JPH062827B2 - 粗面化ポリイミドフイルムおよびその製造法 - Google Patents

粗面化ポリイミドフイルムおよびその製造法

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JPH062827B2
JPH062827B2 JP61106241A JP10624186A JPH062827B2 JP H062827 B2 JPH062827 B2 JP H062827B2 JP 61106241 A JP61106241 A JP 61106241A JP 10624186 A JP10624186 A JP 10624186A JP H062827 B2 JPH062827 B2 JP H062827B2
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徹治 平野
義和 佐々木
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、粗面化ポリイミドフィルムに関するものであ
る。さらに詳しくは本発明は、特に高密度記録媒体用の
ベースフィルムとして有用な粗面化ポリイミドフィルム
に関するものである。
[発明の背景] 磁気テープなどの磁気記録媒体の非磁性支持体(ベース
フィルム)として、従来よりポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステルからなるフィルムが一般的に用い
られてきたが、最近では耐熱性や強度などに芳香族ポリ
イミドフィルムの使用が提案されている。
非磁性支持体の特性として、上記のように耐熱性や強度
は非常に重要なものであるが、同時に、支持体の表面状
態が適当な状態にあることも、優れた磁気記録媒体を得
るためには重大な要件となる。すなわち磁性物質層をベ
ースフィルムの表面に蒸着等により形成した金属薄膜タ
イプの磁気記録媒体は高密度記録が可能であるが、この
ように形成された磁性層はその厚さが非常に薄いため、
使用するベースフィルムの表面形態がそのまま磁性層の
表面形態となって現われる傾向がある。このため、ベー
スフィルムの表面が粗すぎると、電磁変換特性が悪くな
るとの問題があり、例えば出力の低下やドロップアウト
の増加が発生する。一方、逆に電磁変換特性を向上させ
る目的でフィルム表面を鏡面のような高度に平滑な状態
ににするとすべり性が著しく低下し、テープの走行性や
耐久性が悪くなるとの問題がある。
上記のような理由により、テープの走行性、耐摩耗性及
び耐久性のためにテープ表面に適度な凹凸を付与する方
法が種々提案されている。例えば、テープ表面に微粒子
を含んだ塗布液をコーティングする方法、微粒子をベー
スフィルム中に添加してフィルム表面に微細突起を付与
する方法、ベースフィルム表面にポリマー溶液をコーテ
ィングした後、フィルムを延伸することにより不連続膜
を形成する方法等が提案されている。しかしながらこれ
らの提案されている方法では、微粒子の分散、分級、濾
過工程あるいは、コーティング工程や延伸工程を従来の
フィルム製膜工程に組込む必要があり、これらの工程は
精度の要求が厳しく、装置類も高価であり、フィルム製
造の運転管理も難しくなる場合が多い。
また、これらの従来の方法では、以下に示す本発明のポ
リイミドフィルムのような好ましい凹凸を有するベース
フィルムを得ることができない。
[発明の構成] 本発明は、強度および耐熱製に優れ、磁気記録媒体のよ
うな高密度記録媒体のベースフィルムとして使用するの
に特に適した適度凹凸を有するフィルムを提供すること
を主な目的とする。
本発明は、全芳香族テトラカルボン酸成分に対して15
〜85モル%のビフェニルテトラカルボン酸類と85〜
15モル%のピロメリット酸類とからなる芳香族テトラ
カルボン酸成分と、全芳香族ジアミン成分に対して30
〜100モル%のフェニレンジアミン類と70〜0モル
%のジアミノジフェニルエーテル類とからなる芳香族ジ
アミン成分から得られた芳香族ポリイミドフィルムであ
って、フィルム表面に直径0.02〜2μmの微細突起
が10〜10個/mm2の範囲の数にて存在すること
を特徴とする粗面化ポリイミドフィルムにある。
上記の、粗面化ポリイミドフィルムは、全芳香族テトラ
カルボン酸成分に対して15〜85モル%のビフェニル
テトラカルボン酸類と85〜15モル%のピロメリット
酸類とからなる芳香族テトラカルボン酸成分と、全芳香
族ジアミン成分に対して30〜100モル%のフェニレ
ンジアミン類と70〜0モル%のジアミノジフェニレエ
ーテル類とからなる芳香族ジアミン成分から得られたポ
リアミック酸を加熱することにより芳香族ポリイミドフ
ィルムを製造するに際して、上記加熱工程における最高
加熱温度を、得られる芳香族ポリイミドフィルムのガラ
ス転移温度よりも高くすることにより容易に製造するこ
とができる。
以下、本発明の粗面化ポリイミドを製造する方法につい
て、代表的な実施の態様を示して詳しく説明する。
本発明の粗面化ポリイミドの製造法において使用される
芳香族ポリアミック酸は、全芳香族テトラカルボン酸成
分に対して15〜85モル%のビフェニルテトラカルボ
ン酸類と85〜15モル%のピロメリット酸類とからな
る芳香族テトラカルボン酸成分と、全芳香族ジアミン成
分に対して30〜100モル%のフェニレンジアミン類
と70〜0モル%のジアミノジフェニルエーテル類とか
らなる芳香族ジアミン成分を、実質的に等モル使用し、
有機極性溶媒中にて重合して得られる芳香族ポリアミッ
ク酸である。
前記ビフェニルテトラカルボン酸類としては、ビフェニ
ルテトラカルボン酸、その二無水物、またはその低級ア
ルキルエステル、さらにそれらの混合物を挙げることが
できる。ビフェニルテトラカルボン酸類としては、2,
3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸類、3,3',4,4'-ビ
フェニルテトラカルボン酸類を好適に挙げることができ
る。
前記ピロメリット酸類としては、ピロメリット酸、その
二無水物、またはその低級アルキルエステル、さらにそ
れらの混合物を挙げることができる。
なお、上記芳香族テトラカルボン酸成分には、全芳香族
テトラカルボン酸成分に対して70モル%以下、好まし
くは50モル%以下、さらに好ましくは30モル%以
下、の量にて他の芳香族テトラカルボン酸類を使用して
もよい。そのような他の芳香族テトラカルボン酸類の例
としては、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン、
ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4-
ジカルボキシフェニル)エーテル、ビス(3,4-ジカルボ
キシフェニル)ホスフィン、およびこらのカルボン酸の
無水物、低級アルキルエステルなどを挙げることができ
る。
本発明において、フェニレンジアミン類としては、1,4-
ジアミノベンゼン(パラフェニレンジアミン)、1,3-ジ
アミノベンゼン、1,2-ジアミノベンゼンなどを挙げるこ
とができる。
本発明において芳香族ジアミン成分として、全芳香族ジ
アミン成分に対して70モル%以下、好ましくは50モ
ル%以下、さらに好ましくは30モル%以下、そして好
ましくは1モル%以上、さらに好ましくは5モル%以上
の量にて、ジアミノジフェニルエーテル類を併用するこ
ともできる。そのようなジアミノジフェニルエーテル類
としては、4,4'-ジアミノフェニルエーテル、3,4-ジア
ミノジフェニルエーテル、3,3'-ジアミノジフェニルエ
ーテルを好適に挙げることができる。
なお、上記芳香族ジアミン成分には、全芳香族ジアミン
成分に対して70モル%以下、好ましくは50モル%以
下、さらに好ましくは30モル%以下、の量にて他の芳
香族ジアミン類を使用してもよい。そのような他の芳香
族ジアミン成分としては、4,4'-ジアミノジフェニルチ
オエーテルなどのジフェニルチオエーテル系ジアミ、3,
3'-ジアミノベンゾフェノン、4,4'-ジアミノベンゾフェ
ノンなどのベンゾフェノン系ジアミン、3,3'-ジアミノ
ジフェニルホスフィン、4,4'-ジアミノジフェニルホス
フィンなどのジフェニルホスフィン系ジアミン、3,3'-
ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジアミノフェニルメ
タンなどのジフェニルメタン系ジアミンなどを挙げるこ
とができる。
前記重合反応に使用される有機極性溶媒としては、各モ
ノマー成分、および/または両モノマー成分が生成する
オリゴマー、または低分子のポリアミック酸を均一に溶
解する溶倍を用いる。そのような有機極性溶媒の例とし
ては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセト
アミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-メチルカプロラク
タムなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルフォスホルムアミド、ジメチルスルホン、テト
ラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホ
ン、ピリジン、エチレングリコールなどを挙げることが
できる。これらの有機極性溶媒は、ベンゼン、トルエ
ン、ベンゾニトリル、キシレン、ソルベントナフサ、お
よびジオキサンのような他の有機溶倍と混合して使用す
ることもできる。
重合反応を実施するに際して、有機極性溶媒中の全モノ
マーの濃度は5〜40重量%、好ましくは6〜35重量
%、特に好ましくは10〜30重量%とされる。
上記の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成
分との重合反応は、たとえば、それぞれを実施的に等モ
ルにて混合し、反応温度100℃以下、好ましくは80
℃以下にて約0.2〜60時間の反応を行なわせること
により実施する。
本発明のポリイミドフィルムの製造のために利用される
ポリアミック酸溶液は、30℃で測定した回転粘度が、
約0.1〜50000ポイズ、特に0.5〜30000
ポイズ、さらに好ましくは1〜20000ポイズ程度の
ものであることが、このポリアミック酸溶液を取り扱う
作業性の面から好ましい。従って、前記の重合反応は、
生成するポリアミック酸が上記のような粘度を示す程度
にまで実施することが望ましい。
本発明のポリイミドフィルムの製造に際してはは、たと
えば、まず前述の芳香族ポリアミック酸の溶液を、まず
適当な支持体(例えば、金属、セラミック、プラスチッ
ク製のロール、または金属ベルト、あるいは金属薄膜テ
ープが供給されつつあるロールまたはベルト)の表面上
に流延して、約10〜2000μm、特に20〜100
0μm程度の均一な厚さのポリアミック酸溶液を膜状態
に形成し、次いで熱風、赤外線等の熱源を利用して60
〜160℃に加熱して、溶剤を徐々に除去することによ
り、自己支持性になるまで前乾燥を行い、該支持体より
自己支持性フィルムを剥離する。剥離される自己支持性
フィルムは、その加熱減量が10〜65重量%の範囲に
あることが好ましく、さらに15〜60重量%の範囲に
あることが特に好ましい。
なお、上記の自己支持性フィルムの加熱減量とは、測定
対称のフィルムを420℃で20分間乾燥し、乾燥前の
重量Wと乾燥後の重量Wとから次式によって求めた
値である。
加熱減量(重量%)= {(W−W)/W}×100 次に、上記自己支持性フィルムを、フィルムに含まれる
溶媒の除去及びアミド・酸結合のイミド結合への転換を
行うために、約100℃以上の温度で加熱して、これに
より芳香族ポリイミドフィルムを製造する。
この芳香族ポリイミドフィルムを製造する時の最高加熱
温度を該芳香族ポリイミドのガラス転移温度(Tg)以
上、好ましくはTgよりも20℃以上、更に好ましくは
30〜200℃、とくに好ましくは50〜160℃の温
度にすることにより、生成する芳香族ポリイミドフィル
ム表面に、目的の条件にある微細突起を形成させること
ができる。
上記の加熱条件にて製造した芳香族ポリイミドフィルム
表面上に形成される微細突起の大きさの大部分は、0.
02〜2μmの範囲にある。ここで言う微細突起の大き
さとは、フィルム表面を電子顕微鏡で1万倍に拡大した
場合に観察される微細突起の最大径部分の長さを言う。
本発明の芳香族ポリイミドフィルム表面上に形成されて
いる直径が0.02〜2μmの微細突起数は10〜1
個/mmであり、好ましくは10〜10個/
mmの範囲にあり、更に好ましくは10〜10
/mmの範囲にある。この微細突起の数は、フィルム
表面を電子顕微鏡で1万倍に拡大した時に観察される突
起の最大径が0.02μ以上のものについて個数を数え
て得られる数値である。
上記の方法によって本発明の芳香族ポリイミドフィルム
表面上に形成される微細突起の大きさと個数は、芳香族
ポリイミドフィルムの組成、ガラス転移温度と最高加熱
温度によって変化する。一般的な傾向としてガラス転移
温度と最高加熱温度の差が大きくなるほど、フィルム表
面上に形成される微細突起の大きさが上記の範囲内で大
きくなり、またその個数が増大する。さらに芳香族ジア
ミン成分として4,4'-ジアミノジフェニルエーテル成分
を使用した場合に、そしてその使用量が多くなるほど、
フィルム表面上に形成される微細突起の大きさと個数が
増加する傾向がある。また、ポリアミック酸フィルムを
ポリイミドフィルムに変換する際における最高加熱温度
が同じであっても、昇温速度の相違により表面の微細突
起の形成される様子が異なる場合がある。また、一般的
に言えば、フィルム厚みが薄くなると微細突起の大き
さ、個数が減少する傾向がある。
本発明における粗面化ポリイミドフィルムの厚みは、通
常1〜100μmの範囲にあり、好ましくは2〜50μ
mの範囲にある。
[発明の効果] 本発明の粗面化芳香族ポリイミドフィルムは、その製造
のための芳香族カルボン酸成分として、それぞれ特定量
のビフェニルテトラカルボン酸類とピロメリット酸類と
を併用して得られたものであり、そのような芳香族ポリ
イミドフィルムは、優れた機械的物性、たとえば高い引
張強度(通常は約20kg/mm以上であり、25k
g/mm以上のものが多い)、適度な弾性率(通常は
約300〜900kg/mm)を有し、また優れた熱
的性質、たとえば、高い二次転移温度(通常は約300
℃以上)高い熱分解温度(通常は約400℃以上)を有
するため、特に磁気テープなどの磁気記録媒体の支持体
として優れた特性を示す。
また、本発明の粗面化ポリイミドフィルムは、その表面
に適度な量の微細突起を有するため、その上に磁気記録
層を形成した場合には、記録層の表面が、ほぼ同等な適
度な量の微細突起を有するようになる。従って、磁気記
録媒体用ベースフィルム、特に金属薄膜磁気記録媒体用
ベースフィルムとして使用した場合、得られる磁気記録
媒体の電磁変換特性が良好になり、走行性、耐久性もす
ぐれたものとなる。
次に本発明の実施例と比較例を挙げる。
各々の物性値および評価方法は以下の通りである。
(1)ガラス転移温度:理学電気(株)製TMA装置で
引張法により求めた。
(2)微細突起数:フィルム表面を電子顕微鏡で1万倍
で観察し、突起の最大径が0.02μm以上のものにつ
いて個数を数えた。
(3)電磁変換特性:中心周波数4.5MHzで記録、
再生した場合のS/N比(相対値)を比較例14を基準
(0dB)として測定した。
A:出力が−3dBより大きい。
B:出力が−3dBより小さい。
(4)走行性:テープ走行の乱れによる画面のみだれを
観察した。
A:走行性順調で再生画面のみだれなし。
B:走行性が悪く再生画面がみだれる。
(5)耐久性:100回走行させた後の磁性面のすり傷
や出力が低下をみた。
A:すり傷がほとんどないか、弱いすり傷程度。出力低
下が−3dBより小さい。
B:強いすり傷が認められる。出力低下が−3dBより
大きい。
[実施例1] 内容積1の円筒型重合槽に、N,N-ジメチルアセトアミ
ド448g、p−フェニレンジアミン(PPD)22.
709g(0.21モル)、4,4'-ジアミノジフェニル
エーテル(4,4'-DADE)18.022g(0.09
モル)を入れ、窒素中室温(約30℃)で撹拌した。こ
の溶液に3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物(s-BPDA)44.133g(0.15モル)およ
びピロメリット酸二無水物(PMDA)32.718g
(0.15モル)を添加し、6時間撹拌してポリアミッ
ク酸の溶液を得た。この溶液の対数粘度(30℃、0.
5g/100m、N,N-ジメチルアセトアミド)が、
2.54であり、回転粘度は2400ポイズ(30℃)
であった。粘度は東京計器(株)製E粘度計を使用して
測定した。
上記のポリアミック酸溶液をガラス板上に流延してポリ
アミック酸溶液の皮膜を形成し、その皮膜を120℃の
熱風で20分間乾燥して溶媒を留去して、ポリアミック
酸フィルムを形成した。
次に、ポリアミック酸フィルムをガラス板からはがし
た。このフィルムの加熱減量は34.1重量%であっ
た。
このポリアミック酸フィルムを金属枠にとり付けて、熱
風乾燥器内で200℃から400℃まで20分間で昇温
して、厚さ35μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成
した。なお、この芳香族ポリイミドフィルムのガラス転
移温度は360℃であった。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は5.
0×10mm2であった。
[実施例2] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させた以外は実施例1と同様にして、厚さ
35μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は2.
6×10個/mm2であった。
[実施例3] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させたのち、450℃にて5分間の加熱を
行なった以外は実施例1と同様にして、厚さ21μmの
芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は2.
3×10個/mm2であった。
[実施例4] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させたのち、450℃にて5分間の加熱を
行なった以外は実施例1と同様にして、厚さ10μmの
芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は1.
0×10個/mm2であった。
[実施例5] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
Tg=360℃)とし、200℃から450℃まで20
分間で昇温させたのち、450℃にて5分間の加熱を行
なった以外は実施例1と同様にして、厚さ56μmの芳
香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は1.
8×10個/mm2であった。
[実施例6] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から450℃まで2
0分間で昇温させたのち、450℃にて5分間の加熱を
行なった以外は実施例1と同様にして、厚さ12μmの
芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は5.
0×10個/mm2であった。
[比較例1] ポリアミック酸の最高加熱温度を300℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から300℃まで1
0分間で昇温させた以外は実施例1と同様にして、厚さ
35μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[比較例2] ポリアミック酸の最高加熱温度を350℃(ポリイミド
のTg=360℃)とし、200℃から350℃まで1
5分間で昇温させた以外は実施例1と同様にして、厚さ
35μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[磁気テープ支持体としての評価] 各例にて得られたポリイミドフィルム表面に、真空蒸着
により厚さ0.2μmのCo−Cr合金槽を形成して磁
気テープとし、磁気テープの電磁変換特性、走行性およ
び耐久性を前期の方法により評価した。その結果を第1
表に示す。
[実施例7] p−フェニレンジアミン(PPD)の使用量を0.15
モル、そして4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'-
DADE)の使用量を0.15モルに変えた以外は、実
施例1と同様にしてポリアミック酸をを得た。この溶液
の対数粘度(30℃、0.5g/100m、N,N-ジメ
チルアセトアミド)は2.61であり、回転粘度は43
00ポイズ(30℃)であった。
上記のポリアミック酸溶液をガラス板上に流延してポリ
アミック酸溶液の皮膜を形成し、その皮膜を120℃の
熱風で20分間乾燥して溶媒を留去して、ポリアミック
酸フィルムを形成した。
次に、ポリアミック酸フィルムをガラス板からはがし
た。このフィルムの加熱減量は37.6重量%であっ
た。
このポリアミック酸フィルムを金属枠にとり付けて、熱
風乾燥器内で200℃から400℃まで20分間で昇温
して、厚さ39μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成
した。なお、この芳香族ポリイミドフィルムのガラス転
移温度は330℃であった。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は2.
8×10個/mm2であった。
[実施例8] ポリアミック酸の最高加熱温度を410℃(ポリイミド
のTg=330℃)とし、200℃から410℃までの
20分間で昇温させた以外は実施例7と同様にして、厚
さ39μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は2.
5×10個/mm2であった。
[実施例9] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=330℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させた以外は実施例7と同様にして、厚さ
39μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は4.
1×10個/mm2であった。
[比較例3] ポリアミック酸の最高加熱温度を300℃(ポリイミド
のTg=330℃)とし、200℃から300℃まで1
0分間で昇温させた以外は実施例7と同様にして、厚さ
39μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[比較例4] ポリアミック酸の最高加熱温度を340℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から350℃まで1
5分間で昇温させた以外は実施例7と同様にして、厚さ
39μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[磁気テープ支持体としての評価] 各例にて得られたポリイミドフィルム表面に、真空蒸着
により厚さ0.2μmのCo−Cr合金層を形成して磁
気テープとし、磁気テープの電磁変換特性、走行性およ
び耐久性を前記の方法により評価した。その結果を第2
表に示す。
[実施例10] p−フェニレンジアミン(PPD)の使用量を0.12
モルそして4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'−
DADE)の使用量を0.15モルに変え、3,3',4,4'-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)の
使用量を0.12モル、そしてピロメリット酸二無水物
(PMDA)の使用量を0.18モルに変えた以外は、
実施例1と同様にしてポリアミック酸をを得た。この溶
液の対数粘度(30℃、0.5g/100m、N,N-ジ
メチルアセトアミド)は2.01であり、回転粘度は1
500ポイズ(30℃)であった。
上記のポリアミック酸溶液をガラス板上に流延してポリ
アミック酸溶液の皮膜を形成し、その皮膜を120℃の
熱風で20分間乾燥して溶媒を留去して、ポリアミック
酸フィルムを形成した。
次に、ポリアミック酸フィルムをガラス板からはがし
た。このフィルムの加熱減量は36.2重量%であっ
た。
このポリアミック酸フィルムを金属枠にとり付けて、熱
風乾燥器内で200℃から400℃まで20分間で昇温
して、厚さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成
した。なお、この芳香族ポリイミドフィルムのガラス転
移温度は350℃であった。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は9.
0×10個/mm2であった。
[実施例11] ポリアミック酸の最高加熱温度を410℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から410℃まで2
0分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は3.
4×10個/mm2であった。
[実施例12] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は2.
3×10個/mm2であった。
[比較例5] ポリアミック酸の最高加熱温度を300℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から300℃まで1
0分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[比較例6] ポリアミック酸の最高加熱温度を340℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から350℃まで1
5分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[磁気テープ支持体としての評価] 各例にて得られたポリイミドフィルム表面に、真空蒸着
により厚さ0.2μmのCo−Cr合金層を形成して磁
気テープとし、磁気テープの電磁変換特性、走行性およ
び耐久性を前記の方法により評価した。その結果を第3
表に示す。
[実施例13] p−フェニレンジアミン(PPD)の使用量を0.12
モルそして4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'−
DADE)の使用量を0.18モルに変え、3,3',4,4'-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)の
使用量を0.09モル、そしてピロメリット酸二無水物
(PMDA)の使用量を0.21モルに変えた以外は、
実施例1と同様にしてポリアミック酸をを得た。この溶
液の対数粘度(30℃、0.5g/100m、N,N-ジ
メチルアセトアミド)は1.90であり、回転粘度は1
200ポイズ(30℃)であった。
上記のポリアミック酸溶液をガラス板上に流延してポリ
アミック酸溶液の皮膜を形成し、その皮膜を120℃の
熱風で20分間乾燥して溶媒を留去して、ポリアミック
酸フィルムを形成した。
次に、ポリアミック酸フィルムをガラス板からはがし
た。このフィルムの加熱減量は34.7重量%であっ
た。
このポリアミック酸フィルムを金属枠にとり付けて、熱
風乾燥器内で200℃から400℃まで20分間で昇温
して、厚さ37μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成
した。なお、この芳香族ポリイミドフィルムのガラス転
移温度は350℃であった。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は1.
2×10個/mm2であった。
[実施例14] ポリアミック酸の最高加熱温度を410℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から410℃まで2
0分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ37μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は4.
2×10個/mm2であった。
[実施例15] ポリアミック酸の最高加熱温度を450℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から450℃まで2
5分間で昇温させた以外は実施例10と同様にして、厚
さ37μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数は3.
6×10個/mm2であった。
[比較例7] ポリアミック酸の最高加熱温度を300℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から300℃まで1
0分間で昇温させた以外は実施例13と同様にして、厚
さ37μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[比較例8] ポリアミック酸の最高加熱温度を340℃(ポリイミド
のTg=350℃)とし、200℃から350℃まで1
5分間で昇温させた以外は実施例13と同様にして、厚
さ43μmの芳香族ポリイミドフィルムを作成した。
この芳香族ポリイミドフィルム表面には微細突起が生成
していなかった。
[磁気テープ支持体としての評価] 各例にて得られたポリイミドフィルム表面に、真空蒸着
により厚さ0.2μmのCo−Cr合金層を形成して磁
気テープとし、磁気テープの電磁変換特性、走行性およ
び耐久性を前記の方法により評価した。その結果を第4
表に示す。
[実施例16〜28] p−フェニレンジアミン(PPD)、4,4'-ジアミノフ
ェニルエーテル(4,4'−DADE)、3,3',4,4'-ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)、そして
ピロメリット酸二無水物(PMDA)使用量をそれぞれ
第5表に示す使用量に変えた以外は、実施例1と同様に
してポリアミック酸を得た。
得られたポリアミック酸溶液をガラス板上に流延してポ
リアミック酸溶液の皮膜を形成し、その皮膜を120℃
の熱風で20分間乾燥して溶媒を留去して、ポリアミッ
ク酸フィルムを形成したのち、このフィルムをはがした このポリアミック酸フィルムを金属枠にとり付けて、熱
風乾燥器内で200℃から第5表記載の最高温度まで2
0分間(最高温度が400℃および410℃の場合)、
あるいは25分間(最高温度が450℃の場合)で昇温
して、第5表に記載の厚さを有する芳香族ポリイミドフ
ィルムを作成した。
得られた芳香族ポリイミドフィルム表面の微細突起数を
第5表に示す。
なお実施例16〜28にて得られたポリイミドフィルム
表面に、真空蒸着により厚さ0.2μmのCo−Cr合
金層を形成して磁気テープとし、磁気テープの電磁変換
特性、走行性および耐久性を前記の方法により評価した
ところ、いずれの項目についてもAの評価が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B29K 79:00 B29L 7:00 4F C08L 79:00

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】全芳香族テトラカルボン酸成分に対して1
    5〜85モル%のビフェニルテトラカルボン酸類と85
    〜15モル%のピロメリット酸類とからなる芳香族テト
    ラカルボン酸成分と、全芳香族ジアミン成分に対して3
    0〜100モル%のフェニレンジアミン類と70〜0モ
    ル%のジアミノジフェニルエーテル類とからなる芳香族
    ジアミン成分から得られた芳香族ポリイミドフィルムで
    あって、フィルム表面に直径0.02〜2μmの微細突
    起が10〜10個/mm2の範囲の数にて存在するこ
    とを特徴とする粗面化ポリイミドフィルム。
  2. 【請求項2】上記フィルム表面の直径0.02〜2μm
    の微細突起の数が10〜10個/mm2の範囲にある
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の粗面化ポ
    リイミドフィルム。
  3. 【請求項3】上記フィルム表面の直径0.02〜2μm
    の微細突起の数が10〜10個/mm2の範囲にある
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の粗面化ポ
    リイミドフィルム。
  4. 【請求項4】微細突起部分が実質的にポリイミドのみか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3
    項のいずれかの項記載の粗面化ポリイミドフィルム。
  5. 【請求項5】全芳香族テトラカルボン酸成分に対して1
    5〜85モル%のビフェニルテトラカルボン酸類と85
    〜15モル%のピロメリット酸類とからなる芳香族テト
    ラカルボン酸成分と、全芳香族ジアミン成分に対して3
    0〜100モル%のフェニレンジアミン類と70〜0モ
    ル%のジアミノジフェニルエーテル類とからなる芳香族
    ジアミン成分から得られたポリアミック酸を加熱するこ
    とにより芳香族ポリイミドフィルムを製造するに際し
    て、上記加熱工程における最高加熱温度を、得られる芳
    香族ポリイミドフィルムのガラス転移温度よりも高くす
    ることを特徴とする、フィルム表面に直径0.02〜2
    μmの微細突起が10〜10個/mm2の範囲の数に
    て存在する粗面化ポリイミドフィルムの製造法。
  6. 【請求項6】上記最高加熱温度を、得られる芳香族ポリ
    イミドフィルムのガラス転移温度よりも20℃以上高く
    することを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の粗面
    化ポリイミドフィルムの製造法。
  7. 【請求項7】上記最高加熱温度を、得られる芳香族ポリ
    イミドフィルムのガラス転移温度よりも30〜200℃
    高くすることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の
    粗面化ポリイミドフィルムの製造法。
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JPS60139755A (ja) * 1983-12-27 1985-07-24 Ube Ind Ltd 電気絶縁組成物
JPH0618068A (ja) * 1991-05-27 1994-01-25 Mitsubishi Paper Mills Ltd 蓄熱式冷却または加熱方法

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