JPH0628090B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0628090B2 JPH0628090B2 JP60014370A JP1437085A JPH0628090B2 JP H0628090 B2 JPH0628090 B2 JP H0628090B2 JP 60014370 A JP60014370 A JP 60014370A JP 1437085 A JP1437085 A JP 1437085A JP H0628090 B2 JPH0628090 B2 JP H0628090B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plating
- recording medium
- magnetic recording
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は磁気記録媒体、特に金属薄膜型磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
従来の磁気記録媒体は非磁性支持体に磁性塗料を塗布す
るいわゆる塗布型が中心であったが、近年高密度記録へ
の要求が高まるにつれて、非磁性支持体に磁性金属薄膜
を形成した金属薄膜型媒体が注目をあつめている。これ
は１ミクロン以下の厚みの磁性金属薄膜に記録するもの
で、塗布型に比して極めて高密度な記録を可能とするも
のである。
るいわゆる塗布型が中心であったが、近年高密度記録へ
の要求が高まるにつれて、非磁性支持体に磁性金属薄膜
を形成した金属薄膜型媒体が注目をあつめている。これ
は１ミクロン以下の厚みの磁性金属薄膜に記録するもの
で、塗布型に比して極めて高密度な記録を可能とするも
のである。
薄膜型媒体の製造方法としては、蒸着法、スパッタ法、
湿式メッキ法等が知られている。このうち蒸着法、スパ
ッタ法等は真空中にて製膜するため量産性に欠け、コス
トも割高という問題点を有している。これに対して湿式
メッキ法は簡単な設備で量産が可能であるため多くの研
究が行われている。
湿式メッキ法等が知られている。このうち蒸着法、スパ
ッタ法等は真空中にて製膜するため量産性に欠け、コス
トも割高という問題点を有している。これに対して湿式
メッキ法は簡単な設備で量産が可能であるため多くの研
究が行われている。
湿式メッキ法は大別して電解メッキ法と無電解メッキ法
の２つある。電解メッキ法は膜の析出速度が速いが、非
導電体にはメッキできず、一般にはプラスチックフィル
ムへ直接メッキをするには無電解メッキ法が利用されて
いる。
の２つある。電解メッキ法は膜の析出速度が速いが、非
導電体にはメッキできず、一般にはプラスチックフィル
ムへ直接メッキをするには無電解メッキ法が利用されて
いる。
無電解メッキ法にてプラスチックフィルムにメッキする
ために重要な工程は、無電解メッキに先立って行なわれ
るエッチング工程である。この工程は特にメッキ膜のプ
ラスチックフィルムへの密着性向上には不可欠とされて
きたもので、通常はクロム酸、クロム酸混液、あるいは
水酸化ナトリウム等の溶液にフィルムを浸せきし、表面
を物理的、化学的に粗化し、メッキ膜に対するアンカー
効果を得て密着力を得るものである。しかしこのエッチ
ング工程により充分な密着力を得るためには激しい物理
的粗化が必要なため、できあがったメッキ膜の表面性は
非常に劣化してしまう。通常の装飾用等の目的では外観
上美しい光沢があればそれでも充分であるが、短波長記
録となる高密度記録用媒体としては、表面性劣化は致命
的であった。そのため、より良い方法の開発が必要とさ
れていた。この解答の１つとして塩化ビニリデン等をフ
ィルム上に下塗りして、そしてエッチング工程を省略す
る方法が提案されている（特公58−6781）。しかしこの
方法では充分な密着力を得ることはできなかった。
ために重要な工程は、無電解メッキに先立って行なわれ
るエッチング工程である。この工程は特にメッキ膜のプ
ラスチックフィルムへの密着性向上には不可欠とされて
きたもので、通常はクロム酸、クロム酸混液、あるいは
水酸化ナトリウム等の溶液にフィルムを浸せきし、表面
を物理的、化学的に粗化し、メッキ膜に対するアンカー
効果を得て密着力を得るものである。しかしこのエッチ
ング工程により充分な密着力を得るためには激しい物理
的粗化が必要なため、できあがったメッキ膜の表面性は
非常に劣化してしまう。通常の装飾用等の目的では外観
上美しい光沢があればそれでも充分であるが、短波長記
録となる高密度記録用媒体としては、表面性劣化は致命
的であった。そのため、より良い方法の開発が必要とさ
れていた。この解答の１つとして塩化ビニリデン等をフ
ィルム上に下塗りして、そしてエッチング工程を省略す
る方法が提案されている（特公58−6781）。しかしこの
方法では充分な密着力を得ることはできなかった。
本発明は、無電解メッキ法により、疎水性のフィルム上
に充分な密着力、及び表面性の磁性金属薄膜を形成した
高密度記録媒体を提供することを目的とする。
に充分な密着力、及び表面性の磁性金属薄膜を形成した
高密度記録媒体を提供することを目的とする。
本発明は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アラミドより選択された疎水性フィルム支持体の少なく
とも片面にスルホン酸基またはスルホン酸塩基あるいは
その両者を有する化合物を含む、厚さ１０００Å以下の
下塗層を設け、その上に表面粗さ０．０５μｍ以下の無
電解法によるコバルト含有合金メッキ膜より成る磁性層
を生成したことを特徴とする磁気記録媒体である。これ
により支持体表面は極めて大幅にメッキ析出能を改善
し、従来、前処理として行なわれた支持体表面に対する
エッチング工程をなくして、直接支持体表面の活性化が
行なえ、これにより、密着性及び表面性のすぐれた磁性
金属薄膜が形成できる。従来のエッチング工程の省略に
より、フィルムの表面性は劣化することなく保存される
だけでなく、磁性金属に対する親和性が大幅に改善され
る。高密度磁気記録媒体として要求される表面あらさは
0.05μｍ以下、望ましくは0.03μｍ以下であるが本発明
によれば充分この表面あらさのメッキ膜が得られる。
アラミドより選択された疎水性フィルム支持体の少なく
とも片面にスルホン酸基またはスルホン酸塩基あるいは
その両者を有する化合物を含む、厚さ１０００Å以下の
下塗層を設け、その上に表面粗さ０．０５μｍ以下の無
電解法によるコバルト含有合金メッキ膜より成る磁性層
を生成したことを特徴とする磁気記録媒体である。これ
により支持体表面は極めて大幅にメッキ析出能を改善
し、従来、前処理として行なわれた支持体表面に対する
エッチング工程をなくして、直接支持体表面の活性化が
行なえ、これにより、密着性及び表面性のすぐれた磁性
金属薄膜が形成できる。従来のエッチング工程の省略に
より、フィルムの表面性は劣化することなく保存される
だけでなく、磁性金属に対する親和性が大幅に改善され
る。高密度磁気記録媒体として要求される表面あらさは
0.05μｍ以下、望ましくは0.03μｍ以下であるが本発明
によれば充分この表面あらさのメッキ膜が得られる。
本発明において疎水性フィルムの表面に下塗層として塗
布されるスルホン酸基、スルホン酸塩基含有化合物とし
ては、多くのものがあげられる。
布されるスルホン酸基、スルホン酸塩基含有化合物とし
ては、多くのものがあげられる。
たとえば、特開昭58-124651にて報告されているポリエ
ステル系樹脂中に官能基を組込んだもの、特公昭59-588
5記載のビニルスルホン酸アルカリ金属塩、アリルスル
ホン酸アルカリ金属塩、メタリルスルホン酸アルカリ金
属塩等のコポリマー、特開昭54-94575記載のＲＳＯ３Ｈ
（ただし式中Ｒはスルホン酸基を含む置換基を有しても
よいアルキル、シクロアルキルまたは複素環残基）で表
わされる遊離スルフォン酸化合物、或いはそれらの混合
物などがその例である。なお、これらの化合物は従来上
層の塗布層、蒸着層等の密着性向上、等の目的のために
用いられたものが多い。しかし、本発明はこれらの下塗
層によりエッチング工程なしに極めて密着性の良い無電
解メッキが可能なことを見出したものである。
ステル系樹脂中に官能基を組込んだもの、特公昭59-588
5記載のビニルスルホン酸アルカリ金属塩、アリルスル
ホン酸アルカリ金属塩、メタリルスルホン酸アルカリ金
属塩等のコポリマー、特開昭54-94575記載のＲＳＯ３Ｈ
（ただし式中Ｒはスルホン酸基を含む置換基を有しても
よいアルキル、シクロアルキルまたは複素環残基）で表
わされる遊離スルフォン酸化合物、或いはそれらの混合
物などがその例である。なお、これらの化合物は従来上
層の塗布層、蒸着層等の密着性向上、等の目的のために
用いられたものが多い。しかし、本発明はこれらの下塗
層によりエッチング工程なしに極めて密着性の良い無電
解メッキが可能なことを見出したものである。
この下塗組成物は適当な溶剤に溶解させた後、浸せきコ
ーテイング、リバースコーテイング、グラビアコーテイ
ングのようないかなるコーテイング技術によっても疎水
性フィルムに塗布しうる。またたとえば疎水性フィルム
が２軸延伸ポリエステルフィルム等の場合などには、第
一方向に延伸した後に下塗組成物を塗布し、さらに第二
方向に延伸する方法などが望ましい。また所望ならば、
下塗組成物中に架橋剤を配合することも何ら問題はな
い。
ーテイング、リバースコーテイング、グラビアコーテイ
ングのようないかなるコーテイング技術によっても疎水
性フィルムに塗布しうる。またたとえば疎水性フィルム
が２軸延伸ポリエステルフィルム等の場合などには、第
一方向に延伸した後に下塗組成物を塗布し、さらに第二
方向に延伸する方法などが望ましい。また所望ならば、
下塗組成物中に架橋剤を配合することも何ら問題はな
い。
しかし、下塗層の厚さは1000オングストローム以下が好
ましく、それより厚くなるとメッキ前の処理中に表面性
が劣化しやすくなるために望ましくない。
ましく、それより厚くなるとメッキ前の処理中に表面性
が劣化しやすくなるために望ましくない。
以下、本発明を実施例について説明する。実施例におい
て、メッキ析出能はメッキ後の外観により判断した。
て、メッキ析出能はメッキ後の外観により判断した。
○ 全面析出 △ 一部むらあり × 一部分のみ析出 また、密着性はスッコチテープによる１８０゜はくり試
験にて評価した。
験にて評価した。
○ 全くはくりせず、フィルム切れ △ 一部はくり × 大部分はくり 表面のあらさは、タリステップ触針計にて測定した。
また、下塗層の厚みは超薄切片を作成した後、透過型電
子顕微鏡にて実測した。
子顕微鏡にて実測した。
実施例１ スチレン／アクリル酸ｎ−ブチル／イタコン酸／メタリ
ルスルホン酸ナトリウムをそれぞれ60／25／５／10モル
％の比率で含有する共重合体の水性分散体を常法に従っ
てエマルジオン重合することにより調整した。使用した
成分は次の通りである。
ルスルホン酸ナトリウムをそれぞれ60／25／５／10モル
％の比率で含有する共重合体の水性分散体を常法に従っ
てエマルジオン重合することにより調整した。使用した
成分は次の通りである。
スチレン 113 ml アクリル酸ｎ−ブチル 59 ml メタリルスルホン酸ナトリウム 25.7g イタコン酸 10.7g ナンサ(Nansa) 1106 (Albright&Wilson製アルキル ベンゼンスルホン酸ナトリウム） 20 ml 過硫酸カリウム 2 g 蒸留水 285 ml 得られた水性分散体から次の処方に従って下塗層形成用
組成物を調整した。
組成物を調整した。
スチレン／アクリル酸ｎ−ブチル ／イタコン酸／メタリルスルホン 酸ナトリウム共重合体分散体 10 g ヘキサメトキシ・メチル・メラミン （サイメル(Cymel)300） 1 g 蒸留水 89 g ポリエチレンテレフタレートを溶融押出しし、コーテツ
ド回転ドラム上に注型し、常法に従って押出し方向に沿
って同方向における原長の約３倍延長し、次いでフィル
ムの両面に上記水性下塗層形成組成物をコーティングし
た。コーテツドフィルムは加熱テンター炉中を通し、こ
の炉においてコーティング層を乾燥すると共にフィルム
を常法に従ってその横断方向に原長の約３倍延伸した。
次いで、常法に従って温度約 200℃において寸法変化を
抑制する条件下にフィルムを熱固定した。
ド回転ドラム上に注型し、常法に従って押出し方向に沿
って同方向における原長の約３倍延長し、次いでフィル
ムの両面に上記水性下塗層形成組成物をコーティングし
た。コーテツドフィルムは加熱テンター炉中を通し、こ
の炉においてコーティング層を乾燥すると共にフィルム
を常法に従ってその横断方向に原長の約３倍延伸した。
次いで、常法に従って温度約 200℃において寸法変化を
抑制する条件下にフィルムを熱固定した。
比較例１ 実施例１のエマルジョン組成物よりメタリルスルホン酸
ナトリウム、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムを
除去し、全く同様にして下塗り済フィルムを得た。
ナトリウム、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムを
除去し、全く同様にして下塗り済フィルムを得た。
比較例２ 下塗りをせずに実施例１の方法にて、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを作成した。その後60℃、20％水酸
化ナトリウム水溶液中で20分間エッチング処理を行なっ
た。
フタレートフィルムを作成した。その後60℃、20％水酸
化ナトリウム水溶液中で20分間エッチング処理を行なっ
た。
実施例２ 塩化ビニリデン−アクリロニトリ ル共重合体（モル比9.76:1） 20部 ｐ−フェノールスルホン酸 0.25部 メチルエチルケトン 48.5部 キシレン 28.0部 エチルセロソルプ 41.5部 上記組成物用役を厚さ75μのポリイミドフィルムにリバ
ース塗布 120℃で熱風乾燥し下塗層を形成させた。
ース塗布 120℃で熱風乾燥し下塗層を形成させた。
比較例３ 実施例２の組成より、ｐ−フェノールスルホン酸を除去
し、同様に下塗層とした。
し、同様に下塗層とした。
比較例４ 実施例２の組成にて、溶媒以外の組成物を５倍量とし、
濃厚溶液を得て、これを塗布し、下塗層とした。
濃厚溶液を得て、これを塗布し、下塗層とした。
実施例３ ジメチルテレフタレート、ジメチルイソフタレート、５
−ソジオスルホジメチルイソフタレート、エチレングリ
コール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコー
ルとエステル交換触媒として酢酸カルシウムを混合し、
200 〜 230℃で理論量のメタノールが流出するまでエス
テル交換反応終了後、正りん酸を加え、さらに重合触媒
とし三酸化アンチモンを加えて、徐々に減圧および昇温
して、最終的に真空度１mmHg以下、 280℃で重合を行っ
た。得られたポリエステル樹脂は、ジカルボン酸中のテ
レフタル酸成分50モル％、イソフタル酸成分43モル％、
５−ソジオスルホイソフタル酸成分７モル％であり、グ
リコール中のエチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、トリエチレングリコールの比率は約２対１対１であ
る。ポリエステル樹脂の水分散物は、上記のポリエステ
ル樹脂を熱水に投入、撹はんして、濃度50重量％、分散
粒子径0.1 〜0.01μのものを得た。
−ソジオスルホジメチルイソフタレート、エチレングリ
コール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコー
ルとエステル交換触媒として酢酸カルシウムを混合し、
200 〜 230℃で理論量のメタノールが流出するまでエス
テル交換反応終了後、正りん酸を加え、さらに重合触媒
とし三酸化アンチモンを加えて、徐々に減圧および昇温
して、最終的に真空度１mmHg以下、 280℃で重合を行っ
た。得られたポリエステル樹脂は、ジカルボン酸中のテ
レフタル酸成分50モル％、イソフタル酸成分43モル％、
５−ソジオスルホイソフタル酸成分７モル％であり、グ
リコール中のエチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、トリエチレングリコールの比率は約２対１対１であ
る。ポリエステル樹脂の水分散物は、上記のポリエステ
ル樹脂を熱水に投入、撹はんして、濃度50重量％、分散
粒子径0.1 〜0.01μのものを得た。
上記の水分散性ポリエステル系樹脂を濃度５重量％と
し、＃５のバーコーターにて厚さ12μｍのアラミドフィ
ルム上に塗布した。
し、＃５のバーコーターにて厚さ12μｍのアラミドフィ
ルム上に塗布した。
比較例５ 実施例３で用いたアラミドフィルムを比較例２と同様の
条件にて、エッチング処理を行った。
条件にて、エッチング処理を行った。
比較例６ 実施例３で用いたアラミドフィルムを何の処理もせず
に、次のアクチベーター工程を行った。
に、次のアクチベーター工程を行った。
以下、実施例1,2,3,比較例1,2,3,4,5,6 のフィルムを以
下の方法にて無電解メッキを行った。
下の方法にて無電解メッキを行った。
(1) アクチベーター 蒸留水 55部 濃塩酸 30部 PN-PS（ワールドメタル社） 15部 40℃、１分間 (2) アクセレーター 蒸留水 80部 濃硫酸 20部 室温、１分間 (3) 無電解メッキ溶 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニッケル 0.04mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol／ ロツセル塩 0.5mol／ ホウ酸 0.2mol／ 硫安 0.5mol／ ＮａＯＨアルカリ化 ｐＨ9.5 ７０℃、２分間 〔結果〕 各試料の評価結果を表Ｉに示す。以上の結果よりスルホ
ン酸基、スルホン酸塩基を厚み1000オングストローム以
下の下塗層組成中に含有したものは、良好なメッキ析出
能を有し、密着性、表面あらさも実用上十分なものであ
ることがわかつた。
ン酸基、スルホン酸塩基を厚み1000オングストローム以
下の下塗層組成中に含有したものは、良好なメッキ析出
能を有し、密着性、表面あらさも実用上十分なものであ
ることがわかつた。
第１図は本発明の工程図と従来の方法の工程図を比較の
ため示したものである。
ため示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 久恵 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テイ ーデイーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−124651（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−6781（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、アラミドより選択された疎水性フィルム支持体の少
なくとも片面にスルホン酸基またはスルホン酸塩基ある
いはその両者を有する化合物を含む、厚さ１０００Å以
下の下塗層を設け、その上に表面粗さ０．０５μｍ以下
の無電解法によるコバルト含有合金メッキ膜より成る磁
性層を生成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014370A JPH0628090B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014370A JPH0628090B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61175925A JPS61175925A (ja) | 1986-08-07 |
| JPH0628090B2 true JPH0628090B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=11859158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60014370A Expired - Lifetime JPH0628090B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628090B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8228308B2 (en) | 2008-07-04 | 2012-07-24 | Tsinghua University | Method for making liquid crystal display adopting touch panel |
| US9040159B2 (en) | 2007-12-12 | 2015-05-26 | Tsinghua University | Electronic element having carbon nanotubes |
| US9077793B2 (en) | 2009-06-12 | 2015-07-07 | Tsinghua University | Carbon nanotube based flexible mobile phone |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586781A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-14 | Hitachi Ltd | 溶接装置 |
| JPS58124651A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-25 | ダイアホイル株式会社 | 塗布層を有するポリエステルフィルム |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP60014370A patent/JPH0628090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9040159B2 (en) | 2007-12-12 | 2015-05-26 | Tsinghua University | Electronic element having carbon nanotubes |
| US8228308B2 (en) | 2008-07-04 | 2012-07-24 | Tsinghua University | Method for making liquid crystal display adopting touch panel |
| US8237679B2 (en) | 2008-07-04 | 2012-08-07 | Tsinghua University | Liquid crystal display screen |
| US9077793B2 (en) | 2009-06-12 | 2015-07-07 | Tsinghua University | Carbon nanotube based flexible mobile phone |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61175925A (ja) | 1986-08-07 |
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