JPH0627150A - ホール素子型電流センサ - Google Patents
ホール素子型電流センサInfo
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- JPH0627150A JPH0627150A JP4203024A JP20302492A JPH0627150A JP H0627150 A JPH0627150 A JP H0627150A JP 4203024 A JP4203024 A JP 4203024A JP 20302492 A JP20302492 A JP 20302492A JP H0627150 A JPH0627150 A JP H0627150A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
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Abstract
(57)【要約】
〔目的〕 入出力直線性と温度特性が共に良好なホール
素子型電流センサを提供する。 〔構成〕 GaAs系などの半導体を素材とする入出力
直線性が良好な第1のホール素子(11)と、InAs
系などの半導体を素材とする検出電流の特定範囲におけ
る温度特性が良好な第2のホール素子(12)と、第2
のホール素子の検出電流が上記特定範囲に存在する時に
第1のホール素子の入出力特性を基準温度の入出力特性
に較正すると共にこの第1のホール素子の出力とその較
正済みの入出力特性とに基づく検出結果を出力するため
のA/D変換器(22a,22b)や各種の演算回路
(25,26等)あるいはプロセッサなどを含む較正・
出力手段(20)とを備える。
素子型電流センサを提供する。 〔構成〕 GaAs系などの半導体を素材とする入出力
直線性が良好な第1のホール素子(11)と、InAs
系などの半導体を素材とする検出電流の特定範囲におけ
る温度特性が良好な第2のホール素子(12)と、第2
のホール素子の検出電流が上記特定範囲に存在する時に
第1のホール素子の入出力特性を基準温度の入出力特性
に較正すると共にこの第1のホール素子の出力とその較
正済みの入出力特性とに基づく検出結果を出力するため
のA/D変換器(22a,22b)や各種の演算回路
(25,26等)あるいはプロセッサなどを含む較正・
出力手段(20)とを備える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気自動車のモータ駆
動電流の検出などに用いられるホール素子型電流センサ
に関するものであり、特に、入出力直線性と温度特性の
良好なホール素子型電流センサに関するものである。
動電流の検出などに用いられるホール素子型電流センサ
に関するものであり、特に、入出力直線性と温度特性の
良好なホール素子型電流センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気自動車のモータ駆動電流など比較的
大きな電流の検出に用いられるホール素子型電流センサ
は、検出対象の電流を流す電線をエアギャップ付きの環
状の磁性体に巻回し、検出対象の電流によって磁性体内
に発生した磁束の向きや強弱をエアギャップ中に配置し
たホール素子の出力電圧として検出するようになってい
る。
大きな電流の検出に用いられるホール素子型電流センサ
は、検出対象の電流を流す電線をエアギャップ付きの環
状の磁性体に巻回し、検出対象の電流によって磁性体内
に発生した磁束の向きや強弱をエアギャップ中に配置し
たホール素子の出力電圧として検出するようになってい
る。
【0003】上記ホール素子の素材としては、GaAs
系や、特開昭61ー259583号公報に開示されたよ
うなInAs系などの半導体が用いられる。GaAs系
のホール素子は、図5に例示するように、入出力の直線
性が優れているものの、温度依存性が大きいという傾向
がある。この温度依存性は、高温になるほど出力電圧が
低下するという負の温度特性を呈する。これに対して、
InAs系のホール素子は、図6に例示するように、温
度依存性、特に検出電流がゼロの近傍の温度依存性は小
さいものの入出力の直線性が劣るという傾向がある。
系や、特開昭61ー259583号公報に開示されたよ
うなInAs系などの半導体が用いられる。GaAs系
のホール素子は、図5に例示するように、入出力の直線
性が優れているものの、温度依存性が大きいという傾向
がある。この温度依存性は、高温になるほど出力電圧が
低下するという負の温度特性を呈する。これに対して、
InAs系のホール素子は、図6に例示するように、温
度依存性、特に検出電流がゼロの近傍の温度依存性は小
さいものの入出力の直線性が劣るという傾向がある。
【0004】そこで、従来は、ホール素子型電流センサ
を広い温度範囲にわたって使用する場合には、入出力直
線性の良好なGaAs系のホール素子を正の温度特性を
有する増幅回路や半導体素子と組合わせることにより、
その比較的大きな負の温度特性を相殺させながら使用す
るという構成が採用されている。
を広い温度範囲にわたって使用する場合には、入出力直
線性の良好なGaAs系のホール素子を正の温度特性を
有する増幅回路や半導体素子と組合わせることにより、
その比較的大きな負の温度特性を相殺させながら使用す
るという構成が採用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記GaAs系のホー
ル素子を用いた電流センサでは、温度特性がホール素子
ごとにばらつくため、個々のホール素子の温度特性を実
測したうえでこれを相殺するような回路定数や補償用素
子を選択しなければならず、時間と労力がかかるわりに
は良好な温度補償を実現できないという問題がある。
ル素子を用いた電流センサでは、温度特性がホール素子
ごとにばらつくため、個々のホール素子の温度特性を実
測したうえでこれを相殺するような回路定数や補償用素
子を選択しなければならず、時間と労力がかかるわりに
は良好な温度補償を実現できないという問題がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のホール素子型電
流センサは、入出力直線性の良好なGaAs系などの半
導体を素材とする第1のホール素子と、検出電流のゼロ
近傍などの特定範囲における温度特性が良好なInAs
系などの半導体を素材とする第2のホール素子とを前段
に備えると共に、後段には、第2のホール素子の検出電
流がゼロ近傍に存在する時に第1のホール素子の入出力
特性を基準温度の入出力特性に較正すると共にこの第1
のホール素子の出力と上記較正済みの入出力特性とに基
づく検出結果を出力する較正・出力手段を備えている。
流センサは、入出力直線性の良好なGaAs系などの半
導体を素材とする第1のホール素子と、検出電流のゼロ
近傍などの特定範囲における温度特性が良好なInAs
系などの半導体を素材とする第2のホール素子とを前段
に備えると共に、後段には、第2のホール素子の検出電
流がゼロ近傍に存在する時に第1のホール素子の入出力
特性を基準温度の入出力特性に較正すると共にこの第1
のホール素子の出力と上記較正済みの入出力特性とに基
づく検出結果を出力する較正・出力手段を備えている。
【0007】
【作用】GaAs系などの半導体で構成される第1のホ
ール素子は、図5に例示するように、入出力直線性は良
好である反面温度特性が劣っている。これに対して、I
nAs系などの半導体で構成される第2のホール素子
は、図6に例示するようにゼロ電流近傍など検出電流の
特定範囲における温度特性が良好である反面入出力直線
性が劣っている。そこで、直線性の良好な第1のホール
素子の入出力特性を、第2のホール素子のゼロ電流近傍
などの良好な温度特性を利用して常温などの標準温度の
入出力特性に較正することにより、入出力直線性も温度
特性も共に良好なホール素子型電流センサが実現され
る。
ール素子は、図5に例示するように、入出力直線性は良
好である反面温度特性が劣っている。これに対して、I
nAs系などの半導体で構成される第2のホール素子
は、図6に例示するようにゼロ電流近傍など検出電流の
特定範囲における温度特性が良好である反面入出力直線
性が劣っている。そこで、直線性の良好な第1のホール
素子の入出力特性を、第2のホール素子のゼロ電流近傍
などの良好な温度特性を利用して常温などの標準温度の
入出力特性に較正することにより、入出力直線性も温度
特性も共に良好なホール素子型電流センサが実現され
る。
【0008】
【実施例】図1は、本発明の一実施例のホール素子型電
流センサの構成を示すブロック図であり、10はエアギ
ャップを有する環状磁性体、11,12は第1,第2の
ホール素子、13は検出対象の電流が流れる電線、20
は各種の演算器やレジスタなどで構成される較正・出力
回路である。
流センサの構成を示すブロック図であり、10はエアギ
ャップを有する環状磁性体、11,12は第1,第2の
ホール素子、13は検出対象の電流が流れる電線、20
は各種の演算器やレジスタなどで構成される較正・出力
回路である。
【0009】検出対象の電流が流れる電線13が巻回さ
れた環状磁性体10のエアギャップ内に、GaAs系の
半導体を素材とする第1のホール素子11と、InAs
系の半導体を素材とする第2のホール素子12とが設置
されている。第1,第2のホール素子11,12は、図
5と図6のそれぞれに例示するように、電線13を流れ
る電流によって環状磁性体10内に発生した磁束に応じ
て変化する電圧を出力する。
れた環状磁性体10のエアギャップ内に、GaAs系の
半導体を素材とする第1のホール素子11と、InAs
系の半導体を素材とする第2のホール素子12とが設置
されている。第1,第2のホール素子11,12は、図
5と図6のそれぞれに例示するように、電線13を流れ
る電流によって環状磁性体10内に発生した磁束に応じ
て変化する電圧を出力する。
【0010】第1のホール素子11から出力された電圧
は、増幅器21aで増幅されたのちA/D変換器22a
でディジタル値に変換され、加算器26と減算器25の
一方の入力端子に供給される。第2のホール素子12か
ら出力された電圧は、増幅器21bで増幅されたのちA
/D変換器22bでディジタル値に変換され、比較器2
4の一方の入力端子に供給される。
は、増幅器21aで増幅されたのちA/D変換器22a
でディジタル値に変換され、加算器26と減算器25の
一方の入力端子に供給される。第2のホール素子12か
ら出力された電圧は、増幅器21bで増幅されたのちA
/D変換器22bでディジタル値に変換され、比較器2
4の一方の入力端子に供給される。
【0011】レジスタ23aは、減算器25の他方の入
力端子に供給するゼロ入力電流時の常温における出力電
圧V1 を保持している。この出力電圧V1 は、図5に例
示するようにGaAs系の半導体を素材とする第1のホ
ール素子11が、常温のもとでかつ検出対象の入力電流
がゼロの時に出力する電圧値である。
力端子に供給するゼロ入力電流時の常温における出力電
圧V1 を保持している。この出力電圧V1 は、図5に例
示するようにGaAs系の半導体を素材とする第1のホ
ール素子11が、常温のもとでかつ検出対象の入力電流
がゼロの時に出力する電圧値である。
【0012】これに対して、レジスタ23bは、比較器
24の他方の入力端子に供給するゼロ入力電流時の常温
における出力電圧V2 を保持している。この出力電圧V
2 は、図6に例示するようにInAs系の半導体を素材
とする第2のホール素子12が、常温のもとでかつ検出
対象の入力電流がゼロの時に出力する電圧値である。
24の他方の入力端子に供給するゼロ入力電流時の常温
における出力電圧V2 を保持している。この出力電圧V
2 は、図6に例示するようにInAs系の半導体を素材
とする第2のホール素子12が、常温のもとでかつ検出
対象の入力電流がゼロの時に出力する電圧値である。
【0013】減算器25は、レジスタ23aに保持中の
出力電圧V1 からA/D変換器22aの出力電圧を減算
し、減算結果をラッチ回路27に出力する。比較器24
は、A/D変換器22bの出力電圧とレジスタ23bに
保持中の出力電圧V2 とを比較し、両者がほぼ等しくな
った時にラッチ回路27にラッチパルス(LT)を出力
する。ラッチ回路27は、このラッチパルスを受けると
減算器25の出力をラッチして加算器26の他方の入力
端子に供給する。
出力電圧V1 からA/D変換器22aの出力電圧を減算
し、減算結果をラッチ回路27に出力する。比較器24
は、A/D変換器22bの出力電圧とレジスタ23bに
保持中の出力電圧V2 とを比較し、両者がほぼ等しくな
った時にラッチ回路27にラッチパルス(LT)を出力
する。ラッチ回路27は、このラッチパルスを受けると
減算器25の出力をラッチして加算器26の他方の入力
端子に供給する。
【0014】加算器26は、ラッチ回路27に保持中の
電圧値をA/D変換器22aから出力される電圧値に加
算し、この加算結果を係数器28に出力する。図5の例
で動作温度を60o Cとすれば、検出対象の入力電流が
ほぼゼロになった時に図5に示す+δV1 の電圧値がラ
ッチ回路27にラッチされる。A/D変換器22aから
出力される電圧値は、加算器26においてδV1 だけ上
方にシフトされることにより、動作温度が60o Cであ
るにもかかわらず、常温(20o C)のもとでの値にほ
ぼ等しい値に較正されて係数器28に供給される。
電圧値をA/D変換器22aから出力される電圧値に加
算し、この加算結果を係数器28に出力する。図5の例
で動作温度を60o Cとすれば、検出対象の入力電流が
ほぼゼロになった時に図5に示す+δV1 の電圧値がラ
ッチ回路27にラッチされる。A/D変換器22aから
出力される電圧値は、加算器26においてδV1 だけ上
方にシフトされることにより、動作温度が60o Cであ
るにもかかわらず、常温(20o C)のもとでの値にほ
ぼ等しい値に較正されて係数器28に供給される。
【0015】図5の例で動作温度を−20o Cとすれ
ば、検出対象の入力電流がほぼゼロになった時に図5に
示す−δV2 の電圧値がラッチ回路27にラッチされ
る。A/D変換器22aから出力される電圧値は、加算
器26においてδV2 だけ下方にシフトされることによ
り、動作温度が−20o Cであるにもかかわらず、常温
のもとでの値にほぼ等しい値に較正されて係数器28に
供給される。
ば、検出対象の入力電流がほぼゼロになった時に図5に
示す−δV2 の電圧値がラッチ回路27にラッチされ
る。A/D変換器22aから出力される電圧値は、加算
器26においてδV2 だけ下方にシフトされることによ
り、動作温度が−20o Cであるにもかかわらず、常温
のもとでの値にほぼ等しい値に較正されて係数器28に
供給される。
【0016】第1のホール素子11の入出力特性が温度
に依存して上下にシフトするだけであれば、加算器26
の出力は検出電流の広い範囲にわたって常温のもとでの
値と一致する。しかしながら、一般的には、温度と共に
入出力特性の傾斜も変化する。そこで、この入出力特性
の傾斜の変化を補償するため、係数器28と29とが設
置されている。
に依存して上下にシフトするだけであれば、加算器26
の出力は検出電流の広い範囲にわたって常温のもとでの
値と一致する。しかしながら、一般的には、温度と共に
入出力特性の傾斜も変化する。そこで、この入出力特性
の傾斜の変化を補償するため、係数器28と29とが設
置されている。
【0017】すなわち、ラッチ回路27に保持された電
圧の差分δVの極性と大きさは、図5の特性図を参照す
れば明らかなように、実際の動作温度と常温との温度差
を示している。そして、各動作温度における入出力特性
の傾きは常温との温度差に比例して増加する傾向にあ
る。この温度差を示すδVは、係数器29でδVに比例
する値の係数kに変換されたのち係数器28に設定され
る。この係数器28から出力される電圧値は、各温度範
囲において常温からのシフト量に加えて傾斜のずれが補
正された出力となり、出力端子30に供給される。
圧の差分δVの極性と大きさは、図5の特性図を参照す
れば明らかなように、実際の動作温度と常温との温度差
を示している。そして、各動作温度における入出力特性
の傾きは常温との温度差に比例して増加する傾向にあ
る。この温度差を示すδVは、係数器29でδVに比例
する値の係数kに変換されたのち係数器28に設定され
る。この係数器28から出力される電圧値は、各温度範
囲において常温からのシフト量に加えて傾斜のずれが補
正された出力となり、出力端子30に供給される。
【0018】この結果、図2に例示するように、−20
0 Cから+600 Cまでの広い温度範囲にわたって常温
からのシフト量と傾斜のずれが補正された直線性と温度
特性の極めて良好な入出力特性が実現される。
0 Cから+600 Cまでの広い温度範囲にわたって常温
からのシフト量と傾斜のずれが補正された直線性と温度
特性の極めて良好な入出力特性が実現される。
【0019】図3は、本発明の他の実施例のホール素子
型電流センサの構成を示すブロック図である。本図中、
図1と同一の参照符号を付した構成要素は、図1で既に
説明した構成要素と同一のものであり、これらについて
は重複する説明を省略する。
型電流センサの構成を示すブロック図である。本図中、
図1と同一の参照符号を付した構成要素は、図1で既に
説明した構成要素と同一のものであり、これらについて
は重複する説明を省略する。
【0020】この実施例の電流センサは、較正・出力回
路20の後段部分を加減算器や比較器などのハードウエ
アで構成する代わりに、同一の演算や比較機能をプロセ
ッサ31のソフトウェアで実現するようにしたものであ
る。
路20の後段部分を加減算器や比較器などのハードウエ
アで構成する代わりに、同一の演算や比較機能をプロセ
ッサ31のソフトウェアで実現するようにしたものであ
る。
【0021】すなわち、図4のフローチャートを参照し
ながら上記プロセッサ31の処理を説明すれば、プロセ
ッサ31は、A/D変換器22aと22bから入力ポー
トに供給される第1,第2のホール素子11,12の出
力電圧Va,Vbを読取り(ステップ41)、第2のホ
ール素子12の出力電圧Vbがそのゼロ出力値V2 にほ
ぼ等しいか否かを判定する(ステップ42)。
ながら上記プロセッサ31の処理を説明すれば、プロセ
ッサ31は、A/D変換器22aと22bから入力ポー
トに供給される第1,第2のホール素子11,12の出
力電圧Va,Vbを読取り(ステップ41)、第2のホ
ール素子12の出力電圧Vbがそのゼロ出力値V2 にほ
ぼ等しいか否かを判定する(ステップ42)。
【0022】プロセッサ31は、VbとV2 がほぼ等し
ければ、較正のためのシフト量δV=V1 −Vaと傾斜
を補正するための係数を算定して古い算定値を更新し
(ステップ43)、第1のホール素子の出力電圧Vaに
δVを加算し、係数kを乗算したものを較正済みの出力
電圧として出力端子30に出力する(ステップ44)。
ければ、較正のためのシフト量δV=V1 −Vaと傾斜
を補正するための係数を算定して古い算定値を更新し
(ステップ43)、第1のホール素子の出力電圧Vaに
δVを加算し、係数kを乗算したものを較正済みの出力
電圧として出力端子30に出力する(ステップ44)。
【0023】プロセッサ31は、VbとV2 がほぼ等し
くなければ、較正のためのシフト量δVと係数の算定と
更新とを行うことなく、第1のホール素子11の出力電
圧Vaに前回算定済みのシフト量δVを加算し、係数k
を乗算したものを較正済みの出力電圧として出力端子3
0に出力する(ステップ44)。
くなければ、較正のためのシフト量δVと係数の算定と
更新とを行うことなく、第1のホール素子11の出力電
圧Vaに前回算定済みのシフト量δVを加算し、係数k
を乗算したものを較正済みの出力電圧として出力端子3
0に出力する(ステップ44)。
【0024】このように、較正・出力部20は、図1に
例示するようにハードウエアのみによって実現すること
もでき、図3と図4に例示するようにソフトウェアを混
在させて実現することもできる。プロセッサを用いる第
2の実施例によれば、出力値のシフトという単純な較正
だけではなく、補正量の比例配分などを含む複雑な較正
を実現できるという利点がある。
例示するようにハードウエアのみによって実現すること
もでき、図3と図4に例示するようにソフトウェアを混
在させて実現することもできる。プロセッサを用いる第
2の実施例によれば、出力値のシフトという単純な較正
だけではなく、補正量の比例配分などを含む複雑な較正
を実現できるという利点がある。
【0025】以上、シフトによる較正に加えて係数の乗
算による傾斜の較正をも行う構成を例示した。しかしな
がら、傾斜の温度依存性が小さい場合や回路や処理の規
模を圧縮して低廉化を図る場合などには、シフトのみの
較正を行う構成を採用してもよい。
算による傾斜の較正をも行う構成を例示した。しかしな
がら、傾斜の温度依存性が小さい場合や回路や処理の規
模を圧縮して低廉化を図る場合などには、シフトのみの
較正を行う構成を採用してもよい。
【0026】また、図1の実施例では演算や比較などを
ディジタル回路で実現する場合を例示したが、これをア
ナログ回路で実現することもできる。
ディジタル回路で実現する場合を例示したが、これをア
ナログ回路で実現することもできる。
【0027】さらに、図3の実施例などでは、A/D変
換器を2系統設置する代わりに、各系統で時間をずらし
て共用する構成とすることもできる。
換器を2系統設置する代わりに、各系統で時間をずらし
て共用する構成とすることもできる。
【0028】また、常温近傍を基準温度して選択する構
成を例示したが、必要に応じて、高温側や低温側を基準
温度として選択することもできる。
成を例示したが、必要に応じて、高温側や低温側を基準
温度として選択することもできる。
【0029】また、第1,第2のホール素子のそれぞれ
をGaAsとInAsを素材とする半導体で構成する場
合を例示した。しかしながら、入出力直線性と検出電流
の特定範囲における温度特性の関係を満たすものであれ
ば、他の適宜な半導体の組合せを選択できる。この場
合、上記特定範囲はゼロ電流の近傍以外のものであって
もよい。
をGaAsとInAsを素材とする半導体で構成する場
合を例示した。しかしながら、入出力直線性と検出電流
の特定範囲における温度特性の関係を満たすものであれ
ば、他の適宜な半導体の組合せを選択できる。この場
合、上記特定範囲はゼロ電流の近傍以外のものであって
もよい。
【0030】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のホ
ール素子型電流センサは、入出力直線性の良好な第1の
ホール素子の欠点を第2のホール素子の特定検出電流範
囲における良好な温度特性を利用して補う構成であるか
ら、入出力直線性と温度特性が共に良好な電流センサを
実現できるという効果が奏される。
ール素子型電流センサは、入出力直線性の良好な第1の
ホール素子の欠点を第2のホール素子の特定検出電流範
囲における良好な温度特性を利用して補う構成であるか
ら、入出力直線性と温度特性が共に良好な電流センサを
実現できるという効果が奏される。
【図1】本発明の一実施例のホール素子型電流センサの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図2】上記実施例のホール素子型電流センサについて
予測される入出力特性と温度特性との一例を示す特性図
である。
予測される入出力特性と温度特性との一例を示す特性図
である。
【図3】本発明の他の実施例のホール素子型電流センサ
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図4】図3の実施例のプロセッサの較正・出力の処理
内容を説明するためのフローチャートである。
内容を説明するためのフローチャートである。
【図5】上記各実施例で第1のホール素子として使用す
るGaAs系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性との温度依存性の典型例を示す特性図である。
るGaAs系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性との温度依存性の典型例を示す特性図である。
【図6】上記各実施例で第2のホール素子として使用す
るInAs系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性と温度依存性の典型例を示す特性図である。
るInAs系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性と温度依存性の典型例を示す特性図である。
10 磁性体 11 第1のホール素子 12 第2のホール素子 13 検出対象の電流を流す電線 20 較正・出力回路 21a,21b 増幅器 22a,22b A/D変換器 30 較正済み電圧の出力端子 31 プロセッサ
Claims (4)
- 【請求項1】第1のホール素子と、 検出電流の特定範囲における温度特性が前記第1のホー
ル素子よりも良好である反面入出力直線性が前記第1の
ホール素子よりも劣る第2のホール素子と、 前記第2のホール素子の検出電流が前記特定範囲に存在
する時に前記第1のホール素子の入出力特性を基準温度
の入出力特性に較正すると共に、この第1のホール素子
の出力及びその較正済みの入出力特性に基づく検出結果
を出力する較正・出力手段とを備えたことを特徴とする
ホール素子型電流センサ。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記第1のホール素子はGaAs系の半導体を素材とし
て構成され、前記第2のホール素子はInAs系の半導
体を素材として構成されることを特徴とするホール素子
型電流センサ。 - 【請求項3】 請求項1又は2において、 前記較正・出力手段は、 前記第2のホール素子の出力がその特定値の近傍に存在
することを検出したときに検出信号を出力する比較器
と、 前記第1のホール素子の出力値と前記基準温度における
出力値との差分を検出する減算器と、 前記比較器から出力される検出信号を受けて前記減算器
の出力を保持する保持回路と、 前記第1のホール素子の出力と前記保持回路の出力とを
加算し較正済み出力として出力する加算器とを備えたこ
とを特徴とするホール素子型電流センサ。 - 【請求項4】 請求項1又は2において、 前記較正・出力手段は、第1,第2のホール素子の出力
電圧を増幅する増幅器と、この増幅済みの出力電圧をデ
ィジタル信号に変換するA/D変換器と、このA/D変
換済みの出力電圧を処理するプロセッサとから構成され
ることを特徴とするホール素子型電流センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4203024A JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4203024A JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0627150A true JPH0627150A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16467089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4203024A Pending JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0627150A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009281772A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
JP2009281771A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
JP2010044084A (ja) * | 2003-05-12 | 2010-02-25 | Powersense As | 簡潔な光ファイバ・ファラデー効果センサの補償 |
JP2013178259A (ja) * | 2006-01-20 | 2013-09-09 | Allegro Microsystems Llc | 集積化センサの配列 |
US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4203024A patent/JPH0627150A/ja active Pending
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US10069063B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-09-04 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
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