JPH0621229A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0621229A JPH0621229A JP17412592A JP17412592A JPH0621229A JP H0621229 A JPH0621229 A JP H0621229A JP 17412592 A JP17412592 A JP 17412592A JP 17412592 A JP17412592 A JP 17412592A JP H0621229 A JPH0621229 A JP H0621229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- surface protective
- region
- protective film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】外部よりレーザー光により切断しうる領域（ヒ
ューズ開孔部形成領域）を有する半導体装置において、
ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて少なくとも表面保護
膜の最下層膜６の一層を除去せず、半導体装置の耐湿性
の向上をはかる半導体装置の表面保護膜の構造及びその
製造方法を提供する 【構成】複数層よりなる表面保護膜の除去を必要とする
半導体装置表面上の幾つかの領域にあって、ある領域で
は表面保護膜の全層が除去され、またある領域では下方
の数層は除去されずに保護膜を構成している、といった
ように、領域によって表面保護膜の除去が異なる。 【効果】半導体装置の内部に構成された層間絶縁膜の、
外気雰囲気への露出を防止し、及び、他の膜の形成工程
における、層間絶縁膜の削れを防止し、半導体装置内部
の金属配線の、外気雰囲気による腐食の発生頻度を低減
することができる。
ューズ開孔部形成領域）を有する半導体装置において、
ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて少なくとも表面保護
膜の最下層膜６の一層を除去せず、半導体装置の耐湿性
の向上をはかる半導体装置の表面保護膜の構造及びその
製造方法を提供する 【構成】複数層よりなる表面保護膜の除去を必要とする
半導体装置表面上の幾つかの領域にあって、ある領域で
は表面保護膜の全層が除去され、またある領域では下方
の数層は除去されずに保護膜を構成している、といった
ように、領域によって表面保護膜の除去が異なる。 【効果】半導体装置の内部に構成された層間絶縁膜の、
外気雰囲気への露出を防止し、及び、他の膜の形成工程
における、層間絶縁膜の削れを防止し、半導体装置内部
の金属配線の、外気雰囲気による腐食の発生頻度を低減
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造及び
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の構造を、図２に示
す。図２において半導体装置の表面保護膜は二層構造か
らなる。
す。図２において半導体装置の表面保護膜は二層構造か
らなる。
【０００３】表面保護膜が複数層より構成される半導体
装置において、その内部配線を外部へ接続する部分であ
るところの電極形成領域Ａとヒューズ開孔部形成領域Ｂ
での表面保護膜６、及び７の除去は一つの工程で同時に
行われ、電極形成領域Ａとヒューズ開孔部形成領域Ｂで
表面保護膜６、及び７の全層が除去される。このためヒ
ューズ開孔部形成領域Ｂでは、半導体装置内部の層間絶
縁膜４が外気雰囲気に露出する構造をもつ。また、この
際、層間絶縁膜４の表面が少量除去され、層間絶縁膜４
の削れ部分Ｘが生じる。なお、図２において、符号１は
半導体装置基板、符号２は層間絶縁膜、符号３は半導体
装置内部配線、５は金属配線である。
装置において、その内部配線を外部へ接続する部分であ
るところの電極形成領域Ａとヒューズ開孔部形成領域Ｂ
での表面保護膜６、及び７の除去は一つの工程で同時に
行われ、電極形成領域Ａとヒューズ開孔部形成領域Ｂで
表面保護膜６、及び７の全層が除去される。このためヒ
ューズ開孔部形成領域Ｂでは、半導体装置内部の層間絶
縁膜４が外気雰囲気に露出する構造をもつ。また、この
際、層間絶縁膜４の表面が少量除去され、層間絶縁膜４
の削れ部分Ｘが生じる。なお、図２において、符号１は
半導体装置基板、符号２は層間絶縁膜、符号３は半導体
装置内部配線、５は金属配線である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造をもつ
従来の半導体装置は、ヒューズ開孔部形成領域Ｂでは表
面保護膜６、７の除去工程によって、半導体装置内部の
層間絶縁膜４が直接外気雰囲気に露出してしまうこと、
及び、上記の除去工程によるところの膜エッチングが層
間絶縁膜４の一部に達しその部分を除去し、層間絶縁膜
４の削れＸを生じせしめ、層間絶縁膜４の外気雰囲気へ
の露出面積を増大せしめることから、金属配線５と、層
間絶縁膜４を浸透した外気雰囲気との化学反応による金
属配線５の腐食の発生頻度が増大し、金属配線５の耐湿
性を劣化させる等の問題があった。また、層間絶縁膜４
の材質に、ＢＰＳＧのように吸湿性が高く、外気雰囲気
と金属配線５の化学反応を助長するような不純物を多く
含有する物を用いた場合、金属配線５の腐食の発生頻度
は更に増大し、問題はいっそう深刻化する。 そこで本
発明はこのような問題点を解決するものであり、その目
的とするところは、ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて
少なくとも表面保護膜の最下層膜６の一層を除去せず、
半導体装置の耐湿性の向上をはかる半導体装置の表面保
護膜の構造及びその製造方法を提供するところにある。
従来の半導体装置は、ヒューズ開孔部形成領域Ｂでは表
面保護膜６、７の除去工程によって、半導体装置内部の
層間絶縁膜４が直接外気雰囲気に露出してしまうこと、
及び、上記の除去工程によるところの膜エッチングが層
間絶縁膜４の一部に達しその部分を除去し、層間絶縁膜
４の削れＸを生じせしめ、層間絶縁膜４の外気雰囲気へ
の露出面積を増大せしめることから、金属配線５と、層
間絶縁膜４を浸透した外気雰囲気との化学反応による金
属配線５の腐食の発生頻度が増大し、金属配線５の耐湿
性を劣化させる等の問題があった。また、層間絶縁膜４
の材質に、ＢＰＳＧのように吸湿性が高く、外気雰囲気
と金属配線５の化学反応を助長するような不純物を多く
含有する物を用いた場合、金属配線５の腐食の発生頻度
は更に増大し、問題はいっそう深刻化する。 そこで本
発明はこのような問題点を解決するものであり、その目
的とするところは、ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて
少なくとも表面保護膜の最下層膜６の一層を除去せず、
半導体装置の耐湿性の向上をはかる半導体装置の表面保
護膜の構造及びその製造方法を提供するところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
表面保護膜が二層以上の複数膜よりなり、電極形成領域
では保護膜が全層除去され金属配線の外部電極への接続
面は外気雰囲気に露出しており、一方、ヒューズ開孔部
形成領域では少なくとも表面保護膜最下層膜は除去され
ず層を形成しており層間絶縁膜は外気雰囲気に露出して
いない構造をもつことを特徴とする。
表面保護膜が二層以上の複数膜よりなり、電極形成領域
では保護膜が全層除去され金属配線の外部電極への接続
面は外気雰囲気に露出しており、一方、ヒューズ開孔部
形成領域では少なくとも表面保護膜最下層膜は除去され
ず層を形成しており層間絶縁膜は外気雰囲気に露出して
いない構造をもつことを特徴とする。
【０００６】本発明の半導体装置の製造方法は、まず半
導体装置の表面保護膜を二層以上の複数層積層し、表面
保護膜の少なくとも最下層一層を残して、上方の膜を電
極形成領域とヒューズ開孔部形成領域の２領域において
除去し、上記では除去されない下層膜を電極形成領域の
１領域においてのみ除去する工程を具備することを特徴
とする。
導体装置の表面保護膜を二層以上の複数層積層し、表面
保護膜の少なくとも最下層一層を残して、上方の膜を電
極形成領域とヒューズ開孔部形成領域の２領域において
除去し、上記では除去されない下層膜を電極形成領域の
１領域においてのみ除去する工程を具備することを特徴
とする。
【０００７】あるいは、半導体装置の表面保護膜の下部
を構成する数層を積層し、この下部層を電極形成領域の
１領域においてのみ除去し、表面保護膜の上部を構成す
る数層を積層し、上記において形成された上部表面保護
膜を電極形成領域と、ヒューズ開孔部形成領域の２領域
において除去する工程を具備することを特徴とする。
を構成する数層を積層し、この下部層を電極形成領域の
１領域においてのみ除去し、表面保護膜の上部を構成す
る数層を積層し、上記において形成された上部表面保護
膜を電極形成領域と、ヒューズ開孔部形成領域の２領域
において除去する工程を具備することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明は表面保護膜下層膜が、ヒューズ開孔部
形成領域において除去されずに、なお一層を形成してい
るため、半導体装置内部の層間絶縁膜が外気雰囲気に露
出することがなく、また、上記従来技術の半導体装置の
構造における層間絶縁膜の削れが生じることもなく、層
間絶縁膜を浸透した外気雰囲気中の水分による金属配線
の腐食の発生頻度を低減する作用がある。
形成領域において除去されずに、なお一層を形成してい
るため、半導体装置内部の層間絶縁膜が外気雰囲気に露
出することがなく、また、上記従来技術の半導体装置の
構造における層間絶縁膜の削れが生じることもなく、層
間絶縁膜を浸透した外気雰囲気中の水分による金属配線
の腐食の発生頻度を低減する作用がある。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて具体的
に説明する。
に説明する。
【００１０】（実施例１）図１は本発明の一実施例を示
す、半導体装置の表面保護膜の断面図である。図１にお
いて半導体装置の表面保護膜は下層膜６、上層膜７の二
層で構成されている。なお図中に示された符号は図２と
一致する。
す、半導体装置の表面保護膜の断面図である。図１にお
いて半導体装置の表面保護膜は下層膜６、上層膜７の二
層で構成されている。なお図中に示された符号は図２と
一致する。
【００１１】電極形成領域Ａでは、表面保護膜の下層膜
１、上層膜２の二層が除去されており金属配線５の外部
電極と接続される面は外気雰囲気に露出しているが、ヒ
ューズ開孔部形成領域Ｂでは上層膜７のみの除去であ
り、下層膜６は除去されずに保護膜を形成しており層間
絶縁膜４は外気雰囲気に露出していない構造をもつ。
１、上層膜２の二層が除去されており金属配線５の外部
電極と接続される面は外気雰囲気に露出しているが、ヒ
ューズ開孔部形成領域Ｂでは上層膜７のみの除去であ
り、下層膜６は除去されずに保護膜を形成しており層間
絶縁膜４は外気雰囲気に露出していない構造をもつ。
【００１２】次に本発明半導体装置の製造方法の実施例
についてのべる。
についてのべる。
【００１３】（ａ） 半導体装置の基板上に層間絶縁膜
２を酸化シリコンの、化学的気相成長法によるところの
デポジションにより、１００ｎｍの膜厚で形成される。
２を酸化シリコンの、化学的気相成長法によるところの
デポジションにより、１００ｎｍの膜厚で形成される。
【００１４】（ｂ） 半導体装置の内部配線３をポリシ
リコン膜の１００ｎｍのデポジションによる積層、フォ
トリソグラフィ、エッチングにより形成する。
リコン膜の１００ｎｍのデポジションによる積層、フォ
トリソグラフィ、エッチングにより形成する。
【００１５】（ｃ） この上部に層間絶縁膜４がリン９
ｍｏｌ、ホウソ９ｍｏｌを不純物として含有するＢＰＳ
Ｇの化学的気相生長法によるデポジションにより８００
ｎｍの膜厚で形成される。
ｍｏｌ、ホウソ９ｍｏｌを不純物として含有するＢＰＳ
Ｇの化学的気相生長法によるデポジションにより８００
ｎｍの膜厚で形成される。
【００１６】（ｅ） この層間絶縁膜７の上面に金属配
線５がアルミニウムの５００ｎｍのスパッタリング、フ
ォトリソグラフィ、エッチングにより形成される。
線５がアルミニウムの５００ｎｍのスパッタリング、フ
ォトリソグラフィ、エッチングにより形成される。
【００１７】（ｆ） 半導体装置の表面保護膜の下層膜
６を酸化シリコンの化学的気相生長法による膜厚１００
ｎｍのデポジションにより形成する。
６を酸化シリコンの化学的気相生長法による膜厚１００
ｎｍのデポジションにより形成する。
【００１８】（ｇ） 半導体装置の表面保護膜の上層膜
７を窒化珪素の化学的気相生長法による膜厚１０００ｎ
ｍのデポジションにより形成する。
７を窒化珪素の化学的気相生長法による膜厚１０００ｎ
ｍのデポジションにより形成する。
【００１９】（ｈ） 電極形成領域Ａ上、及びヒューズ
開孔部形成領域Ｂ上の２ヶ所に開孔部のパターンを有す
るフォトリソグラフィ、エッチングにより半導体装置の
表面保護膜の上層膜７を除去する。
開孔部形成領域Ｂ上の２ヶ所に開孔部のパターンを有す
るフォトリソグラフィ、エッチングにより半導体装置の
表面保護膜の上層膜７を除去する。
【００２０】（ｉ） 電極形成領域Ａ上の１ヶ所のみに
開孔部のパターンを有するフォトリソグラフィ、エッチ
ングにより半導体装置の表面保護膜の下層膜６を除去し
本発明の半導体装置の表面保護膜の構造を構成する。
開孔部のパターンを有するフォトリソグラフィ、エッチ
ングにより半導体装置の表面保護膜の下層膜６を除去し
本発明の半導体装置の表面保護膜の構造を構成する。
【００２１】（実施例２）本発明の半導体装置の製造方
法の実施例についてのべる。
法の実施例についてのべる。
【００２２】上記実施例１中の工程（ａ）から（ｅ）の
後、上記実施例１とは異なる以下の４工程により本発明
の半導体装置の表面保護膜の構造を構成する。
後、上記実施例１とは異なる以下の４工程により本発明
の半導体装置の表面保護膜の構造を構成する。
【００２３】（ｊ） 半導体装置の表面保護膜の下層膜
６を酸化シリコンの化学的気相生長法による膜厚１００
ｎｍのデポジションにより形成する。
６を酸化シリコンの化学的気相生長法による膜厚１００
ｎｍのデポジションにより形成する。
【００２４】（ｋ） 電極形成領域Ａ上の１ヶ所のみに
開孔部のパターンを有するフォトリソグラフィ、エッチ
ングにより半導体装置の表面保護膜の下層膜６を除去す
る。
開孔部のパターンを有するフォトリソグラフィ、エッチ
ングにより半導体装置の表面保護膜の下層膜６を除去す
る。
【００２５】（ｌ） 半導体装置の表面保護膜の上層膜
７を窒化珪素の化学的気相生長法による膜厚１０００ｎ
ｍのデポジションにより形成する。
７を窒化珪素の化学的気相生長法による膜厚１０００ｎ
ｍのデポジションにより形成する。
【００２６】（ｍ） 電極形成領域Ａ上、及びヒューズ
開孔部形成領域Ｂ上の２ヶ所に開孔部のパターンを有す
るフォトリソグラフィ、エッチングにより半導体装置の
表面保護膜の上層膜７を除去し本発明の半導体装置の表
面保護膜の構造を構成する。
開孔部形成領域Ｂ上の２ヶ所に開孔部のパターンを有す
るフォトリソグラフィ、エッチングにより半導体装置の
表面保護膜の上層膜７を除去し本発明の半導体装置の表
面保護膜の構造を構成する。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
によれば、ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて、表面保
護膜の下層膜６が除去されず、半導体装置内部の層間絶
縁膜４が外部雰囲気に露出せず、また、従来の半導体装
置に見られるような、層間絶縁膜４の削れが生じないこ
とにより、金属配線５の、外気雰囲気からの腐食の発生
頻度を低減することの効果がある。
によれば、ヒューズ開孔部形成領域Ｂにおいて、表面保
護膜の下層膜６が除去されず、半導体装置内部の層間絶
縁膜４が外部雰囲気に露出せず、また、従来の半導体装
置に見られるような、層間絶縁膜４の削れが生じないこ
とにより、金属配線５の、外気雰囲気からの腐食の発生
頻度を低減することの効果がある。
【図１】本発明の半導体装置の表面保護膜の一実施例を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】従来の半導体装置の表面保護膜の構造を示す断
面図。
面図。
１ 半導体装置基板 ２ 層間絶縁膜 ３ 半導体装置内部配線 ４ 層間絶縁膜 ５ 金属配線 ６ 半導体装置の表面保護膜の下層膜 ７ 半導体装置の表面保護膜の上層膜 Ａ 電極形成領域 Ｂ ヒューズ開孔部形成領域 Ｘ 層間絶縁膜４の削れ部分
Claims (3)
- 【請求項１】 表面保護膜が二層膜以上の複数層からな
り、内部配線を、表面保護膜の一領域が取り除かれた部
分を通して外部よりレーザー光により切断しうる領域
（ヒューズ開孔部形成領域）を有する半導体装置におい
て、 前記ヒューズ開孔部形成領域は、少なくとも前記表面保
護膜の最下層一層を有し、 かつ半導体装置の内部配線を外部に接続する電極形成領
域においては、表面保護膜の全層が除去されている構造
からなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体装置の表面保護膜を二層以上の複
数層積層する工程と、 表面保護膜の少なくとも最下層一層を残して、上方の膜
を電極形成領域とヒューズ開孔部形成領域の２領域にお
いて除去する工程、 上記の工程では除去されない下層膜を電極形成領域の１
領域においてのみ除去する工程を具備することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体装置の表面保護膜の下部を構成す
る数層を積層する工程と、この下部層を電極形成領域の
１領域においてのみ除去する工程と、 表面保護膜の上部を構成する数層を積層する工程と、 前記工程において形成された上部表面保護膜を電極形成
領域と、ヒューズ開孔部形成領域の２領域において除去
する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17412592A JPH0621229A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17412592A JPH0621229A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621229A true JPH0621229A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15973096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17412592A Pending JPH0621229A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139384A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5653265A (en) * | 1984-02-13 | 1997-08-05 | Excell Corporation | Hollow plastic product |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17412592A patent/JPH0621229A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5653265A (en) * | 1984-02-13 | 1997-08-05 | Excell Corporation | Hollow plastic product |
| JPH09139384A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
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