JPH06275507A - 塗布膜形成方法 - Google Patents
塗布膜形成方法Info
- Publication number
- JPH06275507A JPH06275507A JP6178493A JP6178493A JPH06275507A JP H06275507 A JPH06275507 A JP H06275507A JP 6178493 A JP6178493 A JP 6178493A JP 6178493 A JP6178493 A JP 6178493A JP H06275507 A JPH06275507 A JP H06275507A
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- JP
- Japan
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- substrate
- coating film
- coating
- liquid
- coating liquid
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スピンコーティング法による塗布膜形成に際
して、基板1の端面及び裏面に回り込む塗布液3を簡単
に除去するとともに、短時間で安価に塗布膜7を形成す
ることを目的とする。 【構成】 塗布液3が基板1の端面に達する前かその直
後に、基板1の周縁部にリンス液6を吐出させて、基板
1の端面及び裏面に塗布膜7が形成されるのを防止する
ようにした。
して、基板1の端面及び裏面に回り込む塗布液3を簡単
に除去するとともに、短時間で安価に塗布膜7を形成す
ることを目的とする。 【構成】 塗布液3が基板1の端面に達する前かその直
後に、基板1の周縁部にリンス液6を吐出させて、基板
1の端面及び裏面に塗布膜7が形成されるのを防止する
ようにした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、スピンコーティング
法によって、半導体あるいはガラス等の基板上に塗布膜
を形成するための塗布膜形成方法に関するものである。
法によって、半導体あるいはガラス等の基板上に塗布膜
を形成するための塗布膜形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3はスピンコーティング法による従来
の塗布膜形成方法を工程順に説明するための断面図であ
る。図において、1は半導体あるいはガラス等の基板、
2は基板1上に塗布液3を滴下するためのノズルであ
り、塗布液3としては、例えばシリコンラダーポリマー
の溶液が用いられる。4は基板1の回転軸、5は基板1
の周縁部下方に配置され、リンス液6を吐出するノズ
ル、7は基板1上に形成された塗布膜であり、ここでは
シリコンラダーポリマーの薄膜である。
の塗布膜形成方法を工程順に説明するための断面図であ
る。図において、1は半導体あるいはガラス等の基板、
2は基板1上に塗布液3を滴下するためのノズルであ
り、塗布液3としては、例えばシリコンラダーポリマー
の溶液が用いられる。4は基板1の回転軸、5は基板1
の周縁部下方に配置され、リンス液6を吐出するノズ
ル、7は基板1上に形成された塗布膜であり、ここでは
シリコンラダーポリマーの薄膜である。
【0003】次に、塗布膜7の形成方法を図3(a)〜
(e)により説明する。スピンコーティング法は、基板
1への塗布液3の滴下(a)、基板1の低速回転による
塗布液3の塗り広げ(b)、高速回転による塗布膜7の
膜厚の均一化及び溶媒の蒸発(c)の順で進行する。こ
の後、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液8を除
去するために、塗布膜7を溶解するリンス液6を、基板
1を回転させたまま裏面より基板1に吐出させる
(d)。そして、リンス液6の吐出を止めた状態で基板
1の回転を続け、リンス液6の乾燥を行う(e)。
(e)により説明する。スピンコーティング法は、基板
1への塗布液3の滴下(a)、基板1の低速回転による
塗布液3の塗り広げ(b)、高速回転による塗布膜7の
膜厚の均一化及び溶媒の蒸発(c)の順で進行する。こ
の後、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液8を除
去するために、塗布膜7を溶解するリンス液6を、基板
1を回転させたまま裏面より基板1に吐出させる
(d)。そして、リンス液6の吐出を止めた状態で基板
1の回転を続け、リンス液6の乾燥を行う(e)。
【0004】基板1への塗布液3の滴下(a)では、通
常は回転の中心部に位置するノズル2から連続的に塗布
液3が滴下される。このとき、必要な量より過剰な塗布
液3が基板1に供給される。次の塗り広げ(b)は、基
板1を比較的低速で回転させて、過剰に供給された塗布
液3を基板1から飛ばしながら、塗布液3が基板1全面
を覆うように行われる。
常は回転の中心部に位置するノズル2から連続的に塗布
液3が滴下される。このとき、必要な量より過剰な塗布
液3が基板1に供給される。次の塗り広げ(b)は、基
板1を比較的低速で回転させて、過剰に供給された塗布
液3を基板1から飛ばしながら、塗布液3が基板1全面
を覆うように行われる。
【0005】この後、基板1を高速回転させる(c)こ
とにより、過剰の塗布液3をさらに飛散させ、塗布膜7
がミクロンオーダーの均一な膜厚に成膜される。このと
き、膜状になって基板1上に残留した塗布液3は、液体
からソリッドライクな状態となって平衡を保つに至る
が、さらに溶媒が蒸発して溶質の凝縮が起こり、塗布膜
7は最終的な膜厚に成膜される。
とにより、過剰の塗布液3をさらに飛散させ、塗布膜7
がミクロンオーダーの均一な膜厚に成膜される。このと
き、膜状になって基板1上に残留した塗布液3は、液体
からソリッドライクな状態となって平衡を保つに至る
が、さらに溶媒が蒸発して溶質の凝縮が起こり、塗布膜
7は最終的な膜厚に成膜される。
【0006】次のバックリンスと呼ばれる工程(d)で
は、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液3が、塗
布膜7を溶解するリンス液6によって溶解、除去され
る。この後、リンス液6の乾燥のため、リンス液6を数
秒間止めた状態で基板1が回転され、塗布終了となる。
は、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液3が、塗
布膜7を溶解するリンス液6によって溶解、除去され
る。この後、リンス液6の乾燥のため、リンス液6を数
秒間止めた状態で基板1が回転され、塗布終了となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来のス
ピンコーティング法による塗布膜形成方法では、塗布液
3がソリッドライクな状態になってからバックリンスを
行うので、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液3
を十分に除去することができないという問題点があっ
た。特に、シリコンラダーポリマー溶液の場合には、高
濃度の溶剤を含むリンス液6を使用しても、基板1の端
面及び裏面の塗布膜7を十分に除去することが困難であ
った。
ピンコーティング法による塗布膜形成方法では、塗布液
3がソリッドライクな状態になってからバックリンスを
行うので、基板1の端面及び裏面に回り込んだ塗布液3
を十分に除去することができないという問題点があっ
た。特に、シリコンラダーポリマー溶液の場合には、高
濃度の溶剤を含むリンス液6を使用しても、基板1の端
面及び裏面の塗布膜7を十分に除去することが困難であ
った。
【0008】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、スピンコーテ
ィング法によって基板の端面及び裏面に回り込む塗布液
を簡単に除去することができるとともに、短時間で安価
に塗布膜を形成することができる塗布膜形成方法を得る
ことを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、スピンコーテ
ィング法によって基板の端面及び裏面に回り込む塗布液
を簡単に除去することができるとともに、短時間で安価
に塗布膜を形成することができる塗布膜形成方法を得る
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る塗布膜形
成方法は、スピンコーティング法において、塗布液が基
板端面に達する前かその直後に、基板の周縁部にリンス
液を吐出させて、基板の端面及び裏面に塗布膜が形成さ
れるのを防止するようにしたものである。
成方法は、スピンコーティング法において、塗布液が基
板端面に達する前かその直後に、基板の周縁部にリンス
液を吐出させて、基板の端面及び裏面に塗布膜が形成さ
れるのを防止するようにしたものである。
【0010】
【作用】この発明においては、不要な塗布液が基板上で
ソリッドライクな状態になる前に、その塗布液をリンス
液で溶解除去する。
ソリッドライクな状態になる前に、その塗布液をリンス
液で溶解除去する。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の一実施例による塗布膜形成
方法を工程順に説明するための断面図である。
る。 実施例1.図1はこの発明の一実施例による塗布膜形成
方法を工程順に説明するための断面図である。
【0012】図において、装置構成は従来例と同様であ
るので、この実施例1の塗布膜形成方法を図1(a)〜
(c)により説明する。まず、従来例と同様、基板1の
回転の中心部に位置するノズル2から過剰量の塗布液3
を基板1上に供給する(a)。このとき、基板1を低速
回転させてもよいが、通常、シリコンラダーポリマー溶
液の場合は静止状態で行う。
るので、この実施例1の塗布膜形成方法を図1(a)〜
(c)により説明する。まず、従来例と同様、基板1の
回転の中心部に位置するノズル2から過剰量の塗布液3
を基板1上に供給する(a)。このとき、基板1を低速
回転させてもよいが、通常、シリコンラダーポリマー溶
液の場合は静止状態で行う。
【0013】次に、基板1を低速回転させて、塗布液3
を基板1全体に塗り広げるとともに、基板1の裏面周縁
部に対向するノズル5からリンス液6を吐出させる
(b)。吐出されたリンス液6は、基板1の裏面に当た
り、その遠心力と表面張力によって基板1の裏面及び端
面が洗浄され、この部分の塗布液3が除去される。ま
た、リンス液6としては、例えばアニソールが使用され
る。
を基板1全体に塗り広げるとともに、基板1の裏面周縁
部に対向するノズル5からリンス液6を吐出させる
(b)。吐出されたリンス液6は、基板1の裏面に当た
り、その遠心力と表面張力によって基板1の裏面及び端
面が洗浄され、この部分の塗布液3が除去される。ま
た、リンス液6としては、例えばアニソールが使用され
る。
【0014】この後、基板1を高速回転させ、過剰の塗
布液3をさらに飛散させて均一な膜厚の塗布膜7を形成
する(c)が、このとき塗布液3は液体からソリッドラ
イクな状態へと変わるので、この時点まで上記のリンス
を続ける。
布液3をさらに飛散させて均一な膜厚の塗布膜7を形成
する(c)が、このとき塗布液3は液体からソリッドラ
イクな状態へと変わるので、この時点まで上記のリンス
を続ける。
【0015】ここで、実験によれば、高速回転(200
0rpm)で20秒間バックリンスを行えば、その後回
転を続けても基板1の端面等への塗布液回り込みは見ら
れなかった。つまり、高速回転20秒間で塗布液3はソ
リッドライクになっていると考えられる。特に、シリコ
ンラダーポリマーの場合、高速回転によってソリッドラ
イクな状態になってしまうと溶剤に溶けにくくなるた
め、ソリッドライクになる前にリンス処理を行うのが効
果的である。
0rpm)で20秒間バックリンスを行えば、その後回
転を続けても基板1の端面等への塗布液回り込みは見ら
れなかった。つまり、高速回転20秒間で塗布液3はソ
リッドライクになっていると考えられる。特に、シリコ
ンラダーポリマーの場合、高速回転によってソリッドラ
イクな状態になってしまうと溶剤に溶けにくくなるた
め、ソリッドライクになる前にリンス処理を行うのが効
果的である。
【0016】このように、塗布液3が基板1の端面に達
する前かその直後にリンス液を吐出させることにより、
不要な塗布液3が従来方法よりも容易にかつ十分に除去
され、パーティクルのない高品質で高歩留りの製品が得
られる。また、高速回転後のリンス処理が不要になるの
で、塗布膜形成時間も短縮される。
する前かその直後にリンス液を吐出させることにより、
不要な塗布液3が従来方法よりも容易にかつ十分に除去
され、パーティクルのない高品質で高歩留りの製品が得
られる。また、高速回転後のリンス処理が不要になるの
で、塗布膜形成時間も短縮される。
【0017】実施例2.上記実施例1では、基板1の裏
面からリンス液6を吐出する例を示したが、基板1の表
面の周縁部をリンス除去する例も考えられる。その例を
図2(a)〜(c)により説明する。即ち、この実施例
2では、塗布液3を基板1上に滴下した後(a)、その
塗布液3を塗り広げのために基板1を低速回転させると
同時に、基板1の上面の周縁部に対向するノズル5から
リンス液6を吐出させる(b)。この後、基板1を高速
回転させる(c)のは、実施例1と同様である。リンス
吐出時間は、高速回転に移って20秒間程度で塗布液3
のソリッドライク化が終了するので、これ以上続ける必
要はない。また、ここでもリンス液6には、アニソール
が使用できる。
面からリンス液6を吐出する例を示したが、基板1の表
面の周縁部をリンス除去する例も考えられる。その例を
図2(a)〜(c)により説明する。即ち、この実施例
2では、塗布液3を基板1上に滴下した後(a)、その
塗布液3を塗り広げのために基板1を低速回転させると
同時に、基板1の上面の周縁部に対向するノズル5から
リンス液6を吐出させる(b)。この後、基板1を高速
回転させる(c)のは、実施例1と同様である。リンス
吐出時間は、高速回転に移って20秒間程度で塗布液3
のソリッドライク化が終了するので、これ以上続ける必
要はない。また、ここでもリンス液6には、アニソール
が使用できる。
【0018】このような方法により、基板1の上面周縁
部に形成される塗布膜が簡単に除去される。また、基板
1の端面及び裏面への塗布液3の回り込みも当然発生し
ない。
部に形成される塗布膜が簡単に除去される。また、基板
1の端面及び裏面への塗布液3の回り込みも当然発生し
ない。
【0019】なお、上記各実施例では、リンス液6にシ
リコンラダーポリマーの溶剤であるアニソールを用いた
が、例えばテトラヒドロフランなどの他の溶剤も当然使
用できる。また、この発明によれば、高価なアニソール
やテトラヒドロフラン等を安価なキシレン等で少なくと
も50%に希釈したリンス液6を使用しても十分な除去
効果を有するので、リンス液6のコストダウンが可能で
ある。
リコンラダーポリマーの溶剤であるアニソールを用いた
が、例えばテトラヒドロフランなどの他の溶剤も当然使
用できる。また、この発明によれば、高価なアニソール
やテトラヒドロフラン等を安価なキシレン等で少なくと
も50%に希釈したリンス液6を使用しても十分な除去
効果を有するので、リンス液6のコストダウンが可能で
ある。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の塗布膜
形成方法は、塗布液が基板の端面に達する前かその直後
に、基板の周縁部にリンス液を吐出させて、基板の端面
及び裏面に塗布膜が形成されるのを防止するようにした
ので、基板の端面及び裏面に回り込む塗布液を簡単に除
去することができるとともに、短時間で安価に塗布膜を
形成することができるなどの効果を奏する。
形成方法は、塗布液が基板の端面に達する前かその直後
に、基板の周縁部にリンス液を吐出させて、基板の端面
及び裏面に塗布膜が形成されるのを防止するようにした
ので、基板の端面及び裏面に回り込む塗布液を簡単に除
去することができるとともに、短時間で安価に塗布膜を
形成することができるなどの効果を奏する。
【図1】この発明の一実施例による塗布膜形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図2】この発明の他の実施例による塗布膜形成方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図3】従来の塗布膜形成方法の一例を工程順に説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
1 基板 3 塗布液 6 リンス液 7 塗布膜
【手続補正書】
【提出日】平成5年12月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
Claims (1)
- 【請求項1】 スピンコーティング法によって基板上に
塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成方法にお
いて、上記塗布液の上記基板端面への到達直後以前に、
上記基板の周縁部にリンス液を吐出させて、上記基板の
端面及び裏面に上記塗布膜が形成されるのを防止するこ
とを特徴とする塗布膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6178493A JPH06275507A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6178493A JPH06275507A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 塗布膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06275507A true JPH06275507A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13181066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6178493A Pending JPH06275507A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06275507A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017098367A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP2019067894A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP6178493A patent/JPH06275507A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017098367A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP2019067894A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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