JPH06314747A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH06314747A JPH06314747A JP5103114A JP10311493A JPH06314747A JP H06314747 A JPH06314747 A JP H06314747A JP 5103114 A JP5103114 A JP 5103114A JP 10311493 A JP10311493 A JP 10311493A JP H06314747 A JPH06314747 A JP H06314747A
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- Japan
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- optical semiconductor
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Abstract
れる光半導体素子と光ファイバーとの整合を正確とし、
光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介し外部に
良好に伝達することができる光半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【構成】上面の中央領域に光半導体素子6が載置される
載置部1aを、両端領域Bにネジ止め部8を有する金属
基体1と、前記光半導体素子載置部1aを囲繞するよう
にして金属基体1上に取着され、側部に光ファイバー9
を固定するための固定部を有する金属枠体2と、前記金
属枠体2の上面に取着され光半導体素子6を気密に封止
する金属蓋体5とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体1はその中央領域Aの厚みを
X、両端領域Bの厚みをTとしたとき、下記式を満足す
る厚みであることを特徴とする光半導体素子収納用パッ
ケージ。 1.0≧T≧0.3(mm)、X≧2T
Description
ための光半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
半導体素子収納用パッケージは、銅タングステン合金か
ら成り、上面中央領域に光半導体素子が載置される載置
部を有する金属基体と、コバール金属から成り、前記光
半導体素子載置部を囲繞するようにして金属基体上に銀
ロウ等のロウ材を介し取着され、側部に光ファイバーを
固定するための固定部材と、外部リード端子がロウ付け
されたメタライズ配線層を有するアルミナセラミックス
等から成る絶縁端子部材とが取着された金属枠体と、前
記金属枠体の上部に取着され、光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから構成されており、金属基体の光半
導体素子載置部に光半導体素子を接着固定するとともに
光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して外
部リード端子が取着されているメタライズ配線層に接続
し、次に金属枠体の上部に金属蓋体を取着させ、金属基
体、金属枠体、及び金属蓋体等とから成る容器内部に光
半導体素子を収容し、最後に金属枠体の光ファイバー固
定部材に光ファイバーをレーザー光線の照射による溶接
によって接合させ、光ファイバーを金属枠体に固定する
ことによって製品としての光半導体装置となる。
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバーを介して外部に伝達
することによって高速光通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
域に形成されているネジ止め部を外部部材にネジ止めす
ることによって外部部材に取着固定されることとなる。
来の光半導体素子収納用パッケージは金属基体を構成す
る銅 タングステン合金の熱膨張係数が7.0×10-6
/℃(室温〜800℃)であり、金属枠体を構成するコ
バール金属の熱膨張係数(10.0×10-6/℃:室温
〜800℃)と相違することから金属基体に金属枠体を
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けすると両者の熱膨張
係数の相違に起因する熱応力によって金属基体に10乃
至20μm 程度の反りが発生したものとなっている。そ
のため、この光半導体素子収納用パッケージに光半導体
素子を収容し、光半導体装置となした後、金属基体の両
端領域に形成したネジ止め部を外部部材にネジ止めし、
光半導体装置を外部部材に取着固定した場合、金属基体
を外部部材にネジ止めする際に金属基体の反りが矯正さ
れ、その矯正に伴う応力が金属基体の中央領域に凹凸を
発生させるとともに該金属基体の中央領域に固定されて
いる光半導体素子の固定位置にズレを生じさせ、その結
果、光半導体素子と光ファイバーとの整合が破れ、光半
導体素子が励起した光を光ファイバーを介し外部に良好
に伝達することができないという欠点を有していた。
ので、その目的は光半導体素子収納用パッケージの内部
に収容される光半導体素子と光ファイバーとの整合を正
確とし、光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介
し外部に良好に伝達することができる光半導体素子収納
用パッケージを提供することにある。
に光半導体素子が載置される載置部を、両端領域にネジ
止め部を有する金属基体と、前記光半導体素子載置部を
囲繞するようにして金属基体上に取着され、側部に光フ
ァイバーを固定するための固定部を有する金属枠体と、
前記金属枠体の上面に取着され光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体はその中央領域の厚みをX、
両端領域の厚みをTとしたとき、下記式を満足する厚み
であることを特徴とする。
基体の両端領域の厚み(T)を1.0≧T≧0.3(m
m)とし、中央領域の厚み(X)をX≧2Tとして段差
を設けたことから、金属基体の中央領域に光半導体素子
を接着固定するとともに両端領域のネジ止め部を外部部
材に固定した場合、金属基体の反り矯正に伴う応力は金
属基体の両端領域を変形させることによって吸収され、
中央領域には一切伝達されず、その結果、金属基体の中
央領域に接着固定されている光半導体素子はその固定位
置が常に一定となり、光半導体素子と光ファイバーとの
整合を正確として光半導体素子が励起した光を光ファイ
バーを介し外部に良好に伝達することが可能となる。
る。
用パッケージの一実施例を示し、1は金属基体、2は金
属枠体、3は絶縁端子部材、4は金属環体、5は金属蓋
体である。
半導体素子6を載置するための載置部1aを有し、該載
置部1a上には光半導体素子6が接着剤を介して接着固
定される。
Aを囲繞するように側面に一対の絶縁端子部材3及び光
ファイバーを固定する固定部材7が取着された金属枠体
2が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
ら成り、例えば、タングステン粉末(約10μm)を1
000kg/cm2 の圧力で加圧成形するとともにこれ
を還元雰囲気中、約2300℃の温度で焼成して多孔質
のタングステン焼結体を得、次に1100℃の温度で加
熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多孔部分に
毛管現象を利用して含浸させることによって製作され
る。
ジ止め部8が設けられており、該ネジ止め部8を外部部
材(不図示)にネジ止めすることによって光半導体素子
6が接着固定された金属基体1は外部部材に取着固定さ
れることになる。
れたネジ止め部8は金属基体1に従来周知の金属穴あけ
加工を施すことによって金属基体1の両端領域Bに形成
される。
さ(T)が1.0≧T≧0.3(mm)、中央領域Aの
厚さ(X)がX≧2Tとなっており、中央領域Aと両端
領域Bとの境に段差が形成されている。
基体1のネジ止め部8を外部部材にネジ止めする際、金
属基体1に金属枠体2との熱膨張係数の相違によって発
生している反りが矯正され、金属基体1の反り矯正に伴
う応力が光半導体素子6の固定されている中央領域Aに
伝達されるのを防止するためであり、これによって金属
基体1の中央領域Aに接着固定されている光半導体素子
6はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子6と
金属枠体2の側面に設けた光ファイバー固定部材7に固
定される光ファイバー9とを整合させ、光半導体素子6
が励起した光を光ファイバー9を介し外部に良好に伝達
させることが可能となる。
さ(T)が0.3mm未満となると金属基体1の機械的
強度が低下して光半導体素子収納用パッケージを外部部
材に強固に取着固定することができなくなり、また1.
0mmを越えると光半導体素子収納用パッケージの全体
の厚みが厚くなり、近時の薄形化が進む電子機器には搭
載が困難となる。従って、前記金属基体1はその両端領
域Bの厚さ(T)が0.3乃至1.0mmの範囲に特定
される。
さ(X)が両端領域のBの厚さ(T)に対し、X<2T
となると中央領域Aと両端領域Bの境に形成される段差
が低くなって金属基体1の両端領域Bをネジ止めする時
の応力が中央領域Aにも伝わり光半導体素子6と光ファ
イバー9との整合がとれなくなってしまう。従って、前
記金属基体1の中央領域Aの厚さ(X)は両端領域Bの
厚さ(T)に対し、X≧2Tの範囲に特定される。
Aを囲繞するようにして金属枠体2が銀ロウ等のロウ材
を介して取着されている。
収容する空間を形成するとともに外部リード端子を備え
た絶縁端子部材3と光ファイバー9を固定する固定部材
7を支持する作用を為す。
コバール金属のインゴット(塊)を従来周知の金属加工
法を採用することによって所定の枠状となっている。
に一対の絶縁端子部材3が取着されており、該絶縁端子
部材3は内部に収容する光半導体素子6の各電極を外部
電気回路に接続する作用を為す。
子部材3はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成り、その上部に金属枠体2の内側から外側にかけて導
出する複数個のメタライズ配線層10が設けられてい
る。
セラミックスから成る場合、アルミナ(Al2 O3 )、
シリカ(SiO2 )、カルシア(CaO)、マグネシア
(MgO)等の原料粉末に適当なバインダー、有機溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知の
ドクタブレード法を採用することによってセラミックグ
リーンシート(セラミック生シート)を得、しかる後、
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約1600
℃)の温度で焼成することによって製作される。
メタライズ配線層10は一端に光半導体素子6の電極が
ボンディングワイヤ11を介して接続され、また他端側
には外部リード端子12が銀ロウ等のロウ材を介して取
着されており、外部リード端子12を外部電気回路に接
続することによって、内部に収容される光半導体素子6
はメタライズ配線層10及び外部リード端子12を介し
外部電気回路と接続されることとなる。
テン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法
を採用し、絶縁端子部材6となるセラミックグリーンシ
ートに予め被着させておくことによって、絶縁端子部材
6の所定位置に所定パターンに被着形成される。
取着される外部リード端子12は光半導体素子5の電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、コバー
ル金属や42アロイ等の金属材料で形成され、例えば、
コバール金属のインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜
き加工法等の従来周知の金属加工法を施すことによって
製作される。
ー9を固定するための固定部材7が取着されており、該
固定部材7に光ファイバー9を固定することによって光
半導体素子6が励起した光を外部に伝達する光ファイバ
ー9が金属枠体2に固定されることとなる。
り、銀ロウ等のロウ材を介して金属枠体2の側面に取着
される。
ー9を固定する固定部材7が取着された金属枠体2はそ
の上面に金属環体4及び金属蓋体5が順次取着され、こ
れによって内部に収容する光半導体素子6が気密に封止
され、製品としての光半導体装置となる。
蓋体5を取着する際の下地金属部材として作用し、コバ
ール金属等により形成されている。
介して金属枠体2の上面に取着されている。
属蓋体5は光半導体素子6を気密に封止する作用を為
し、コバール金属から成り、ロウ材を介して、或いはシ
ームウエルド法等の溶接により金属環体4の上面に取着
される。
ケージによれば、金属基体1の光半導体素子載置部1a
に光半導体素子6を接着固定するとともに光半導体素子
6の各電極をボンディングワイヤ11を介して外部リー
ド端子12が取着されているメタライズ配線層10に接
続し、次に金属環体4の上面に金属蓋体5を取着させ、
金属基体1、金属枠体2及び金属蓋体5等から成る容器
内部に光半導体素子6を収容し、最後に金属枠体2の固
定部材7に、光ファイバー9を固定させることによって
製品としての光半導体装置となり、外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子6に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバー9を介して外部に伝
達することによって高速通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば金属基体1の中央領域Aと
両端領域Bの境に形成される段差に半径0.1乃至1.
0mmのR面、もしくは幅0.1乃至1.0mmのC面
を設けておけば金属基体1の機械的強度を強いものとす
ると同時に金属基体2の両端領域Bを外部部材に取着す
る際に発する応力が中央領域Aに伝わるのをより有効に
防止することができ、これによって光半導体素子6と光
ファイバー9との整合をより正確となすことができる。
従って、前記金属基体1は中央領域Aと両端領域Bの境
に形成される段差に半径0.1乃至1.0mmのR面、
もしくは幅0.1乃至1.0mmのC面を設けておくこ
とが好ましい。
によれば、金属基体の両端領域の厚み(T)を1.0≧
T≧0.3(mm)とし、中央領域の厚み(X)をX≧
2Tとして段差を設けたことから、金属基体の中央領域
に光半導体素子を接着固定するとともに両端領域のネジ
止め部を外部部材に固定した場合、金属基体の反り矯正
に伴う応力は金属基体の両端領域を変形させることによ
って吸収され、中央領域には一切伝達されず、その結
果、金属基体の中央領域に接着固定されている光半導体
素子はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子と
光ファイバーとの整合を正確として光半導体素子が励起
した光を光ファイバーを介し外部に良好に伝達すること
が可能となる。
例を示す分解斜視図である。
Claims (1)
- 【請求項1】上面の中央領域に光半導体素子が載置され
る載置部を、両端領域にネジ止め部を有する金属基体
と、前記光半導体素子載置部を囲繞するようにして金属
基体上に取着され、側部に光ファイバーを固定するため
の固定部を有する金属枠体と、前記金属枠体の上面に取
着され光半導体素子を気密に封止する金属蓋体とから成
る光半導体素子収納用パッケージであって、前記金属基
体はその中央領域の厚みをX、両端領域の厚みをTとし
たとき、下記式を満足する厚みであることを特徴とする
光半導体素子収納用パッケージ。 1.0≧T≧0.3(mm)、X≧2T
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5103114A JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5103114A JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06314747A true JPH06314747A (ja) | 1994-11-08 |
JP2784131B2 JP2784131B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14345578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5103114A Expired - Lifetime JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2784131B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0899795A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
JP2002151725A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
US6464409B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for optical communications modules |
US6614590B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor hermetic sealing package, optical semiconductor module and optical fiber amplifier |
JP2009176809A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nec Lighting Ltd | 発光モジュール |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229444A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Fujitsu Ltd | 実装金具付き半導体装置 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP5103114A patent/JP2784131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229444A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Fujitsu Ltd | 実装金具付き半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0899795A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
EP0899795A3 (en) * | 1997-08-27 | 1999-05-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
US6220765B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealed optical-semiconductor container and optical-semiconductor module |
US6345917B2 (en) | 1997-08-27 | 2002-02-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealed optical-semiconductor container and optical-semiconductor module |
US6464409B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for optical communications modules |
JP2002151725A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
US6614590B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor hermetic sealing package, optical semiconductor module and optical fiber amplifier |
JP2009176809A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nec Lighting Ltd | 発光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2784131B2 (ja) | 1998-08-06 |
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