JPH06215334A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH06215334A
JPH06215334A JP5280945A JP28094593A JPH06215334A JP H06215334 A JPH06215334 A JP H06215334A JP 5280945 A JP5280945 A JP 5280945A JP 28094593 A JP28094593 A JP 28094593A JP H06215334 A JPH06215334 A JP H06215334A
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magnetoresistive
magnetic
magnetoresistive element
magnetic head
layer
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JP5280945A
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Daniel A Nepela
エー．ネピラ ダニエル
Erich P Valstyn
ピー．バルスティン エリック
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Read Rite Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は磁気ディスク等の媒体に記録された
信号を磁気抵抗効果により読み出すための磁気抵抗形検
出ヘッドアセンブリを含む磁気ヘッドに関し、センス電
流の制限を取り除き、出力信号のレベル向上を図ること
を目的とする。 【構成】 第１および第２の二重の磁気抵抗素子と、こ
れらの磁気抵抗素子にそれぞれ付着される鉄マンガン合
金等の第１および第２の反強磁性薄膜と、第１および第
２の磁気抵抗素子間に設けられる酸化物等の絶縁層とを
有する磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ３８を備え、こ
れらの反強磁性薄膜は、磁気抵抗素子の各々に対し交換
相互作用により結合し、磁気抵抗素子および反強磁性薄
膜を通して従来の２〜４倍のセンス電流を流すことによ
り、磁気抵抗素子を最適の動作点に設定して出力レベル
および信号対雑音比の大きな出力信号を得るための交換
磁界およびバイアス磁界が提供されるように構成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体上に所定の信
号を記録したり磁気媒体から所定の信号を読み出したり
するための読み書き用の磁気ヘッドに関する。特に、本
発明は、磁気ディスク等の磁気媒体に記録されている信
号を磁気抵抗効果により読み出すための磁気抵抗形検出
ヘッド（ＭＲヘッドと略記されることもある）アセンブ
リを有する磁気ヘッドに関するものであり、より具体的
には、二重の磁気抵抗素子を組み込んだ薄膜タイプの磁
気抵抗形検出ヘッドアセンブリの構成について言及する
ものである。
【０００２】
【従来の技術、および、発明が解決しようとする課題】
磁気ディスク等の磁気媒体に対し必要な情報に対応する
信号を記録する際には、一般に、誘導形の書き込み用ヘ
ッドが使用される。さらに、このようにして記録された
情報は、誘導形の読み書き用ヘッドにより読み出すこと
ができる。あるいは、磁気媒体に記録されている信号を
感知するための読み出し用のヘッドとして、二者択一的
に、磁気抵抗形検出ヘッドが使用される。この磁気抵抗
形検出ヘッドにより感知される信号は、記録された信号
に関係する磁束に比例する。すなわち、上記の感知信号
（検出信号）は、誘導形のヘッドにより感知されるよう
な磁束の変化の速さには比例しない。したがって、この
ような磁気抵抗形検出ヘッドは、この磁気抵抗形検出ヘ
ッドと記憶用媒体との間で相対的な運動がなくとも、記
録された信号に対応する磁界を検出することができる。
なお、上記のように、誘導形の書き込み用ヘッド、およ
び、読み出し用の磁気抵抗形検出ヘッドにより読み書き
用の磁気ヘッドが構成される場合、これらの２種類のヘ
ッドを、それぞれ書き込み用ヘッドアセンブリおよび磁
気抵抗形検出ヘッドアセンブリとよぶこととする。
【０００３】代表的な薄膜タイプの磁気抵抗形検出ヘッ
ドアセンブリは、単一の磁気抵抗素子を備えている。こ
の磁気抵抗素子は、好ましくは、一つの磁化容易軸を有
するパーマロイの層からなる。例えば、ディスク装置の
ようなデータ記憶装置が動作している間中、電気的なセ
ンス電流が磁気抵抗素子に供給される。この磁気抵抗素
子により検出された磁界は、磁気抵抗素子内の磁気抵抗
薄膜の磁気モーメントに対し回転力（Torque: トルク）
を付与する。このようにして付与された回転力により磁
気抵抗薄膜の抵抗率が変化する。さらに、この磁気抵抗
薄膜の抵抗率の変化により、測定（検出）された磁界の
強さに比例して磁気抵抗素子の抵抗（すなわち、磁気抵
抗）が変化する。このような磁気抵抗素子の抵抗の変化
量を検出すれば、最終的に、磁気媒体上に記録されたデ
ータ信号に関係する読み出し信号が提供される。
【０００４】磁気媒体、例えば、磁気ディスクの残留磁
気モーメントＭr ×ｔの値が大きい場合は、読み出し信
号の歪みが結果として生じてくる。すなわち、この場合
は、磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリの磁気抵抗素子が
周期的に飽和し、この飽和状態のために、印加される磁
界の強さがそれ以上に増大しても、磁気抵抗素子の磁化
の方位が固定されたままになる。このような状態では、
望ましくない奇数調波が発生する。さらに、磁気抵抗形
検出ヘッドアセンブリの磁気抵抗の非線形的な変化が生
じた結果として、偶数調波が発生する。これらの奇数調
波および偶数調波は、磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ
により読み出される信号の歪みの形で現れる。
【０００５】ここで、磁気抵抗素子の抵抗率をρで表
し、この抵抗率ρの相対変化量をΔρ／ρで表すものと
する。残留磁気モーメントＭr ×ｔの値を小さくすれ
ば、上記の飽和現象の発生が回避され、かつ、Δρ／ρ
曲線におけるΔρ／ρの値が線形に変化する範囲で磁気
抵抗素子の動作が保証される。ところが、この場合は、
信号のレベルそのものも小さくなってしまう。センス電
流を増加させることにより、信号のレベルを大きくする
ことは可能である。しかしながら、二重の磁気抵抗素子
構造を有する従来の標準タイプの磁気抵抗形検出ヘッド
アセンブリにおいては、これらの磁気抵抗素子中の一方
の磁気抵抗素子に供給されるセンス電流が、他方の磁気
抵抗素子に対しバイアス磁界を提供するような電流にな
るという事実により、各磁気抵抗素子に供給されるセン
ス電流の大きさが制限される。すなわち、このセンス電
流は、各磁気抵抗素子の動作点（Operating point: 通
常、ＯＰと略記される）がΔρ／ρ曲線の線形領域の中
心に位置するような大きさに設定する必要があり、代表
的に、３〜５ｍＡに制限される。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、読み出し信号のレベルを大幅に増大させること
が可能な磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリを備えた磁気
ヘッドを提供することを第１の目的とするものである。
さらに、本発明は、センス電流の制限を取り除き、か
つ、磁気抵抗素子から出力される信号の振幅を大幅に増
大させることが可能な磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ
を備えた磁気ヘッドを提供することを第２の目的とする
ものである。
【０００７】さらにまた、本発明は、残留磁気モーメン
ト（Ｍr ×ｔ）の値が比較的小さな磁気媒体、例えば、
磁気ディスクの使用を可能にするような磁気抵抗形検出
ヘッドアセンブリを備えた磁気ヘッドを提供することを
第３の目的とするものである。さらにまた、本発明は、
複数の磁気抵抗形検出素子の各々の磁気特性および厚さ
を正確に一致させるという要求を緩和することが可能な
磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリを備えた磁気ヘッドを
提供することを第４の目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段、および、作用】上記目的
を達成するために、本発明によれば、磁気媒体上に信号
を記録し、かつ、この磁気媒体から信号を読み出すため
の読み書き用の磁気ヘッドには、磁気抵抗形検出ヘッド
アセンブリと、この磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリに
重ね合わせて配置された誘導形の書き込み用ヘッドアセ
ンブリとが組み込まれている。これらのヘッドアセンブ
リの中で、誘導形の書き込み用ヘッドアセンブリは、一
般に使用されるタイプであり、パーマロイ薄膜からなる
磁性層により周知の方法で形成される。したがって、本
発明の開示は、読み書き用磁気ヘッドの全構造の一部を
なす新奇な磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリに向けられ
ている。
【０００９】さらに詳しく説明すると、このような磁気
抵抗形検出ヘッドアセンブリは、２つの磁気抵抗素子ま
たは磁気抵抗素子層と、２つの反強磁性素子（通常、Ａ
Ｆｅと略記される）または反強磁性薄膜層とを有する。
前者の磁気抵抗素子は、軟磁性のパーマロイから作製さ
れる。また一方で、後者の反強磁性素子は、例えば、鉄
マンガン合金から作製される。２つの反強磁性素子の各
々は、２つの磁気抵抗素子の各々に隣接して形成され、
かつ、これらの磁気抵抗素子の各々と原子のレベルで密
に接触する。さらに、上記反強磁性素子の各々は、室温
にて、磁気抵抗素子層の各々に対し交換相互作用により
結合し、磁気バイアス素子として機能する。
【００１０】ディスク装置において、上記の磁気抵抗形
検出ヘッドアセンブリが動作している間中、交換相互作
用により結合する磁気抵抗素子層および交換層( すなわ
ち、反強磁性薄膜層）の各々に対し、ディスクの表面と
垂直の方向に交換磁界Ｈe が印加される。第１の磁気抵
抗素子層／第１の反強磁性薄膜層構造に流す電流、すな
わち、センス電流は、相反する第２の磁気抵抗素子層／
第２の反強磁性薄膜層構造に対し所定の磁界Ｈi を供給
する。この磁界Ｈi の方向は、第２の磁気抵抗素子層／
第２の反強磁性薄膜層構造内に存在する交換磁界Ｈe と
反対の方向になっている。
【００１１】この場合、一方の磁気抵抗素子層／反強磁
性薄膜層構造に対する適切なバイアス磁界を提供するた
めに、上記のセンス電流に基づく磁界として、対応する
磁気抵抗素子層／反強磁性薄膜層構造磁気を最適の動作
点に設定するのに充分な量の磁界が必要である。磁気抵
抗素子層および反強磁性薄膜層の厚さが、各々の磁気抵
抗素子層／反強磁性薄膜層構造に関しほぼ同じかまたは
全く同一である場合には、他方の磁気抵抗素子層／反強
磁性薄膜層構造もまた、同様の手法によって各々の磁気
抵抗素子層／反強磁性薄膜層構造に対しほぼ同じかまた
は全く同一であるような動作点に設定される。磁気抵抗
素子層／反強磁性薄膜層構造に供給されるセンス電流に
より生成される磁界は、総合的な正味の磁界によって２
つの磁気抵抗素子層／反強磁性薄膜層構造の各々を最適
の動作点に設定することができるように、上記の交換磁
界に打ち勝つことが要求される。このために、５ｍＡよ
りはるかに大きなセンス電流を使用することが可能にな
る。
【００１２】かくして、本発明では、従来タイプの二重
の磁気抵抗素子を含む磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ
に対し代表的に使用され得るセンス電流の約２〜４倍の
比較的大きなセンス電流を流すことができるので、出力
信号の歪みを最小にした状態でこの出力信号のレベル向
上が図れる。さらに、出力信号の信号対雑音比（ＳＮ
比）が改善されて信号の分解能が向上するので、、残留
磁気モーメントの値が比較的小さな磁気媒体を使用する
ことが可能になる。
【００１３】
【実施例】本発明は、添付の図面（図１〜図４）により
例示される具体的な実施例をこれから説明することによ
り、容易に理解されるであろう。以下添付図面を用いて
本発明の実施例に関連する事項を詳細に説明することと
する。図１は、本発明による二重の磁気抵抗素子を有す
る磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリを示すために部分的
に破断して示す断面図であり、図２は、３本の導体を有
し、かつ、その中の２本が、磁気抵抗形ヘッドアセンブ
リの検出トラック幅を規定し、さらに、軟磁性パーマロ
イ・シールドを省略した状態の図１の磁気抵抗形検出ヘ
ッドアセンブリの構成を部分的な等角投影法により示す
斜視図である。
【００１４】図１および図２において、二重の磁気抵抗
形検出ヘッドアセンブリは、第１の磁気抵抗素子層１０
と第２の磁気抵抗素子層１２を備える。第１および第２
の磁気抵抗素子層１０、１２は、好ましくは、これらの
磁気抵抗素子層間に形成される絶縁用の酸化物層１８に
対しほぼ平行に配置される。上記の２つの磁気抵抗素子
層１０、１２は、好ましくは、Δρ／ρの値が１％以上
の軟磁性材料の薄膜から作製される。さらに、上記磁気
抵抗素子層１０、１２の各々は、１００〜５００Åの範
囲の厚さを有し、かつ、ほぼ同じ厚さを有している。
【００１５】本発明の磁気ヘッドにおける磁気抵抗形検
出ヘッドアセンブリでは、さらに、鉄マンガン合金のよ
うな反強磁性材料からなる第１の反強磁性薄膜層１４と
第２の反強磁性薄膜層１６が、例えばスパッタリング法
により、第１および第２の磁気抵抗素子層１０、１２と
ほぼ同一の空間に配置されるような形でこれらの第１お
よび第２の磁気抵抗素子層１０、１２上にそれぞれ積層
される。第１の磁気抵抗素子層１０上に第１の反強磁性
薄膜層１４（例えば、鉄マンガン合金層）がスパッタリ
ングされている間中、両素子間の交換磁界の方向が所望
の方向になるように直流（ＤＣ）磁界が印加される。さ
らに、第２の磁気抵抗素子層１２上に第２の反強磁性薄
膜層１６（例えば、鉄マンガン合金層）がスパッタリン
グされている間中、両素子間の交換磁界の方向が前者と
反対の方向になるように直流磁界が印加される。第１お
よび第２の反強磁性薄膜層１４、１６の各々は、約１０
０〜３００Åの厚さを有する。
【００１６】上記のようなスパッタリング法等により、
薄膜の鉄マンガン合金層等の反強磁性材料が、第１およ
び第２の磁気抵抗素子層１０、１２のパーマロイ材料上
に固着される。すなわち、上記の鉄マンガン合金層は、
交換相互作用により第１および第２の磁気抵抗素子層１
０、１２に結合し、磁気バイアス素子として機能する。
【００１７】さらに、本発明の磁気抵抗形検出ヘッドア
センブリは、軟磁性のパーマロイ・シールド２０、２２
により磁気的にシールドされる。これらのパーマロイ・
シールド２０、２２は、好ましくは、８１％のニッケル
（Ｎｉ）と１９％の鉄（Ｆｅ）の組成を有する合金から
作製される。この場合、上記パーマロイ・シールド２
０、２２は、約１．５〜４．０ミクロン（μｍ）の厚さ
を有する。磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリおよびパー
マロイ・シールドは、非磁性のセラミック材料からなる
基板（図４に示す）上に積層され、かつ、この基板によ
り支持される。
【００１８】本発明の二重の磁気抵抗形検出ヘッドアセ
ンブリを初期化することを目的として、磁気抵抗素子層
／反強磁性薄膜層構造が冷えていく間中、静磁気学的に
結合した磁気抵抗素子層の対と、これらの磁気抵抗素子
層の対に関係する鉄マンガン合金層等の反強磁性薄膜層
を通して所定の電流を流すことにより、適切な交換／バ
イアス磁界（交換磁界およびバイアス磁界）が提供され
る。
【００１９】また一方で、磁気抵抗形検出ヘッドアセン
ブリと、この磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリに重ね合
わされる誘導形の書き込み用ヘッドアセンブリ（図示さ
れていない）は、重ね合わせにより配置すべき誘導形の
書き込み用ヘッドアセンブリに対しホトレジストの熱硬
化乾燥処理を行った後に、室温になるまで冷却される。
上記の工程では、磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリの一
対の磁気抵抗素子は、互いに相反する方向に飽和する。
そして、反強磁性材料層は、磁気抵抗素子層／反強磁性
薄膜層構造が冷えていく間に徐々に反強磁性が強くなる
に従い、交換相互作用に基づく結合によって所望の方向
に方向づけがなされるようになる。このようにして、磁
気抵抗形検出ヘッドアセンブリの構成に対し初期化が完
了する。
【００２０】二重の磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリを
用いて読み出し動作を行っている間中、導体３４（図
２）に対しバイアス電流が供給される。この場合、バイ
アス電流は、第１および第２の磁気抵抗素子層１０、１
２の各々に分配される。このようにして分配されたバイ
アス電流は、これらの磁気抵抗素子層１０、１２の各々
に対しほぼ等しい値のセンス電流として供給される。す
なわち、１つの導体３４から一対の導体２４、２６に対
し上記のセンス電流をそれぞれ供給することにより、セ
ンサである磁気抵抗素子層１０、１２の各々において磁
界Ｈi が生成される。この磁界Ｈi は、各センサに供給
されるセンス電流に基づいて生成され、他方のセンサに
対するバイアス磁界として作用する。このようなセンス
電流に基づく磁界は、２つのセンサに対し対称かつ互い
に相反する方向に印加される。さらに、上記のセンス電
流に基づく磁界は、２つのセンサの各々を適切な動作点
（後述の図３のＯＰ１、ＯＰ２に対応する）に位置させ
ることができるように、両センサの各々における交換磁
界に打ち勝つような大きさになっている。このようなセ
ンサの構成により、従来よりも大きな電流を流すことが
できると共に、従来よりも高いレベルの信号が得られ
る。
【００２１】上記の実施例においては、供給されるセン
ス電流の値は、例えば１０〜４０ｍＡになり、従来タイ
プの二重の磁気抵抗形検出ヘッドを使用した場合に比べ
ておおよそ２〜４倍に増加する。このようにして供給さ
れる電流は、各センサ、すなわち、各磁気抵抗素子層１
０、１２において磁界Ｈi を生成する。この磁界Ｈ
iは、交換層である第１および第２の反強磁性薄膜層１
４、１６の各々により提供される交換磁界Ｈe に打ち勝
ち、総合的な正味の磁界Ｈb （図３）が磁気抵抗素子を
適切な動作点に位置させることができるように作用す
る。この場合、２つのセンサに印加される磁界Ｈi は、
図１に示すように、両センサに対し対称かつ互いに相反
する方向に印加される。さらに、交換磁界Ｈe は、５〜
２０エルステッド（Ｏｅ）の範囲の大きさになり、か
つ、磁気ディスクのような磁気媒体の表面に対し垂直な
方向に印加される。磁気ディスクの表面に対する交換磁
界の角度を９０度からより小さい角度に変化させること
により、より大きな交換磁界を有する反強磁性薄膜を磁
気抵抗形検出ヘッドアセンブリ内に収容することが可能
になる。
【００２２】図３は、総磁界に対しプロットした磁気抵
抗素子の抵抗変化（Δρ／ρ）の様子を示すと共に、交
換磁界およびバイアス磁界の大きさの可変範囲を横座標
に沿って示すグラフである。ここでは、図３の曲線の意
味を明確にするために、本発明の実施例の磁気抵抗素子
の具体的な構成について詳しく説明することとする。本
発明の実施例では、磁気抵抗素子として第１および第２
の磁気抵抗素子層１０、１２を有する二重の磁気抵抗形
検出ヘッドアセンブリは、記録されている信号を差動方
式により検出する。このようにして検出された差動信号
は、一対の導体２４、２６からそれぞれ伸びる一対の導
電性のリード２８、３０（図２）を介して差動増幅器３
２（図２）に供給される。上記の差動信号は、電気的な
要因および温度的な要因により発生する雑音のコモンモ
ード（同相）成分を除去し、高調波による歪みを最小に
する。この場合、信号対雑音比が増加した状態で、比較
的高いレベルの出力信号が得られる。
【００２３】さらに、このように信号対雑音比が改善さ
れて信号の分解能が向上したために、残留磁気モーメン
トＭr ×ｔの値が比較的小さな磁気媒体を使用すること
が可能になる。このように、センス電流の値が大きくな
ると共に、残留磁気モーメントＭr ×ｔの値が小さくな
った結果として、図３のグラフに示すように、Δρ／ρ
曲線上の最適の動作点ＯＰ１、ＯＰ２に隣接する線形領
域からの偏倚が小さくて済む。さらに、図３から明らか
なように、Δρ／ρの変化に対応する磁化曲線は、Δρ
／ρ曲線の軸Ｏに対し対称となる。二重の磁気抵抗素子
層と、Ｍr ×ｔの値が比較的小さな磁気媒体とを関連づ
けた状態で、交換層を使用した本発明の磁気ヘッドを設
計することにより、Δρ／ρ曲線上の動作点の位置が臨
界状態から離れるようになる。それゆえに、２つの（二
重の）磁気抵抗素子層の厚さや磁気特性の仕様に関する
制限が緩和される。
【００２４】図４は、誘導形の書き込み用ヘッドアセン
ブリと二重の磁気抵抗素子を含む読み出し用ヘッドアセ
ンブリとを組み合わせて作製した本発明の一実施例の磁
気ヘッドを部分的に破断して示す断面図である。なお、
前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照
番号を付して表すものとする。図４においては、薄膜の
層からなる誘導形の書き込み用ヘッドアセンブリ３６
と、薄膜の層からなる読み出し用の磁気抵抗形検出ヘッ
ドアセンブリ３８とを組み合わせた磁気ヘッドが、基板
４０上に形成される。磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ
３８は、図１で既述したように、第１および第２の磁気
抵抗素子層１０、１２と、第１および第２の反強磁性薄
膜層１４、１６と、酸化物層１８とを有する。さらに、
図４において、基板４０と磁気抵抗形検出ヘッドアセン
ブリ３８との間には、絶縁用酸化物層４２が形成され
る。
【００２５】また一方で、薄膜の誘導形の書き込み用ヘ
ッドアセンブリ３６は、第１のパーマロイ層Ｐ１と、第
２のパーマロイ層Ｐ２とを有する。これらの第１および
第２のパーマロイ層Ｐ１、Ｐ２は、変換用ギャップ４４
と協働して連続的な磁路を形成している。第１および第
２のパーマロイ層Ｐ１、Ｐ２間には、電気的なコイル４
６の層が配置される。さらに、電気的な短絡を防止する
ことを目的として、絶縁体４８が、第１のパーマロイ層
Ｐ１の磁極片と第２のパーマロイ層Ｐ２の磁極片からコ
イル４６を絶縁する。上記の磁気抵抗素子層１０および
反強磁性薄膜層１６に対する導体２４、２６および３４
の電気的接続は、図２に示したとおりである。
【００２６】上記のように、誘導形の書き込み用ヘッド
アセンブリと、二重の磁気抵抗素子を含む読み出し用磁
気抵抗形ヘッドアセンブリとを組み合わせた構造は、セ
ンス電流の制限がない状態で信号の出力レベルを増加さ
せることができると共に、信号対雑音比を改善すること
ができるという利点を有する。その上、２つの磁気抵抗
素子の各々の磁気特性や寸法等を正確に一致させるとい
う要求も最小限度に抑制される。
【００２７】これまでは、本発明の一実施例をもとに前
述のようなパラメータ、寸法および材料を例示して説明
してきたが、本文に添付されている請求の範囲およびそ
の等価物に記載された発明の範囲内にある限りにおいて
は、数多くの変形および変更が容易になし得ることが認
識されるであろう。例えば、これまでの構成とは逆に、
磁気抵抗素子層１０、１２が、反強磁性薄膜層１４、１
６に対しそれぞれ交換層として機能するような構成にす
ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による二重の磁気抵抗素子を有
する磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリを示すために部分
的に破断して示す断面図である。
【図２】３本の導体を有し、かつ、その中の２本が、磁
気抵抗形検出ヘッドアセンブリの検出トラック幅を規定
し、さらに、軟磁性パーマロイ・シールドを省略した状
態の図１の磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリの構成を部
分的な等角投影法により示す斜視図である。
【図３】総磁界に対しプロットした磁気抵抗素子の抵抗
変化の様子を示すと共に、交換磁界およびバイアス磁界
の大きさの可変範囲を横座標に沿って示すグラフであ
る。
【図４】誘導形の書き込み用ヘッドアセンブリと二重の
磁気抵抗素子を含む読み出し用ヘッドアセンブリとを組
み合わせて作製した本発明の一実施例の磁気ヘッドを部
分的に破断して示す断面図である。
【符号の説明】
１０…第１の磁気抵抗素子層 １２…第２の磁気抵抗素子層 １４…第１の反強磁性薄膜層 １６…第２の反強磁性薄膜層 １８…酸化物層 ２０、２２…パーマロイ・シールド ２４、２６…一対の導体 ２８、３０…リード ３２…差動増幅器 ３４…導体 ３６…書き込み用ヘッドアセンブリ ３８…磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ ４０…基板 ４２…絶縁用酸化物層 ４６…コイル

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気媒体に記録されている信号を読み出
    すための信号検出用ヘッドアセンブリを含む磁気ヘッド
    において、 該信号検出用ヘッドアセンブリは、 第１の磁気抵抗素子および第２の磁気抵抗素子と、 該第１の磁気抵抗素子および第２の磁気抵抗素子にそれ
    ぞれ付着される第１の反強磁性薄膜および第２の反強磁
    性薄膜と、 該第１の磁気抵抗素子と該第２の磁気抵抗素子との間に
    設けられる絶縁層とを有することを特徴とする磁気ヘッ
    ド。
  2. 【請求項２】 前記磁気ヘッドが、さらに、軟磁性の複
    数のシールドを有し、前記磁気抵抗素子は、該シールド
    に隣接して配置される請求項１記載の磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記複数のシールドの各々が、約２．５
    μm の厚さを有するパーマロイから作製される請求項２
    記載の磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記第１および第２の反強磁性薄膜が、
    鉄マンガン合金（ＦｅＭｎ）から作製される請求項１記
    載の磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記第１および第２の反強磁性薄膜が、
    約１００〜３００Åの厚さを有する請求項４記載の磁気
    ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第１および第２の反強磁性薄膜が、
    前記第１および第２の磁気抵抗素子と同一の空間に配置
    される請求項１記載の磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁気抵抗素子と前記第２の磁
    気抵抗素子が、ほぼ同じ厚さを有する請求項１記載の磁
    気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第１の磁気抵抗素子と前記第２の磁
    気抵抗素子の各々が、約１００〜５００Åの厚さを有す
    る請求項７記載の磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記第１および第２の反強磁性薄膜が、
    前記媒体の表面に対しほぼ垂直な方向に配置される前記
    第１および第２の磁気抵抗素子へ交換／バイアス磁界を
    供給する請求項１記載の磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 磁気媒体上に所定の信号を記録し、か
    つ、該磁気媒体から所定の信号を読み出すための読み書
    き用の磁気ヘッドにおいて、 一定の間隔をおいて配置される複数の磁気抵抗部材、お
    よび、該磁気抵抗部材に付着される複数の反強磁性部材
    とを有する磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ（３８）
    と、 該磁気抵抗形検出ヘッドアセンブリ（３８）の上部に形
    成される誘導形の書き込み用ヘッドアセンブリ（３６）
    とを備えることを特徴とする磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記磁気抵抗部材および反強磁性部材
    が、薄膜の層からなる請求項１０記載の磁気ヘッド。
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