JPH06268083A - 半導体装置の配線 - Google Patents
半導体装置の配線Info
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- JPH06268083A JPH06268083A JP5078894A JP7889493A JPH06268083A JP H06268083 A JPH06268083 A JP H06268083A JP 5078894 A JP5078894 A JP 5078894A JP 7889493 A JP7889493 A JP 7889493A JP H06268083 A JPH06268083 A JP H06268083A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 本発明は、高温スパッタ法で成膜する配線形
成膜(例えばアルミニウム系金属膜)の表面モホロジー
を高めて、多層配線構造への適用、レジスト膜感光時の
ハレーションの低減、エレクトロマイグレーション耐性
の向上等を図る。 【構成】 基板11の成膜面11aに対して垂直方向に結晶
の配向をそろえた下地膜12と、その下地膜12の配向にそ
って、成膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろ
えた配線形成膜13とよりなるものである。例えば下地膜
12は、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそ
ろえたもので、結晶を(002) ,(010) または(011) 配向
させたチタン膜よりなる。また配線形成膜13は、上記各
チタン膜の配向にそって、基板の成膜面に対して垂直方
向に結晶の配向をそろえたもので、かつ結晶を(111) 配
向させたアルミニウム系金属膜とよりなる。
成膜(例えばアルミニウム系金属膜)の表面モホロジー
を高めて、多層配線構造への適用、レジスト膜感光時の
ハレーションの低減、エレクトロマイグレーション耐性
の向上等を図る。 【構成】 基板11の成膜面11aに対して垂直方向に結晶
の配向をそろえた下地膜12と、その下地膜12の配向にそ
って、成膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろ
えた配線形成膜13とよりなるものである。例えば下地膜
12は、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそ
ろえたもので、結晶を(002) ,(010) または(011) 配向
させたチタン膜よりなる。また配線形成膜13は、上記各
チタン膜の配向にそって、基板の成膜面に対して垂直方
向に結晶の配向をそろえたもので、かつ結晶を(111) 配
向させたアルミニウム系金属膜とよりなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線に関
するものである。
するものである。
【0002】
【従来の技術】超LSIの高集積化とそれにともなう設
計ルールの縮小化によって、接続孔の径も微細化されて
いる。このため、微細な接続孔の内部に配線材料を埋め
込む技術が重要になってきている。上記のような埋め込
み技術としては、一つにアルミニウムもしくはアルミニ
ウム合金(以下アルミニウム系金属と記す)の高温スパ
ッタ法が提案されている。この方法は、半導体基板をア
ルミニウム系金属の融点付近の温度まで加熱することに
よりアルミニウム系金属を流動状態にしながらスパッタ
成膜する方法である。したがって、接続孔の内部には、
アルミニウム系金属が流れ込み、形成されるアルミニウ
ム系金属膜の表面は平坦化されるとされている。このよ
うに、配線形成膜と埋め込みプラグとを同時に形成でき
るというプロセスの簡便性やアルミニウム系金属が低抵
抗材料であるということにより、他のプロセス、例えば
ブランケットタングステン法やタングステンの選択成長
法によってタングステンプラグを形成した後、配線を形
成する方法よりも有利である。
計ルールの縮小化によって、接続孔の径も微細化されて
いる。このため、微細な接続孔の内部に配線材料を埋め
込む技術が重要になってきている。上記のような埋め込
み技術としては、一つにアルミニウムもしくはアルミニ
ウム合金(以下アルミニウム系金属と記す)の高温スパ
ッタ法が提案されている。この方法は、半導体基板をア
ルミニウム系金属の融点付近の温度まで加熱することに
よりアルミニウム系金属を流動状態にしながらスパッタ
成膜する方法である。したがって、接続孔の内部には、
アルミニウム系金属が流れ込み、形成されるアルミニウ
ム系金属膜の表面は平坦化されるとされている。このよ
うに、配線形成膜と埋め込みプラグとを同時に形成でき
るというプロセスの簡便性やアルミニウム系金属が低抵
抗材料であるということにより、他のプロセス、例えば
ブランケットタングステン法やタングステンの選択成長
法によってタングステンプラグを形成した後、配線を形
成する方法よりも有利である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高
温スパッタ法では、図3に示すように、基板51の成膜
面51aに形成される下地膜52の配向性は矢印で示す
ように、当該成膜面51aに対して、必ずしも垂直方向
に向いていない。このため、下地膜52の上面に形成さ
れるアルミニウム系金属膜53は、下地膜52の配向性
にそって成長するため、その配向は基板51の成膜面5
1aに対して垂直方向にならない。この結果、アルミニ
ウム系金属膜53の表面モホロジーが低下し、その表面
は凸凹になる。なお図では、図を見やすくするために、
断面を示すハッチングは省略した。
温スパッタ法では、図3に示すように、基板51の成膜
面51aに形成される下地膜52の配向性は矢印で示す
ように、当該成膜面51aに対して、必ずしも垂直方向
に向いていない。このため、下地膜52の上面に形成さ
れるアルミニウム系金属膜53は、下地膜52の配向性
にそって成長するため、その配向は基板51の成膜面5
1aに対して垂直方向にならない。この結果、アルミニ
ウム系金属膜53の表面モホロジーが低下し、その表面
は凸凹になる。なお図では、図を見やすくするために、
断面を示すハッチングは省略した。
【0004】このように表面モホロジーが低下したアル
ミニウム系金属膜を用いて配線を形成した場合には、以
下のような課題を生じる。すなわち、図4に示すよう
に、基板61上に成膜されたアルミニウム系金属膜の表
面が凸凹しているために、このアルミニウム系金属膜で
形成した配線62の表面も凸凹になる。このような配線
62を覆う状態に形成した1層目の層間絶縁膜63の表
面も凸凹になり、この1層目の層間絶縁膜63上に2層
目の配線64を形成することが難しくなる。さらに上記
2層目の配線64を覆う状態に形成した2層目の層間絶
縁膜65の表面は1層目の層間絶縁膜63の表面よりさ
らに凸凹になる。したがって、層を重ねるごとに、配線
の形成が困難になる。
ミニウム系金属膜を用いて配線を形成した場合には、以
下のような課題を生じる。すなわち、図4に示すよう
に、基板61上に成膜されたアルミニウム系金属膜の表
面が凸凹しているために、このアルミニウム系金属膜で
形成した配線62の表面も凸凹になる。このような配線
62を覆う状態に形成した1層目の層間絶縁膜63の表
面も凸凹になり、この1層目の層間絶縁膜63上に2層
目の配線64を形成することが難しくなる。さらに上記
2層目の配線64を覆う状態に形成した2層目の層間絶
縁膜65の表面は1層目の層間絶縁膜63の表面よりさ
らに凸凹になる。したがって、層を重ねるごとに、配線
の形成が困難になる。
【0005】また図5に示すように、ホトリソグラフィ
ー工程におけるレジストの感光工程では、基板71上に
成膜されたアルミニウム系金属膜72の表面が凸凹して
いるので、その表面に成膜されているレジスト膜73を
透過した露光光線81はアルミニウム系金属膜72の表
面で乱反射する。この結果、レジスト膜73の例えば網
目で示した領域にハレーションが発生する。このような
状態で、現像処理されて形成されるレジストパターン
(図示せず)は非常に細った状態になる。したがってレ
ジストのパターニングの精度は非常に低下する。図では
レジスト膜73の断面を示すハッチングは省略した。
ー工程におけるレジストの感光工程では、基板71上に
成膜されたアルミニウム系金属膜72の表面が凸凹して
いるので、その表面に成膜されているレジスト膜73を
透過した露光光線81はアルミニウム系金属膜72の表
面で乱反射する。この結果、レジスト膜73の例えば網
目で示した領域にハレーションが発生する。このような
状態で、現像処理されて形成されるレジストパターン
(図示せず)は非常に細った状態になる。したがってレ
ジストのパターニングの精度は非常に低下する。図では
レジスト膜73の断面を示すハッチングは省略した。
【0006】さらに図6に示すように、金属91上に、
表面モホロジーが悪いアルミニウム系金属膜で配線92
を形成した場合には、その配線92の膜厚が部分的に異
なる。このため、配線92に電流をながした場合には、
膜厚が薄い部分92aの電流密度が高まり、配線92の
温度が上昇する。このため、エレクトロマイグレーショ
ン耐性が低下して、配線92が切れる。
表面モホロジーが悪いアルミニウム系金属膜で配線92
を形成した場合には、その配線92の膜厚が部分的に異
なる。このため、配線92に電流をながした場合には、
膜厚が薄い部分92aの電流密度が高まり、配線92の
温度が上昇する。このため、エレクトロマイグレーショ
ン耐性が低下して、配線92が切れる。
【0007】本発明は、表面モホロジーに優れた半導体
装置の配線を提供することを目的とする。
装置の配線を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた半導体装置の配線である。すなわ
ち、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろ
えた配線形成膜よりなるものである。この配線形成膜
は、例えば基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向
をそろえて形成した下地膜の配向にそって、当該成膜面
に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたものよりな
る。例えば基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向
をそろえたもので、かつ結晶を(111)配向させたア
ルミニウム系金属膜よりなる。また下地膜は、基板の成
膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたもので、
かつ結晶を(002),(010)または(011)配
向させたチタン膜よりなる。
成するためになされた半導体装置の配線である。すなわ
ち、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろ
えた配線形成膜よりなるものである。この配線形成膜
は、例えば基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向
をそろえて形成した下地膜の配向にそって、当該成膜面
に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたものよりな
る。例えば基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向
をそろえたもので、かつ結晶を(111)配向させたア
ルミニウム系金属膜よりなる。また下地膜は、基板の成
膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたもので、
かつ結晶を(002),(010)または(011)配
向させたチタン膜よりなる。
【0009】
【作用】上記半導体装置の配線は、基板の成膜面に対し
て垂直方向に結晶の配向そろえた下地膜と、その下地膜
の配向にそって、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶
の配向をそろえた配線形成膜とよりなることにより、配
線形成膜は表面モホロジーに優れた平坦な表面になる。
て垂直方向に結晶の配向そろえた下地膜と、その下地膜
の配向にそって、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶
の配向をそろえた配線形成膜とよりなることにより、配
線形成膜は表面モホロジーに優れた平坦な表面になる。
【0010】
【実施例】本発明の実施例を図1の概略構成断面図によ
り説明する。なお図では、当該図面を見やすくするため
に、断面を示すハッチングは省略した。図に示すよう
に、基板11には、その成膜面11aに対して垂直方向
(矢印21方向)に結晶の配向そろえた下地膜12が成
膜されている。この下地膜12の上面には、この下地膜
12の配向にそって、かつ基板11の成膜面12aに対
して垂直方向(矢印22方向)に結晶の配向をそろえた
配線形成膜13が形成されている。上記下地膜12と配
線形成膜13とによって、配線14が形成される。
り説明する。なお図では、当該図面を見やすくするため
に、断面を示すハッチングは省略した。図に示すよう
に、基板11には、その成膜面11aに対して垂直方向
(矢印21方向)に結晶の配向そろえた下地膜12が成
膜されている。この下地膜12の上面には、この下地膜
12の配向にそって、かつ基板11の成膜面12aに対
して垂直方向(矢印22方向)に結晶の配向をそろえた
配線形成膜13が形成されている。上記下地膜12と配
線形成膜13とによって、配線14が形成される。
【0011】例えば、上記下地膜12は、基板11の成
膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろえた
(002)配向のチタン膜で形成されている。あるいは
(010)配向のチタン膜または(011)配向のチタ
ン膜で形成されている。また配線形成膜13は、上記チ
タン膜の配向にそって、かつ基板11の成膜面11aに
対して垂直方向に結晶の配向をそろえた(111)配向
のアルミニウム系金属膜で形成されている。
膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろえた
(002)配向のチタン膜で形成されている。あるいは
(010)配向のチタン膜または(011)配向のチタ
ン膜で形成されている。また配線形成膜13は、上記チ
タン膜の配向にそって、かつ基板11の成膜面11aに
対して垂直方向に結晶の配向をそろえた(111)配向
のアルミニウム系金属膜で形成されている。
【0012】上記半導体装置の配線は、下地膜12の結
晶の配向方向と配線形成膜13の結晶の配向方向とを、
基板11の成膜面11aに対して垂直方向にそろえたこ
とにより、配線形成膜13の表面はモホロジーに優れた
ほぼ平坦な表面になる。このような配線形成膜13を用
いて形成した配線14に、第1の層間絶縁膜(図示せ
ず)を被覆し、さらに第1の層間絶縁膜に上記のような
配線(図示せず)を形成し、その配線を覆う状態に第2
に層間絶縁膜を形成した、多層配線構造では、各第1,
第2の層間絶縁膜の表面が、各配線の表面の影響をうけ
て凸凹にならない。このため、各第1,第2の層間絶縁
膜の表面は平坦になる。また配線形成膜13上にレジス
ト膜(図示せず)を形成して、感光工程を行っても、配
線形成膜13の表面があれていないので、ハレーション
が発生しない。よって高精度なレジストのパターニング
ができる。さらに配線形成膜13の表面が平坦化されて
いるので、当該配線形成膜13はほぼ均一な膜厚に形成
されている。このため、この配線形成膜13で形成した
配線14はエレクトロマイグレーション耐性が高いもの
になる。
晶の配向方向と配線形成膜13の結晶の配向方向とを、
基板11の成膜面11aに対して垂直方向にそろえたこ
とにより、配線形成膜13の表面はモホロジーに優れた
ほぼ平坦な表面になる。このような配線形成膜13を用
いて形成した配線14に、第1の層間絶縁膜(図示せ
ず)を被覆し、さらに第1の層間絶縁膜に上記のような
配線(図示せず)を形成し、その配線を覆う状態に第2
に層間絶縁膜を形成した、多層配線構造では、各第1,
第2の層間絶縁膜の表面が、各配線の表面の影響をうけ
て凸凹にならない。このため、各第1,第2の層間絶縁
膜の表面は平坦になる。また配線形成膜13上にレジス
ト膜(図示せず)を形成して、感光工程を行っても、配
線形成膜13の表面があれていないので、ハレーション
が発生しない。よって高精度なレジストのパターニング
ができる。さらに配線形成膜13の表面が平坦化されて
いるので、当該配線形成膜13はほぼ均一な膜厚に形成
されている。このため、この配線形成膜13で形成した
配線14はエレクトロマイグレーション耐性が高いもの
になる。
【0013】次に、基板上の絶縁膜に設けた接続孔に上
記構造の配線を製造する一例を、図2により説明する。
図2の(1)に示すように、基板(例えばシリコン系基
板)11の上層には拡散層31が形成されている。この
基板11の上面には絶縁膜32が成膜されている。上記
拡散層31の上方の絶縁膜32には接続孔33が設けら
れている。
記構造の配線を製造する一例を、図2により説明する。
図2の(1)に示すように、基板(例えばシリコン系基
板)11の上層には拡散層31が形成されている。この
基板11の上面には絶縁膜32が成膜されている。上記
拡散層31の上方の絶縁膜32には接続孔33が設けら
れている。
【0014】まず、基板11との密着性を高めるため
に、接続孔33の底部を含むその内壁と上記絶縁膜32
の上面に密着膜34となるチタン膜を成膜する。このチ
タン膜の成膜は、例えばスパッタ法によって行う。この
スパッタ条件としては、例えばプロセスガスに流量が1
00sccmのアルゴン(Ar)を用い、DCパワーを
例えば4kW、スパッタ雰囲気の圧力を例えば0.4P
a、基板の加熱温度を例えば150℃に設定する。
に、接続孔33の底部を含むその内壁と上記絶縁膜32
の上面に密着膜34となるチタン膜を成膜する。このチ
タン膜の成膜は、例えばスパッタ法によって行う。この
スパッタ条件としては、例えばプロセスガスに流量が1
00sccmのアルゴン(Ar)を用い、DCパワーを
例えば4kW、スパッタ雰囲気の圧力を例えば0.4P
a、基板の加熱温度を例えば150℃に設定する。
【0015】続いて上記密着膜34の表面に、バリア性
を有する反応防止膜35として例えば窒化チタン膜を成
膜する。この反応防止膜35の成膜は、例えばスパッタ
法によって行う。スパッタ条件としては、例えばプロセ
スガスに流量が100sccmのアルゴン(Ar)と流
量が70sccmの窒素(N2 )との混合ガスを用い、
DCパワーを例えば5kW、スパッタ雰囲気の圧力を例
えば0.4Pa、基板の加熱温度を例えば150℃に設
定する。
を有する反応防止膜35として例えば窒化チタン膜を成
膜する。この反応防止膜35の成膜は、例えばスパッタ
法によって行う。スパッタ条件としては、例えばプロセ
スガスに流量が100sccmのアルゴン(Ar)と流
量が70sccmの窒素(N2 )との混合ガスを用い、
DCパワーを例えば5kW、スパッタ雰囲気の圧力を例
えば0.4Pa、基板の加熱温度を例えば150℃に設
定する。
【0016】次いで図2の(2)に示すように、上記反
応防止膜35の表面に、下地膜12になるチタン膜を成
膜する。この下地膜12の成膜は、例えばスパッタ法に
よって行う。スパッタ条件としては、上記密着膜34の
成膜条件と同様である。上記条件で下地膜12になるチ
タン膜を成膜すると、チタン膜は、結晶の配向方向が成
膜面に対し垂直方向にそろった状態の(002)配向を
有する。上記チタン膜の配向性は、成膜条件によって、
他の配向性として、例えば(010)または(011)
配向を得ることも可能である。
応防止膜35の表面に、下地膜12になるチタン膜を成
膜する。この下地膜12の成膜は、例えばスパッタ法に
よって行う。スパッタ条件としては、上記密着膜34の
成膜条件と同様である。上記条件で下地膜12になるチ
タン膜を成膜すると、チタン膜は、結晶の配向方向が成
膜面に対し垂直方向にそろった状態の(002)配向を
有する。上記チタン膜の配向性は、成膜条件によって、
他の配向性として、例えば(010)または(011)
配向を得ることも可能である。
【0017】続いて図2の(3)に示すように、上記下
地膜12の表面に、配線形成膜13になるアルミニウム
系金属膜(例えばアルミニウム−シリコン膜またはアル
ミニウム−シリコン−銅膜等)を成膜する。この配線形
成膜12の成膜は、高温スパッタ法によって行う。例え
ばアルミニウム−1%シリコン膜の成膜する高温スパッ
タ条件としては、例えばプロセスガスに流量が100s
ccmのアルゴン(Ar)を用い、DCパワーを例えば
20kW、スパッタ雰囲気の圧力を例えば0.4Pa、
基板の加熱温度を例えば500℃に設定する。上記条件
で配線形成膜13のアルミニウム系金属膜を成膜する
と、アルミニウム系金属膜は、結晶の配向方向が成膜面
に対し垂直方向にそろった状態の(111)配向を有す
る。
地膜12の表面に、配線形成膜13になるアルミニウム
系金属膜(例えばアルミニウム−シリコン膜またはアル
ミニウム−シリコン−銅膜等)を成膜する。この配線形
成膜12の成膜は、高温スパッタ法によって行う。例え
ばアルミニウム−1%シリコン膜の成膜する高温スパッ
タ条件としては、例えばプロセスガスに流量が100s
ccmのアルゴン(Ar)を用い、DCパワーを例えば
20kW、スパッタ雰囲気の圧力を例えば0.4Pa、
基板の加熱温度を例えば500℃に設定する。上記条件
で配線形成膜13のアルミニウム系金属膜を成膜する
と、アルミニウム系金属膜は、結晶の配向方向が成膜面
に対し垂直方向にそろった状態の(111)配向を有す
る。
【0018】さらに上記配線形成膜13の表面に、反射
防止膜36になる窒化酸化チタン(TiON)膜を成膜
する。この反射防止膜36の成膜は、スパッタ法によっ
て行う。このスパッタ条件としては、例えばプロセスガ
スに流量が100sccmのアルゴン(Ar)と流量が
70sccmの窒素(N2 )とに6%の酸素(O2 )を
混合したガスを用い、DCパワーを例えば5kW、スパ
ッタ雰囲気の圧力を例えば0.4Pa、基板の加熱温度
を例えば150℃に設定する。
防止膜36になる窒化酸化チタン(TiON)膜を成膜
する。この反射防止膜36の成膜は、スパッタ法によっ
て行う。このスパッタ条件としては、例えばプロセスガ
スに流量が100sccmのアルゴン(Ar)と流量が
70sccmの窒素(N2 )とに6%の酸素(O2 )を
混合したガスを用い、DCパワーを例えば5kW、スパ
ッタ雰囲気の圧力を例えば0.4Pa、基板の加熱温度
を例えば150℃に設定する。
【0019】その後図2の(4)に示すように、通常の
ホトリソグラフィー技術とエッチング(例えばドライエ
ッチング)によって、上記反射防止膜36,配線形成膜
13,下地膜12,反応防止膜35および密着膜34の
2点鎖線で示す部分を除去して、ハッチング形成膜13
を主材料として配線14を形成する。
ホトリソグラフィー技術とエッチング(例えばドライエ
ッチング)によって、上記反射防止膜36,配線形成膜
13,下地膜12,反応防止膜35および密着膜34の
2点鎖線で示す部分を除去して、ハッチング形成膜13
を主材料として配線14を形成する。
【0020】上記説明した製造方法では、成膜方法とし
てスパッタ法を用いたが、スパッタ法に限定されること
はなく、上記膜構造が得られる成膜方法であれば、例え
ばCVD法またはその他の成膜方法を用いて成膜するこ
とも可能である。また上記成膜条件で示した数値は、そ
の値に限定されることはなく、成膜装置の種類、成膜す
る膜の配向性等によって変更される。
てスパッタ法を用いたが、スパッタ法に限定されること
はなく、上記膜構造が得られる成膜方法であれば、例え
ばCVD法またはその他の成膜方法を用いて成膜するこ
とも可能である。また上記成膜条件で示した数値は、そ
の値に限定されることはなく、成膜装置の種類、成膜す
る膜の配向性等によって変更される。
【0021】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向そろえた下
地膜と、その下地膜の配向にそって、基板の成膜面に対
して垂直方向に結晶の配向をそろえた配線形成膜とより
なるので、配線形成膜の表面はモホロジーに優れた平坦
な面になる。したがって、多層配線構造に適用したもの
では、層間絶縁膜の平坦化が容易になる。また配線形成
膜の表面のモホロジーが良好になるのでホトリソグラフ
ィー工程の感光を行った際にハレーションが発生しな
い。よって高精度な配線を形成できる。さらに配線形成
膜の膜厚が均一化できるので、配線形成膜で形成した配
線のエレクトロマイグレーション耐性が向上できる。
基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向そろえた下
地膜と、その下地膜の配向にそって、基板の成膜面に対
して垂直方向に結晶の配向をそろえた配線形成膜とより
なるので、配線形成膜の表面はモホロジーに優れた平坦
な面になる。したがって、多層配線構造に適用したもの
では、層間絶縁膜の平坦化が容易になる。また配線形成
膜の表面のモホロジーが良好になるのでホトリソグラフ
ィー工程の感光を行った際にハレーションが発生しな
い。よって高精度な配線を形成できる。さらに配線形成
膜の膜厚が均一化できるので、配線形成膜で形成した配
線のエレクトロマイグレーション耐性が向上できる。
【図1】実施例の概略構成断面図である。
【図2】実施例の製造方法の一例を説明する製造工程図
である。
である。
【図3】従来例の課題の説明図である。
【図4】多層配線における課題の説明図である。
【図5】感光工程における課題の説明図である。
【図6】配線におけるエレクトロマイグレーションの説
明図である。
明図である。
11 基板 11a 成膜面 12 下地膜 13 配線形成膜 14 配線
Claims (4)
- 【請求項1】 基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の
配向をそろえた配線形成膜よりなることを特徴とする半
導体装置の配線。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の配線におい
て、 前記配線形成膜は、前記基板の成膜面に対して垂直方向
に結晶の配向をそろえて形成した下地膜の配向にそっ
て、当該成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえ
たものよりなることを特徴とする半導体装置の配線。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の半導体装
置の配線において、 前記配線形成膜は、前記基板の成膜面に対して垂直方向
に結晶の配向をそろえたもので、かつ結晶を(111)
配向させたアルミニウム系金属膜よりなることを特徴と
する半導体装置の配線。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3記載の半導体装
置の配線において、 前記下地膜は、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の
配向をそろえたもので、かつ結晶を(002),(01
0)または(011)配向させたチタン膜よりなり、 前記配線形成膜は、前記(002),(010)または
(011)配向させたチタン膜の配向にそって、前記基
板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたも
ので、かつ結晶を(111)配向させたアルミニウム系
金属膜とよりなることを特徴とする半導体装置の配線。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5078894A JPH06268083A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体装置の配線 |
US08/206,652 US5449641A (en) | 1993-03-11 | 1994-03-07 | Method for fabricating an interconnect for semiconductor devices using (111) crystal plane orientation |
KR1019940004494A KR100302215B1 (ko) | 1993-03-11 | 1994-03-09 | 반도체장치의배선 |
US08/468,710 US5581125A (en) | 1993-03-11 | 1995-06-06 | Interconnect for semiconductor devices and method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5078894A JPH06268083A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体装置の配線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06268083A true JPH06268083A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13674525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5078894A Pending JPH06268083A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体装置の配線 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5449641A (ja) |
JP (1) | JPH06268083A (ja) |
KR (1) | KR100302215B1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268083A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Sony Corp | 半導体装置の配線 |
KR100320364B1 (ko) * | 1993-03-23 | 2002-04-22 | 가와사키 마이크로 엘렉트로닉스 가부시키가이샤 | 금속배선및그의형성방법 |
JP3491237B2 (ja) * | 1993-09-24 | 2004-01-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の積層導電膜構造 |
CN1062978C (zh) * | 1994-07-07 | 2001-03-07 | 现代电子产业株式会社 | 半导体器件中制作金属阻挡层的方法 |
JP3586899B2 (ja) * | 1994-09-22 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5523259A (en) * | 1994-12-05 | 1996-06-04 | At&T Corp. | Method of forming metal layers formed as a composite of sub-layers using Ti texture control layer |
US5580823A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-03 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a collimated metal layer and contact structure in a semiconductor device |
DE69625265T2 (de) * | 1995-03-28 | 2003-09-04 | Texas Instruments Inc., Dallas | Halbleiterstrukturen |
JPH09115829A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Nissan Motor Co Ltd | アルミニウム配線部を有する半導体装置およびその製造方法 |
US5776831A (en) * | 1995-12-27 | 1998-07-07 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a high electromigration resistant metallization system |
NO970220L (no) * | 1996-01-19 | 1997-07-21 | Murata Manufacturing Co | Transduktor med tynnfilmsjikt av metall, for akustiske overflatebölger |
US5895266A (en) | 1996-02-26 | 1999-04-20 | Applied Materials, Inc. | Titanium nitride barrier layers |
JPH1064907A (ja) * | 1996-08-13 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 電気的固体装置及びその製造方法 |
US6071811A (en) * | 1997-02-26 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition of titanium nitride films having improved uniformity |
EP0875923A3 (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-03 | International Business Machines Corporation | Multilayer metallization structure comprising a group IVA metal |
US5943601A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a metallization structure |
US6107195A (en) * | 1997-06-18 | 2000-08-22 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a low-resistivity titanium-oxynitride (TiON) film that provides for good texture of a subsequently deposited conductor layer |
KR19990003495A (ko) * | 1997-06-25 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 |
US6045634A (en) * | 1997-08-14 | 2000-04-04 | Praxair S. T. Technology, Inc. | High purity titanium sputtering target and method of making |
KR100765682B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2007-10-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR100484253B1 (ko) | 1998-06-27 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 타이타늄막 형성방법 |
JP4307592B2 (ja) | 1998-07-07 | 2009-08-05 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体素子における配線形成方法 |
US6207568B1 (en) | 1998-11-27 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Ionized metal plasma (IMP) method for forming (111) oriented aluminum containing conductor layer |
JP3353727B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2002-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の配線構造の形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4998157A (en) * | 1988-08-06 | 1991-03-05 | Seiko Epson Corporation | Ohmic contact to silicon substrate |
JPH04286323A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5242860A (en) * | 1991-07-24 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation |
JPH06268083A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Sony Corp | 半導体装置の配線 |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP5078894A patent/JPH06268083A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-07 US US08/206,652 patent/US5449641A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-09 KR KR1019940004494A patent/KR100302215B1/ko active IP Right Grant
-
1995
- 1995-06-06 US US08/468,710 patent/US5581125A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100302215B1 (ko) | 2001-11-30 |
US5449641A (en) | 1995-09-12 |
US5581125A (en) | 1996-12-03 |
KR940022710A (ko) | 1994-10-21 |
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