JPH06252227A - 半導体ペレットの外観検査方法 - Google Patents
半導体ペレットの外観検査方法Info
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- JPH06252227A JPH06252227A JP5032361A JP3236193A JPH06252227A JP H06252227 A JPH06252227 A JP H06252227A JP 5032361 A JP5032361 A JP 5032361A JP 3236193 A JP3236193 A JP 3236193A JP H06252227 A JPH06252227 A JP H06252227A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体素子の外観検査特に、ペレッ
トの周囲に設置するガラス埋込部の良否を判定する方法
に好適する。 【構成】 照明装置により、検査対象の半導体ペレット
のカラー画像パターンの酸化物領域の赤成分の濃度を他
の成分のそれより大きくした画像に対して、赤成分に他
の画像成分の差を加えて画像を求める方式を採用する。
トの周囲に設置するガラス埋込部の良否を判定する方法
に好適する。 【構成】 照明装置により、検査対象の半導体ペレット
のカラー画像パターンの酸化物領域の赤成分の濃度を他
の成分のそれより大きくした画像に対して、赤成分に他
の画像成分の差を加えて画像を求める方式を採用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ペレットの外観検
査方法に係わり、特に高耐圧半導体ペレットの酸化膜や
埋込みガラスなどの欠陥検出に好適する。
査方法に係わり、特に高耐圧半導体ペレットの酸化膜や
埋込みガラスなどの欠陥検出に好適する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ペレットの外観検査に当たって
は、目視による方法が採られているものの、これに必要
な被測定半導体ペレットの位置決めに各種の方法が知ら
れており、更に半導体ペレットの外観検査の自動化を狙
ってパターン検出方法の開発も盛んである。初期のパタ
ーン検出装置は、パターン像をテレビカメラで撮像後２
値化信号に変換し、この信号を２次元局部メモリに記憶
させる。そして論理演算によりパターンのマッチング有
無を判定するか、あるいは前記２値化信号を予め基準パ
ターン用レジスタに記憶する基準パターン信号との間で
一致度を検出するか、更にまた前記２値化信号をマイコ
ンなどで論理演算するものが見受けられる。
は、目視による方法が採られているものの、これに必要
な被測定半導体ペレットの位置決めに各種の方法が知ら
れており、更に半導体ペレットの外観検査の自動化を狙
ってパターン検出方法の開発も盛んである。初期のパタ
ーン検出装置は、パターン像をテレビカメラで撮像後２
値化信号に変換し、この信号を２次元局部メモリに記憶
させる。そして論理演算によりパターンのマッチング有
無を判定するか、あるいは前記２値化信号を予め基準パ
ターン用レジスタに記憶する基準パターン信号との間で
一致度を検出するか、更にまた前記２値化信号をマイコ
ンなどで論理演算するものが見受けられる。
【０００３】しかし、パターン撮像出力を２値化信号に
変換するには、パターン撮像出力の直流分のドリフト、
雑音成分の変化、シェーディング輝度の変化に対して２
値化信号用しきい値を最適値に設定するのが困難であっ
た。また、パターン撮像出力信号の振幅は、試料パター
ン像の光反射面の凹凸状態（表面状態）に関係するの
で、安定な２値化を行うのに試料全体を安定して照明す
る装置が要るが、なかなか求められない。また２値化信
号出力（“１”または“０”）は基準化が不可能であ
り、この出力に対する処理用の雑音余裕が小さい。
変換するには、パターン撮像出力の直流分のドリフト、
雑音成分の変化、シェーディング輝度の変化に対して２
値化信号用しきい値を最適値に設定するのが困難であっ
た。また、パターン撮像出力信号の振幅は、試料パター
ン像の光反射面の凹凸状態（表面状態）に関係するの
で、安定な２値化を行うのに試料全体を安定して照明す
る装置が要るが、なかなか求められない。また２値化信
号出力（“１”または“０”）は基準化が不可能であ
り、この出力に対する処理用の雑音余裕が小さい。
【０００４】これを改善するために、アナログまたはデ
ジタル入力データと、予め容易する基準パターンを表す
基準データ間で相関係数を求めることにより、パターン
像撮像出力の変動またはアナログ波形に対しても同一、
類似のパターンを安定にかつ効率で検出できるパターン
検出装置が特開昭５７ー１３７９７８号公報により知ら
れている。
ジタル入力データと、予め容易する基準パターンを表す
基準データ間で相関係数を求めることにより、パターン
像撮像出力の変動またはアナログ波形に対しても同一、
類似のパターンを安定にかつ効率で検出できるパターン
検出装置が特開昭５７ー１３７９７８号公報により知ら
れている。
【０００５】図１には、従来の被検査半導体ペレットの
位置検出に利用する装置の概要を示しており、ＸＹステ
ージ１に配置する被検査半導体ペレット２は、拡散リン
グ照明３により照らし、これを白黒カメラ４で撮像す
る。この白黒カメラ４には、カメラ制御ユニット５と画
像処理装置６を電気的に接続してパターン撮像出力を２
値化信号に変換する。
位置検出に利用する装置の概要を示しており、ＸＹステ
ージ１に配置する被検査半導体ペレット２は、拡散リン
グ照明３により照らし、これを白黒カメラ４で撮像す
る。この白黒カメラ４には、カメラ制御ユニット５と画
像処理装置６を電気的に接続してパターン撮像出力を２
値化信号に変換する。
【０００６】このような被検査対象半導体ペレットとし
てガラスを利用する高耐圧用半導体ペレットの上面図を
図２に示した。即ち、半導体ペレット２には、複数の酸
化膜１１を列状に設け、その最外側の半導体ペレット２
の周端にガラス埋込部１２を設けて素子の耐圧を上げて
おり、また列状の酸化膜パターン１３はＡｌ電極部１４
により囲む。そしてペレットコーナ部間のガラス埋込部
１２には割れや欠けなどの不良部分が発生する。なお、
図３に記載するａならびにｂは後で説明する。
てガラスを利用する高耐圧用半導体ペレットの上面図を
図２に示した。即ち、半導体ペレット２には、複数の酸
化膜１１を列状に設け、その最外側の半導体ペレット２
の周端にガラス埋込部１２を設けて素子の耐圧を上げて
おり、また列状の酸化膜パターン１３はＡｌ電極部１４
により囲む。そしてペレットコーナ部間のガラス埋込部
１２には割れや欠けなどの不良部分が発生する。なお、
図３に記載するａならびにｂは後で説明する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明方法による外観
検査対象の１つである高耐圧用半導体ペレットでは、耐
圧を持たせるために周辺にガラスを埋込む構造が採られ
ており、このガラス部には良品でも微妙な凹凸がある外
に、照明との角度により均一な反射光が得られないし、
またペレットの寸法が大きいために均一な照明ができな
い。
検査対象の１つである高耐圧用半導体ペレットでは、耐
圧を持たせるために周辺にガラスを埋込む構造が採られ
ており、このガラス部には良品でも微妙な凹凸がある外
に、照明との角度により均一な反射光が得られないし、
またペレットの寸法が大きいために均一な照明ができな
い。
【０００８】従って白黒の濃淡画像を利用して半導体ペ
レットの外観検査を行うと、半導体ペレットパターンに
描かれる酸化膜の暗い部分に、濃度の低い部分が集中す
るためにガラス部分の不良が検出できなかった。
レットの外観検査を行うと、半導体ペレットパターンに
描かれる酸化膜の暗い部分に、濃度の低い部分が集中す
るためにガラス部分の不良が検出できなかった。
【０００９】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特に半導体ペレット周囲の埋込ガラス部分の良否
判定を可能にする外観検査方法を提供する。
ので、特に半導体ペレット周囲の埋込ガラス部分の良否
判定を可能にする外観検査方法を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】照明装置により得られる
検査対象の半導体ペレットのカラーパターン中の酸化膜
領域のＲ成分濃度を他の成分より大きくしたカラー画像
に対し、Ｒ成分に他のカラー画像の差を加えて求めた画
像により半導体ペレットの外観の良否を決定する点に本
発明に係わる半導体ペレットの外観検査方法の特徴があ
る。また、前記照明装置に拡散照明と同軸落射照明を併
用することにより、検査対象の半導体ペレットの酸化膜
領域のカラー信号の３原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）成分の明るさ
の比率が異なることを利用する点、予め用意する基準デ
ータと入力データの制御係数を求める出力回路から、基
準データとパターンが最も一致する入力データを判定回
路により判定することにより、前記検査対象の半導体ペ
レットの位置を検出後、カラー信号Ｒ、Ｇ、Ｂ成分によ
り良否の判定を行う点、これに加えて最低１つの位置補
正用レチクルと、最低１つの検査対象レチクルを備える
点にも特徴がある。
検査対象の半導体ペレットのカラーパターン中の酸化膜
領域のＲ成分濃度を他の成分より大きくしたカラー画像
に対し、Ｒ成分に他のカラー画像の差を加えて求めた画
像により半導体ペレットの外観の良否を決定する点に本
発明に係わる半導体ペレットの外観検査方法の特徴があ
る。また、前記照明装置に拡散照明と同軸落射照明を併
用することにより、検査対象の半導体ペレットの酸化膜
領域のカラー信号の３原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）成分の明るさ
の比率が異なることを利用する点、予め用意する基準デ
ータと入力データの制御係数を求める出力回路から、基
準データとパターンが最も一致する入力データを判定回
路により判定することにより、前記検査対象の半導体ペ
レットの位置を検出後、カラー信号Ｒ、Ｇ、Ｂ成分によ
り良否の判定を行う点、これに加えて最低１つの位置補
正用レチクルと、最低１つの検査対象レチクルを備える
点にも特徴がある。
【００１１】
【作用】本発明に係わる半導体ペレットの外観検査方法
では、照明装置により検査対象の半導体ペレットのカラ
ー画像パターンの酸化膜領域の赤成分の濃度を、他の成
分のそれより大きくした画像に対して、赤成分に他の画
像成分の差を加えて画像を求める方式を採用する。
では、照明装置により検査対象の半導体ペレットのカラ
ー画像パターンの酸化膜領域の赤成分の濃度を、他の成
分のそれより大きくした画像に対して、赤成分に他の画
像成分の差を加えて画像を求める方式を採用する。
【００１２】
【実施例】本発明に係わる実施例を図面を参照して説明
するが、被検査対象半導体ペレットの構造は、従来の技
術欄即ち図２に示す通りなので必要な場合にはこれを利
用する。このような半導体ペレットの外観検査に際して
は、図３に示す被検査対象半導体ペレット外観検査装置
を利用する。即ちＸＹステージ２０に配置する被検査用
の半導体ペレット２は、拡散リング照明２１ならびに同
軸落射照明２２により照射し、これをカラーカメラ２３
により撮像する。このカラーカメラ２３には、カラーカ
メラ制御ユニット２４と画像処理装置２５を電気的に接
続してパターン撮像出力を図４に示す処理方法手順の各
工程に従って進める。
するが、被検査対象半導体ペレットの構造は、従来の技
術欄即ち図２に示す通りなので必要な場合にはこれを利
用する。このような半導体ペレットの外観検査に際して
は、図３に示す被検査対象半導体ペレット外観検査装置
を利用する。即ちＸＹステージ２０に配置する被検査用
の半導体ペレット２は、拡散リング照明２１ならびに同
軸落射照明２２により照射し、これをカラーカメラ２３
により撮像する。このカラーカメラ２３には、カラーカ
メラ制御ユニット２４と画像処理装置２５を電気的に接
続してパターン撮像出力を図４に示す処理方法手順の各
工程に従って進める。
【００１３】即ち第１工程に先立って、同軸落射照明２
２と拡散リング照明２３を併用して上方から照射して被
検査半導体ペレット２を、カラーカメラ２３により撮像
する。 撮像信号はカラーカメラ制御ユニット２４と画
像処理装置２５を介してＲ，Ｇ、Ｂの電気信号に変換後
Ａ／Ｄ変換経て、Ｒ、Ｇ、Ｂ濃淡画像として画像メモリ
に記憶する（第１工程）。第３工程としては、認識範囲
Ｒ成分画像、認識範囲Ｇ成分画像ならびに認識範囲Ｂ成
分画像に対してカラー成分画像の演算処理を行って第４
工程のＰ画像を得る。
２と拡散リング照明２３を併用して上方から照射して被
検査半導体ペレット２を、カラーカメラ２３により撮像
する。 撮像信号はカラーカメラ制御ユニット２４と画
像処理装置２５を介してＲ，Ｇ、Ｂの電気信号に変換後
Ａ／Ｄ変換経て、Ｒ、Ｇ、Ｂ濃淡画像として画像メモリ
に記憶する（第１工程）。第３工程としては、認識範囲
Ｒ成分画像、認識範囲Ｇ成分画像ならびに認識範囲Ｂ成
分画像に対してカラー成分画像の演算処理を行って第４
工程のＰ画像を得る。
【００１４】この操作に当たっては、図６の位置補正用
の相関アルゴリズムに示すように、位置補正レチクル２
６、検査領域レチクル２７、認識範囲２８を利用して第
２工程の位置補正を行うが、更に酸化膜マスク用レチク
ルよを利用してカラー画像をを形成する。このＲ、Ｇ、
Ｂ濃度は、８ビット階調の０（低い）から２５５（高
い）の範囲に分布する。この０（低い）に近い程不良パ
ターンである。
の相関アルゴリズムに示すように、位置補正レチクル２
６、検査領域レチクル２７、認識範囲２８を利用して第
２工程の位置補正を行うが、更に酸化膜マスク用レチク
ルよを利用してカラー画像をを形成する。このＲ、Ｇ、
Ｂ濃度は、８ビット階調の０（低い）から２５５（高
い）の範囲に分布する。この０（低い）に近い程不良パ
ターンである。
【００１５】その際、ペレットパターンにおける酸化膜
パターン１３のＲ成分濃度が、Ｇ及びＢ成分の濃度より
大きくなるように同軸落射照明２２を調整する。また、
酸化膜パターン１３のＲ成分濃度が他のＧ、Ｂ成分濃度
より大きくなるように拡散リング照明を調整する。ま
た、ペレットパターン領域における酸化膜パターン１３
の濃度が、ガラス埋込部１２より少し暗くなる範囲で拡
散リング照明２３を調整する。また図６に示す相関アル
ゴリズムは、予め決めらかつ登録された検査領域レチク
ル２７と実際の位置補正レチクル２６間の距離を測定す
ることにより、その補正量を決定する。
パターン１３のＲ成分濃度が、Ｇ及びＢ成分の濃度より
大きくなるように同軸落射照明２２を調整する。また、
酸化膜パターン１３のＲ成分濃度が他のＧ、Ｂ成分濃度
より大きくなるように拡散リング照明を調整する。ま
た、ペレットパターン領域における酸化膜パターン１３
の濃度が、ガラス埋込部１２より少し暗くなる範囲で拡
散リング照明２３を調整する。また図６に示す相関アル
ゴリズムは、予め決めらかつ登録された検査領域レチク
ル２７と実際の位置補正レチクル２６間の距離を測定す
ることにより、その補正量を決定する。
【００１６】次にこの補正量を利用する特開昭５７−１
３７９７８号公報に開示するパターン検出装置により半
導体ペレットの位置と回転を検出することによりＸＹス
テージ２０の位置を補正する。
３７９７８号公報に開示するパターン検出装置により半
導体ペレットの位置と回転を検出することによりＸＹス
テージ２０の位置を補正する。
【００１７】この位置補正は、この公報に詳述するよう
に、アナログまたはデジタルの入力データと、予め容易
する基準パターンを現す基準データ間で相関関係を計算
する。 これによりパターン像撮像出力の変動、または
アナログ波形に対しても同一か類似のパターンを安定に
かつ高率で検出できる。
に、アナログまたはデジタルの入力データと、予め容易
する基準パターンを現す基準データ間で相関関係を計算
する。 これによりパターン像撮像出力の変動、または
アナログ波形に対しても同一か類似のパターンを安定に
かつ高率で検出できる。
【００１８】このような操作に当たっては、アナログ信
号あるいはデジタル信号から成るパターン入力データＰ
（ｘ）と、（１）式に基ずく相関係数ｆ（ｘ）の計算に
よりパターンの類似を求める。相関係数計算回路の詳細
は、前記公報にゆずるが、このパターン検出装置は、入
力データを正規化するためにパターン像の輝度に対応す
る信号振幅、明るさに対応する直流成分の変化にも十分
な余裕を備えるパターン検出処理が可能である。
号あるいはデジタル信号から成るパターン入力データＰ
（ｘ）と、（１）式に基ずく相関係数ｆ（ｘ）の計算に
よりパターンの類似を求める。相関係数計算回路の詳細
は、前記公報にゆずるが、このパターン検出装置は、入
力データを正規化するためにパターン像の輝度に対応す
る信号振幅、明るさに対応する直流成分の変化にも十分
な余裕を備えるパターン検出処理が可能である。
【００１９】また２値化を行う必要がなく、相関係数に
雑音が影響する場合は、雑音面積／検出面積であって原
理的に雑音に対して余裕があるので、パターン検出率の
向上と安定化ができる。しかも、アナログ信号波形につ
いてもパターン検出が可能なので、雑音認識：印字文字
認識にも適用可能である。また入力データの縮小や、計
算方法の工夫を行うことにより計算回数を減らし、パタ
ーン所理時間の短縮が可能となる。
雑音が影響する場合は、雑音面積／検出面積であって原
理的に雑音に対して余裕があるので、パターン検出率の
向上と安定化ができる。しかも、アナログ信号波形につ
いてもパターン検出が可能なので、雑音認識：印字文字
認識にも適用可能である。また入力データの縮小や、計
算方法の工夫を行うことにより計算回数を減らし、パタ
ーン所理時間の短縮が可能となる。
【００２０】その詳細は、特開昭５７−１３７９７８号
公報第４４３頁左下９欄の下から２行目から４４４頁右
１２欄の上から６行目にかけの第１実施例ならびにこれ
に続く第２実施例に記載されている。
公報第４４３頁左下９欄の下から２行目から４４４頁右
１２欄の上から６行目にかけの第１実施例ならびにこれ
に続く第２実施例に記載されている。
【００２１】次に第３工程をより詳しく説明すると、位
置補正後のカラー画像に対しては、以下の演算を行って
酸化膜パターン１３とガラス不良部３０（図１３及び図
１４参照）の濃度値が低くなるように濃淡画像を形成す
る。
置補正後のカラー画像に対しては、以下の演算を行って
酸化膜パターン１３とガラス不良部３０（図１３及び図
１４参照）の濃度値が低くなるように濃淡画像を形成す
る。
【００２２】ここで数式１と数式２を示す。
【００２３】
【数１】
【数２】 ただし、Ｐ(i,j) ≧２５５ならば、Ｐ(i,j) ＝２５５と
する。式中のi,j は画像の位置を示す座標である。
する。式中のi,j は画像の位置を示す座標である。
【００２４】このＰ(i,j) 画像に対して、酸化膜パター
ン領域１３を設定しておき、その画像領域をマスクす
る。このマスク後の画像Ｐ′(i,j) について、濃度が低
い部分が不良領域であるので、濃度ヒストグラムを作成
し、しきい値より小さい部分の面積を設定値と比較して
良否判定を行う（図５参照）。
ン領域１３を設定しておき、その画像領域をマスクす
る。このマスク後の画像Ｐ′(i,j) について、濃度が低
い部分が不良領域であるので、濃度ヒストグラムを作成
し、しきい値より小さい部分の面積を設定値と比較して
良否判定を行う（図５参照）。
【００２５】図７乃至図９は図２に示すようにａ線と交
わる位置の酸化物１１、酸化物パターン１３ならびにガ
ラス埋込部１２に対するＲＧＢ濃度値を明らかにしてお
り、図１０は酸化物パターン１３の濃度値を示したもの
である。更に図１１乃至図１３には、図２に記載した線
ｂと酸化物１１、酸化物パターン１３及びガラス埋込部
１２に対するＲＧＢ濃度値を示しており、図１４にガラ
ス不良部３０ならびにペレットコーナ部３１の状態を明
らかにした。
わる位置の酸化物１１、酸化物パターン１３ならびにガ
ラス埋込部１２に対するＲＧＢ濃度値を明らかにしてお
り、図１０は酸化物パターン１３の濃度値を示したもの
である。更に図１１乃至図１３には、図２に記載した線
ｂと酸化物１１、酸化物パターン１３及びガラス埋込部
１２に対するＲＧＢ濃度値を示しており、図１４にガラ
ス不良部３０ならびにペレットコーナ部３１の状態を明
らかにした。
【００２６】図７乃至図９の内、図７は同軸落射照明の
調整具合を説明するもので、酸化物パターン１３のＲ濃
度値が他の成分のそれより大きくなるように調整してあ
る。次の図１１乃至図１３は、数式２の効果を説明する
ものである。即ちガラス不良部分の濃度分布は、ＲＧＢ
成分とも低い濃度値を示しておりまた、各成分の濃度値
が小さいので数式２のＰ値が低くなり不良箇所と断定で
きる。また従来処理で欠陥と誤認し易いペレットコーナ
部３１ではＲＧＢの各成分に濃度差があることが分か
る。
調整具合を説明するもので、酸化物パターン１３のＲ濃
度値が他の成分のそれより大きくなるように調整してあ
る。次の図１１乃至図１３は、数式２の効果を説明する
ものである。即ちガラス不良部分の濃度分布は、ＲＧＢ
成分とも低い濃度値を示しておりまた、各成分の濃度値
が小さいので数式２のＰ値が低くなり不良箇所と断定で
きる。また従来処理で欠陥と誤認し易いペレットコーナ
部３１ではＲＧＢの各成分に濃度差があることが分か
る。
【００２７】従って数式２のＰの成分が大きくなり、ペ
レットコーナ部３１とガラス不良部３０との区別が可能
になる。
レットコーナ部３１とガラス不良部３０との区別が可能
になる。
【００２８】
【発明の効果】このように本発明方法では、従来良品と
区別がつかなかったガラス部分の欠陥を、同軸落射照明
を拡散照明と併用して濃度の低い画素が酸化物パターン
１３に集中することを防止するので発見できる（マスク
使用）。
区別がつかなかったガラス部分の欠陥を、同軸落射照明
を拡散照明と併用して濃度の低い画素が酸化物パターン
１３に集中することを防止するので発見できる（マスク
使用）。
【００２９】また、ガラス部分の欠陥に対しては、１式
を用いることによって半導体チップのコーナ部分におけ
る照明の暗い部分との判別ができ、大きいペレットを照
明することにより生ずる照明ムラや照明にドリフトがあ
る状態でも安定した良否判定が図５のように行える。
を用いることによって半導体チップのコーナ部分におけ
る照明の暗い部分との判別ができ、大きいペレットを照
明することにより生ずる照明ムラや照明にドリフトがあ
る状態でも安定した良否判定が図５のように行える。
【図１】従来の被検査半導体ペレットの位置検出に利用
する装置の概要を示す図である。
する装置の概要を示す図である。
【図２】ガラス埋込部を設置する高耐圧半導体ペレット
の上面図である。
の上面図である。
【図３】本発明の半導体ペレットの外観検査方法に利用
する装置の概要を示す図である。
する装置の概要を示す図である。
【図４】本発明方法における処理手順の各工程を示す図
である。
である。
【図５】本発明方法における良否判定を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明方法に必要な相関アルゴリズムを明らか
にする図である。
にする図である。
【図７】図２のａ線におけるＲ成分濃度値を示す図であ
る。
る。
【図８】図２のａ線におけるＧ成分濃度値を示す図であ
る。
る。
【図９】図２のａ線におけるＲＧＢ成分濃度値を示す図
である。
である。
【図１０】図２のｂ線における酸化物パターンのＲ成分
濃度値を示す図である。
濃度値を示す図である。
【図１１】図２のｂ線におけるＲ成分濃度値を示す図で
ある。
ある。
【図１２】図２のｂ線におけるＢ成分濃度値を示す図で
ある。
ある。
【図１３】図２のｂ線におけるＲＧＢ成分濃度値を示す
図である。
図である。
【図１４】図２のｂ線におけるガラス不良部と半導体ペ
レットの濃度値を示す図である。
レットの濃度値を示す図である。
【図１５】被検査半導体ペレットの不良品を示す上面図
である。
である。
【図１６】被検査半導体ペレットの良品を示す上面図で
ある。
ある。
１、２０：ＸＹステージ、 ２：半導体ペレット、 ３、２１：拡散リング照明、 ４：白黒カメラ、 ５、２４：カメラ制御ユニット、 ６、２５：画像処理装置、 １１：酸化膜、 １２：ガラス埋込部、 １３、酸化物パターン、 １４：電極部、 ２３：カラーカメラ、 ２６：位置補正レチクル、 ２７：検査領域レチクル、、 ２８：記載範囲、 ２９：酸化物マスク用レチクル、 ３０：ガラス不良部、 ３１：ペレットコーナ部。
Claims (4)
- 【請求項１】 照明装置により得られる検査対象の半導
体ペレットのカラーパターン中の酸化膜領域のＲ成分濃
度を他の成分より大きくしたカラー画像に対し、Ｒ成分
に他のカラー画像の差を加えて求めた画像により半導体
ペレットの外観の良否を決定することを特徴とする半導
体ペレットの外観検査方法 - 【請求項２】 前記照明装置に拡散照明と同軸落射照明
を併用することにより、検査対象の半導体ペレットの酸
化膜領域のカラー信号の３原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）成分の明
るさの比率が異なることを利用する前記請求項１記載の
半導体ペレットの外観検査方法 - 【請求項３】 予め用意する基準データと入力データの
制御係数を求める出力回路から、基準データとパターン
が最も一致する入力データを判定回路により判定するこ
とにより、前記検査対象の半導体ペレットの位置を検出
後、カラー信号Ｒ、Ｇ、Ｂにより良否の判定を行うこと
を特徴とする前記請求項１及び請求項２記載の半導体ペ
レットの外観検査方法 - 【請求項４】 最低１つの位置補正用レチクルと、最低
１つの検査対象レチクルを備えることを特徴とする前記
請求項１、請求項２及び請求項３記載の半導体ペレット
の外観検査方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5032361A JPH06252227A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体ペレットの外観検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5032361A JPH06252227A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体ペレットの外観検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252227A true JPH06252227A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12356823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5032361A Pending JPH06252227A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体ペレットの外観検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061337A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｖ溝外観検査装置及び検査方法 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5032361A patent/JPH06252227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061337A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｖ溝外観検査装置及び検査方法 |
| JP4605423B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2011-01-05 | 日立化成工業株式会社 | Ｖ溝外観検査装置及び検査方法 |
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