JPH06258385A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
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- JPH06258385A JPH06258385A JP4381493A JP4381493A JPH06258385A JP H06258385 A JPH06258385 A JP H06258385A JP 4381493 A JP4381493 A JP 4381493A JP 4381493 A JP4381493 A JP 4381493A JP H06258385 A JPH06258385 A JP H06258385A
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- Japan
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- semiconductor
- ccd
- tester
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度に依存する特性を正確に検査できる半導
体検査装置を提供する。 【構成】 半導体デバイス1をセットする穴付きソケッ
ト部16を収容する高温チャンバー7の雰囲気を加温す
るヒータ9と、この雰囲気温度を測定する温度センサ8
と、穴付きソケット部16の測定穴を介して非接触で半
導体デバイス1の表面温度を測定する非接触表面温度セ
ンサ14と、温度制御ユニット10と、半導体テスタ4
と、穴付きソケット部16と半導体テスタ4との間を接
続する計測データ入出力回線3と、非接触表面温度セン
サ14と温度制御ユニット10および半導体テスタ4と
を接続する温度計測制御回線11とから構成した。 【効果】 半導体テスタが温度制御指示を行うことで半
導体デバイスを高精度な温度管理下で検査を行うことが
できる。
体検査装置を提供する。 【構成】 半導体デバイス1をセットする穴付きソケッ
ト部16を収容する高温チャンバー7の雰囲気を加温す
るヒータ9と、この雰囲気温度を測定する温度センサ8
と、穴付きソケット部16の測定穴を介して非接触で半
導体デバイス1の表面温度を測定する非接触表面温度セ
ンサ14と、温度制御ユニット10と、半導体テスタ4
と、穴付きソケット部16と半導体テスタ4との間を接
続する計測データ入出力回線3と、非接触表面温度セン
サ14と温度制御ユニット10および半導体テスタ4と
を接続する温度計測制御回線11とから構成した。 【効果】 半導体テスタが温度制御指示を行うことで半
導体デバイスを高精度な温度管理下で検査を行うことが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CCD,メモリ,ロジ
ック等の半導体デバイス、または半導体ウェハなどの半
導体検査装置に係り、特に半導体デバイスやウェハの温
度依存性に基づいてその諸特性を検査する半導体検査装
置に関する。
ック等の半導体デバイス、または半導体ウェハなどの半
導体検査装置に係り、特に半導体デバイスやウェハの温
度依存性に基づいてその諸特性を検査する半導体検査装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD,メモリ,ロジック等の半導体デ
バイス、または半導体ウェハなどの半導体の検査におい
ては、半導体自体の温度とその特性との関係,すなわち
温度依存性に基づいて製造工程あるいは完成品の物理的
欠陥、その他の動作特性を検査する必要がある。
バイス、または半導体ウェハなどの半導体の検査におい
ては、半導体自体の温度とその特性との関係,すなわち
温度依存性に基づいて製造工程あるいは完成品の物理的
欠陥、その他の動作特性を検査する必要がある。
【0003】図4は従来の半導体検査装置の構成を説明
する模式図であって、1は被検査体である半導体装置
(以下半導体デバイスという)、2は半導体デバイスを
セットするソケット部、3は計測データ入出力回線、4
は半導体テスタ、41はデータ入出力インターフェー
ス、5は温度制御部、51は温度制御部インターフェー
ス、6は温度設定部、7は高温チャンバー、8は温度セ
ンサ、9はヒータである。
する模式図であって、1は被検査体である半導体装置
(以下半導体デバイスという)、2は半導体デバイスを
セットするソケット部、3は計測データ入出力回線、4
は半導体テスタ、41はデータ入出力インターフェー
ス、5は温度制御部、51は温度制御部インターフェー
ス、6は温度設定部、7は高温チャンバー、8は温度セ
ンサ、9はヒータである。
【0004】同図において、半導体デバイス1は高温チ
ャンバー7内に設置されたソケット部2にセットされ
る。ソケット部2からは計測データ入出力回線3がデー
タ入出力インターフェース41を介して半導体テスタ4
に接続されている。一方、半導体デバイス1の温度を制
御するための温度制御部5が設けられており、温度設定
部6からの設定値が温度制御部インターフェース51を
介して入力される。
ャンバー7内に設置されたソケット部2にセットされ
る。ソケット部2からは計測データ入出力回線3がデー
タ入出力インターフェース41を介して半導体テスタ4
に接続されている。一方、半導体デバイス1の温度を制
御するための温度制御部5が設けられており、温度設定
部6からの設定値が温度制御部インターフェース51を
介して入力される。
【0005】この温度制御部5は温度設定部6で設定し
た温度設定値に恒温チャンバー7の雰囲気温度を合わせ
るためのものであり、高温チャンバー7に設けた温度セ
ンサ8から出力される高温チャンバー7の雰囲気温度値
を入力して設定温度値と演算し、ヒータ9による加熱温
度を制御する温度制御ループを構成する。この温度制御
ループにより高温チャンバー7の雰囲気温度を温度設定
部6で設定された一定温度値となるように制御される。
た温度設定値に恒温チャンバー7の雰囲気温度を合わせ
るためのものであり、高温チャンバー7に設けた温度セ
ンサ8から出力される高温チャンバー7の雰囲気温度値
を入力して設定温度値と演算し、ヒータ9による加熱温
度を制御する温度制御ループを構成する。この温度制御
ループにより高温チャンバー7の雰囲気温度を温度設定
部6で設定された一定温度値となるように制御される。
【0006】半導体デバイス1は高温チャンバー7の雰
囲気温度に曝されており、半導体デバイス1の温度制御
が上記の温度制御ループで制御されるようになってい
る。上記したように、半導体デバイスの検査は、検査し
ようとする半導体デバイス1が温度制御された状態で実
行される。すなわち、半導体テスタ4から計測データ入
出力回線3を通してソケット部2を検査可能状態にし、
半導体デバイス1の特性を上記計測データ入出力回線3
を通して計測データとして収集し、そのときの温度によ
る検査データとして、例えばCCDではその高温白点不
良等の欠陥検査を行うものである。
囲気温度に曝されており、半導体デバイス1の温度制御
が上記の温度制御ループで制御されるようになってい
る。上記したように、半導体デバイスの検査は、検査し
ようとする半導体デバイス1が温度制御された状態で実
行される。すなわち、半導体テスタ4から計測データ入
出力回線3を通してソケット部2を検査可能状態にし、
半導体デバイス1の特性を上記計測データ入出力回線3
を通して計測データとして収集し、そのときの温度によ
る検査データとして、例えばCCDではその高温白点不
良等の欠陥検査を行うものである。
【0007】なお、この種の半導体検査に関する従来技
術を開示した文献としては、産業図書(株)発行、河東
田隆編著「半導体評価技術」初版第1刷(1989年2
月28日)を挙げることができる。
術を開示した文献としては、産業図書(株)発行、河東
田隆編著「半導体評価技術」初版第1刷(1989年2
月28日)を挙げることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術におい
ては、下記のような問題点がある。 (1)半導体デバイス1の温度は温度制御部6の設定温
度と見做され、半導体テスタ4とはオフラインで温度制
御がなされるものであるため、半導体テスタ4側にとっ
てはあずかり知らぬ温度となっている。
ては、下記のような問題点がある。 (1)半導体デバイス1の温度は温度制御部6の設定温
度と見做され、半導体テスタ4とはオフラインで温度制
御がなされるものであるため、半導体テスタ4側にとっ
てはあずかり知らぬ温度となっている。
【0009】(2)半導体デバイス1の温度は、半導体
デバイス1が高温チャンバー7の雰囲気で間接的に加温
制御されるているので、その値は明確でない。さらに、
温度センサ8は高温チャンバー7の雰囲気温度を計測し
ているものであって、その温度計測値は半導体デバイス
1の実体温度ではない。すなわち、従来の半導体検査装
置では、半導体テスタ4は半導体デバイス1自体の温度
を確認することができず、また温度センサ8が半導体デ
バイス1の温度を直接計測するものでないため、精密な
温度制御ができず、半導体の検査を正確に行うことがで
きない。
デバイス1が高温チャンバー7の雰囲気で間接的に加温
制御されるているので、その値は明確でない。さらに、
温度センサ8は高温チャンバー7の雰囲気温度を計測し
ているものであって、その温度計測値は半導体デバイス
1の実体温度ではない。すなわち、従来の半導体検査装
置では、半導体テスタ4は半導体デバイス1自体の温度
を確認することができず、また温度センサ8が半導体デ
バイス1の温度を直接計測するものでないため、精密な
温度制御ができず、半導体の検査を正確に行うことがで
きない。
【0010】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、被検査体である半導体デバイスの精密計測を可
能とした半導体検査装置を提供することにある。
解消し、被検査体である半導体デバイスの精密計測を可
能とした半導体検査装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、図1に示したように、半導体デバイス1
をセットする測定穴16−1を有する穴付きソケット部
16、上記半導体デバイス1をセットする穴付きソケッ
ト部16を収容する高温チャンバー7と、高温チャンバ
ー7の雰囲気を加温するヒータ9と、上記高温チャンバ
ー7の雰囲気温度を測定する温度センサ8と、上記穴付
きソケット部16の測定穴16−1を介して非接触で上
記半導体デバイス1の表面温度を測定する非接触表面温
度センサ14と、温度制御ユニット10と、半導体テス
タ4と、上記穴付きソケット部16と上記半導体テスタ
4との間を接続する計測データ入出力回線3と、上記非
接触表面温度センサ14と上記温度制御ユニット10お
よび上記半導体テスタ4とを接続する温度計測制御回線
11とから構成したことを特徴とする。
に、本発明は、図1に示したように、半導体デバイス1
をセットする測定穴16−1を有する穴付きソケット部
16、上記半導体デバイス1をセットする穴付きソケッ
ト部16を収容する高温チャンバー7と、高温チャンバ
ー7の雰囲気を加温するヒータ9と、上記高温チャンバ
ー7の雰囲気温度を測定する温度センサ8と、上記穴付
きソケット部16の測定穴16−1を介して非接触で上
記半導体デバイス1の表面温度を測定する非接触表面温
度センサ14と、温度制御ユニット10と、半導体テス
タ4と、上記穴付きソケット部16と上記半導体テスタ
4との間を接続する計測データ入出力回線3と、上記非
接触表面温度センサ14と上記温度制御ユニット10お
よび上記半導体テスタ4とを接続する温度計測制御回線
11とから構成したことを特徴とする。
【0012】上記において、計測データ入出力回線3,
半導体テスタ4,高温チャンバー7,温度センサ8およ
びヒータ9は前記従来の技術と同様のものである。温度
制御ユニット10は従来の温度制御部に温度計測制御回
線11を受ける温度計測インターフェース12を持ち、
また半導体テスタ4に温度計測インターフェース13を
備えている。そして、非接触表面温度センサ14にも温
度計測インターフェース15を備えている。
半導体テスタ4,高温チャンバー7,温度センサ8およ
びヒータ9は前記従来の技術と同様のものである。温度
制御ユニット10は従来の温度制御部に温度計測制御回
線11を受ける温度計測インターフェース12を持ち、
また半導体テスタ4に温度計測インターフェース13を
備えている。そして、非接触表面温度センサ14にも温
度計測インターフェース15を備えている。
【0013】非接触表面温度センサ14は、高温チャン
バー7内にセットされた穴付きソケット部16の測定穴
16−1を通して半導体デバイス1の表面温度を非接触
で測定するように配置される。非接触表面温度センサ1
4からの温度計測データは温度計測制御回線11を通し
て半導体テスタ4と温度制御ユニット10に伝送され
る。
バー7内にセットされた穴付きソケット部16の測定穴
16−1を通して半導体デバイス1の表面温度を非接触
で測定するように配置される。非接触表面温度センサ1
4からの温度計測データは温度計測制御回線11を通し
て半導体テスタ4と温度制御ユニット10に伝送され
る。
【0014】穴付きソケット部16で計測した計測デー
タを計測データ入出力回線3を通して半導体テスタ4に
伝送する構成は従来技術と同様である。なお、半導体デ
バイス1の表面温度の測定手段は上記の非接触表面温度
センサ14に限らず、既知のサーモカップル等を穴付き
ソケット部16に設置し、半導体デバイス1を穴付きソ
ケット部16にセットしたときに、このサーモカップル
に半導体デバイス1が直接接触する機構としてもよい。
タを計測データ入出力回線3を通して半導体テスタ4に
伝送する構成は従来技術と同様である。なお、半導体デ
バイス1の表面温度の測定手段は上記の非接触表面温度
センサ14に限らず、既知のサーモカップル等を穴付き
ソケット部16に設置し、半導体デバイス1を穴付きソ
ケット部16にセットしたときに、このサーモカップル
に半導体デバイス1が直接接触する機構としてもよい。
【0015】
【作用】上記本発明の構成において、半導体テスタ4は
非接触表面温度センサ14からの温度計測データ(半導
体デバイス1の表面温度値)を温度計測制御回線11を
通して受け、温度制御ユニット10に温度指示を行う。
この温度指示値に基づいて温度制御ユニット10は温度
センサ8により高温チャンバー7の雰囲気温度を検出
し、検出した雰囲気温度と上記温度指示値とを演算して
所定の温度になるように、ヒータ9の加熱を制御するこ
とにより、高温チャンバー7の雰囲気温度を制御する。
非接触表面温度センサ14からの温度計測データ(半導
体デバイス1の表面温度値)を温度計測制御回線11を
通して受け、温度制御ユニット10に温度指示を行う。
この温度指示値に基づいて温度制御ユニット10は温度
センサ8により高温チャンバー7の雰囲気温度を検出
し、検出した雰囲気温度と上記温度指示値とを演算して
所定の温度になるように、ヒータ9の加熱を制御するこ
とにより、高温チャンバー7の雰囲気温度を制御する。
【0016】一方、非接触表面温度センサ14は、半導
体デバイス1の表面温度を計測しているので、半導体テ
スタ4は、温度計測インターフェース13,温度計測制
御回線11,温度計測インターフェース15を介して半
導体デバイス1の表面温度(すなわち、半導体デバイス
1自体の温度)データとして読むことができる。半導体
テスタ4に組み込まれた検査プログラムに温度指示値を
指示し、その温度値で検査する場合、その第1番目の方
法として、まず非接触温度センサ14で半導体デバイス
1の温度を計測し、もし温度指示値よりも計測値が低い
場合は温度制御ユニット10に高い温度の設定を指示
し、もし温度指示値よりも計測値が高い場合は温度制御
ユニット10に低い温度の設定を指示する。
体デバイス1の表面温度を計測しているので、半導体テ
スタ4は、温度計測インターフェース13,温度計測制
御回線11,温度計測インターフェース15を介して半
導体デバイス1の表面温度(すなわち、半導体デバイス
1自体の温度)データとして読むことができる。半導体
テスタ4に組み込まれた検査プログラムに温度指示値を
指示し、その温度値で検査する場合、その第1番目の方
法として、まず非接触温度センサ14で半導体デバイス
1の温度を計測し、もし温度指示値よりも計測値が低い
場合は温度制御ユニット10に高い温度の設定を指示
し、もし温度指示値よりも計測値が高い場合は温度制御
ユニット10に低い温度の設定を指示する。
【0017】このような制御ループにより、温度指示値
の許容範囲内に半導体デバイス1の温度を制御して検査
を開始する。そして、第2番目の簡便な方法として、温
度制御ユニット10に予め高い温度を指示しておき、高
温チャンバー7の雰囲気温度を高くしておく。半導体デ
バイス1は高温チャンバー7に設置されたソケット部1
6に載置セットされ、半導体テスタ4で非接触表面温度
センサ14の測定値をリアルタイムで見ていると、低温
から上昇を始めて検査温度指示値に近づき、さらに高温
になっていくことになる。この過程で検査温度指示値に
なったとき素早く検査を行う。
の許容範囲内に半導体デバイス1の温度を制御して検査
を開始する。そして、第2番目の簡便な方法として、温
度制御ユニット10に予め高い温度を指示しておき、高
温チャンバー7の雰囲気温度を高くしておく。半導体デ
バイス1は高温チャンバー7に設置されたソケット部1
6に載置セットされ、半導体テスタ4で非接触表面温度
センサ14の測定値をリアルタイムで見ていると、低温
から上昇を始めて検査温度指示値に近づき、さらに高温
になっていくことになる。この過程で検査温度指示値に
なったとき素早く検査を行う。
【0018】本発明の半導体検査装置では、半導体テス
タが温度制御指示を行うことができ、リアルタイムで半
導体デバイスの温度計測が可能となるので、高精度の温
度管理下で半導体デバイスの検査を行うことができる。
タが温度制御指示を行うことができ、リアルタイムで半
導体デバイスの温度計測が可能となるので、高精度の温
度管理下で半導体デバイスの検査を行うことができる。
【0019】
【実施例】半導体デバイスの検査は、ウェハ状態で検査
するプローブ検査、デバイス状態で検査する最終選別検
査とがあり、それぞれ所謂ウェハプローバ、ハンドラが
使用される。本発明は上記いずれの検査にも適用できる
ものであるが、本実施例ではハンドラによる最終選別検
査を例とし、また被検査体としてはメモリ,ロジック,
CCDなどが対象となるが、本実施例ではCCDを例と
する。
するプローブ検査、デバイス状態で検査する最終選別検
査とがあり、それぞれ所謂ウェハプローバ、ハンドラが
使用される。本発明は上記いずれの検査にも適用できる
ものであるが、本実施例ではハンドラによる最終選別検
査を例とし、また被検査体としてはメモリ,ロジック,
CCDなどが対象となるが、本実施例ではCCDを例と
する。
【0020】以下、本発明の実施例につき、図面を参照
して詳細に説明する。図2は本発明による半導体検査装
置をの構成を説明する側面模式図、また図3は半導体検
査装置を構成するCCDハンドラ部分に構成を説明する
上面模式図である。同各図において、10はCCD、1
3は温度計測制御インターフェース、14は非接触表面
温度センサ、16は穴付きソケット部、17はCCDテ
スタ、18はCPU、19はデバイス(CCD)に駆動
信号を与えるデバイス測定制御ユニット、20は外部機
器制御インターフェース、21はCCDハンドラ、22
は温度制御ユニット、23は高温チャンバー温度制御ユ
ニット、24は高温チャンバー、25はヒートプレート
温度制御ユニット、26はヒートプレート、27はハン
ドラ制御部、28は未検査CCD収納マガジン、29は
デバイス搬送部で直線搬送路29−1と分岐搬送路29
−2とから構成される。また、30はロボット式搬送
部、31は検査済CCDマガジンで31−1は良品を収
納する収納マガジン(1)、31−2は不良品を収納す
る収納マガジン(2)、32は温度センサ、33はヒー
タ、34は送風機である。
して詳細に説明する。図2は本発明による半導体検査装
置をの構成を説明する側面模式図、また図3は半導体検
査装置を構成するCCDハンドラ部分に構成を説明する
上面模式図である。同各図において、10はCCD、1
3は温度計測制御インターフェース、14は非接触表面
温度センサ、16は穴付きソケット部、17はCCDテ
スタ、18はCPU、19はデバイス(CCD)に駆動
信号を与えるデバイス測定制御ユニット、20は外部機
器制御インターフェース、21はCCDハンドラ、22
は温度制御ユニット、23は高温チャンバー温度制御ユ
ニット、24は高温チャンバー、25はヒートプレート
温度制御ユニット、26はヒートプレート、27はハン
ドラ制御部、28は未検査CCD収納マガジン、29は
デバイス搬送部で直線搬送路29−1と分岐搬送路29
−2とから構成される。また、30はロボット式搬送
部、31は検査済CCDマガジンで31−1は良品を収
納する収納マガジン(1)、31−2は不良品を収納す
る収納マガジン(2)、32は温度センサ、33はヒー
タ、34は送風機である。
【0021】CCDテスタ17は、CPU18、デバイ
ス測定制御ユニット19、外部機器制御インターフェー
ス20、温度計測制御インターフェース13を備えてい
る。なお、符号は付さないが半導体検査装置を含む装置
に電力を供給するための電源を備えている。CCDハン
ドラ21は、CCDに係る温度計測制御系として、非接
触表面温度センサ14、温度計測ユニット22、穴付き
ソケット16、チャンバー温度制御ユニット23、高温
チャンバー24、ヒートプレート温度制御ユニット2
5、およびヒートプレート26等を備える。また、CC
D搬送系としてハンドラ制御部27があり、未検査CC
Dマガジン28、検査済CCD収納マガジン31、デバ
イス搬送部29、およびロボット式搬送部30などをシ
ーケンス制御する。
ス測定制御ユニット19、外部機器制御インターフェー
ス20、温度計測制御インターフェース13を備えてい
る。なお、符号は付さないが半導体検査装置を含む装置
に電力を供給するための電源を備えている。CCDハン
ドラ21は、CCDに係る温度計測制御系として、非接
触表面温度センサ14、温度計測ユニット22、穴付き
ソケット16、チャンバー温度制御ユニット23、高温
チャンバー24、ヒートプレート温度制御ユニット2
5、およびヒートプレート26等を備える。また、CC
D搬送系としてハンドラ制御部27があり、未検査CC
Dマガジン28、検査済CCD収納マガジン31、デバ
イス搬送部29、およびロボット式搬送部30などをシ
ーケンス制御する。
【0022】CCD10の処理の流れは、次のとうりで
ある。CCD10は未検査CCDマガジン28より取り
出され、直線搬送路29−1を通過して、ヒートプレー
ト26で1次加熱される。さらに、ロボット式搬送部3
0により穴付きソケット16にセットされる。ここで、
検査作業を実施し、再びロボット式搬送部30より取り
出され、検査結果により検査済収納マガジン31に収納
される。検査済収納マガジン31は良品を収納する収納
マガジン(1)と不良品を収納する収納マガジン(2)
とからなり、検査で良とされたCCD10は収納マガジ
ン(1)に、不良とされたCCD10は収納マガジン
(2)に収納されることになる。
ある。CCD10は未検査CCDマガジン28より取り
出され、直線搬送路29−1を通過して、ヒートプレー
ト26で1次加熱される。さらに、ロボット式搬送部3
0により穴付きソケット16にセットされる。ここで、
検査作業を実施し、再びロボット式搬送部30より取り
出され、検査結果により検査済収納マガジン31に収納
される。検査済収納マガジン31は良品を収納する収納
マガジン(1)と不良品を収納する収納マガジン(2)
とからなり、検査で良とされたCCD10は収納マガジ
ン(1)に、不良とされたCCD10は収納マガジン
(2)に収納されることになる。
【0023】温度計測制御系では、各温度制御ユニット
でヒートプレート温度、高温チャンバー24の雰囲気温
度などで制御する。また、CCD10の表面温度は非接
触表面温度センサ14を計測制御する温度計測ユニット
22のインターフェースよりCCDテスタ17にリアル
タイムで計測データとして伝送する。次に、本実施例の
CCD検査の動作を具体的に説明する。
でヒートプレート温度、高温チャンバー24の雰囲気温
度などで制御する。また、CCD10の表面温度は非接
触表面温度センサ14を計測制御する温度計測ユニット
22のインターフェースよりCCDテスタ17にリアル
タイムで計測データとして伝送する。次に、本実施例の
CCD検査の動作を具体的に説明する。
【0024】まず、CCDテスタ17の指示により検査
したい指示温度に対してヒートプレート26の温度を高
めに、また高温チャンバー24の雰囲気温度を低めに制
御する。それぞれの温度が安定したところで、CCD1
0の検査を開始する。検査が開始されると、インターフ
ェース20よりCCD搬送指令がハンドラ制御部27に
与えられる。このCCD搬送指令により、CCD10は
まずヒートプレート26で高温に加熱される。次の搬送
指令で、ロボット式搬送部30により穴付きソケット1
6にセットされ、検査可能状態とする。
したい指示温度に対してヒートプレート26の温度を高
めに、また高温チャンバー24の雰囲気温度を低めに制
御する。それぞれの温度が安定したところで、CCD1
0の検査を開始する。検査が開始されると、インターフ
ェース20よりCCD搬送指令がハンドラ制御部27に
与えられる。このCCD搬送指令により、CCD10は
まずヒートプレート26で高温に加熱される。次の搬送
指令で、ロボット式搬送部30により穴付きソケット1
6にセットされ、検査可能状態とする。
【0025】このとき、高温チャンバー24の雰囲気温
度は、指示温度に対し低温であるので、CCD10は徐
々に温度を下げて行く。CCDテスタ17は非接触表面
温度センサ14により、CCD自体の実際の温度をリア
ルタイムに感知しながら指示温度になるまで待ち、指示
温度に達したとき、検査を実施する。
度は、指示温度に対し低温であるので、CCD10は徐
々に温度を下げて行く。CCDテスタ17は非接触表面
温度センサ14により、CCD自体の実際の温度をリア
ルタイムに感知しながら指示温度になるまで待ち、指示
温度に達したとき、検査を実施する。
【0026】なお、CCDテスタ17の検査作業は高速
で行われるため、CCD10の温度は許容範囲を越える
ことはない。なお、図示の装置において、被検査CCD
は未検査CCDマガジン28で搬入されて検査装置に装
填される。そして、個々のCCD10は搬送路29に取
り出されヒートプレート26で余熱されて穴付きソケッ
ト16上にセットされる。
で行われるため、CCD10の温度は許容範囲を越える
ことはない。なお、図示の装置において、被検査CCD
は未検査CCDマガジン28で搬入されて検査装置に装
填される。そして、個々のCCD10は搬送路29に取
り出されヒートプレート26で余熱されて穴付きソケッ
ト16上にセットされる。
【0027】そして、前記で説明したようなシーケンス
で温度制御され、検査が実行される。検査されたCCD
10は搬送路29で検査済CCDマガジン31方向に搬
送され、検査結果に従って分類されて検査済CCDマガ
ジン31の31−1と31−2に振り分け収納される。
で温度制御され、検査が実行される。検査されたCCD
10は搬送路29で検査済CCDマガジン31方向に搬
送され、検査結果に従って分類されて検査済CCDマガ
ジン31の31−1と31−2に振り分け収納される。
【0028】本実施例におけるCCD検査作業は、上記
したシーケンスを連続搬送される1連のCCD10に実
施され、CCDテスタ17の支配下で温度計測制御がな
されるため、またCCD自体の温度を直接計測すること
ができるため、さらに、CCDテスタ17でCCD10
の温度を感知することができるため、高精度の温度管理
下で正確な検査を行うことが可能となる。
したシーケンスを連続搬送される1連のCCD10に実
施され、CCDテスタ17の支配下で温度計測制御がな
されるため、またCCD自体の温度を直接計測すること
ができるため、さらに、CCDテスタ17でCCD10
の温度を感知することができるため、高精度の温度管理
下で正確な検査を行うことが可能となる。
【0029】以上のCCD検査装置は一例に過ぎず、本
発明の基本構成を逸脱することなく、これ以外に様々な
構成とすることができ、また上記の例は被検査体として
の半導体デバイスをCCDとしているが、本発明はその
他の半導体デバイスの検査装置に実施できることは言う
までもない。
発明の基本構成を逸脱することなく、これ以外に様々な
構成とすることができ、また上記の例は被検査体として
の半導体デバイスをCCDとしているが、本発明はその
他の半導体デバイスの検査装置に実施できることは言う
までもない。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体テスタが温度制御指示を行う構成としたことで、
リアルタイムで半導体デバイスの温度計測が可能とな
り、高精度の温度管理下で半導体デバイスの検査を行う
ことができる半導体検査装置を提供できる。
半導体テスタが温度制御指示を行う構成としたことで、
リアルタイムで半導体デバイスの温度計測が可能とな
り、高精度の温度管理下で半導体デバイスの検査を行う
ことができる半導体検査装置を提供できる。
【図1】本発明の基本構成を説明する模式図である。
【図2】本発明による半導体検査装置をの構成を説明す
る側面模式図である。
る側面模式図である。
【図3】半導体検査装置を構成するCCDハンドラ部分
に構成を説明する上面模式図である。
に構成を説明する上面模式図である。
【図4】従来の半導体検査装置の構成を説明する模式図
である。
である。
1 半導体デバイス 3 計測データ入出力回線 4 半導体テスタ 7 高温チャンバー 8 温度センサ 9 ヒータ 10 温度制御ユニット 11 温度計測制御回線 13 温度計測制御インターフェース 14 非接触表面温度センサ 16 半導体デバイス1をセットする穴付きソケット 17 CCDテスタ 18 CPU 19 デバイス(CCD)に駆動信号を与えるデバイス
測定制御ユニット 20 外部機器制御インターフェース 21 CCDハンドラ 22 温度制御ユニット 23 高温チャンバー温度制御ユニット 24 高温チャンバー 25 ヒートプレート温度制御ユニット 26 ヒートプレート 27 ハンドラ制御部 28 未検査CCD収納マガジン 29 デバイス搬送部 30 ロボット式搬送部 31 検査済CCDマガジン 32 温度センサ 33 ヒータ 34 送風機
測定制御ユニット 20 外部機器制御インターフェース 21 CCDハンドラ 22 温度制御ユニット 23 高温チャンバー温度制御ユニット 24 高温チャンバー 25 ヒートプレート温度制御ユニット 26 ヒートプレート 27 ハンドラ制御部 28 未検査CCD収納マガジン 29 デバイス搬送部 30 ロボット式搬送部 31 検査済CCDマガジン 32 温度センサ 33 ヒータ 34 送風機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大多和 昌則 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 半野 勉 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】半導体デバイスをセットする測定穴を有す
る穴付きソケット部と、上記穴付きソケット部を収容す
る高温チャンバーと、上記高温チャンバーの雰囲気を加
温するヒータと、上記高温チャンバーの雰囲気温度を測
定する温度センサと、上記穴付きソケット部の測定穴を
介して非接触で上記半導体デバイスの表面温度を測定す
る非接触表面温度センサと、温度制御ユニットと、半導
体テスタと、上記穴付きソケット部と上記半導体テスタ
との間を接続する計測データ入出力回線と、上記非接触
表面温度センサと上記温度制御ユニットおよび上記半導
体テスタとを接続する温度計測制御回線とから構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4381493A JPH06258385A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4381493A JPH06258385A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06258385A true JPH06258385A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12674215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4381493A Pending JPH06258385A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06258385A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593761B1 (en) | 1997-11-28 | 2003-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Test handler for semiconductor device |
JP2007109847A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
JP2008032740A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-14 | Advantest Corp | 電子部品試験装置および電子部品の試験方法 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP4381493A patent/JPH06258385A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593761B1 (en) | 1997-11-28 | 2003-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Test handler for semiconductor device |
JP2007109847A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
JP2008032740A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-14 | Advantest Corp | 電子部品試験装置および電子部品の試験方法 |
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