また装置の小型化に伴って実装密度が上昇した場合
に記録パルスを生成する回路部の占める割合が大きくな
り装置の小型化に弊害を及ぼす恐れがあるなど、各バン
ド毎にパルス幅を切り換えて記録を行うことは実現困難
である。
規模や回路の実装面積が大きくなってしまう問題点があ
り、また装置の小型化に伴って実装密度が上昇した場合
に記録パルスを生成する回路部の占める割合が大きくな
り装置の小型化に弊害を及ぼす恐れがあるなど、各バン
ド毎にパルス幅を切り換えて記録を行うことは実現困難
である。
【0019】本発明は、これらの事情に鑑みてなされた
もので、簡単な回路構成により、ZCAVディスクの各
バンドにおいて良好な記録を行うために必要なパルス幅
の記録パルスを得ることが可能な光ディスク記録装置を
提供することを目的としている。
もので、簡単な回路構成により、ZCAVディスクの各
バンドにおいて良好な記録を行うために必要なパルス幅
の記録パルスを得ることが可能な光ディスク記録装置を
提供することを目的としている。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明による光ディスク
記録装置は、高密度記録を達成するため、信号を記録す
るディスク半径により記録周波数を変化させるバンド領
域を設けたいわゆるZCAVディスクに対して信号記録
を行う装置において、ZCAVディスクの最内周のバン
ドにおけるチャネルクロック幅より短いパルス幅のパル
ス信号を記録データに応じて発生させる第一の記録パル
ス発生手段を備え、この第一の記録パルス発生手段から
出力される記録パルスによってレーザダイオードのパル
ス発光を行うものである。
記録装置は、高密度記録を達成するため、信号を記録す
るディスク半径により記録周波数を変化させるバンド領
域を設けたいわゆるZCAVディスクに対して信号記録
を行う装置において、ZCAVディスクの最内周のバン
ドにおけるチャネルクロック幅より短いパルス幅のパル
ス信号を記録データに応じて発生させる第一の記録パル
ス発生手段を備え、この第一の記録パルス発生手段から
出力される記録パルスによってレーザダイオードのパル
ス発光を行うものである。
【0021】
【作用】第一の記録パルス発生手段により、ZCAVデ
ィスクの最内周のバンドにおけるチャネルクロック幅よ
り短いパルス幅のパルス信号を記録データに応じて発生
し、この第一の記録パルス発生手段から出力される記録
パルスによってレーザダイオードのパルス発光を行う。
または、さらに第二の記録パルス発生手段によって、Z
CAVディスクの各バンドにおけるチャネルクロック幅
のパルス信号を記録データに応じて発生し、パルス選択
手段により前記第一または第二の記録パルス発生手段か
ら出力される記録パルスをバンド毎に選択し、この選択
された記録パルスによってレーザダイオードのパルス発
光を行う。
ィスクの最内周のバンドにおけるチャネルクロック幅よ
り短いパルス幅のパルス信号を記録データに応じて発生
し、この第一の記録パルス発生手段から出力される記録
パルスによってレーザダイオードのパルス発光を行う。
または、さらに第二の記録パルス発生手段によって、Z
CAVディスクの各バンドにおけるチャネルクロック幅
のパルス信号を記録データに応じて発生し、パルス選択
手段により前記第一または第二の記録パルス発生手段か
ら出力される記録パルスをバンド毎に選択し、この選択
された記録パルスによってレーザダイオードのパルス発
光を行う。
【0022】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1ないし図4は本発明の第1実施例に係り、図
1は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成回
路の構成を示すブロック図、図2は図1の記録パルス生
成回路における各部の信号を示すタイミングチャート、
図3は第1実施例で用いられるZCAVディスクの各バ
ンドのクロック周波数を示す図、図4は各バンドにおけ
る記録パルス幅を示す作用説明図である。
する。図1ないし図4は本発明の第1実施例に係り、図
1は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成回
路の構成を示すブロック図、図2は図1の記録パルス生
成回路における各部の信号を示すタイミングチャート、
図3は第1実施例で用いられるZCAVディスクの各バ
ンドのクロック周波数を示す図、図4は各バンドにおけ
る記録パルス幅を示す作用説明図である。
【0023】第1実施例は、図3に示すECMA規格の
130mmのZCAV光磁気ディスクを1800rpm で回
転させた場合に適応した例である。図3は、ZCAVデ
ィスクの各バンドにおけるチャネルクロック周波数、及
び1T,0.5T,0.75Tのパルス幅を示してい
る。
130mmのZCAV光磁気ディスクを1800rpm で回
転させた場合に適応した例である。図3は、ZCAVデ
ィスクの各バンドにおけるチャネルクロック周波数、及
び1T,0.5T,0.75Tのパルス幅を示してい
る。
【0024】図1に示すように、本実施例の光ディスク
記録装置に設けられる記録パルス生成回路は、装置の各
部動作の原発振となるクロックを発生する原発振器1を
有している。この原発振器1は、水晶等を用いた周波数
の安定した発振器で構成される。また、原発振器1から
出力されるクロックを分周してチャネルクロックとして
出力する分周器2、記録データを分周器2から出力され
るチャネルクロックに同期して出力するデータ発生回路
5、各部の制御を行うCPU3が設けられ、CPU3
は、分周器2の分周比を設定して指示を送ると共に、記
録データをデータ発生回路5に送出し、これにより、分
周器2で各バンドにおけるチャネルクロック4が生成さ
れ、データ発生回路5よりチャネルクロック4に同期し
た記録データ列のパルスが出力されるようになってい
る。
記録装置に設けられる記録パルス生成回路は、装置の各
部動作の原発振となるクロックを発生する原発振器1を
有している。この原発振器1は、水晶等を用いた周波数
の安定した発振器で構成される。また、原発振器1から
出力されるクロックを分周してチャネルクロックとして
出力する分周器2、記録データを分周器2から出力され
るチャネルクロックに同期して出力するデータ発生回路
5、各部の制御を行うCPU3が設けられ、CPU3
は、分周器2の分周比を設定して指示を送ると共に、記
録データをデータ発生回路5に送出し、これにより、分
周器2で各バンドにおけるチャネルクロック4が生成さ
れ、データ発生回路5よりチャネルクロック4に同期し
た記録データ列のパルスが出力されるようになってい
る。
【0025】データ発生回路5の出力端は、スイッチ回
路11の一方の入力端に接続されると共に、RS型のフ
リップフロップ9のS入力端及びディレイライン7を介
してフリップフロップ9のR入力端に接続されている。
このフリップフロップ9の出力端は、スイッチ回路11
の他方の入力端に接続され、スイッチ回路11におい
て、データ発生回路5の出力及びフリップフロップ9の
出力がCPU3の制御によって切り換えられるようにな
っている。
路11の一方の入力端に接続されると共に、RS型のフ
リップフロップ9のS入力端及びディレイライン7を介
してフリップフロップ9のR入力端に接続されている。
このフリップフロップ9の出力端は、スイッチ回路11
の他方の入力端に接続され、スイッチ回路11におい
て、データ発生回路5の出力及びフリップフロップ9の
出力がCPU3の制御によって切り換えられるようにな
っている。
【0026】スイッチ回路11の出力端は、レーザダイ
オード13を発光させるための駆動パルスを発生するレ
ーザドライバ回路12に接続されており、スイッチ回路
11から出力されるレーザダイオード発光パルス(記録
パルス)によってレーザドライバ回路12より駆動パル
スが出力され、レーザドライバ回路12に接続されたレ
ーザダイオード13がパルス発光するようになってい
る。
オード13を発光させるための駆動パルスを発生するレ
ーザドライバ回路12に接続されており、スイッチ回路
11から出力されるレーザダイオード発光パルス(記録
パルス)によってレーザドライバ回路12より駆動パル
スが出力され、レーザドライバ回路12に接続されたレ
ーザダイオード13がパルス発光するようになってい
る。
【0027】次に、本実施例の記録パルス生成回路の動
作を説明する。図2に各部の信号のタイミングチャート
を示す。
作を説明する。図2に各部の信号のタイミングチャート
を示す。
【0028】原発振器1からのクロックを分周器2で分
周することにより、図2(b)に示すようなそれぞれの
バンドでのチャネルクロック4が得られる。このチャネ
ルクロック4の幅(チャネルビット)、すなわち記録デ
ータの1つ分の長さに相当する期間が1Tである。
周することにより、図2(b)に示すようなそれぞれの
バンドでのチャネルクロック4が得られる。このチャネ
ルクロック4の幅(チャネルビット)、すなわち記録デ
ータの1つ分の長さに相当する期間が1Tである。
【0029】分周器2は、CPU3の司令によりその分
周比が決定され、現在アクセスしているバンドのチャネ
ルクロック周波数となったチャネルクロック4が出力さ
れる。データ発生回路5は、CPU3から送られた記録
データ列(図2(a)参照)をチャネルクロック4に同
期して送出する。この結果、図2(c)に示すように、
データ列の“1”でパルス幅1Tのパルスを発生するレ
ーザダイオード発光パルス(LD発光パルス)6を得る
ことができる。
周比が決定され、現在アクセスしているバンドのチャネ
ルクロック周波数となったチャネルクロック4が出力さ
れる。データ発生回路5は、CPU3から送られた記録
データ列(図2(a)参照)をチャネルクロック4に同
期して送出する。この結果、図2(c)に示すように、
データ列の“1”でパルス幅1Tのパルスを発生するレ
ーザダイオード発光パルス(LD発光パルス)6を得る
ことができる。
【0030】レーザダイオード発光パルス6は、各バン
ドにおける1Tのパルス幅を持ちバンド毎にパルス幅が
切り換わるようになっており、図3の1Tに示す値のパ
ルス幅の信号である。このレーザダイオード発光パルス
6は、スイッチ回路11の一方の入力端に入力される。
ドにおける1Tのパルス幅を持ちバンド毎にパルス幅が
切り換わるようになっており、図3の1Tに示す値のパ
ルス幅の信号である。このレーザダイオード発光パルス
6は、スイッチ回路11の一方の入力端に入力される。
【0031】一方、データ発生回路5の出力信号は、単
一の遅延時間を持つディレイライン7に入力され、遅延
されてフリップフロップ9のR入力端に入力されると共
に、フリップフロップ9のS入力端に入力される。すな
わち、フリップフロップ9のS入力端には図2(c)に
示すレーザダイオード発光パルス6が入力され、R入力
端には図2(d)に示すディレイライン出力8が入力さ
れる。
一の遅延時間を持つディレイライン7に入力され、遅延
されてフリップフロップ9のR入力端に入力されると共
に、フリップフロップ9のS入力端に入力される。すな
わち、フリップフロップ9のS入力端には図2(c)に
示すレーザダイオード発光パルス6が入力され、R入力
端には図2(d)に示すディレイライン出力8が入力さ
れる。
【0032】フリップフロップ9は、データ列の“1”
の先頭でセットされ、ディレイライン出力8でリセット
されるので、フリップフロップ9の出力として、図2
(e)に示すように、データ列の“1”でディレイライ
ンの遅延量だけのパルス幅のパルスを発生するレーザダ
イオード発光パルス10を得ることができる。
の先頭でセットされ、ディレイライン出力8でリセット
されるので、フリップフロップ9の出力として、図2
(e)に示すように、データ列の“1”でディレイライ
ンの遅延量だけのパルス幅のパルスを発生するレーザダ
イオード発光パルス10を得ることができる。
【0033】レーザダイオード発光パルス10は、ディ
レイライン7の遅延量に相当する値の固定のパルス幅の
信号である。このレーザダイオード発光パルス10は、
スイッチ回路11の他方の入力端に入力される。
レイライン7の遅延量に相当する値の固定のパルス幅の
信号である。このレーザダイオード発光パルス10は、
スイッチ回路11の他方の入力端に入力される。
【0034】本実施例では、ディレイライン7の遅延量
を50nsecとしている。これは、最内周バンド(バンド
番号0)の0.66Tに相当する値である。
を50nsecとしている。これは、最内周バンド(バンド
番号0)の0.66Tに相当する値である。
【0035】CPU3は、バンド0から8においてはレ
ーザダイオード発光パルス10を、また、バンド9から
15においてはレーザダイオード発光パルス6を、それ
ぞれ記録パルスとしてレーザドライバ回路12に送出す
るように、スイッチ回路11の切り換えを制御する。レ
ーザドライバ回路12は、スイッチ回路11により選択
されたレーザダイオード発光パルスにより、レーザダイ
オード11を変調駆動し、データ列の“1”に対応した
ところで高い出力のパルス発光を行い、光磁気ディスク
上にレーザ光を照射して記録ピットを形成する。これに
より、信号の記録がなされる。
ーザダイオード発光パルス10を、また、バンド9から
15においてはレーザダイオード発光パルス6を、それ
ぞれ記録パルスとしてレーザドライバ回路12に送出す
るように、スイッチ回路11の切り換えを制御する。レ
ーザドライバ回路12は、スイッチ回路11により選択
されたレーザダイオード発光パルスにより、レーザダイ
オード11を変調駆動し、データ列の“1”に対応した
ところで高い出力のパルス発光を行い、光磁気ディスク
上にレーザ光を照射して記録ピットを形成する。これに
より、信号の記録がなされる。
【0036】図4に各バンドにおける記録パルス幅を示
す。図4の実線に示すように、バンド0から8において
は、最内周バンドにおけるチャネルクロック幅(1T)
よりも短い固定されたパルス幅(50nsec)の記録パル
スを使用し、バンド9より外周の各バンド、すなわち前
記固定パルス幅よりチャネルクロック幅(1T)が短く
なったバンドより外周においては、各バンドにおける1
Tのパルス幅の記録パルスを使用するようにしている。
す。図4の実線に示すように、バンド0から8において
は、最内周バンドにおけるチャネルクロック幅(1T)
よりも短い固定されたパルス幅(50nsec)の記録パル
スを使用し、バンド9より外周の各バンド、すなわち前
記固定パルス幅よりチャネルクロック幅(1T)が短く
なったバンドより外周においては、各バンドにおける1
Tのパルス幅の記録パルスを使用するようにしている。
【0037】ディスクの最内周においては、周速が遅い
ため良好な記録を行うには1Tより短い0.75T程度
かそれ以下の記録パルス幅を使用することが望ましい
が、本実施例では0.66Tとなっており、十分低いエ
ラーレイトを得ることができ、良好な記録を行うことが
可能である。この固定のパルス幅では、外周にいくにし
たがって相対的にパルスデューティーが長くなっていく
(バンド3で約0.75T)が、周速が速くなっていく
ため、記録時のピット間の熱的な干渉が小さくなり、十
分低いエラーレイトを得ることができる。また、バンド
9より外周においては、さらに周速が速くなるため、1
Tのパルス幅の記録パルスを使用しても十分低いエラー
レイトを得ることができる。
ため良好な記録を行うには1Tより短い0.75T程度
かそれ以下の記録パルス幅を使用することが望ましい
が、本実施例では0.66Tとなっており、十分低いエ
ラーレイトを得ることができ、良好な記録を行うことが
可能である。この固定のパルス幅では、外周にいくにし
たがって相対的にパルスデューティーが長くなっていく
(バンド3で約0.75T)が、周速が速くなっていく
ため、記録時のピット間の熱的な干渉が小さくなり、十
分低いエラーレイトを得ることができる。また、バンド
9より外周においては、さらに周速が速くなるため、1
Tのパルス幅の記録パルスを使用しても十分低いエラー
レイトを得ることができる。
【0038】以上のように、本実施例によれば、単一の
遅延時間を持つディレイライン7、フリップフロップ
9、スイッチ回路11のみの簡単な回路構成により、Z
CAVディスクの各バンドにおいて良好な記録を行うた
めに必要なパルス幅の記録パルスを得ることができ、エ
ラーレイトの十分低い良好な信号記録を行うことが可能
となる。
遅延時間を持つディレイライン7、フリップフロップ
9、スイッチ回路11のみの簡単な回路構成により、Z
CAVディスクの各バンドにおいて良好な記録を行うた
めに必要なパルス幅の記録パルスを得ることができ、エ
ラーレイトの十分低い良好な信号記録を行うことが可能
となる。
【0039】図5ないし図7は本発明の第2実施例に係
り、図5は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス
生成回路の構成を示すブロック図、図6は第2実施例で
用いられるZCAVディスクの各バンドのクロック周波
数を示す図、図7は各バンドにおける記録パルス幅を示
す作用説明図である。
り、図5は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス
生成回路の構成を示すブロック図、図6は第2実施例で
用いられるZCAVディスクの各バンドのクロック周波
数を示す図、図7は各バンドにおける記録パルス幅を示
す作用説明図である。
【0040】第2実施例は、第1実施例とは異なる規格
のディスクに適用した例である。図6に現在ECMAに
て審議されている90mmのZCAV光磁気ディスク(E
CMA/TC31/92/100)のディスク回転数1
800rpm での各バンドにおけるチャネルクロック周波
数、及び1T,0.5T,0.75Tのパルス幅を示
す。
のディスクに適用した例である。図6に現在ECMAに
て審議されている90mmのZCAV光磁気ディスク(E
CMA/TC31/92/100)のディスク回転数1
800rpm での各バンドにおけるチャネルクロック周波
数、及び1T,0.5T,0.75Tのパルス幅を示
す。
【0041】図5は、図6の規格のZCAV光磁気ディ
スクに適応した記録パルス生成回路の構成を示したもの
である。データ発生回路6の後段のスイッチ回路11を
省略し、フリップフロップ9の出力端を直接レーザドラ
イバ回路12に接続した以外は第1実施例と同様の構成
であり、回路の動作等の説明は省略する。
スクに適応した記録パルス生成回路の構成を示したもの
である。データ発生回路6の後段のスイッチ回路11を
省略し、フリップフロップ9の出力端を直接レーザドラ
イバ回路12に接続した以外は第1実施例と同様の構成
であり、回路の動作等の説明は省略する。
【0042】本実施例で用いる90mmのディスクの場合
は、第1実施例で説明した130mmのディスクの場合に
対して、内外周の半径の差が小さく、ZCAVの場合で
も例えば各バンドにおける0.75Tのパルス幅の差が
小さい。このため、内周で設定した最内周バンドにおけ
るチャネルクロック幅よりも短い固定パルス幅を、外周
に対して使用しても十分良好な信号記録を行うことが可
能となる。すなわち、記録領域(半径)が比較的小さい
ディスクの場合においては、外周における1Tあるいは
それより短い固定パルス幅は内周において過小なパルス
幅となる程度が小さいので、この固定パルス幅を全周に
わたって使用することができる。
は、第1実施例で説明した130mmのディスクの場合に
対して、内外周の半径の差が小さく、ZCAVの場合で
も例えば各バンドにおける0.75Tのパルス幅の差が
小さい。このため、内周で設定した最内周バンドにおけ
るチャネルクロック幅よりも短い固定パルス幅を、外周
に対して使用しても十分良好な信号記録を行うことが可
能となる。すなわち、記録領域(半径)が比較的小さい
ディスクの場合においては、外周における1Tあるいは
それより短い固定パルス幅は内周において過小なパルス
幅となる程度が小さいので、この固定パルス幅を全周に
わたって使用することができる。
【0043】そこで、第2実施例では、ディレイライン
7の遅延量を50nsecとし、この遅延量に相当する値と
なるフリップフロップ9から出力されるレーザダイオー
ド発光パルス10の固定パルス幅を最内周バンドの0.
52Tとする。
7の遅延量を50nsecとし、この遅延量に相当する値と
なるフリップフロップ9から出力されるレーザダイオー
ド発光パルス10の固定パルス幅を最内周バンドの0.
52Tとする。
【0044】図7に各バンドにおける記録パルス幅を示
す。図7の実線に示すように、レーザドライバ回路12
に供給される記録パルスの固定パルス幅(50nsec)
は、内周においては0.75Tより短く、最外周におい
ても0.84Tの時間幅となる。したがって、この固定
パルス幅の記録パルスを使用しても全バンドにおいて十
分低いエラーレイトを得ることができ、良好な信号の記
録を行うことができる。
す。図7の実線に示すように、レーザドライバ回路12
に供給される記録パルスの固定パルス幅(50nsec)
は、内周においては0.75Tより短く、最外周におい
ても0.84Tの時間幅となる。したがって、この固定
パルス幅の記録パルスを使用しても全バンドにおいて十
分低いエラーレイトを得ることができ、良好な信号の記
録を行うことができる。
【0045】このように、本実施例によれば、単一のパ
ルス幅の記録パルスを使用することにより第1実施例の
場合に必要であったスイッチ回路が不要となり、第1実
施例の効果に加えて、記録パルス生成回路をさらに簡単
な回路構成にすることが可能となる。
ルス幅の記録パルスを使用することにより第1実施例の
場合に必要であったスイッチ回路が不要となり、第1実
施例の効果に加えて、記録パルス生成回路をさらに簡単
な回路構成にすることが可能となる。
【0046】以上の実施例では、光ディスクの一種類で
ある光磁気ディスクを用いる記録装置について述べた
が、これに限らず、レーザダイオードをパルス状に発光
することにより記録ピットを形成する他の光ディスク
(例えば相変化ディスク)についても同様な技術が適用
できる。
ある光磁気ディスクを用いる記録装置について述べた
が、これに限らず、レーザダイオードをパルス状に発光
することにより記録ピットを形成する他の光ディスク
(例えば相変化ディスク)についても同様な技術が適用
できる。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、簡
単な回路構成により、ZCAVディスクの各バンドにお
いて良好な記録を行うために必要なパルス幅の記録パル
スを得ることができる効果がある。
単な回路構成により、ZCAVディスクの各バンドにお
いて良好な記録を行うために必要なパルス幅の記録パル
スを得ることができる効果がある。
【図1】図1ないし図4は本発明の第1実施例に係り、
図1は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成
回路の構成を示すブロック図
図1は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成
回路の構成を示すブロック図
【図2】図1の記録パルス生成回路における各部の信号
を示すタイミングチャート
を示すタイミングチャート
【図3】第1実施例で用いられるZCAVディスクの各
バンドのクロック周波数を示す図
バンドのクロック周波数を示す図
【図4】各バンドにおける記録パルス幅を示す作用説明
図
図
【図5】図5ないし図7は本発明の第2実施例に係り、
図5は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成
回路の構成を示すブロック図
図5は光ディスク記録装置に設けられる記録パルス生成
回路の構成を示すブロック図
【図6】第2実施例で用いられるZCAVディスクの各
バンドのクロック周波数を示す図
バンドのクロック周波数を示す図
【図7】各バンドにおける記録パルス幅を示す作用説明
図
図
【図8】光磁気ディスクにおける信号記録の原理を示す
概念図
概念図
【図9】CAV記録におけるディスク最内周部でのエラ
ーレイトの記録パワー依存性を示す特性図
ーレイトの記録パワー依存性を示す特性図
【図10】CAV記録におけるディスク最外周部でのエ
ラーレイトの記録パワー依存性を示す特性図
ラーレイトの記録パワー依存性を示す特性図
【図11】CAV記録における記録パルス幅の設定の一
例を示す説明図
例を示す説明図
1…原発振器 2…分周器 3…CPU 4…チャネルクロック 5…データ発生回路 6,10…レーザダイオード発光パルス 7…ディレイライン 9…フリップフロップ 11…スイッチ回路 12…レーザドライバ回路 13…レーザダイオード
Claims (2)
- 【請求項1】 高密度記録を達成するため、信号を記録
するディスク半径により記録周波数を変化させるバンド
領域を設けたいわゆるZCAVディスクに対して信号記
録を行う光ディスク記録装置において、 ZCAVディスクの最内周のバンドにおけるチャネルク
ロック幅より短いパルス幅のパルス信号を記録データに
応じて発生させる第一の記録パルス発生手段を備え、 この第一の記録パルス発生手段から出力される記録パル
スによってレーザダイオードのパルス発光を行うことを
特徴とする光ディスク記録装置。 - 【請求項2】 さらにZCAVディスクの各バンドにお
けるチャネルクロック幅のパルス信号を記録データに応
じて発生させる第二の記録パルス発生手段と、 前記第一または第二の記録パルス発生手段から出力され
る記録パルスをバンド毎に選択するパルス選択手段とを
備え、 このパルス選択手段により選択された記録パルスによっ
てレーザダイオードのパルス発光を行うことを特徴とす
る請求項1記載の光ディスク記録装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5113369A JPH06325364A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 光ディスク記録装置 |
US08/242,741 US5561652A (en) | 1993-05-14 | 1994-05-12 | Apparatus for recording data on optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5113369A JPH06325364A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 光ディスク記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06325364A true JPH06325364A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14610546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5113369A Pending JPH06325364A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 光ディスク記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06325364A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7158461B1 (en) | 1997-12-30 | 2007-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7391696B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5113369A patent/JPH06325364A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7158461B1 (en) | 1997-12-30 | 2007-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7209423B2 (en) | 1997-12-30 | 2007-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7391697B2 (en) | 1997-12-30 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US8305857B2 (en) | 1997-12-30 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7391696B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7391698B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7916604B2 (en) | 1998-07-23 | 2011-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US7986610B2 (en) | 1998-07-23 | 2011-07-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US8315145B2 (en) | 1998-07-23 | 2012-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US8315138B2 (en) | 1998-07-23 | 2012-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
US8315146B2 (en) | 1998-07-23 | 2012-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020311 |