JPH0627150A - ホール素子型電流センサ - Google Patents
ホール素子型電流センサInfo
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- JPH0627150A JPH0627150A JP4203024A JP20302492A JPH0627150A JP H0627150 A JPH0627150 A JP H0627150A JP 4203024 A JP4203024 A JP 4203024A JP 20302492 A JP20302492 A JP 20302492A JP H0627150 A JPH0627150 A JP H0627150A
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- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
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Abstract
(57)【要約】
〔目的〕 入出力直線性と温度特性が共に良好なホール
素子型電流センサを提供する。 〔構成〕 ＧａＡｓ系などの半導体を素材とする入出力
直線性が良好な第１のホール素子（１１）と、ＩｎＡｓ
系などの半導体を素材とする検出電流の特定範囲におけ
る温度特性が良好な第２のホール素子（１２）と、第２
のホール素子の検出電流が上記特定範囲に存在する時に
第１のホール素子の入出力特性を基準温度の入出力特性
に較正すると共にこの第１のホール素子の出力とその較
正済みの入出力特性とに基づく検出結果を出力するため
のＡ／Ｄ変換器（２２ａ，２２ｂ）や各種の演算回路
（２５，２６等）あるいはプロセッサなどを含む較正・
出力手段（２０）とを備える。
素子型電流センサを提供する。 〔構成〕 ＧａＡｓ系などの半導体を素材とする入出力
直線性が良好な第１のホール素子（１１）と、ＩｎＡｓ
系などの半導体を素材とする検出電流の特定範囲におけ
る温度特性が良好な第２のホール素子（１２）と、第２
のホール素子の検出電流が上記特定範囲に存在する時に
第１のホール素子の入出力特性を基準温度の入出力特性
に較正すると共にこの第１のホール素子の出力とその較
正済みの入出力特性とに基づく検出結果を出力するため
のＡ／Ｄ変換器（２２ａ，２２ｂ）や各種の演算回路
（２５，２６等）あるいはプロセッサなどを含む較正・
出力手段（２０）とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気自動車のモータ駆
動電流の検出などに用いられるホール素子型電流センサ
に関するものであり、特に、入出力直線性と温度特性の
良好なホール素子型電流センサに関するものである。
動電流の検出などに用いられるホール素子型電流センサ
に関するものであり、特に、入出力直線性と温度特性の
良好なホール素子型電流センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気自動車のモータ駆動電流など比較的
大きな電流の検出に用いられるホール素子型電流センサ
は、検出対象の電流を流す電線をエアギャップ付きの環
状の磁性体に巻回し、検出対象の電流によって磁性体内
に発生した磁束の向きや強弱をエアギャップ中に配置し
たホール素子の出力電圧として検出するようになってい
る。
大きな電流の検出に用いられるホール素子型電流センサ
は、検出対象の電流を流す電線をエアギャップ付きの環
状の磁性体に巻回し、検出対象の電流によって磁性体内
に発生した磁束の向きや強弱をエアギャップ中に配置し
たホール素子の出力電圧として検出するようになってい
る。
【０００３】上記ホール素子の素材としては、ＧａＡｓ
系や、特開昭６１ー２５９５８３号公報に開示されたよ
うなＩｎＡｓ系などの半導体が用いられる。ＧａＡｓ系
のホール素子は、図５に例示するように、入出力の直線
性が優れているものの、温度依存性が大きいという傾向
がある。この温度依存性は、高温になるほど出力電圧が
低下するという負の温度特性を呈する。これに対して、
ＩｎＡｓ系のホール素子は、図６に例示するように、温
度依存性、特に検出電流がゼロの近傍の温度依存性は小
さいものの入出力の直線性が劣るという傾向がある。
系や、特開昭６１ー２５９５８３号公報に開示されたよ
うなＩｎＡｓ系などの半導体が用いられる。ＧａＡｓ系
のホール素子は、図５に例示するように、入出力の直線
性が優れているものの、温度依存性が大きいという傾向
がある。この温度依存性は、高温になるほど出力電圧が
低下するという負の温度特性を呈する。これに対して、
ＩｎＡｓ系のホール素子は、図６に例示するように、温
度依存性、特に検出電流がゼロの近傍の温度依存性は小
さいものの入出力の直線性が劣るという傾向がある。
【０００４】そこで、従来は、ホール素子型電流センサ
を広い温度範囲にわたって使用する場合には、入出力直
線性の良好なＧａＡｓ系のホール素子を正の温度特性を
有する増幅回路や半導体素子と組合わせることにより、
その比較的大きな負の温度特性を相殺させながら使用す
るという構成が採用されている。
を広い温度範囲にわたって使用する場合には、入出力直
線性の良好なＧａＡｓ系のホール素子を正の温度特性を
有する増幅回路や半導体素子と組合わせることにより、
その比較的大きな負の温度特性を相殺させながら使用す
るという構成が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ＧａＡｓ系のホー
ル素子を用いた電流センサでは、温度特性がホール素子
ごとにばらつくため、個々のホール素子の温度特性を実
測したうえでこれを相殺するような回路定数や補償用素
子を選択しなければならず、時間と労力がかかるわりに
は良好な温度補償を実現できないという問題がある。
ル素子を用いた電流センサでは、温度特性がホール素子
ごとにばらつくため、個々のホール素子の温度特性を実
測したうえでこれを相殺するような回路定数や補償用素
子を選択しなければならず、時間と労力がかかるわりに
は良好な温度補償を実現できないという問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のホール素子型電
流センサは、入出力直線性の良好なＧａＡｓ系などの半
導体を素材とする第１のホール素子と、検出電流のゼロ
近傍などの特定範囲における温度特性が良好なＩｎＡｓ
系などの半導体を素材とする第２のホール素子とを前段
に備えると共に、後段には、第２のホール素子の検出電
流がゼロ近傍に存在する時に第１のホール素子の入出力
特性を基準温度の入出力特性に較正すると共にこの第１
のホール素子の出力と上記較正済みの入出力特性とに基
づく検出結果を出力する較正・出力手段を備えている。
流センサは、入出力直線性の良好なＧａＡｓ系などの半
導体を素材とする第１のホール素子と、検出電流のゼロ
近傍などの特定範囲における温度特性が良好なＩｎＡｓ
系などの半導体を素材とする第２のホール素子とを前段
に備えると共に、後段には、第２のホール素子の検出電
流がゼロ近傍に存在する時に第１のホール素子の入出力
特性を基準温度の入出力特性に較正すると共にこの第１
のホール素子の出力と上記較正済みの入出力特性とに基
づく検出結果を出力する較正・出力手段を備えている。
【０００７】
【作用】ＧａＡｓ系などの半導体で構成される第１のホ
ール素子は、図５に例示するように、入出力直線性は良
好である反面温度特性が劣っている。これに対して、Ｉ
ｎＡｓ系などの半導体で構成される第２のホール素子
は、図６に例示するようにゼロ電流近傍など検出電流の
特定範囲における温度特性が良好である反面入出力直線
性が劣っている。そこで、直線性の良好な第１のホール
素子の入出力特性を、第２のホール素子のゼロ電流近傍
などの良好な温度特性を利用して常温などの標準温度の
入出力特性に較正することにより、入出力直線性も温度
特性も共に良好なホール素子型電流センサが実現され
る。
ール素子は、図５に例示するように、入出力直線性は良
好である反面温度特性が劣っている。これに対して、Ｉ
ｎＡｓ系などの半導体で構成される第２のホール素子
は、図６に例示するようにゼロ電流近傍など検出電流の
特定範囲における温度特性が良好である反面入出力直線
性が劣っている。そこで、直線性の良好な第１のホール
素子の入出力特性を、第２のホール素子のゼロ電流近傍
などの良好な温度特性を利用して常温などの標準温度の
入出力特性に較正することにより、入出力直線性も温度
特性も共に良好なホール素子型電流センサが実現され
る。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例のホール素子型電
流センサの構成を示すブロック図であり、１０はエアギ
ャップを有する環状磁性体、１１，１２は第１，第２の
ホール素子、１３は検出対象の電流が流れる電線、２０
は各種の演算器やレジスタなどで構成される較正・出力
回路である。
流センサの構成を示すブロック図であり、１０はエアギ
ャップを有する環状磁性体、１１，１２は第１，第２の
ホール素子、１３は検出対象の電流が流れる電線、２０
は各種の演算器やレジスタなどで構成される較正・出力
回路である。
【０００９】検出対象の電流が流れる電線１３が巻回さ
れた環状磁性体１０のエアギャップ内に、ＧａＡｓ系の
半導体を素材とする第１のホール素子１１と、ＩｎＡｓ
系の半導体を素材とする第２のホール素子１２とが設置
されている。第１，第２のホール素子１１，１２は、図
５と図６のそれぞれに例示するように、電線１３を流れ
る電流によって環状磁性体１０内に発生した磁束に応じ
て変化する電圧を出力する。
れた環状磁性体１０のエアギャップ内に、ＧａＡｓ系の
半導体を素材とする第１のホール素子１１と、ＩｎＡｓ
系の半導体を素材とする第２のホール素子１２とが設置
されている。第１，第２のホール素子１１，１２は、図
５と図６のそれぞれに例示するように、電線１３を流れ
る電流によって環状磁性体１０内に発生した磁束に応じ
て変化する電圧を出力する。
【００１０】第１のホール素子１１から出力された電圧
は、増幅器２１ａで増幅されたのちＡ／Ｄ変換器２２ａ
でディジタル値に変換され、加算器２６と減算器２５の
一方の入力端子に供給される。第２のホール素子１２か
ら出力された電圧は、増幅器２１ｂで増幅されたのちＡ
／Ｄ変換器２２ｂでディジタル値に変換され、比較器２
４の一方の入力端子に供給される。
は、増幅器２１ａで増幅されたのちＡ／Ｄ変換器２２ａ
でディジタル値に変換され、加算器２６と減算器２５の
一方の入力端子に供給される。第２のホール素子１２か
ら出力された電圧は、増幅器２１ｂで増幅されたのちＡ
／Ｄ変換器２２ｂでディジタル値に変換され、比較器２
４の一方の入力端子に供給される。
【００１１】レジスタ２３ａは、減算器２５の他方の入
力端子に供給するゼロ入力電流時の常温における出力電
圧Ｖ1 を保持している。この出力電圧Ｖ1 は、図５に例
示するようにＧａＡｓ系の半導体を素材とする第１のホ
ール素子１１が、常温のもとでかつ検出対象の入力電流
がゼロの時に出力する電圧値である。
力端子に供給するゼロ入力電流時の常温における出力電
圧Ｖ1 を保持している。この出力電圧Ｖ1 は、図５に例
示するようにＧａＡｓ系の半導体を素材とする第１のホ
ール素子１１が、常温のもとでかつ検出対象の入力電流
がゼロの時に出力する電圧値である。
【００１２】これに対して、レジスタ２３ｂは、比較器
２４の他方の入力端子に供給するゼロ入力電流時の常温
における出力電圧Ｖ2 を保持している。この出力電圧Ｖ
2 は、図６に例示するようにＩｎＡｓ系の半導体を素材
とする第２のホール素子１２が、常温のもとでかつ検出
対象の入力電流がゼロの時に出力する電圧値である。
２４の他方の入力端子に供給するゼロ入力電流時の常温
における出力電圧Ｖ2 を保持している。この出力電圧Ｖ
2 は、図６に例示するようにＩｎＡｓ系の半導体を素材
とする第２のホール素子１２が、常温のもとでかつ検出
対象の入力電流がゼロの時に出力する電圧値である。
【００１３】減算器２５は、レジスタ２３ａに保持中の
出力電圧Ｖ1 からＡ／Ｄ変換器２２ａの出力電圧を減算
し、減算結果をラッチ回路２７に出力する。比較器２４
は、Ａ／Ｄ変換器２２ｂの出力電圧とレジスタ２３ｂに
保持中の出力電圧Ｖ2 とを比較し、両者がほぼ等しくな
った時にラッチ回路２７にラッチパルス（ＬＴ）を出力
する。ラッチ回路２７は、このラッチパルスを受けると
減算器２５の出力をラッチして加算器２６の他方の入力
端子に供給する。
出力電圧Ｖ1 からＡ／Ｄ変換器２２ａの出力電圧を減算
し、減算結果をラッチ回路２７に出力する。比較器２４
は、Ａ／Ｄ変換器２２ｂの出力電圧とレジスタ２３ｂに
保持中の出力電圧Ｖ2 とを比較し、両者がほぼ等しくな
った時にラッチ回路２７にラッチパルス（ＬＴ）を出力
する。ラッチ回路２７は、このラッチパルスを受けると
減算器２５の出力をラッチして加算器２６の他方の入力
端子に供給する。
【００１４】加算器２６は、ラッチ回路２７に保持中の
電圧値をＡ／Ｄ変換器２２ａから出力される電圧値に加
算し、この加算結果を係数器２８に出力する。図５の例
で動作温度を６０o Ｃとすれば、検出対象の入力電流が
ほぼゼロになった時に図５に示す＋δＶ1 の電圧値がラ
ッチ回路２７にラッチされる。Ａ／Ｄ変換器２２ａから
出力される電圧値は、加算器２６においてδＶ1 だけ上
方にシフトされることにより、動作温度が６０o Ｃであ
るにもかかわらず、常温（２０o Ｃ）のもとでの値にほ
ぼ等しい値に較正されて係数器２８に供給される。
電圧値をＡ／Ｄ変換器２２ａから出力される電圧値に加
算し、この加算結果を係数器２８に出力する。図５の例
で動作温度を６０o Ｃとすれば、検出対象の入力電流が
ほぼゼロになった時に図５に示す＋δＶ1 の電圧値がラ
ッチ回路２７にラッチされる。Ａ／Ｄ変換器２２ａから
出力される電圧値は、加算器２６においてδＶ1 だけ上
方にシフトされることにより、動作温度が６０o Ｃであ
るにもかかわらず、常温（２０o Ｃ）のもとでの値にほ
ぼ等しい値に較正されて係数器２８に供給される。
【００１５】図５の例で動作温度を−２０o Ｃとすれ
ば、検出対象の入力電流がほぼゼロになった時に図５に
示す−δＶ2 の電圧値がラッチ回路２７にラッチされ
る。Ａ／Ｄ変換器２２ａから出力される電圧値は、加算
器２６においてδＶ2 だけ下方にシフトされることによ
り、動作温度が−２０o Ｃであるにもかかわらず、常温
のもとでの値にほぼ等しい値に較正されて係数器２８に
供給される。
ば、検出対象の入力電流がほぼゼロになった時に図５に
示す−δＶ2 の電圧値がラッチ回路２７にラッチされ
る。Ａ／Ｄ変換器２２ａから出力される電圧値は、加算
器２６においてδＶ2 だけ下方にシフトされることによ
り、動作温度が−２０o Ｃであるにもかかわらず、常温
のもとでの値にほぼ等しい値に較正されて係数器２８に
供給される。
【００１６】第１のホール素子１１の入出力特性が温度
に依存して上下にシフトするだけであれば、加算器２６
の出力は検出電流の広い範囲にわたって常温のもとでの
値と一致する。しかしながら、一般的には、温度と共に
入出力特性の傾斜も変化する。そこで、この入出力特性
の傾斜の変化を補償するため、係数器２８と２９とが設
置されている。
に依存して上下にシフトするだけであれば、加算器２６
の出力は検出電流の広い範囲にわたって常温のもとでの
値と一致する。しかしながら、一般的には、温度と共に
入出力特性の傾斜も変化する。そこで、この入出力特性
の傾斜の変化を補償するため、係数器２８と２９とが設
置されている。
【００１７】すなわち、ラッチ回路２７に保持された電
圧の差分δＶの極性と大きさは、図５の特性図を参照す
れば明らかなように、実際の動作温度と常温との温度差
を示している。そして、各動作温度における入出力特性
の傾きは常温との温度差に比例して増加する傾向にあ
る。この温度差を示すδＶは、係数器２９でδＶに比例
する値の係数ｋに変換されたのち係数器２８に設定され
る。この係数器２８から出力される電圧値は、各温度範
囲において常温からのシフト量に加えて傾斜のずれが補
正された出力となり、出力端子３０に供給される。
圧の差分δＶの極性と大きさは、図５の特性図を参照す
れば明らかなように、実際の動作温度と常温との温度差
を示している。そして、各動作温度における入出力特性
の傾きは常温との温度差に比例して増加する傾向にあ
る。この温度差を示すδＶは、係数器２９でδＶに比例
する値の係数ｋに変換されたのち係数器２８に設定され
る。この係数器２８から出力される電圧値は、各温度範
囲において常温からのシフト量に加えて傾斜のずれが補
正された出力となり、出力端子３０に供給される。
【００１８】この結果、図２に例示するように、−２０
0 Ｃから＋６０0 Ｃまでの広い温度範囲にわたって常温
からのシフト量と傾斜のずれが補正された直線性と温度
特性の極めて良好な入出力特性が実現される。
0 Ｃから＋６０0 Ｃまでの広い温度範囲にわたって常温
からのシフト量と傾斜のずれが補正された直線性と温度
特性の極めて良好な入出力特性が実現される。
【００１９】図３は、本発明の他の実施例のホール素子
型電流センサの構成を示すブロック図である。本図中、
図１と同一の参照符号を付した構成要素は、図１で既に
説明した構成要素と同一のものであり、これらについて
は重複する説明を省略する。
型電流センサの構成を示すブロック図である。本図中、
図１と同一の参照符号を付した構成要素は、図１で既に
説明した構成要素と同一のものであり、これらについて
は重複する説明を省略する。
【００２０】この実施例の電流センサは、較正・出力回
路２０の後段部分を加減算器や比較器などのハードウエ
アで構成する代わりに、同一の演算や比較機能をプロセ
ッサ３１のソフトウェアで実現するようにしたものであ
る。
路２０の後段部分を加減算器や比較器などのハードウエ
アで構成する代わりに、同一の演算や比較機能をプロセ
ッサ３１のソフトウェアで実現するようにしたものであ
る。
【００２１】すなわち、図４のフローチャートを参照し
ながら上記プロセッサ３１の処理を説明すれば、プロセ
ッサ３１は、Ａ／Ｄ変換器２２ａと２２ｂから入力ポー
トに供給される第１，第２のホール素子１１，１２の出
力電圧Ｖａ，Ｖｂを読取り（ステップ４１）、第２のホ
ール素子１２の出力電圧Ｖｂがそのゼロ出力値Ｖ2 にほ
ぼ等しいか否かを判定する（ステップ４２）。
ながら上記プロセッサ３１の処理を説明すれば、プロセ
ッサ３１は、Ａ／Ｄ変換器２２ａと２２ｂから入力ポー
トに供給される第１，第２のホール素子１１，１２の出
力電圧Ｖａ，Ｖｂを読取り（ステップ４１）、第２のホ
ール素子１２の出力電圧Ｖｂがそのゼロ出力値Ｖ2 にほ
ぼ等しいか否かを判定する（ステップ４２）。
【００２２】プロセッサ３１は、ＶｂとＶ2 がほぼ等し
ければ、較正のためのシフト量δＶ＝Ｖ1 −Ｖａと傾斜
を補正するための係数を算定して古い算定値を更新し
（ステップ４３）、第１のホール素子の出力電圧Ｖａに
δＶを加算し、係数ｋを乗算したものを較正済みの出力
電圧として出力端子３０に出力する（ステップ４４）。
ければ、較正のためのシフト量δＶ＝Ｖ1 −Ｖａと傾斜
を補正するための係数を算定して古い算定値を更新し
（ステップ４３）、第１のホール素子の出力電圧Ｖａに
δＶを加算し、係数ｋを乗算したものを較正済みの出力
電圧として出力端子３０に出力する（ステップ４４）。
【００２３】プロセッサ３１は、ＶｂとＶ2 がほぼ等し
くなければ、較正のためのシフト量δＶと係数の算定と
更新とを行うことなく、第１のホール素子１１の出力電
圧Ｖａに前回算定済みのシフト量δＶを加算し、係数ｋ
を乗算したものを較正済みの出力電圧として出力端子３
０に出力する（ステップ４４）。
くなければ、較正のためのシフト量δＶと係数の算定と
更新とを行うことなく、第１のホール素子１１の出力電
圧Ｖａに前回算定済みのシフト量δＶを加算し、係数ｋ
を乗算したものを較正済みの出力電圧として出力端子３
０に出力する（ステップ４４）。
【００２４】このように、較正・出力部２０は、図１に
例示するようにハードウエアのみによって実現すること
もでき、図３と図４に例示するようにソフトウェアを混
在させて実現することもできる。プロセッサを用いる第
２の実施例によれば、出力値のシフトという単純な較正
だけではなく、補正量の比例配分などを含む複雑な較正
を実現できるという利点がある。
例示するようにハードウエアのみによって実現すること
もでき、図３と図４に例示するようにソフトウェアを混
在させて実現することもできる。プロセッサを用いる第
２の実施例によれば、出力値のシフトという単純な較正
だけではなく、補正量の比例配分などを含む複雑な較正
を実現できるという利点がある。
【００２５】以上、シフトによる較正に加えて係数の乗
算による傾斜の較正をも行う構成を例示した。しかしな
がら、傾斜の温度依存性が小さい場合や回路や処理の規
模を圧縮して低廉化を図る場合などには、シフトのみの
較正を行う構成を採用してもよい。
算による傾斜の較正をも行う構成を例示した。しかしな
がら、傾斜の温度依存性が小さい場合や回路や処理の規
模を圧縮して低廉化を図る場合などには、シフトのみの
較正を行う構成を採用してもよい。
【００２６】また、図１の実施例では演算や比較などを
ディジタル回路で実現する場合を例示したが、これをア
ナログ回路で実現することもできる。
ディジタル回路で実現する場合を例示したが、これをア
ナログ回路で実現することもできる。
【００２７】さらに、図３の実施例などでは、Ａ／Ｄ変
換器を２系統設置する代わりに、各系統で時間をずらし
て共用する構成とすることもできる。
換器を２系統設置する代わりに、各系統で時間をずらし
て共用する構成とすることもできる。
【００２８】また、常温近傍を基準温度して選択する構
成を例示したが、必要に応じて、高温側や低温側を基準
温度として選択することもできる。
成を例示したが、必要に応じて、高温側や低温側を基準
温度として選択することもできる。
【００２９】また、第１，第２のホール素子のそれぞれ
をＧａＡｓとＩｎＡｓを素材とする半導体で構成する場
合を例示した。しかしながら、入出力直線性と検出電流
の特定範囲における温度特性の関係を満たすものであれ
ば、他の適宜な半導体の組合せを選択できる。この場
合、上記特定範囲はゼロ電流の近傍以外のものであって
もよい。
をＧａＡｓとＩｎＡｓを素材とする半導体で構成する場
合を例示した。しかしながら、入出力直線性と検出電流
の特定範囲における温度特性の関係を満たすものであれ
ば、他の適宜な半導体の組合せを選択できる。この場
合、上記特定範囲はゼロ電流の近傍以外のものであって
もよい。
【００３０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のホ
ール素子型電流センサは、入出力直線性の良好な第１の
ホール素子の欠点を第２のホール素子の特定検出電流範
囲における良好な温度特性を利用して補う構成であるか
ら、入出力直線性と温度特性が共に良好な電流センサを
実現できるという効果が奏される。
ール素子型電流センサは、入出力直線性の良好な第１の
ホール素子の欠点を第２のホール素子の特定検出電流範
囲における良好な温度特性を利用して補う構成であるか
ら、入出力直線性と温度特性が共に良好な電流センサを
実現できるという効果が奏される。
【図１】本発明の一実施例のホール素子型電流センサの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】上記実施例のホール素子型電流センサについて
予測される入出力特性と温度特性との一例を示す特性図
である。
予測される入出力特性と温度特性との一例を示す特性図
である。
【図３】本発明の他の実施例のホール素子型電流センサ
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図４】図３の実施例のプロセッサの較正・出力の処理
内容を説明するためのフローチャートである。
内容を説明するためのフローチャートである。
【図５】上記各実施例で第１のホール素子として使用す
るＧａＡｓ系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性との温度依存性の典型例を示す特性図である。
るＧａＡｓ系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性との温度依存性の典型例を示す特性図である。
【図６】上記各実施例で第２のホール素子として使用す
るＩｎＡｓ系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性と温度依存性の典型例を示す特性図である。
るＩｎＡｓ系の半導体で構成されるホール素子の入出力
直線性と温度依存性の典型例を示す特性図である。
１０ 磁性体 １１ 第１のホール素子 １２ 第２のホール素子 １３ 検出対象の電流を流す電線 ２０ 較正・出力回路 21a,21b 増幅器 22a,22b Ａ／Ｄ変換器 30 較正済み電圧の出力端子 31 プロセッサ
Claims (4)
- 【請求項１】第１のホール素子と、 検出電流の特定範囲における温度特性が前記第１のホー
ル素子よりも良好である反面入出力直線性が前記第１の
ホール素子よりも劣る第２のホール素子と、 前記第２のホール素子の検出電流が前記特定範囲に存在
する時に前記第１のホール素子の入出力特性を基準温度
の入出力特性に較正すると共に、この第１のホール素子
の出力及びその較正済みの入出力特性に基づく検出結果
を出力する較正・出力手段とを備えたことを特徴とする
ホール素子型電流センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記第１のホール素子はＧａＡｓ系の半導体を素材とし
て構成され、前記第２のホール素子はＩｎＡｓ系の半導
体を素材として構成されることを特徴とするホール素子
型電流センサ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、 前記較正・出力手段は、 前記第２のホール素子の出力がその特定値の近傍に存在
することを検出したときに検出信号を出力する比較器
と、 前記第１のホール素子の出力値と前記基準温度における
出力値との差分を検出する減算器と、 前記比較器から出力される検出信号を受けて前記減算器
の出力を保持する保持回路と、 前記第１のホール素子の出力と前記保持回路の出力とを
加算し較正済み出力として出力する加算器とを備えたこ
とを特徴とするホール素子型電流センサ。 - 【請求項４】 請求項１又は２において、 前記較正・出力手段は、第１，第２のホール素子の出力
電圧を増幅する増幅器と、この増幅済みの出力電圧をデ
ィジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、このＡ／Ｄ変
換済みの出力電圧を処理するプロセッサとから構成され
ることを特徴とするホール素子型電流センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203024A JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203024A JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627150A true JPH0627150A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16467089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203024A Pending JPH0627150A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | ホール素子型電流センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627150A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009281772A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
| JP2009281771A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
| JP2010044084A (ja) * | 2003-05-12 | 2010-02-25 | Powersense As | 簡潔な光ファイバ・ファラデー効果センサの補償 |
| JP2013178259A (ja) * | 2006-01-20 | 2013-09-09 | Allegro Microsystems Llc | 集積化センサの配列 |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4203024A patent/JPH0627150A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010044084A (ja) * | 2003-05-12 | 2010-02-25 | Powersense As | 簡潔な光ファイバ・ファラデー効果センサの補償 |
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| US9859489B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-01-02 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| US10069063B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-09-04 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| JP2009281772A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
| JP2009281771A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Honda Motor Co Ltd | 電流センサ |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
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