JPH0621735A - ソリッドステート高パワー増幅器モジュール - Google Patents
ソリッドステート高パワー増幅器モジュールInfo
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- JPH0621735A JPH0621735A JP3343611A JP34361191A JPH0621735A JP H0621735 A JPH0621735 A JP H0621735A JP 3343611 A JP3343611 A JP 3343611A JP 34361191 A JP34361191 A JP 34361191A JP H0621735 A JPH0621735 A JP H0621735A
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- Japan
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- module
- tray
- coupling
- conductive
- duct
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】マイクロ波出力増巾ユニットにおいて、ラジア
ル結合器の周囲に取り付け可能なモジュールの数を増加
させ、それにもかゝわらず冷却用空気の流れも改善させ
る。 【構成】図４は、本発明の１側面に基づいて、どの様に
して、より多くのモジュールをラジアル結合器へ取付け
ることが可能であるかということを示している。モジュ
ール６は、プレナム４６を付加した点を除いて、従来の
モジュールと、外側部分に関しては同一である。この特
定の実施例においては、プレナム４６の断面が増幅器セ
クション１０の断面の延長上に存在しており且つ端部２
８へ結合されており、従って傾斜セクション４８を介し
て、ダクト１２内の通路の端部へ結合されている。プレ
ナム４６はダクト１２の延長部とすることが可能であ
る。
ル結合器の周囲に取り付け可能なモジュールの数を増加
させ、それにもかゝわらず冷却用空気の流れも改善させ
る。 【構成】図４は、本発明の１側面に基づいて、どの様に
して、より多くのモジュールをラジアル結合器へ取付け
ることが可能であるかということを示している。モジュ
ール６は、プレナム４６を付加した点を除いて、従来の
モジュールと、外側部分に関しては同一である。この特
定の実施例においては、プレナム４６の断面が増幅器セ
クション１０の断面の延長上に存在しており且つ端部２
８へ結合されており、従って傾斜セクション４８を介し
て、ダクト１２内の通路の端部へ結合されている。プレ
ナム４６はダクト１２の延長部とすることが可能であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＲＦ（無線周波数）増幅
の技術分野に関するものであって、更に詳細には、ＲＦ
波のパルスの増幅技術に関するものである。
の技術分野に関するものであって、更に詳細には、ＲＦ
波のパルスの増幅技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】クライストロンでＲＦ即ち無線周波数の
パワーを発生する初期的なコストは、多数のソリッドス
テート増幅器の出力を結合させることによりそれを発生
するものよりも低いが、クライストロンの寿命は比較的
短いので、長期的なコストは割高となる。更に、クライ
ストロンが故障すると、全てのＲＦパワーが喪失される
が、二三個のソリッドステート増幅器が故障する場合で
あっても、ＲＦパワーの一部が喪失されるに過ぎない。
パワーを発生する初期的なコストは、多数のソリッドス
テート増幅器の出力を結合させることによりそれを発生
するものよりも低いが、クライストロンの寿命は比較的
短いので、長期的なコストは割高となる。更に、クライ
ストロンが故障すると、全てのＲＦパワーが喪失される
が、二三個のソリッドステート増幅器が故障する場合で
あっても、ＲＦパワーの一部が喪失されるに過ぎない。
【０００３】多数のソリッドステート増幅器の出力パワ
ーを結合する一つの有利な方法は、複数個のモジュール
の各々において多数の増幅器を並列的に動作させ且つ該
モジュールのＲＦ出力を、例えばＢｏｂｂｙ Ｊ． Ｓ
ａｎｄｅｒｓ著「ラジアル結合器がハイブリッドの周り
の円を走行（Ｒａｄｉａｌ Ｃｏｍｂｉｎｅｒ Ｒｕｎ
ｓ Ｃｉｒｃｌｅｓ Ａｒｏｕｎｄ Ｈｙｂｒｉｄ
ｓ）」、マイクロウエーブ、１９８０年１１月、５５−
５８頁の文献及びＳｔｅｐｈｅｎ Ｊ． Ｆｏｔｅｅｔ
ａｌ著「６０ウエイラジアル結合器は分離器を使用せ
ず（６０ ＷａｙＲａｄｉａｌ Ｃｏｍｂｉｎｅｒ Ｕ
ｓｅｓ Ｎｏ Ｉｓｏｌａｔｏｒｓ）」、マイクロウエ
ーブ、１９８４年７月、９６−１００，１１８頁の文献
に記載されるようなラジアル（半径方向）結合器へ印加
させることである。ラジアル結合器は、離隔した円形状
の複数個の導電性プレートから構成されており、該プレ
ートはその周囲において導入されるＲＦエネルギを該プ
レートの一つの中心にある出力電極へ導通させるラジア
ル即ち半径方向の導波路を形成している。該モジュール
の出力端はこれらのプレートの周囲即ち円周上のそれぞ
れの点へ結合されており、従ってそれらの出力の和が該
出力電極に表われる。
ーを結合する一つの有利な方法は、複数個のモジュール
の各々において多数の増幅器を並列的に動作させ且つ該
モジュールのＲＦ出力を、例えばＢｏｂｂｙ Ｊ． Ｓ
ａｎｄｅｒｓ著「ラジアル結合器がハイブリッドの周り
の円を走行（Ｒａｄｉａｌ Ｃｏｍｂｉｎｅｒ Ｒｕｎ
ｓ Ｃｉｒｃｌｅｓ Ａｒｏｕｎｄ Ｈｙｂｒｉｄ
ｓ）」、マイクロウエーブ、１９８０年１１月、５５−
５８頁の文献及びＳｔｅｐｈｅｎ Ｊ． Ｆｏｔｅｅｔ
ａｌ著「６０ウエイラジアル結合器は分離器を使用せ
ず（６０ ＷａｙＲａｄｉａｌ Ｃｏｍｂｉｎｅｒ Ｕ
ｓｅｓ Ｎｏ Ｉｓｏｌａｔｏｒｓ）」、マイクロウエ
ーブ、１９８４年７月、９６−１００，１１８頁の文献
に記載されるようなラジアル（半径方向）結合器へ印加
させることである。ラジアル結合器は、離隔した円形状
の複数個の導電性プレートから構成されており、該プレ
ートはその周囲において導入されるＲＦエネルギを該プ
レートの一つの中心にある出力電極へ導通させるラジア
ル即ち半径方向の導波路を形成している。該モジュール
の出力端はこれらのプレートの周囲即ち円周上のそれぞ
れの点へ結合されており、従ってそれらの出力の和が該
出力電極に表われる。
【０００４】該モジュールの冷却は以下の如くに行なわ
れる。ソリッドステート増幅器を包含する電子部品がト
レイのベースの片側に装着されており、且つ冷却用空気
のための通路が反対側に装着されている。その構成は、
それがラジアル結合器の円周状端部へ結合される点にお
けるモジュールの厚さが、該電気的部品を包含するモジ
ュールの側部の厚さと該冷却用空気通路の厚さの和であ
るようなものであった。
れる。ソリッドステート増幅器を包含する電子部品がト
レイのベースの片側に装着されており、且つ冷却用空気
のための通路が反対側に装着されている。その構成は、
それがラジアル結合器の円周状端部へ結合される点にお
けるモジュールの厚さが、該電気的部品を包含するモジ
ュールの側部の厚さと該冷却用空気通路の厚さの和であ
るようなものであった。
【０００５】勿論、全出力パワーは、ラジアル結合器へ
結合されているモジュールの数と各モジュール内に収納
されているソリッドステート増幅器の数との積に比例し
ている。ラジアル結合器の円周即ち周囲へ結合させるこ
との可能なモジュールの数はそれらの厚さに依存してい
る。ラジアル結合器の周囲乃至は円周の長さは関与する
ＲＦ即ち無線周波数に依存するものであるから、使用す
ることが可能な任意の与えられた厚さのモジュール数に
は制限が存在している。１個のモジュールにおいて使用
することが可能な増幅器の数は、ＲＦエネルギをそれら
へ結合させる回路に対する公差条件により制限されてい
る。
結合されているモジュールの数と各モジュール内に収納
されているソリッドステート増幅器の数との積に比例し
ている。ラジアル結合器の円周即ち周囲へ結合させるこ
との可能なモジュールの数はそれらの厚さに依存してい
る。ラジアル結合器の周囲乃至は円周の長さは関与する
ＲＦ即ち無線周波数に依存するものであるから、使用す
ることが可能な任意の与えられた厚さのモジュール数に
は制限が存在している。１個のモジュールにおいて使用
することが可能な増幅器の数は、ＲＦエネルギをそれら
へ結合させる回路に対する公差条件により制限されてい
る。
【０００６】該増幅器に対する動作電圧乃至は電位は、
通常、該増幅器と同一のプリント回路基板上に装着され
ている格納コンデンサにより供給される。ある構成にお
いては、該格納コンデンサは該増幅器の間に装着されて
おり、それらに対して及びそれらからそれぞれパワー即
ち電力を結合させるシリアルスプリッタ（直列分割器）
及びシリアルコンバイナ（直列結合器）の長さ、従って
パワーロス（即ち電力損失）を増加させている。他の構
成においては、該格納コンデンサはそれぞれの増幅器の
上部に装着されており、従って、１個の増幅器が置換さ
れる場合に、該格納コンデンサは半田付けを解除し且つ
再度半田付けされねばならない。
通常、該増幅器と同一のプリント回路基板上に装着され
ている格納コンデンサにより供給される。ある構成にお
いては、該格納コンデンサは該増幅器の間に装着されて
おり、それらに対して及びそれらからそれぞれパワー即
ち電力を結合させるシリアルスプリッタ（直列分割器）
及びシリアルコンバイナ（直列結合器）の長さ、従って
パワーロス（即ち電力損失）を増加させている。他の構
成においては、該格納コンデンサはそれぞれの増幅器の
上部に装着されており、従って、１個の増幅器が置換さ
れる場合に、該格納コンデンサは半田付けを解除し且つ
再度半田付けされねばならない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に基づいて構成さ
れたモジュールは、冷却用の通路へ適切な冷却用空気の
流れが与えられることを可能としながら、従来可能であ
った場合よりもより多くのモジュールをラジアル結合器
の周囲即ち円周上に取付けることが可能であるように構
成されている。簡単に説明すると、そのことは、該モジ
ュールの一端に沿ってプレナムを付加し且つそれを冷却
用通路と結合させることにより達成されている。該プレ
ナムは該モジュールの残部よりも厚さが薄く、且つより
多くのモジュールを使用することが可能であるようにラ
ジアル結合器の円周状端部へ取付けられている。
れたモジュールは、冷却用の通路へ適切な冷却用空気の
流れが与えられることを可能としながら、従来可能であ
った場合よりもより多くのモジュールをラジアル結合器
の周囲即ち円周上に取付けることが可能であるように構
成されている。簡単に説明すると、そのことは、該モジ
ュールの一端に沿ってプレナムを付加し且つそれを冷却
用通路と結合させることにより達成されている。該プレ
ナムは該モジュールの残部よりも厚さが薄く、且つより
多くのモジュールを使用することが可能であるようにラ
ジアル結合器の円周状端部へ取付けられている。
【０００８】本発明の別の側面によれば、増幅器に対し
て容易なアクセスを与えると共に並列的に動作される多
数の増幅器に対し直列分割器（シリアルスプリッタ）及
び直列結合器（シリアルコンバイナ）が最小の長さを有
するものであるようにモジュールが構成されている。こ
のことは、ソリッドステートＲＦパワーアンプ用のＲＦ
回路基板の上方に着脱自在に位置させた別体のプリント
回路コンデンサ基板上に格納コンデンサを装着させ、且
つ該コンデンサを、圧縮状態に保持される導電性スプリ
ングフィンガを介して、該アンプ（増幅器）の適宜の電
極へ接続させることにより達成される。
て容易なアクセスを与えると共に並列的に動作される多
数の増幅器に対し直列分割器（シリアルスプリッタ）及
び直列結合器（シリアルコンバイナ）が最小の長さを有
するものであるようにモジュールが構成されている。こ
のことは、ソリッドステートＲＦパワーアンプ用のＲＦ
回路基板の上方に着脱自在に位置させた別体のプリント
回路コンデンサ基板上に格納コンデンサを装着させ、且
つ該コンデンサを、圧縮状態に保持される導電性スプリ
ングフィンガを介して、該アンプ（増幅器）の適宜の電
極へ接続させることにより達成される。
【０００９】
【実施例】全図面を介して、同一の構成要素には同一の
参照番号が付してある。図１，２，３は従来技術を示し
ている。図１は、出力端子４を具備するラジアル結合器
の上部プレート２、及びその円周端８の周りに取付けた
複数個のモジュール６を示している。プレート２に対す
る接続点におけるモジュール６の円周方向厚さは、ＲＦ
増幅器セクション１０の厚さと冷却用ダクト１２の厚さ
との和である。
参照番号が付してある。図１，２，３は従来技術を示し
ている。図１は、出力端子４を具備するラジアル結合器
の上部プレート２、及びその円周端８の周りに取付けた
複数個のモジュール６を示している。プレート２に対す
る接続点におけるモジュール６の円周方向厚さは、ＲＦ
増幅器セクション１０の厚さと冷却用ダクト１２の厚さ
との和である。
【００１０】図２において、ラジアル結合器の底部円形
状プレート１４が、プレート１４と同軸状でありそれか
ら垂下した中空円筒１６に沿って示されている。供給源
１８からのＲＦ信号が、ケーブル２０を介して、ラジア
ル導体２４の形態でスプリッタ即ち分割器の中心２２へ
供給される。導体２４は、更に、図１において、点線で
示されている。ラジアル導体２４の数は、モジュール６
の数の半分であり、且つウイルキンソン（Ｗｉｌｋｉｎ
ｓｏｎ）分割器が、各導体の外側端を、隣接するモジュ
ールの入力端子２６へ結合している。該モジュールの出
力端子２７は、ラジアル結合器２，４，１４の円周へ結
合されている。
状プレート１４が、プレート１４と同軸状でありそれか
ら垂下した中空円筒１６に沿って示されている。供給源
１８からのＲＦ信号が、ケーブル２０を介して、ラジア
ル導体２４の形態でスプリッタ即ち分割器の中心２２へ
供給される。導体２４は、更に、図１において、点線で
示されている。ラジアル導体２４の数は、モジュール６
の数の半分であり、且つウイルキンソン（Ｗｉｌｋｉｎ
ｓｏｎ）分割器が、各導体の外側端を、隣接するモジュ
ールの入力端子２６へ結合している。該モジュールの出
力端子２７は、ラジアル結合器２，４，１４の円周へ結
合されている。
【００１１】モジュール６の冷却は、図３に斜視図で示
したダクト１２の垂直端２８を、図２に示した円筒１６
における軸方向スリット３０と整合させ、且つ接続部を
ガスケット３２又は点線で示したその他の適宜の手段で
封止することにより達成される。別の中空円筒３４が、
円筒１６の底部に取付けられている環状ディスク３６の
中心に装着されており、且つ円筒３４内に装着されてい
るファン３８はモータ４０により回転される。冷却用空
気は、ファン３８の作用により、矢印４２によって示し
た如く、円筒１６を介して流動し、且つ各モジュールの
側部上のダクト６及びスリット３０を介して流れる。好
適には、ダクト６は、円筒１６の軸に対して垂直な複数
個の通路４４（図３参照）に分割されている。従って、
円筒１６に対する結合点における１個のモジュールの円
周方向寸法は、増幅器セクション１０の厚さとダクト１
２の厚さとの和である。
したダクト１２の垂直端２８を、図２に示した円筒１６
における軸方向スリット３０と整合させ、且つ接続部を
ガスケット３２又は点線で示したその他の適宜の手段で
封止することにより達成される。別の中空円筒３４が、
円筒１６の底部に取付けられている環状ディスク３６の
中心に装着されており、且つ円筒３４内に装着されてい
るファン３８はモータ４０により回転される。冷却用空
気は、ファン３８の作用により、矢印４２によって示し
た如く、円筒１６を介して流動し、且つ各モジュールの
側部上のダクト６及びスリット３０を介して流れる。好
適には、ダクト６は、円筒１６の軸に対して垂直な複数
個の通路４４（図３参照）に分割されている。従って、
円筒１６に対する結合点における１個のモジュールの円
周方向寸法は、増幅器セクション１０の厚さとダクト１
２の厚さとの和である。
【００１２】図４，５，６は、大略、図１，２，３にそ
れぞれ対応しているが、本発明の１側面に基づいて、ど
の様にして、より多くのモジュールをラジアル結合器へ
取付けることが可能であるかということを示している。
モジュール６は、プレナム４６を付加した点を除いて、
従来のモジュールと、外側部分に関しては同一である。
この特定の実施例においては、プレナム４６の断面が増
幅器セクション１０の断面の延長上に存在しており且つ
端部２８へ結合されており、従って傾斜セクション４８
を介して、ダクト１２内の通路４４の端部へ結合されて
いる。この構成のこれらの要素は、図６に更に詳細に示
されている。一方、例えば、プレナム４６はダクト１２
の延長部とすることが可能である。
れぞれ対応しているが、本発明の１側面に基づいて、ど
の様にして、より多くのモジュールをラジアル結合器へ
取付けることが可能であるかということを示している。
モジュール６は、プレナム４６を付加した点を除いて、
従来のモジュールと、外側部分に関しては同一である。
この特定の実施例においては、プレナム４６の断面が増
幅器セクション１０の断面の延長上に存在しており且つ
端部２８へ結合されており、従って傾斜セクション４８
を介して、ダクト１２内の通路４４の端部へ結合されて
いる。この構成のこれらの要素は、図６に更に詳細に示
されている。一方、例えば、プレナム４６はダクト１２
の延長部とすることが可能である。
【００１３】次に、ラジアル結合器を使用する送信器を
示した図７のブロック図を参照して説明する。例えば１
ワットなどの低パワーＲＦ信号が制御ユニット５０へ供
給される。制御ユニット５０は、電源５２をターンオン
又はターンオフし、冷却用空気のブロア３８，４０を制
御し、且つケーブル５３を介して遠隔モニタ５４に対し
欠陥信号を供給する。制御ユニット５０は、更に、ＲＦ
信号を、例えば図２のラジアル導体２４などのようなス
プリッタ即ち分割器５６へ供給し、該スプリッタ５６は
該ＲＦ信号をモジュールの入力端子２６へ供給する。該
モジュールはブロック５８で表わしてある。モジュール
６の出力端子２７は、ブロック６０によって表わされる
ラジアル結合器へ結合され、且つその出力端子４は、結
合器６２によって、本システムの出力端子６４へ結合さ
れる。出力端子６４におけるパワー即ち電力の大きさは
図示していない手段によりモニタされ、且つその表示
は、リード６５を介して、制御ユニット５０へ送られ
る。次いで、その表示は、ケーブル５３を介して、遠隔
モニタ５４へ送られる。モジュール５８において発生す
る欠陥は、リード６６により担持されて制御ユニット５
０へ供給され、且つケーブル５３を介して、モニタ５４
へ送られる。関与する特定のモジュールは、制御ユニッ
ト５０からのアドレスにより選択される。
示した図７のブロック図を参照して説明する。例えば１
ワットなどの低パワーＲＦ信号が制御ユニット５０へ供
給される。制御ユニット５０は、電源５２をターンオン
又はターンオフし、冷却用空気のブロア３８，４０を制
御し、且つケーブル５３を介して遠隔モニタ５４に対し
欠陥信号を供給する。制御ユニット５０は、更に、ＲＦ
信号を、例えば図２のラジアル導体２４などのようなス
プリッタ即ち分割器５６へ供給し、該スプリッタ５６は
該ＲＦ信号をモジュールの入力端子２６へ供給する。該
モジュールはブロック５８で表わしてある。モジュール
６の出力端子２７は、ブロック６０によって表わされる
ラジアル結合器へ結合され、且つその出力端子４は、結
合器６２によって、本システムの出力端子６４へ結合さ
れる。出力端子６４におけるパワー即ち電力の大きさは
図示していない手段によりモニタされ、且つその表示
は、リード６５を介して、制御ユニット５０へ送られ
る。次いで、その表示は、ケーブル５３を介して、遠隔
モニタ５４へ送られる。モジュール５８において発生す
る欠陥は、リード６６により担持されて制御ユニット５
０へ供給され、且つケーブル５３を介して、モニタ５４
へ送られる。関与する特定のモジュールは、制御ユニッ
ト５０からのアドレスにより選択される。
【００１４】図８はモジュール６の概略図である。入力
端子２６上の信号は、手段６５により位相調節され、且
つ、利得制御型増幅器６６及び２個の並列ドライバ増幅
器６８及び７０を介して、直列分割器７２の一端部へ印
加される。分割器７２は、それに沿ってのそれぞれの点
において、コンデンサ７４，７６，７８，８０，８２，
８４，８６及びインダクタ９０，９２，９４，９６，９
８，１００，１０２，１０４によって概略的に示されて
いるマッチング回路を介して、パワーアンプ１０６，１
０８，１１０，１１２，１１４，１１６，１１８，１２
０のエミッタへそれぞれ結合されている。該直列分割器
は、同一の量のＲＦパワーをパワーアンプの各々へ供給
するために図示していない回路要素を有している。１個
のモジュールにおいて使用することが可能なアンプ即ち
増幅器の数の実際上の制限を設定するものはこれらの回
路の公差である。
端子２６上の信号は、手段６５により位相調節され、且
つ、利得制御型増幅器６６及び２個の並列ドライバ増幅
器６８及び７０を介して、直列分割器７２の一端部へ印
加される。分割器７２は、それに沿ってのそれぞれの点
において、コンデンサ７４，７６，７８，８０，８２，
８４，８６及びインダクタ９０，９２，９４，９６，９
８，１００，１０２，１０４によって概略的に示されて
いるマッチング回路を介して、パワーアンプ１０６，１
０８，１１０，１１２，１１４，１１６，１１８，１２
０のエミッタへそれぞれ結合されている。該直列分割器
は、同一の量のＲＦパワーをパワーアンプの各々へ供給
するために図示していない回路要素を有している。１個
のモジュールにおいて使用することが可能なアンプ即ち
増幅器の数の実際上の制限を設定するものはこれらの回
路の公差である。
【００１５】パワーアンプ１０６，１０８，１１０，１
１２，１１４，１１６，１１８，１２０のコレクタは、
それぞれ、コンデンサ１２４，１２６，１２８，１３
０，１３２，１３４，１３６，１３８により表わされる
マッチング回路を介して、直列結合器１２２へ結合され
ている。
１２，１１４，１１６，１１８，１２０のコレクタは、
それぞれ、コンデンサ１２４，１２６，１２８，１３
０，１３２，１３４，１３６，１３８により表わされる
マッチング回路を介して、直列結合器１２２へ結合され
ている。
【００１６】パワーアンプ１０６，１０８，１１０，１
１２，１１４，１１６，１１８のコレクタに対する動作
電圧は以下の態様で供給される。適宜のＤＣ電圧がＤＣ
バス１４０へ印加され、且つ格納コンデンサＣ１−Ｃ８
が、バス１４０に沿っての離隔した点から接地バス１４
２に沿っての離隔した点へ接続されている。後に説明す
る如く、格納コンデンサＣ１−Ｃ８の各々は、歪を防止
するために異なった放電特性を持った多数のコンデンサ
から構成されている。
１２，１１４，１１６，１１８のコレクタに対する動作
電圧は以下の態様で供給される。適宜のＤＣ電圧がＤＣ
バス１４０へ印加され、且つ格納コンデンサＣ１−Ｃ８
が、バス１４０に沿っての離隔した点から接地バス１４
２に沿っての離隔した点へ接続されている。後に説明す
る如く、格納コンデンサＣ１−Ｃ８の各々は、歪を防止
するために異なった放電特性を持った多数のコンデンサ
から構成されている。
【００１７】本発明によれば、バス１４０，１４２及び
コンデンサＣ１−Ｃ８が、図９乃至１３に示した如く、
コンデンサ基板ＣＢ上に装着されている。そのコンデン
サ基板ＣＢは、パワーアンプ１０８，１１０，１１２，
１１４，１１６，１１８，１２０及びそれらの結合回路
が装着されているＲＦ基板ＲＦＢとは別体である。図８
において、コンデンサ基板上のバス１４０に沿っての種
々の離隔した点は、導電性スプリングフィンガＦ１−Ｆ
７を介して、ＲＦ基板上のパッドＰ１−Ｐ７へ接続され
ている。該パッドは、個別的な寄生サプレサＬ，Ｒを介
して、パワーアンプ１０６，１０８，１１０，１１２，
１１４，１１６，１１８，１２０のコレクタへそれぞれ
接続されている。
コンデンサＣ１−Ｃ８が、図９乃至１３に示した如く、
コンデンサ基板ＣＢ上に装着されている。そのコンデン
サ基板ＣＢは、パワーアンプ１０８，１１０，１１２，
１１４，１１６，１１８，１２０及びそれらの結合回路
が装着されているＲＦ基板ＲＦＢとは別体である。図８
において、コンデンサ基板上のバス１４０に沿っての種
々の離隔した点は、導電性スプリングフィンガＦ１−Ｆ
７を介して、ＲＦ基板上のパッドＰ１−Ｐ７へ接続され
ている。該パッドは、個別的な寄生サプレサＬ，Ｒを介
して、パワーアンプ１０６，１０８，１１０，１１２，
１１４，１１６，１１８，１２０のコレクタへそれぞれ
接続されている。
【００１８】直列結合器１２２は、リード１４２及びサ
ーキュレータ１４４を介して、該モジュールに対する出
力端子２７へ結合されている。リード１４２へ結合され
ている検知器回路１４６は、リード１４７上にＤＣ電圧
を供給し、該電圧は該モジュールにより供給されたＲＦ
出力パワーを表わしている。リード１４７は、リード１
４９上の電圧を増幅器６６のＡＧＣ制御入力端へ供給す
る制御基板１４８へ接続されている。該モジュールの動
作に関係するデータは、制御基板１４８により、該モジ
ュールがアドレスライン１５４上でアドレスされる場合
に、データライン１５２を介して、制御ユニット５０
（図７）へ供給される。該データは、更に、ケーブル５
３を介して、遠隔モニタ５４へ中継される。
ーキュレータ１４４を介して、該モジュールに対する出
力端子２７へ結合されている。リード１４２へ結合され
ている検知器回路１４６は、リード１４７上にＤＣ電圧
を供給し、該電圧は該モジュールにより供給されたＲＦ
出力パワーを表わしている。リード１４７は、リード１
４９上の電圧を増幅器６６のＡＧＣ制御入力端へ供給す
る制御基板１４８へ接続されている。該モジュールの動
作に関係するデータは、制御基板１４８により、該モジ
ュールがアドレスライン１５４上でアドレスされる場合
に、データライン１５２を介して、制御ユニット５０
（図７）へ供給される。該データは、更に、ケーブル５
３を介して、遠隔モニタ５４へ中継される。
【００１９】次に、本発明に基づいて構成されたモジュ
ールの物理的実施例の説明のために図９−１３を参照す
る。図面を簡単化するために、パワーアンプ１０６，１
０８，１１０，１１２，１１４，１１６，１１８，１２
０のうちの最初の６個のみが示されている。
ールの物理的実施例の説明のために図９−１３を参照す
る。図面を簡単化するために、パワーアンプ１０６，１
０８，１１０，１１２，１１４，１１６，１１８，１２
０のうちの最初の６個のみが示されている。
【００２０】図５のスプリッタ即ち分割器から本モジュ
ールの入力端子２６へ供給されるＲＦ信号は、手段６５
により位相調節され、且つ入力プリント回路基板ＩＢ上
の利得制御型増幅器６６及びドライバ６８及び７０によ
り増幅される。基板ＩＢは外部壁１６０，１６２，１６
４，１６６を具備すると共に、ベース１５６から観察者
に向かって上方に延在している内部壁１６８及び１７０
を具備する金属トレイ１５８のベース１５６へ取付けら
れている。入力基板ＩＢは、外部壁１６２と内部壁１６
８との間にあり、且つ増幅器６８，７０の出力端は、内
部壁１６８の左側に沿って走行する直列分割器７２の下
端へ結合されている。パワーアンプ１０６，１０８，１
１０，１１２，１１４，１１６は、トレイ１５８のベー
ス１５６を露出させるために、基板ＲＦＢを介して延在
するＲＦ増幅器基板ＲＦＢ内のそれぞれの開口１０
６′，１０８′，１１０′，１１２′，１１４′，１１
６′内に装着されている。その他の増幅器に対するマッ
チング回路は同一であるので、パワーアンプ１１６に対
するマッチング回路についてのみ説明する。更に、マッ
チング回路の詳細の全ては、当業者にとって公知である
ので、その詳細な説明は割愛する。
ールの入力端子２６へ供給されるＲＦ信号は、手段６５
により位相調節され、且つ入力プリント回路基板ＩＢ上
の利得制御型増幅器６６及びドライバ６８及び７０によ
り増幅される。基板ＩＢは外部壁１６０，１６２，１６
４，１６６を具備すると共に、ベース１５６から観察者
に向かって上方に延在している内部壁１６８及び１７０
を具備する金属トレイ１５８のベース１５６へ取付けら
れている。入力基板ＩＢは、外部壁１６２と内部壁１６
８との間にあり、且つ増幅器６８，７０の出力端は、内
部壁１６８の左側に沿って走行する直列分割器７２の下
端へ結合されている。パワーアンプ１０６，１０８，１
１０，１１２，１１４，１１６は、トレイ１５８のベー
ス１５６を露出させるために、基板ＲＦＢを介して延在
するＲＦ増幅器基板ＲＦＢ内のそれぞれの開口１０
６′，１０８′，１１０′，１１２′，１１４′，１１
６′内に装着されている。その他の増幅器に対するマッ
チング回路は同一であるので、パワーアンプ１１６に対
するマッチング回路についてのみ説明する。更に、マッ
チング回路の詳細の全ては、当業者にとって公知である
ので、その詳細な説明は割愛する。
【００２１】増幅器１１６用のベース電極が、トレイ１
５８のベース１５６へ螺着されている上部及び底部フラ
ンジ１７２及び１７４へ接続されており、従って熱は、
トランジスタ増幅器１１６から直接的にベースへ通過す
ることが可能である。従って、只一つの金属対金属のイ
ンターフェース即ち界面が存在するに過ぎないが、一方
その上に該回路が形成されている基板の下側に存在する
ＲＦＢの金属接地面上にトランジスタ１１６を装着する
ことは二つの金属対金属のインターフェースを有するこ
ととなる。増幅器１１６のエミッタリード１７６がプリ
ントされたマッチング回路１７８の一端へ半田付けされ
ており、且つ他端は直列分割器７２へ接続されている。
コレクタリード１８０がプリントされたマッチング回路
１８２の一端へ半田付けされており、且つ他端は直列結
合器１２２へ接続されている。増幅器１１６のコレクタ
電極用のＤＣ電圧は、パッドＰ５へ接続されている寄生
サプレサ１８４を介して供給される。パッドＰ５へ電圧
を印加することについて、図１０及び１１を参照して説
明する。
５８のベース１５６へ螺着されている上部及び底部フラ
ンジ１７２及び１７４へ接続されており、従って熱は、
トランジスタ増幅器１１６から直接的にベースへ通過す
ることが可能である。従って、只一つの金属対金属のイ
ンターフェース即ち界面が存在するに過ぎないが、一方
その上に該回路が形成されている基板の下側に存在する
ＲＦＢの金属接地面上にトランジスタ１１６を装着する
ことは二つの金属対金属のインターフェースを有するこ
ととなる。増幅器１１６のエミッタリード１７６がプリ
ントされたマッチング回路１７８の一端へ半田付けされ
ており、且つ他端は直列分割器７２へ接続されている。
コレクタリード１８０がプリントされたマッチング回路
１８２の一端へ半田付けされており、且つ他端は直列結
合器１２２へ接続されている。増幅器１１６のコレクタ
電極用のＤＣ電圧は、パッドＰ５へ接続されている寄生
サプレサ１８４を介して供給される。パッドＰ５へ電圧
を印加することについて、図１０及び１１を参照して説
明する。
【００２２】直列結合器１２２は、導体１４２及びサー
キュレータ１４４を介して、本モジュール用の出力端子
２７へ結合されている。本モジュールのパワー出力に対
応する電圧が、ライン１４２に沿ってのエネルギを検知
器回路１４６へ結合させることにより派生され、且つ回
路１４６の出力端は、導体１４７を介して、制御基板１
４８へ接続されている。
キュレータ１４４を介して、本モジュール用の出力端子
２７へ結合されている。本モジュールのパワー出力に対
応する電圧が、ライン１４２に沿ってのエネルギを検知
器回路１４６へ結合させることにより派生され、且つ回
路１４６の出力端は、導体１４７を介して、制御基板１
４８へ接続されている。
【００２３】パワートランジスタ１０６，１０８，１１
０，１１２，１１４，１１６用の動作電圧乃至は電位を
回路基板ＲＦＢ上のパッドＰ１−Ｐ５へ印加すること
は、図１０乃至１３に示した以下の構成により本発明に
基づいて行なわれる。
０，１１２，１１４，１１６用の動作電圧乃至は電位を
回路基板ＲＦＢ上のパッドＰ１−Ｐ５へ印加すること
は、図１０乃至１３に示した以下の構成により本発明に
基づいて行なわれる。
【００２４】図１０において、プリント回路が形成され
ている格納コンデンサ回路基板ＣＢの側部が示されてお
り、それを基板ＲＦＢの上に適切な位置に配置させるた
めには矢印１８６及び１８８で示される如くその右側の
周りに回転させねばならず、即ち本の頁を捲るようにそ
れを回転させる必要がある。
ている格納コンデンサ回路基板ＣＢの側部が示されてお
り、それを基板ＲＦＢの上に適切な位置に配置させるた
めには矢印１８６及び１８８で示される如くその右側の
周りに回転させねばならず、即ち本の頁を捲るようにそ
れを回転させる必要がある。
【００２５】回路基板ＣＢは、動作用のＤＣ電圧１９１
が印加される導体乃至は導体ストリップ１９０を有する
と共に、導体１９０に対して平行な接地された導体乃至
は導体ストリップ１９２を有している。格納コンデンサ
Ｃ１−Ｃ５は、離隔した点において導体１９０と１９２
との間に半田付けされている。図８の５０ＶのＤＣ電圧
１９１が導体１９０へ印加される。各格納コンデンサ
は、異なった放電特性を持った４個のコンデンサＣ，
Ｃ′，Ｃ″，Ｃ″′から構成されるものとして示されて
いる。８個の増幅器を有する２５００ワットのモジュー
ルにおいては、各コンデンサＣは２２０μＦを有し且つ
１００μＳの間その電圧を供給することが可能であり、
且つコンデンサＣ′，Ｃ″は２２μＦを有し且つ１０μ
Ｓの間その電圧を供給することが可能であり、且つコン
デンサＣ″′は１μＦを有し且つ１サイクルのＲＦのラ
イズタイム即ち上昇時間を追従し且つリンギングを相殺
することが可能な電圧を供給するために非常に低い抵抗
を有するものとすることが可能である。柔軟性のあるス
プリングフィンガＦ１−Ｆ５が離隔した点において接地
していない導体１９０へ取付けられており、且つ該基板
が所定位置に装着された場合に、その自由端がパッドＰ
１−Ｐ５上に突当たるように観察者に向かって延在して
いる。この特定の実施例においては、増幅器の数よりも
少ない数のパッドが設けられており、従って増幅器１１
２及び１１４のコレクタは両方ともパッドＰ３へ接続さ
れている。
が印加される導体乃至は導体ストリップ１９０を有する
と共に、導体１９０に対して平行な接地された導体乃至
は導体ストリップ１９２を有している。格納コンデンサ
Ｃ１−Ｃ５は、離隔した点において導体１９０と１９２
との間に半田付けされている。図８の５０ＶのＤＣ電圧
１９１が導体１９０へ印加される。各格納コンデンサ
は、異なった放電特性を持った４個のコンデンサＣ，
Ｃ′，Ｃ″，Ｃ″′から構成されるものとして示されて
いる。８個の増幅器を有する２５００ワットのモジュー
ルにおいては、各コンデンサＣは２２０μＦを有し且つ
１００μＳの間その電圧を供給することが可能であり、
且つコンデンサＣ′，Ｃ″は２２μＦを有し且つ１０μ
Ｓの間その電圧を供給することが可能であり、且つコン
デンサＣ″′は１μＦを有し且つ１サイクルのＲＦのラ
イズタイム即ち上昇時間を追従し且つリンギングを相殺
することが可能な電圧を供給するために非常に低い抵抗
を有するものとすることが可能である。柔軟性のあるス
プリングフィンガＦ１−Ｆ５が離隔した点において接地
していない導体１９０へ取付けられており、且つ該基板
が所定位置に装着された場合に、その自由端がパッドＰ
１−Ｐ５上に突当たるように観察者に向かって延在して
いる。この特定の実施例においては、増幅器の数よりも
少ない数のパッドが設けられており、従って増幅器１１
２及び１１４のコレクタは両方ともパッドＰ３へ接続さ
れている。
【００２６】図１１は図１０の側面図であるが、図１１
において、スプリングフィンガＦ１−Ｆ５の自由端が、
それぞれパッドＰ１−Ｐ５と整合している状態が示され
ている。回路基板ＣＢがＲＦＢ上に取付けられる場合、
図示していない螺子が回路基板ＣＢにおける穴１９２，
１９４，１９６，１９８，２００，２０２を介して、Ｃ
Ｂの下側にあるスペーサ１９２′，１９４′，１９
６′，１９８′，２００′，２０２′を介して、ＲＦＢ
における穴１９２″，１９４″，１９６″，１９８″，
２００″，２０２″を介して、トレイ１５８のベース１
５６内へ延在する。注意すべきことであるが、これらの
螺子によってはＣＢ又はＲＦＢ上の回路へ電気的接続は
なされることがなく、従ってそれらは単に機械的な組立
てを与えるためのものである。
において、スプリングフィンガＦ１−Ｆ５の自由端が、
それぞれパッドＰ１−Ｐ５と整合している状態が示され
ている。回路基板ＣＢがＲＦＢ上に取付けられる場合、
図示していない螺子が回路基板ＣＢにおける穴１９２，
１９４，１９６，１９８，２００，２０２を介して、Ｃ
Ｂの下側にあるスペーサ１９２′，１９４′，１９
６′，１９８′，２００′，２０２′を介して、ＲＦＢ
における穴１９２″，１９４″，１９６″，１９８″，
２００″，２０２″を介して、トレイ１５８のベース１
５６内へ延在する。注意すべきことであるが、これらの
螺子によってはＣＢ又はＲＦＢ上の回路へ電気的接続は
なされることがなく、従ってそれらは単に機械的な組立
てを与えるためのものである。
【００２７】図示していない螺子が、導体１９２内に位
置されているＣＢにおける穴２０４，２０６，２０８，
２１０，２１２，２１４を介して、スペーサ２０４′，
２０６′，２０８′，２１０′，２１２′，２１４′を
介して、ＲＦＢにおける穴２０４″，２０６″，２０
８″，２１０″，２１２″，２１４″を介してトレイ１
５８のベース１５６内に延在し導体１９２を接地させて
いる。該スペーサは、ＣＢとスプリングフィンガＦ１−
Ｆ５の自由端との間の距離よりも短く、従って該螺子が
締付けられる場合に、該スプリングフィンガはそれらの
それぞれのパッドと良好な電気的接触を与える。スプリ
ングフィンガＦ１−Ｆ５及びパッドＰ１−Ｐ５の両方は
金鍍金されている。
置されているＣＢにおける穴２０４，２０６，２０８，
２１０，２１２，２１４を介して、スペーサ２０４′，
２０６′，２０８′，２１０′，２１２′，２１４′を
介して、ＲＦＢにおける穴２０４″，２０６″，２０
８″，２１０″，２１２″，２１４″を介してトレイ１
５８のベース１５６内に延在し導体１９２を接地させて
いる。該スペーサは、ＣＢとスプリングフィンガＦ１−
Ｆ５の自由端との間の距離よりも短く、従って該螺子が
締付けられる場合に、該スプリングフィンガはそれらの
それぞれのパッドと良好な電気的接触を与える。スプリ
ングフィンガＦ１−Ｆ５及びパッドＰ１−Ｐ５の両方は
金鍍金されている。
【００２８】図１２はＡＡの方向に見た場合に見えるで
あろう状態を示した組立てた状態のモジュールの概略断
面を示している。注意すべきであるが、スプリングフィ
ンガＦ４は、断面ＡＡの位置のために且つＰ５が増幅器
１１４に対する出力マッチング回路により隠されている
ために、ＲＦＢの上部へ到達するまで延在していない。
あろう状態を示した組立てた状態のモジュールの概略断
面を示している。注意すべきであるが、スプリングフィ
ンガＦ４は、断面ＡＡの位置のために且つＰ５が増幅器
１１４に対する出力マッチング回路により隠されている
ために、ＲＦＢの上部へ到達するまで延在していない。
【００２９】次に、組立てた状態におけるプリント回路
基板ＲＦＢとＣＢの相対的な位置関係を示した図１３を
参照して説明する。注意すべきであるが、回路基板ＣＢ
が螺子によりＲＦＢへ締付けられる場合には、スプリン
グフィンガＦ１の自由端はパッドＰ１と接触状態とな
る。該スペーサはこの図面には示されていない。
基板ＲＦＢとＣＢの相対的な位置関係を示した図１３を
参照して説明する。注意すべきであるが、回路基板ＣＢ
が螺子によりＲＦＢへ締付けられる場合には、スプリン
グフィンガＦ１の自由端はパッドＰ１と接触状態とな
る。該スペーサはこの図面には示されていない。
【００３０】電気的接続部及びスリット３０への結合が
両方とも半径方向の線に沿ってのものであるようにする
ために、電気的部品を収容する区画室の延長部と整合し
た状態で空気ダクトを開口へ結合させるために、図示し
た如く、プレナムは好適には傾斜した状態とさせる。そ
うでない場合には、該電気的接続部は、付加的な電気的
損失及び費用を必要とするために角度を持ったものとせ
ねばならない。
両方とも半径方向の線に沿ってのものであるようにする
ために、電気的部品を収容する区画室の延長部と整合し
た状態で空気ダクトを開口へ結合させるために、図示し
た如く、プレナムは好適には傾斜した状態とさせる。そ
うでない場合には、該電気的接続部は、付加的な電気的
損失及び費用を必要とするために角度を持ったものとせ
ねばならない。
【００３１】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 従来技術のラジアル結合器を示した概略平面
図。
図。
【図２】 図１の概略縦断面図。
【図３】 図１及び２に示したモジュールの概略斜視
図。
図。
【図４】 本発明に基づいて構成されたラジアル結合器
の概略平面図。
の概略平面図。
【図５】 図４のラジアル結合器の概略縦断面図。
【図６】 図４及び５に示したモジュールの概略斜視
図。
図。
【図７】 ラジアル結合器及び多数のモジュールを使用
するシステムを示したブロック図。
するシステムを示したブロック図。
【図８】 １個のモジュールの電気的回路を示したブロ
ック図。
ック図。
【図９】 本発明の１個のモジュールの増幅用構成要素
の物理的レイアウトを示した概略図。
の物理的レイアウトを示した概略図。
【図１０】 本発明の格納コンデンサ基板の電気的構成
要素を示した概略図。
要素を示した概略図。
【図１１】 図１０のコンデンサ基板を示した概略側面
図。
図。
【図１２】 図１１のＡ−Ａに沿ってとった概略断面
図。
図。
【図１３】 図９の増幅用構成要素と図１０の格納コン
デンサ基板の相対的位置関係を示した概略斜視図。
デンサ基板の相対的位置関係を示した概略斜視図。
２ 上部プレート ４ 出力端子 ６ モジュール ８ 円周端 １２ 冷却用ダクト １４ 底部円形プレート １６ 中空円筒 ２４ ラジアル導体 ２６ 入力端子 ２７ 出力端子 ４４ 通路 ４６ プレナム ４８ 傾斜セクション
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クローディオ エイ． マーチーニ アメリカ合衆国， ニュージャージー 07712， オーシャン， ランバート ジ ョンソン ドライブ 45 (72)発明者 ニービン エイ． アルブレッチ アメリカ合衆国， ニュージャージー 07823， ベルビデロ， キャストナーズ ロード 46 (72)発明者 ロバート エフ． マジオ， シニア アメリカ合衆国， ニュージャージー 08876， ソマービル， イースト キャ デラック ドライブ 12
Claims (21)
- 【請求項１】 ＲＦ信号のラジアル結合器に使用するモ
ジュールにおいて、直列分割器が設けられており、直列
結合器が設けられており、それぞれが入力端と出力端と
を具備する複数個の増幅器が設けられており、前記直列
分割器からのＲＦエネルギを前記増幅器の入力端へそれ
ぞれ結合させるための導電性パターンを具備するプリン
ト回路基板が設けられており、前記プリント回路基板は
更に前記増幅器の前記出力端をそれぞれ前記直列結合器
へ結合させるための導電性パターンを具備しており、前
記プリント回路基板はＤＣ動作電位を前記増幅器へそれ
ぞれ結合させるための導電性パッドを包含する手段を具
備しており、第一及び第二の導電性ストリップを具備す
るコンデンサ基板が設けられており、離隔した点におい
て前記第一及び第二の導電性ストリップ間に接続された
コンデンサが設けられており、端部を前記第一導電性ス
トリップへ導電状態で取付けており他端が前記パッドと
それぞれ接触状態にある複数個の導電性スプリングフィ
ンガが設けられていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項２】 請求項１において、更に、ベースを具備
するトレイが設けられており、前記ベースの片側上に区
画室を形成する手段が設けられており、前記直列分割器
と前記直列結合器と前記プリント回路基板と前記増幅器
とを前記区画室内に装着する手段が設けられており、前
記ベースの反対側にダクトを形成する手段が設けられて
おり、前記ダクトに結合してプリナムが設けられている
ことを特徴とするモジュール。 - 【請求項３】 請求項２において、前記ベースに対して
直交する方向における前記プレナムの厚さが、前記方向
における前記ダクトの厚さと前記区画室の厚さとの和よ
りも小さいことを特徴とするモジュール。 - 【請求項４】 請求項３において、前記ダクトを形成す
る手段が複数個の通路を有していることを特徴とするモ
ジュール。 - 【請求項５】 請求項４において、更に、前記プリント
回路基板内のアパーチャを包含しており前記増幅器を前
記ベースと直接接触状態で装着する手段が設けられてい
ることを特徴とするモジュール。 - 【請求項６】 請求項５において、前記ベースが金属か
ら構成されていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項７】 請求項６において、更に、各増幅器の１
個の電極を前記ベースへ接続する手段が設けられている
ことを特徴とするモジュール。 - 【請求項８】 請求項１において、更に、ＤＣ電位源が
設けられており、前記電位源を前記第一の導電性ストリ
ップへ結合させる手段が設けられており、基準電位源が
設けられており、前記基準電位源を前記第二の導電性ス
トリップへ結合させる手段が設けられていることを特徴
とするモジュール。 - 【請求項９】 請求項５において、更に、前記トレイの
断面の延長部に位置して開口を画定する手段が設けられ
ており、前記トレイの反対側に隣接して少なくとも１個
のダクトを画定する手段が設けられており、前記ダクト
から前記開口へ傾斜してプリナムが設けられていること
を特徴とするモジュール。 - 【請求項１０】 ＲＦ結合器に使用するモジュールにお
いて、金属トレイが設けられており、前記トレイに対し
て絶縁して装着されたＲＦ入力端子が設けられており、
前記トレイの片側上に装着された直列分割器が設けられ
ており、前記トレイの前記片側上に装着して増幅手段が
設けられており、前記ＲＦ入力端子と前記直列分割器の
一端とを電気的に結合する手段が設けられており、前記
トレイの前記片側上に装着して直列結合器が設けられて
おり、金属接地面上に装着された絶縁性基板を具備する
ＲＦプリント回路基板が設けられており、前記接地面は
前記トレイの前記片側と接触しており、前記直列分割器
と前記直列結合器との間に前記プリント回路基板に沿っ
てそれぞれの位置において装着された複数個のパワーア
ンプが設けられており、前記パワーアンプはベース電極
とエミッタ電極とコレクタ電極とを具備しており、前記
ベース電極を前記トレイへ電気的に接続する手段が設け
られており、前記エミッタ電極及びコレクタ電極のうち
の一つを前記直列分割器へ結合するための第一導電性パ
ターンが前記基板上に設けられており、前記エミッタ電
極及びコレクタ電極のうちの他方を前記直列結合器へ結
合するための第二導電性パターンが前記基板上に設けら
れており、前記トレイへ絶縁して装着されており且つ前
記直列結合器へ電気的に接続されてＲＦ出力端子が設け
られており、第一及び第二の離隔された導電性ストリッ
プを具備する格納コンデンサ基板が設けられており、前
記第一導電性ストリップへＤＣ電位を印加する手段が設
けられており、前記第二導電性ストリップを前記トレイ
に対して電気的に接続する手段が設けられており、前記
第一及び第二の導電性ストリップ間に電気的に接続され
ており前記コンデンサ基板に沿って離隔した位置に装着
して複数個の格納コンデンサが設けられており、前記パ
ワーアンプに隣接してそれぞれ位置されており前記プリ
ント回路基板上に複数個の導電性パッドが設けられてお
り、前記パッドを前記パワーアンプの電極へそれぞれ結
合する手段が設けられており、前記第一導電性ストリッ
プに沿った離隔した位置において且つそれと電気的に接
触して前記格納コンデンサ基板上に装着して導電性スプ
リングフィンガが設けられており、前記スプリングフィ
ンガはそれぞれ前記コンデンサ基板と前記パッドとの間
に延在していることを特徴とするモジュール。 - 【請求項１１】 ＲＦ結合器に使用するモジュールにお
いて、金属トレイが設けられており、前記トレイの片側
上に装着して複数個のパワーアンプが設けられており、
前記パワーアンプは入力電極及び出力電極を具備してお
り、入力端子が設けられており、前記入力端子を前記パ
ワーアンプの入力電極へ結合する手段が設けられてお
り、出力端子が設けられており、前記出力端子を前記パ
ワーアンプの出力電極へ結合する手段が設けられてお
り、第一及び第二の導体を具備する格納コンデンサ基板
が設けられており、前記第一導体を前記トレイへ電気的
に接続する手段が設けられており、前記格納コンデンサ
基板上に装着されており且つ前記第一及び第二の導体に
沿った離隔した点においてそれらの間に接続されて複数
個の格納コンデンサが設けられており、離隔した点にお
いて前記第二導体へ接続された複数個の離隔された導電
性スプリングフィンガが設けられており、前記パワーア
ンプに隣接してそれぞれ装着された複数個の導電性パッ
ドが設けられており、前記スプリングフィンガの端部が
それぞれ前記パッドに対して押圧されるように前記トレ
イ上に前記格納コンデンサ基板を装着する手段が設けら
れており、前記パッドを前記パワーアンプの電極へそれ
ぞれ結合させる手段が設けられていることを特徴とする
モジュール。 - 【請求項１２】 請求項１１において、更に、前記トレ
イの端部に対して平行に延在しており且つ前記端部の投
影内に位置して開口を画定する手段が設けられており、
前記トレイの反対側にダクトを形成する手段が設けられ
ており、前記ダクトと前記開口との間に結合されて傾斜
するプレナムが設けられており、その際に前記開口を介
して強制流動される空気が前記プレナム及び前記ダクト
を介して通過し前記トレイを冷却することを特徴とする
モジュール。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記入力端子及
び出力端子が前記端部から延在していることを特徴とす
るモジュール。 - 【請求項１４】 請求項１１において、前記入力端子を
前記パワーアンプの入力電極へ結合する手段及び前記出
力電極を前記パワーアンプの出力電極へ結合する手段が
プリント回路基板の基板上に導電性パターンを有してお
り、前記プリント回路基板がその中に複数個のアパーチ
ャを画定する手段を具備しており、前記パワーアンプを
前記アパーチャ内で前記トレイと接触してそれぞれ装着
する手段が設けられていることを特徴とするモジュー
ル。 - 【請求項１５】 ラジアル結合器に使用するモジュール
において、平坦なベースが設けられており、前記ベース
の片側に区画室を画定する手段が設けられており、前記
区画室内に装着して複数個の増幅器が設けられており、
前記ベースの反対側にダクトを画定する手段が設けられ
ており、前記プリナムを介して通過する冷却用の空気が
前記ダクトを介して通過するように前記ベースへ取付け
られており且つ前記ダクトに結合されてプレナムが設け
られていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項１６】 請求項１５において、前記プレナム
が、前記ベースに対して垂直な方向において、前記区画
室及び前記ダクトの結合した厚さよりも薄いことを特徴
とするモジュール。 - 【請求項１７】 請求項１５において、前記プリナムが
前記区画室と整合した開口を画定しており且つ前記開口
を前記ダクトへ結合する傾斜した部分を有することを特
徴とするモジュール。 - 【請求項１８】 請求項１５において、更に、第一及び
第二の導電性ストリップを具備する基板が設けられてお
り、前記第一及び第二の導電性ストリップに沿った離隔
した点の間にそれぞれ接続された複数個の格納コンデン
サが設けられており、前記導電性ストリップのうちの一
方に沿った離隔した点を前記増幅器へそれぞれ結合させ
るための導電性スプリングフィンガを包含する手段が設
けられていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項１９】 請求項１８において、入力端子が設け
られており、入力端及び複数個の出力端を具備する直列
分割器が設けられており、前記入力端子を前記直列分割
器の入力端へ結合する手段が設けられており、出力端子
が設けられており、複数個の入力端及び出力端を具備す
る直列結合器が設けられており、前記直列結合器の前記
出力端を前記出力端子へ結合する手段が設けられてお
り、前記直列分割器の出力端と前記直列結合器の入力端
との間において前記増幅器をそれぞれ結合する手段が設
けられていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項２０】 請求項１９において、前記増幅器をそ
れぞれ結合させる手段が複数個の導電性パッドを具備す
るプリント回路基板及び各増幅器と１個のパッドとの間
の接続部から構成されており、各スプリングフィンガの
一端が前記一方の導電性ストリップ上に接続して装着さ
れており且つ他端が前記パッドの一つと接触しているこ
とを特徴とするモジュール。 - 【請求項２１】 請求項２０において、更に、前記一方
の導電性ストリップへＤＣ電位を印加する手段が設けら
れており、他方の導電性ストリップを前記ベースへ接続
する手段が設けられていることを特徴とするモジュー
ル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US634027 | 1990-12-26 | ||
| US07/634,027 US5128628A (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Solid state high power amplifier module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621735A true JPH0621735A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=24542140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3343611A Pending JPH0621735A (ja) | 1990-12-26 | 1991-12-25 | ソリッドステート高パワー増幅器モジュール |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128628A (ja) |
| EP (2) | EP0493081B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0621735A (ja) |
| KR (1) | KR920013894A (ja) |
| DE (2) | DE69126114T2 (ja) |
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1990
- 1990-12-26 US US07/634,027 patent/US5128628A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-12-23 DE DE69126114T patent/DE69126114T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-23 DE DE69131235T patent/DE69131235T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-23 EP EP91311969A patent/EP0493081B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-23 EP EP96113906A patent/EP0746191B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-25 JP JP3343611A patent/JPH0621735A/ja active Pending
- 1991-12-26 KR KR1019910024704A patent/KR920013894A/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0493081A3 (en) | 1993-03-17 |
| DE69131235T2 (de) | 2000-01-05 |
| DE69126114T2 (de) | 1997-12-18 |
| KR920013894A (ko) | 1992-07-30 |
| DE69126114D1 (de) | 1997-06-19 |
| EP0746191A2 (en) | 1996-12-04 |
| EP0493081A2 (en) | 1992-07-01 |
| EP0746191A3 (en) | 1997-01-15 |
| US5128628A (en) | 1992-07-07 |
| EP0746191B1 (en) | 1999-05-12 |
| DE69131235D1 (de) | 1999-06-17 |
| EP0493081B1 (en) | 1997-05-14 |
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