JPH06232345A - 半導体デバイスにおける静電破壊防止回路およびその形成方法 - Google Patents
半導体デバイスにおける静電破壊防止回路およびその形成方法Info
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- JPH06232345A JPH06232345A JP18698992A JP18698992A JPH06232345A JP H06232345 A JPH06232345 A JP H06232345A JP 18698992 A JP18698992 A JP 18698992A JP 18698992 A JP18698992 A JP 18698992A JP H06232345 A JPH06232345 A JP H06232345A
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Abstract
の抵抗分を保ちつつ、回路全体の配線抵抗を小さくし、
チップサイズの縮小も可能とした半導体デバイスにおけ
る静電破壊防止回路およびその形成方法を提供するこ
と。 【構成】 シリコン単結晶半導体基板上に、出力トラン
ジスタのソース/ドレイン部103を形成し、次に、高
抵抗配線層104とトランジスタのソース/ドレイン部
103とを接続させるコンタクトホール106をホトリ
ソグラフィー/エッチング技術により開孔し、その後、
高抵抗配線層104を形成する。そして、コンタクトホ
ール105を開孔し、出力パッド101及びアルミ配線
102を形成する。静電破壊防止回路としての電圧降下
分の抵抗を得る構成要素としては、高抵抗配線層104
のシート抵抗、コンタクトホール105,106の径、
コンタクトホール103と104の間隔でありこれら3
つの要素を組み合わせる。
Description
具体的には半導体デバイスにおける出力端子側に設けら
れた保護回路に関する。
電破壊防止機能を有する出力保護回路の一構成例を示す
もので、(a)は平面図、(b)はその構成が理解しや
すいように記載した断面図である。
などで形成される出力パッド、符号2は出力端子とポリ
シリコンなどで形成される高抵抗配線3とを結ぶコンタ
クトホール、符号4はその高抵抗配線層3と出力トラン
ジスタへとつながるアルミニウム配線5とを結ぶコンタ
クトホール、符号7はそのアルミニウム配線5とN型も
しくはP型の不純物拡散層で形成される入力トランジス
タのソース/ドレイン部6を結ぶコンタクトホールであ
る。
力パッド部1に静電気による電荷が印加された場合には
出力トランジスタのソース・ドレイン間降伏により電流
が流れるが、高抵抗配線層3による電圧降下によって出
力トランジスタにかかるストレスを緩和させて、出力ト
ランジスタを保護するというものであった。
(a),(b)の回路では、出力パッド1と出力トラン
ジスタのソース/ドレイン部6との間に高抵抗配線層3
が直列に接続されている。このため、高抵抗配線層3に
よる配線抵抗分が大きくなり、デバイス全体の回路動作
スピードが遅くなるという問題があった。また、高抵抗
配線層3の占める面積が大きく、チップサイズの縮小化
の妨げになるという問題があった。
問題点とチップサイズの縮小化の妨げになるという問題
点を除去し、静電気による電荷に対しては充分な電圧降
下の抵抗分を保ちつつ、回路全体の配線抵抗を小さく
し、チップサイズの縮小も可能とした半導体デバイスに
おける静電破壊防止回路およびその形成方法を提供する
ことを目的とする。
の課題を解決するために、出力パッドに加わった静電気
より内部回路を保護する半導体デバイスにおける静電破
壊防止回路は、出力トランジスタのソース/ドレイン部
となる拡散層の上に、第1のコンタクトホールを介して
静電気による電荷の電圧降下を行う高抵抗配線層を配置
し、高抵抗配線層の上に第2のコンタクトホールを介し
て出力パッドと接続される金属配線を配置した。
った静電気より内部回路を保護する半導体デバイスにお
ける静電破壊防止回路の形成方法は、トランジスタのソ
ース/ドレイン部と高抵抗配線層を接続する第1のコン
タクトホールを形成する工程と、高抵抗配線層と出力パ
ッドに連結する金属配線とを接続する第2のコンタクト
ホールを形成する工程とを含み、第1のコンタクトホー
ルと第2のコンタクトホールとが互いに隣接し合うよう
にパターン形成される。
デバイスにおける静電破壊防止回路およびその形成方法
の実施例を詳細に説明する。
の一実施例を示す平面図及びその概略断面図である。以
下、これら図を参照して本実施例を説明する。
力トランジスタのソース/ドレイン部103となるN型
の不純物拡散層をヒ素などをイオン注入することにより
形成する。その後、常圧CVD法によりシリコン基板上
にSiO2 膜を全面に生成させる。
のソース/ドレイン部103とを接続させるコンタクト
ホール106をホトリソグラフィー/エッチング技術に
より開孔させる。
リコンを堆積させてヒ素などのイオン注入を行い、この
ポリシリコン膜の抵抗を調整し、ホトリソグラフィー/
エッチング技術により高抵抗配線層104を形成する。
を堆積させる。その後、出力パッド101から続いてい
るアルミ配線102と先述した高抵抗配線層104とを
接続するコンタクトホール105をホトリソグラフィー
/エッチング技術により開孔する。その後スパッタ法な
どによりアルミニウムを堆積させ、ホトリソグラフィー
/エッチング技術により出力パッド101及びアルミ配
線102を形成する。
抗を得る構成要素としては、(1)高抵抗配線層104
のシート抵抗、(2)コンタクトホール105,106
の径、(3)コンタクトホール103と104の間隔で
あり、これら3つの要素を適宜組み合わせて実現でき
る。
で定義される。この場合、上述した(1)がρS 、
(2)がW、(3)がLに該当するからである。なお、
図1にLとWの関係を図示した。
増やせばL,W,ρS で決まる抵抗Rが、出力パッド1
01とトランジスタのソース/ドレイン部103の間で
みるとそれだけ並列に入ることになり回路全体としては
配線抵抗が小さくなるという効果を生む。
1(a)と図2(a)を比較して明らかなように、出力
パッド101とアルミ配線102の間に高抵抗配線層が
無いため、それだけ、パターンレイアウトを縮めること
ができる。
る電荷の電圧降下に必要な高抵抗配線層を、アルミ配線
とトランジスタのソース/ドレイン部となる拡散層との
間に配置することにより、出力パッドからソース/ドレ
イン部までの抵抗がコンタクト間の配線抵抗の並列配置
により小さくなる。また、出力パッドとアルミ配線の間
に高抵抗配線層が不要となるため、回路の動作スピード
が速くなり、かつチップ面積の縮小化が図れることが期
待できる。
回路の一実施例を示す平面及び断面。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 出力端子に加わった静電気より内部回路
を保護する半導体デバイスにおける静電破壊防止回路に
おいて、 出力トランジスタのソース/ドレイン部となる拡散層の
上に、第1のコンタクトホールを介して静電気による電
荷の電圧降下を行う高抵抗配線層を配置し、 前記高抵抗配線層の上に第2のコンタクトホールを介し
て前記出力端子と接続される金属配線を配置したことを
特徴とする半導体デバイスにおける静電破壊防止回路。 - 【請求項2】 出力端子に加わった静電気より内部回路
を保護する半導体デバイスにおける静電破壊防止回路の
形成方法において、 トランジスタのソース/ドレイン部と高抵抗配線層を接
続する第1のコンタクトホールを形成する工程と、 前記高抵抗配線層と出力端子に連結する金属配線とを接
続する第2のコンタクトホールを形成する工程とを含
み、 前記第1のコンタクトホールと第2のコンタクトホール
とが互いに隣接し合うようにパターン形成されることを
特徴とする半導体デバイスにおける静電破壊防止回路の
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04186989A JP3128334B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04186989A JP3128334B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232345A true JPH06232345A (ja) | 1994-08-19 |
JP3128334B2 JP3128334B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16198259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04186989A Expired - Fee Related JP3128334B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3128334B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414341B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Input/output protective device |
US7323717B2 (en) | 1996-12-30 | 2008-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2009075506A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2009176773A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
EP3232184A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-18 | Sorter Spolka Jawna Konrad Grzeszczyk Michal Ziomek | Surface source of side light |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP04186989A patent/JP3128334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7550325B2 (en) | 1996-12-30 | 2009-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an active matrix display device |
US6414341B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Input/output protective device |
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JP2009176773A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
EP3232184A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-18 | Sorter Spolka Jawna Konrad Grzeszczyk Michal Ziomek | Surface source of side light |
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JP3128334B2 (ja) | 2001-01-29 |
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