JPH06275596A - ベーパ処理装置 - Google Patents
ベーパ処理装置Info
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- JPH06275596A JPH06275596A JP5059791A JP5979193A JPH06275596A JP H06275596 A JPH06275596 A JP H06275596A JP 5059791 A JP5059791 A JP 5059791A JP 5979193 A JP5979193 A JP 5979193A JP H06275596 A JPH06275596 A JP H06275596A
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- vapor
- wafer
- tank
- liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハのベーパ乾燥におけるウエハ表
面の酸化抑止。 【構成】 上部に冷却用蛇管2を有しかつ下部に処理液
(IPA液)10を収容するベーパ槽3と、前記ベーパ
槽内のIPA液10を蒸気化させるヒータ11と、前記
ベーパ槽の上部の蒸気層17にウエハ12を収容したカ
セット20を搬出入するローダ5とを有するベーパ乾燥
装置であって、前記ベーパ槽に搬入されたウエハ12に
対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する噴射ノズ
ル4が設けられている。ベーパ槽3内にカセット20が
入れられると、温度が下がり、蒸気層17は降下する
が、前記IPA噴射液13によってウエハ12は被われ
るため、ウエハ12は高い温度下で空気に触れることな
く酸化が抑止される。
面の酸化抑止。 【構成】 上部に冷却用蛇管2を有しかつ下部に処理液
(IPA液)10を収容するベーパ槽3と、前記ベーパ
槽内のIPA液10を蒸気化させるヒータ11と、前記
ベーパ槽の上部の蒸気層17にウエハ12を収容したカ
セット20を搬出入するローダ5とを有するベーパ乾燥
装置であって、前記ベーパ槽に搬入されたウエハ12に
対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する噴射ノズ
ル4が設けられている。ベーパ槽3内にカセット20が
入れられると、温度が下がり、蒸気層17は降下する
が、前記IPA噴射液13によってウエハ12は被われ
るため、ウエハ12は高い温度下で空気に触れることな
く酸化が抑止される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はベーパ処理装置、たとえ
ば被処理物を蒸気(ベーパ)で乾燥する蒸気乾燥装置に
係わり、半導体デバイスの製造における半導体薄板(ウ
エハ)の乾燥に適用して有効な技術に関する。
ば被処理物を蒸気(ベーパ)で乾燥する蒸気乾燥装置に
係わり、半導体デバイスの製造における半導体薄板(ウ
エハ)の乾燥に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、ウエ
ハに繰り返しホトリソグラフィ処理が行われる。そし
て、その都度ウエハの洗浄・乾燥処理が行われる。ウエ
ハの乾燥処理の一つにベーパ乾燥がある。ベーパ乾燥に
ついては、たとえば、日本エス・エス・ティ株式会社発
行「solid state tecnology (ソリッド ステート テ
クノロジ)日本版」1991年4月号、同年4月15日
発行、P21に記載されている。この文献には、ベーパ
ー乾燥について、「ウエーハ乾燥は,枚葉,インライ
ン,ベーパー乾燥で行なわれる。IPA(又は他の溶
剤)は,セルフ・コンテインで外部の加熱機構でプロセ
ス温度を得ている。ウエーハはJ−アームで位置を取
り,ベーパーを当て乾燥させる。」旨記載されている。
ハに繰り返しホトリソグラフィ処理が行われる。そし
て、その都度ウエハの洗浄・乾燥処理が行われる。ウエ
ハの乾燥処理の一つにベーパ乾燥がある。ベーパ乾燥に
ついては、たとえば、日本エス・エス・ティ株式会社発
行「solid state tecnology (ソリッド ステート テ
クノロジ)日本版」1991年4月号、同年4月15日
発行、P21に記載されている。この文献には、ベーパ
ー乾燥について、「ウエーハ乾燥は,枚葉,インライ
ン,ベーパー乾燥で行なわれる。IPA(又は他の溶
剤)は,セルフ・コンテインで外部の加熱機構でプロセ
ス温度を得ている。ウエーハはJ−アームで位置を取
り,ベーパーを当て乾燥させる。」旨記載されている。
【0003】また、工業調査会発行「電子材料」199
2年7月号、同年7月1日発行、P38〜P42には、
液晶パネル洗浄装置について記載されている。この文献
には、フロンベーパ乾燥装置が開示されている。また、
処理液をIPA(イソプロパノール)とするIPAベー
パー乾燥が乾燥モジュールにおけるバッチ処理あるいは
枚葉処理で使用されている旨も記載されている。
2年7月号、同年7月1日発行、P38〜P42には、
液晶パネル洗浄装置について記載されている。この文献
には、フロンベーパ乾燥装置が開示されている。また、
処理液をIPA(イソプロパノール)とするIPAベー
パー乾燥が乾燥モジュールにおけるバッチ処理あるいは
枚葉処理で使用されている旨も記載されている。
【0004】一方、「精密洗浄装置と最新応用技術」工
業資料センター、1991年11月8日発行、P416
およびP417には、蒸気洗浄法について記載されてい
る。蒸気洗浄法においては、凝縮コイルを槽上部に取付
けた蒸気洗浄槽内の溶剤(処理液)を加熱沸騰させ、凝
縮コイルの下部に蒸気層を形成し、この蒸気層中に被洗
浄物を入れて洗浄を行う。
業資料センター、1991年11月8日発行、P416
およびP417には、蒸気洗浄法について記載されてい
る。蒸気洗浄法においては、凝縮コイルを槽上部に取付
けた蒸気洗浄槽内の溶剤(処理液)を加熱沸騰させ、凝
縮コイルの下部に蒸気層を形成し、この蒸気層中に被洗
浄物を入れて洗浄を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ウエハの乾燥を行う技
術の一つとして、前記文献にも記載されているように、
ベーパ乾燥技術がある。ベーパ乾燥装置では、ベーパ槽
に収容したIPA(イソプロパノール)等の処理液を加
熱して蒸気化し、このIPA蒸気(ベーパ)にウエハを
当てて乾燥を行っている。ウエハの表面で凝縮したIP
A蒸気は多量の水を含んでベーパ槽の処理液(IPA
液)中に落下する。ところで、半導体デバイスの製造に
おけるウエハのベーパ乾燥において、以下のような不都
合が生じ、ウエハ表面の酸化膜欠陥密度が増大してしま
うことがあることが本発明者によってあきらかにされ
た。すなわち、ベーパ槽内に被処理物を入れると、温度
が下がり、ベーパ層(蒸気層)が一時的に降下する。そ
して、ベーパ層が再び上がってきて被処理物をベーパで
被う間に、ウエハは80℃前後の高温下で空気に触れる
ため、ウエハの表面に付着している水分によって酸化が
起きてしまう。ウエハが蒸気層で被われるには数十秒が
必要となる。また、前記酸化は外観的にはウオータマー
クや滲みとして現れる。
術の一つとして、前記文献にも記載されているように、
ベーパ乾燥技術がある。ベーパ乾燥装置では、ベーパ槽
に収容したIPA(イソプロパノール)等の処理液を加
熱して蒸気化し、このIPA蒸気(ベーパ)にウエハを
当てて乾燥を行っている。ウエハの表面で凝縮したIP
A蒸気は多量の水を含んでベーパ槽の処理液(IPA
液)中に落下する。ところで、半導体デバイスの製造に
おけるウエハのベーパ乾燥において、以下のような不都
合が生じ、ウエハ表面の酸化膜欠陥密度が増大してしま
うことがあることが本発明者によってあきらかにされ
た。すなわち、ベーパ槽内に被処理物を入れると、温度
が下がり、ベーパ層(蒸気層)が一時的に降下する。そ
して、ベーパ層が再び上がってきて被処理物をベーパで
被う間に、ウエハは80℃前後の高温下で空気に触れる
ため、ウエハの表面に付着している水分によって酸化が
起きてしまう。ウエハが蒸気層で被われるには数十秒が
必要となる。また、前記酸化は外観的にはウオータマー
クや滲みとして現れる。
【0006】本発明の目的は、被処理物表面で酸化が起
き難いベーパ処理装置を提供することにある。本発明の
前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書
の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
き難いベーパ処理装置を提供することにある。本発明の
前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書
の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のベーパ乾燥装置
は、上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理液を収容す
るベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸気化させる
蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸気中に被処
理物を搬出入するローダとを有するベーパ乾燥装置であ
って、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に対して処理
液を噴霧する噴射装置が設けられている。また、前記噴
射装置は処理液を加熱するヒータが設けられ、被処理物
に蒸気を噴射させるようになっている。また、処理液か
らなる蒸気は、ベーパ槽に被処理物が入れられる際被処
理物に向かって噴霧される。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のベーパ乾燥装置
は、上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理液を収容す
るベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸気化させる
蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸気中に被処
理物を搬出入するローダとを有するベーパ乾燥装置であ
って、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に対して処理
液を噴霧する噴射装置が設けられている。また、前記噴
射装置は処理液を加熱するヒータが設けられ、被処理物
に蒸気を噴射させるようになっている。また、処理液か
らなる蒸気は、ベーパ槽に被処理物が入れられる際被処
理物に向かって噴霧される。
【0008】
【作用】上記した手段によれば、本発明のベーパ乾燥装
置は、ベーパ槽に入れられた被処理物に対して処理液か
らなる蒸気を噴射するようになっている。このため、ベ
ーパ槽に被処理物を入れた際起きる蒸気層の低下があっ
ても、被処理物の表面は噴射された蒸気に被われ、この
蒸気と水分との置換が行われてベーパ乾燥が行われるこ
とになり、被処理物の表面の酸化が発生し難くなる。被
処理物がウエハの場合は、酸化の抑制から酸化膜の欠陥
密度の低減が図れる。
置は、ベーパ槽に入れられた被処理物に対して処理液か
らなる蒸気を噴射するようになっている。このため、ベ
ーパ槽に被処理物を入れた際起きる蒸気層の低下があっ
ても、被処理物の表面は噴射された蒸気に被われ、この
蒸気と水分との置換が行われてベーパ乾燥が行われるこ
とになり、被処理物の表面の酸化が発生し難くなる。被
処理物がウエハの場合は、酸化の抑制から酸化膜の欠陥
密度の低減が図れる。
【0009】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図1は本発明の一実施例によるベーパ乾
燥装置の概要を示す断面図、図2は蒸気温度リカバリー
特性を示すグラフである。本発明のベーパ乾燥装置1
は、図1に示すようにベーパ槽3を有している。このベ
ーパ槽3は上部が開口した箱型構造となっている。この
開口部には観音開き状の図示しない開口扉が設けられて
いる。また、ベーパ槽3内には処理液10、たとえばイ
ソプロパノール(IPA)液10が途中深さまで収容さ
れる。このIPA液10は、ベーパ槽3の一側に取り付
けられた液供給管9から圧送されて供給される。また、
ベーパ槽3の底側には、前記IPA液10を蒸気化する
蒸気化装置、たとえば、ヒータ11が設けられている。
このヒータ11はベーパ槽3内のIPA液10を加熱し
て気化(IPA液10の沸点は82°C)させる。そし
て、気化した蒸気(IPA蒸気6)によって被処理物1
2を蒸気乾燥する。
いて説明する。図1は本発明の一実施例によるベーパ乾
燥装置の概要を示す断面図、図2は蒸気温度リカバリー
特性を示すグラフである。本発明のベーパ乾燥装置1
は、図1に示すようにベーパ槽3を有している。このベ
ーパ槽3は上部が開口した箱型構造となっている。この
開口部には観音開き状の図示しない開口扉が設けられて
いる。また、ベーパ槽3内には処理液10、たとえばイ
ソプロパノール(IPA)液10が途中深さまで収容さ
れる。このIPA液10は、ベーパ槽3の一側に取り付
けられた液供給管9から圧送されて供給される。また、
ベーパ槽3の底側には、前記IPA液10を蒸気化する
蒸気化装置、たとえば、ヒータ11が設けられている。
このヒータ11はベーパ槽3内のIPA液10を加熱し
て気化(IPA液10の沸点は82°C)させる。そし
て、気化した蒸気(IPA蒸気6)によって被処理物1
2を蒸気乾燥する。
【0010】この実施例では、被処理物12はウエハ1
2となる。ウエハ12はカセット20に立てて収容され
る。カセット20はローダ5によって保持されてベーパ
槽3内に入れられ、ベーパ乾燥が終了するとベーパ槽3
から外に取り出される。ローダ5は、一対のクランプ爪
22の開閉動作でカセット20の保持・解放を行うよう
になっている。
2となる。ウエハ12はカセット20に立てて収容され
る。カセット20はローダ5によって保持されてベーパ
槽3内に入れられ、ベーパ乾燥が終了するとベーパ槽3
から外に取り出される。ローダ5は、一対のクランプ爪
22の開閉動作でカセット20の保持・解放を行うよう
になっている。
【0011】一方、ベーパ槽3の上部内壁には冷却用蛇
管2が一定高さ域に亘って設けられている。この冷却用
蛇管2には冷却水が流されることから、ベーパ槽3の開
口空間は冷却される。これによって、上昇して来たIP
A蒸気6は、冷却用蛇管2で冷却される空間領域に達す
ると、凝縮して降下する。したがって、ベーパ槽3の途
中高さ部分には、蒸気層17が発生する。この蒸気層1
7が存在する空間領域が処理領域となり、ウエハ12の
乾燥処理が行われる。
管2が一定高さ域に亘って設けられている。この冷却用
蛇管2には冷却水が流されることから、ベーパ槽3の開
口空間は冷却される。これによって、上昇して来たIP
A蒸気6は、冷却用蛇管2で冷却される空間領域に達す
ると、凝縮して降下する。したがって、ベーパ槽3の途
中高さ部分には、蒸気層17が発生する。この蒸気層1
7が存在する空間領域が処理領域となり、ウエハ12の
乾燥処理が行われる。
【0012】前記蒸気層17の下部には、ウエハ12の
表面で凝縮しかつ落下した廃液16を受ける受け皿7が
配設されている。また、この受け皿7の中央部分の集液
部15には廃液管8が接続されている。この廃液管8は
ベーパ槽3の外に導かれ、受け皿7に落下した廃液16
をベーパ槽3外に排出するようになっている。
表面で凝縮しかつ落下した廃液16を受ける受け皿7が
配設されている。また、この受け皿7の中央部分の集液
部15には廃液管8が接続されている。この廃液管8は
ベーパ槽3の外に導かれ、受け皿7に落下した廃液16
をベーパ槽3外に排出するようになっている。
【0013】また、これが本発明の特徴の一つである
が、ベーパ槽3には噴射装置30が設けられている。こ
の噴射装置30は、噴射ノズル4と、この噴射ノズル4
に接続される供給パイプ31と、この供給パイプ31を
加熱するヒータ32と、前記供給パイプ31内のIPA
液を圧送するポンプ33とからなっている。前記供給パ
イプ31の他端は、処理液であるIPA液を収容する図
示しないタンク等に接続されている。前記ポンプ33の
駆動と、ヒータ32の動作によって、噴射ノズル4の先
端からIPA蒸気13がウエハ12に向けて噴霧され
る。この噴霧(噴射)は、カセット20がベーパ槽3内
に入れられ、温度降下によって蒸気層17が下降を始め
てから、再び蒸気層17が上に戻って来る間は少なくと
も行われる。図2は本発明のベーパ乾燥装置および従来
のベーパ乾燥装置における蒸気温度リカバリー特性を示
すグラフである。同グラフで分かるように、従来のベー
パ乾燥装置では、ベーパ槽3内にカセット20を入れる
と、ベーパ槽3の温度が降下し、再び温度が元の状態に
戻るまで長い時間が掛かる。しかし、本発明のベーパ乾
燥装置の場合は、カセット20がベーパ槽3内に入れら
れる際、噴射装置30の噴射ノズル4から蒸気状態のI
PA噴射液13がカセット20内のウエハ12に噴霧さ
れるため、温度の低下が少なくかつ蒸気温度リカバリー
時間も短くなる。すなわち、ウエハ12は、ベーパ槽3
内に入れられる際も、またその後もIPA蒸気に触れる
ことになり、ベーパ槽3に入れた瞬間から出されるまで
の間、ベーパ乾燥処理が行われることになり、ウエハ1
2の表面に付着する水分に起因する酸化が起き難くな
る。また、蒸気温度リカバリー時間も短縮されるため、
ベーパ乾燥処理時間の短縮も可能となる。
が、ベーパ槽3には噴射装置30が設けられている。こ
の噴射装置30は、噴射ノズル4と、この噴射ノズル4
に接続される供給パイプ31と、この供給パイプ31を
加熱するヒータ32と、前記供給パイプ31内のIPA
液を圧送するポンプ33とからなっている。前記供給パ
イプ31の他端は、処理液であるIPA液を収容する図
示しないタンク等に接続されている。前記ポンプ33の
駆動と、ヒータ32の動作によって、噴射ノズル4の先
端からIPA蒸気13がウエハ12に向けて噴霧され
る。この噴霧(噴射)は、カセット20がベーパ槽3内
に入れられ、温度降下によって蒸気層17が下降を始め
てから、再び蒸気層17が上に戻って来る間は少なくと
も行われる。図2は本発明のベーパ乾燥装置および従来
のベーパ乾燥装置における蒸気温度リカバリー特性を示
すグラフである。同グラフで分かるように、従来のベー
パ乾燥装置では、ベーパ槽3内にカセット20を入れる
と、ベーパ槽3の温度が降下し、再び温度が元の状態に
戻るまで長い時間が掛かる。しかし、本発明のベーパ乾
燥装置の場合は、カセット20がベーパ槽3内に入れら
れる際、噴射装置30の噴射ノズル4から蒸気状態のI
PA噴射液13がカセット20内のウエハ12に噴霧さ
れるため、温度の低下が少なくかつ蒸気温度リカバリー
時間も短くなる。すなわち、ウエハ12は、ベーパ槽3
内に入れられる際も、またその後もIPA蒸気に触れる
ことになり、ベーパ槽3に入れた瞬間から出されるまで
の間、ベーパ乾燥処理が行われることになり、ウエハ1
2の表面に付着する水分に起因する酸化が起き難くな
る。また、蒸気温度リカバリー時間も短縮されるため、
ベーパ乾燥処理時間の短縮も可能となる。
【0014】このようなベーパ乾燥装置1にあっては、
ローダ5によってカセット20をベーパ槽3内に入れる
際、噴射装置30が動作して、カセット20内のウエハ
12に対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する。
カセット20がベーパ槽3の蒸気層17内に入れられる
と、蒸気層17は温度降下のために降下する。従来の場
合は、ここでウエハ12がIPA蒸気6に触れることな
く加熱されるため、ウエハ12の表面に付着する水によ
って酸化が進み、ウオータマークや滲みが発生するが、
本発明の場合には、噴射ノズル4からIPA噴射液13
がウエハ12に向かって噴霧されるため、ウエハ12の
表面はIPA噴射液13で被われることになり、酸化が
進まないうちにベーパ乾燥処理が始まる。また、噴射ノ
ズル4から蒸気化したIPA噴射液13が噴射されるこ
とから、温度回復時間も短くなり、効果的にベーパ乾燥
処理が行われることになる。その後、ローダ5によって
カセット20はベーパ槽3の外に搬出され、1バッチ処
理が終了する。
ローダ5によってカセット20をベーパ槽3内に入れる
際、噴射装置30が動作して、カセット20内のウエハ
12に対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する。
カセット20がベーパ槽3の蒸気層17内に入れられる
と、蒸気層17は温度降下のために降下する。従来の場
合は、ここでウエハ12がIPA蒸気6に触れることな
く加熱されるため、ウエハ12の表面に付着する水によ
って酸化が進み、ウオータマークや滲みが発生するが、
本発明の場合には、噴射ノズル4からIPA噴射液13
がウエハ12に向かって噴霧されるため、ウエハ12の
表面はIPA噴射液13で被われることになり、酸化が
進まないうちにベーパ乾燥処理が始まる。また、噴射ノ
ズル4から蒸気化したIPA噴射液13が噴射されるこ
とから、温度回復時間も短くなり、効果的にベーパ乾燥
処理が行われることになる。その後、ローダ5によって
カセット20はベーパ槽3の外に搬出され、1バッチ処
理が終了する。
【0015】
(1)本発明のベーパ乾燥装置は、噴射装置を有し、ウ
エハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気化したIPA噴
射液がウエハに向けて噴霧されることから、ウエハの表
面は高い温度状態下で空気に触れることがなく、ウエハ
の表面に付着する水分に起因する酸化が起きないという
効果が得られる。
エハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気化したIPA噴
射液がウエハに向けて噴霧されることから、ウエハの表
面は高い温度状態下で空気に触れることがなく、ウエハ
の表面に付着する水分に起因する酸化が起きないという
効果が得られる。
【0016】(2)上記(1)により、本発明のベーパ
乾燥装置は、ベーパ槽内に入れられたウエハは、蒸気化
したIPA噴射液によって被われるため、直ぐにもベー
パ乾燥処理が行われるという効果が得られる。
乾燥装置は、ベーパ槽内に入れられたウエハは、蒸気化
したIPA噴射液によって被われるため、直ぐにもベー
パ乾燥処理が行われるという効果が得られる。
【0017】(3)上記(1)により、本発明のベーパ
乾燥装置は、ウエハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気
化したIPA噴射液がウエハに向けて噴霧されることか
ら、ベーパ槽内の温度回復時間が短くなり、蒸気層全体
でウエハを被う時間が早くなるという効果が得られる。
乾燥装置は、ウエハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気
化したIPA噴射液がウエハに向けて噴霧されることか
ら、ベーパ槽内の温度回復時間が短くなり、蒸気層全体
でウエハを被う時間が早くなるという効果が得られる。
【0018】(4)上記(2)および(3)により、本
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、効果的なベ
ーパ乾燥処理が可能となるという効果が得られる。
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、効果的なベ
ーパ乾燥処理が可能となるという効果が得られる。
【0019】(5)上記(2)および(3)により、本
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、ベーパ乾燥
処理時間の短縮が可能となるという効果が得られる。
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、ベーパ乾燥
処理時間の短縮が可能となるという効果が得られる。
【0020】(6)上記(1)〜(5)により、本発明
によれば、ウエハの酸化抑止が行えかつ短時間に効果的
な処理が行えるベーパ乾燥装置を提供することができる
という相乗効果が得られる。
によれば、ウエハの酸化抑止が行えかつ短時間に効果的
な処理が行えるベーパ乾燥装置を提供することができる
という相乗効果が得られる。
【0021】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では処理液をヒータで加熱して蒸気化した
が、超音波振動によって処理液を蒸気化してもよい。ま
た、処理液として他の薬品を使用してもよい。また、噴
射装置30の噴射ノズル4から噴射されるIPA噴射液
13は、ヒータ32によって蒸気化したものでなくとも
良い。IPA液は揮発性のものであることから、ウエハ
12の表面に付着すると、その揮発性故にベーパ乾燥を
行うことになる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では処理液をヒータで加熱して蒸気化した
が、超音波振動によって処理液を蒸気化してもよい。ま
た、処理液として他の薬品を使用してもよい。また、噴
射装置30の噴射ノズル4から噴射されるIPA噴射液
13は、ヒータ32によって蒸気化したものでなくとも
良い。IPA液は揮発性のものであることから、ウエハ
12の表面に付着すると、その揮発性故にベーパ乾燥を
行うことになる。
【0022】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるイソプ
ロパノールを処理液とするベーパ乾燥装置に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、フロンを使用するベーパ乾燥装置などに
も適用できる。また、本発明は、ベーパ洗浄装置として
も同様に使用できる。本発明は少なくともベーパ処理装
置には適用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるイソプ
ロパノールを処理液とするベーパ乾燥装置に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、フロンを使用するベーパ乾燥装置などに
も適用できる。また、本発明は、ベーパ洗浄装置として
も同様に使用できる。本発明は少なくともベーパ処理装
置には適用できる。
【図1】 本発明の一実施例によるベーパ乾燥装置の概
要を示す断面図である。
要を示す断面図である。
【図2】 本発明のベーパ乾燥装置と従来のベーパ乾燥
装置における蒸気温度リカバリー特性を示すグラフであ
る。
装置における蒸気温度リカバリー特性を示すグラフであ
る。
1…ベーパ乾燥装置、2…冷却用蛇管、3…ベーパ槽、
4…噴射ノズル、5…ローダ、6…蒸気(IPA蒸
気)、7…受け皿、8…廃液管、9…液供給管、10…
処理液(IPA液)、11…ヒータ、12…被処理物
(ウエハ)、13…IPA噴射液、15…集液部、16
…廃液、17…蒸気層、20…カセット、22…クラン
プ部、30…噴射装置、31…供給パイプ、32…ヒー
タ、33…ポンプ。
4…噴射ノズル、5…ローダ、6…蒸気(IPA蒸
気)、7…受け皿、8…廃液管、9…液供給管、10…
処理液(IPA液)、11…ヒータ、12…被処理物
(ウエハ)、13…IPA噴射液、15…集液部、16
…廃液、17…蒸気層、20…カセット、22…クラン
プ部、30…噴射装置、31…供給パイプ、32…ヒー
タ、33…ポンプ。
Claims (3)
- 【請求項1】 上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理
液を収容するベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸
気化させる蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸
気中に被処理物を搬出入するローダとを有するベーパ処
理装置であって、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に
対して処理液を噴霧する噴射装置が設けられていること
を特徴とするベーパ処理装置。 - 【請求項2】 前記噴射装置は処理液を加熱するヒータ
が設けられ、被処理物に蒸気を噴射させることを特徴と
する請求項1記載のベーパ処理装置。 - 【請求項3】 前記被処理物を蒸気で乾燥させることを
特徴とする請求項1または請求項2記載のベーパ処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5059791A JPH06275596A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | ベーパ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5059791A JPH06275596A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | ベーパ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06275596A true JPH06275596A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13123465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5059791A Pending JPH06275596A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | ベーパ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06275596A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5882433A (en) * | 1995-05-23 | 1999-03-16 | Tokyo Electron Limited | Spin cleaning method |
US7861731B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5059791A patent/JPH06275596A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5882433A (en) * | 1995-05-23 | 1999-03-16 | Tokyo Electron Limited | Spin cleaning method |
US7861731B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |